JP2022544891A - 平坦化プロセス、装置、および物品の製造方法 - Google Patents
平坦化プロセス、装置、および物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022544891A JP2022544891A JP2021568423A JP2021568423A JP2022544891A JP 2022544891 A JP2022544891 A JP 2022544891A JP 2021568423 A JP2021568423 A JP 2021568423A JP 2021568423 A JP2021568423 A JP 2021568423A JP 2022544891 A JP2022544891 A JP 2022544891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superstrate
- substrate
- chuck
- crack
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 156
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 65
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 42
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 7
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 5
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0041—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing the workpiece being brought into contact with a suitably shaped rigid body which remains stationary during breaking
- B28D5/0047—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing the workpiece being brought into contact with a suitably shaped rigid body which remains stationary during breaking using fluid or gas pressure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
- B28D5/0023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rectilinearly
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31058—After-treatment of organic layers
Abstract
Description
図1は、平坦化のためのシステムを示す。平坦化システム100は、基板102上の膜を平坦化するために使用される。基板102は、基板チャック104に結合されうる。基板チャック104は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック等であってもよいが、これらに限定されない。
平坦化プロセスは、図2a~図2cに概略的に示されるステップ(工程)を含む。図2aに示されるように、成形可能材料124は、基板102上に液滴の形状で分配される。前述したように、基板表面は、以前のプロセス操作に基づいて既知でありうる、または、プロファイルメータ、AFM、SEM、またはZygo NewView 8200のような光学干渉効果に基づく光学表面プロファイラを使用して測定されうる幾つかのトポグラフィを有する。堆積された成形可能材料124の局所体積密度は、基板トポグラフィに応じて変化する。次いで、スーパーストレート108は、成形可能材料124と接触させるように位置決めされる。
成形可能材料液滴が拡がり、合併し、スーパーストレートと基板との間のギャップを充填するときに、スーパーストレート108と基板との間の空気またはガスの気泡の捕捉を最小限に抑えるための1つのスキームは、基板の中央における成形可能材料と初期接触させ、更に接触してから、中心から周囲に向かって放射状に進むように、スーパーストレートを位置決めすることである。これには、スーパーストレート内に曲率プロファイルを作り出すために、スーパーストレートまたは基板またはその両方の撓み(deflection)または湾曲(bowing)が必要である。しかしながら、スーパーストレート108が典型的には基板102と同じまたは類似の面積寸法であるとすると、有用なスーパーストレート全体の湾曲曲率プロファイルは、スーパーストレートの大きな垂直方向の撓みと、スーパーストレートチャックおよび平坦化アセンブリによる付随する垂直方向の動作との両方を必要とする。このような大きな垂直方向の撓みおよび動作は、制御、精度、およびシステム設計上の考慮事項にとって望ましくない場合がある。このようなスーパーストレート・プロファイルは、例えば、スーパーストレートの内部領域に背圧を加えることによって得ることができる。しかしながら、そうすることにより、スーパーストレートチャック上にスーパーストレートを保持したままにするためには、依然として外周保持領域が必要とされる。成形可能材料の液滴が拡がって合併する間にスーパーストレートおよび基板の周辺縁部の両方が平坦にチャックされる場合、この平坦なチャック領域には利用可能なスーパーストレートの曲率プロファイルが存在しないであろう。これは、液滴の拡がりおよび合併を損なうことがあり、これはまた、当該領域において非充填欠陥をもたらしうる。加えて、成形可能材料の拡がりおよび充填が完了すると、結果として生じるスーパーストレートチャック、チャックされたスーパーストレート、成形可能材料、基板、および基板チャックのスタックは、過拘束システムとなりうる。これは、結果として生じる平坦化膜の層の不均一な平坦化プロファイルを引き起こしうる。即ち、このような過拘束システムでは、表裏面の平坦度を含む、スーパーストレートチャックからの全ての平坦度誤差またはばらつきが、スーパーストレートに伝達され、平坦化膜の層の均一性に影響を与える可能性がある。
ここで、Imは運動範囲にわたる所望の平均強度であり、Ihはチャックのフィーチャのない領域にわたる高強度(即ち、最大または「最大」強度)であり、Ilは対象フィーチャにおける強度(即ち、最低または「低」強度)であり、whはImを達成するための推定運動範囲であり、wlは対象フィーチャ幅(例えば、ランド、ポート、またはチャネルの幅)である。例えば、フィーチャのない領域での100%のUV透過を仮定し、所望のImをその値の90%と仮定し、さらにwi=1mmと仮定すると、式(1)から、相対運動の所望の範囲wh=8.0mmとなる。あるいは、UV源は、スーパーストレートチャックに入射するUV光の角度を変化させるように、スーパーストレートチャックに対して当該UV源を傾けたり傾斜させたりすることによって移動することができ、これによって、対象フィーチャ付近のシャドウ効果も低減することができる。「薄膜効果」は、スーパーストレートとスーパーストレートチャックとの間に十分なギャップを作り出すようにz軸方向に相対的に移動させることによって、例えば、スーパーストレートをデチャックし、ウェハステージをスーパーストレートチャックから離れるようにz方向に移動させることによって回避することができる。上記の種々の解決策は、特定の領域における全UV線量の均一性を改善し、シャドウ効果および薄膜効果を最小限に抑えるために、個別にまたは組み合わせて適用することができる。様々な実施形態では、適用されるUV光ビームが基板またはスーパーストレートよりも小さくても、同じサイズであっても、または大きくてもよい。一実施形態では、適用されるUV光ビームは、基板の全体をUV光に露光し続けながら、上記の相対運動whに適応する寸法だけ基板よりも大きくすることができる。
成形可能材料が硬化され、平坦化膜の層が形成されると、形成された層からスーパーストレートを除去または剥離することが必要である。しかしながら、スーパーストレートおよび基板が同一または同様の面積寸法を有する場合には、形成された層からスーパーストレートを完全に分離するために、必要に応じてスーパーストレートと形成された層との間に分離クラックを開始および伝播させることは困難である。この問題は、図6~8に示される構造および方法によって解決することができる。図6aおよび図6bに示されるように、基板チャック604は、基板102上のノッチ608と位置合わせ可能なチャックの外周に位置する格納可能なピン606を含む。このようなノッチ(例えば、ウェハノッチ)は、プロセス中およびハンドリング中にウェハを配向する目的のために半導体ウェハに共通である。動作中、格納可能なピン606は、基板102上に位置するノッチ608と位置合わせされて位置決めされる。分離を開始するために、ピン606は、図6aに示されるように、ノッチ608を通って上方に移動し、スーパーストレート108のエッジのポイント610に接触する。ピン606によって加えられる力は、スーパーストレート108と基板102上の硬化層146との間の分離クラック601を開始させるのに十分である。クラック601が生成されると、スーパーストレートチャック118のポート305を通る真空圧力の適用によって、スーパーストレート108のエッジがスーパーストレートチャック118に向かって撓ませられる。これは、スーパーストレートチャック118のランド307bが隣接ランド307aより短いことによって容易になり、これによって、スーパーストレート108のエッジが基板102から離れてスーパーストレートチャック118に向かって撓ませられる空間が提供される。クラック601を生成するために加えられる力は、スーパーストレート、平坦化膜の層、および基板の幾何学的および物理的条件に依存することができる。あるいは、クラック601は、図6cに示されるように、基板102とスーパーストレート108との間に正圧を導入することによって生成されてもよい。ここで、基板チャック614は、正の流体圧力源(図示せず)に接続されたノズル616を含む。ノズル616の活性化により、正の流体圧力PIは、分離クラック601を開始するのに十分な力で、ノズル616を通してスーパーストレート118のエッジのポイント610に送達される。正の流体圧力は、クリーンドライエア、ヘリウム、または窒素の流れを含みうる。クラック601を生成する間、スーパーストレート102はスーパーストレートチャック118内に保持され、基板102は基板チャック104によって保持される。
上述したように、スーパーストレート108は、好ましくは、スーパーストレートと、チャッキング表面から延びるランド307によって画定されるリングゾーン303内のチャッキング表面との間の容積に圧力または真空(負圧)を加えるスーパーストレートチャック118によって保持または支持される。最も外側のランド307aとは別に、内側ランド307bは、隣接する内側ランド307b間のギャップの深さが一定のままであるように、同じ高さを有することが好ましい。ランドの高さ(即ち、ギャップの深さ)は、通常、ガス充填または排気応答時間、ランド剛性特性、膨張または収縮などの熱効果の制限を最小化する等の理由から、非常に小さく、例えば、約数十ミクロンから数千ミクロンのオーダーに保たれる。作動中、ゾーンのランドに対してスーパーストレートを保持させるようにリングゾーンに真空が加えられると、スーパーストレート-ランド境界に真空シールが生成される。しかしながら、十分な力または圧力がチャッキング真空の反対方向にスーパーストレートに加えられると、基板は、チャックのランドから持ち上げられうる。スーパーストレートとランドとの間の特定のギャップでは、真空シールが破損するか、または漏れて、ゾーン内の真空圧力が低下するか、またはゼロにさえなる。次いで、スーパーストレートは、チャックから意図せずにデチャックされるようになる。更に、スーパーストレートがデチャック状態にならない場合であっても、例えば、図4および図5のプロセスにおいて隣接リングゾーンの真空圧を逐次的に解放する場合に、真空漏れは、必要とされる制御レベルを乱す可能性がある。また、外側ランドにおけるこのような漏れは、図4~図5のプロセスにおいて、スーパーストレートの所望の外側エッジ曲率の制御された保持に負の影響を与える可能性がある。同様に、外側ランドの漏れは、図7~図9のプロセスにおいて、分離クラックの開始・伝搬を妨げる可能性がある。
h1<h2
h3>10h2
d3<0.5d
d1>d2+d3
トレンチ1109bを圧力供給源(図示せず)に接続するポート305は、トレンチと交差するか、さもなければトレンチ内に配置される。ポートがトレンチと交差しない場合、必要な高圧を維持することができず、トレンチは無効になる。上記実施形態では、外側ランドh1は、漏れの発生が予想される場所である。内側リングトレンチ1109bの場合、ランド高さは同じ、即ちh1=h2とすることができる。この場合、距離d1は、漏れが予想される指定のランド(即ち、h1またはh2)から測定される。例えば、図11aおよび図11bの実施形態では、内側リングゾーン303aは、図4~5に関連するプロセスで説明したように、リングゾーンの逐次的な真空解放およびその後の加圧中の内側ランドでの漏れに対して緩和するために、それらのそれぞれのリングゾーンの外側ランド(チャック中心から半径方向に測定されるように)により近い位置に配置されたトレンチ1109aを含む。
Claims (21)
- 少なくとも基板とスーパーストレートとのスタックのエッジ上のポイントに少なくとも1つのクラックを生成することと、
前記クラックを外周に沿って伝播させることと、
前記基板からの前記スーパーストレートの分離を完了させるように前記スーパーストレートを前記基板に対して移動させることと、
を含む方法。 - 前記クラックを生成するために、前記エッジ上の前記ポイントにおける前記基板と前記スーパーストレートとの間に正の流体圧力を導入することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記正の流体圧力は、クリーンドライエア、ヘリウム、または窒素の流れを含む、請求項2に記載の方法。
- 負の流体圧力でスーパーストレートチャックに前記スーパーストレートを保持させることと、
前記スタックの前記エッジに沿って前記クラックを伝搬させるように、負の流体圧力の高い流れを前記スーパーストレート上の周囲ゾーンに適用することと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記スーパーストレート上の前記周囲ゾーンに前記負の流体圧力の高い流れを適用しながら、前記分離された部分に前記正の流体圧を導入し続けることを更に含む、請求項4に記載の方法。
- スーパーストレートチャックで、前記基板から離れる方向に前記スーパーストレートを移動させることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- スーパーストレートチャックで前記基板からの前記スーパーストレートの前記分離を完了させるように、前記スーパーストレート上の中央ゾーンに負の流体圧力を加えることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記クラックを生成するように前記スーパーストレートのエッジ上の前記ポイントに力を加えることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記スタックの前記エッジの他のポイントにおける前記基板と前記スーパーストレートとの間に正の流体圧力を加えることによって、他のクラックを生成することを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 前記力は、正の流体圧力または機械的接触を導入することによって加えられる、請求項1に記載の方法。
- 前記スーパーストレートが張り出しエッジ部分を含むように、前記基板と前記スーパーストレートとを積層することと、
クラックを生成するように前記張り出しエッジ部分に力を加えることと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記スーパーストレートの他のエッジ部分を、前記基板のエッジ部分のノッチと位置合わせすることと、
前記基板と前記スーパーストレートとの間に他のクラックを生成するように、前記他のエッジ部分に力を加えることと、
を含む、請求項11に記載の方法。 - 負の流体圧力でスーパーストレートを保持するように構成されたスーパーストレートチャックと、
基板と共に積層された前記スーパーストレートのエッジ上のポイントに力を加え、前記エッジの前記ポイントにおける前記基板と前記スーパーストレートとの間にクラックを生成するように構成された力の供給源と、
を備えるチャッキングシステム。 - 前記スーパーストレートチャックはランドのパターンを含み、前記スーパーストレートチャックのエッジ付近に位置する前記ランドの1つは、前記スーパーストレートが前記クラックを生成しながら前記スーパーストレートチャックに向かって撓むことを可能にするように、前記スーパーストレートチャックの内側部分に位置する他のランドの下方に窪んでいる、請求項13に記載のチャッキングシステム。
- 負の流体圧力で前記基板を保持するように構成された基板チャックを更に備える、請求項13に記載のチャッキングシステム。
- 前記基板チャックはランドのパターンを含み、前記基板チャックのエッジに位置する前記ランドの1つは、前記基板が前記クラックを生成しながら前記基板に向かって撓むことを可能にするように、前記基板チャックの内側部分に位置する他のランドの下方に窪んでいる、請求項15に記載のチャッキングシステム。
- 前記力の供給源は、横方向の機械的押力を生成する機構、または、前記スーパーストレートの前記エッジに向かう正の流体圧力の供給源を含む、請求項13に記載のチャッキングシステム。
- 前記基板は、そのエッジに配置されたノッチを含み、前記力の供給源は、前記ノッチを介して前記スーパーストレートに加えられる負の流体圧力の供給源を含む、請求項13に記載のチャッキングシステム。
- 前記スーパーストレートチャックを通して前記負の流体圧力を前記スーパーストレートに加えるための負の流体圧力の供給源を更に備える、請求項13に記載のチャッキングシステム。
- 前記スーパーストレートチャックは、前記スーパーストレートが張り出し部分を含むように前記スーパーストレートを保持するように構成され、
前記力の供給源は、前記スーパーストレートの前記張り出し部分に力を加えて前記クラックを発生させるように構成されている、
請求項13に記載のチャッキングシステム。 - 基板とスーパーストレートとの間に積層された硬化材料を形成することと、
基板とスーパーストレートとの間のエッジにおけるポイントに少なくとも1つのクラックを生成することと、
前記クラックを外周に沿って伝播させることと、
前記硬化材料から前記スーパーストレートを分離することと、
を含む物品の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/541,618 | 2019-08-15 | ||
US16/541,618 US11034057B2 (en) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | Planarization process, apparatus and method of manufacturing an article |
PCT/US2020/070292 WO2021030823A1 (en) | 2019-08-15 | 2020-07-17 | Planarization process, apparatus and method of manufacturing an article |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022544891A true JP2022544891A (ja) | 2022-10-24 |
JPWO2021030823A5 JPWO2021030823A5 (ja) | 2023-04-05 |
Family
ID=74567897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021568423A Pending JP2022544891A (ja) | 2019-08-15 | 2020-07-17 | 平坦化プロセス、装置、および物品の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11034057B2 (ja) |
EP (1) | EP4014248A4 (ja) |
JP (1) | JP2022544891A (ja) |
KR (1) | KR20220031078A (ja) |
CN (1) | CN114097065A (ja) |
TW (1) | TWI781424B (ja) |
WO (1) | WO2021030823A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11656546B2 (en) | 2020-02-27 | 2023-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus for uniform light intensity and methods of using the same |
US11443940B2 (en) * | 2020-06-24 | 2022-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for uniform light intensity and methods of using the same |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5923408A (en) | 1996-01-31 | 1999-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding system and exposure apparatus using the same |
TW524873B (en) | 1997-07-11 | 2003-03-21 | Applied Materials Inc | Improved substrate supporting apparatus and processing chamber |
JPH11195563A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Canon Inc | 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
JP2000164905A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-06-16 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法とその製造装置 |
TW508690B (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-01 | Canon Kk | Composite member separating method, thin film manufacturing method, and composite member separating apparatus |
JP2003017667A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Canon Inc | 部材の分離方法及び分離装置 |
US7790231B2 (en) | 2003-07-10 | 2010-09-07 | Brewer Science Inc. | Automated process and apparatus for planarization of topographical surfaces |
US8913230B2 (en) * | 2009-07-02 | 2014-12-16 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Chucking system with recessed support feature |
WO2012083578A1 (zh) | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 青岛理工大学 | 整片晶圆纳米压印的装置和方法. |
KR101908290B1 (ko) * | 2012-04-03 | 2018-10-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 양면 점착 시트 및 이를 구비한 화상 표시 장치 |
US8945344B2 (en) * | 2012-07-20 | 2015-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Systems and methods of separating bonded wafers |
US11104057B2 (en) | 2015-12-11 | 2021-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of imprinting a partial field |
-
2019
- 2019-08-15 US US16/541,618 patent/US11034057B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-15 TW TW109123908A patent/TWI781424B/zh active
- 2020-07-17 EP EP20852083.3A patent/EP4014248A4/en active Pending
- 2020-07-17 KR KR1020227004067A patent/KR20220031078A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-07-17 JP JP2021568423A patent/JP2022544891A/ja active Pending
- 2020-07-17 CN CN202080051174.4A patent/CN114097065A/zh active Pending
- 2020-07-17 WO PCT/US2020/070292 patent/WO2021030823A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI781424B (zh) | 2022-10-21 |
TW202121536A (zh) | 2021-06-01 |
US11034057B2 (en) | 2021-06-15 |
US20210050218A1 (en) | 2021-02-18 |
EP4014248A1 (en) | 2022-06-22 |
EP4014248A4 (en) | 2023-08-30 |
WO2021030823A1 (en) | 2021-02-18 |
KR20220031078A (ko) | 2022-03-11 |
CN114097065A (zh) | 2022-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11145535B2 (en) | Planarization process, apparatus and method of manufacturing an article | |
JP6538695B2 (ja) | パーシャルフィールドインプリントのための非対称的なテンプレート形状の調節 | |
KR102588245B1 (ko) | 평탄화 공정, 장치, 및 물품 제조 방법 | |
US11776840B2 (en) | Superstrate chuck, method of use, and method of manufacturing an article | |
US20230061361A1 (en) | Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article | |
US20220082952A1 (en) | Method of clamping a substrate to a clamping system, a substrate holder and a substrate support | |
JP2022544891A (ja) | 平坦化プロセス、装置、および物品の製造方法 | |
US20230335428A1 (en) | Chuck assembly, planarization process, apparatus and method of manufacturing an article | |
JP7481937B2 (ja) | 平坦化方法、平坦化装置及び物品製造方法 | |
JP2020043315A (ja) | 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 | |
US11587795B2 (en) | Planarization apparatus including superstrate chuck with bendable periphery | |
JP2018006379A (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
KR20230043723A (ko) | 표면 성형 방법, 성형 시스템, 및 물품 제조 방법 | |
KR20230161886A (ko) | 평탄화 공정, 장치 및 물품 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230328 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240419 |