KR20110123683A

KR20110123683A - 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물, 및 박리지 또는 박리 필름과 그의 제조 방법

Info

Publication number: KR20110123683A
Application number: KR1020110042889A
Authority: KR
Inventors: 겐지 야마모또; 지 아오끼
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2010-05-07
Filing date: 2011-05-06
Publication date: 2011-11-15
Also published as: EP2481783B1; US9365746B2; US20110274935A1; CN102352111A; EP2385084A1; CN102352111B; TWI494334B; JP2011252142A; TW201211086A; JP5626097B2; EP2481783A1; KR101708509B1; EP2385084B1

Abstract

본 발명은, (A) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산,
(B) 밀착 향상 성분으로서, (B1) 1 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 알케닐기를 포함하는 치환기를 갖고, 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위가 직접 또는 상기 치환기가 규소 원자에 결합하지 않은 실록산 단위를 3개 이하 개재한 상태로 결합하고 있는 구조를 갖는 오르가노폴리실록산, (B2) 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 치환기와, (A) 성분의 알케닐기 및/또는 (C) 성분의 규소 원자 결합 수소 원자와 부가 반응 및/또는 축합 반응 가능한 기를 포함하는 치환기를 갖는 화합물,
(C) 오르가노하이드로젠폴리실록산,
(D) 백금족 금속계 촉매
를 함유하는 부가 경화형 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물을 제공한다.
본 발명에 따르면, 종래의 밀착성 개량 방법에서는 박리 특성에의 영향을 피할 수 없지만, 박리 특성에 거의 영향을 주지 않고 밀착성을 향상시킬 수 있다.

Description

박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물, 및 박리지 또는 박리 필름과 그의 제조 방법{SILICONE COMPOSITION FOR RELEASE PAPER OR RELEASE FILM, AND RELEASE PAPER OR RELEASE FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}

본 발명은, 종이나 플라스틱 필름 등의 기재와의 밀착성이 우수한 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물, 및 상기 조성물의 경화 피막이 형성되어 이루어지는 박리지 또는 박리 필름과 그의 제조 방법에 관한 것이다.

종이, 라미네이트지, 플라스틱 필름 등의 각종 기재 표면에 박리성 경화 피막을 형성시킴으로써, 감압 접착제 등의 점착 물질에 대하여 박리성을 나타내는 재료를 얻는 방법은 예전부터 알려져 있다. 이러한 박리성 경화 피막을 형성하는 재료로서 실리콘 조성물이 사용되고 있으며, 예를 들면 일본 특허 공개 (소)62-86061호 공보(특허문헌 1)에는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산과 오르가노하이드로젠폴리실록산과 백금계 화합물로 이루어지는 실리콘 조성물이 제안되어 있다.

이 종류의 실리콘 조성물은 경화성이 우수하고, 가용 시간도 양호하기 때문에 현재에도 주요한 재료로서 이용되고 있다. 그러나, 경화 피막의 기재와의 밀착이 충분하다고는 할 수 없기 때문에 도공할 수 있는 기재가 한정되며, 기재의 전처리가 필요해진다는 등의 문제점이 이전부터 지적되어 있었다.

사용 기재의 최근 동향으로서, 품질이 균일하고 안정적이며, 평활성도 높고, 박막화가 가능한 플라스틱 필름 기재의 이용 증가를 들 수 있지만, 이들 다양한 품종의 기재를 시판품으로서 사용할 수 있게 된 오늘날에는 실리콘 조성물의 밀착성 향상에 대한 요구가 이전보다 더욱 강해졌다.

밀착성을 향상시키기 위한 제안은, 실리콘 조성물의 면으로부터도 이전부터 이루어져 왔다. 예를 들면, 밀착성이 보다 양호한 재료를 이용하는 방법으로서는, 유기계 수지의 배합이나 실란 커플링제의 첨가 등이 시도되고 있다. 그러나, 이 방법은 박리성을 저하시키기 때문에 이용할 수 있는 조건이 한정된다. 조성물의 베이스 중합체 구조에 개량을 가하는 방법으로서는, RSiO₃ _/2 단위를 함유한 분지 구조를 갖게 하는 것이 일본 특허 공개 (소)63-251465호 공보, 일본 특허 공고 (평)3-19267호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-78032호 공보, 일본 특허 공개 (평)11-193366호 공보(특허문헌 2 내지 5)에 제안되어 있다. 이들 방법은 고속으로 박리했을 때의 경박리화와 경화성 향상의 효과를 목적으로 한 것이며, 부차적인 효과로서 밀착성의 개선이 관찰되는 것에 그치고 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2000-169794호 공보, 일본 특허 공개 제2000-177058호 공보(특허문헌 6, 7)에는, 용제형 실리콘 조성물과 무용제형 실리콘 조성물을 병용하여, 베이스 중합체 구조를 개량하지 않고 박리 속도 의존성 감소 효과를 얻는 제안이 이루어져 있지만, 밀착성의 면에서는 현황의 용제형 실리콘 조성물을 뛰어넘는 것은 아니다.

이와 같이, 지금까지의 기술에서는 실리콘 조성물의 박리성에 영향을 주지 않고 밀착성을 개량하는 적절한 방법은 발견되지 않았다.

일본 특허 공개 (소)62-86061호 공보 일본 특허 공개 (소)63-251465호 공보 일본 특허 공고 (평)3-19267호 공보 일본 특허 공개 (평)9-78032호 공보 일본 특허 공개 (평)11-193366호 공보 일본 특허 공개 제2000-169794호 공보 일본 특허 공개 제2000-177058호 공보

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 종이 또는 플라스틱 필름 등의 기재 표면에 도포하고, 상기 표면에 대하여 밀착성이 우수한 비점착성 피막을 형성할 수 있는 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물, 및 기재 표면에 상기 조성물의 경화 피막이 형성되어 이루어지는 박리지 또는 박리 필름 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 종래의 박리지 및 박리 필름용 실리콘 조성물에 1 분자 중에 가열 및/또는 자외선에 의해 라디칼 반응하는 관능기를 갖는 치환기 적어도 하나와, 알케닐기 및/또는 SiH기와 반응 가능한 기를 갖는 치환기 적어도 하나를 갖고, 백금 부가 반응을 저해하는 S, P를 포함하지 않고, 본 조성물에 안정적으로 용해 또는 분산 가능한 화합물을 배합함으로써, 기재와의 밀착성이 우수한 경화 피막이 얻어진다는 것을 지견하였다. 또한, 종래의 밀착성 개량 방법에서는 박리 특성에의 영향을 피할 수 없지만, 박리 특성에 거의 영향을 주지 않고 밀착성을 향상시킨다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은 하기에 나타내는 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물, 박리지 및 박리 필름과 그의 제조 방법을 제공한다.

청구항 1:

(A) 25 ℃에서의 절대 점도가 0.04 Paㆍs 이상이고, 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부,

(B) 밀착 향상 성분으로서, 하기 (B1) 및/또는 (B2)

(B1) 25 ℃에서의 점도가 0.04 Paㆍs 미만이고, 1 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자에 결합하는 알케닐기를 포함하는 치환기를 갖고, 알케닐기 함유량이 0.3 내지 2.0 몰/100 g의 범위 내이고, 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위가 직접 또는 상기 치환기가 규소 원자에 결합되지 않은 실록산 단위를 3개 이하 개재한 상태로 결합하고 있는 구조를 갖는 오르가노폴리실록산,

(B2) 1 분자 중에 관능기로서 탄소수 2 내지 10의 탄소-탄소 불포화 결합(이중 또는 삼중 결합)을 포함하는 치환기 적어도 하나와, (A) 성분의 알케닐기 및/또는 (C) 성분의 규소 원자에 결합한 수소 원자와 부가 반응 및/또는 축합 반응 가능한 기를 포함하는 치환기 적어도 하나를 갖는 화합물 0.1 내지 10 질량부,

(C) 1 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 적어도 3개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산 0.1 내지 20 질량부,

(D) 촉매량의 백금족 금속계 촉매,

(E) 필요에 따라 임의량의 유기 용제

를 함유하여 이루어지는 부가 경화형의 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물.

청구항 2:

제1항에 있어서, (B1) 성분이 하기 화학식 2로 표시되는 구조를 갖는 하기 조성식 1로 표시되는 평균 중합도 2 내지 50의 오르가노폴리실록산인 실리콘 조성물.

<조성식 1>

(식 중, R¹은 탄소수 2 내지 10의 알케닐기를 포함하는 치환기를 나타내고, A는 R² 또는 산소 원자를 통해 결합한 조성식 1을 만족하도록 선택되는 실록산 잔기를 나타내고, 2개의 A가 -O(SiR² ₂O)_y-로서 환 구조를 형성할 수도 있고, R²는 탄소수 1 내지 10의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이고, x는 0 내지 3의 정수이고, y는 조성식 1의 오르가노폴리실록산의 평균 중합도 2 내지 50을 만족하도록 선정되는 정수이고,

M, M^A, D, D^A, T, T^A, Q는 이하의 실록산 단위이고, O₁ _/2는 인접하는 실록산 단위와 산소 원자를 통해 결합하고 있는 것을 나타내고,

M, M^A는

이지만, M^A는 적어도 하나의 R²가 R¹이고,

D, D^A는

이지만, D^A는 적어도 하나의 R²가 R¹이고,

T, T^A는

이지만, T^A는 R²가 R¹이고,

Q는

이고,

m1, m2, d1, d2, t1, t2, q1은 하기 수학식 1을 만족하는 수임)

<수학식 1>

t1+t2+2×q1≤m1+m2≤2+t1+t2+2×q1

0≤d1+d2≤48, 0≤t1+t2≤30, 0≤q1≤20

0.25≤(m2+d2+t2)/(m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1)≤1

청구항 3:

제2항에 있어서, 화학식 2의 x가 0 또는 1인 실리콘 조성물.

청구항 4:

제2항 또는 제3항에 있어서, (B1) 성분이 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 직쇄상 또는 분지상 실록산 구조를 갖는 화합물인 실리콘 조성물.

(식 중, R¹, R²는 상기와 같고, Y는 하기 화학식 3a

<화학식 3a>

로 표시되는 기이고, 화학식 3a에서 R¹, R², Y는 상기와 같고,

a2, b2, ay, by는 0 내지 48의 정수이고, c2, cy는 0 내지 30의 정수이고, d2, dy는 0 내지 20의 정수이고,

화학식 3, 3a는 각각 랜덤 구조를 나타내지만, R¹의 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위가 직접 또는 R¹이 규소 원자에 결합하지 않은 실록산 단위를 3개 이하 개재한 상태로 결합하고 있는 구조를 적어도 1개 포함함)

(식 중, R¹, R²는 상기와 같고, Z는 하기 화학식 4a

<화학식 4a>

로 표시되는 기이고, 화학식 4a에서 R¹, R², Z는 상기와 같고,

화학식 4, 4a는 각각 랜덤 구조를 나타내지만, R¹의 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위가 직접 또는 R¹이 규소 원자에 결합하지 않은 실록산 단위를 3개 이하 개재한 상태로 결합하고 있는 구조를 적어도 1개 포함함)

청구항 5:

제2항 또는 제3항 있어서, (B1) 성분이 하기 화학식 5로 표시되는 환상 실록산 구조를 갖는 화합물인 실리콘 조성물.

(식 중, R¹, R²는 상기와 같고, R³은 OH기 또는 SiH기를 관능기로서 갖는 치환기, 또는 탄소수 1 내지 10의 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기를 나타내고, a1은 0 또는 1이고, b1은 1 내지 6의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고, a1+b1+c1은 2 이상의 정수임)

청구항 6:

제1항에 있어서, (B2) 성분이 하기 화학식 (6-1)로 표시되는 2가의 구조 단위를 포함하는 화합물, 하기 화학식 (6-2)와 하기 화학식 (6-3)으로 표시되는 2가의 구조 단위를 포함하는 화합물, 하기 화학식 (7-1)로 표시되는 환상 구조로 이루어지는 화합물 또는 하기 화학식 (7-2)로 표시되는 환상 구조로 이루어지는 화합물인 실리콘 조성물.

(식 중, R²는 탄소수 1 내지 10의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이고, R⁴는 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 포함하는 치환기이고, R⁵는 OH기, SiH기 또는 알케닐기를 관능기로서 갖는 치환기이고, R⁶은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 포화 탄화수소기 또는 방향족기, R⁴와 동일한 기 또는 R⁵와 동일한 기이고, d는 4 내지 10이며, e+f는 3 내지 9임)

청구항 7:

제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물을 종이 또는 플라스틱 필름 기재에 직접 도공한 후, 가열 및/또는 자외선 조사하여 상기 도공막을 경화시키는 것을 특징으로 하는 박리지 또는 박리 필름의 제조 방법.

청구항 8:

제7항에 있어서, 도공막을 자외선 조사한 후, 가열에 의해 도공막을 경화시키는 제조 방법.

청구항 9:

제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 조성물의 경화 실리콘 피막이 형성된 박리지 또는 박리 필름.

본 발명에 따르면, 종래의 부가형 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물에 대하여 특정한 구조를 갖는 밀착 향상 성분을 배합하고, 기재에 도공하여 가열 및/또는 자외선 조사에 의해 경화시킴으로써, 기재와의 밀착성이 우수한 비점착성 경화 피막이 얻어진다. 또한, 본 발명에 따르면, 종래의 밀착성 개량 방법에서는 박리 특성에의 영향을 피할 수 없지만, 박리 특성에 거의 영향을 주지 않고 밀착성을 향상시킬 수 있다.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.

본 발명의 조성물을 구성하는 (A) 성분의 오르가노폴리실록산은 회전 점도계를 사용하여 측정되는 25 ℃의 절대 점도가 0.04 Paㆍs 이상이고, 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 것이며, 보다 구체적으로는 하기 화학식 8로 표시되는 구조를 갖는 것을 들 수 있다.

(식 중, R⁷은 알케닐기, R⁸은 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 1가의 유기기 또는 수산기를 나타내고, X¹은 하기 화학식 9

로 표시되는 기이고, a3, b3, c3, d3, e3은 오르가노폴리실록산의 25 ℃의 점도가 0.04 Paㆍs 이상, 30 질량％ 톨루엔 용액에서의 25 ℃의 점도가 70 Paㆍs 이하를 만족하는 양수로부터 선택되고, b3, c3, d3, e3은 0일 수도 있고, α 및 β는 0 또는 1 내지 3의 정수임)

R⁷은 비닐기, 알릴기, 부테닐기 등의, 바람직하게는 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, R⁸은 탄소수 1 내지 20, 특히 1 내지 8인 것이 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 시클로헥실기 등의 탄소수 4 내지 20의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환한 클로로메틸기, 트리플루오로프로필기, 시아노에틸기 등의 치환 1가 탄화수소기, 나아가서는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 메톡시에톡시기 등의 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 수산기, 탄소수 2 내지 20의 에폭시기를 포함하는 1가 탄화수소기, 예를 들면 글리시딜기, 글리시딜옥시기, 에폭시시클로헥실기 치환 알킬기 등으로부터 선택되는 1가의 유기기이지만, 지방족 불포화 결합은 함유하지 않는다.

R⁷은 비닐기가 공업적으로 바람직하고, (A) 성분의 오르가노폴리실록산 전체에 포함되는 R⁸은 그의 적어도 80 몰％가 메틸기인 것이 제조상 및 특성상 바람직하다.

(A) 성분의 오르가노폴리실록산의 1 분자가 갖는 알케닐기는 2개 이상이지만, 바람직하게는 오르가노폴리실록산 100 g당의 함유량으로서 0.001 내지 0.3 몰이다. 상당하는 화학식 8 및 치환기 X¹의 a3, b3, c3, d3, e3으로서는, 1 분자가 갖는 알케닐기의 수 c3+b3×(e3+β)+2α가 2 내지 2,500의 범위가 되도록 선택된다.

(A) 성분의 오르가노폴리실록산의 주골격 구조는 직쇄이지만, b3이 0이 아닌 경우에 나타나는 분지쇄 구조를 포함하는 것도 사용할 수 있다.

본 발명의 (B) 성분은 본 조성물에 밀착성을 부여하는 특징적인 성분이며, 기재와 (A), (C) 성분의 비점착 경화 피막 사이를 연결하는 커플링제와 같이 기능하여 밀착성을 향상시킨다. 전혀 상이한 재질로 이루어지는 기재 및 비점착 경화 피막과 반응 또는 상호 작용시키는 데 한 가지 반응만을 이용하는 것은 어느 한쪽으로 치우침이 발생하기 쉽고, 커플링제로서 충분히 기능하기 어렵다. 따라서, 본 발명에서는 기재와의 반응 또는 상호 작용에는 라디칼 반응을, 비점착 경화 피막과는 부가 반응 또는 축합 반응을 이용하는 것으로 하였다.

(B) 성분은, 이들 상이한 두 가지 반응에 하나의 분자로 대응할 필요가 있으며, 그를 위한 방법 중 하나는, 하나의 분자에 양쪽 반응이 가능한 관능기만을 포함하는 동종의 치환기만을 갖게 하는 것으로, 치환기에 의한 반응 선택성은 낮지만, 분자 구조상의 특징에 의해 두 가지 반응을 치우침 없이 진행시키는 것이며, 이에 대응하는 오르가노실록산이 (B1) 성분이다.

또 하나의 방법은, 기재와의 라디칼 반응이 부가 반응이나 축합 반응보다 발생하기 쉬운 치환기와, (A), (C) 성분에 의한 비점착 경화 피막과의 부가 반응이나 축합 반응이 라디칼 반응보다 발생하기 쉬운 치환기 둘 다를 하나의 분자에 갖게 하는 것으로, 이에 대응하는 화합물이 (B2) 성분이다.

(B) 성분으로서는 상기 (B1) 성분 또는 (B2) 성분을 단독으로 사용할 수도 있고, (B1) 성분과 (B2) 성분을 병용할 수도 있으며, 배합 비율은 필요로 하는 밀착성의 수준, 사용하는 기재나 경화 조건에 따라 적절하게 조정하여 사용할 수 있지만, 바람직하게는 (B1):(B2)=100:0 내지 100:100(질량비), 보다 바람직하게는 (B1):(B2)=100:0 내지 100:90(질량비)이다. 양자를 병용하는 경우에는 100:5 이상으로 하는 것이 바람직하다.

(B1) 성분은, (B2) 성분과 같이 이종 관능기를 복수개 하나의 분자 내에 갖게 할 필요가 없기 때문에 제조도 용이하고, 입수나 비용의 면에서 유리하다. 또한, 본 조성물의 주성분인 (A) 성분과 동일한 실리콘 화합물이며, 본 조성물에 안정적으로 용해 또는 분산시킬 수 있고, 조성물의 제조나 저장의 면에도 이점이 있다. 그러나, 이 특징은 유기물인 기재 표면으로의 접근에는 불리하며, 라디칼 반응에 의해 기재와의 반응이나 상호 작용하는 확률을 저하시키게 된다. 예를 들면, (A) 성분은 라디칼 반응할 수 있는 알케닐기를 갖고 있음에도 불구하고, 밀착성에 유효한 기재와의 반응 또는 상호 작용을 형성할 수 없다. 그 이유는 폴리실록산 구조에 의한 분자간력이 낮거나 무기적인 성질이 기재 표면으로의 접근을 방해하여, 동일한 실록산 구조를 갖는 (C) 성분의 SiH기와의 부가 반응에서 대부분의 알케닐기가 소비되기 때문이다. 따라서, (B1) 성분은 회전 점도계를 사용하여 측정되는 25 ℃에서의 절대 점도가 0.04 Paㆍs 미만인 실록산 중합도가 낮은 저분자량으로 하고, 알케닐기를 0.3 내지 2.0 몰/100 g, 바람직하게는 0.3 내지 1.3 몰/100 g, 특히 0.4 몰/100 g 이상의 고함유로 함과 동시에, 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위 상호를 근접 배치함으로써, 주변의 유기성을 높여 알케닐기가 기재에 접근하는 것을 용이하게 하여 라디칼 반응에 의한 반응 및 상호 작용을 유리하게 한 것이다. 또한, 절대 점도의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로 0.1 mPaㆍs이다.

즉, (B1) 성분은 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위가 직접 또는 상기 치환기가 규소 원자에 결합하지 않은 실록산 단위를 3개 이하 개재한 상태로 결합하고 있는 구조를 갖는 오르가노폴리실록산이다.

이 경우, (B1) 성분으로서는 하기 화학식 2로 표시되는 구조를 갖는 하기 조성식 1로 나타낼 수 있다.

<조성식 1>

<화학식 2>

M, M^A는

이지만, M^A는 적어도 하나의 R²가 R¹이고,

D, D^A는

이지만, D^A는 적어도 하나의 R²가 R¹이고,

T, T^A는

이지만, T^A는 R²가 R¹이고,

Q는

이고,

m1, m2, d1, d2, t1, t2, q1은 하기 수학식 1을 만족하는 수임)

<수학식 1>

t1+t2+2×q1≤m1+m2≤2+t1+t2+2×q1

0≤d1+d2≤48, 0≤t1+t2≤30, 0≤q1≤20

0.25≤(m2+d2+t2)/(m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1)≤1

또한, R¹의 알케닐기를 포함하는 치환기로서는, 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기, 아크릴로일옥시프로필기, 메타크릴로일옥시프로필기 등의 (메트)아크릴로일옥시기 치환 알킬기 등을 들 수 있다.

R²의 1가의 유기기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 헥실기 등의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기, 벤질기 등의 아르알킬기 이외에, 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기 등의 비치환된 1가 탄화수소기, 이들 비치환된 1가 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기, 또는 상기 알킬기의 수소 원자가 (메트)아크릴로일옥시기로 치환된, 예를 들면 (메트)아크릴로일옥시프로필기 등을 들 수 있다. 따라서, R²는 R¹일 수도 있다.

또한, (B1) 성분의 평균 중합도는 2 내지 50, 특히 2 내지 40인 것이 바람직하다. 이 평균 중합도는 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산값이다.

y는 상기 평균 중합도를 만족하도록 선정되지만, 바람직하게는 0 내지 10, 특히 1 내지 8의 정수이다.

상기 화학식 2로부터 분명한 바와 같이, (B1) 성분의 오르가노실록산은 2개의 -SiR¹A-기가 -O-(SiA₂O)_x-(x=0 내지 3, 특히 0 또는 1)를 통해 연결되어 있는 구조를 갖는 것이다. 즉, 규소 원자에 결합하는 알케닐기를 갖는 2개의 -SiR¹A-기가 근접하여 존재하고 있는 것이며, 이 경우 A가 알케닐기이면 당연히 근접하고 있는 것이지만, A가 메틸기 등의 알킬기나 페닐기 등의 아릴기여도 -SiR¹A- 상호가 근접하고 있으며, 이 근접의 정도를 나타내는 x가 최대 3, 바람직하게는 0 또는 1이고, 이에 따라 본 발명의 효과가 얻어진다. 그에 비해 x가 4 이상이면 밀착성이 저하되며, 박리 성능에 영향을 주지 않고 밀착성을 향상시킨다는 본 발명의 효과를 달성할 수 없다.

이와 같이 알케닐기를 인접한 배치로 함으로써 기대되는 또 하나의 효과로서, 부가 반응의 진행을 늦추어 라디칼 반응을 우위로 진행시킨다는 것이 있으며, 그 효과를 보다 유효하게 얻기 위해서는 x=0 내지 1로 하는 것이 바람직하다. 이 알케닐기끼리 보다 접근한 구조가 부가 반응을 늦추는 것은, 동종의 구조를 갖는 화합물을 제어제로서 이용할 수 있기 때문인 것으로 유추된다. 한쪽 알케닐기가 라디칼 반응에 의해 변화되면, 남은 알케닐기는 부가 반응하기 쉬운 상태가 되어 비점착 경화 피막과의 반응이 진행됨으로써 커플링제로서 유효하게 기능할 수 있다.

가능하다면 라디칼 반응만으로 모든 알케닐기가 소비되지 않도록 1 분자 중의 알케닐기를 3개 이상 또는 4개 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 분자량이 작은 것은, 커플링제로서 작용함에 있어서 넓은 면적에 의해 많은 결합점을 형성할 수 있기 때문에 유리하기도 하다.

상기 조성식 1의 구조를 갖는 오르가노실록산으로서 구체적으로는, 하기 화학식 3 또는 4의 직쇄상 또는 분지상의 오르가노폴리실록산을 들 수 있다.

<화학식 3>

(식 중, R¹, R²는 상기와 같고, Y는 하기 화학식 3a

<화학식 3a>

로 표시되는 기이고, 화학식 3a에서 R¹, R², Y는 상기와 같고,

a2, b2, ay, by는 0 내지 48, 바람직하게는 0 내지 45, 더욱 바람직하게는 0 내지 40의 정수이고, c2, cy는 0 내지 30, 바람직하게는 0 내지 25, 더욱 바람직하게는 0 내지 20의 정수이고, d2, dy는 0 내지 20, 바람직하게는 0 내지 18, 더욱 바람직하게는 0 내지 15의 정수이고,

<화학식 4>

(식 중, R¹, R²는 상기와 같고, Z는 하기 화학식 4a

<화학식 4a>

로 표시되는 기이고, 화학식 4a에서 R¹, R², Z는 상기와 같고,

상기 (B1) 성분으로서 보다 구체적인 구조는, 예를 들면 하기 화학식

로 표시되는 직쇄상의 오르가노폴리실록산(단, x는 상기와 같음),

로 표시되는 3관능 또는 4관능 실록산 단위로 주골격이 형성되는 분지상 구조의 오르가노폴리실록산도 가능하다.

여기서, 상기 A의 실록산 잔기, Y, Z, B로서는 하기의 것이 예시된다.

(단, R²⁰은 R² 또는 R¹을 나타내고, R⁰은 -O-(SiR²R²⁰)_y6-SiR² ₂R²⁰을 나타내고, y는 상기와 같고, y1+y2+y6=y이고, y1 및 y6은 0 이상, y2는 1 이상의 정수이고, y3+y4=y이고, y3, y4는 0 이상의 정수이고, y5=y임)

보다 구체적으로는, 하기의 것을 들 수 있다.

또한, (B1) 성분으로서는, 하기 화학식 5로 표시되는 환상 구조의 오르가노폴리실록산일 수도 있다.

<화학식 5>

상기 화학식 중 R³의 OH기 또는 SiH기를 관능기로서 갖는 치환기로서는, 규소 원자에 결합한 수산기 및 수소 원자 이외에 -CH₂CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-OH 등을 들 수 있다.

R³의 1가 탄화수소기로서는, 알케닐기를 포함하지 않는 것 이외에는 R²에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.

공업적으로 바람직한 구체적인 (B1)의 예는, 상기 화학식 5에서 R¹이 비닐기, R²가 메틸기, R³이 수소 원자, a1=0 내지 1, b1=1 내지 4, c1=0 내지 1이다. 더욱 바람직하게는 a1=0, b1=2 내지 4, c1=0이다.

이어서, (B2) 성분은 1 분자 중에 관능기로서 탄소수 2 내지 10, 바람직하게는 2 내지 8의 탄소-탄소 불포화 결합(이중 결합 또는 삼중 결합)을 포함하는 치환기 적어도 하나와, 알케닐기 및/또는 규소 원자에 결합한 수소 원자(이하, SiH기 라고 함)와 부가 반응 및/또는 축합 반응 가능한 기를 포함하는 치환기 적어도 하나를 갖는 화합물이다.

(B2) 성분이 적어도 하나 갖고 있는 탄소-탄소 불포화 결합을 관능기로 하는 치환기는, 가열 및/또는 자외선에 의해 라디칼 반응하는 관능기를 갖는 치환기를 의미하지만, 구조는 직쇄, 분지 등 특정되지 않으며, 시클로헥센이나 노르보르나디엔 등의 환상 구조일 수도 있고, 일반적으로 라디칼 중합이나 라디칼 반응 경화하는 계에서 사용되는 관능기를 포함하는 치환기를 사용할 수 있다. (B2) 성분이 실록산 구조를 포함하는 경우에는 특히 부가 반응에 의한 소비를 억제하기 위해, 메타크릴로일옥시기 등의 탄소-탄소 이중 결합, 아세틸렌기, 프로피닐기, 부티닐기 등의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는 치환기로 하는 것이 바람직하다.

(B2) 성분이 실록산 구조를 포함하지 않는 유기물이면 기재로의 접근이 용이해져 라디칼 반응에 의한 반응이나 상호 작용에 유리해지기 때문에, 치환기의 선택을 보다 확대할 수도 있다. 단, 비실리콘계에서 분자량이 커지면 실리콘과의 상용성이 지나치게 낮아져 비점착 경화 피막과의 결합이나 상호 작용 형성이 어려워지거나, 조성물 자체로의 용해성이 저하되어 사용할 수 없게 되기 때문에, GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량은 1,000 이하인 것이 바람직하다. 보다 효율적으로 커플링제로서 밀착성 향상에 기능하기 위해서라도, 넓은 면적에서 많은 결합점을 형성할 수 있도록 작은 분자량인 것이 바람직하다는 점도 들 수 있다.

(B2) 성분의 가열 및/또는 자외선에 의해 라디칼 반응하는 관능기를 갖는 치환기는, 라디칼 반응 및/또는 라디칼 반응으로 생성되는 기에 의한 상호 작용에서 본 조성물이 도공되는 기재 표면에 (B2) 성분을 가두어 둔다. 라디칼의 생성은 가열에 의해 행할 수도 있고, 자외선 등의 에너지선 조사에 의해 행할 수도 있으며, 라디칼의 생성을 촉진시키는 목적으로 과산화물 등의 라디칼 발생제나 광 증감제 등을 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 첨가할 수도 있다.

열이나 자외선에 의해 라디칼을 발생할 수 있는 구조 또는 발생 라디칼과 반응할 수 있는 구조는 유기물인 기재에 많이 존재하고, 라디칼을 발생시키는 에너지원이 되는 적외선이나 자외선의 흡수율도 기재가 압도적으로 높기 때문에, 라디칼을 기재에 집중적으로 발생시킬 수 있으며, 기재와의 반응을 촉진시키는 데 적합하다.

플라스틱 필름 등 열에 약한 기재의 경우, 자외선 조사에 의한 라디칼 생성 방법은 필름 기재의 온도가 지나치게 오르지 않는다는 점에서 유리하다. 필름 기재 표면에서 대부분이 흡수되는 자외선을 사용하면 필름 기재 표면 부근에 집중적으로 라디칼을 발생시킬 수 있으며, 필름 기재와의 반응을 촉진시킴에 있어서 바람직하다.

(B2) 성분이 적어도 하나 갖고 있는 별도의 치환기는, (A) 성분의 알케닐기 및/또는 (C) 성분의 SiH기와 반응 가능한 관능기를 갖는 치환기이며, (A) 성분의 알케닐기에 대해서는 SiH기와의 부가, (C) 성분의 SiH기에 대해서는 OH기와의 축합, 탄소-탄소 이중 결합과의 부가 반응을 들 수 있다.

(B2) 성분의 이 치환기는, 첫번째 치환기의 라디칼 반응과는 상이한 부가 반응, 축합 반응에 의해 비점착 경화 피막에 (B2) 성분을 가두어 둔다. 라디칼 반응하는 치환기의 기능과 함께 (B2) 성분은 비점착 경화 피막과 기재를 가두어 두는 커플링제로서 기능하여 밀착성을 향상시킨다.

(B2) 성분을 실록산 구조를 갖지 않는 유기계 화합물로 한 경우, 실리콘 성분과의 상용성이 저하되는 경향이 있기 때문에 부가 반응의 진행이 어려워지기 쉽다. 그 때문에, (A) 성분의 알케닐기 및/또는 (C) 성분의 SiH기와 반응 가능한 관능기로서 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 치환기를 선택하면 SiH기와 부가 반응하기 전에 라디칼 반응에 의해 소비되어, 커플링제로서 작용하기 어려워질 우려가 있다. 이것을 방지하기 위해서는 라디칼 반응하기 어려운 SiH기나 수산기를 선택하고, 예를 들면 하기 화학식 (6-1)로 표시되는 2가의 구조, 또는 하기 화학식 (6-2)와 (6-3)으로 표시되는 2종의 2가의 구조를 포함하는 분자 구조로 할 수 있다.

(상기 화학식 중, R²는 상기와 같고, R⁴는 탄소수 2 내지 10, 바람직하게는 2 내지 8의 알키닐기(예를 들면 아세틸렌기, 프로피닐기, 부티닐기 등), 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 포함하는 치환기를 나타내고, R⁵는 OH기, SiH기 또는 알케닐기를 관능기로서 갖는 치환기를 나타냄)

상기 화학식에서 공업적으로 바람직한 예로서는, HC≡C-C(CH₃)₂-OH를 들 수 있다.

또한, 하기 화학식 (7-1), (7-2)로 표시되는 환상물 등을 구체적인 구조로서 들 수 있다.

(상기 화학식 중, R⁴, R⁵는 상기와 같고, R⁶은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10, 바람직하게는 1 내지 8의 포화 탄화수소기 또는 방향족기, R⁴와 동일한 기 또는 R⁵와 동일한 기이고, d는 4 내지 10이며, e+f는 3 내지 9를 나타낸다.

상기 화학식에서 공업적으로 바람직한 예로서는, 에티닐시클로헥산올을 들 수 있다.

(B1) 성분도 (B2) 성분도 분자량이 작은 것이 유리한 것으로 되어 있지만, 본 조성물이 기재에 도공되어 가열된 경우, 분자량이 지나치게 작으면 기화가 지나치게 빨라서 반응하지 않은 상태로 조성물로부터 제거될 염려가 있다. 그 때문에, (B) 성분의 비점이 80 ℃ 이상이 되는 분자량으로 하는 것이 바람직하다. 온도가 높아지지 않도록 자외선 조사를 이용하는 것은, 이 영향을 경감시키는 데에는 유효하다.

(B) 성분의 배합량은 (A) 성분 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부, 바람직하게는 0.2 내지 9 질량부이다. (B) 성분의 배합량이 지나치게 적으면 밀착 향상이 관찰되지 않고, 지나치게 많으면 경화성을 저하시키는 경우가 있다.

본 발명의 (C) 성분인 오르가노하이드로젠폴리실록산은 1 분자 중에 규소 원자에 직접 결합하는 수소 원자(SiH기)를 적어도 3개 갖는 것이고, 하기 평균 조성식 10으로 표시되는 것이 바람직하다.

<평균 조성식 10>

(식 중, R⁸은 상기와 같고, f는 0 내지 3이고, g는 0 내지 3이고, f+g는 1 내지 3의 양수임)

분자 구조는 직쇄상, 분지쇄상 또는 환상 중 어느 하나일 수도 있다. 회전 점도계를 사용하여 측정되는 25 ℃에서의 절대 점도도 수 mPaㆍs 내지 수만 mPaㆍs의 범위일 수 있다. 오르가노하이드로젠폴리실록산의 구체예로서, 하기의 오르가노하이드로젠폴리실록산을 들 수 있다.

(단, 상기 화학식에서 Me는 메틸기이고, h, l, n은 3 내지 500이고, m, p, s는 1 내지 500이며, i, j, k, o, q, r, t, u, v, w는 0 내지 500임)

상기 (C) 성분의 오르가노하이드로젠폴리실록산의 배합량은, 함유되는 SiH기의 몰수가 (A) 성분에 포함되는 알케닐기의 합계 몰수의 1 내지 10배에 상당하는 양이다. (C) 성분이 함유하는 SiH기의 몰수가 (A) 성분에 포함되는 알케닐기의 합계 몰수의 하한 미만이면 경화성이 불충분해지는 한편, 상기 상한을 초과하여 배합하여도 효과의 현저한 증가는 관찰되지 않을 뿐만 아니라, 중박리화될 우려가 있다. 일반적인 오르가노하이드로젠폴리실록산에서의 배합량으로서는, (A) 성분의 오르가노폴리실록산 100 질량부에 대하여 0.1 내지 20 질량부의 범위이다.

본 발명의 (D) 성분인 백금족 금속계 촉매로서는, 종래부터 공지되어 있는 것을 전부 사용할 수 있다. 예를 들면, 백금흑, 염화백금산, 염화백금산-올레핀 콤플렉스, 염화백금산-알코올 배위 화합물, 로듐, 로듐-올레핀 콤플렉스 등을 들 수 있다. 상기 백금족 금속계 촉매(부가 반응용 촉매)의 첨가량은 촉매량이며, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계 질량에 대하여 백금 또는 로듐의 양으로서 5 내지 1,000 ppm(질량비) 배합하는 것이 충분한 경화 피막을 형성함에 있어서 바람직하지만, 상기 성분의 반응성 또는 원하는 경화 속도에 따라 적절하게 증감시킬 수 있다.

본 발명의 조성물에 사용하는 (E) 성분의 유기 용제는, 처리욕 안정성 및 각종 기재에 대한 도공성의 향상, 도공량 및 점도의 조정을 목적으로 하고 있다. 유기 용제로서 구체적으로는, 예를 들면 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 아세톤, 메틸에틸케톤, 헥산 등의 조성물을 균일하게 용해할 수 있는 유기 용제를 사용할 수 있다.

유기 용제를 배합하는 경우의 배합량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여 100 내지 9,900 질량부가 바람직하다.

또한, (E) 성분은 임의 성분이며, 배합하지 않는 경우에는 사용 도공 장치에서 적절한 도공성이 얻어지도록 (A), (B), (C), (D) 성분의 점도를 변경하여 조정한다. 처리욕 안정성에 대해서는 필요에 따라 배스 수명 연장제 등을 이용하여 조정한다.

본 발명의 조성물은 상기 (A), (B), (C), (D), (E)의 각 성분을 균일하게 혼합함으로써 용이하게 제조할 수 있지만, 충분한 가용 시간을 확보하기 위해 (D) 성분은 코팅하기 직전에 첨가 혼합하여야 한다. 또한, (E) 성분의 유기 용제를 사용하는 경우에는 (A) 성분 및 (B) 성분을 (E) 성분에 균일하게 용해한 후, (C), (D) 성분을 혼합하는 것이 유리하다.

본 발명의 조성물에는, 필요에 따라 안료, 레벨링제, 배스 수명 연장제 등의 첨가제를 배합할 수도 있다. 반응을 촉진시키는 목적으로 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 과산화물 등의 라디칼 발생제나 광 증감제 등을 첨가할 수도 있다.

본 발명의 조성물을 사용하여 도공하는 경우에는, 본 발명의 조성물을 직접 또는 적당한 유기 용제로 희석한 후, 바 코터, 롤 코터, 리버스 코터, 그라비아 코터, 에어 나이프 코터, 박막의 도공에는 고정밀도의 오프셋 코터, 다단 롤 코터 등의 공지된 도포 방법에 의해 종이나 플라스틱 필름 등의 기재에 도포한다.

여기서, 기재로서는 글라신지, 폴리에틸렌 라미네이트지, 크래프트지, 클레이 코팅지, 미러 코팅지 등의 종이, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리염화비닐 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다.

본 발명의 조성물의 기재로의 도포량은 도포하여야 할 기재의 재질의 종류에 따라서도 상이하지만, 고형분의 양으로서 0.05 내지 5 g/m²의 범위가 바람직하다. 상기한 바와 같이 하여 본 발명의 조성물을 도포한 기재를 80 내지 150 ℃에서 5 내지 60초간 가열함으로써 기재 표면에 경화 피막을 형성시켜, 박리지 및 박리 필름을 얻을 수 있다. 경화는 (A), (B), (C) 성분간의 부가 반응에 의해 진행되며, 그와 동시에 열에 의한 라디칼 반응으로 (B) 성분과 기재간의 결합 형성 및 상호 작용이 강화되고, 박리 특성이 우수하면서도 밀착성, 피막 강도가 우수한 실리콘 피막을 종이 또는 필름 기재면 위에 형성할 수 있다. 또한, 자외선 조사를 병용함으로써 온도 상승을 억제하면서 보다 효율적으로 종이 또는 필름 기재 표면 부근에서의 라디칼 반응을 촉진시킬 수 있으며, 높은 밀착성을 갖는 박리지 및 박리 필름의 제조가 용이해진다. 자외선의 조사는, 수은등, 메탈 할라이드, 퓨즈 등 시판된 램프 및 밸브를 사용할 수 있다. 필름 기재의 흡광 계수가 큰 300 nm보다 단파장인 성분을 많이 포함하는 파장 분포의 램프 및 밸브가 효과적이며, 적산광량은 10 내지 500 mJ/cm²이고, 예를 들면 120 W 1등 또는 2등에서 라인 속도 10 내지 100 m/분의 조사 조건이다. 자외선 조사는 가열을 동시에 실시할 수도 있지만, 각각 실시하는 것이 설비가 단순해진다는 점에서 이점이 있으며, (B) 성분의 구조나 다른 성분과의 배합비에 따라 가열 후에 자외선 조사, 또는 자외선 조사 후에 가열하는 것이 보다 효과적인 경우도 있다. (B) 성분이 실록산 구조를 포함할 때에는 자외선 조사 후에 가열하는 방법이 효과적인 경우가 많지만, 실시 상황에 맞춰서 효과적인 방법을 적절하게 선택하는 것이 바람직하다.

[실시예]

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 의해 제한되지 않는다. 또한, 점도는 회전 점도계를 사용하여 측정되는 25 ℃의 절대 점도이다.

[실시예 1 내지 11, 실시예 14, 15, 비교예 1 내지 8]

(A), (B), (C), (E) 성분을 하기 표 1에 나타내는 질량부, (D) 성분을 (A)+(B)+(C) 성분의 합계 질량부에 대하여 백금으로서 100 ppm의 배합량으로 혼합하여 조성물을 제조하였다. 이 조성물을 사용하여 후술하는 평가 방법에 따라 박리 필름을 제작하여 평가했지만, 보다 상세한 경화 조작은 UV 램프 80 W 2등, 라인 속도 40 m/분으로 UV 조사(적산광량 50 mJ/cm²)한 후, 열풍 순환식 건조기로 소정 시간 동안 가열 처리하여 경화 피막을 형성하는 방법으로 하였다.

[실시예 12, 13]

(A), (B), (C), (E) 성분을 하기 표 1에 나타내는 질량부, (D) 성분을 (A)+(B)+(C) 성분의 합계 질량부에 대하여 백금으로서 100 ppm의 배합량으로 혼합하여 조성물을 제조하였다. 이 조성물을 사용하여 후술하는 평가 방법에 따라 박리 필름을 제작하여 평가했지만, 보다 상세한 경화 조작은 열풍 순환식 건조기로 소정 시간 동안 가열 처리한 후, UV 램프 120 W 2등, 라인 속도 30 m/분으로 UV 조사(적산광량 100 mJ/cm²)하여 경화 피막을 형성하는 방법으로 하였다.

[표 중 기호와 각 성분의 구조]

식 중의 Me는 메틸기, Vi는 비닐기를 나타낸다.

---(A) 성분---

(A-1) 오르가노폴리실록산, 30 질량％ 톨루엔 용액의 25 ℃에서의 점도가 10 Paㆍs, Vi 함유량 0.032 몰/100 g

(A-2) 오르가노폴리실록산, 점도 2 Paㆍs, Vi 함유량 0.026 몰/100 g

(A-3) 오르가노폴리실록산, 30 질량％ 톨루엔 용액의 25 ℃에서의 점도가 5 Paㆍs, Vi 함유량 0.035 몰/100 g

(A-4) 오르가노폴리실록산, 점도 1 Paㆍs, Vi 함유량 0.043 몰/100 g

---(B) 성분---

(B1-1) 실록산, 점도 5 mPaㆍs, Vi 함유량 1.2 몰/100 g

(B1-2) 실록산, 점도 5 mPaㆍs, Vi 함유량 0.63 몰/100 g

(B1-3) 실록산, 점도 10 mPaㆍs, Vi 함유량 0.6 몰/100 g

(B1-4) 실록산, 점도 6 mPaㆍs, Vi 함유량 0.7 몰/100 g

(B1-5) 실록산, 점도 0.02 Paㆍs, 알케닐기 함유량 0.33 몰/100 g

R¹은 -CH₂CH₂CH₂-O-CO-(CH₃)C=CH₂(127)

R²는 -CH₂CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-OH(106)

(B1-6) 실록산, 점도 6 mPaㆍs, 알케닐기 함유량 0.49 몰/100 g

R¹은 -CH₂CH₂CH₂-O-CO-(CH₃)C=CH₂(127)

(B1-7) 실록산, 점도 5 mPaㆍs, Vi 함유량 0.32 몰/100 g

(B1-8) 실록산, 점도 6 mPaㆍs, Vi 함유량 0.32 몰/100 g

(B1-9) 실록산, 점도 0.05 Paㆍs, Vi 함유량 0.25 몰/100 g

(B1-10) 실록산, 점도 0.01 Paㆍs, Vi 함유량 0.70 몰/100 g

(B2-1) 아세틸렌 알코올, 3-메틸-1-부틴-3-올

(B2-2) 아세틸렌 알코올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올

(B2-3) 아세틸렌 알코올, 1-에티닐-1-시클로헥산올

(B2-4) 아세틸렌 화합물, 1-옥틴

---(C) 성분---

(C-1) 메틸하이드로젠폴리실록산, 점도 25 mPaㆍs, H 함유량 1.5 몰/100 g

(C-2) 메틸하이드로젠폴리실록산, 점도 60 mPaㆍs, H 함유량 1.00 몰/100 g

---(D) 성분---

(D-1) 촉매, 백금-비닐실록산 착체

---(E) 성분---

(E-1) 용제, 톨루엔/헵탄 질량비=50/50 혼합 용제

<평가 방법>

각 항목의 평가와 결과의 표시는 이하의 방법에 따랐다.

(1) 경화성

용제형 조성물은, PET 필름(40 ㎛)에 바 코터를 사용하여 고형분으로 0.5 g/m² 도포하고, UV 램프 80 W(또는 120 W) 2등, 라인 속도 30 m/분(또는 40 m/분)으로 UV 조사(적산광량 50 mJ/cm² 또는 100 mJ/cm²)하고, 80 ℃의 열풍 순환식 건조기에서 소정 시간의 가열 처리에 의해 완전히 경화 피막을 형성할 때까지의 시간을 측정하였다. 완전히 경화되었는지의 여부 판정은, 경화 피막 표면을 손가락으로 문질러 피막 표면의 흐림이나 탈락이 관찰되지 않는 시점으로 하였다.

무용제형 조성물은 PET 필름(40 ㎛)에 IR 테스터를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 열풍 순환식 건조기를 사용한 것 이외에는 동일하게 처리 평가하였다. 도포 면적은 A4판, 도공액의 전사량은 0.1 μl였다.

(2) 박리력

용제형 조성물은, PET 필름(40 ㎛)에 바 코터를 사용하여 고형분으로 0.5 g/m² 도포하고, UV 램프 80 W(또는 120 W) 2등, 라인 속도 30 m/분(또는 40 m/분)으로 UV 조사(적산광량 50 mJ/cm² 또는 100 mJ/cm²)하고, 100 ℃의 열풍 순환식 건조기에서 30초간의 가열 처리에 의해 경화 피막을 형성하여 평가용 세퍼레이터를 제작하였다.

제작한 세퍼레이터를 25 ℃, 50 ％RH에 1일간 방치한 후, 처리면에 아크릴계 용제형 점착제(오리바인 BPS-5127(도요 잉크 제조(주) 제조))를 도포하여 100 ℃에서 3분간 열 처리하였다. 이어서, 이 처리면에 PET 필름(40 ㎛)을 접합하여 2 kg 롤러로 1회 왕복 압착하고, 25 ℃에서 20 시간 동안 에이징시킨 후, 시료를 5 cm 폭으로 절단하고, 인장 시험기를 사용하여 180°의 각도로 박리 속도 0.3 m/분으로 접합지를 인장, 박리하는 데 필요한 힘(N)을 측정하였다. 측정은 오토그래프 DCS-500((주)시마즈 세이사꾸쇼 제조)을 사용하였다.

무용제형 조성물은 PET 필름(40 ㎛)에 IR 테스터를 사용하여 도포하고, UV 램프 80 W 2등, 라인 속도 40 m/분으로 UV 조사(적산광량 50 mJ/cm²)하고, 120 ℃의 열풍 순환식 건조기에서 30초간의 가열 처리에 의해 경화 피막을 형성하며, 이후에는 동일하게 처리 평가하였다. 도포 면적은 A4판, 도공액의 전사량은 0.1 μl였다.

(3) 밀착성

(2)와 동일하게 제작한 PET 필름(40 ㎛) 기재 세퍼레이터와, 기재를 OPP 필름(40 ㎛, 코로나 처리)으로 변경하여 (2)와 동일하게 제작한 세퍼레이터를 규정 조건하에 방치하고, 경화 피막 표면을 손가락으로 문질러 피막 표면의 흐림 및 탈락이 관찰될 때까지의 일수를 조사하였다.

40 ℃, 80 ％RH에 1일간 방치하여 흐림 또는 탈락이 관찰되는 것을 ×, 40 ℃, 80 ％RH에 3일간 방치하여 흐림 또는 탈락이 관찰되는 것을 △, 40 ℃, 80 ％RH에 1개월간 방치하여도 흐림 또는 탈락이 관찰되지 않는 것을 ○, 60 ℃, 90 ％RH에 1개월간 방치하여도 흐림 또는 탈락이 관찰되지 않는 것을 ◎로 나타내었다.

Claims

(A) 25 ℃에서의 절대 점도가 0.04 Paㆍs 이상이고, 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부,
(B) 밀착 향상 성분으로서, 하기 (B1) 및/또는 (B2)
(B1) 25 ℃에서의 점도가 0.04 Paㆍs 미만이고, 1 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자에 결합하는 알케닐기를 포함하는 치환기를 갖고, 알케닐기 함유량이 0.3 내지 2.0 몰/100 g의 범위 내이고, 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위가 직접 또는 상기 치환기가 규소 원자에 결합되지 않은 실록산 단위를 3개 이하 개재한 상태로 결합하고 있는 구조를 갖는 오르가노폴리실록산,
(B2) 1 분자 중에 관능기로서 탄소수 2 내지 10의 탄소-탄소 불포화 결합(이중 또는 삼중 결합)을 포함하는 치환기 적어도 하나와, (A) 성분의 알케닐기 및/또는 (C) 성분의 규소 원자에 결합한 수소 원자와 부가 반응 및/또는 축합 반응 가능한 기를 포함하는 치환기 적어도 하나를 갖는 화합물 0.1 내지 10 질량부,
(C) 1 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 적어도 3개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산 0.1 내지 20 질량부,
(D) 촉매량의 백금족 금속계 촉매,
(E) 필요에 따라 임의량의 유기 용제
를 함유하여 이루어지는 부가 경화형의 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물.
제1항에 있어서, (B1) 성분이 하기 화학식 2로 표시되는 구조를 갖는 하기 조성식 1로 표시되는 평균 중합도 2 내지 50의 오르가노폴리실록산인 실리콘 조성물.
<조성식 1>

<화학식 2>

(식 중, R¹은 탄소수 2 내지 10의 알케닐기를 포함하는 치환기를 나타내고, A는 R² 또는 산소 원자를 통해 결합한 조성식 1을 만족하도록 선택되는 실록산 잔기를 나타내고, 2개의 A가 -O(SiR² ₂O)_y-로서 환 구조를 형성할 수도 있고, R²는 탄소수 1 내지 10의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이고, x는 0 내지 3의 정수이고, y는 조성식 1의 오르가노폴리실록산의 평균 중합도 2 내지 50을 만족하도록 선정되는 정수이고,
M, M^A, D, D^A, T, T^A, Q는 이하의 실록산 단위이고, O₁ _/2는 인접하는 실록산 단위와 산소 원자를 통해 결합하고 있는 것을 나타내고,
M, M^A는
이지만, M^A는 적어도 하나의 R²가 R¹이고,
D, D^A는
이지만, D^A는 적어도 하나의 R²가 R¹이고,
T, T^A는
이지만, T^A는 R²가 R¹이고,
Q는
이고,
m1, m2, d1, d2, t1, t2, q1은 하기 수학식 1을 만족하는 수임)
<수학식 1>
t1+t2+2×q1≤m1+m2≤2+t1+t2+2×q1
0≤d1+d2≤48, 0≤t1+t2≤30, 0≤q1≤20
0.25≤(m2+d2+t2)/(m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1)≤1
제2항에 있어서, 화학식 2의 x가 0 또는 1인 실리콘 조성물.
제2항에 있어서, (B1) 성분이 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 직쇄상 또는 분지상 실록산 구조를 갖는 화합물인 실리콘 조성물.
<화학식 3>

(식 중, R¹, R²는 상기와 같고, Y는 하기 화학식 3a
<화학식 3a>

로 표시되는 기이고, 화학식 3a에서 R¹, R², Y는 상기와 같고,
a2, b2, ay, by는 0 내지 48의 정수이고, c2, cy는 0 내지 30의 정수이고, d2, dy는 0 내지 20의 정수이고,
화학식 3, 3a는 각각 랜덤 구조를 나타내지만, R¹의 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위가 직접 또는 R¹이 규소 원자에 결합하지 않은 실록산 단위를 3개 이하 개재한 상태로 결합하고 있는 구조를 적어도 1개 포함함)
<화학식 4>

(식 중, R¹, R²는 상기와 같고, Z는 하기 화학식 4a
<화학식 4a>

로 표시되는 기이고, 화학식 4a에서 R¹, R², Z는 상기와 같고,
a2, b2, ay, by는 0 내지 48의 정수이고, c2, cy는 0 내지 30의 정수이고, d2, dy는 0 내지 20의 정수이고,
화학식 4, 4a는 각각 랜덤 구조를 나타내지만, R¹의 알케닐기를 포함하는 치환기가 규소 원자에 결합하고 있는 2개의 실록산 단위가 직접 또는 R¹이 규소 원자에 결합하지 않은 실록산 단위를 3개 이하 개재한 상태로 결합하고 있는 구조를 적어도 1개 포함함)
제2항에 있어서, (B1) 성분이 하기 화학식 5로 표시되는 환상 실록산 구조를 갖는 화합물인 실리콘 조성물.
<화학식 5>

(식 중, R¹, R²는 상기와 같고, R³은 OH기 또는 SiH기를 관능기로서 갖는 치환기, 또는 탄소수 1 내지 10의 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기를 나타내고, a1은 0 또는 1이고, b1은 1 내지 6의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고, a1+b1+c1은 2 이상의 정수임)
제1항에 있어서, (B2) 성분이 하기 화학식 (6-1)로 표시되는 2가의 구조 단위를 포함하는 화합물, 하기 화학식 (6-2)와 하기 화학식 (6-3)으로 표시되는 2가의 구조 단위를 포함하는 화합물, 하기 화학식 (7-1)로 표시되는 환상 구조로 이루어지는 화합물 또는 하기 화학식 (7-2)로 표시되는 환상 구조로 이루어지는 화합물인 실리콘 조성물.

(식 중, R²는 탄소수 1 내지 10의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이고, R⁴는 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 포함하는 치환기이고, R⁵는 OH기, SiH기 또는 알케닐기를 관능기로서 갖는 치환기이고, R⁶은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 포화 탄화수소기 또는 방향족기, R⁴와 동일한 기 또는 R⁵와 동일한 기이고, d는 4 내지 10이며, e+f는 3 내지 9임)
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 박리지 또는 박리 필름용 실리콘 조성물을 종이 또는 플라스틱 필름 기재에 직접 도공한 후, 가열 및/또는 자외선 조사하여 상기 도공막을 경화시키는 것을 특징으로 하는 박리지 또는 박리 필름의 제조 방법.
제7항에 있어서, 도공막을 자외선 조사한 후, 가열에 의해 도공막을 경화시키는 제조 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 조성물의 경화 실리콘 피막이 형성된 박리지 또는 박리 필름.