KR20110108128A - 반도체 소자 실장 장치 - Google Patents

반도체 소자 실장 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110108128A
KR20110108128A KR20100027451A KR20100027451A KR20110108128A KR 20110108128 A KR20110108128 A KR 20110108128A KR 20100027451 A KR20100027451 A KR 20100027451A KR 20100027451 A KR20100027451 A KR 20100027451A KR 20110108128 A KR20110108128 A KR 20110108128A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wiring board
substrate
semiconductor element
unit
mounting
Prior art date
Application number
KR20100027451A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101619466B1 (ko
Inventor
김태현
이동수
고석
조경복
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100027451A priority Critical patent/KR101619466B1/ko
Priority to US13/071,640 priority patent/US9130011B2/en
Publication of KR20110108128A publication Critical patent/KR20110108128A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101619466B1 publication Critical patent/KR101619466B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/64—Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not peculiar to a single device provided for in groups H01L31/00 - H10K99/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/046—Surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7501—Means for cleaning, e.g. brushes, for hydro blasting, for ultrasonic cleaning, for dry ice blasting, using gas-flow, by etching, by applying flux or plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H01L2224/75651—Belt conveyor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009—Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H01L2224/8101—Cleaning the bump connector, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/81011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/53174—Means to fasten electrical component to wiring board, base, or substrate
    • Y10T29/53178—Chip component

Abstract

본 발명은 반도체 소자 실장 장치를 개시한 것으로서, 장치의 복합화를 통해 설비 점유 면적을 줄여 공간 활용도를 높일 수 있고, 매거진 방식과 매엽 방식 중 어느 하나를 선택하여 배선 기판을 공급할 수 있으며, 배선 기판의 다중 라인 이송과 반도체 소자의 멀티 픽업을 통해 반도체 소자 실장 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 소자 실장 장치{APPARATUS FOR MOUNING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 소자 실장 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자를 배선 기판에 표면 실장(Surface Mount)하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자는 고속화와 고집적화에 대한 요구에 따라 점차로 소형화되는 동시에, 입출력 핀(Input/Output Pin) 수가 증가하고 있다. 이에 따라, 반도체 소자의 실장 기술로 플립 칩 본딩(Flip Chip Bonding) 기술이 많이 적용되고 있다. 플립 칩 본딩 기술은 도전성 재질의 범프(Bump)를 이용하여 반도체 소자를 실장 수단에 직접 실장하는 기술로서, 기존의 와이어 본딩(wire bonding) 기술 및 테이프 배선 기판을 이용한 탭(TAB, Tape Automated Bonding) 기술에 비하여 고속화와 고집적화 그리고 소형화 등에 있어서 우수한 효과를 갖는다.
본 발명은 반도체 소자의 표면 실장 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 실장 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 실장 장치는, 반도체 소자를 배선 기판에 표면 실장(Surface Mount)하는 실장부; 및 상기 실장부에 인접하게 배치되고, 상기 반도체 소자 및 상기 배선 기판을 상기 실장부로 공급하는 로딩부를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 로딩부는, 상기 반도체 소자를 상기 실장부로 공급하는 반도체 소자 공급 유닛; 상기 배선 기판이 로딩되는 기판 로딩 유닛; 및 상기 배선 기판을 상기 기판 로딩 유닛으로부터 상기 실장부로 공급하는 기판 공급 유닛을 포함하며, 상기 반도체 소자 공급 유닛, 상기 기판 로딩 유닛, 그리고 상기 기판 공급 유닛은 하나의 설비 하우징 내에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판 로딩 유닛은, 상기 배선 기판을 수용하는 슬롯들이 형성된 매거진; 및 상기 매거진에 수용된 상기 배선 기판을 인출하는 제 1 로봇을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판 로딩 유닛은, 상하 방향으로 적층된 복수 개의 상기 배선 기판들을 수용하며, 상부가 개방된 기판 카세트; 및 상기 기판 카세트에 수용된 상기 배선 기판을 인출하는 제 2 로봇을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판 로딩 유닛은, 상기 매거진 또는 상기 기판 카세트로부터 인출된 상기 배선 기판을 상기 기판 공급 유닛으로 운반하는 컨베이어(Conveyor)를 더 포함하고, 상기 로딩부는, 상기 컨베이어의 상부에 배치되며, 그리고 상기 컨베이어가 운반하는 상기 배선 기판에 형성된 리젝 마크(Reject Mark)를 판독하는 검출기를 더 포함하며, 상기 리젝 마크는 상기 배선 기판상의 상기 반도체 소자 실장 영역의 불량 여부를 표시할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판 공급 유닛은, 상기 컨베이어에 인접하게 배치되며, 상기 컨베이어에 의해 운반되는 상기 배선 기판이 놓이고, 상기 배선 기판을 제 1 방향으로 이송하는 피더(Feeder); 및 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향을 따라 복수의 위치들로 상기 피더를 이동시키는 피더 구동 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판 로딩 유닛과 상기 기판 공급 유닛은 상기 하우징의 중심에 상기 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 반도체 소자 공급 유닛은 상기 기판 로딩 유닛과 상기 기판 공급 유닛을 중심으로 상기 제 2 방향을 따라 양측에 복수 개 제공되며, 각각의 상기 반도체 소자 공급 유닛들은, 소잉(Sawing) 공정이 진행된 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 카세트; 상기 웨이퍼 카세트로부터 인출된 상기 웨이퍼가 놓이고, 상기 웨이퍼의 배면에 부착된 다이싱용 자외선 테이프를 확장시키는 테이프 확장기; 및 상기 웨이퍼로부터 개별 단위로 분리된 상기 반도체 소자를 상기 실장부로 이송하는 이송기를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 실장부는, 상기 피더의 상기 제 2 방향을 따르는 상기 복수의 위치들에 대응하여 상기 제 1 방향으로 연장되고, 상기 피더로부터 전달되는 상기 배선 기판을 상기 제 1 방향으로 이동시키는 배선 기판 이송 레일들; 상기 배선 기판 이송 레일들을 중심으로 상기 제 2 방향을 따라 양측에 배치되고, 상기 이송기들로부터 전달되는 상기 반도체 소자를 상기 제 1 방향으로 이동시키는 반도체 소자 이송 유닛들; 및 상기 반도체 소자를 픽업하여 상기 배선 기판에 실장하는 헤드 유닛들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 각각의 상기 반도체 소자 이송 유닛들은, 상기 제 1 방향을 따라 평행하게 연장되는 복수 개의 가이드 부재들; 상기 가이드 부재들에 직선 이동 가능하게 설치되는 직선 구동 부재들; 및 상기 직선 구동 부재들 상에 배치되며, 상기 이송기로부터 전달되는 상기 반도체 소자를 수용하는 트레이들을 포함하고, 각각의 상기 트레이들에는 상기 반도체 소자가 수용되는 복수 개의 수용 홈들이 제공될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 각각의 상기 헤드 유닛들은 상기 트레이의 수용 홈들에 수용된 상기 반도체 소자를 흡착하는 복수 개의 헤드들을 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 장치의 복합화를 통해 설비 점유 면적을 줄여 공간 활용도를 높일 수 있다.
그리고 본 발명에 의하면, 매거진 방식과 매엽 방식 중 어느 하나를 선택하여 배선 기판을 공급할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 배선 기판의 리젝 마크(Reject Mark) 인식 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 소자의 표면 실장 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 실장 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 로딩 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 기판 카세트와 제 2 로봇을 보여주는 도면이다.
도 4는 배선 기판을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1의 기판 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 1의 제 1 반도체 소자 공급 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 7은 웨이퍼로부터 개별 단위로 분리된 반도체 소자들을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 1의 실장부를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 헤드 어셈블리를 보여주는 도면이다.
도 10은 도 1의 리플로잉부를 보여주는 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 소자 실장 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 실장 장치(1)를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 반도체 소자 실장 장치(1)는 로딩부(10), 실장부(20), 리플로잉부(30), 그리고 언로딩부(40)를 포함한다. 로딩부(10), 실장부(20), 리플로잉부(30), 그리고 언로딩부(40)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 일렬로 배치될 수 있다.
로딩부(10)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 실장부(20)의 전방에 인접하게 배치되고, 반도체 소자와 배선 기판을 실장부(20)로 공급한다. 반도체 소자는 솔더 범프를 가지는 플립 칩(Flip Chip)을 포함하고, 배선 기판은 접속 패드와 회로 배선이 형성된 인쇄 회로 기판(PCB)일 수 있다. 실장부(20)는 반도체 소자를 배선 기판에 표면 실장(Surface Mount)한다. 리플로잉부(30)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 실장부(20)의 후방에 인접하게 배치되고, 반도체 소자의 솔더 범프를 리플로우(Reflow)하여 배선 기판의 접속 패드와 접합시킨다. 언로딩부(40)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 리플로잉(30)의 후방에 인접하게 배치되고, 반도체 소자가 접합된 배선 기판을 언로딩한다.
로딩부(10)는 기판 로딩 유닛(100), 검출기(200), 기판 공급 유닛(300), 그리고 제 1 및 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400a, 400b)을 포함한다. 기판 로딩 유닛(100)과 기판 공급 유닛(300)은 하우징(12)의 중심 영역에 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 기판 로딩 유닛(100)은 배선 기판을 로딩한다. 기판 공급 유닛(300)은 기판 로딩 유닛(100)의 후방에 인접하게 배치되고, 기판 로딩 유닛(100)으로부터 전달되는 배선 기판을 실장부(20)로 공급한다. 검출기(200)는 기판 로딩 유닛(100)의 일 측에 배치되고, 기판 로딩 유닛(100)에 로딩된 배선 기판상의 리젝 마크(Reject Mark)를 판독한다. 리젝 마크는 배선 기판상의 반도체 소자 실장 영역의 불량 여부를 표시하는 마크이다. 제 1 및 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400a, 400b)은 기판 로딩 유닛(100)과 기판 공급 유닛(300)을 중심으로 제 2 방향(Ⅱ)을 따라 양측에 각각 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400a, 400b)은 반도체 소자를 실장부(20)로 공급한다. 여기서, 제 2 방향(Ⅱ)은 반도체 소자 실장 장치(1)의 평면 배치 구조상, 제 1 방향(Ⅰ)에 수직한 방향이다.
도 2는 도 1의 기판 로딩 유닛(100)을 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 기판 카세트(141)와 제 2 로봇(144)을 보여주는 도면이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 로딩 유닛(100)은 제 1 로더(120), 제 2 로더(140), 컨베이어(160), 그리고 제어부(180)를 포함한다. 제 1 로더(120)와 제 2 로더(140)는 배선 기판(PCB)을 로딩하고, 컨베이어(160)로 배선 기판(PCB)을 전달한다. 컨베이어(160)는 배선 기판(PCB)을 기판 공급 유닛(300)으로 운반한다. 제어부(180)는 제 1 로더(120)와 제 2 로더(120)의 동작을 제어한다.
제 1 로더(120)는 매거진 방식, 즉 매거진에 제공된 슬롯에 삽입하는 방식으로 배선 기판(PCB)을 로딩한다. 제 1 로더(120)는 매거진(122), 리프트 테이블(124) 및 제 1 로봇(126)을 포함한다. 매거진(122)은 제 1 방향(Ⅰ)을 따르는 전방부 및 후방부, 그리고 상부가 개방된 통 형상을 가지고, 내부에는 배선 기판(PCB)을 수용하는 슬롯들(123)이 제 3 방향(Ⅲ)을 따라 형성된다. 배선 기판들 중에는 습기 제거를 위한 베이킹 공정을 요하는 배선 기판들이 있으며, 이러한 배선 기판들이 매거진(122)의 슬롯들(123)에 개별 수납된다. 여기서, 제 3 방향(Ⅲ)은 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)에 수직한 방향이다.
매거진(122)은 리프트 테이블(124)에 탑재되고, 리프트 테이블(124)은 구동 수단(미도시)에 의해 상승 또는 하강할 수 있다. 제 1 로봇(126)은 매거진(122)의 전방에 배치되고, 매거진(122)에 수용된 배선 기판(PCB)을 후방으로 밀어내어 인출한다. 매거진(122) 내의 제 1 높이에 위치한 배선 기판(PCB)이 제 1 로봇(126)에 의해 인출된 후, 매거진(122)은 구동 수단에 의해 상승하고, 제 1 로봇(126)은 매거진(122) 내의 제 2 높이, 즉 제 1 높이 아래에 위치한 배선 기판(PCB)을 인출한다.
제 2 로더(140)는 매엽 방식, 즉 기판 카세트에 복수 매의 적층된 배선 기판(PCB)을 적재하는 방식으로 배선 기판(PCB)을 로딩한다. 제 2 로더(140)는 기판 카세트(141), 제 2 로봇(144), 그리고 간지 회수 박스(148)를 포함한다. 기판 카세트(141)는 상부가 개방된 통 형상을 가지고, 컨베이어(160)의 일 측에 배치된다. 기판 카세트(141)의 내부에는 지지판(142)이 제공되고, 지지판(142)은 구동 부재(143)에 의해 상승 또는 하강된다. 지지판(142) 상에는 배선 기판들(PCB)이 제 3 방향(Ⅲ)으로 적층 수용된다. 배선 기판들 중에는 습기 제거를 위한 베이킹 공정이 필요없는 배선 기판들이 있으며, 이러한 배선 기판들이 기판 카세트(141)의 지지판(142) 상에 적층된다. 그리고 배선 기판들(PCB)의 사이에는 간지(間紙)(P)가 개재된다.
제 2 로봇(144)의 하단에는 흡착 부재(145)와 통전 부재(147)가 제공된다. 흡착 부재(145)는 배선 기판(PCB)과 간지(P)를 진공 흡착한다. 통전 부재(147)는 배선 기판(PCB)과 간지(P)에 전기를 흘려주어 전기의 흐름 여부를 감지한다. 통전 부재(147)의 접촉시 전기가 흐르면, 흡착 부재(145)는 배선 기판(PCB)을 진공 흡착한 것으로 판별되고, 제 2 로봇(144)은 배선 기판(PCB)을 컨베이어(160)로 전달한다. 이와 반대로, 통전 부재(147)의 접촉시 전기가 흐르지 않으면, 흡착 부재(145)는 간지(P)를 진공 흡착한 것으로 판별되고, 제 2 로봇(144)은 기판 카세트(142)와 컨베이어(160)의 사이에 배치된 간지 회수 박스(148)에 간지(P)를 수납한다.
기판 카세트(141)에는 광 센서(149a,149b)가 제공된다. 광 센서(149a,149b)는 발광부(149a)와 수광부(149b)를 포함한다. 발광부(149a)와 수광부(149b)는 기판 카세트(141)의 개방된 상부에 서로 마주보도록 제공된다. 발광부(149a)와 수광부(149b)는 기판 카세트(141) 내의 배선 기판의 적재 유무를 감지한다. 기판 카세트(141) 내의 최상단에 위치한 배선 기판(PCB)이 제 2 로봇(144)에 의해 인출되면, 수광부(149b)는 발광부(149a)의 광 신호를 수광한다. 이후, 기판 카세트(141) 내의 배선 기판들(PCB)이 구동 부재(143)에 의해 상승하면, 수광부(149b)는 발광부(149a)의 광 신호를 수광하지 못한다. 다시, 제 2 로봇(144)은 기판 카세트(141) 내의 최상단에 위치한 배선 기판(PCB)을 인출한다. 이러한 과정을 통해 배선 기판들(PCB)이 기판 카세트(141)로부터 인출된다. 기판 카세트(141) 내의 모든 배선 기판들(PCB)이 인출되면, 수광부(149b)가 발광부(149a)의 광 신호를 수광하는 상태가 지속되며, 이를 통해 기판 카세트(141) 내의 배선 기판의 적재 유무를 감지한다.
컨베이어(160)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 매거진(122)의 후방에 인접하게 배치된다. 컨베이어(160)는 제 1 방향(Ⅰ)으로 평행하게 이격되는 롤러들(162a, 162b)과, 롤러들(162a, 162b)에 감긴 컨베이어 벨트(164)를 포함한다. 컨베이어 벨트(164)에는 매거진(122) 또는 기판 카세트(141)로부터 인출된 배선 기판(PCB)이 놓인다. 컨베이어 벨트(164) 중 상측에 위치한 부분은 롤러들(162a, 162b)의 회전에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 이동하고, 이에 의해 컨베이어 벨트(164)에 놓인 배선 기판(PCB)이 제 1 방향(Ⅰ)으로 이동된다. 컨베이어(160)의 후단에는 후술할 기판 공급 유닛(300)이 배치되고, 컨베이어(160)에 의해 이동되는 배선 기판(PCB)은 기판 공급 유닛(300)으로 운반된다.
제어부(180)는 매거진 방식과 매엽 방식 중 어느 하나, 즉 매거진(122)과 기판 카세트(141) 중 어느 하나를 이용하여 배선 기판(P)을 로딩하도록 제 1 로봇(126)과 제 2 로봇(144)의 동작을 제어한다. 배선 기판들 중에는 습기 제거를 위한 베이킹 공정을 요하는 배선 기판들과, 습기 제거를 위한 베이킹 공정이 필요없는 배선 기판들이 있으며, 전자는 매거진(122)에 수용되고, 후자는 기판 카세트(141)에 수용된다. 제어부(180)는, 베이킹 공정을 요하는 배선 기판들이 로딩되는 경우, 매거진(122)으로부터 배선 기판(PCB)을 인출하도록 제 1 로봇(126)을 구동시키고, 베이킹 공정을 요하지 않는 배선 기판들이 로딩되는 경우, 기판 카세트(141)로부터 배선 기판(PCB)을 인출하도록 제 2 로봇(144)을 구동시킨다.
검출기(200)는 컨베이어(160)의 일측 상부에 배치되고, 컨베이어(160)에 의해 운반되는 배선 기판(PCB) 상의 리젝 마크를 판독한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 배선 기판(PCB)의 상부 영역에는 리젝 마크들(RM)이 일렬로 제공되고, 리젝 마크들(RM)의 아래에는 복수 개의 반도체 소자 실장 영역들(A)이 제공된다. 각각의 반도체 소자 실장 영역들(A)에는 반도체 소자의 솔더 범프가 접합되는 복수 개의 접속 패드들(B)이 제공된다. 리젝 마크들(RM)은 반도체 소자 실장 영역들(A)에 대응하는 수만큼 제공되며, 리젝 마크들(RM)은 반도체 소자 실장 영역들(A)의 불량 여부를 표시한다. 예를 들어, 검정색(Black)의 제 1 리젝 마크(RM1)는 해당 반도체 소자 실장 영역이 불량임을 표시하고, 흰색(White)의 제 2 리젝 마크(RM2)는 해당 반도체 소자 실장 영역이 양호함을 표시한다.
검출기(200)가 배선 기판(PCB)의 리젝 마크들(RM)을 판독하면, 어떤 반도체 소자 실장 영역이 불량 상태인가를 확인할 수 있다. 그리고 검출기(200)의 판독 결과가 실장부(20)로 전송되면, 실장부(20)는 불량 상태의 반도체 소자 실장 영역에는 반도체 소자를 실장하지 않고, 양호한 상태의 반도체 소자 실장 영역에만 반도체 소자를 실장할 수 있다.
도 5는 도 1의 기판 공급 유닛(300)을 보여주는 도면이다. 기판 공급 유닛(300)은 기판 로딩 유닛(100)의 컨베이어(160)로부터 전달되는 배선 기판(PCB)을 실장부(20)로 공급한다.
도 5를 참조하면, 기판 공급 유닛(300)은 피더(Feeder, 320)와, 피더 구동 부재(340)를 포함한다. 피더(320)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 컨베이어(160)의 후단에 인접하게 배치된다. 피더(320)는 컨베이어(160)에 의해 운반되는 배선 기판(PCB)을 전달받고, 배선 기판(PCB)을 실장부20)의 배선 기판 이송 레일들(510a,510b)로 공급한다. 피더(320)는 서로 평행하게 제 1 방향(Ⅰ)으로 길게 연장된 레일들(322)을 가질 수 있다. 레일들(322)은 서로 마주보도록 배치되며, 배선 기판(PCB)의 폭에 대응하는 간격으로 이격된다. 레일들(322)에는 컨베이어(160)에 의해 운반되는 배선 기판(PCB)이 탑재된다. 레일들(322) 상에는 이송 그립퍼(324)가 제공되며, 이송 그립퍼(324)는 레일들(322)에 탑재된 배선 기판(PCB)을 제 1 방향(Ⅰ)으로 이동시킨다.
피더 구동 부재(340)는 제 2 방향(Ⅱ)을 따라 복수의 위치들, 즉 실장부(20)의 배선 기판 이송 레일들(510a,510b)에 대응하는 위치들로 피더(320)를 이동시킨다. 피더 구동 부재(340)는 피더(320)의 레일(322)에 결합된 구동 축(342)을 가진다. 구동 축(342)의 길이 방향은 제 2 방향(Ⅱ)을 향한다. 구동 축(342)의 일단은 레일(322)의 측면에 결합되고, 구동 축(342)의 타단은 직선 구동력을 제공하는 구동원(344)에 연결된다.
배선 기판(PCB)이 컨베이어(160)로부터 피더(320)로 전달되면, 피더 구동 부재(340)는 실장부(20)의 배선 기판 이송 레일들(510a,510b) 중 어느 하나의 배선 기판 이송 레일(510a)에 대응하는 위치로 피더(320)를 이동시킨다. 피더(320)의 이송 그립터(324)는 레일들(322)을 따라 배선 기판(PCB)을 이동시켜, 실장부(20)의 어느 하나의 배선 기판 이송 레일(510a)에 배선 기판(PCB)을 공급한다. 이후, 다시 컨베이어(160)로부터 피더(320)로 배선 기판(PCB)이 전달되면, 피더 구동 부재(340)는 실장부(20)의 배선 기판 이송 레일들(510a,510b) 중 다른 하나의 배선 기판 이송 레일(510b)에 대응하는 위치로 피더(320)를 이동시킨다. 피더(320)의 이송 그립터(324)는 레일들(322)을 따라 배선 기판(PCB)을 이동시켜, 실장부(20)의 다른 하나의 배선 기판 이송 레일(510b)에 배선 기판(PCB)을 공급한다. 이와 같은 방식으로, 기판 공급 유닛(300)은 실장부(20)의 배선 기판 이송 레일들(510a,510b)에 번갈아가면서 연속적으로 배선 기판(PCB)을 공급할 수 있다.
도 6은 도 1의 제 1 반도체 소자 공급 유닛(400a)을 보여주는 사시도이다. 제 1 및 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400a, 400b)은 실장부(20)로 반도체 소자를 공급한다. 제 1 반도체 소자 공급 유닛(400a)과 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400b)은 동일한 구성을 가지므로, 이하에서는 제 1 반도체 소자 공급 유닛(400a)에 대해서만 설명한다.
도 6을 참조하면, 제 1 반도체 소자 공급 유닛(400a)은 웨이퍼 카세트(410a), 제 1 이송기(430a), 테이프 확장기(460a), 그리고 제 2 이송기(470a)를 포함한다. 웨이퍼 카세트(410a)는 카세트 지지대(420a)에 놓인다. 웨이퍼 카세트(410a)의 내부에는 웨이퍼(W)가 수납되는 슬롯들(412a)이 제공된다. 슬롯들(412a)에 수납되는 웨이퍼(W)는 팹(FAB) 공정, 백 그라인딩(Back Grinding) 공정, 그리고 소잉(Sawing) 공정이 진행된 웨이퍼일 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 배면에는 다이싱용 자외선 테이프가 부착되고, 웨이퍼(W)의 가장자리는 웨이퍼 링(WR)에 의해 지지된다. 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 소자들(SD)은, 도 7에 도시된 바와 같이, 소잉 공정에 의해 개별 반도체 소자 단위로 분리되어 있다. 반도체 소자(SD)의 활성 면, 즉 상면에는 복수 개의 솔더 범프(SB)가 제공된다.
제 1 이송기(430a)는 웨이퍼 카세트(410a)로부터 웨이퍼(W)를 인출하여 탑재 레일(440a) 상에 놓는다. 탑재 레일(440a)의 하부에는 자외선 조사 장치(450a)가 설치될 수 있다. 자외선 조사 장치(450a)는 웨이퍼(W)의 배면에 부착된 다이싱용 자외선 테이프에 자외선을 조사하여 테이프의 접착력을 약화시킨다.
테이프 확장기(460a)는 탑재 레일(440a)의 일 측에 배치된다. 탑재 레일(440a)에 놓여있는 웨이퍼(W)는 제 1 이송기(430a)에 의해 테이프 확장기(460a)로 이송된다. 테이프 확장기(460a)는 웨이퍼(W) 상의 반도체 소자(SD)를 용이하게 픽업하기 위해 웨이퍼 링(WR)을 잡아당겨 다이싱용 자외선 테이프를 확장시킨다.
제 2 이송기(470a)는 테이프 확장기(460a)에 놓인 웨이퍼(W)로부터 개별 단위로 분리된 반도체 소자(SD)를 픽업하고, 솔더 범프(SB)가 아래 방향을 향하도록 반도체 소자(SD)를 플립(Flip)하여 실장부(20)로 공급한다.
도 8은 도 1의 실장부(20)를 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 실장부(20)는 배선 기판 이송 레일(510), 반도체 소자 이송 유닛(520), 헤드 유닛(530), 플럭스 조(540a,540b), 그리고 광학 검사 부재(550a,550b)를 포함한다.
배선 기판 이송 레일(510)은 제 1 배선 기판 이송 레일(510a)과 제 2 배선 기판 이송 레일(510b)을 포함한다. 제 1 및 제 2 배선 기판 이송 레일(510a,510b)은 제 1 방향(Ⅰ)으로 길게 연장되고, 제 2 방향(Ⅱ)을 따라 서로 평행을 이루도록 실장부(20)의 중심 영역에 배치된다. 제 1 및 제 2 배선 기판 이송 레일 (510a,510b)에는 기판 공급 유닛(300)의 레일(322)로부터 공급되는 배선 기판(PCB)이 탑재된다. 제 1 배선 기판 이송 레일(510a) 상에는 제 1 이송 그립퍼(512a)가 제공되고, 제 1 이송 그립퍼(512a)는 제 1 배선 기판 이송 레일(510a)에 탑재된 배선 기판(PCB)을 제 1 방향(Ⅰ)으로 이동시킨다. 제 2 배선 기판 이송 레일(510b) 상에는 제 2 이송 그립퍼(512b)가 제공되고, 제 2 이송 그립퍼(512b)는 제 2 배선 기판 이송 레일(510b)에 탑재된 배선 기판(PCB)을 제 1 방향(Ⅰ)으로 이동시킨다.
반도체 소자 이송 유닛(520)은 제 1 반도체 소자 이송 유닛(520a)과, 제 2 반도체 소자 이송 유닛(520b)을 포함한다. 제 1 및 제 2 반도체 소자 이송 유닛(520a,520b)은 배선 기판 이송 레일(510)을 중심으로 제 2 방향(Ⅱ)을 따라 양측에 대칭을 이루도록 배치될 수 있다. 제 1 반도체 소자 이송 유닛(520a)은 로딩부(10)의 제 1 반도체 소자 공급 유닛(400a)에 대응하는 위치에 배치되고, 제 1 반도체 소자 공급 유닛(400a)으로부터 반도체 소자를 전달받아 제 1 방향(Ⅰ)으로 이동시킨다. 제 2 반도체 소자 이송 유닛(520b)은 로딩부(10)의 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400b)에 대응하는 위치에 배치되고, 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400b)으로부터 반도체 소자를 전달받아 제 1 방향(Ⅰ)으로 이동시킨다.
제 1 반도체 소자 이송 유닛(520a)은 가이드 부재들(522a-1,522a-2), 직선 구동 부재들(524a-1,524a-2), 그리고 트레이들(526a-1,526a-2)을 포함한다. 가이드 부재들(522a-1,522a-2)은 제 1 방향(Ⅰ)으로 길게 연장되고, 제 2 방향(Ⅱ)을 따라 서로 평행을 이루도록 배치된다. 직선 구동 부재들(524a-1,524a-2)은 가이드 부재들(522a-1,522a-2)에 직선 이동 가능하게 설치된다. 트레이들(526a-1,526a-2)은 직선 구동 부재들(524a-1,524a-2) 상에 장착된다. 트레이들(526a-1,526a-2)에는 복수 개의 수용 홈들(527a-1,527a-2)이 제공되며, 수용 홈들(527a-1,425a-2)은 제 1 반도체 소자 공급 유닛(400a)의 제 2 이송기(470a)로부터 전달되는 반도체 소자들을 수용한다.
제 2 반도체 소자 이송 유닛(520b)은 가이드 부재들(522b-1,522b-2), 직선 구동 부재들(524b-1,524b-2), 그리고 트레이들(526b-1,526b-2)을 포함하고, 트레이들(526b-1,526b-2)에는 수용 홈들(527b-1,527b-2)이 제공된다. 수용 홈들(527b-1,527b-2)은 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400b)의 제 2 이송기(470b)로부터 전달되는 반도체 소자들을 수용한다. 제 2 반도체 소자 이송 유닛(520b)의 구성은 제 1 반도체 소자 이송 유닛(520a)의 구성과 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
헤드 유닛(530)은 제 2 방향(Ⅱ)으로 길게 연장되고 서로 평행을 이루도록 이격 배치된 제 1 및 제 2 수직 가이드 레일들(531a,531b)을 가진다. 제 1 수직 가이드 레일(531a)에는 제 1 수직 구동 부재들(532a,533a)이 직선 이동 가능하게 설치되고, 제 2 수직 가이드 레일(531b)에는 제 2 수직 구동 부재들(532b,533b)이 직선 이동 가능하게 설치된다. 제 1 수직 구동 부재(532a)와 제 2 수직 구동 부재(532b)는 제 1 수평 가이드 레일(534a)의 양단에 각각 결합된다. 제 1 수평 가이드 레일(534a)에는 제 1 수평 구동 부재(535a)가 직선 이동 가능하게 설치되고, 제 1 수평 구동 부재(535a)에는 제 1 헤드 어셈블리(536a)가 결합된다. 제 1 수직 구동 부재(533a)와 제 2 수직 구동 부재(533b)는 제 2 수평 가이드 레일(534b)의 양단에 각각 결합된다. 제 2 수평 가이드 레일(534b)에는 제 2 수평 구동 부재(535b)가 직선 이동 가능하게 설치되고, 제 2 수평 구동 부재(535b)에는 제 2 헤드 어셈블리(536b)가 결합된다.
제 1 헤드 어셈블리(536a)와 제 2 헤드 어셈블리(536b)는 수직 가이드 레일들(531a,531b)과 수직 구동 부재들(532a,533a,532b,533b)에 의해 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동되고, 수평 가이드 레일들(534a,534b)과 수평 구동 부재들(535a,535b)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동된다.
제 1 헤드 어셈블리(536a)와 제 2 헤드 어셈블리(536b)는 동일한 구성을 가지므로, 제 1 헤드 어셈블리(536a)에 대해서만 설명한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 헤드 어셈블리(536a)는 제 1 수평 구동 부재(535a)에 결합되는 브라켓(537a)과, 브라켓(537a)에 장착되는 복수 개의 진공 흡착 헤드들(539a)을 포함한다. 진공 흡착 헤드들(539a)은 트레이들(526a-1,526a-2)의 수용 홈들(527a-1,425a-2)에 수납된 반도체 소자들(SD)을 진공 흡착한다.
플럭스 조(540a,540b)는 제 1 플럭스 조(540a)와 제 2 플럭스 조(540b)를 포함한다. 제 1 플럭스 조(540a)는 제 1 배선 기판 이송 레일(510a)의 일 측에 제공되고, 제 2 플럭스 조(540b)는 제 2 배선 기판 이송 레일(510b)의 일 측에 제공될 수 있다. 제 1 및 제 2 플럭스 조(540a,540b)의 내부에는 플럭스(Flux)가 채워진다. 반도체 소자의 솔더 범프들은 배선 기판의 접속 패드들에 접합되기에 앞서, 제 1 및 제 2 플럭스 조(540a,540b)에 채워진 플럭스에 침적된다. 이는 솔더 범프에 플럭스를 도포하여, 솔더 범프에 형성된 표면 산화막 등을 제거하기 위함이다. 또한, 배선 기판에 반도체 소자를 가압하여 실장할 때, 솔더 범프는 플럭스에 의해 접속 패드에 가접합된다.
광학 검사 부재(550a,550b)는 제 1 광학 검사 부재(550a)와 제 2 광학 검사 부재(550b)를 포함한다. 제 1 광학 검사 부재(550a)는 제 1 배선 기판 이송 레일(510a)의 일 측에 제공되고, 제 2 광학 검사 부재(550b)는 제 2 배선 기판 이송 레일(510b)의 일 측에 제공될 수 있다. 제 1 및 제 2 광학 검사 부재(550a,550b)는 제 1 및 제 2 배선 기판 이송 레일(510a,510b)에 의해 운반된 배선 기판상의 반도체 소자 실장 영역의 기준 위치 정보와, 제 1 및 제 2 헤드 어셈블리(536a,536b)에 픽업된 반도체 소자의 솔더 범프의 위치에 관한 정보를 판독한다. 판독된 위치 정보에 기초하여, 반도체 소자의 솔더 범프는 배선 기판의 접속 패드에 정렬될 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 실장부(20)의 동작을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
로딩부(10)에 배치된 기판 공급 유닛(300)의 레일(322)로부터 제 1 배선 기판 이송 레일(510a)로 배선 기판(PCB)이 공급되고, 배선 기판(PCB)은 제 1 이송 그립퍼(512a)에 의해 실장 공정이 진행되는 위치로 이동된다. 이후, 기판 공급 유닛(300)의 레일(322)로부터 제 2 배선 기판 이송 레일(510b)로 배선 기판(PCB)이 공급되고, 배선 기판(PCB)은 제 2 이송 그립퍼(512b)에 의해 실장 공정이 진행되는 위치로 이동된다. 이와 같은 방식으로, 배선 기판(PCB)은 기판 공급 유닛(300)으로부터 제 1 및 제 2 배선 기판 이송 레일(510a,510b)로 연속해서 공급된다.
로딩부(10)에 배치된 제 1 반도체 소자 공급 유닛(400a)의 제 2 이송기(470a)는 플립(Flip)된 상태의 반도체 소자들을 제 1 반도체 소자 이송 유닛(520a)의 트레이들(526a-1,526a-2)로 전달한다. 반도체 소자들은 트레이들(526a-1,526a-2)의 수용 홈들(527a-1,527a-2)에 수용된다. 트레이들(526a-1,526a-2)은 직선 구동 부재들(524a-1,524a-2)에 의해 가이드 부재들(522a-1,522a-2)을 따라 공정 위치로 이동된다.
제 1 헤드 어셈블리(536a)는 제 1 수평 가이드 레일(534a)과 제 1 수평 구동 부재(535a)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동되고, 수직 가이드 레일들(531a,531b)과 수직 구동 부재들(532a,532b)에 의해 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동되어, 어느 하나의 트레이(526a-1) 상부에 위치한다. 제 1 헤드 어셈블리(536a)의 진공 흡착 헤드들(539a)은 트레이(526a-1)에 수용된 반도체 소자들을 픽업한다. 제 1 헤드 어셈블리(536a)는 제 1 플럭스 조(540a)의 상부로 이동하고, 픽업된 반도체 소자들의 솔더 범프들을 제 1 플럭스 조(540a)의 플럭스에 침적시킨다. 솔더 범프들에 플럭스의 도포가 완료되면, 제 1 헤드 어셈블리(536a)는 제 1 플럭스 조(540a)의 상부로 이동된다.
제 1 광학 검사 부재(550a)는 제 1 배선 기판 이송 레일(510a)에 의해 운반된 배선 기판(PCB)상의 반도체 소자 실장 영역의 기준 위치 정보와, 제 1 헤드 어셈블리(536a)에 픽업된 반도체 소자들의 솔더 범프들의 위치 정보를 판독한다. 판독된 위치 정보에 기초하여, 반도체 소자들의 솔더 범프들이 배선 기판(PCB)의 접속 패드들에 정렬되도록, 제 1 헤드 어셈블리(536a)는 제 1 배선 기판 이송 레일(510a) 상의 배선 기판(PCB) 상부로 이동한다. 제 1 헤드 어셈블리(536a)는, 솔더 범프들이 접속 패드들에 접합되도록, 반도체 소자들을 배선 기판들(PCB)에 가압한다. 이때, 솔더 범프들은 플럭스에 의해 접속 패드들에 가접합된다.
로딩부(10)에 배치된 제 2 반도체 소자 공급 유닛(400b)의 제 2 이송기(470b)는 플립(Flip)된 상태의 반도체 소자들을 제 2 반도체 소자 이송 유닛(520b)의 트레이들(526b-1,526b-2)로 전달한다. 반도체 소자들은 트레이들(526b-1,526b-2)의 수용 홈들(527b-1,527b-2)에 수용된다. 트레이들(526b-1,526b-2)은 직선 구동 부재들(524b-1,524b-2)에 의해 가이드 부재들(522b-1,522b-2)을 따라 공정 위치로 이동된다.
제 2 헤드 어셈블리(536b)는 제 2 수평 가이드 레일(534b)과 제2 수평 구동 부재(535b)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동되고, 수직 가이드 레일들(531a,531b)과 수직 구동 부재들(533a,533b)에 의해 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동되어, 어느 하나의 트레이(526b-1) 상부에 위치한다. 제 2 헤드 어셈블리(536b)의 진공 흡착 헤드들(539b)은 트레이(526b-1)에 수용된 반도체 소자들을 픽업한다. 제 2 헤드 어셈블리(536b)는 제 2 플럭스 조(540b)의 상부로 이동하고, 픽업된 반도체 소자들의 솔더 범프들을 제 2 플럭스 조(540b)의 플럭스에 침적시킨다. 솔더 범프들에 플럭스의 도포가 완료되면, 제 2 헤드 어셈블리(536b)는 제 2 플럭스 조(540b)의 상부로 이동된다.
제 2 광학 검사 부재(550b)는 제 2 배선 기판 이송 레일(510b)에 의해 운반된 배선 기판(PCB)상의 반도체 소자 실장 영역의 기준 위치 정보와, 제 2 헤드 어셈블리(536b)에 픽업된 반도체 소자들의 솔더 범프들의 위치 정보를 판독한다. 판독된 위치 정보에 기초하여, 반도체 소자들의 솔더 범프들이 배선 기판(PCB)의 접속 패드들에 정렬되도록, 제 2 헤드 어셈블리(536b)는 제 2 배선 기판 이송 레일(510b) 상의 배선 기판(PCB) 상부로 이동한다. 제 2 헤드 어셈블리(536b)는, 솔더 범프들이 접속 패드들에 접합되도록, 반도체 소자들을 배선 기판들(PCB)에 가압한다. 이때, 솔더 범프들은 플럭스에 의해 접속 패드들에 가접합된다.
상술한 바와 같은 과정을 통해, 반도체 소자가 가접합된 배선 기판(PCB)은 리플로잉부(30)로 전달된다.
도 10은 도 1의 리플로잉부(30)를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 리플로잉부(30)는 롤러(32), 롤러(32)에 의해 구동되는 컨베이어 벨트(34), 그리고 히터(36)를 포함할 수 있다. 반도체 소자(SD)가 가접합된 배선 기판(PCB)은 실장부(20)의 제 1 및 제 2 배선 기판 이송 레일(510a,510b)에 의해 리플로잉부(30)의 컨베이어 벨트(34) 상으로 전달된다. 컨베이어 벨트(34)는 롤러(32)의 회전에 의해 구동된다. 컨베이어 벨트(34)의 구동에 의해 배선 기판(PCB)이 일 방향으로 이송되는 동안, 히터(36)는 반도체 소자(SD)의 솔더 범프에 열을 공급하여 솔더 범프를 용융시킨다. 솔더 범프이 용융에 의해, 가접합 상태의 솔더 범프(SB)와 접속 패드가 완전히 접합된다.
다시 도 1을 참조하면, 리플로잉부(30)에서 리플로잉 공정이 진행된 반도체 소자와 배선 기판은 언로딩부(40)로 언로딩된다. 언로딩부(40)는 이송 로봇(42)과 용기(44)를 포함할 수 있다. 이송 로봇(42)은 리플로잉부(30)에서 반출되는 반도체 소자가 접합된 배선 기판을 용기(44)에 수납한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 로딩부 20: 실장부
30: 리플로잉부 40: 언로딩부
100: 기판 로딩 유닛 200: 검출기
300: 기판 공급 유닛 400a,400b: 반도체 소자 공급 유닛
510: 배선 기판 이송 레일 520: 반도체 소자 이송 유닛
530: 헤드 유닛 540a,540b: 플럭스 조
550a,550b: 광학 검사 부재

Claims (10)

  1. 반도체 소자를 배선 기판에 표면 실장(Surface Mount)하는 실장부; 및
    상기 실장부에 인접하게 배치되고, 상기 반도체 소자 및 상기 배선 기판을 상기 실장부로 공급하는 로딩부를 포함하는 반도체 소자 실장 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 로딩부는,
    상기 반도체 소자를 상기 실장부로 공급하는 반도체 소자 공급 유닛;
    상기 배선 기판이 로딩되는 기판 로딩 유닛; 및
    상기 배선 기판을 상기 기판 로딩 유닛으로부터 상기 실장부로 공급하는 기판 공급 유닛을 포함하며,
    상기 반도체 소자 공급 유닛, 상기 기판 로딩 유닛, 그리고 상기 기판 공급 유닛은 하나의 설비 하우징 내에 배치되는 반도체 소자 실장 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 로딩 유닛은,
    상기 배선 기판을 수용하는 슬롯들이 형성된 매거진; 및
    상기 매거진에 수용된 상기 배선 기판을 인출하는 제 1 로봇을 포함하는 반도체 소자 실장 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 로딩 유닛은,
    상하 방향으로 적층된 복수 개의 상기 배선 기판들을 수용하며, 상부가 개방된 기판 카세트; 및
    상기 기판 카세트에 수용된 상기 배선 기판을 인출하는 제 2 로봇을 더 포함하는 반도체 소자 실장 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 로딩 유닛은, 상기 매거진 또는 상기 기판 카세트로부터 인출된 상기 배선 기판을 상기 기판 공급 유닛으로 운반하는 컨베이어(Conveyor)를 더 포함하고,
    상기 로딩부는, 상기 컨베이어의 상부에 배치되며, 그리고 상기 컨베이어가 운반하는 상기 배선 기판에 형성된 리젝 마크(Reject Mark)를 판독하는 검출기를 더 포함하며,
    상기 리젝 마크는 상기 배선 기판상의 상기 반도체 소자 실장 영역의 불량 여부를 표시하는 반도체 소자 실장 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 공급 유닛은,
    상기 컨베이어에 인접하게 배치되며, 상기 컨베이어에 의해 운반되는 상기 배선 기판이 놓이고, 상기 배선 기판을 제 1 방향으로 이송하는 피더(Feeder); 및
    상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향을 따라 복수의 위치들로 상기 피더를 이동시키는 피더 구동 부재를 포함하는 반도체 소자 실장 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 로딩 유닛과 상기 기판 공급 유닛은 상기 하우징의 중심에 상기 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 반도체 소자 공급 유닛은 상기 기판 로딩 유닛과 상기 기판 공급 유닛을 중심으로 상기 제 2 방향을 따라 양측에 복수 개 제공되며,
    각각의 상기 반도체 소자 공급 유닛들은,
    소잉(Sawing) 공정이 진행된 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 카세트;
    상기 웨이퍼 카세트로부터 인출된 상기 웨이퍼가 놓이고, 상기 웨이퍼의 배면에 부착된 다이싱용 자외선 테이프를 확장시키는 테이프 확장기; 및
    상기 웨이퍼로부터 개별 단위로 분리된 상기 반도체 소자를 상기 실장부로 이송하는 이송기를 포함하는 반도체 소자 실장 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 실장부는,
    상기 피더의 상기 제 2 방향을 따르는 상기 복수의 위치들에 대응하여 상기 제 1 방향으로 연장되고, 상기 피더로부터 전달되는 상기 배선 기판을 상기 제 1 방향으로 이동시키는 배선 기판 이송 레일들;
    상기 배선 기판 이송 레일들을 중심으로 상기 제 2 방향을 따라 양측에 배치되고, 상기 이송기들로부터 전달되는 상기 반도체 소자를 상기 제 1 방향으로 이동시키는 반도체 소자 이송 유닛들; 및
    상기 반도체 소자를 픽업하여 상기 배선 기판에 실장하는 헤드 유닛들을 포함하는 반도체 소자 실장 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    각각의 상기 반도체 소자 이송 유닛들은,
    상기 제 1 방향을 따라 평행하게 연장되는 복수 개의 가이드 부재들;
    상기 가이드 부재들에 직선 이동 가능하게 설치되는 직선 구동 부재들; 및
    상기 직선 구동 부재들 상에 배치되며, 상기 이송기로부터 전달되는 상기 반도체 소자를 수용하는 트레이들을 포함하고,
    각각의 상기 트레이들에는 상기 반도체 소자가 수용되는 복수 개의 수용 홈들이 제공되는 반도체 소자 실장 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    각각의 상기 헤드 유닛들은 상기 트레이의 수용 홈들에 수용된 상기 반도체 소자를 흡착하는 복수 개의 헤드들을 포함하는 반도체 소자 실장 장치.
KR1020100027451A 2010-03-26 2010-03-26 반도체 소자 실장 장치 KR101619466B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100027451A KR101619466B1 (ko) 2010-03-26 2010-03-26 반도체 소자 실장 장치
US13/071,640 US9130011B2 (en) 2010-03-26 2011-03-25 Apparatus for mounting semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100027451A KR101619466B1 (ko) 2010-03-26 2010-03-26 반도체 소자 실장 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110108128A true KR20110108128A (ko) 2011-10-05
KR101619466B1 KR101619466B1 (ko) 2016-05-11

Family

ID=44661659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100027451A KR101619466B1 (ko) 2010-03-26 2010-03-26 반도체 소자 실장 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9130011B2 (ko)
KR (1) KR101619466B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018074696A1 (ko) * 2016-10-20 2018-04-26 크루셜머신즈 주식회사 3차원 구조물을 위한 레이저 본딩 장치 및 방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5597050B2 (ja) * 2010-07-15 2014-10-01 富士機械製造株式会社 基板停止位置制御方法および装置、ならびに基板装着位置制御方法
KR101711497B1 (ko) * 2010-10-29 2017-03-02 삼성전자주식회사 반도체 칩 실장 장치
JP5440483B2 (ja) * 2010-12-09 2014-03-12 パナソニック株式会社 電子部品実装システムおよび電子部品実装方法
KR101923531B1 (ko) 2011-12-23 2018-11-30 삼성전자주식회사 반도체 칩 본딩 장치
KR20130079031A (ko) * 2012-01-02 2013-07-10 삼성전자주식회사 반도체 칩 실장 장치
US9285416B2 (en) 2012-04-02 2016-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing substrates
JP6113750B2 (ja) * 2012-11-30 2017-04-12 富士機械製造株式会社 対基板作業システム
TWI582028B (zh) * 2014-01-03 2017-05-11 緯創資通股份有限公司 導引組裝料件系統及其導引料件台
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
KR102009492B1 (ko) * 2017-09-27 2019-08-12 한국과학기술원 플렉서블 전자 소자 제작을 위한 전사 장비 및 이를 이용한 전사 방법
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
CN108943453B (zh) * 2018-07-26 2020-05-22 浙江贝盛新材料科技有限公司 生产单晶硅片用制绒切割装置
CN108789892B (zh) * 2018-07-26 2020-06-02 浙江贝盛新材料科技有限公司 一种高效型单晶硅片的切割生产线
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
JP7390794B2 (ja) * 2019-02-27 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び接合方法
KR20210011536A (ko) 2019-07-22 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 미세 소자의 전사 장치 및 전사 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1234924A (en) * 1984-01-21 1988-04-05 Hideo Sakamoto Printed circuit board load-unload system with bypass route
JP4762480B2 (ja) 2000-08-22 2011-08-31 パナソニック株式会社 部品実装装置及び方法
KR100363903B1 (ko) 2000-11-24 2002-12-11 미래산업 주식회사 표면실장장치 및 그 방법
KR100363898B1 (ko) * 2000-11-24 2002-12-11 미래산업 주식회사 표면실장장치 및 그 방법
KR100530743B1 (ko) 2002-06-12 2005-11-23 삼성테크윈 주식회사 부품실장장치
KR100484088B1 (ko) * 2002-12-06 2005-04-20 삼성전자주식회사 멀티 칩 패키지용 다이 어태치와 경화 인라인 장치
KR100861512B1 (ko) * 2007-03-06 2008-10-02 삼성테크윈 주식회사 복수의 칩마운터 통합 제어 시스템

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018074696A1 (ko) * 2016-10-20 2018-04-26 크루셜머신즈 주식회사 3차원 구조물을 위한 레이저 본딩 장치 및 방법
TWI660803B (zh) * 2016-10-20 2019-06-01 科泰機械股份有限公司 用於三維結構物的雷射焊接裝置及方法
US10748773B2 (en) 2016-10-20 2020-08-18 Laserssel Co., Ltd. Laser bonding apparatus for three-dimensional molded sculptures
US11813688B2 (en) 2016-10-20 2023-11-14 Laserssel Co., Ltd. Laser bonding apparatus for three-dimensional molded sculptures

Also Published As

Publication number Publication date
KR101619466B1 (ko) 2016-05-11
US9130011B2 (en) 2015-09-08
US20110232082A1 (en) 2011-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101619466B1 (ko) 반도체 소자 실장 장치
KR101711497B1 (ko) 반도체 칩 실장 장치
KR101196789B1 (ko) 부품 실장 장치 및 부품 실장 방법
KR20130079031A (ko) 반도체 칩 실장 장치
US20060266792A1 (en) Multi-chip die bonder and method
JP2011501871A (ja) ワークピース処理システム及び方法
KR20170127650A (ko) 콜릿 세정 모듈 및 이를 구비하는 다이 본딩 장치
CN113381267A (zh) 一种插接设备
KR20200048436A (ko) 본딩 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR101251562B1 (ko) 칩 트레이 공급장치
KR101496776B1 (ko) Ｆｐｃ에 부재플레이트를 탑재하기 위한 부재플레이트 탑재장치
JP4518257B2 (ja) 半導体装置実装装置
JP4585496B2 (ja) 半導体チップの実装装置
KR20190043731A (ko) 다이 본딩 장치
KR101788556B1 (ko) 칩 실장 장치
KR20180072035A (ko) 본딩 장치
WO2020152766A1 (ja) 搬送装置
KR102441533B1 (ko) 대상체 라미네이팅 장치
KR101968313B1 (ko) 연성회로기판 자동 부착 로봇 및 이를 이용한 연성회로기판 자동 부착 방법
KR20190118359A (ko) 듀얼 헤드 플립칩 본딩 장치
KR102441535B1 (ko) 대상체 라미네이팅 장치
KR100259874B1 (ko) 반도체 패키지용 스트립을 이송하는 장치
KR102529668B1 (ko) 대상체 라미네이팅 장치
KR20220051082A (ko) 다이 스테이지와 본딩 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR20240048052A (ko) 다이 본딩 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 4