KR20120039552A - 후퇴된 지지부 피처를 갖는 척 시스템 - Google Patents

후퇴된 지지부 피처를 갖는 척 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20120039552A
KR20120039552A KR1020117030438A KR20117030438A KR20120039552A KR 20120039552 A KR20120039552 A KR 20120039552A KR 1020117030438 A KR1020117030438 A KR 1020117030438A KR 20117030438 A KR20117030438 A KR 20117030438A KR 20120039552 A KR20120039552 A KR 20120039552A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
template
substrate
chuck
retracted
support section
Prior art date
Application number
KR1020117030438A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101778074B1 (ko
Inventor
마하데반 가나파티서브라마니안
마리오 조한네스 메이슬
아비나시 팡가
병진 최
Original Assignee
몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 filed Critical 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
Publication of KR20120039552A publication Critical patent/KR20120039552A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101778074B1 publication Critical patent/KR101778074B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005—Vacuum work holders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70375—Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

임프린트 리소그래피에서, 템플레이트 척 상의 후퇴된 지지부는 그 위에 위치된 템플레이트의 형상을 변경시켜 나노임프린트 리소그래피 공정에서 테플레이트의 외부 가장자리의 조기 하향 편향의 최소화 및/또는 제거를 제공한다.

Description

후퇴된 지지부 피처를 갖는 척 시스템{CHUCKING SYSTEM WITH RECESSED SUPPORT FEATURE}
관련출원 상호참조
이 출원은 2009년 7월 2일에 출원된 미국 가출원 No. 61/222,794, 및 2010년 7월 1일에 출원된 미국 특허 출원 No. 12/828,498의 우선권을 주장하며, 이들은 모두 여기에 참고로 포함된다.
나노제작은 100 나노미터 이하의 크기의 피처(feature)들을 갖는 매우 작은 구조물의 제작을 포함한다. 나노제작이 꽤 큰 영향을 준 한가지 이용분야는 집적회로의 가공처리에서이다. 반도체 가공처리 산업은 기판 위에 형성된 단위 면적당 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 위해 노력하기를 계속하며, 따라서 나노제작은 더욱더 중요해지고 있다. 나노제작은 형성된 구조물의 최소 피처 치수의 계속된 감소를 허용하면서 더 큰 공정제어를 제공한다. 나노제작이 사용된 다른 개발 영역은 생명공학, 광학기술, 기계 시스템 등을 포함한다.
오늘날 사용 중인 예가 되는 나노제작 기술은 통상 임프린트 리소그래피로 언급된다. 예가 되는 임프린트 리소그래피 공정은 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065976, 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065252, 및 미국 특허 No. 6,936,194와 같은 수많은 간행물에 상세히 기술되어 있는데, 이것들은 모두 여기에 참고문헌으로 포함된다.
상기한 미국 특허출원 공개 및 특허의 각각에 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 성형성(중합성) 층에 양각 패턴의 형성과 양각 패턴에 대응하는 패턴을 하부 기판에 전사하는 것을 포함한다. 기판은 원하는 위치를 얻기 위해 모션 스테이지에 결합시켜 패턴형성 공정을 용이하게 할 수 있다. 패턴형성 공정은 기판과 이격되어 있는 템플레이트 그리고 템플레이트와 기판 사이에 가해진 성형성 액체를 사용한다. 성형성 액체는 고화되어 성형성 액체와 접촉하는 템플레이트의 표면의 형상에 일치하는 패턴을 갖는 단단한 층을 형성한다. 고화 후, 템플레이트는 단단한 층으로부터 분리되어 템플레이트와 기판이 이격된다. 다음에 기판과 고화된 층은 고화된 층의 패턴에 대응하는 양각 이미지를 기판에 전사하기 위한 추가의 공정을 거치게 된다.
본 발명이 더욱 상세히 이해될 수 있도록, 본 발명의 구체예의 설명을 첨부 도면에 예시된 구체예를 참고하여 제공한다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 단지 대표적인 구체예를 예시하는 것이며 따라서 범위를 제한하는 것으로 생각되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명의 구체예에 따르는 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 2는 패턴형성된 층이 위에 위치된, 도 1에 나타낸 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 3은 템플레이트의 외부 영역이 기판에 접촉하는 템플레이트 척의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 4는 후퇴된 지지부를 갖는 템플레이트 척과 후퇴된 지지부를 갖는 기판 척의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 5A-5C는 임프린팅 공정 동안의 도 4의 템플레이트 척과 기판 척의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 6은 분리 공정 동안의 도 4의 템플레이트 척과 기판 척의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 7은 후퇴된 지지부를 갖는 템플레이트 척과 후퇴된 지지부를 갖는 기판 척의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 8A-8C는 임프린팅 공정 동안의 도 7의 템플레이트 척과 기판 척의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 9는 분리 공정 동안의 도 7의 템플레이트 척과 기판 척의 단순화된 측면도를 예시한다.
도면, 특히 도 1을 참고하면, 기판(12) 위에 양각 패턴을 형성하기 위해 사용된 리소그래피 시스템(10)이 예시되어 있다. 기판(12)은 기판 척(14)에 결합될 수도 있다. 예시하는 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 기타를 포함하나, 이에 제한되지 않는 어떤 척도 될 수 있다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 6,873,087에 기술되어 있다.
기판(12) 및 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x, y, 및 z 축에 따라 병진 및/또는 회전 모션을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12), 및 기판 척(14)은 또한 베이스(도시않음)에 위치될 수도 있다.
기판(12)으로부터 이격되어 템플레이트(18)가 있다. 템플레이트(18)는 그로부터 기판(12)을 향하여 연장되는 메사(20)를 포함하고, 메사(20)는 그 위에 패턴형성 표면(22)을 갖는다. 또한, 메사(20)는 몰드(20)로도 언급된다. 대안으로, 템플레이트(18)는 메사(20) 없이 형성될 수도 있다.
템플레이트(18) 및/또는 몰드(20)는 용융 실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 경화 사파이어, 및/또는 기타를 포함하며 이들에 제한되지 않는 이러한 재료로부터 형성될 수 있다. 예시한 바와 같이, 패턴형성 표면(22)은 복수의 이격된 오목부(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 규정된 피처를 포함하나, 본 발명의 구체예는 이러한 구성들에 제한되지 않는다. 패턴형성 표면(22)은 기판(12)에 형성시킬 패턴의 토대를 형성하는 어떤 원래의 패턴도 규정할 수 있다.
템플레이트(18)는 척(28)에 결합될 수도 있다. 척(28)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 다른 유사한 척 유형들로서 구성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 6,873,087에 또한 기술되어 있다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 결합되어 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 템플레이트(18)의 이동을 용이하게 하도록 구성될 수 있다.
시스템(10)은 유체 분배 시스템(32)을 더 포함한다. 유체 분배 시스템(32)은 기판(12) 위에 중합성 재료(34)를 부착시키기 위해 사용될 수 있다. 중합성 재료(34)는 드롭 분배, 스핀-코팅, 침지 코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD), 박막 부착, 후막 부착 및/또는 기타와 같은 기술들을 사용하여 기판(12)에 위치될 수 있다. 중합성 재료(34)는 설계 고려사항에 따라 몰드(20)와 기판(12) 사이에 원하는 공간이 규정되기 전 및/또는 후에 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 중합성 재료(34)는, 모두 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 7,157,036 및 미국 특허출원 공개 No. 2005/0187339에 기술된 것과 같은 단량체 혼합물을 포함할 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 향하게 하도록 결합된 에너지원(38)을 더 포함한다. 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 경로(42)와 겹쳐서 템플레이트(18)와 기판(12)을 위치시키도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32), 및/또는 에너지원(38)과 통신되어 있는 프로세서(54)에 의해 조정될 수 있고, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램에서 작동될 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16), 또는 둘다는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변동시켜 그것들 사이에 중합성 재료(34)가 채워지는 원하는 공간을 규정한다. 예를 들면, 임프린트 헤드(30)는 템플레이트(18)에 힘을 가하여 몰드(20)가 중합성 재료(34)와 접촉하도록 할 수도 있다. 원하는 공간이 중합성 재료(34)로 채워진 후에, 에너지원(38)은 에너지(40), 예를 들면, 광대역 자외선 복사선을 내어, 중합성 재료(34)를 고화 및/또는 가교결합되도록 일으켜 기판(12)의 표면(44)과 패턴형성 표면(22)의 형상에 일치하게 하여 기판(12) 위에 패턴형성된 층(46)을 규정한다. 패턴형성된 층(46)은 잔류 층(48)과, 돌출부(50)와 오목부(52)로서 나타낸 복수의 피처를 포함할 수 있고, 돌출부(50)는 두께(t1)를 갖고 잔류층은 두께(t2)를 갖는다.
상기한 시스템 및 방법은 미국 특허 No. 6,932,934, 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0124566, 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0188381 및 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0211754에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에서 또한 사용될 수 있고, 이들 각각은 여기에 참고문헌으로 포함된다.
도 3을 참고하면, 일반적으로, 임프린팅의 동안에, 템플레이트(18) 및 기판(12)을 거리 d1으로 밀접하게 가깝게 가져와 도 1 및 도 2와 관련하여 기술하고 예시된 바와 같이 패턴형성된 층(46)을 형성한다. 예를 들면, 템플레이트(18) 및 기판(12)을 d1<15μm 이내로 가져올 수도 있다. 템플레이트 복제 과정을 위해, 템플레이트(18)의 길이 및 기판(12)의 길이는 실질적으로 같을 수도 있다. 이런 이유로, 템플레이트(18) 및 기판(12)이 거리 d1 만큼 분리되어 있을 때 템플레이트(18)의 가장자리에서 유발된 하향 편향은 잠재적으로 템플레이트(18)의 외부 가장자리로 하여금 기판(12)과 접촉하도록 야기할 수도 있다. 템플레이트(18)의 하향 편향에 의해 야기된 템플레이트(18)의 외부 가장자리에서 템플레이트(18)와 기판(12) 사이의 이런 유형의 접촉은 미립화 및/또는 스트레스의 원천이 될 수도 있다. 추가로, 이 접촉은 템플레이트(18)가 도 1 및 도 2와 관련하여 기술된 바와 같이 임프린팅 동안에 몰드(20)와 기판(12) 및/또는 중합성 재료(34) 사이에 필요한 접촉을 제공하는 것을 막을 수 있다.
템플레이트(18) 및/또는 기판(12)의 외부 가장자리에서 하향 편향을 감소시키기 위해, 척 시스템은 외부 가장자리에서 템플레이트(18) 및/또는 기판(12)을 지지하는 후퇴된 지지부 피처를 포함할 수 있다. 템플레이트(18)의 후퇴된 지지부 피처는 나노임프린트 리소그래피 공정의 동안에 템플레이트(18)의 외부 가장자리에서 기판(12)으로부터 템플레이트(18)의 물리적 클리어런스를 제공할 수도 있다. 도 4는 후퇴된 지지부 섹션(64) 및 유지 지지부 섹션(66)을 갖는 템플레이트 척(60)을 예시한다. 후퇴된 지지부 섹션(64)은 유지 지지부 섹션(66)을 둘러싸서 후퇴된 지지부 섹션(64)이 척(60)의 외부 경계 상에 있도록 한다.
후퇴된 지지부 섹션(64)은 척(60)의 외부 지지부 섹션으로서 위치되고 하나 이상의 후퇴된 랜드(65)를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 도 4는 척(60)의 외부 가장자리에 위치된 단일의 랜드(65)를 갖는 후퇴된 지지부 섹션(64)을 예시한다. 그러나, 하나 이상의 추가의 후퇴된 랜드(65)가 척(60)의 외부 가장자리에서 위치되어 후퇴된 지지부 섹션(64)을 제공할 수도 있다. 후퇴된 지지부 섹션(64)의 개개의 랜드(65)는 치수가 실질적으로 유사할 수도 있고 또는 본 발명에 따라 임프린팅 및/또는 분리의 동안에 템플레이트(18)의 외부 가장자리의 하향 편향을 최소화 및/또는 제거하기 위해 최소한으로 변경시킬 수도 있다. 후퇴된 랜드의 높이(h1)은 템플레이트(18)의 외부 가장자리가 기판(12)을 향하는 대신에 척(60)을 향하여 굴곡을 이루는 편향된 형상으로 템플레이트(18)를 제공하도록 구성될 수도 있다.
후퇴된 지지부 섹션(64)은 유지 지지부 섹션(66)의 랜드(67)의 길이(hx) 보다 작은 길이(h1)를 갖는 하나 이상의 랜드(65)를 포함할 수도 있다. 유지 지지부 섹션(66)의 랜드(67)는 척(60)의 내부 섹션으로 중간 섹션에서 위치될 수도 있다. 예를 들면, 후퇴된 지지부(64)는 척(60)의 내부 섹션으로 중간 섹션에서 위치된 유지 지지부 섹션(66)의 랜드(67)의 길이(hx) 보다 대략 40μm 작은 길이(h1)를 갖는 랜드(65)를 가질 수도 있다. 유지 지지부 섹션(66)은 하나 이상의 랜드(67)를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 도 4는 4개의 랜드(67)를 갖는 유지 지지부 섹션(66)을 예시하나, 어떤 수의 랜드도 본 발명에 따라서 사용될 수 있다.
템플레이트 척(60)은 또한 후퇴된 지지부 섹션(64), 유지 지지부 섹션(66) 및 템플레이트(18)의 부분들로 형성된 복수의 챔버(68)를 포함할 수도 있다. 도 4에 예시된 바와 같이, 챔버(68a)는 후퇴된 지지부(64)의 랜드(65)와 유지 지지부 섹션(66)의 외부 랜드(67) 사이에 형성되며 템플레이트(18)의 일부를 포함한다. 챔버(68b-68e)는 유지 지지부 섹션(66)의 랜드(67)와 템플레이트(18)의 부분들 사이에 형성된다.
챔버(68a-68e)는 템플레이트 척(60)의 세가지 별개의 구역, 즉 외부 굽힘 구역(Z1), 유지 구역(Z2), 및 배압 구역(Z3)을 제공할 수도 있다. 압력 시스템(70)은 각 구역(Z1-Z3) 내의 압력을 조절하기 위해 작동시킬 수 있다. 압력 시스템(70)은 챔버(68a-68e)와 유체 연통되어 있을 수 있다. 한 구체예에서, 단일 압력 시스템(70)이 각 구역(Z1-Z3) 내의 압력을 조절하기 위해 작동할 수 있다. 대안으로, 두개 이상의 압력 시스템(70)이 각 구역(Z1-Z3) 내의 압력을 조절하기 위해 작동할 수도 있다. 압력은 구역(Z1-Z3) 내의 압력의 적용(즉, 압력 상태) 및/또는 구역(Z1-Z3) 내의 진공력의 적용(즉, 진공 상태)을 포함할 수도 있다. 일반적으로, 압력 상태는 대략 0 내지 10 kPa일 수 있고 진공 상태는 대략 0 내지 -90 kPa일 수 있다.
외부 굽힘 구역(Z1)은 후퇴된 지지부 섹션(64)을 포함한다. 외부 굽힘 구역(Z1) 내에서 및/또는 임프린팅 영역으로부터 거리를 두고 후퇴된 지지부 섹션(64)의 위치설정은 이하에 더 상세히 기술되는 바와 같이 임프린팅 동안에 제공된 템플레이트(18)의 볼록 형상을 확대시킬 수도 있다.
랜드(67)와 비교하여 후퇴된 지지부 섹션(64) 내의 랜드(65)의 감소된 높이(즉, hx-h1)는 또한 주어진 편향의 동안에 템플레이트(18)에 대한 스트레스를 감소시킬 수 있다. 예를 들면, 지지부를 최대 스트레스의 위치에 더 가깝게 제공함으로써, 템플레이트(18)의 최대 스트레스를 감소시킬 수 있다.
유지 구역(Z2)은 유지 지지부 섹션(66)의 랜드(67)와 챔버(68b-68d)를 포함한다. 유지 지지부 섹션(66)의 랜드(67)는 임프린팅 동안에 템플레이트(18)를 평탄화하는데 도움을 줄 수 있다. 임프린팅 동안에 템플레이트(18)의 평탄화는 잔류층(48)(도 2에 기술되고 예시됨)의 두께(t2)의 변동을 감소시킬 수 있다. 예를 들면, 도 1, 도 2 및 도 4를 참고하면, 유지 구역(Z2)의 길이는 몰드(20)의 패턴형성 표면(22)을 실질적으로 편평 상태로 제공하도록(즉, 기울지 않음) 구성되어, 임프린팅 동안에 몰드(20)의 패턴형성 표면(22)의 중합성 재료(34)와의 접촉이 실질적으로 편평하게 되어 잔류층(48)의 두께의 최소한의 변동을 가져오도록 할 수 있다. 추가로, 임프린팅 동안에 유지 구역(Z2)의 챔버(68b-68d) 내의 압력의 제어는 이하에 더 기술되는 바와 같이 잔류층(48)의 두께(t2)의 변동을 감소시키는데 도움을 줄 수도 있다. 템플레이트(18)의 평탄화는 또한 템플레이트(18) 내의 정렬 마크가 최소한의 변동으로 최적하게 위치됨에 따라 임프린팅 동안의 템플레이트(18) 및 기판(12)의 정렬에 도움을 줄 수도 있다.
배압 구역(Z3)은 기판(12) 위에 임프린팅할 피처와 겹쳐서 영역을 포함한다. 압력 시스템(70)은 배압 구역(Z3)을 임프린팅 동안에 압력 상태로 제공하여 템플레이트(18)의 표면이 기판(12) 위에 위치된 재료와 접촉하도록 할 수 있다. 예를 들면, 이러한 압력은 도 1 및 도 2와 관련하여 기술되고 예시된 바와 같이 템플레이트(18)를 중합성 재료(34)에의 접촉을 용이하게 할 수 있다.
템플레이트 척(60)은 또한 임프린팅 및 분리의 동안에 템플레이트(18)의 형상을 변경시킬 수도 있다. 예를 들면, 템플레이트 척(60)은 템플레이트(18)와 기판(12) 사이에 중합성 재료(34)(도 1)를 채우는 동안에 제 1 형상으로 템플레이트(18)를 위치시켜 템플레이트(18)와 중합성 재료(34)(도 1) 사이의 접촉 동안에 더 신속한 충전을 위한 곡률을 제공하며 그리고/또는 템플레이트 척(60)은 또한 템플레이트(18)와 기판(12)을 분리시키기 위해 필요한 분리력을 낮추기 위해 분리의 동안에 제 2 형상으로 템플레이트(18)를 위치시킬 수도 있다.
도 5A-5C는 임프린팅 공정 동안의 템플레이트 척(60)을 예시한다. 도 5A를 참고하면, 임프린팅에 앞서, 압력 시스템(70)은 템플레이트 척(60)의 외부 굽힘 구역(Z1)을 진공 상태로(예를 들면, -40 kPa 내지 -80 kPa) 제공하여 템플레이트(18)가 제 1 형상(72a)(즉, 볼록 형상)을 취하도록 할 수 있다. 추가로, 압력 시스템(70)은 유지 구역(Z2) 및 배압 구역(Z3)을 압력 상태로 제공할 수도 있다. 예를 들면, 유지 구역(Z2)은 낮은 진공 상태(예를 들면, O 내지 -40 kPa) 또는 압력 상태(예를 들면, 0 내지 10 kPa)로 될 수 있고 배압 구역(Z3)은 압력 상태(0 내지 10 kPa)로 될 수 있다. 기판 척(14)은 임프린팅 공정 동안에 기판(12)을 실질적으로 편평 위치로 제공할 수 있다. 템플레이트(18) 및 기판(12)은 도 1과 관련하여 기술된 바와 같이 겹쳐서 위치되고 거리(d2) 만큼 분리될 수 있다.
도 5B를 참고하면, 템플레이트(18)와 기판(12) 사이의 거리(d3)는 감소되어, 템플레이트(18)를 기판(12) 및/또는 기판(12) 위에 부착된 중합성 재료(34)와 접촉하여 위치시킬 수 있다. 템플레이트(18)의 기판(12) 및/또는 중합성 재료(34)와의 접촉 동안에, 템플레이트 척(60)은 템플레이트(18)의 적어도 일부를 형상(72a)으로 또는 형상(72a)에 실질적으로 유사한 위치로 제공할 수 있다. 후퇴된 지지부 섹션(64)은 템플레이트(18)의 외부 가장자리가 기판(12)과 접촉하는 것을 동시에 방지할 수 있다.
도 1, 2 및 5C를 참고하면, 일단 템플레이트(18)가 중합성 재료(34)에 패턴을 전사하면, 압력 시스템(70)은 유지 구역(Z2)을 진공 상태로 제공한다. 진공 상태는 대략 -40 kPa 내지 -80 kPa일 수 있다. 유지 구역(Z2)을 진공 상태로 제공함으로써, 두께(t2)의 변동은 패턴형성된 층(46)의 적어도 가장자리에서 최소화될 수 있다. 후퇴된 지지부 섹션(64)은 몰드(20)의 가장자리에 더 가까운 단단한 지지부를 제공한다. 이러한 지지부는 템플레이트(18)의 외부 가장자리에서 편향을 감소시키고 결과된 잔류층(48)의 두께 (t2)의 변동의 최소화 및/또는 제거를 가져온다.
도 6은 기판(12)으로부터 템플레이트(18)의 분리 동안의 템플레이트 척(60)을 예시한다. 일반적으로, 후퇴된 지지부 섹션(64)은 템플레이트(18)와 기판(12)의 외부 가장자리들 사이의 거리를 제공하는데 도움을 준다. 예를 들면, 템플레이트 척(60)은 템플레이트(18)를 제 2 형상(72b)(예를 들면, 볼록 형상)으로 제공한다. 형상(72b)은 거리(d3)(예를 들면, 대략 40μm 미만)로 템플레이트(18) 및 기판(12)을 제공한다. 제 2 형상(72b)은 도 5A에서 나타낸 제 1 형상(72a)과 실질적으로 유사하거나 또는 다를 수 있다. 기판(12)은 분리 공정 동안에 실질적으로 편평할 수도 있다. 예를 들면, 기판 척(14)은 분리 동안에 기판(12)을 실질적으로 편평하게 유지하는 핀형 척일 수도 있다.
분리 동안에, 압력 시스템(70)은 유지 또는 실질적으로 중립 상태(예를 들면, 비진공)로 유지 구역(Z2)을 제공할 수도 있고 및/또는 유지 구역(Z2)에서의 압력을 증가시킬 수도 있다. 이것은 템플레이트(18)의 자유 스팬 길이(w1)를 (w1 + w2)로 증가시킬 수도 있고, w2는 자유 스팬 길이의 증분이다. 자유 스팬 길이(w1)는 템플레이트 척(60)에 의해 지지되지 않는 템플레이트(18)의 길이(즉, 척(60) 상의 템플레이트(18)의 마지막 억제부와 기판 상의 패턴형성된 층(46)의 가장자리 사이의 거리)로서 정의될 수 있다. 한 예에서, 배압 구역(Z3)의 직경은 대략 102 mm이고, 외부 굽힘 구역(Z1)의 직경은 대략 115 mm이어서 자유 스팬 길이의 증분(w2)은 대략 6.5 mm이도록 한다.
자유 스팬 길이의 증분(w2)은 템플레이트(18)와 패턴형성된 층(46)을 분리하기 위해 필요한 분리력의 크기를 감소시킬 수도 있다. 추가로, 제 2 형상(72b)에서 템플레이트(18)의 위치설정은 더 큰 레버 암에 같은 적용된 힘을 제공함으로써 크랙 각을 증가시켜서 각이 더 높게 하고, 또한 템플레이트(18)와 패턴형성된 층(46)을 분리하기 위해 요구되는 분리력의 크기를 감소시킬 수 있다.
도 7-9는 기판 척(160)이 템플레이트 척(60)의 후퇴된 지지부 섹션(64)에 유사한 후퇴된 지지부 섹션(164)을 포함하는 또 다른 구체예를 예시한다. 후퇴된 지지부 섹션(164)은 기판(12)의 외부 가장자리를 지지하도록 위치될 수 있다.
후퇴된 지지부 섹션(164)은 척(160)의 외부 가장자리에서 위치된 하나 이상의 후퇴된 랜드(165)를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 도 7은 척(160)의 외부 가장자리에 위치된 단일의 랜드(165)를 갖는 후퇴된 지지부 섹션(164)을 예시한다. 랜드(165)는 치수가 랜드(65)와 실질적으로 유사할 수도 있고 본 발명에 따라 임프린팅 및/또는 분리의 동안에 템플레이트(18)의 외부 가장자리의 편향을 최소화 및/또는 제거하도록 구성될 수도 있다. 기판 척(160)은 템플레이트 척(60)의 대신에, 또는 그에 추가하여 사용될 수도 있다.
기판 척(160)은 또한 유지 지지부 섹션(166)을 포함할 수도 있다. 유지 지지부 섹션은 랜드(67)와 유사한 하나 이상의 랜드(167)를 가질 수 있다. 예를 들면, 도 7에서 기판 척(160)의 유지 지지부 섹션(166)은 4개의 랜드(167)를 포함한다.
기판 척(160)은 후퇴된 지지부 섹션(164), 유지 지지부 섹션(166) 및 템플레이트(18)의 부분들 사이에 형성된 복수의 챔버(168)를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 챔버(168a)는 템플레이트(18)의 일부와 함께 후퇴된 지지부(164)의 랜드(165)와 유지 지지부 섹션(166)의 외부 랜드(167) 사이에 형성된다. 챔버(168b-168e)는 유지 지지부 섹션(166)의 랜드(167)와 템플레이트(18)의 부분들 사이에 형성된다.
템플레이트 척(60)과 유사하게, 챔버(168a-168e)는 세가지 별개의 구역, 즉 외부 굽힘 구역(Z1), 유지 구역(Z2), 및 배압 구역(Z3)을 제공할 수도 있다. 압력 시스템(70)은 각 구역(Z1-Z3) 내의 압력을 조절하기 위해 작동시킬 수 있다. 대안으로, 압력 시스템(70)으로부터 별도의 시스템이 각 구역(Z1-Z3) 내의 압력을 조절하기 위해 사용될 수도 있다.
도 8A-8C는 임프린팅 공정 동안의 기판 척(160)을 예시한다. 도 8A를 참고하면, 임프린팅에 앞서, 압력 시스템(70)은 템플레이트 척(60)과 기판 척(160)의 외부 굽힘 구역(Z1)을 진공 상태로 제공하여 템플레이트(18)가 제 1 형상(72a)(즉, 척(60)과 관련하여 볼록 형상)을 취하고 기판(12)이 제 1 형상(74a)(예를 들면, 척(160)과 관련하여 볼록 형상)을 취하도록 할 수 있다. 예를 들면, 기판 척(60b)은 기판(12)을 형상(74a)으로 제공하여 템플레이트(18)의 가장자리와 기판(12)의 가장자리가 거리(d5) 만큼 이격되어 있도록 할 수 있다. 거리(d5)는 대략 100μm - 750μm일 수 있다.
도 8B를 참고하면, 템플레이트(18)와 기판(12) 사이의 거리(d6)는 감소되어, 템플레이트(18)를 기판(12) 및/또는 기판(12) 위에 부착된 중합성 재료(34)와 접촉하여 위치시킬 수 있다(예를 들면, 거리(d6)는 대략 80μm 내지 150μm일 수 있다). 템플레이트(18)의 기판(12) 및/또는 중합성 재료(34)와의 접촉 동안에, 템플레이트 척(60)은 템플레이트(18)의 적어도 일부를 형상(72a)으로 또는 형상(72a)에 실질적으로 유사한 위치로 제공할 수 있고 기판 척(160)은 기판(12)의 적어도 일부를 형상(74a)으로 또는 형상(74a)에 실질적으로 유사한 위치로 제공할 수 있다. 후퇴된 지지부 섹션(64 및 164)은 템플레이트(18)의 외부 가장자리가 기판(12)의 외부 가장자리와 접촉하는 것을 동시에 방지할 수 있다.
도 1, 2 및 9C를 참고하면, 일단 템플레이트(18)가 중합성 재료(34)에 패턴을 전사하면, 압력 시스템(70)은 템플레이트 척(60) 과 기판 척(160)의 유지 구역(Z2)을 진공 상태로 제공한다. 후퇴된 지지부 섹션(64 및 164)은 몰드(20)의 가장자리에 더 가까운 단단한 지지부를 제공한다. 이러한 지지부는 템플레이트(18)와 기판(12)의 외부 가장자리에서 편향을 감소시키고 결과된 잔류층(48)의 두께 (t2)의 변동의 최소화 및/또는 제거를 가져온다.
도 9는 기판(12)으로부터 템플레이트(18)의 분리 동안의 템플레이트 척(60)과 기판 척(160)을 예시한다. 일반적으로, 후퇴된 지지부 섹션(64 및 164)은 템플레이트(18)와 기판(12)의 외부 가장자리들 사이의 거리를 제공하는데 도움을 준다. 예를 들면, 템플레이트 척(60)은 템플레이트(18)를 제 2 형상(72b)(즉, 볼록 형상)으로 제공하고 기판 척(160)은 기판(12)을 제 2 형상(74b)(즉, 볼록 형상)으로 제공한다. 형상(72b 및 74b)은 거리(d7)(예를 들면, 대략 80μm - 200μm)로 템플레이트(18) 및 기판(12)을 제공한다.
분리 동안에, 압력 시스템(70)은 템플레이트 척(60) 과 기판 척(160)의 유지 구역(Z2)을 유지 또는 실질적으로 중립 상태(예를 들면, 비진공)로 제공할 수도 있고 및/또는 유지 구역(Z2)에서의 압력을 증가시킬 수도 있다. 이것은 템플레이트(18)의 자유 스팬 길이(w1)를 (w1 + w2)로 증가시킬 수도 있다. 자유 스팬 길이(w1)는 템플레이트 척(60)에 의해 지지되지 않는 템플레이트(18)의 길이(즉, 척(60) 상의 템플레이트(18)의 마지막 억제부와 기판 상의 패턴형성된 층(46)의 가장자리 사이의 거리)로서 정의될 수 있다. 자유 스팬 길이의 증분은 템플레이트(18)와 패턴형성된 층(46)을 분리하기 위해 필요한 분리력의 크기를 감소시킬 수도 있다. 추가로, 제 2 형상(72b)에서 템플레이트(18)의 위치설정은 크랙 각을 증가시킬 수 있고, 또한 템플레이트(18)와 패턴형성된 층(46)을 분리하기 위해 요구되는 분리력의 크기를 감소시킬 수 있다.

Claims (14)

  1. 복수의 랜드를 갖는 유지 지지부 섹션과;
    유지 지지부 섹션을 둘러싸는 후퇴된 지지부 섹션을 포함하며,
    랜드는 제1 높이를 가지며, 후퇴된 지지부 섹션은 적어도 하나의 후퇴된 랜드를 갖고, 후퇴된 랜드는 제 1 높이보다 실질적으로 낮은 제 2 높이를 갖는 척 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 후퇴된 지지부 섹션의 후퇴된 랜드는 척 시스템의 외부 가장자리에 위치되는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 척 시스템 상에 위치된 후퇴된 지지부 섹션의 후퇴된 랜드, 유지 지지부 섹션의 랜드, 및 템플레이트의 부분들 사이에 형성된 복수의 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서, 복수의 챔버는 세가지 구역인, 외부 굽힘 구역, 유지 구역, 및 배압 구역을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서, 각 챔버와 유체 연통되어 있는 압력 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 후퇴된 랜드의 높이는 그 위에 위치된 템플레이트의, 템플레이트와 겹쳐서 위치된 기판으로부터의 물리적 클리어런스를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 유지 지지부 섹션의 랜드의 높이와 비교한 후퇴된 랜드의 높이는 그 위에 위치된 템플레이트의 스트레스를 감소시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 유지 지지부 섹션의 랜드의 높이는 그 위에 위치된 템플레이트를 실질적으로 편평화하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 후퇴된 랜드의 높이는 그 위에 위치된 템플레이트의 외부 가장자리를 제공하도록 구성되어 척 시스템을 향하여 굴곡지도록 하는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 후퇴된 지지부 섹션과 유지 섹션에 위치된 템플레이트를 더 포함하고, 후퇴된 지지부 섹션의 후퇴된 랜드는 템플레이트의 형상을 변경하도록 구성되어 템플레이트의 외부 가장자리의 하향 편향을 실질적으로 방지하는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서, 템플레이트의 변경된 형상은 템플레이트의 외부 가장자리를 위쪽으로 편향시키는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  12. 제 10 항에 있어서, 템플레이트와 겹쳐서 위치된 기판을 더 포함하고, 기판은 기판 척에 결합되어 있고, 기판 척은 적어도 하나의 랜드가 모든 다른 랜드보다 낮은 높이를 갖는 후퇴된 랜드인 복수의 랜드를 포함하는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서, 후퇴된 랜드는 기판 척의 외부 경계 상에 위치되는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서, 후퇴된 랜드는 기판의 형상을 변경하여 기판의 외부 가장자리가 기판 척을 향하여 굴곡지도록 하는 것을 특징으로 하는 척 시스템.
KR1020117030438A 2009-07-02 2010-07-02 후퇴된 지지부 피처를 갖는 척 시스템 KR101778074B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22279409P 2009-07-02 2009-07-02
US61/222,794 2009-07-02
US12/828,498 US8913230B2 (en) 2009-07-02 2010-07-01 Chucking system with recessed support feature
US12/828,498 2010-07-01
PCT/US2010/001889 WO2011002518A2 (en) 2009-07-02 2010-07-02 Chucking system with recessed support feature

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120039552A true KR20120039552A (ko) 2012-04-25
KR101778074B1 KR101778074B1 (ko) 2017-09-26

Family

ID=43259657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117030438A KR101778074B1 (ko) 2009-07-02 2010-07-02 후퇴된 지지부 피처를 갖는 척 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8913230B2 (ko)
EP (1) EP2449428B1 (ko)
JP (2) JP5793140B2 (ko)
KR (1) KR101778074B1 (ko)
SG (1) SG176634A1 (ko)
WO (1) WO2011002518A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015103370A1 (en) * 2013-12-31 2015-07-09 Canon Nanotechnologies, Inc. Asymmetric template shape modulation for partial field imprinting

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015070054A1 (en) * 2013-11-08 2015-05-14 Canon Nanotechnologies, Inc. Low contact imprint lithography template chuck system for improved overlay correction
US11104057B2 (en) * 2015-12-11 2021-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of imprinting a partial field
JP6954436B2 (ja) * 2016-09-12 2021-10-27 大日本印刷株式会社 レプリカモールドの製造方法及びインプリント装置
US10578984B2 (en) 2016-12-20 2020-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Adaptive chucking system
JP7071231B2 (ja) * 2018-06-28 2022-05-18 キヤノン株式会社 平坦化装置、平坦化方法、物品製造方法及び液滴配置パターンデータの作成方法
JP7218114B2 (ja) * 2018-07-12 2023-02-06 キヤノン株式会社 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法
US11198235B2 (en) 2018-08-09 2021-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Flexible mask modulation for controlling atmosphere between mask and substrate and methods of using the same
JP7129315B2 (ja) 2018-11-05 2022-09-01 キヤノン株式会社 平坦化層形成装置、平坦化方法、および、物品製造方法
US11043407B2 (en) 2019-08-15 2021-06-22 Canon Kabushiki Kaisha Planarization process, apparatus and method of manufacturing an article
US11034057B2 (en) 2019-08-15 2021-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Planarization process, apparatus and method of manufacturing an article
US11145535B2 (en) 2019-08-15 2021-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Planarization process, apparatus and method of manufacturing an article
JP7410616B2 (ja) 2019-09-24 2024-01-10 キヤノン株式会社 平坦化装置、物品の製造方法、平坦化方法及びインプリント装置
US11776840B2 (en) * 2019-10-29 2023-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Superstrate chuck, method of use, and method of manufacturing an article

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL177721B (nl) * 1977-03-14 1985-06-03 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een kunststofinformatiedrager met gelaagde structuur alsmede een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
JPH08130207A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
US5923408A (en) * 1996-01-31 1999-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding system and exposure apparatus using the same
EP1077393A2 (en) * 1999-08-19 2001-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
JP2001127145A (ja) * 1999-08-19 2001-05-11 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP3678079B2 (ja) * 1999-10-26 2005-08-03 ウシオ電機株式会社 マスクとワークの間隔設定手段を備えたコンタクト露光装置
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
JP2001185607A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Canon Inc 基板吸着保持装置およびデバイス製造方法
JP2004029063A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Adtec Engineeng Co Ltd 密着型露光装置
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US20040065252A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
MY136129A (en) * 2002-12-13 2008-08-29 Molecular Imprints Inc Magnification correction employing out-of-plane distortion of a substrate
US7179396B2 (en) 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
KR101940892B1 (ko) * 2003-06-13 2019-01-21 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US7150622B2 (en) * 2003-07-09 2006-12-19 Molecular Imprints, Inc. Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US7504268B2 (en) * 2004-05-28 2009-03-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support method
US7798801B2 (en) * 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US7377765B2 (en) 2006-02-14 2008-05-27 Hitachi Global Storage Technologies System, method, and apparatus for non-contact and diffuse curing exposure for making photopolymer nanoimprinting stamper
EP2007566A4 (en) * 2006-04-03 2010-10-13 Molecular Imprints Inc CHUCK SYSTEM COMPRISING A NETWORK OF FLUID CHAMBERS
KR20080026499A (ko) * 2006-09-20 2008-03-25 캐논 가부시끼가이샤 기판보유장치
US7817252B2 (en) * 2006-09-29 2010-10-19 Intel Corporation Holder for carrying a photolithography mask in a flattened condition
US8377361B2 (en) 2006-11-28 2013-02-19 Wei Zhang Imprint lithography with improved substrate/mold separation
JP4899879B2 (ja) * 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20090086187A1 (en) * 2007-08-09 2009-04-02 Asml Netherlands Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015103370A1 (en) * 2013-12-31 2015-07-09 Canon Nanotechnologies, Inc. Asymmetric template shape modulation for partial field imprinting

Also Published As

Publication number Publication date
US9529274B2 (en) 2016-12-27
JP5998236B2 (ja) 2016-09-28
SG176634A1 (en) 2012-01-30
JP2012532448A (ja) 2012-12-13
JP5793140B2 (ja) 2015-10-14
EP2449428A2 (en) 2012-05-09
EP2449428B1 (en) 2017-12-20
US20150091230A1 (en) 2015-04-02
US20110001954A1 (en) 2011-01-06
WO2011002518A3 (en) 2011-02-24
KR101778074B1 (ko) 2017-09-26
WO2011002518A9 (en) 2011-03-31
JP2015149484A (ja) 2015-08-20
US8913230B2 (en) 2014-12-16
WO2011002518A2 (en) 2011-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120039552A (ko) 후퇴된 지지부 피처를 갖는 척 시스템
JP6538695B2 (ja) パーシャルフィールドインプリントのための非対称的なテンプレート形状の調節
KR101960362B1 (ko) 나노임프린트 리소그래피를 위한 기판/주형의 분리 제어
KR20110046438A (ko) 나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템
US8309008B2 (en) Separation in an imprint lithography process
WO2007133346A2 (en) Imprint lithography method and system
JP7481937B2 (ja) 平坦化方法、平坦化装置及び物品製造方法
TWI556941B (zh) 在基板上壓印毗連區段之方法
JP7495949B2 (ja) 平坦化方法、物品を製造する装置および方法
JP7085827B2 (ja) テンプレートの形状を調整する方法、システム、インプリントリソグラフィ方法
JP2022544891A (ja) 平坦化プロセス、装置、および物品の製造方法
US11249405B2 (en) System and method for improving the performance of a nanoimprint system
US20230373065A1 (en) Planarization process, apparatus and method of manufacturing an article

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant