RU2014124031A - Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления - Google Patents
Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014124031A RU2014124031A RU2014124031/28A RU2014124031A RU2014124031A RU 2014124031 A RU2014124031 A RU 2014124031A RU 2014124031/28 A RU2014124031/28 A RU 2014124031/28A RU 2014124031 A RU2014124031 A RU 2014124031A RU 2014124031 A RU2014124031 A RU 2014124031A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- network
- preparatory
- surface energy
- structures
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
- B81C99/0085—Manufacture of substrate-free structures using moulds and master templates, e.g. for hot-embossing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0095—Manufacture or treatments or nanostructures not provided for in groups B82B3/0009 - B82B3/009
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления конструкции, включающей молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), отличающийся тем, что способ включает стадии:- изготовления, по существу, плоской сети (2) из, по существу, случайным образом ориентированных ВАСМ-структур на подготовительной подложке (1), путем нанесения ВАСМ-структур на подготовительную подложку (1),- приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5) и более высокую поверхностную энергию, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1);- перенесения сети (2) на подложку (3) так, что сеть (2) контактирует с подложкой (3) в периферийной области (4) отверстия (5) в подложке (3), а средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3); и- удаления подготовительной подложки (1) с сети (2).2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что стадия приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5) и более высокую поверхностную энергию, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1), включает нанесение сети (2) на подготовительную подложку (1), находящуюся в непосредственной близости с подложкой (3).3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что способ включает стадию:помещения сети (2) на подложке (3) в поток газа, так, чтобы газ проходил через сеть (2) и через отверстие (5) в подложке (3), для осуществления модификации сети (2).4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что способ включает стадию:нанесения жидкости на сеть (2) на подложке (3) так, чтобы жидкость впитывалась и покрывала сеть (2).5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что жидкость представляет собой раств�
Claims (6)
1. Способ изготовления конструкции, включающей молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), отличающийся тем, что способ включает стадии:
- изготовления, по существу, плоской сети (2) из, по существу, случайным образом ориентированных ВАСМ-структур на подготовительной подложке (1), путем нанесения ВАСМ-структур на подготовительную подложку (1),
- приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5) и более высокую поверхностную энергию, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1);
- перенесения сети (2) на подложку (3) так, что сеть (2) контактирует с подложкой (3) в периферийной области (4) отверстия (5) в подложке (3), а средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3); и
- удаления подготовительной подложки (1) с сети (2).
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что стадия приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5) и более высокую поверхностную энергию, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1), включает нанесение сети (2) на подготовительную подложку (1), находящуюся в непосредственной близости с подложкой (3).
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что способ включает стадию:
помещения сети (2) на подложке (3) в поток газа, так, чтобы газ проходил через сеть (2) и через отверстие (5) в подложке (3), для осуществления модификации сети (2).
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что способ включает стадию:
нанесения жидкости на сеть (2) на подложке (3) так, чтобы жидкость впитывалась и покрывала сеть (2).
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что жидкость представляет собой растворитель, с растворенным в нем веществом.
6. Способ по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что способ включает стадии:
- приведения сети (2), находящейся на подложке (3), в контакт с третичной подложкой (6), при этом поверхностная энергия третичной подложки (6) ниже, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1), и
- переноса сети (2) с подложки (3) на третичную подложку (6).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20095076A FI124440B (fi) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | Rakenteita, jotka käsittävät korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita, ja valmistusmenetelmiä |
| FI20095076 | 2009-01-28 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011135085/05A Division RU2526969C2 (ru) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014124031A true RU2014124031A (ru) | 2015-12-27 |
Family
ID=40329531
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011135085/05A RU2526969C2 (ru) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления |
| RU2014124031/28A RU2014124031A (ru) | 2009-01-28 | 2014-06-16 | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011135085/05A RU2526969C2 (ru) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9133022B2 (ru) |
| EP (1) | EP2391506A4 (ru) |
| JP (1) | JP5781946B2 (ru) |
| KR (1) | KR20110121609A (ru) |
| CN (1) | CN102300706A (ru) |
| BR (1) | BRPI1007479A2 (ru) |
| FI (1) | FI124440B (ru) |
| RU (2) | RU2526969C2 (ru) |
| TW (1) | TWI498274B (ru) |
| WO (1) | WO2010086504A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI125151B (fi) * | 2010-03-05 | 2015-06-15 | Canatu Oy | Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi |
| FI20176000A1 (en) * | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Canatu Oy | Equipment comprising films with independent area |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5338430A (en) * | 1992-12-23 | 1994-08-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Nanostructured electrode membranes |
| RU2160697C2 (ru) * | 1998-09-11 | 2000-12-20 | Акционерное общество закрытого типа "Тетра" | Способ управления формой синтезируемых частиц и получения материалов и устройств, содержащих ориентированные анизотропные частицы и наноструктуры (варианты) |
| JP4069532B2 (ja) | 1999-01-11 | 2008-04-02 | 松下電器産業株式会社 | カーボンインキ、電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示装置 |
| US20040007528A1 (en) | 2002-07-03 | 2004-01-15 | The Regents Of The University Of California | Intertwined, free-standing carbon nanotube mesh for use as separation, concentration, and/or filtration medium |
| AU2003249324A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-02-09 | University Of Florida | Transparent electrodes from single wall carbon nanotubes |
| US7776444B2 (en) * | 2002-07-19 | 2010-08-17 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Transparent and electrically conductive single wall carbon nanotube films |
| JP4379002B2 (ja) | 2003-05-30 | 2009-12-09 | 富士ゼロックス株式会社 | カーボンナノチューブデバイスの製造方法、並びに、カーボンナノチューブ転写体 |
| CN101437663B (zh) | 2004-11-09 | 2013-06-19 | 得克萨斯大学体系董事会 | 纳米纤维带和板以及加捻和无捻纳米纤维纱线的制造和应用 |
| US7771784B2 (en) * | 2005-03-10 | 2010-08-10 | Materials And Electrochemical Research (Mer) Corporation | Thin film production method and apparatus |
| FI121540B (fi) * | 2006-03-08 | 2010-12-31 | Canatu Oy | Menetelmä, jolla siirretään korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita |
| KR100828477B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-05-13 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 도전성 다층 나노박막의 제조방법, 및 이를 이용한미세전기기계시스템 센서와 그 제조방법 |
| CN101239712B (zh) | 2007-02-09 | 2010-05-26 | 清华大学 | 碳纳米管薄膜结构及其制备方法 |
| FI20075482L (fi) * | 2007-06-25 | 2008-12-26 | Canatu Oy | Kuituverkostot sekä menetelmä ja laite kuituverkostojen jatkuvasti tai erinä tapahtuvaan tuotantoon |
| US20090169819A1 (en) | 2007-10-05 | 2009-07-02 | Paul Drzaic | Nanostructure Films |
| EP2287936B1 (en) * | 2008-05-12 | 2016-05-04 | Toray Industries, Inc. | Carbon nanotube composite, organic semiconductor composite, and field-effect transistor |
-
2009
- 2009-01-28 FI FI20095076A patent/FI124440B/fi not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-01-27 EP EP20100735512 patent/EP2391506A4/en not_active Withdrawn
- 2010-01-27 WO PCT/FI2010/050045 patent/WO2010086504A1/en active Application Filing
- 2010-01-27 RU RU2011135085/05A patent/RU2526969C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-01-27 BR BRPI1007479A patent/BRPI1007479A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-01-27 US US13/146,249 patent/US9133022B2/en active Active
- 2010-01-27 JP JP2011546895A patent/JP5781946B2/ja active Active
- 2010-01-27 CN CN2010800057071A patent/CN102300706A/zh active Pending
- 2010-01-27 TW TW099102211A patent/TWI498274B/zh active
- 2010-01-27 KR KR1020117017661A patent/KR20110121609A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-06-16 RU RU2014124031/28A patent/RU2014124031A/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI124440B (fi) | 2014-08-29 |
| US9133022B2 (en) | 2015-09-15 |
| WO2010086504A1 (en) | 2010-08-05 |
| CN102300706A (zh) | 2011-12-28 |
| KR20110121609A (ko) | 2011-11-07 |
| TW201029916A (en) | 2010-08-16 |
| JP5781946B2 (ja) | 2015-09-24 |
| US20120021191A1 (en) | 2012-01-26 |
| RU2011135085A (ru) | 2013-03-10 |
| TWI498274B (zh) | 2015-09-01 |
| BRPI1007479A2 (pt) | 2016-02-16 |
| FI20095076A (fi) | 2010-07-29 |
| JP2012516277A (ja) | 2012-07-19 |
| RU2526969C2 (ru) | 2014-08-27 |
| FI20095076A0 (fi) | 2009-01-28 |
| EP2391506A4 (en) | 2014-11-19 |
| EP2391506A1 (en) | 2011-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101490758B1 (ko) | 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법 | |
| KR101874993B1 (ko) | 전기적 컨택이 향상된 초소형 led 전극 어셈블리 및 이의 제조방법 | |
| KR101770632B1 (ko) | 자가 조립형 초소형 led 전극어셈블리 제조용 용매 및 이를 통해 자가 조립형 초소형 led 전극어셈블리를 제조하는 방법 | |
| KR101628345B1 (ko) | 초소형 led 전극어셈블리의 제조방법 | |
| CN107887331A (zh) | 一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法 | |
| EP2506322A3 (en) | Production method of light emitting diode device and light emitting diode element | |
| SG140481A1 (en) | A method for fabricating micro and nano structures | |
| RU2012151319A (ru) | Электрические соединения в электронных контактных линзах | |
| RU2013146958A (ru) | Подложка для установки множества светоизлучающих элементов | |
| RU2012157560A (ru) | Светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства | |
| TW200702505A (en) | Nanofiber and fabrication methods thereof | |
| RU2014124031A (ru) | Конструкции, включающие молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением, и способы их изготовления | |
| EP2230677A3 (en) | Method and apparatus for production of dye-sensitized solar cells (DSSC) | |
| TW200641008A (en) | Method for manufacturing polyimide film | |
| EP2605296A3 (en) | Light-emitting device | |
| JP2010219530A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、その作製方法、および、それに使用されるゲート絶縁層 | |
| CN105489598A (zh) | 利用微机电制作工艺接合与组装发光二极管装置 | |
| TW200639950A (en) | Method of fabricating wafer level package | |
| WO2009038324A3 (en) | Porous pattern semiconductor structure and semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2008521024A5 (ru) | ||
| JP2005184025A5 (ru) | ||
| TW200721888A (en) | Method for manufacturing electroluminescence device | |
| TW200727326A (en) | Method of fabricating field emission display device and cathode plate thereof | |
| US8394458B2 (en) | Method for disposing a component | |
| CN204391074U (zh) | 半导体晶圆制造显影预对准装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20170619 |