KR20120032141A - 반도체 제조용 접착제 조성물 및 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 접착제 조성물 및 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지, 에폭시 화합물과 페놀 수지의 혼합물 및 충전제를 포함하며, 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 픽업(Pick up) 공정 특성이 우수하고, 웨이퍼, 리드프레임, PCB 기판(PCB Substrate)에 대한 접착력이 우수한 반도체 제조용 접착제 조성물 및 이 조성물의 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 접착필름에 관한 것이다.

Description

반도체 제조용 접착제 조성물 및 필름{ADHESIVE COMPOSITION AND FILM FOR MANUFATURING SEMICONDUCTOR}
본 발명은 반도체 제조용 접착제 조성물 및 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지, 에폭시 화합물과 페놀 수지의 혼합물 및 충전제를 포함하며, 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 픽업(Pick up) 공정 특성이 우수하고, 웨이퍼, 리드프레임, PCB 기판(PCB Substrate)에 대한 접착력이 우수한 반도체 제조용 접착제 조성물 및 이 조성물의 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 접착필름에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 칩으로 절단하여, 개개의 칩을 리드프레임이나 플렉서블 프린티드서킷보드에 본딩하는 공정재료로서 단층 칩 패키지에서는 액상 형태의 접착제를 적용하였으나, 반도체의 제조 공정의 고도화로 인하여 다층 칩 적층 기술을 이용한 반도체 실장 패키지가 많은 부분을 차지하게 되었다. 이러한 다층 칩 적층 패키지에 액상 접착제를 사용하면 공정 작업성이 어려워지기 때문에, 다층 칩 적층 패키지에는 접착제를 필름상으로 적용하게 되었다. 이러한 필름형태의 접착제는 회로가 식각된 웨이퍼의 그라인딩 공정 이후에 라미네이션 설비를 이용하여 적용되며, 열에 의해 접착력을 발휘하게 된다. 그 결과, 접착필름이 부착된 필름의 웨이퍼를 칩으로 절단하기 위한 다이싱 공정, 절단된 칩을 개개의 칩으로 개편하기 위한 확장 및 픽업(pick-up)공정, 픽업공정에 의해서 개편화된 칩을 기판에 실장하기 위한 본딩 공정을 통하여 액상 접착제와 달리 다층의 칩을 적층할 수 있게 한다. 이렇게 적층된 칩과 기판의 전기적 연결을 위한 금속 와이어링 공정 및 칩의 보호를 위한 에폭시 몰딩 공정이 후속하여 진행된다. 상기와 같은 공정 중에서 웨이퍼를 절단하여 칩 형태로 제조한 다음, 이후의 공정에 사용하기 위하여 접착필름이 활용된다.
완성된 칩을 기판에 부착하기 위한 기존의 수단으로는 액상 에폭시 수지 조성물을 준비된 리드프레임이나 플렉서블 프린티드서킷보드(FPCB) 위에 일정 형상으로 도포하고, 웨이퍼 보호용 점착쉬트를 이용하여 미리 가공된 개편화된 칩을 실장하는 방식이 있다. 그러나 액상 에폭시 수지 조성물을 도포하는 공정은 도포두께의 균일도를 제어하기 어렵고, 칩 부착시 가해지는 압력에 의해 블리딩 등이 발생하기 쉽다. 액상 접착제 조성물의 요변지수를 조절하여 그 흐름성을 제어할 수는 있으나, 다층 칩의 제조에는 적용이 어려워 단일 칩의 제조에만 국한되고 있다.
상기 액상 접착제로부터 수반되는 문제를 해결하기 위하여 액상 접착제를 적절한 수지 조성물로 개질하여 쉬트상으로 제공하는 방법이 제안되어 왔다. 쉬트상 접착제는 칩과 유사한 크기의 릴(rill) 형태로 제조된 후, 이 접착쉬트를 칩 크기로 절단하고 본딩할 수 있는 특정장비를 사용하여 절단하고 기판에 부착시킨 후 개편화된 칩을 부착하는 방식으로 사용된다. 그러나 이러한 공정은 접착쉬트를 절단하고 부착하기 위한 특정장비와 추가 공정을 필요로 하는 문제가 있어 그 활용이 줄어들고 있다.
현재의 반도체 칩 부착 공정에서는, 접착쉬트를 웨이퍼 이면에 미리 부착하여 다이싱 공정을 진행하고 칩을 리드프레임 또는 플렉서블 프린티드서킷보드에 본딩하게 된다. 이러한 본딩 공정에서 접착 필름은 다이싱 공정전 웨이퍼와의 라미네이션시 기포없이 우수한 밀착력을 가져야 하며, 다이싱 공정에서 사용되는 공정 용수 및 크리닝에 사용되는 물과 에어에 의하여 접착필름과 웨이퍼 이면 또는 다이싱 필름 사이에서 박리 내지 수침이 발생되지 않아야 한다. 또한 다이싱 공정에서 분리된 칩을 픽업하는 공정에서 어려움 없이 다이싱 필름으로부터 픽업이 이루어져야 하며, 본딩공정에서는 칩과 리드프레임 또는 플렉서블 프린티드서킷보드에 대해 우수한 접착력을 나타내어야 한다.
높은 처리 속도와 높은 메모리를 요구하는 제품의 경우, 반도체 칩 제조 공정에서 칩과 플렉서블 프린티드서킷보드 사이의 다이 본딩용 접착 필름의 접착력이 높아야 한다. 플렉서블 프린티드서킷보드와 칩의 본딩에서 충분한 접착력이 나타나지 않으면 칩 제조 공정 중에 플렉서블 프린티드서킷보드로부터 칩이 이탈할 수 있다.
대한민국 등록특허 제10-0826420호는 주쇄에 이중결합을 가지는 고무계 수지를 사용한 접착필름 조성물을 제공하고 있다. 그러나 이 특허의 조성물에서와 같이 수지의 주쇄에 이중결합이 존재하면 이중결합의 가류로 인하여 플렉서블 프린티드서킷보드에 대한 접착력이 오히려 낮아질 수 있다.
대한민국 등록특허 제10-0447014호는 내열성이 높은 폴리이미드계 접착제 조성물을 이용한 접착 필름을 제공하고 있다. 그러나 이 특허의 조성물은 내열성은 높은 대신 접착력이 낮다는 문제점이 있다.
대한민국 등록특허 제10-0826420호 대한민국 등록특허 제10-0447014호
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 한 것으로, 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 픽업 공정 특성이 우수하고, 웨이퍼, 리드프레임, PCB 기판에 대한 접착력이 우수한 반도체 제조용 접착제 조성물 및 이 조성물의 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 접착필름을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하고자, 본 발명은 15~40중량%의 아크릴로니트릴 모노머 단위를 함유하는 아크릴 수지 15~75중량부; 에폭시 화합물과 페놀 수지의 혼합물 5~60중량부; 및 충전제 10~80중량부를 포함하는 반도체 제조용 접착제 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명의 접착제 조성물의 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착필름이 제공된다.
본 발명의 접착제 조성물 및 접착필름을 반도체 제조공정 중에 사용하면, 웨이퍼와의 라미네이션시 웨이퍼에 대한 부착력과 점착력이 우수하고, 다이싱 필름으로부터의 픽업 특성이 우수하며, 본딩공정에서 접착력이 우수하여 반도체 패키지 제조 공정의 작업성을 높이고, 제조된 반도체 제품의 신뢰성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 접착필름이 웨이퍼에 적용된 상태의 일 구체예를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 접착필름의 일 구체예의 층구성을 나타낸 개략도(위쪽) 및 그 사용 직전에 이형필름을 제거한 상태를 나타낸 개략도(아래쪽)이다.
도 3은 본 발명에 따른 접착필름을 포함하는 다이싱/다이본딩 필름의 일 구체예의 층구성을 나타낸 개략도이다.
이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 접착제 조성물은 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지 성분을 포함한다. 이 아크릴 수지 성분은, 수지 100중량%에 대하여 15~40중량%, 보다 바람직하게는 20~40중량%의 아크릴로니트릴 모노머 단위를 함유한다. 본 발명의 일 구체예에 따르면, 아크릴로니트릴 화합물 15 내지 40중량부와 아크릴레이트 화합물, 예컨대 에틸 또는 부틸 아크릴레이트 60 내지 85중량부를 중합반응하여 얻어진 아크릴 수지 성분이 사용될 수 있다. 아크릴로니트릴 모노머 단위 함량이 15중량% 미만이면 에폭시 화합물과의 상용성이 떨어지고, 40중량%를 초과하면 수지 분자량이 너무 급격하게 올라가는 문제점이 있다.
본 발명에 있어서, 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지의 중량평균 분자량은 바람직하게는 30만 내지 200만이며, 보다 바람직하게는 50만 내지 150만이다. 또한 그 유리전이온도는 바람직하게는 -20℃ 내지 50℃이고, 보다 바람직하게는 0℃ 내지 40℃이다. 아크릴 수지의 중량평균 분자량이 30만 미만이면 수지의 점도가 너무 낮아져 접착필름 구성시 너무 소프트해져 필름 구성이 어려울 수 있으며, 200만을 초과하면 점도가 너무 높아져 필름의 제조에 어려움이 있을 수 있다. 아크릴 수지의 유리전이온도가 -20℃ 미만이면 접착필름의 표면 젖음성이 너무 높아져 필름 가공시 점착필름과의 분리성이 나빠질 수 있고, 50℃를 초과하면 반도체 패키지 공정에서 웨이퍼와의 부착력이 나빠져 공정상에서 접착필름의 분리가 발생할 수 있다.
본 발명의 접착제 조성물에는 상기 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지가 15~75중량부 포함된다. 조성물 내 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지 함량이 이보다 적으면 전체 필름의 물성에서 코팅성이 나빠지고 필름이 너무 쉽게 부서지는 문제점이 있고, 반대로 이보다 많으면 필름 형성은 잘되지만 접착력 부족으로 인하여 반도체 칩 제조 공정에서 신뢰성이 나빠지는 문제점이 있다.
본 발명의 접착제 조성물은 에폭시 화합물과 페놀 수지의 혼합물을 포함한다.
본 발명에서 사용가능한 에폭시 화합물로는 예컨대, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A 노볼락형 에폭시 수지, 비페놀의 디글리시딜에테르화물, 나프탈렌디올의 디글리시딜에테르화물, 페놀류의 디글리시딜에테르화물, 알코올류의 디글리시딜에테르화물 및 이들의 알킬 치환체, 할로겐화물 또는 수소첨가물, 다관능 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지 등을 포함하여 일반적으로 알려져 있는 것들을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예컨대 시판의 것으로, 에피코트807, 에피코트815, 에피코트825, 에피코트827, 에피코트828, 에피코트834, 에피코트1001, 에피코트1002, 에피코트1003, 에피코트1055, 에피코트1004, 에피코트1004AF, 에피코트1007, 에피코트1009, 에피코트1003F, 에피코트1004F(이상, 재팬에폭시레진주식회사제, 상품명), YD011, YD-012, YD-013K, YD-014, YD-017, YD-112, YD-113, YD-114, YD-115, YD-127, YD-128(이상, 국도화학주식회사제, 상품명), SE-187, SE-187P (이상, 신화T&C사제, 상품명) 등의 비스페놀A형 에폭시 수지, YDF-161,YDF-162, YDF-170 (국도화학주식회사제, 상품명), SE-187, SE-187P (이상, 신화T&C사제, 상품명) 등의 비스페놀F형 에폭시 수지, EPPN-201, EPPN-501, EPPN-501HY, EPPN-502(이상, 니뽄화약주식회사제, 상품명), YDPN-631, YDPN-636, YDPN-638 (이상, 국도화학주식회사제, 상품명) 등의 페놀노볼락형 에폭시 수지, YDCN-500-1P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-10P, YDCN-500-80P (이상, 국도화학주식회사제, 상품명), EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027(이상, 니뽄화약주식회사제, 상품명)등의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용가능한 페놀 수지에는 특별한 제한이 없으며, 하이드록시 당량이 100eq/kg 내지 300eq/kg인 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 화합물과 페놀 수지의 혼합물 내 양자의 혼합비는, 에폭시 화합물 내 에폭시 당량 : 페놀 수지 내 하이드록시 당량비로 1:0.8 내지 1:1.2인 것이 바람직하다. 이 혼합비가 상기 수준을 벗어나면, 에폭시-페놀 경화시스템의 부족으로 인하여 과경화 또는 미경화되어 반도체 칩 제조 공정 후 신뢰성 평가에서 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 접착제 조성물에는 에폭시 화합물과 페놀수지의 혼합물이 5~60중량부 포함된다. 조성물 내 에폭시 화합물과 페놀수지의 혼합물 함량이 이보다 적으면 고온에서 경화물의 물성이 약해져 장기 사용상에 있어서 문제점이 있고, 반대로 이보다 많으면 필름이 너무 딱딱해지며, 필름상 코팅이 어려운 문제점이 있다.
본 발명의 접착제 조성물은 충전제를 포함한다. 충전제로는 상기 아크릴 수지 성분과의 혼화성이 낮은 에폭시계 고분자 화합물, 구상 또는 뭉침 상 형태의 입자 등이 사용가능하다.
아크릴 수지 성분과의 혼화성이 낮은 에폭시계 고분자 화합물로는 중량평균분자량이 50,000이상인 것이 바람직하나. 이에 특별히 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 구체예에 따르면, 비스페놀 A형, F형 또는 A형과 F형의 혼합물이 에폭시계 고분자 충전제로 사용가능하며, 그 중량평균분자량은 1만 내지 10만이다.
입자상의 충전제로는 실리카(예컨대 용융실리카, 건식실리카), 알루미나(예컨대 구상, 각상, 판상 또는 플레이크상 알루미나), 실버, 골드코팅비드, 실리콘비드, 카본블랙, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 질화붕소, 이산화티타늄, 세라믹 등의 입자를 들 수 있다. 입자상의 충전제의 평균 입자 크기는 바람직하게는 10 나노미터 내지 10 마이크로미터이며, 보다 바람직하게는 20 나노미터 내지 5 마이크로미터이다. 입자상의 충전제로는 구상 내지 입자 뭉침상의 형태를 갖는 것을 사용할 수 있다. 본 발명의 일 구체예에 따르면, 알루미나의 경우 구상:각상 알루미나를 중량비로 1:3 내지 1:6의 범위로 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 접착제 조성물에는 충전제가 10~80중량부 포함된다. 조성물 내 충전제 함량이 이보다 적으면 접착제의 강도가 저하되는 문제점이 있고, 반대로 이보다 많으면 점착필름과의 밀착력이 떨어져 공정 작업성이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명의 접착제 조성물에는 상기한 성분들 이외에 반도체 공정용 접착제 조성물에 통상적으로 사용되는 성분들, 예컨대, 아세톤, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 에틸아세테이트 등과 같은 용제가 적절한 양으로 추가로 포함될 수 있다.
본 발명의 접착제 조성물 제조방법에는 특별한 제한이 없으며, 통상의 접착제 조성물 제조용 장비를 사용하여 통상의 공정으로 제조할 수 있다. 본 발명의 일 구체예에 따르면, 상기 설명한 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지, 에폭시 화합물, 페놀수지, 충전제 및 용제 등의 기타 성분을 비드밀 등의 혼합장비를 사용하여 실온 내지 적절히 승온된 온도에서 분산 및 혼합함으로써 본 발명의 접착제 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 설명한 바와 같은 본 발명의 접착제 조성물의 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착필름이 제공된다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 접착필름은 상기 본 발명의 접착제 조성물의 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 그 외에 필름구성상 필요에 따라 하나 이상의 기재(필름)층[이형(필름)층 또는 보호(필름)층이라고도 함) 및 점착(필름)층을 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 구체예에 따른 반도체 제조용 접착필름은 접착제 조성물 층 + 점착층; 기재층 + 접착제 조성물 층 + 기재층; 접착제 조성물 층 + 기재층; 기재층 + 접착제 조성물 층 + 점착층 등과 같은 층 구성을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 반도체 제조용 접착필름에 포함가능한 기재층 재질에는 특별한 제한이 없으며, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리올레핀계 또는 폴리비닐클로라이드계 물질과 같이 반도체 제조용 접착필름의 기재필름으로서 통상 사용가능한 것들을 활용할 수 있다. 또한 점착층으로는, 광반응성 올리고머를 포함하는 아크릴계 물질과 같이 반도체 제조용 접착필름에 통상 사용되는 점착성 물질이 사용될 수 있다.
본 발명의 반도체 제조용 접착필름에 있어서, 상기 접착제 조성물의 코팅층 두께에는 특별한 제한이 없으며, 통상 5 내지 300μm 범위 내에서 구체적인 층구성에 따라 달라질 수 있다. 예컨대 접착제 조성물의 코팅층 두께가, 점착층과 함께 구성되는 경우에는 5 내지 80μm 범위일 수 있고, 두개의 기재층 사이에 구성되는 경우에는 20 내지 100μm 범위일 수 있으며, 1개의 기재층과 함께 구성되는 경우에는 40 내지 300μm 범위일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 접착필름 제조방법에는 특별한 제한이 없으며, 통상의 다층접착필름 제조용 장비를 사용하여 통상의 공정으로 제조할 수 있다. 본 발명의 일 구체예에 따르면, 본 발명의 접착제 조성물을 폴리에틸렌 테레프탈레이트 재질의 기재층에 코팅한 후, 이를 필요에 따라 아크릴 점착제가 코팅된 점착필름과 합지하여 본 발명의 접착필름을 제조할 수 있다.
이하 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 어떤 의미로든 본 발명의 범위가 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 접착필름의 물성평가는 하기 방법으로 수행하였다.
접착력 평가
본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 접착필름의 접착력 측정을 위하여, JIS Z 0237 규격 및 KSA 1107 규격에 의거하여 만능시험기를 사용하여 180°박리력을 시험하였다.
자외선 조사 이후 박리력은 자외선 조사장치를 사용하여 80mW/cm2 강도의 자외선을 150mJ/cm2로 조사한 후 상온에서 20분간 방치하여 180°박리력을 시험하였다.
웨이퍼와 접착필름의 Void 확인
본 발명의 실시예에서 제조된 접착필름을 테이프마운팅설비 (DT-MWM 1230A, 다이나테크)를 이용하여 65℃ 온도에서 롤형태의 바를 통하여 압착하여 웨이퍼와 접착필름 사이의 Void 유무를 확인하였다.
칩핑 및 칩 비산 ( flying ) 평가
제조된 접착필름을 8인치의 200㎛ 웨이퍼에 부착한 후, 다이싱 장치(디스코社, DFD6361)를 사용하여 절단 및 세정공정을 실시한 후 육안 및 광학현미경으로 관찰하였다. 절단공정은 칩 크기 × 10mm, 피딩속도 70mm/s, 블레이드 높이 70㎛, 블레이드 회전수 30,000rpm의 조건으로 실시하였고, 세정공정은 웨이퍼가 회전하는 동안 초순수 및 압력공기를 분사하여 실시하여, 칩 모서리가 손상되는 불량인 칩핑(chipping)과 칩이 비산되는 개수를 기록하였다.
픽업 특성 평가
절단 및 세정공정이 끝난 웨이퍼를 자외선 조사장치를 사용하여 150mJ/cm2 양으로 자외선을 조사한 후 상온에서 20분간 방치하여 다이어태치 장비(세크론社, SDB-30US)를 사용하여 픽업특성을 평가하였다. 픽업 공정은 칩 크기 10mm × 10mm, 핀 수 10 개, 확장 5mm의 조건으로 설정한 후 핀 스트로크 200㎛ 내지 800㎛의 범위에서 웨이퍼 중앙부의 칩 100개에 대하여 실시하였고 임의의 핀 스트로크에서 1회의 픽업공정으로 모든 칩이 픽업되었을 경우를 ○ 로, 2 내지 3회의 픽업공정으로 모든 칩이 픽업되었을 경우를 △ 로, 그 이상의 픽업 공정이 필요한 경우를 X 로 평가하였다.
실시예 1 ~ 실시예 3
표 1에 나타낸 바와 같이, 아크릴로니트릴(AN) 모노머 단위의 함량을 조정하여 제조된 아크릴 고분자 수지 CS-200 (주식회사태화사제, 제품명) 60중량부, 에폭시수지 YDCN-500-4P (국도화학사제, 상품명, 에폭시당량 200, 연화점 62℃)와 페놀수지 MEH-7800SS(메이화주식회사, 하이드록시기 당량 175)의 혼합물 20중량부(에폭시수지 10중량부 + 페놀수지 10중량부), 충전제로서 뭉침상 입자인 실리카 20중량부를 비드밀을 사용하여 메틸에틸케톤 용제 20중량부에 분산한 다음, 38μm 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 이형필름에 건조 두께 20μm로 코팅하여 접착필름을 제조하였다.
제조된 접착필름을 광반응성 올리고머가 포함된 아크릴 점착제가 10μm두께로 코팅된 100μm두께의 폴리올레핀 필름과 합지하였다. 합지된 필름을 사용하여 200㎛ 웨이퍼에 대한 부착 평가를 수행하였고, 그 결과를 표 5에 나타내었다.
Figure pat00001
실시예 4 ~ 실시예 8
아크릴로니트릴 모노머 단위의 함량이 20중량%이고, 유리전이온도가 10℃이며, 분자량이 90만인 아크릴 고분자 CS-200수지, 실시예 1~3에서 사용한 바와 같은 에폭시/페놀 수지 혼합물, 충전제로서 평균입경이 20나노미터인 흄드실리카 (데구사제 상품명 R-972)를 표 2에 나타낸 바와 같은 양으로 사용하여 실시예 1~3과 동일한 방법으로 접착필름을 제조하였다. 접착 필름에 대해 실시예 1~3과 동일한 방법으로 평가하여, 그 결과를 표 5에 나타내었다.
Figure pat00002
실시예 9 ~ 실시예 15
아크릴로니트릴 모노머 단위의 함량이 20중량%이고, 유리전이온도가 10℃이며, 분자량이 90만인 아크릴 고분자 CS-200수지 및 실시예 1~3에서 사용한 바와 같은 에폭시/페놀 수지 혼합물과 함께, 다양한 충전제를 표 3에 나타낸 바와 같은 양으로 사용하여 실시예 1~3과 동일한 방법으로 접착필름을 제조하였다. 접착 필름에 대해 실시예 1~3과 동일한 방법으로 평가하여, 그 결과를 표 6에 나타내었다.
Figure pat00003
*: 실리카 [평균입경 1.2 마이크로미터인 용융실리카 (다쯔모리사제 상품명 SO-31R)]
**: 고분자량 에폭시 (페녹시 수지) (국도화학사제 상품명 YP-50, YP-70)
***: 알루미나 [평균입경이 0.5마이크로미터인 구상 알루미나 (덴카사제 상품명 ASFP-20):평균입경이 1마이크로미터인 각상 알루미나 (쇼와데코사제 상품명 A-43-M)의 1:5 중량비 혼합물]
****: 실버 [평균입경이 1 내지 5마이크로미터인 실버 플레이크 (코나텍사의 KSDF-50300)]
비교예 1 내지 6
하기 표 4에 나타낸 바와 같은 아크릴 고분자 CS-200수지, 및 실시예 1~3에서 사용한 바와 같은 에폭시/페놀 수지 혼합물 및 충전제를 사용하여 실시예 1~3과 동일한 방법으로 접착필름을 제조하였다. 접착 필름에 대해 실시예 1~3과 동일한 방법으로 평가하여, 그 결과를 표 7에 나타내었다.
Figure pat00004
Figure pat00005
접착력 : 접착제 조성물 층과 점착제 층 사이의 자외선 조사 이전의 접착력
박리력 *: 접착제 조성물 층과 점착제 층 사이의 자외선 조사 이후의 접착력
접착력 **: Wafer와 접착필름 사이의 접착력
접착력 ***: 플렉서블 서킷보드와 접착필름 사이의 접착력
Figure pat00006
접착력 : 접착제 조성물 층과 점착제 층 사이의 자외선 조사 이전의 접착력
박리력 *: 접착제 조성물 층과 점착제 층 사이의 자외선 조사 이후의 접착력
접착력 **: Wafer와 접착필름 사이의 접착력
접착력 ***: 플렉서블 서킷보드와 접착필름 사이의 접착력
Figure pat00007
접착력 : 접착제 조성물 층과 점착제 층 사이의 자외선 조사 이전의 접착력
박리력 *: 접착제 조성물 층과 점착제 층 사이의 자외선 조사 이후의 접착력
접착력 **: Wafer와 접착필름 사이의 접착력
접착력 ***: 플렉서블 서킷보드와 접착필름 사이의 접착력
이상의 평가 결과에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따르면, 웨이퍼와 플렉서블 서킷보드와의 밀착력이 높아져 웨이퍼 절단 공정시 발생될 수 있는 칩 손상을 방지하고, 픽업성이 우수한 접착필름를 얻을 수 있었다.
1. 웨이퍼
2. 접착제 조성물 코팅층
3. 점착제 층
4. 기재층 (이형층)

Claims (8)

15~40중량%의 아크릴로니트릴 모노머 단위를 함유하는 아크릴 수지 15~75중량부; 에폭시 화합물과 페놀 수지의 혼합물 5~60중량부; 및 충전제 10~80중량부를 포함하는 반도체 제조용 접착제 조성물.
제1항에 있어서, 아크릴로니트릴 단위 함유 아크릴 수지의 중량평균 분자량이 30만 내지 200만인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착제 조성물.
제1항에 있어서, 아크릴로니트릴 단위 함유 아크릴 수지의 유리전이온도가 -20℃ 내지 50℃인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착제 조성물.
제1항에 있어서, 에폭시 화합물이 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A 노볼락형 에폭시 수지, 비페놀의 디글리시딜에테르화물, 나프탈렌디올의 디글리시딜에테르화물, 페놀류의 디글리시딜에테르화물, 알코올류의 디글리시딜에테르화물 및 이들의 알킬 치환체, 할로겐화물 또는 수소첨가물, 다관능 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착제 조성물.
제1항에 있어서, 페놀 수지의 하이드록시 당량이 100eq/kg 내지 300eq/kg인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착제 조성물.
제1항에 있어서, 충전제가 에폭시계 고분자 화합물, 구상 또는 뭉침 상 형태의 입자 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착제 조성물.
제6항에 있어서, 입자가 실리카, 알루미나, 실버, 골드코팅비드, 실리콘비드, 카본블랙, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 질화붕소, 이산화티타늄, 세라믹 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착제 조성물.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물의 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 접착필름.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018004050A1 (ko) * 2016-06-30 2018-01-04 (주)화인테크놀리지 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6101492B2 (ja) * 2013-01-10 2017-03-22 日東電工株式会社 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN103642415A (zh) * 2013-11-27 2014-03-19 常熟市富邦胶带有限责任公司 一种导热双面胶带
CN103642408A (zh) * 2013-11-27 2014-03-19 常熟市富邦胶带有限责任公司 一种以bn为导热剂导热双面胶带及其制备工艺
JP5828881B2 (ja) * 2013-12-24 2015-12-09 日東電工株式会社 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR101722137B1 (ko) 2014-01-03 2017-03-31 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
WO2015102342A1 (ko) * 2014-01-03 2015-07-09 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
KR101582224B1 (ko) * 2014-09-05 2016-01-11 윈엔윈(주) Cnt가 첨가된 접착제를 이용한 카본섬유 강화 복합소재 제작방법
CN104327778B (zh) * 2014-10-23 2016-06-08 道生天合材料科技(上海)有限公司 一种丙烯酸改性环氧材料的制备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4600640B2 (ja) * 2003-11-10 2010-12-15 信越化学工業株式会社 アクリル系接着剤シート
CN1754933A (zh) * 2004-09-29 2006-04-05 信越化学工业株式会社 丙烯酸类粘合剂组合物和丙烯酸类粘合片材
JP4733444B2 (ja) 2005-06-30 2011-07-27 日東電工株式会社 接着組成物及び接着シート
JP2009096851A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Three M Innovative Properties Co 非導電性接着剤組成物及び非導電性接着フィルム、並びにそれらの製造方法及び使用方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018004050A1 (ko) * 2016-06-30 2018-01-04 (주)화인테크놀리지 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트

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