RU2011135085A - Констркуции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления - Google Patents
Констркуции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011135085A RU2011135085A RU2011135085/05A RU2011135085A RU2011135085A RU 2011135085 A RU2011135085 A RU 2011135085A RU 2011135085/05 A RU2011135085/05 A RU 2011135085/05A RU 2011135085 A RU2011135085 A RU 2011135085A RU 2011135085 A RU2011135085 A RU 2011135085A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- network
- structures
- bacm
- hole
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
- B81C99/0085—Manufacture of substrate-free structures using moulds and master templates, e.g. for hot-embossing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0095—Manufacture or treatments or nanostructures not provided for in groups B82B3/0009 - B82B3/009
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
1. Конструкция, включающая молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), где конструкция включает по существу плоскую сеть (2) ВАСМ-структур, и подложку (3), находящуюся в контакте с сетью (2); отличающаяся тем, что подложка (3) имеет отверстие (5), причем по периферийной области (4) указанного отверстия (5) сеть (2) контактирует с подложкой (3) так, что средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3), а также тем, что сеть (2) включает по существу случайным образом ориентированные ВАСМ-структуры.2. Конструкция по п.1, отличающаяся тем, что подложка (3) представляет собой по существу плоскую пластину, отверстие (5) в которой представляет собой полость в средней части пластины.3. Конструкция по любому из пп.1 и 2, отличающаяся тем, что сеть (2) включает по существу случайным образом ориентированные ВАСМ-структуры, выбранные из группы молекул углеродных нанотрубок и молекул углеродных нанопочек.4. Способ изготовления конструкции, включающей молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), отличающийся тем, что способ включает стадии:- изготовления по существу плоской сети (2) из по существу случайным образом ориентированных ВАСМ-структур на подготовительной подложке (1), путем нанесения ВАСМ-структур на подготовительную подложку (1),- приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5);- перенесения сети (2) на подложку (3) так, что сеть (2) контактирует с подложкой (3) в периферийной области (4) отверстия (5) в подложке (3), а средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3); и- удаления подготовительной подложк
Claims (10)
1. Конструкция, включающая молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), где конструкция включает по существу плоскую сеть (2) ВАСМ-структур, и подложку (3), находящуюся в контакте с сетью (2); отличающаяся тем, что подложка (3) имеет отверстие (5), причем по периферийной области (4) указанного отверстия (5) сеть (2) контактирует с подложкой (3) так, что средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3), а также тем, что сеть (2) включает по существу случайным образом ориентированные ВАСМ-структуры.
2. Конструкция по п.1, отличающаяся тем, что подложка (3) представляет собой по существу плоскую пластину, отверстие (5) в которой представляет собой полость в средней части пластины.
3. Конструкция по любому из пп.1 и 2, отличающаяся тем, что сеть (2) включает по существу случайным образом ориентированные ВАСМ-структуры, выбранные из группы молекул углеродных нанотрубок и молекул углеродных нанопочек.
4. Способ изготовления конструкции, включающей молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), отличающийся тем, что способ включает стадии:
- изготовления по существу плоской сети (2) из по существу случайным образом ориентированных ВАСМ-структур на подготовительной подложке (1), путем нанесения ВАСМ-структур на подготовительную подложку (1),
- приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5);
- перенесения сети (2) на подложку (3) так, что сеть (2) контактирует с подложкой (3) в периферийной области (4) отверстия (5) в подложке (3), а средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3); и
- удаления подготовительной подложки (1) с сети (2).
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что стадия приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5), включает нанесение сети (2) на подготовительную подложку (1), находящуюся в непосредственной близости с подложкой (3).
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что способ включает стадию:
- помещения сети (2) на подложке (3) в поток газа так, чтобы газ проходил через сеть (2) и через отверстие (5) в подложке (3), для осуществления модификации сети (2).
7. Способ по п.4, отличающийся тем, что способ включает стадию:
- нанесения жидкости на сеть (2) на подложке (3) так, чтобы жидкость впитывалась и покрывала сеть (2).
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что жидкость представляет собой растворитель с растворенным в нем веществом.
9. Способ по любому из пп.4-8, отличающийся тем, что способ включает стадии:
- приведения сети (2), находящейся на подложке (3), в контакт с третичной подложкой (6), при этом поверхностная энергия третичной подложки (6) ниже, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1), и
- переноса сети (2) с подложки (3) на третичную подложку (6).
10. Применение конструкции по п.1 в устройстве, выбранном из группы, состоящей из оптического элемента в лазере, формирователя световых импульсов, аудио-громкоговорителя, фильтра для частиц аэрозоля, газового фильтра, датчика давления, датчика потока, датчика частиц, газового сенсора, электромагнитного приемника и антенны.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20095076A FI124440B (fi) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | Rakenteita, jotka käsittävät korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita, ja valmistusmenetelmiä |
| FI20095076 | 2009-01-28 | ||
| PCT/FI2010/050045 WO2010086504A1 (en) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | Structures comprising high aspect ratio molecular structures and methods of fabrication |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014124031/28A Division RU2014124031A (ru) | 2009-01-28 | 2014-06-16 | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011135085A true RU2011135085A (ru) | 2013-03-10 |
| RU2526969C2 RU2526969C2 (ru) | 2014-08-27 |
Family
ID=40329531
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011135085/05A RU2526969C2 (ru) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления |
| RU2014124031/28A RU2014124031A (ru) | 2009-01-28 | 2014-06-16 | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014124031/28A RU2014124031A (ru) | 2009-01-28 | 2014-06-16 | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9133022B2 (ru) |
| EP (1) | EP2391506A4 (ru) |
| JP (1) | JP5781946B2 (ru) |
| KR (1) | KR20110121609A (ru) |
| CN (1) | CN102300706A (ru) |
| BR (1) | BRPI1007479A2 (ru) |
| FI (1) | FI124440B (ru) |
| RU (2) | RU2526969C2 (ru) |
| TW (1) | TWI498274B (ru) |
| WO (1) | WO2010086504A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI125151B (fi) * | 2010-03-05 | 2015-06-15 | Canatu Oy | Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi |
| FI20176000A1 (en) * | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Canatu Oy | Equipment comprising films with independent area |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5338430A (en) * | 1992-12-23 | 1994-08-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Nanostructured electrode membranes |
| RU2160697C2 (ru) * | 1998-09-11 | 2000-12-20 | Акционерное общество закрытого типа "Тетра" | Способ управления формой синтезируемых частиц и получения материалов и устройств, содержащих ориентированные анизотропные частицы и наноструктуры (варианты) |
| JP4069532B2 (ja) | 1999-01-11 | 2008-04-02 | 松下電器産業株式会社 | カーボンインキ、電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示装置 |
| US20040007528A1 (en) | 2002-07-03 | 2004-01-15 | The Regents Of The University Of California | Intertwined, free-standing carbon nanotube mesh for use as separation, concentration, and/or filtration medium |
| AU2003249324A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-02-09 | University Of Florida | Transparent electrodes from single wall carbon nanotubes |
| US7776444B2 (en) * | 2002-07-19 | 2010-08-17 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Transparent and electrically conductive single wall carbon nanotube films |
| JP4379002B2 (ja) | 2003-05-30 | 2009-12-09 | 富士ゼロックス株式会社 | カーボンナノチューブデバイスの製造方法、並びに、カーボンナノチューブ転写体 |
| CN101437663B (zh) | 2004-11-09 | 2013-06-19 | 得克萨斯大学体系董事会 | 纳米纤维带和板以及加捻和无捻纳米纤维纱线的制造和应用 |
| US7771784B2 (en) * | 2005-03-10 | 2010-08-10 | Materials And Electrochemical Research (Mer) Corporation | Thin film production method and apparatus |
| FI121540B (fi) * | 2006-03-08 | 2010-12-31 | Canatu Oy | Menetelmä, jolla siirretään korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita |
| KR100828477B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-05-13 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 도전성 다층 나노박막의 제조방법, 및 이를 이용한미세전기기계시스템 센서와 그 제조방법 |
| CN101239712B (zh) | 2007-02-09 | 2010-05-26 | 清华大学 | 碳纳米管薄膜结构及其制备方法 |
| FI20075482L (fi) * | 2007-06-25 | 2008-12-26 | Canatu Oy | Kuituverkostot sekä menetelmä ja laite kuituverkostojen jatkuvasti tai erinä tapahtuvaan tuotantoon |
| US20090169819A1 (en) | 2007-10-05 | 2009-07-02 | Paul Drzaic | Nanostructure Films |
| EP2287936B1 (en) * | 2008-05-12 | 2016-05-04 | Toray Industries, Inc. | Carbon nanotube composite, organic semiconductor composite, and field-effect transistor |
-
2009
- 2009-01-28 FI FI20095076A patent/FI124440B/fi not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-01-27 EP EP20100735512 patent/EP2391506A4/en not_active Withdrawn
- 2010-01-27 WO PCT/FI2010/050045 patent/WO2010086504A1/en active Application Filing
- 2010-01-27 RU RU2011135085/05A patent/RU2526969C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-01-27 BR BRPI1007479A patent/BRPI1007479A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-01-27 US US13/146,249 patent/US9133022B2/en active Active
- 2010-01-27 JP JP2011546895A patent/JP5781946B2/ja active Active
- 2010-01-27 CN CN2010800057071A patent/CN102300706A/zh active Pending
- 2010-01-27 TW TW099102211A patent/TWI498274B/zh active
- 2010-01-27 KR KR1020117017661A patent/KR20110121609A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-06-16 RU RU2014124031/28A patent/RU2014124031A/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI124440B (fi) | 2014-08-29 |
| US9133022B2 (en) | 2015-09-15 |
| WO2010086504A1 (en) | 2010-08-05 |
| CN102300706A (zh) | 2011-12-28 |
| KR20110121609A (ko) | 2011-11-07 |
| TW201029916A (en) | 2010-08-16 |
| JP5781946B2 (ja) | 2015-09-24 |
| US20120021191A1 (en) | 2012-01-26 |
| TWI498274B (zh) | 2015-09-01 |
| BRPI1007479A2 (pt) | 2016-02-16 |
| FI20095076A (fi) | 2010-07-29 |
| RU2014124031A (ru) | 2015-12-27 |
| JP2012516277A (ja) | 2012-07-19 |
| RU2526969C2 (ru) | 2014-08-27 |
| FI20095076A0 (fi) | 2009-01-28 |
| EP2391506A4 (en) | 2014-11-19 |
| EP2391506A1 (en) | 2011-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2006012553A3 (en) | Reticle particle calibration standards | |
| HK1104248A1 (en) | Process for production of ionically crosslinked polysaccharide microspheres | |
| EP1798780A3 (en) | Method for fabricating a substrate with nano structures, light emitting device and manufacturing method thereof | |
| SG140481A1 (en) | A method for fabricating micro and nano structures | |
| WO2012150278A9 (en) | Hierarchical carbon nano and micro structures | |
| TW201129832A (en) | Light-guiding plate and method for manufacturing light-guiding plate | |
| TW200702505A (en) | Nanofiber and fabrication methods thereof | |
| RU2008142686A (ru) | Способ производства металлического компонента и элемента конструкции | |
| JP2012122176A5 (ru) | ||
| TW200705537A (en) | Method for manufacturing semiconductor device, and method and structure for implementing semiconductor device | |
| RU2011135085A (ru) | Констркуции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления | |
| TW200710520A (en) | Production method of liquid crystal display unit and spacer particle dispersion liquid | |
| TW200641008A (en) | Method for manufacturing polyimide film | |
| TW200722461A (en) | Method of producing cyclic polyolefin film, cyclic polyolefin film produced by the production method, method of preparing liquid dispersion of fine particles, liquid dispersion of fine particles and method of preparing dope | |
| ATE533544T1 (de) | Verfahren zur ultraschalltrennung einer lösung und ultraschalltrennvorrichtung zur verwendung bei dem verfahren | |
| CN102646571B (zh) | 基于离子风抽气系统的高场不对称波形离子迁移谱仪 | |
| CN108179404B (zh) | 一种基于生长法构筑有序金属纳米孔阵列的方法 | |
| WO2023221298A1 (zh) | 一种西兰花状微纳米银的制备方法及其应用 | |
| CN102556957B (zh) | 一种mems空气放大器离子聚集装置的制作方法 | |
| WO2011021773A3 (ko) | 탄소나노튜브 마이크로볼의 제조방법, 이에 의해 제조된 탄소나노튜브 마이크로볼 및 이를 이용한 전극의 제조방법 | |
| WO2008054412A8 (en) | Method and apparatus for forming chromonic nanoparticles | |
| WO2007147689A8 (en) | Method of producing electrodes | |
| WO2011095386A3 (de) | Herstellungsverfahren für eine poröse mikronadelanordnung mit rückseitenanschluss und entsprechende poröse mikronadelanordnung | |
| JP2006305422A5 (ru) | ||
| TW200727326A (en) | Method of fabricating field emission display device and cathode plate thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160128 |