KR20120012154A - 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치 - Google Patents

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KR20120012154A
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도재철
전부일
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

본 발명은 플라즈마가 방전되는 방전부를 설치한 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치에 관한 것으로, 기판처리장치는 챔버리드 및 챔버몸체의 결합에 의해 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 형성되고, 플레이트, 서로 평행하게 이격되는 줄 무늬 형태를 가지며 플라즈마가 방전되는 공간을 제공하는 다수의 방전부, 및 상기 다수의 방전부와 유체 연통되고 상기 다수의 방전부에 공정가스를 공급하는 다수의 관통홀을 포함하는 가스분배수단; 및 상기 공정챔버 내부에 설치되고 상기 가스분배수단과 대향하며 기판이 안치되는 기판안치수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치{Gas distributing plate and Apparatus for treating substrate including the same}
본 발명은 플라즈마가 방전되는 방전부를 설치한 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다. 일반적으로, 박막증착공정 또는 식각공정은 가스분배수단에 의해서 기판 상에 활성화 또는 이온화된 공정가스를 공급하여, 기판 상에 박막을 증착시키거나 식각한다.
이하에서는 도면을 참조하여 종래기술을 상세히 설명한다.
도 1은 종래기술의 기판처리장치의 단면도이다. 도 1은 종래기술의 기판처리장치로서, 대표적으로 플라즈마 강화 화학기상 증착장치(PECVD)를 예시한다.
도 1을 참조하면, 기판처리장치(10)는, 반응공간을 제공하는 공정챔버(12), 공정챔버(12) 내부에 설치되고 기판(14)이 안치되는 기판안치대(16), 및 기판(14) 상에 공정가스를 공급하는 가스분배수단(18)을 포함하여 구성된다.
기판처리장치(10)는 기판(14)의 주변부에 박막의 증착을 방지하기 위해 공정챔버(12) 내벽에 설치되는 에지 프레임(edge frame)(20), 챔버리드(12a)를 통하여 가스분배수단(20)에 공정가스를 인입하는 가스 도입관(22), 기판(14)을 인입 또는 반출시키는 게이트 밸브(도시하지 않음) 및 배기포트(24)를 더욱 포함하여 구성된다.
에지 프레임(20)은 공정챔버(12)의 내벽에 거치되고, 기판안치대(16)가 상승하여 공정위치에 있을 때, 기판(14)의 주변부를 차폐하여 기판(14)의 주변부에 박막이 형성되는 것을 방지한다. 배기포트(24)는 반응공간의 반응가스를 외부로 배출시키거나, 반응공간의 진공을 조절하는 기능을 한다. 배기포트(24)에는 진공펌프(도시하지 않음)가 연결된다.
공정챔버(12)는 챔버리드(12a)와, 오링(O-ring)(도시하지 않음)을 개재하여 챔버리드(12a)와 결합하는 챔버몸체(12b)를 포함하여 구성된다. 가스분배수단(18)은 챔버리드(12a)와 전기적으로 연결된다. 챔버리드(12a)에는 RF전력을 공급하는 RF(radio frequency) 전원(26)이 연결되고, 기판안치대(16)는 접지된다. 챔버리드(12a)와 RF 전원(26) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(30)가 설치된다. 따라서, 챔버리드(12a) 및 기판안치대(16) 각각은 플라즈마 상부 및 하부전극으로 기능하고, 반응공간에 공정가스가 공급되면, 플라즈마 상부 및 하부전극에 의해서 공정가스가 활성화 또는 이온화된다.
기판안치대(14)에는 기판(14)을 승온시키기 위한 발열장치(heater)(26)가 내장된다. 그리고, 기판안치대(14)의 배면에는 기판안치대(14)를 승강시키기 위한 지지축(28)이 연결된다. 가스분배수단(18)은 챔버리드(12a)에 현가되고, 가스분배수단(18)과 챔버리드(12a) 사이에는 가스도입관(22)으로부터 인입되는 공정가스를 수용하는 수용공간(32)이 형성된다. 가스도입관(22)은 챔버리드(12a)의 중앙을 관통하여 설치된다. 수용공간(32)에서 가스도입관(24)과 대응되는 위치에 배플(도시하지 않음)이 설치되어 가스도입관(24)으로부터 도입되는 공정가스를 균일하게 확산시키는 기능을 한다. 가스분배수단(18)에는 공정가스를 기판안치대(16)의 방향으로 공정가스를 분사하기 위한 다수의 분사홀(34)이 형성된다.
도 2는 종래기술의 가스분배수단에 대한 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판안치대(16)에서 바라본 가스분배수단(18)의 평면도를 도시한 것으로, 도 2를 참조하면, 플레이트(18a)를 천공하는 다수의 분사홀(34)은 균일한 간격으로 배열된다.
도 1과 같은 기판처리장치(10)에서 기판(14) 상에 증착되는 박막은 균일한 두께 및 특성을 가져야 한다. 박막의 균일한 두께 및 균질성은 기판(14) 상에 분사되는 공정가스의 균일한 공급에 의해 영향을 받는다. 공정가스를 균일하게 공급하기 위하여, 다수의 분사홀(34)은 균일하게 분포된다.
종래기술의 기판처리장치(10)에서, 가스분배수단(18)와 기판안치대(16) 사이에서 플라즈마 방전되고, 다수의 분사홀(34)와 대응되는 제 1 영역은 다수의 분사홀(34) 사이와 대응되는 제 2 영역과 비교하여 플라즈마의 밀도가 더 높다. 다시 말하면, 다수의 분사홀(34)와 대응되는 제 1 영역은 직접적으로 공정가스가 공급되기 때문에 플라즈마 밀도가 높지만, 다수의 분사홀(34) 사이와 대응되는 제 2 영역은 다수의 분사홀(34)에서 공급된 공정가스의 측면확산에 의존하기 때문에, 플라즈마 밀도가 낮게 된다. 따라서, 플라즈마 밀도가 불균하게 되어 기판(14) 상에 증착되는 박막이 균일한 두께 및 특성을 얻기 어렵다.
상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 공정가스의 분사면적을 증가시키고 플라즈마의 방전공간을 제공하는 방전부를 가지는 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 방전부에서 공정가스의 측면확산을 유도할 수 있어 공정가스가 유입되는 관통홀의 개수를 감소시킬 수 있는 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버리드 및 챔버몸체의 결합에 의해 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 형성되는 플레이트, 상기 플레이트에 서로 평행하게 이격되는 다수의 트렌지 형태를 가지며 플라즈마가 방전되는 공간을 제공하는 다수의 방전부, 및 상기 다수의 방전부와 유체 연통되고 상기 다수의 방전부에 공정가스를 공급하는 다수의 관통홀을 포함하는 가스분배수단; 및 상기 공정챔버 내부에 설치되고 상기 가스분배수단과 대향하며 기판이 안치되는 기판안치수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 플레이트는 상기 챔버리드와 대향하는 제 1 면과 상기 기판안치수단과 대향하는 제 2 면을 포함하고, 상기 가스분배수단은 상기 플레이트의 상기 제 1 면과 상기 챔버리드 사이에 상기 공정챔버의 외부로부터 공급되는 상기 공정가스가 수용되는 수용공간이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 관통홀은 상기 제 1 면에서 시작하여 상기 제 2 면의 방향으로 확장되고, 상기 다수의 방전부는 상기 제 2 면에서 시작하여 상기 제 1 면의 방향으로 확장되고 서로 평행하게 이격되는 다수의 트렌치인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 관통홀 각각은 상기 플레이트의 상기 제 1 면과 접하는 제 1 관통홀과, 상기 제 1 관통홀과 유체 연통되고 상기 제 1 관통홀과 상기 다수의 방전부 사이에 위치한 제 2 관통홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 관통홀의 직경은 상기 제 2 관통홀의 직경보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 트렌치 각각의 너비는 상기 제 2 관통홀의 직경과 동일한 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 트렌치 사이의 간격은 상기 제 2 관통홀 직경의 절반인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 트렌치 각각에 위치한 다수의 상기 제 2 관통홀의 중심 사이의 제 1 간격과 서로 인접한 상기 다수의 트렌치에 위치한 다수의 상기 제 2 관통홀의 중심 사이의 제 2 간격은 동일한 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 플레이트는 장축과 단축을 포함하고, 상기 다수의 방전부는 상기 장축과 평행한 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 가스분배수단의 제조방법은, 제 1 면 및 제 2 면을 가지는 플레이트를 준비하는 단계; 상기 제 2 면에서 시작하여 상기 제 1 면의 방향으로 연장되도록 상기 플레이트를 굴삭하여 서로 평행하게 이격되는 줄 무늬 형태를 가지며 플라즈마가 방전되는 공간을 제공하는 다수의 방전부를 형성하는 단계; 상기 제 1 면에서 시작하여 상기 제 2 면의 방향으로 연장되고 상기 다수의 방전부와 연통되는 다수의 관통홀을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 가스분배수단의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 관통홀을 형성하는 단계는, 상기 제 1 면에서 시작하여 상기 제 2 면의 방향으로 연장되는 다수의 제 1 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 다수의 제 1 관통홀 및 상기 다수의 방전부 각각과 유체 연통되는 다수의 제 2 관통홀을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 가스분배수단에 방전부를 설치하는 것에 의해, 공정가스의 공급면적을 증가시키고 플라즈마가 방전되는 공간을 제공하여, 기판안치수단 상에 공정가스를 균일하게 공급할 수 있다. 따라서, 균일한 플라즈마의 발생 및 공정가스의 공급은 균일한 기판처리를 가능하게 한다.
본 발명은 관통홀을 통하여 유입되는 공정가스에 대하여 방전부가 측면확산을 유도할 수 있기 때문에, 종래기술과 비교하여 관통홀의 개수를 감소시킬 수 있다.
도 1은 종래기술의 기판처리장치의 단면도
도 2는 종래기술의 가스분배수단에 대한 평면도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스분배수단의 상부 평면도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스분배수단의 하부 평면도
도 6은 도 4를 A-A'로 절단한 단면도
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 가스분배수단의 절단 사시도
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치로서, 대표적으로 플라즈마 강화 화학기상 증착장치(PECVD)를 예시한다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(110)는, 반응공간을 제공하는 공정챔버(112), 공정챔버(112) 내부에 설치되고 기판(114)이 안치되는 기판안치수단(116), 및 기판(114) 상에 공정가스를 공급하는 가스분배수단(118)을 포함하여 구성된다.
기판처리장치(110)는 기판(114)의 주변부에 박막의 증착을 방지하기 위해 공정챔버(112) 내벽에 설치되는 에지 프레임(edge frame)(120), 챔버리드(112a)를 통하여 가스분배수단(118)에 공정가스를 인입하는 가스 도입관(122), 기판(114)을 인입 또는 반출시키는 게이트 밸브(도시하지 않음) 및 반응공간의 반응가스를 배기시키는 배기포트(124)를 더욱 포함하여 구성될 수 있다.
공정챔버(112)는 챔버리드(112a)와, 오링(O-ring)(도시하지 않음)을 개재하여 챔버리드(112a)와 결합하는 챔버몸체(112b)를 포함하여 구성된다. 에지 프레임(120)은 공정챔버(112)의 내벽에 거치되고, 기판안치수단(116)가 상승하여 공정위치에 있을 때, 기판(114)의 주변부를 차폐하여 기판(114)의 주변부에 박막이 형성되는 것을 방지한다. 배기포트(124)는 반응공간의 반응가스를 외부로 배출시키거나, 반응공간의 진공을 조절하는 기능을 한다. 배기포트(124)에는 진공펌프(도시하지 않음)가 연결된다.
가스분배수단(118)은 챔버리드(112a)와 전기적으로 연결된다. 챔버리드(112a)에는 RF전력을 공급하는 RF(radio frequency) 전원(126)이 연결되고, 기판안치수단(116)에는 접지선이 연결된다. 챔버리드(112a)와 RF 전원(126) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(130)가 설치된다. 따라서, 챔버리드(112a) 및 기판안치수단(116) 각각은 플라즈마 상부 및 하부전극으로 기능하고, 반응공간에 공정가스가 공급되면, 플라즈마 상부 및 하부전극에 의해서 공정가스가 활성화 또는 이온화된다.
기판안치수단(114)에는 기판(114)을 승온시키기 위한 발열장치(heater)(126)가 내장된다. 그리고, 기판안치수단(114)의 배면에는 기판안치수단(114)를 승강시키기 위한 지지축(128)이 연결된다. 가스분배수단(118)은 챔버리드(112a)에 현가되고, 가스분배수단(118)과 챔버리드(112a) 사이에는 가스 도입관(122)으로부터 인입되는 공정가스를 일시적으로 수용하는 수용공간(132)이 형성된다. 가스 도입관(122)은 챔버리드(112a)의 중앙을 관통하여 설치된다. 수용공간(132)에서 가스 도입관(122)과 대응되는 위치에 배플(도시하지 않음)이 설치되어 가스 도입관(122)으로부터 도입되는 공정가스를 균일하게 확산시키는 기능을 한다.
가스분배수단(118)은 플레이트(118a)와 플레이트(118a)를 관통하여 형성되는 분사부(134)를 포함하여 구성된다. 분사부(134)는 다수의 관통홀(136) 및 다수의 관통홀(136)과 유체 연통되는 다수의 방전부(138)를 포함하여 구성된다. 다수의 방전부(138) 각각은 기판안치수단(116)과 대향하는 플레이트(118a)의 하면을 절삭한 트렌치(trench) 형태이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스분배수단의 상부 평면도이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스분배수단의 하부 평면도이고, 도 6은 도 4를 A-A'로 절단한 단면도이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 가스분배수단의 절단 사시도이다. 도 4는 챔버리드(112a)를 제거한 상태에서 바라본 가스분배수단(118)의 상부 평면도이고, 도 5는 기판안치수단(116)에서 바라본 가스분배수단(118)의 하부 평면도이다.
도 6 및 도 7과 같이, 가스분배수단(118)은 플레이트(118a)와 플레이트(118a)를 관통하여 형성되는 분사부(134)를 포함하여 구성된다. 플레이트(118a)는 도 3의 수용공간(132)과 접하는 제 1 면(150a)과, 도 3의 기판안치수단(114)과 대향하는 제 2 면(150b)을 가지는 플레이트(118a)를 포함한다. 플레이트(118a)는 기판안치수단(114)과 동일한 형태인 사각형 또는 원형의 형상으로 제작된다. 도 4 및 도 5와 같이, 플레이트(118a)가 사각형 형태인 경우 장축과 단축을 가진다.
도 6 및 도 7과 같이, 분사부(134)는 플레이트(118a)의 제 1 면(150a)에서 시작하여 제 2 면(150b)의 방향으로 연장되는 다수의 관통홀(136)과 다수의 관통홀(136)과 유체 연통되는 다수의 방전부(138)를 포함한다. 다수의 관통홀(136) 각각은 플레이트(118a)의 제 1 면(150a)에서 시작하여 제 2 면(150b)의 방향으로 연장되는 제 1 관통홀(136a)과 제 1 관통홀(136a)과 유체 연통되는 제 2 관통홀(136b)을 포함한다. 제 2 관통홀(136b)은 제 1 관통홀(136a)와 다수의 방전부(138) 사이에 위치한다. 다수의 방전부(138)는 플레이트(118a)의 제 2 면(150b)에서 시작하여 제 1 면(150a)의 방향으로 굴삭하여 형성하고, 서로 평행하게 이격되는 다수의 트렌치(trench) 형태이다. 다수의 방전부(138) 사이의 간격은 1 내지 3mm이다.
다수의 방전부(138)는 플라즈마가 방전되는 공간을 제공한다. 다수의 방전부(138)는 도 4 및 도 5의 플레이트(118a)의 장축과 평행하게 형성한다. 도 3의 가스 도입관(122)로부터 공급되는 공정가스가 수용공간(132)에 일시적으로 수용되고, 수용공간(132)의 공정가스가 다수의 관통홀(136)을 통하여 다수의 방전부(138)에 공급되면, 다수의 방전부(138)에서 플라즈마가 방전된다. 다수의 제 1 관통홀(136a) 각각의 직경은 0.45mm 정도이고, 다수의 제 2 관통홀(136b) 각각의 직경은 3 내지 12mm 정도이다. 다수의 제 2 관통홀(136b)의 직경이 다수의 제 1 관통홀(136a)의 직경이 크기 때문에, 다수의 제 1 관통홀(136a)을 통과한 공정가스의 확산성이 개선된다. 그리고, 다수의 방전부(136) 각각의 깊이는 10mm정도이고, 다수의 방전부(136) 각각의 너비는 3 내지 12mm 정도이다. 다수의 방전부(136) 각각의 너비는 다수의 제 2 관통홀(136b)의 직경과 동일하다. 필요에 따라 다수의 방전부(136)의 너비를 다수의 제 2 관통홀(136b)의 너비와 크거나 작게 형성할 수 있다.
도 4에서 다수의 방전부(138)는 점선으로 표시하고, 도 5에서 다수의 제 1 관통홀(136a)은 표시되지 않는다. 도 4 및 도 5와 같이, 다수의 방전부(138)는 플레이트(118a)의 장축과 평행하고 서로 이격된다. 다수의 방전부(138) 사이의 간격은 다수의 제 2 관통홀(136b) 각각의 직경의 절반 이하이다. 전술한 바와 같이, 다수의 제 2 관통홀(136b)의 직경이 3 내지 12mm 정도이면, 다수의 방전부(138) 사이의 간격은 1 내지 3mm 정도로 설정한다.
도 5와 같이, 다수의 방전부(138) 각각에서 다수의 관통홀(136)은 동일한 간격을 가지고 하나의 열로 배열된다. 필요에 따라, 하나의 방전부(138)에서 다수의 관통홀(136)이 다수의 열로 배열될 수 있다. 동일한 방전부(138)에서 다수의 관통홀(136) 사이의 제 1 중심 간격(CD1)은 7.5mm 정도이다. 서로 인접한 2 개의 방전부(138)에서 가장 근접한 2 개의 관통홀(136) 사이의 제 2 중심 간격(CD2)은 7.5mm 정도이다. 제 1 및 제 2 중심 간격(CD1, CD2)은 동일한 간격을 가지게 되어, 도 3의 공정챔버(112)의 내부에서 균일한 밀도를 가진 플라즈마의 방전이 가능하다.
도 3의 수용공간(132)에 일시적으로 수용된 공정가스가 다수의 제 1 및 제 2 관통홀(136a, 136b)을 경유하여 다수의 방전부(138)에 공급되면, 다수의 방전부(138)에서 플라즈마가 방전되고, 플라즈마 상태로 활성된 공정가스를 도 3의 기판안치수단(114)에 공급한다. 이때, 다수의 방전부(138)는 다수의 제 2 관통홀(136b)에서 공급되는 공정가스의 측면확산을 유도한다.
가스분배수단(118)을 형성하는 방법은, 제 1 면(150a) 및 제 2 면(150b)을 가지는 플레이트(118a)를 준비하는 제 1 단계, 제 2 면(150b)에서 시작하여 제 1 면(150a)의 방향으로 연장되도록 플레이트(118a)를 굴삭하여 서로 평행하게 이격되는 줄 무늬 형태를 가지며 플라즈마가 방전되는 공간을 제공하는 다수의 방전부(138)를 형성하는 단계, 제 1 면(150a)에서 시작하여 제 2 면(150b)의 방향으로 연장되고 다수의 방전부(138)와 연통되는 다수의 관통홀(136)을 형성하는 단계를 포함한다. 가스분배수단(118)는 제작방법에 따라, 다수의 방전부(138)를 형성한 후 다수의 관통홀(136)을 형성하거나, 또는 다수의 관통홀(136)을 형성한 후 다수의 방전부(138)를 형성할 수 있다.
다수의 관통홀(136)을 형성하는 단계는, 플레이트(118a)의 제 1 면(150a)에서 시작하여 제 2 면(150b)의 방향으로 연장되는 다수의 제 1 관통홀(136a)을 형성하는 단계 및 다수의 제 1 관통홀(136a)과 유체 연통되는 다수의 제 2 관통홀(136b)을 형성하는 단계는 포함한다.
도 3 내지 도 7에 따른 기판처리장치(110)에서, 가스분배수단(118)에 서로 평행한 줄 무늬 형태의 다수의 방전부(138)를 설치하여 기판안치수단(116) 상에 공정가스를 공급할 수 있는 면적이 확대된다. 따라서, 기판안치수단(116) 상에 공정가스가 균일하게 공급될 수 있다. 균일한 플라즈마의 발생 및 공정가스의 공급은 균일한 기판처리를 가능하게 한다. 다시 말하면, 종래기술과 비교하여, 가스분배수단(118)에서 다수의 방전부(138)가 점유하는 면적이 증가되기 때문에, 다수의 방전부(138)를 통해 공정가스가 기판안치수단(116)에 균일하게 공급될 수 있다.
그리고, 다수의 관통홀(136)을 통해, 공정가스가 다수의 방전부(138)에서 다수의 관통홀(136) 각각의 측면방향으로 확산되기 때문에, 본 발명은 종래기술과 비교하여, 다수의 관통홀(136) 사이의 간격을 넓게 할 수 있다. 다시 말하면, 다수의 관통홀(136)의 개수를 종래기술과 비교하여 감소시킬 수 있다. 따라서, 가스분배수단(118)의 가공이 종래기술과 비교하여 매우 용이하다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (11)

  1. 챔버리드 및 챔버몸체의 결합에 의해 반응공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 공정챔버의 내부에 형성되는 플레이트, 상기 플레이트에 서로 평행하게 이격되는 다수의 트렌치 형태를 가지며 플라즈마가 방전되는 공간을 제공하는 다수의 방전부, 및 상기 다수의 방전부와 유체 연통되고 상기 다수의 방전부에 공정가스를 공급하는 다수의 관통홀을 포함하는 가스분배수단; 및
    상기 공정챔버 내부에 설치되고 상기 가스분배수단과 대향하며 기판이 안치되는 기판안치수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 챔버리드와 대향하는 제 1 면과 상기 기판안치수단과 대향하는 제 2 면을 포함하고, 상기 가스분배수단은 상기 플레이트의 상기 제 1 면과 상기 챔버리드 사이에 상기 공정챔버의 외부로부터 공급되는 상기 공정가스가 수용되는 수용공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 관통홀은 상기 제 1 면에서 시작하여 상기 제 2 면의 방향으로 확장되고, 상기 다수의 방전부는 상기 제 2 면에서 시작하여 상기 제 1 면의 방향으로 확장되고 서로 평행하게 이격되는 다수의 트렌치인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 다수의 관통홀 각각은 상기 플레이트의 상기 제 1 면과 접하는 제 1 관통홀과, 상기 제 1 관통홀과 유체 연통되고 상기 제 1 관통홀과 상기 다수의 방전부 사이에 위치한 제 2 관통홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 관통홀의 직경은 상기 제 2 관통홀의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 다수의 트렌치 각각의 너비는 상기 제 2 관통홀의 직경과 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 다수의 트렌치 사이의 간격은 상기 제 2 관통홀 직경의 절반인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 다수의 트렌치 각각에 위치한 다수의 상기 제 2 관통홀의 중심 사이의 제 1 간격과 서로 인접한 상기 다수의 트렌치에 위치한 다수의 상기 제 2 관통홀의 중심 사이의 제 2 간격은 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 장축과 단축을 포함하고, 상기 다수의 방전부는 상기 장축과 평행한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 1 면 및 제 2 면을 가지는 플레이트를 준비하는 단계;
    상기 제 2 면에서 시작하여 상기 제 1 면의 방향으로 연장되도록 상기 플레이트를 굴삭하여 서로 평행하게 이격되는 다수의 트렌치 형태를 가지며 플라즈마가 방전되는 공간을 제공하는 다수의 방전부를 형성하는 단계;
    상기 제 1 면에서 시작하여 상기 제 2 면의 방향으로 연장되고 상기 다수의 방전부와 연통되는 다수의 관통홀을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배수단의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 다수의 관통홀을 형성하는 단계는,
    상기 제 1 면에서 시작하여 상기 제 2 면의 방향으로 연장되는 다수의 제 1 관통홀을 형성하는 단계;
    상기 다수의 제 1 관통홀 및 상기 다수의 방전부 각각과 유체 연통되는 다수의 제 2 관통홀을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배수단의 제조방법.
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