KR20110121609A - 고 종횡비 분자 구조를 포함하는 구조물 및 제조 방법 - Google Patents

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브래들리 제이 에이치슨
앨버트 지 나시불린
에스코 아이 코피넨
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카나투 오와이
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Abstract

본 발명은 고 종횡비 분자 구조들(HARM-구조들)을 포함하는 구조물로서, 이 구조물은 HARM-구조들의 필수적으로 평면인 네트워크(2) 및 네트워크(2)와 접촉하고 있는 지지체(3)를 포함한다. 상기 지지체(3)는 그 안에 개구부(5)를 가지며, 이 개구부(5)의 주변 지역(4)에서, 네트워크(2)가 지지체(3)와 접촉하고 있어서, 네트워크(2)의 중앙 부분은 지지체(3)에 의해 받쳐지지 않는다. 상기 네트워크(2)는 필수적으로 고르지 않게 배향된 HARM-구조들을 포함한다.

Description

고 종횡비 분자 구조를 포함하는 구조물 및 제조 방법{Structures comprising high aspect ratio molecular structures and methods of fabrication}
본 발명은 필름 증착 기술에 관한 것이다. 특히 본 발명은 고 종횡비 분자 구조들을 포함하는 필름 구조물들에 관한 것이다.
탄소나노튜브(CNTs)는 독특한 전기적, 광학적, 열적 및 기계적 특성들을 가져서, 여러 응용분야에 대한 전도 유망한 재료이다. 이런 응용분야들에서 탄소나노튜브의 사용과 관련된 문제는 탄소나노튜브 또는 탄소나노버드(탄소나노튜브의 면에 공유결합된 플러렌 분자를 가진 분자), 셀룰로오스 섬유, 나노와이어, 나노로드 등과 같은 다른 고 종횡비 분자(HARM) 구조를 포함하는 자립형(free-standing) 필름의 제조 및 처리가 종래의 방법으로는 매우 어렵다는 것이다. HARM 구조들의 자립형 필름들은 HARM-구조들의 필름(또는 네트워크)이 존재하는 고체 기판에 의해 유발된 장치의 작동에 대한 유해 효과들을 감소시키기 위해 다양한 전기적 및 기계적 장치-응용분야에서 요구된다.
탄소나노튜브를 포함하는 자립형 필름의 공지된 제조 방법은 기판상에 "포레스트(forests)"로서 CNTs를 수직으로 성장시키고 개개의 CNTs가 서로 접촉하여 벅키페이퍼(buckypaper)로 불리는 기계적으로 강한 자립형 나노튜브 시트를 형성하도록 이런 나노튜브의 필름을 표면으로부터 당기는 것이다. 이런 방법의 한 예는 과학논문 "Carbon, vol. 45 (2007), pp. 2880-2888"에 개시된다. 벅키페이퍼 시트들의 다른 제조 기술은 "도미노 밀기 형성법"(domino pushing formation)으로 주로 불리며, 이 기술에서 매우 얇은 미세기공막을 CNT 어레이의 상부에 놓고 강 원통을 샘플을 가로질러 천천히 민다. 이것이 모든 CNTs를 동일한 방향으로 넘어뜨리고 막과 실리콘 기판 사이에서 평평하게 한다. 다음으로, 막과 벅키페이퍼를 실리콘 기판으로부터 벗겨내어 막을 제거하여, 잘 정렬된 자립형 벅키페이퍼를 만든다(Nanotechnology 19 (2008) 075609, pp. 1-6).
자립형 벅키페이퍼 시트의 단점은 나노튜브 분자들이 시트에 정렬되며, 이것이 벅키페이퍼 재료를 다른 전기 장치 또는 다른 응용분야에 적용할 가능성을 제한한다는 것이다. 또한, 벅키페이퍼의 도미노 밀기 또는 당기기 형성 메커니즘 때문에, 공지된 합성 방법들로 벅키페이퍼의 매우 얇고, 매우 투명하고 균일한 층들을 합성하는 것은 어렵다. 더욱이, 단일벽 CNTs의 자립형 벅키페이퍼의 제조는 여전히 어려운 과제이다.
본 발명의 목적은 고 종횡비 분자 구조들을 포함하는 새로운 형태의 구조물들 및 이런 구조물들의 제조 방법을 제공함으로써 종래 기술의 상기한 기술적 문제들을 감소시키는 것이다.
본 발명에 따른 제품은 독립항 1에 제공된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 방법은 독립항 4에 제공된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 용도는 독립항 10에 제공된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 구조물은 고 종횡비 분자 구조들(HARM-구조들)을 포함하며, 상기 구조물은 HARM-구조들의 필수적으로 평면인 네트워크 및 네트워크와 접촉하고 있는 지지체를 포함한다. 상기 지지체는 그 안에 개구부를 가지며, 이 개구부의 주변 지역에서, 네트워크가 지지체와 접촉하고 있어서, 네트워크의 중앙 부분은 지지체에 의해 받쳐지지 않는다. 상기 네트워크는 필수적으로 고르지 않게 배향된 HARM-구조들을 포함한다.
고 종횡비 분자 구조들(HARM-구조들)을 포함하는 구조물을 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법은 다음 단계를 포함한다.
- 예비 기판(preliminary substrate)상에 HARM-구조들을 증착함으로써 예비 기판상에 HARM-구조들의 필수적으로 평면인 네트워크를 제조하는 단계;
- 예비 기판상의 네트워크를 그 안에 개구부를 가진 지지체에 근접하게 위치시키는 단계;
- 네트워크가 지지체에 있는 개구부의 주변 지역에서 지지체와 접촉하고 네트워크의 중앙 부분은 지지체에 의해 받쳐지지 않도록 네트워크를 지지체 상으로 옮기는 단계; 및
- 예비 기판을 네트워크로부터 제거하는 단계.
고 종횡비 분자 구조들(HARM-구조들)을 포함하는 구조물을 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법은 다음 단계를 포함한다.
- 예비 기판상에 HARM-구조들을 증착함으로써 예비 기판상에 필수적으로 고르지 않게 배향된 HARM-구조들의 필수적으로 평면인 네트워크를 제조하는 단계;
- 예비 기판상의 네트워크를 그 안에 개구부를 가진 지지체에 근접하게 위치시키는 단계;
- 네트워크가 지지체에 있는 개구부의 주변 지역에서 지지체와 접촉하고 네트워크의 중앙 부분은 지지체에 의해 받쳐지지 않도록 네트워크를 지지체 상으로 옮기는 단계; 및
- 예비 기판을 네트워크로부터 제거하는 단계.
본 발명에 따른 구조물은 레이저의 광학 요소, 광 펄스 성형기, 오디오 확성기, 에어로졸 입자 필터, 기체 필터, 압력 센서, 유동 센서, 입자 센서, 기체 센서, 전자기 리시버 및 안테나의 그룹으로부터 선택된 장치에 사용된다.
레이저 또는 광 펄스 성형기에서, 본 발명에 따른 구조물은 기판에 의해 유발된 장치의 작동에 대한 부정적 효과들을 제거할 수 있다. 부정적 효과들은, 예를 들어, 기판의 계면들로부터의 광 흡수 및 반사일 수 있다. 상기 구조물은 기판에 의해 유발될 수 있는 열 전달 제한을 제거하며, 이런 제한들은, 예를 들어, 광학 장치의 포화 흡수체에서 HARM-네트워크의 성능을 떨어뜨릴 수 있다.
입자 또는 기체 필터와 같은 기계적 필터링 응용분야에서, 본 발명에 따른 구조물은 우수한 기능성의 장점을 제공한다. 필터 스크린, 즉, HARM-구조들의 네트워크는 이의 합성 과정에서 작용기, 예를 들어, 항균 그룹들을 고 종횡비 분자들에 포함시키도록 기능화될 수 있다. 필터 스크린은 필터링 과정 후 스크린을 세정 및/또는 살균하기 위해, 예를 들어, 쉽게 저항 가열될 수 있다. 확성기에서, 본 발명에 따른 구조물은 빠른 반응 시간을 가능하게 하고 따라서 향상된 열 소산(dissipation)의 결과로 광대역 작동을 가능하게 한다.
센서 응용분야들에서, 본 발명에 따른 구조물에서 HARM-구조들의 네트워크는 센서의 센싱 부품으로서, 센싱 표면에 대한 빠른 접근, 큰 센싱 표면적 및 우수한 민감성을 제공한다.
본 발명의 구조물과 방법은 필수적으로 평면인 네트워크의 측면들에 의해 부분적으로 받쳐지는 반면 네트워크의 중앙 부분은 받쳐지지 않는(즉, 자립형) HARM 구조들의 네트워크를 놀랍게 제공한다. 상기 구조물에서 HARM 네트워크(HARM 구조들의 네트워크)는 따라서 "반 자립형(semi free-standing)"으로 생각할 수 있다.
"반 자립형" 네트워크 및 관련 제조 방법은 여러 장점을 제공한다. "반 자립형" 네트워크는 지지체 상에서 쉽게 조작 및/또는 보관될 수 있다. 제조 방법 및 "반 자립형" 구조물은 HARM-구조들을 포함하는 재료의 매우 얇고 매우 투명한 네트워크들에 적합하다. "반 자립형" 네트워크는 또한 다양한 장치 구조물들 속에 네트워크를 쉽게 포함시킬 수 있다. 본 발명에 따른 구조물의 제조는, 단지 예로서, 지지체의 표면 에너지가 예비 기판의 표면 에너지보다 높도록 지지체와 예비 기판을 적절하게 선택함으로써 실현될 수 있다. 이것은 네트워크의 전체 인력을 예비 기판으로부터 지지체에 일어나게 하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서, 네트워크는 필수적으로 고르지 않게 배향된 HARM-구조들을 포함한다. 본 발명의 방법은 개개의 고 종횡비 분자들, 예를 들어, CNTs 또는 단일벽 CNTs가 고르지 않게 배향될 수 있는 HARM-구조들의 "반 자립형" 네트워크의 제조를 가능하게 한다. 이것은, 예를 들어, CNTs가 필수적으로 배열되어 있는 벅키페이퍼와 반대이다. 개별 분자들의 고르지 않은 배향은, 예를 들어, HARM-구조들의 네트워크의 특성들에 여러 유리한 효과들을 가진다. 이런 효과들은 상기한 특성들에 비해 높은 전기 및 열 전도도, 등방성 전기 및 열 전도도, 우수한 기계적 안정성 및 내구성, 두께와 다공성의 높은 균일성, 큰 표면적 및 화학적 반응성, 우수한 고체, 열, 전기, 광학 및 유체 기계적 등방성 및 우수한 제어를 포함하나 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 한 실시예에서, 지지체는 필수적으로 평면인 슬라이드(slide)이며, 여기서 개구부는 슬라이드의 중앙 부분에 있는 구멍이다. 이런 모양의 지지체는 예비 기판으로부터 지지체 상으로 HARM 네트워크의 단순 이동에 적합하다. 예를 들어, 폴리머 또는 유리의 얇은 슬라이드의 중앙 부분으로부터 섹션을 제거함으로써 이런 모양을 가진 지지체를 제조하는 것이 더욱 수월하다.
본 발명의 다른 실시에에서, 네트워크는 탄소 나노튜브 분자들과 탄소 나노버드 분자들의 그룹으로부터 선택된 필수적으로 고르지 않게 배향된 HARM-구조들을 포함한다. 예를 들어, 이들의 높은 기계적 강도 때문에, CNTs는 본 발명의 "반 자립형" 네트워크의 제조에 매우 적합하다. CNTs의 네트워크는 CNTs의 네트워크를, 예를 들어, 제조공학, 전자공학, 광학, 여과 및 정제, 음향학, 재료공학 및 생명공학의 분야에서 응용하는데 필수적으로 적합하게 하는 여러 중요한 특성들을 가진다. 이런 특성들은 고 종횡비, 작은 지름, 높은 기계적 강도, 및 높은 열 및 전기 전도도를 포함한다.
본 발명의 한 실시예에서, 예비 기판상의 네트워크를 그 안에 개구부를 가진 지지체에 근접하게 위치시키는 단계는 예비 기판상의 네트워크를 지지체에 근접하게 증착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 한 실시예에서, 본 발명에 따른 방법은 네트워크를 변형시키기 위해, 기체가 네트워크를 통해 그리고 지지체에 있는 개구부를 통해 유도되도록 지지체 상의 네트워크를 기류 속에 놓는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 부분(또는 반) 자립형 구조물은 지지체 상의 네트워크가 기류에 놓일 수 있고 가공 기체들은 네트워크를 통해 그리고 지지체 상의 개구부를 통해 쉽게 유도될 수 있기 때문에 기체 상 가공과 변형에 매우 적합하다.
본 발명의 다른 실시예에서, 본 발명에 따른 방법은 액체가 모세관 작용에 의해 전달되어 네트워크를 덮도록 액체를 지지체 상의 네트워크 위에 놓는 단계를 포함한다. 이것은, 예를 들어, 네트워크의 기계적, 광학적, 열적 또는 전기적 특성들을 변형 또는 향상시키는데 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 액체는 용질이 그 안에서 용해되는 용매이다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 본 발명에 따른 방법은 다음 단계를 포함한다:
- 지지체 상에 존재하는 네트워크를 3차 기판(tertiary substrate)과 접촉하도록 놓는 단계(여기서 3차 기판의 표면 에너지는 예비 기판의 표면 에너지보다 낮다) 및
- 네트워크를 지지체로부터 3차 기판으로 옮기는 단계.
본 명세서에서 기술된 본 발명의 실시예들은 서로와 임의의 조합으로 사용될 수 있다. 여러 실시예들은 본 발명의 다른 실시예를 형성하기 위해 서로 결합할 수 있다. 본 발명에 관한 제품, 방법 또는 용도는 본 명세서에서 기술된 본 발명의 실시예들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 내용 중에 포함되어 있다.
본 발명은 첨부된 도면들을 참조하여 예시적 실시예들과 함께 더욱 상세하게 기술될 것이다.
도 1a는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 1a-1d에서 첫 번째 도면이다.
도 1b는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 1a-1d에서 두 번째 도면이다.
도 1c는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 1a-1d에서 세 번째 도면이다.
도 1d는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 1a-1d에서 네 번째 도면이다.
도 2a는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 2a-2c에서 첫 번째 도면이다.
도 2b는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 2a-2c에서 두 번째 도면이다.
도 2c는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 2a-2c에서 세 번째 도면이다.
도 3a는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 3a-3c에서 첫 번째 도면이다.
도 3b는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 3a-3c에서 두 번째 도면이다.
도 3c는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면 3a-3c에서 세 번째 도면이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 방법의 흐름도이다.
도 5는 자립형 CNT 필름으로 제조한 확성기의 실례이다.
간단하게 하기 위해서, 부품 번호들은 반복되는 구성요소들의 경우에 다음 예시적 실시예들에서 유지될 것이다.
도 1a 내지 1d는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면이다. 도면들의 각각에서 개략적인 왼쪽은 평면 예비 기판(1)의 표면에 수직인 방향에서 구조물의 단면도이다. 도면들의 각각에서 개략적인 오른쪽은 구조물의 평면도이다. 상응하는 방법의 흐름도는 도 4에 제공된다.
도 1a 및 1b에서, 필수적으로 고르지 않게 배향된 CNTs의 네트워크(2)(본 발명의 이 실시예 및 다음 실시예들에서, CNTs 이외의 HARM-구조들을 포함하는 네트워크(2))는 예비 기판(1) 상에 증착된다(도 4의 단계 S1). 도 1c에서, 중앙에 원형 개구부(구멍)(5)를 가진 슬라이드 유사 평면 지지체(3)는 CNT 네트워크(2)와 매우 근접하게 위치되어 CNT 네트워크에 대해 압착된다(도 4의 단계 S2 및 S3). 네트워크(2)(또는 개구부(5))의 주변 지역(4)은 지지체(3)(또는 네트워크(2))와 접촉되며 네트워크(2)는 슬라이드-유사 지지체(3)에 있는 개구부(5)를 덮는다. 마지막으로, 도 1d에서, 예비 기판(1)은 CNT-네트워크와의 접촉으로부터 제거된다(도 4의 단계 S4). 이 단계는 예비 기판(1)과 비교된 지지체(3)의 더 높은 표면 에너지로부터 기인하는 예비 기판(1)에 대한 네트워크(2)의 접착력보다 지지체(3)에 대한 네트워크(2)의 더 강한 접착력에 의해 가능하다. 예비 기판(1)과 지지체(3)의 표면 에너지의 차이는 네트워크(2)의 파괴 위험 없이 쉽게 구조물로부터 예비 기판(1)의 제거를 가능하게 한다. 또한, 예를 들어, 정전기력, 구심력, 접착력 또는 항력에 의해 유발된 인력은 예비 기판(1)으로부터 지지체(3)로 네트워크(2)를 끌어당기는데 사용될 수 있다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 한 실시예에 따른 제품의 제조를 개략적으로 나타내는 일련의 도면이다. 도면들의 각각에서 개략적인 왼쪽은 평면 예비 기판(1)의 표면에 수직인 방향에서 구조물의 단면도이다. 도면들의 각각에서 개략적인 오른쪽은 구조물의 평면도이다.
도 2a 및 2b에서, 필수적으로 고르지 않게 배향된 CNTs의 네트워크(2)는, 이 실시예에서, 증착 이전에 지지체(3)에 근접하거나 접촉하고 있는 예비 기판(1) 상에 증착된다. 네트워크(2)는 예비 기판(1) 상에 증착되고 지지체(3)의 개구부(5) 속에 증착된다. 이것은 일반적인 패터닝 기술들로 증착 후 네트워크(2)의 선택적 증착 공정 또는 패터닝에 의해 이루어질 수 있다. 네트워크(2)의 선택적 증착은, 예를 들어, 지지체(3)와 예비 기판(1)의 재료들을 적절하게 선택함으로써 이루어질 수 있다. 예비 기판(1)은, 예를 들어, 기체가 통해 흐르게 하는 다공성 재료일 수 있는 반면 지지체(3)는 고체 비 다공성 재료일 수 있다. CNTs를 포함하는 네트워크(2)는 다공성 예비 기판(1)을 통해 CNTs를 포함하는 기류를 유도함으로써 기체 상으로 개구부(5) 속에 선택적으로 증착될 수 있는 반면에, CNTs의 증착은 CNT 분자들이 단지 지지체 의해서만 흐르기 때문에 비 다공성 지지체 상에서 일어나지 않는다. 이 실시예에서, 네트워크(2)(또는 개구부(5))의 주변 지역(4)은 지지체(3)(또는 네트워크(2))와 접촉하게 되고 네트워크(2)는 수직 측벽 상에 부착되어 개구부(5)의 주변 지역(4)(도 2b 및 2c 참조)을 형성한다. 한편 네트워크(2)는 지지체(3)에 있는 개구부(5)를 덮는다. 도 2c의 반 자립형 네트워크(2)를 얻기 위해서, 예비 기판(1)은 구조물로부터 최종적으로 쉽게 제거될 수 있다. 이것은 예비 기판(1)과 비교된 지지체(3)의 더 높은 표면 에너지로부터 기인하는 예비 기판(1)에 대한 네트워크(2)의 접착력보다 지지체(3)에 대한 네트워크(2)의 더 강한 접착력에 의해 가능하다.
부분(반) 자립형 필름은 액체 또는 증기 형태의 에탄올로, 예를 들어, 치밀화에 의해 추가로 변형될 수 있다. 반 자립형 필름은 액체 또는 증기 형태의 질산과 같은 화학적 처리 또는 네트워크(2) 속에 나노입자들과 같은 입자들의 증착 또는 CVD, ALD 또는 스퍼터링과 같은 기술들에 의해 네트워크(2) 상에 필름의 증착에 의해 기능화될 수 있다. 이런 변형은, 예를 들어, 기류에 지지체(3) 상의 네트워크를 위치시키고 가공 기체들이 네트워크(2)를 통과하고 지지체(3)에 있는 개구부(5)를 통과하게 유도함으로써 수행될 수 있다.
상기 변형(가공)은, 예를 들어, 네트워크(2)의 흡수 효율, 투명도, 반사도, 열 또는 전기 전도도, 기계적 강도, 유연성 또는 탄성 또는 화학적 활성을 변화시키는데 사용될 수 있다. 적절한 가공으로 반 자립형 필름은, 예를 들어, 레이저의 광학 요소 또는 광 펄스 성형기, 자립형 열 오디오 확성기, 에어로졸 입자 필터 또는 기체 필터, 압력 센서, 유동 센서, 입자 센서 또는 기체 센서, 또는 리시버 또는 안테나로서 사용된다.
또한, 반 자립형 필름 구조물은 그 위에 직접 증착이 어려운 표면을 가진 3차 기판(6) 상에 증착물을 형성하는데 사용될 수 있다. 이런 표면들은, 예를 들어, 낮은 표면 에너지(예를 들어, 예비 기판(1)보다 낮음) 또는 거친 표면 형태를 가진 표면일 수 있다. 이런 표면들 상의 증착은 반 자립형 구조물을 먼저 생산하고 필름이 3차 기판(6)에 끌리도록 네트워크(2)를 3차 기판(6)에 근접하게 위치시킴으로써 이루어질 수 있다.
실제로 네트워크(2)는, 예를 들어, 3차 기판(2)에 대해 지지체(3) 상의 네트워크(2)를 압착하고 지지체(3)의 개구부(5) 위에 존재하는 네트워크(2)의 자립형 지역을 절단함으로써 낮은 표면 에너지를 가진 3차 기판(6)상으로 옮겨질 수 있다. 3차 기판(6) 상에 증착하는 상기 절차는 일련의 도면 3a-3c에 의해 개략적으로 도시된다. 도 3a 및 3b는 상기 절차 동안 다층 구조물의 단면을 개략적으로 도시하고 도 3c는 상기 절차의 최종 생성물의 개략적 정면도이다. 도 3b는 네트워크(2)를 3차 기판(6)상에 옮기기 전에 어떻게 네트워크(2)가 절단되는 지를 보여준다. 네트워크의 절단은 지지체(3)에 있는 개구부(5)를 통해 쉽게 수행될 수 있다. 네트워크(2)의 하나 이상의 지역은 이동 후 지지체(3) 상에 남을 수 있다.
부분(반) 자립형 구조물은 지지체(3) 상의 네트워크(2)가 기류에 놓일 수 있고 가공 기체들은 네트워크(2)를 통해 그리고 지지체(3)에 있는 개구부(5)를 통해 쉽게 유도될 수 있기 때문에 기체 상 가공과 변형에 매우 적합하다. 이런 방법은, 예를 들어, 네트워크(2) 상에 또는 속에 불균일 핵생성(응축) 또는 기계적 여과에 의해 제 2 재료를 증착하는데 사용될 수 있다. 이런 종류의 기술은, 예를 들어, 나노입자들과 HARM 구조들을 포함하는 복합 네트워크(2)를 제조하는데 사용될 수 있다. 이런 경우 나노입자들은 네트워크(2)를 통해 유도된 기체들에 의해 여과될 수 있다. 네트워크(2)에 있는 나노입자들은, 예를 들어, 네트워크(2)의 전도도를 증가시키는 역할을 할 수 있다. 저항 가열은 복합 네트워크(2)를 추가로 변형하는데 사용될 수 있다.
실시예 1
SWCNTs(단일벽 탄소나노튜브)는 각각 탄소 원료와 촉매 전구체로서 일산화탄소와 페로센을 사용하여 에어로졸 층류(laminar flow)(유동 촉매(floating catalyst)) 반응기에서 합성하였다. SWCNT 매트(mats)는 2.45cm 지름의 나이트로셀룰로오스(또는 은) 디스크 필터(Millipore Corp, USA)를 통해 여과함으로써 반응기의 기체 상 하류로부터 직접 수집하였다. 다음 실시예들에서, 예비 기판(1) 상의 섬유 재료의 네트워크(2)를 얻는 다른 수단들이 본 발명에 따라 가능하지만, 필터가 예비 기판(1)의 역할을 한다. SWCNTs의 합성 방법의 세부내용은, 예를 들어, 본 명세서에 참조로 포함된 특허출원공개공보 WO 2005/085130에서 발견될 수 있다.
필터 표면(예비 기판(1)) 상의 증착 온도는 45℃로 측정되었다. SWCNTs의 네트워크(2)의 층 두께는 증착 시간에 의해 제어하였고, 증착 시간은 원하는 네트워크 두께에 따라 수분 내지 수시간으로 변할 수 있다. 필터들(1) 상에 수집된 증착물들은 고르지 않은 배향을 가진 SWCNTs의 네트워크(2)이었다.
이이서 물리적 압축을 사용하여 네트워크(2)를 지지체(3) 상에 옮겼다. 압축은, 예를 들어, 두 평행한 판들 사이에 힘을 가하여 이루어질 수 있는데, 네트워크(2)를 포함하는 예비 기판(1)과 지지체(3)가 평행 판들 사이에 놓인다. 예비 기판(1)을 네트워크(2)(또는 개구부(5))의 주변 지역(4)이 지지체(3)(또는 네트워크(2))와 접촉하도록 배열하였고 네트워크(2)가 예비 기판(1)과 지지체(3) 사이에서 압축됨에 따라, 네트워크(2)의 중앙 부분이 지지체(3)의 개구부(4)를 덮었다.
SWCNT 네트워크(2)를 필름의 중앙 부분에 개구부(5)를 가진 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 폴리머 필름 지지체(3)(듀폰 테이진)로 옮겼다. 이 재료는 이의 적절한 유연성과 표면 에너지 때문에 선택하였다.
PET 필름 지지체(3) 상에 CNT-네트워크(2)를 옮기고 통합하기 위해서, HARM-구조들(이 경우 CNTs)을 예비 기판(1)상에 먼저 증착하였다. 압축 후, 예비 기판(1)을 CNT-네트워크(2)와의 접촉으로부터 제거하였다.
추가 가공에서 그리고 본 발명의 다른 실시예에 따라, CNTs의 네트워크(2)는, 예를 들어, 에탄올과 같은 층간삽입 재료에 의해 예비 기판(1) 또는 지지체(3) 상에 치밀화될 수 있다.
상기 실시예에서, 필터는 예비 기판(1)으로 작용하였고, PET 필름은 지지체(3)로 작용하였고 접착성 반데르 바알스(및 표면 에너지)의 차이는 예비 기판(1)으로부터 지지체(3)의 주변 지역(4) 상으로 및 지지체(3)의 개구부(5) 위로 네트워크(2)를 옮기는데 사용하였다. 에탄올에 의한 치밀화는 SWCNT 네트워크(2)를 변형하는데 사용하였다.
필름의 중앙 부분에 개구부(5)를 가진 PET 필름 지지체(3)를 평평한 표면상에 놓았다. 그런 후에, CNT 네트워크(3)로 코팅된 예비 기판(1)을 PET 필름 지지체(3)에 근접하게 놓았고 힘을 가하여 네트워크(2)(또는 개구부(5))의 주변 지역(4)에서 네트워크(2)를 PET 지지체에 대해 약 5-10초 동안 압착하였다. 네트워크(2)로부터 예비 기판(1)을 제거한 후, CNT 네트워크(2)가 반 자립형 필름으로서, PET 필름 지지체(3)의 개구부(5) 위에 튼튼하게 존재하는 것을 놀랍게 발견하였다.
실시예 2
확성기
고르지 않게 배향된 자립형 CNTs의 필름을 PET 기판상의 구멍(도 5) 위에 옮겼다. 전원(7)(컴퓨터상의 마이크로폰 잭)을 부착하여 전선(8)에 의해 CNTs를 통해 다양한 전류를 구동하였다.
에어로졸 필터
높은 다공성과 강도 때문에, 고르지 않게 배향된 자립형 CNT 필름들을 에어로졸 필터로 사용하였다. 이런 목적을 위해서, CNT 필름을 기판에 부착하여 구멍을 완전히 막았다. 이 경우 에어로졸 입자들은 기류를 필름을 통해 통과시킴으로써 포획하였다. 입자 지름과 유속에 따라, 필터의 효율과 품질 인자는 99.5 - 99.9998%와 20 - 120이었다. 효율은 다음으로 추정하였고
Figure pct00001
,
여기서 C in 및 C out 은 필터에 들어오고 나가는 에어로졸 농도이다. 필터들의 품질은 이의 효율을 기초로 하여 소정의 입자와 압력 강하, ㅿp에 대해 추정하였다:
Figure pct00002
필터 품질의 값이 크면 클수록 필터는 더 좋다[힌트].
백열 램프
자립형 CNTs 필름을 백열 램프의 필라멘트로 사용하였다. 이 목적을 위해, 빛을 얻기 위해서, CNTs의 필름을 두 텅스텐 전선들 사이에 매달고 직류 또는 교류를 사용하여 1200-1400C까지 저항 가열하였다. 이들의 고르지 않은 배향과 많은 배선들 때문에, 필름은 1400C에서도 손상되지 않았고 방출된 빛은 전체 필름 도처에서 균일한 상태이었다.
포화 흡수체
자립형 SWNT 필름의 다른 중요한 기능성은 레이저 부품 - 포화 흡수체로서 설명될 수 있다. 모드-락 섬유 레이저 공동에서 주요 요소는 펄스 동작을 개시하는 비선형 요소이다. 본 발명자들은 1.0, 1.6 및 2.0㎛의 파장에서 작동하는 섬유 레이저를 모드-락하는 자립형 SWNT 필름을 설명하였다.
화학적 센서
자립형 CNT 필름의 다른 응용분야는 전극 재료로서 전기분석에서 발견할 수 있다. 높은 전도도, 표면적, 전기화학적 안정성, 낮은 배경 전류 및 전기촉매 특성과 같은 이들의 독특한 특성들 때문에, CNTs는 전기화학적 센싱을 위해 사용되었다. 본 발명자들은 글루코오스와 도파민의 전기화학적 탐지를 위한 자립형 SWNT 전극들의 우수한 센싱 특성들을 입증하였다. CNT 필름을 구멍이 있는 PET 기판에 옮겨서 이를 완전히 덮었다. CNTs와의 컨택과 배선은 은 전도성 페이스트를 사용하여 준비하였고 용액의 밖에 보관하였다. CNT 필름 센서는 넓은 농도 범위(0.1 내지 100μM) 및 매우 낮은 탐지 한계(약 100nM)를 나타내었다.
당업자에게 명백한 것과 같이, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않고 실시예들은 청구항들의 범위 내에서 자유롭게 변할 수 있다.

Claims (10)

  1. 고 종횡비 분자 구조들(HARM-구조들)을 포함하는 구조물로서,
    상기 구조물은 HARM-구조들의 필수적으로 평면인 네트워크(2) 및 네트워크(2)와 접촉하고 있는 지지체(3)를 포함하며, 지지체(3)는 그 안에 개구부(5)를 가지며, 이 개구부(5)의 주변 지역(4)에서, 네트워크(2)가 지지체(3)와 접촉하고 있어서, 네트워크(2)의 중앙 부분은 지지체(3)에 의해 받쳐지지 않으며 네트워크(2)는 필수적으로 고르지 않게 배향된 HARM-구조들을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    지지체(3)는 필수적으로 평면인 슬라이드이고, 개구부(5)는 슬라이드의 중앙 부분에 있는 구멍인 것을 특징으로 하는 구조물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    네트워크(2)는 탄소 나노튜브 분자들과 탄소 나노버드 분자들의 그룹으로부터 선택된 필수적으로 고르지 않게 배향된 HARM-구조들을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조물.
  4. - 예비 기판(1)상에 HARM-구조들을 증착함으로써 예비 기판(1)상에 필수적으로 고르지 않게 배향된 HARM-구조들의 필수적으로 평면인 네트워크(2)를 제조하는 단계;
    - 예비 기판(1)상의 네트워크(2)를 그 안에 개구부(5)를 가진 지지체(3)에 근접하게 위치시키는 단계;
    - 네트워크(2)가 지지체(3)에 있는 개구부(5)의 주변 지역(4)에서 지지체(3)와 접촉하고 네트워크(2)의 중앙 부분은 지지체(3)에 의해 받쳐지지 않도록 네트워크(2)를 지지체(3) 상으로 옮기는 단계; 및
    - 예비 기판(1)을 네트워크(2)로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 종횡비 분자 구조들(HARM-구조들)을 포함하는 구조물의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    예비 기판(1)상의 네트워크(2)를 그 안에 개구부(5)를 가진 지지체(3)에 근접하게 위치시키는 단계는 예비 기판상(1)의 네트워크(2)를 지지체(3)에 근접하게 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조물의 제조 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    - 네트워크(2)를 변형시키기 위해, 기체가 네트워크(2)를 통해 그리고 지지체(3)에 있는 개구부(5)를 통해 유도되도록 지지체(3) 상의 네트워크(2)를 기류 속에 놓는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조물의 제조 방법.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 액체가 모세관 작용에 의해 전달되어 네트워크(2)를 덮도록 액체를 지지체(3) 상의 네트워크(2) 위에 놓는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조물 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    액체는 용질이 그 안에서 용해되는 용매인 것을 특징으로 하는 구조물 제조 방법.
  9. 제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 지지체(3) 상에 존재하는 네트워크(2)를 3차 기판(6)과 접촉하도록 놓는 단계(여기서 3차 기판(6)의 표면 에너지는 예비 기판(1)의 표면 에너지보다 낮다) 및
    - 네트워크(2)를 지지체(3)로부터 3차 기판(6)으로 옮기는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조물 제조 방법.
  10. 레이저의 광학 요소, 광 펄스 성형기, 오디오 확성기, 에어로졸 입자 필터, 기체 필터, 압력 센서, 유동 센서, 입자 센서, 기체 센서, 전자기 리시버 및 안테나의 그룹으로부터 선택된 장치에서 제 1 항의 구조물의 용도.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI125151B (fi) * 2010-03-05 2015-06-15 Canatu Oy Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi
FI20176000A1 (en) * 2017-11-08 2019-05-09 Canatu Oy Equipment comprising films with independent area

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5338430A (en) * 1992-12-23 1994-08-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Nanostructured electrode membranes
RU2160697C2 (ru) * 1998-09-11 2000-12-20 Акционерное общество закрытого типа "Тетра" Способ управления формой синтезируемых частиц и получения материалов и устройств, содержащих ориентированные анизотропные частицы и наноструктуры (варианты)
JP4069532B2 (ja) 1999-01-11 2008-04-02 松下電器産業株式会社 カーボンインキ、電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示装置
US20040007528A1 (en) 2002-07-03 2004-01-15 The Regents Of The University Of California Intertwined, free-standing carbon nanotube mesh for use as separation, concentration, and/or filtration medium
US7261852B2 (en) * 2002-07-19 2007-08-28 University Of Florida Research Foundation, Inc. Transparent electrodes from single wall carbon nanotubes
US7776444B2 (en) * 2002-07-19 2010-08-17 University Of Florida Research Foundation, Inc. Transparent and electrically conductive single wall carbon nanotube films
JP4379002B2 (ja) 2003-05-30 2009-12-09 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブデバイスの製造方法、並びに、カーボンナノチューブ転写体
US8926933B2 (en) 2004-11-09 2015-01-06 The Board Of Regents Of The University Of Texas System Fabrication of twisted and non-twisted nanofiber yarns
JP4993642B2 (ja) * 2005-03-10 2012-08-08 マテリアルズ アンド エレクトロケミカル リサーチ （エムイーアール） コーポレイション 薄膜製造法および装置
FI121540B (fi) * 2006-03-08 2010-12-31 Canatu Oy Menetelmä, jolla siirretään korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita
KR100828477B1 (ko) 2006-12-19 2008-05-13 재단법인서울대학교산학협력재단 도전성 다층 나노박막의 제조방법, 및 이를 이용한미세전기기계시스템 센서와 그 제조방법
CN101239712B (zh) * 2007-02-09 2010-05-26 清华大学 碳纳米管薄膜结构及其制备方法
FI20075482L (fi) * 2007-06-25 2008-12-26 Canatu Oy Kuituverkostot sekä menetelmä ja laite kuituverkostojen jatkuvasti tai erinä tapahtuvaan tuotantoon
US20090169819A1 (en) * 2007-10-05 2009-07-02 Paul Drzaic Nanostructure Films
WO2009139339A1 (ja) * 2008-05-12 2009-11-19 東レ株式会社 カーボンナノチューブ複合体、有機半導体コンポジットならびに電界効果型トランジスタ

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