KR20110139484A - 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정가스가 공급되고 플라즈마가 방전되는 방전부가 설치된 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치에 관한 것으로, 기판처리장치는 챔버리드 및 챔버몸체의 결합에 의해 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 챔버리드와 결합되고 제 1 측면을 가지는 다수의 플라즈마 소스전극; 상기 챔버리드와 결합되고 상기 다수의 플라즈마 소스전극과 교번적으로 배열되며 상기 제 1 측면과 대향하는 제 2 측면을 가지는 다수의 플라즈마 접지전극; 및 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 중 하나에 각각 형성되고, 제 1 공정가스를 수용하는 제 1 수용공간, 상기 제 1 측면에 형성되어 상기 제 1 수용공간과 유체 연통되는 다수의 제 1 관통홀, 및 상기 다수의 제 1 관통홀과 유체 연통되고 플라즈마 방전공간을 제공하는 매트릭스 형태의 제 1 방전부를 포함하는 다수의 제 1 가스분배수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치{Gas distributing means and Apparatus for treating substrate including the same}
본 발명은 공정가스가 공급되고 플라즈마가 방전되는 방전부가 설치된 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다. 일반적으로, 박막증착공정 또는 식각공정은 가스분배수단에 의해서 기판 상에 활성화 또는 이온화된 공정가스를 공급하여, 기판 상에 박막을 증착시키거나 식각한다.
이하에서는 도면을 참조하여 종래기술을 상세히 설명한다.
도 1은 종래기술의 기판처리장치의 단면도이다. 도 1은 종래기술의 기판처리장치로서, 대표적으로 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD)을 예시한다.
도 1을 참조하면, 기판처리장치(10)는 챔버리드(12a)와 챔버몸체(12b)가 결합하여 반응공간을 제공하는 공정챔버(12), 공정챔버(12) 내부에 설치되고 기판(14)이 안치되는 기판안치대(16), 및 기판(14) 상에 공정가스를 공급하는 가스분배수단(18)을 포함하여 구성된다.
기판처리장치(10)는 기판(14)의 주변부에 박막의 증착을 방지하기 위해 공정챔버(12) 내벽에 설치되는 에지 프레임(edge frame)(20), 챔버리드(12a)를 통하여 가스분배수단(20)에 공정가스를 인입하는 가스도입관(22), 기판(14)을 인입 또는 반출시키는 게이트 밸브(도시하지 않음) 및 배기포트(24)를 더욱 포함하여 구성된다.
에지 프레임(20)은 공정챔버(12)의 내벽에 거치되고, 기판안치대(16)가 상승하여 공정위치에 있을 때, 기판(14)의 주변부를 차폐하여 기판(14)의 주변부에 박막이 형성되는 것을 방지한다. 배기포트(24)는 반응공간의 반응가스를 외부로 배출시키거나, 반응공간의 진공을 조절하는 기능을 한다. 배기포트(24)에는 진공펌프(도시하지 않음)가 연결된다.
공정챔버(12)는 챔버리드(12a)와, 오링(O-ring)(도시하지 않음)을 개재하여 챔버리드(12a)와 결합하는 챔버몸체(12b)를 포함하여 구성된다. 가스분배수단(18)은 챔버리드(12a)와 전기적으로 연결된다. 챔버리드(12a)에는 RF전력을 공급하는 RF(radio frequency) 전원(26)이 연결되고, 기판안치대(16)는 접지된다. 챔버리드(12a)와 RF 전원(26) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(30)가 설치된다. 따라서, 챔버리드(12a) 및 기판안치대(16) 각각은 플라즈마 상부 및 하부전극으로 기능하고, 반응공간에 공정가스가 공급되면, 플라즈마 상부 및 하부전극에 의해서 공정가스가 활성화 또는 이온화된다.
기판안치대(14)에는 기판(14)을 승온시키기 위한 발열장치(heater)(26)가 내장된다. 그리고, 기판안치대(14)의 배면에는 기판안치대(14)를 승강시키기 위한 지지축(28)이 연결된다. 가스분배수단(18)은 챔버리드(12a)에 현가되고, 가스분배수단(18)과 챔버리드(12a) 사이에는 가스도입관(22)으로부터 인입되는 공정가스를 수용하는 수용공간(32)이 형성된다. 가스도입관(22)은 챔버리드(12a)의 중앙을 관통하여 설치된다. 수용공간(32)에서 가스도입관(24)과 대응되는 위치에 배플(도시하지 않음)이 설치되어 가스도입관(24)으로부터 도입되는 공정가스를 균일하게 확산시키는 기능을 한다. 가스분배수단(18)에는 공정가스를 기판안치대(16)의 방향으로 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사홀(34)이 형성된다.
도 1과 같은 기판처리장치(10)에서 기판(14) 상에 증착되는 박막은 균일한 두께 및 특성을 가져야 한다. 박막의 균일한 두께 및 균질성은 기판(14) 상에 분사되는 공정가스의 균일한 공급에 의해 영향을 받는다. 공정가스를 균일하게 공급하기 위하여, 다수의 분사홀(34)은 균일하게 분포된다. 그러나, 도 1과 같은 종래기술의 기판처리장치(10)은 다음과 같은 문제가 있다.
가스분배수단(18)와 기판안치대(16) 사이에서 플라즈마 방전되고, 다수의 분사홀(34)와 대응되는 제 1 영역은 다수의 분사홀(34) 사이와 대응되는 제 2 영역과 비교하여 플라즈마의 밀도가 더 높다. 다시 말하면, 다수의 분사홀(34)와 대응되는 제 1 영역은 직접적으로 공정가스가 공급되기 때문에 플라즈마 밀도가 높지만, 다수의 분사홀(34) 사이와 대응되는 제 2 영역은 다수의 분사홀(34)에서 공급된 공정가스의 측면확산에 의존하기 때문에, 플라즈마 밀도가 낮게 된다. 따라서, 플라즈마 밀도가 불균하게 되어 기판(14) 상에 증착되는 박막이 균일한 두께 및 특성을 얻기 어렵다.
상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판안치수단과 수직하는 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 사이에 다수의 플라즈마 방전공간을 설치하여, 균일한 기판처리가 가능하도록 활성화 또는 이온화된 공정가스의 측면확산을 유도할 수 있는 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극의 측면에 매트릭스 형태의 방전부를 제공하여 플라즈마 방전공간을 증가시킬 수 있는 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극의 측면에 매트릭스 형태의 방전부를 제공하여 공정가스가 유입되는 관통홀의 개수를 감소시킬 수 있는 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버리드 및 챔버몸체의 결합에 의해 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 챔버리드와 결합되고 제 1 측면을 가지는 다수의 플라즈마 소스전극; 상기 챔버리드와 결합되고 상기 다수의 플라즈마 소스전극과 교번적으로 배열되며 상기 제 1 측면과 대향하는 제 2 측면을 가지는 다수의 플라즈마 접지전극; 및 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 중 하나에 각각 형성되고, 제 1 공정가스를 수용하는 제 1 수용공간, 상기 제 1 측면에 형성되어 상기 제 1 수용공간과 유체 연통되는 다수의 제 1 관통홀, 및 상기 다수의 제 1 관통홀과 유체 연통되고 플라즈마 방전공간을 제공하는 매트릭스 형태의 제 1 방전부를 포함하는 다수의 제 1 가스분배수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 중 다른 하나에 각각 형성되고, 제 2 공정가스를 수용하는 제 2 수용공간, 상기 제 2 측면에 형성되어 상기 제 2 수용공간과 유체 연통되는 다수의 제 2 관통홀, 및 상기 다수의 제 2 관통홀과 유체 연통되고 플라즈마 방전공간을 제공하는 매트릭스 형태의 제 2 방전부를 포함하는 다수의 제 2 가스분배수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 방전부는 상기 다수의 제 1 관통홀을 가로 방향으로 지나는 다수의 제 1 횡구대; 및 상기 다수의 제 1 관통홀을 세로 방향으로 지나는 다수의 제 1 종구대;를 포함하고, 상기 제 2 방전부는, 상기 다수의 제 2 관통홀을 가로 방향으로 지나는 다수의 제 2 횡구대; 및 상기 다수의 제 2 관통홀을 세로 방향으로 지나는 다수의 제 2 종구대;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 제 1 횡구대 및 종구대의 교차에 의해 상기 제 1 및 제 2 측면 중 하나를 향하여 돌출되는 다수의 제 1 돌출부가 형성되고, 상기 다수의 제 2 횡구대 및 종구대의 교차에 의해 상기 제 1 및 제 2 측면 중 다른 하나를 향하여 돌출되는 다수의 제 2 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 방전부는 상기 다수의 제 1 횡구대 사이에 설치되고 상기 다수의 제 1 관통홀을 지나지 않은 다수의 제 1 서브 횡구대; 및 상기 다수의 제 1 종구대 사이에 설치되고 상기 다수의 제 1 관통홀을 지나지 않는 다수의 제 1 서브 종구대;를 포함하고, 상기 제 2 방전부는 상기 다수의 제 2 횡구대 사이에 설치되고 상기 다수의 제 2 관통홀을 지나지 않은 다수의 제 2 서브 횡구대; 및 상기 다수의 제 2 종구대 사이에 설치되고 상기 다수의 제 2 관통홀을 지나지 않는 다수의 제 2 서브 종구대;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 가스분배수단은 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 사이를 지나고 상기 챔버리드와 수직한 수직면을 기준으로 대칭인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극과 대향하고 기판이 안치되는 기판안치수단을 더욱 포함하고, 상기 기판안치수단과 수직인 상기 다수의 플라즈마 소스및 접지전극의 사이에서 플라즈마가 방전되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 플라즈마 소스전극과 상기 기판안치수단 사이의 제 1 간격과 상기 다수의 플라즈마 접지전극과 상기 기판안치수단 사시의 제 2 간격이 동일한 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 챔버리드와 상기 다수의 플라즈마 소스전극 사이에 설치되는 다수의 절연수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 플라즈마 접지전극 각각의 두께는 상기 다수의 플라즈마 전극과 상기 다수의 절연수단 각각의 합인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 공정챔버의 측벽과 인접한 상기 챔버리드의 양측부에는 두 개의 주변부 플라즈마 접지전극이 설치되고, 상기 두 개의 주변부 플라즈마 접지전극 사이에 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극이 교번적으로 배열되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 두 개의 주변부 플라즈마 접지전극 각각은 상기 공정챔버의 측벽과 대향하는 대향측면을 포함하고, 상기 대향측면에는 상기 다수의 제 1 관통홀 및 상기 제 1 방전부가 설치되지 않는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 가스분배수단은 공정챔버의 내부에 공정가스를 공급하는 가스분배수단에 있어서, 제 1 측면을 가지는 다수의 플라즈마 소스전극; 상기 다수의 플라즈마 소스전극과 교번적으로 배열되며 상기 제 1 측면과 대향하는 제 2 측면을 가지는 다수의 플라즈마 접지전극; 및 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 중 하나에 각각 형성되고, 제 1 공정가스를 수용하는 제 1 수용공간, 상기 제 1 측면에 형성되어 상기 제 1 수용공간과 유체 연통되는 다수의 제 1 관통홀, 및 상기 다수의 제 1 관통홀과 유체 연통되고 플라즈마 방전공간을 제공하는 매트릭스 형태의 제 1 방전부를 포함하는 다수의 제 1 가스분배수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다.
기판안치수단과 수직하는 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 사이에 다수의 플라즈마 방전공간을 설치하여, 균일한 기판처리가 가능하도록 활성화 또는 이온화된 공정가스의 측면확산을 유도할 수 있다.
다수의 플라즈마 소스 및 접지전극의 측면에 매트릭스 형태의 방전부를 제공하여 플라즈마 방전공간을 증가시킬 수 있다.
다수의 플라즈마 소스 및 접지전극의 측면에 매트릭스 형태의 방전부를 제공하여 공정가스가 유입되는 관통홀의 개수를 감소시킬 수 있어, 다수의 플라즈마 소스및 접지전극을 용이하게 가공할 수 있다.
도 1은 종래기술의 기판처리장치의 단면도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 챔버리드 상부의 사시도
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 소스 및 접지전극의 상세도
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 소스전극의 측면도
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 접지전극의 측면도
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 소스 및 접지전극의 단면도
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 챔버리드의 배면도
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.
본 발명에 따른 기판처리장치(110)는, 챔버리드(112a) 및 챔버몸체(112b)의 결합에 의해 반응공간이 제공되는 공정챔버(112), 공정챔버(112)의 내부와 대응되는 리드(112a)와 결합되는 다수의 플라즈마 소스전극(114), 다수의 플라즈마 소스전극(114) 사이의 챔버리드(112a)에 결합되는 다수의 플라즈마 접지전극(170), 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 다수의 플라즈마 접지전극(170) 각각에 형성되는 가스분배수단(118) 및 공정챔버(112) 내부에 설치되고 기판(164)이 안치되는 기판안치수단(116)을 포함하여 구성된다.
기판처리장치(110)는 가스분배수단(118)에 공정가스를 공급하는 가스공급관(172), 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각에 연결되는 피딩라인(160), 공정챔버(112)의 외부와 대응되는 챔버리드(112a)의 상부에 위치하고 피딩라인(160)을 수용하기 위한 하우징(180), 기판(164)의 주변부에 박막의 증착을 방지하기 위해 공정챔버(112) 내벽에 설치되는 에지 프레임(edge frame)(120), 기판(164)을 인입 또는 반출시키는 게이트 밸브(도시하지 않음) 및 배기포트(124)를 더욱 포함하여 구성될 수 있다.
챔버리드(112a)와 챔버몸체(112b)는 오링(O-ring)(112c)을 개재하여 결합된다. 가스분배수단(118)은 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각에 설치되는 다수의 제 1 가스분배수단(118a) 및 다수의 플라즈마 접지전극(170) 각각에 설치되는 다수의 제 2 가스분배수단(118b)을 포함한다. 다수의 플라즈마 소스전극(114)과 다수의 플라즈마 접지전극(170) 사이에는 플라즈마 방전공간이 형성된다. 플라즈마 방전공간에 공정가스가 공급되면, 다수의 플라즈마 소스전극(114)과 다수의 플라즈마 접지전극(170) 사이에서 공정가스가 활성화 또는 이온화되어 기판안치수단(116) 상에 위치한 기판(164) 상에 공급된다.
도 2에서 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170) 모두에 각각 다수의 제 1 가스분배수단(118a) 및 제 2 가스분배수단(118b)을 설치하는 것으로 도시하였으나, 필요에 따라, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170) 중 하나에만 가스분배수단(118)을 설치할 수 있다.
다수의 플라즈마 소스전극(114)과 플라즈마 접지전극(170) 사이의 플라즈마 방전공간은 활성화 또는 이온화된 공정가스를 기판안치수단(116)에 공급하는 공정가스 공급구(182)로 기능한다. 공정가스를 기판(164) 상에 균일하게 공급하기 위하여 공정가스 공급구(182)의 수를 증가시킬 수 있다. 챔버리드(112a)의 면적이 일정한 경우, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170) 각각의 너비를 감소시키면, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170)의 밀도가 증가한다. 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170)의 밀도가 증가함에 따라 공정가스 공급구(182)의 개수를 증가시킬 수 있다. 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170) 각각의 너비 또는 공정가스 공급구(182)의 수는 공정챔버(112)에서 처리되는 공정에 따라 최적화시킨다.
공정가스 공급구(182)의 밀도를 증가시켜 기판(164) 상에 공정가스를 균일하게 공급하기 위하여, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각의 제 1 너비를 다수의 플라즈마 접지전극(170) 각각의 제 2 너비보다 크게 형성할 수 있다. 가스공급관(172)은 다수의 제 1 가스분배수단(118a)에 제 1 공정가스를 공급하는 제 1 가스도입관(172a)과 다수의 제 2 가스분배수단(118b)에 제 2 공정가스를 공급하는 제 2 가스도입관(172b)을 포함한다.
다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170) 사이에서 플라즈마의 방전에 의해 활성화 또는 이온화된 공정가스는 공정가스 공급구(182) 각각에서 방사선 형태로 확산된다. 따라서, 서로 인접한 공정가스 공급구(182)에서 방사선 형태로 확산되는 공정가스가 서로 중첩하게 되어, 기판안치수단(116) 상이 위치한 기판(164) 상에 균일하게 공정가스를 공급할 수 있다. 기판(164) 상에 균일하게 공정가스가 공급되어 균일한 박막의 증착 또는 균일한 박막의 식각이 가능하다.
다수의 플라즈마 소스전극(114)과 챔버리드(112a) 사이에는 다수의 절연수단(162)이 설치된다. 다수의 절연수단(162)은 다수의 플라즈마 소스전극(114)을 챔버리드(112a)와 전기적으로 절연시킨다. 다수의 절연수단(162)을 개재하여 다수의 플라즈마 소스전극(114)을 챔버리드(112a)와 볼트와 같은 체결수단을 이용하여 결합시킨다.
다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각에는 피딩라인(160)이 연결된다. 피딩라인(160)에 의해, 다수의 플라즈마 소스전극(114)은 RF전원(126)과 병렬로 연결되고, 다수의 플라즈마 소스전극(114)과 RF전원(126) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(130)가 설치된다. RF전원(126)은 플라즈마 발생효율이 좋은 20 내지 50 MHz 대역의 초고주파(very high frequency: VHF)을 사용할 수 있다. 피딩라인(160)은 챔버리드(112a)과 다수의 절연수단(162)을 관통하여 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각과 연결되는 다수의 서브 피딩라인(160a)과 다수의 서브 피딩라인(160a)을 RF전원(126)과 연결시키는 메인 피딩라인(160b)으로 구성된다.
챔버리드(112a)는 장방형 형태이고, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각은 장축과 단축을 가진 스트라이프(stripe) 형태로 제작되고, 서로 동일한 간격으로 평행하게 이격된다. 다수의 플라즈마 접지전극(170) 각각은 다수의 플라즈마 소스전극(114)과 유사하게 장축과 단축을 가지는 스트라이프(stripe) 형태로 제작되고 서로 동일한 간격으로 평행하게 이격된다. 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170) 모두는 서로 평행하게 배열되고, 공정챔버(112)의 측벽과 인접한 챔버리드(112a)의 주변부에는 플라즈마 접지전극(170)이 설치된다. 따라서, 공정챔버(112)의 양측벽과 인접한 챔버리드(112a)의 양단부 각각에는 플라즈마 접지전극(170)이 배열된다. 챔버리드(112a)의 양단부에 배열된 2 개의 플라즈마 접지전극(170) 사이에는 다수의 플라즈마 소스전극(114)과 접지전극(170)이 교번적으로 배열된다.
다수의 서브 피딩라인(160a) 각각은, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각의 양단부에서 연결되거나 다수의 플라즈마 소스전극(114)의 중앙부에서 연결될 수 있다. 다수의 플라즈마 접지전극(170)은 다수의 플라즈마 소스전극(114) 사이의 챔버리드(112a)와 볼트와 같은 체결수단을 이용하여 결합된다. 챔버리드(112a)와 다수의 플라즈마 접지전극(170)은 전기적으로 연결된다.
다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각과 기판안치수단(116) 사이의 제 1 간격은 다수의 플라즈마 접지전극(170) 각각과 기판안치수단(116) 사이의 제 2 간격과 동일하다. 따라서, 챔버리드(112a)와 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각의 사이에 다수의 절연수단(162)이 개재되어 있기 때문에, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각의 제 1 두께는 다수의 플라즈마 접지전극(170) 각각의 제 2 두께보다 작다. 그리고, 다수의 플라즈마 접지전극(170) 각각의 두께는 다수의 플라즈마 전극(114)과 다수의 절연수단(162) 각각의 합과 같다.
다수의 플라즈마 접지전극(170)은 물론 챔버리드(112a), 챔버몸체(112b), 기판안치수단(216)은 접지전극으로 사용된다. 다수의 플라즈마 소스전극(214), 다수의 플라즈마 접지전극(170), 챔버리드(112a), 챔버몸체(112b) 및 기판안치수단(116) 각각은 알루미늄 또는 스테인레스 스틸과 같은 금속재질을 사용하여 제작하고, 다수의 절연수단(162)은 산화알루미늄과 같은 세라믹 재질을 사용하여 제작한다.
에지 프레임(120)은 공정챔버(112)의 내벽에 거치되고, 기판안치수단(116)이 상승하여 공정위치에 있을 때, 기판(164)의 주변부를 차폐하여 기판(164)의 주변부에 박막이 형성되는 것을 방지한다. 배기포트(124)는 반응공간의 반응가스를 외부로 배출시키거나, 반응공간의 진공을 조절하는 기능을 한다. 배기포트(124)에는 진공펌프(도시하지 않음)가 연결된다.
기판안치수단(116)은 기판(164)이 안치되고 기판(164)보다 넓은 면적을 가지는 기판지지판(116a)과 기판지지판(116a)을 승하강시키는 지지축(116b)를 포함하여 구성된다. 기판지지판(116a)에는 기판(164)을 승온시키기 위한 발열장치(heater)(166)가 내장된다. 기판처리장치(110)에서, 기판안치수단(116)은 공정챔버(112)와 동일하게 접지된다. 그러나, 도면에서 도시하지 않았지만, 기판처리공정의 조건에 따라 기판안치수단(122)에 별도의 RF전원이 인가되거나, 전기적으로 부유(floating) 상태를 유지할 수 있다.
기판처리장치(110)에서, 정상파 효과를 방지하기 위하여, RF파의 파장과 비교하여 작은 크기를 가지는 다수의 플라즈마 소스전극(114)을 배열한다. 다수의 플라즈마 전극(114)에 의해, 정상파 효과를 방지하여, 반응공간에서 균일한 플라즈마 밀도를 유지할 수 있다.
기판처리장치(110)에서, RF전원(126)과 연결되는 피딩라인(160)에서 열이 발생되어 하우징(180)의 내부에 축적되기 때문에, 하우징(180)의 내부를 냉각시켜야 한다. 따라서, 하우징(180)의 측면에 다수의 통풍구(138)와 다수의 통풍구(138) 각각에 설치된 다수의 팬(도시하지 않음)을 포함하는 냉각장치를 설치한다. 다수의 통풍구(138) 및 팬을 포함한 냉각장치에 외에 다양한 방법으로 하우징(180)의 내부를 냉각시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 챔버리드 상부의 사시도이다.
다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각의 중앙부는 다수의 서브 피딩라인(160a)과 연결되고, 다수의 서브 피딩라인(160a)은 메인 피딩라인(160b)에 연결된다. 그리고, 도 2에서 도시한 바와 같이, 메인 피딩라인(160b)은 매처(130)를 개재하여 RF전원(126)과 연결된다. 따라서, 다수의 플라즈마 소스전극(114)는 RF전원(126)과 병렬로 연결된 형태이다. 설명의 편의를 위하여 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 다수의 플라즈마 접지전극(170)은 점선으로 표시한다.
가스공급관(172)은 도 2의 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각에 형성된 다수의 제 1 가스분배수단(118a)에 제 1 공정가스를 공급하는 제 1 가스공급관(172a)과, 도 2의 다수의 플라즈마 접지전극(170) 각각에 형성된 다수의 제 2 가스분배수단(118b)에 제 2 공정가스를 공급하는 제 2 가스공급관(172b)을 포함한다. 제 1 및 제 2 공정가스를 동일하거나 서로 다를 수 있다.
도 2의 다수의 제 1 가스분배수단(118a) 각각에 하나의 제 1 가스공급관(172a) 만을 연결할 수 있으나, 제 1 공정가스가 균일하게 공급되기 위하여 다수 설치할 수 있다. 동일하게, 도 2의 다수의 제 2 가스분배수단(118b) 각각에 하나의 제 2 가스공급관(172b) 만을 설치할 수 있으나, 제 2 공정가스가 균일하게 공급되기 위하여 다수 설치할 수 있다.
다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각과 대응되는 챔버리드(112a)의 상부에 위치한 제 1 가스공급관(172a)은 제 1 운송관(174a)을 통하여 제 1 소스부(176a)와 연결된다. 다수의 플라즈마 접지전극(170)과 대응되는 챔버리드(112a)의 상부에 위치한 다수의 제 2 가스공급관(172b)은 제 2 운송관(174b)을 통하여 제 2 소스부(176b)와 연결된다. 제 1 및 제 2 운송관(174a, 174b) 각각은 도 1에서 도시된 하우징(180)의 밀폐공간에서 제 1 가스공급관(174a, 174b)와 연결되고, 하우징(180)의 측면을 관통하여 제 1 및 제 2 소스부(176a, 176b)와 연결된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 소스 및 접지전극의 상세도이고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 소스전극의 측면도이고, 도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 접지전극의 측면도이고, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 소스 및 접지전극의 단면도이다.
도 4와 같이, 플라즈마 소스전극(114)은 도 2의 절연수단(162)과 면접하는 제 1 상면(188a)과 도 2의 기판안치수단(116)과 대향하는 제 1 하면(188b), 및 인접하는 플라즈마 접지전극(170)과 대향하는 두 개의 제 1 측면(188c)으로 구성된다. 플라즈마 접지전극(170)은 도 2의 챔버리드(112a)와 면접하는 제 2 상면(190a), 도 2의 기판안치수단(116)과 대향하는 제 2 하면(190b), 및 인접한 플라즈마 소스전극(114)과 대향하는 2 개의 제 2 측면(190c)으로 구성된다.
가스분배수단(118)은 플라즈마 소스전극(114)에 설치되는 제 1 가스분배수단(118a) 및 플라즈마 접지전극(170)에 설치되는 제 2 가스분배수단(118b)을 포함한다. 제 1 및 제 2 가스분배수단(118a, 118b)은 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극(114, 170) 사이를 중심선을 지나고 도 2의 기판안치수단(116) 또는 챔버리드(112a)와 수직한 수직면을 기준으로 대칭으로 형성된다.
도 4에서, 플라즈마 소스전극(114) 및 플라즈마 접지전극(170)에 각각 제 1 가스분배수단(118a) 및 제 2 가스분배수단(118b)을 설치하는 것을 도시하였지만, 필요에 따라, 플라즈마 소스전극(114) 및 플라즈마 접지전극(170) 중 하나에만 가스분배수단을 설치할 수 있다. 이러한 경우, 플라즈마 소스전극(114)에만 가스분배수단을 설치하는 것이 바람직하다.
플라즈마 소스전극(114)에 형성되는 제 1 가스분배수단(118a)은 도 3의 제 1 가스공급관(174a)에서 인입된 제 1 공정가스가 수용되는 제 1 수용공간(132a), 플라즈마 소스전극(114)의 두 개의 제 1 측면(188c)에 균일하게 배열되고 제 1 수용공간(132a)과 유체 연통되는 다수의 제 1 관통홀(132b), 다수의 제 1 관통홀(132b)과 유체 연통되고 매트릭스 형태로 제작되는 제 1 방전부(132c)를 포함하여 구성된다. 제 1 수용공간(132a)에 도입되는 제 1 공정가스를 균일하게 확산시키기 위하여, 도 3의 제 1 가스공급관(172a)과 대응되는 제 1 수용공간(132a)에 배플(도시하지 않음)을 설치할 수 있다.
도 5를 참조하면, 플라즈마 소스전극(114)의 두 개의 제 1 측면(188c)에는 길이방향으로 평행하게 다수 열로 형성된 다수의 제 1 관통홀(132b)을 도시한다. 제 1 방전부(132c)는 다수의 제 1 관통홀(132b) 각각을 가로방향으로 지나는 다수의 제 1 횡구대(橫溝帶)(150a) 및 다수의 제 1 관통홀(132b) 각각을 세로방향으로 지나는 다수의 제 1 종구대(縱溝帶)(152a)를 포함한다.
도 4의 제 1 가스분배수단(118a)을 형성하는 방법은, 플라즈마 소스전극(114)를 준비하는 제 1 단계, 플라즈마 소스전극(114)의 제 1 상면(188a)을 굴삭하여 제 1 수용공간(132a)를 형성하는 제 2 단계, 플라즈마 소스전극(114)의 제 1 측면(188c)에 제 1 방전부(132c)를 형성하는 단계, 및 플라즈마 소스전극(114)의 제 1 측면(188c)에 제 1 수용공간(132a)과 유체 연통되는 다수의 제 1 관통홀(132b)을 형성하는 제 4 단계를 포함하여 형성한다.
제 3 단계에서, 플라즈마 소스전극(114)의 두 개의 제 1 측면(188c)을 굴삭하여 다수의 제 1 횡구대(150a) 및 다수의 제 1 횡구대(150a)와 수직으로 교차하는 다수의 제 1 종구대(152a)를 형성한다.
도 4와 같이, 제 1 수용공간(132a)은 플라즈마 소스전극(114)의 제 1 상면(188a)을 굴삭한 함몰부 형태로 제작된다. 도 2의 서브 피딩라인(160b)을 플라즈마 소스전극(114)의 중앙부분과 연결시키기 위해, 플라즈마 소스전극(114)의 중앙부분에 연결영역(190)을 형성할 수 있다. 연결영역(190)이 형성되는 경우, 제 1 수용공간(132a)는 2 개로 구분된다. 그러나, 전술한 바와 같이, 플라즈마 소스전극(114)의 양단부에서 서브 피딩라인(160b)과 연결될 수 있다.
도 4 및 도 5와 같이, 플라즈마 소스전극(114)의 두 개의 제 1 측면(188c)에는 제 1 방전부(132c)의 너비보다 작은 직경을 가지는 다수의 제 1 관통홀(132b)이 형성된다. 제 1 수용공간(132a)에는 도 3의 제 1 가스공급관(174a)로부터 제 1 공정가스가 유입되고, 제 1 방전부(132c)는 다수의 제 1 관통홀(132b)과 유체 연통되어 플라즈마가 방전되는 공간을 제공한다. 다수의 관통홀(132b)은 플라즈마 소스전극(114)의 두께에 따라 일렬 또는 다수 열로 형성될 수 있다.
도 5와 같이, 다수의 제 1 횡구대(150a)와 다수의 제 1 종구대(152a)가 수직으로 교차하는 다수의 교차영역 각각에 다수의 관통홀(132b)이 위치한다. 다수의 제 1 횡구대(150a) 각각의 제 1 횡너비(H1) 및 다수의 제 1 종구대(152a) 각각의 제 1 종너비(V1)는 동일하게 형성할 수 있다. 제 1 횡너비(H1) 및 제 1 종너비(V1)은 각각 간격은 5 내지 10mm로 형성할 수 있다. 다수의 제 1 횡구대(150a) 사이의 제 1 횡간격(HD1)과 다수의 제 1 종구대(152a) 사이의 제 1 종간격(VD1)은 동일하게 형성할 수 있다. 제 1 횡간격(HD1)과 제 1 종간격(VD1)은 각각 3 내지 7mm로 형성할 수 있다. 다수의 제 1 관통홀(132b)의 직경은 대략적으로 2 내지 3mm로 형성한다.
도 4와 같이, 다수의 제 1 횡구대(150a) 및 제 1 종구대(152a) 각각이 수직으로 교차하면서, 플라즈마 소스전극(114)의 두 개의 제 1 측면(188c)으로 확장되는 다수의 제 1 돌출부(186a)가 형성된다. 다수의 제 1 돌출부(186a)의 돌출길이(PD1)는 3 내지 10mm이다.
도 6과 같이, 방전공간을 증가시키기 위하여, 다수의 제 1 횡구대(150a) 사이에 다수의 제 1 서브 횡구대(151a)와 다수의 제 1 종구대(152a) 사이에 다수의 제 1 서브 종구대(153a)를 설치할 수 있다. 다수의 제 1 서브 횡구대(151a) 및 다수의 제 1 서브 종구대(153a)가 수직으로 교차하는 다수의 교차영역에는 다수의 관통홀(132b)이 위치하지 않는다. 다수의 제 1 횡구대(150a)와 다수의 제 1 종구대(152a)가 수직으로 교차 및 다수의 제 1 서브 횡구대(151a) 및 다수의 제 1 서브 종구대(153a)가 수직으로 교차에 의해서 제 1 방전부(132c)는 매트릭스(matrix) 형태로 형성된다.
필요에 따라, 제 1 횡구대(150a)와 제 1 종구대(152a)의 너비를 제 1 서브 횡구대(151a) 및 제 1 서브 종구대(153a)의 너비를 다르게 형성할 수 있다. 다시 말하면, 제 1 관통홀(132b)에서 공급되는 제 1 공정가스의 확산압력을 고려하여, 제 1 횡구대(150a)와 제 1 종구대(152a)의 너비를 제 1 서브 횡구대(151a) 및 제 1 서브 종구대(153a)의 너비보다 작게 형성할 수 있다.
도 4와 같이, 플라즈마 접지전극(170)에 형성되는 제 2 가스분배수단(118b)은 도 3의 제 2 가스공급관(174b)에서 인입되는 제 2 공정가스가 수용되는 제 2 수용공간(133a), 플라즈마 접지전극(170)의 두 개의 제 2 측면(190c)에 균일하게 배열되고 제 2 수용공간(133a)과 유체 연통되는 다수의 제 2 관통홀(133b), 다수의 제 2 관통홀(133b)과 유체 연통되고 매트릭스 형태로 제작되는 제 2 방전부(133c)를 포함하여 구성된다. 제 2 수용공간(133a)에 도입되는 제 2 공정가스를 균일하게 확산시키기 위하여, 도 3의 제 2 가스공급관(172b)과 대응되는 제 2 수용공간(133a)에 배플(도시하지 않은)을 설치할 수 있다.
도 7을 참조하면, 플라즈마 접지전극(170)의 두 개의 제 1 측면(190c)에는 길이방향으로 평행하게 다수 열로 형성된 다수의 제 2 관통홀(133b)을 도시한다. 제 2 방전부(133c)는 다수의 제 2 관통홀(133b) 각각을 가로방향으로 지나는 다수의 제 2 횡구대(150b) 및 다수의 제 2 관통홀(133b) 각각을 세로방향으로 지나는 다수의 제 2 종구대(152b)를 포함한다.
도 4와 같이, 제 2 수용공간(133a)은 플라즈마 접지전극(170)의 제 2 상면(190a)을 굴삭한 함몰부 형태로 제작된다. 도 4 및 도 7과 같이, 플라즈마 접지전극(170)의 두 개의 제 2 측면(190c)에는 제 2 방전부(133c)의 너비보다 작은 직경을 가지는 다수의 제 2 관통홀(133b)이 형성된다. 제 2 수용공간(133a)에는 도 3의 제 2 가스공급관(174b)로부터 제 2 공정가스가 유입되고, 제 2 방전부(133c)는 다수의 제 2 관통홀(133b)과 유체 연통되어 플라즈마가 방전되는 공간을 제공한다. 다수의 제 2 관통홀(133b)은 플라즈마 접지전극(170)의 두께에 따라 일렬 또는 다수 열로 형성될 수 있다.
도 7과 같이, 다수의 제 2 횡구대(150b)와 다수의 제 2 종구대(152b)가 수직으로 교차하는 다수의 교차영역 각각에 다수의 제 2 관통홀(133b)이 위치한다. 다수의 제 2 횡구대(150b) 각각의 제 2 횡너비(H2) 및 다수의 제 2 종구대(152b) 각각의 제 2 종너비(V2)는 동일하게 형성할 수 있다. 제 2 횡너비(H2) 및 제 2 종너비(V2)은 각각 간격은 5 내지 10mm로 형성할 수 있다. 다수의 제 2 횡구대(150a) 사이의 제 2 횡간격(HD2)과 다수의 제 2 종구대(152b) 사이의 제 2 종간격(VD2)은 동일하게 형성할 수 있다. 제 2 횡간격(HD2)과 제 2 종간격(VD2)은 각각 3 내지 7mm로 형성할 수 있다. 다수의 제 2 관통홀(133b)의 직경은 대략적으로 2 내지 3mm로 형성한다.
도 5 및 도 8과 같이, 다수의 제 2 횡구대(150b) 및 제 2 종구대(152b) 각각이 수직으로 교차하면서, 플라즈마 접지전극(170)의 두 개의 제 2 측면(190c)으로 확장되는 다수의 제 2 돌출부(186b)가 형성된다. 다수의 제 2 돌출부(186b)의 제 2 돌출길이(PD2)는 3 내지 10mm이다.
도 8과 같이, 방전공간을 증가시키기 위하여, 다수의 제 2 횡구대(150b) 사이에 다수의 제 2 서브 횡구대(151b)와 다수의 제 2 종구대(152b) 사이에 다수의 제 2 서브 종구대(153b)를 설치할 수 있다. 다수의 제 2 서브 횡구대(151b) 및 다수의 제 2 서브 종구대(153b)가 수직으로 교차하는 다수의 교차영역에는 다수의 제 2 관통홀(133b)이 위치하지 않는다. 다수의 제 2 횡구대(150b)와 다수의 제 2 종구대(152b)의 수직교차 및 다수의 제 2 서브 횡구대(151b) 및 다수의 제 2 서브 종구대(153b)의 수직교차에 의해서 제 2 방전부(133c)는 매트릭스(matrix) 형태로 형성된다.
필요에 따라, 제 2 횡구대(150b)와 제 2 종구대(152b)의 너비를 제 2 서브 횡구대(151b) 및 제 2 서브 종구대(153b)의 너비를 다르게 형성할 수 있다. 다시 말하면, 제 2 관통홀(133b)에서 공급되는 제 2 공정가스의 확산압력을 고려하여, 제 2 횡구대(150b)와 제 2 종구대(152b)의 너비를 제 2 서브 횡구대(151b) 및 제 2 서브 종구대(153b)의 너비보다 작게 형성할 수 있다.
도 9와 같이, 플라즈마 소스전극(114)의 제 1 돌출부(186a)와 플라즈마 접지전극(170)의 제 2 돌출부(186b) 사이의 전극간격(ED)는 플라즈마가 방전될 수 있는 간격을 유지시킨다. 전극간격(ED)은 1 내지 10mm 정도이다. 플라즈마 소스전극(114)의 제 1 방전부(132c)와 플라즈마 접지전극(170)의 제 2 방전부(133c)는 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극(114, 170) 사이를 중심선을 지나고 도 2의 기판안치수단(116)과 수직한 수직면을 기준으로 대칭으로 형성된다.
도 4 및 도 5와 같이, 다수의 제 1 돌출부(186a)를 기준으로 함몰된 형태로 존재하는 플라즈마 소스전극(114)의 다수의 제 1 횡구대(150a) 및 종구대(152a)와 플라즈마 접지전극(170)의 다수의 제 2 횡구대(150b) 및 종구대(152b)에서 플라즈마방전되므로, 보다 높은 밀도를 가지는 플라즈마의 방전이 가능하다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 챔버리드의 배면도이다.
도 2의 기판안치수단(116)과 대향하는 챔버리드(112a)의 배면에 다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 플라즈마 접지전극(170)이 교번적으로 결합된다. 도 10은 도 2의 기판안치수단(116)에서 바라본 챔버리드(112a)의 평면도이다.
챔버리드(112a)의 주변부는 도 2의 챔버몸체(112b)와 결합되는 결합영역(188)으로 정의된다. 플라즈마 소스전극(114)이 접지되는 챔버몸체(112b)와 인접하는 경우, 플라즈마 소스전극(114)과 챔버몸체(112b) 사이에서 원하지 않는 플라즈마가 방전될 수 있다. 따라서, 불필요한 플라즈마의 방전을 방지하기 위하여, 챔버리드(112a)의 양측 주변부 각각에 플라즈마 접지전극(170)을 배열시키고, 플라즈마 접지전극(170) 사이에 플라즈마 접지전극(170)을 교번적으로 위치시킨다. 다시 말하면, 챔버리드(112a)의 양측 주변부에 배열된 2 개의 플라즈마 접지전극(170)은 챔버몸체(112b)에 인접하여 위치된다. 챔버몸체(112b)와 인접한 플라즈마 접지전극(170)에는 방전공간을 설치하지 않는다.
다수의 플라즈마 소스전극(114) 및 플라즈마 접지전극(170) 사이에는 제 1 및 제 2 공정가스를 도 2의 기판안치수단(116) 상에 공급하기 위한 다수의 공정가스 공급구(182)가 형성된다. 도 10과 같이, 플라즈마 소스전극(114)의 제 1 방전부(132c) 및 제 1 방전부(132c)와 대향하는 플라즈마 접지전극(170)의 제 2 방전부(133c)에서 제 1 및 제 2 공정가스가 활성화 또는 이온화되어 공정가스 공급구(182)를 통하여 기판안치수단(116)에 공급된다.
도 2와 같이, 기판안치수단(116)이 공정위치에 있고 플라즈마 소스전극(114) 및 플라즈마 접지전극(170)의 사이에서 플라즈마 방전이 일어나면, 활성화 또는 이온화된 제 1 및 제 2 공정가스가 공정가스 공급구(182)를 통하여 수직방향은 물론 측면방향으로 확산되면서 기판안치수단(116) 상에 위치한 기판(164) 상에 균일하게 공급된다.
도 2의 기판안치수단(116)에 제 1 및 제 2 공정가스를 균일하게 공급하기 위하여, 공정가스 공급구(182)의 개수를 조절할 수 있다. 챔버리드(112a)가 일정한 면적을 가지는 경우, 공정가스 공급구(182)의 개수를 조절하기 위하여 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170)의 너비를 조절할 수 있다. 다시 말하면, 공정가스 공급구(182)의 개수를 증가시키는 경우, 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170)의 너비를 축소시키고, 공정가스 공급구(182)의 개수를 감소시키는 경우, 플라즈마 소스전극(114) 및 접지전극(170)의 너비를 확대시킨다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (13)

  1. 챔버리드 및 챔버몸체의 결합에 의해 반응공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 챔버리드와 결합되고 제 1 측면을 가지는 다수의 플라즈마 소스전극;
    상기 챔버리드와 결합되고 상기 다수의 플라즈마 소스전극과 교번적으로 배열되며 상기 제 1 측면과 대향하는 제 2 측면을 가지는 다수의 플라즈마 접지전극; 및
    상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 중 하나에 각각 형성되고, 제 1 공정가스를 수용하는 제 1 수용공간, 상기 제 1 측면에 형성되어 상기 제 1 수용공간과 유체 연통되는 다수의 제 1 관통홀, 및 상기 다수의 제 1 관통홀과 유체 연통되고 플라즈마 방전공간을 제공하는 제 1 방전부를 포함하는 다수의 제 1 가스분배수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 중 다른 하나에 각각 형성되고, 제 2 공정가스를 수용하는 제 2 수용공간, 상기 제 2 측면에 형성되어 상기 제 2 수용공간과 유체 연통되는 다수의 제 2 관통홀, 및 상기 다수의 제 2 관통홀과 유체 연통되고 플라즈마 방전공간을 제공하는 제 2 방전부를 포함하는 다수의 제 2 가스분배수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 방전부는,
    상기 다수의 제 1 관통홀을 가로 방향으로 지나는 다수의 제 1 횡구대; 및
    상기 다수의 제 1 관통홀을 세로 방향으로 지나는 다수의 제 1 종구대;
    를 포함하고,
    상기 제 2 방전부는,
    상기 다수의 제 2 관통홀을 가로 방향으로 지나는 다수의 제 2 횡구대; 및
    상기 다수의 제 2 관통홀을 세로 방향으로 지나는 다수의 제 2 종구대;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 횡구대 및 종구대의 교차에 의해 상기 제 1 및 제 2 측면 중 하나를 향하여 돌출되는 다수의 제 1 돌출부가 형성되고, 상기 다수의 제 2 횡구대 및 종구대의 교차에 의해 상기 제 1 및 제 2 측면 중 다른 하나를 향하여 돌출되는 다수의 제 2 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 방전부는,
    상기 다수의 제 1 횡구대 사이에 설치되고 상기 다수의 제 1 관통홀을 지나지 않은 다수의 제 1 서브 횡구대; 및
    상기 다수의 제 1 종구대 사이에 설치되고 상기 다수의 제 1 관통홀을 지나지 않는 다수의 제 1 서브 종구대;
    를 포함하고,
    상기 제 2 방전부는,
    상기 다수의 제 2 횡구대 사이에 설치되고 상기 다수의 제 2 관통홀을 지나지 않은 다수의 제 2 서브 횡구대; 및
    상기 다수의 제 2 종구대 사이에 설치되고 상기 다수의 제 2 관통홀을 지나지 않는 다수의 제 2 서브 종구대;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 가스분배수단은 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 사이를 지나고 상기 챔버리드와 수직한 수직면을 기준으로 대칭인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극과 대향하고 기판이 안치되는 기판안치수단을 더욱 포함하고, 상기 기판안치수단과 수직인 상기 다수의 플라즈마 소스및 접지전극의 사이에서 플라즈마가 방전되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 다수의 플라즈마 소스전극과 상기 기판안치수단 사이의 제 1 간격과 상기 다수의 플라즈마 접지전극과 상기 기판안치수단 사시의 제 2 간격이 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버리드와 상기 다수의 플라즈마 소스전극 사이에 설치되는 다수의 절연수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 다수의 플라즈마 접지전극 각각의 두께는 상기 다수의 플라즈마 전극과 상기 다수의 절연수단 각각의 합인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정챔버의 측벽과 인접한 상기 챔버리드의 양측부에는 두 개의 주변부 플라즈마 접지전극이 설치되고, 상기 두 개의 주변부 플라즈마 접지전극 사이에 상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극이 교번적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 두 개의 주변부 플라즈마 접지전극 각각은 상기 공정챔버의 측벽과 대향하는 대향측면을 포함하고, 상기 대향측면에는 상기 다수의 제 1 관통홀 및 상기 제 1 방전부가 설치되지 않는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 공정챔버의 내부에 공정가스를 공급하는 가스분배수단에 있어서,
    제 1 측면을 가지는 다수의 플라즈마 소스전극;
    상기 다수의 플라즈마 소스전극과 교번적으로 배열되며 상기 제 1 측면과 대향하는 제 2 측면을 가지는 다수의 플라즈마 접지전극; 및
    상기 다수의 플라즈마 소스 및 접지전극 중 하나에 각각 형성되고, 제 1 공정가스를 수용하는 제 1 수용공간, 상기 제 1 측면에 형성되어 상기 제 1 수용공간과 유체 연통되는 다수의 제 1 관통홀, 및 상기 다수의 제 1 관통홀과 유체 연통되고 플라즈마 방전공간을 제공하는 제 1 방전부를 포함하는 다수의 제 1 가스분배수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배수단.
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