KR20110107757A - 마그네트론 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 - Google Patents

Abstract

마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛은, 내측 자석과, 외측 자석과, 그들을 고정하는 비자성체와, 내측 자석과 외측 자석의 자극을 접속하는 요크를 갖는다. 요크는 판상의 형상을 가지며, 직사각 형상으로 배열된 외측 자석의 긴 변 방향에 직교하는 면으로 복수 개로 분할되고, 또한 분할된 각각의 요크는 교환 가능하다.

Description

마그네트론 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법{MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND SPUTTERING METHOD}

본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법에 관한 것이다.

태양 전지용 기판이나 반도체 웨이퍼 등에 박막을 형성하는 방법으로서 스퍼터링이 있다. 특히, 타깃이 설치되는 캐소드의 이면측에 자석을 배치한 마그네트론 스퍼터링 장치는, 성막의 안정성이 우수하고, 또한 타깃의 대형화가 쉬워 널리 이용되고 있다. 생산성의 향상을 위하여, 타깃의 침식 깊이를 가능한 한 균일하게 하여 1매의 타깃으로 생산할 수 있는 기판의 매수를 많게 하는 것이 시도되고 있다. 또한, 기판 상에 있어서 막 두께 분포 균일성의 향상을 위해 침식 깊이 형상을 원하는 형상으로 제어하는 것도 행해지고 있다.

이와 같이, 타깃의 침식 깊이 형상을 제어하는 것은, 타깃 표면측의 방전 공간의 플라즈마 밀도 분포를 제어하는 것과 거의 동일한 것이다. 플라즈마 밀도 분포는, 방전 공간의 주로 전기장과 자장에 의해 결정되지만, 특히 타깃의 이면측에 배치된 자석이 타깃 표면측의 방전 공간에 만드는 자장 형상에 크게 영향을 받는다. 그로 인해, 침식 깊이 형상을 제어하기 위하여 자석 형상을 고안하거나, 자석을 회전시키거나 왕복 운동시키거나 하는 경우가 많다.

마그네트론 스퍼터링에서는, 통상의 자석 구조로서, 도 8a 내지 도 8c에 도시한 바와 같은 구조를 갖는다. 도 8a는 자석 구조의 정면도이고, 도 8b는 도 8a의 자석 구조의 A-A 단면도이며, 도 8c는 도 8a의 B-B 단면도이다. 도 8a에 도시한 바와 같이, 예를 들어 S극이 표면이 되는 방향으로 영구 자석(이하, 내측 자석이라고 한다)(11)이 요크(14) 상의 어느 한 영역에 배치되어 있다. 그리고, 내측 자석(11)을 둘러싸도록 반대 극성인 N극이 표면이 되는 방향으로 영구 자석(이하, 외측 자석이라고 한다)(12)이 배치되어 있다. 내측 자석(11) 및 외측 자석(12)은, 통상의 강자성체의 요크(14) 상에 배치된다. 이하, 내측 자석(11), 외측 자석(12), 요크(14)를 합하여 자석 유닛(10)이라고 칭한다.

내측 자석(11)과 외측 자석(12)은, 요크(14)에 접착제로 고정되는 경우가 많다. 따라서, 요크(14)는 작업하기 쉽도록 평면의 판상의 것이 사용된다. 내측 자석(11)과 외측 자석(12)은, 흡착하는 방향으로 힘이 발생하기 때문에, 이들을 확실히 고정하기 위하여 요크에는 어느 정도의 강도도 필요하게 된다.

또한, 요크(14)는, 그것이 없는 경우의 자석과 비교하여, 자장 강도를 향상시키는 작용이 있다. 그로 인해, 통상, 요크(14)는 자기 포화되지 않도록 높은 투자율을 갖는 어느 정도의 두께의 것이 사용된다. 대형 스퍼터링 장치에서는, 스퍼터링되는 면이 직사각형인 직사각형 타깃을 사용하는 경우가 많은데, 그 경우는 자석 유닛으로서 도 8a와 같은 직사각형의 것을 사용하고 있다. 하나의 직사각형 타깃에 대하여 이러한 자석 유닛(10)을 1개 또는 복수 배열하여 마그네트론 스퍼터를 행하고 있다. 이러한 자석 유닛(10)을 사용한 대형 스퍼터링 장치로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2001-140069호 공보에 개시되어 있는 것이 있다.

그러나, 종래의 자석 유닛(10)에는 이하의 문제가 있었다. 즉, 타깃 표면측의 자장 형상이나 자장 강도를 쉽게 변경하는 방법으로서, 자석 유닛(10)의 내측 자석(11)과 외측 자석(12)의 타깃측 표면에 강자성체의 얇은 판(이하, 자성체판이라고 함)을 부착하는 방법이 있다. 자성체판이, 내측 자석(11)과 외측 자석(12)의 N극과 S극을 자기 회로적으로 단락함으로써, 자성체판을 부착한 영역의 N극과 S극으로부터 발생하는 자장 강도를 저감할 수 있다. 자성체판은, 자기 포화될 정도로 얇아, 자성체판을 빠져 나가, 어느 정도 타깃 표면측에 자장을 형성하고 있다. 따라서, 부착하는 자성체판의 위치와 두께를 바꿈으로써 자석 유닛(10) 전체의 자장 강도를 제어할 수 있다.

그러나, 자석 유닛(10)은, 통상 타깃측의 구조물과 근접하여 설치되는 경우가 많다. 구체적으로는, 타깃과 자석 유닛(10) 사이에는 챔버벽 등이 존재하는 경우가 있다. 타깃 표면측의 자장 강도를 가능한 한 강하게 하기 위해, 자석 유닛(10)과 타깃의 거리는 작게 할 필요가 있어, 자석 유닛(10)은, 챔버벽 등에 대하여 수밀리 정도의 간극으로 설치되는 경우가 많다.

그로 인해, 상술한 자성체판을 자석 유닛(10) 표면에 부착하기 위해서는, 자석 유닛(10)을 타깃의 반대측으로 크게 이동하여, 자석 유닛(10)의 표면측에 스페이스를 만들어야 한다. 최근의, 예를 들어 기판의 크기가 1m를 초과하는 대형 스퍼터링 장치에서는, 자석 유닛(10)도 크고 중량도 무겁기 때문에, 자석 유닛(10)을 타깃측으로부터 크게 이동시키기 위한 기구는 대형이고 복잡한 것이 되어 버려, 장치 제조 비용이 높아지는 문제가 있었다.

본 발명은, 자석 유닛을 타깃측으로부터 크게 이동시키지 않고 자석 유닛의 이면측으로부터 요크 두께를 변경함으로써, 타깃 표면측의 자장 형상이나 자장 강도를 변경할 수 있어, 장치의 제조 비용을 저감 가능한 기술을 제공한다.

본 발명의 한 측면에 관한 마그네트론 스퍼터링 장치는, 타깃의 설치면을 표면측으로 하는 캐소드와,

상기 캐소드의 이면측에 배치된 자석 유닛을 구비하고,

(a) 상기 자석 유닛은,

하나의 극성의 자극면을 상기 캐소드측으로 향한 영구 자석으로 이루어지는 내측 자석과,

상기 내측 자석을 둘러싸도록 직사각 형상으로 배열하고 상기 내측 자석과 반대 극성인 자극면을 상기 캐소드측으로 향한 영구 자석으로 이루어지는 외측 자석과,

상기 내측 자석과 상기 외측 자석을 고정하는 비자성체와,

상기 캐소드를 향한 상기 내측 자석 및 상기 외측 자석의 자극면의 반대측에 위치하고, 상기 내측 자석과 상기 외측 자석의 자극을 접속하는, 강자성체 재료로 구성되는 요크를 갖고,

(b) 상기 요크는 판상의 형상을 가지며, 상기 직사각 형상으로 배열된 외측 자석의 긴 변 방향에 직교하는 면으로 복수 개로 분할되고, 또한 분할된 각각의 요크는 교환 가능하고,

(c) 상기 자석 유닛은, 상기 캐소드의 이면에 대하여 평행한 방향으로 이동가능한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다른 측면에 관한 스퍼터링 방법은, 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용한 스퍼터링 방법으로서,

상술한 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하여, 성막을 행하는 성막 공정과,

상기 성막 공정에서 성막된 막 두께를 평가하는 평가 공정과,

상기 평가 공정의 평가 결과에 따라, 상기 마그네트론 스퍼터링 장치의 상기 요크의 두께를 변경하는 변경 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 자석 유닛을 타깃측으로부터 크게 이동시키지 않고 자석 유닛 이면측으로부터 요크 두께를 변경함으로써, 쉽게 타깃 표면측의 자장 형상이나 자장 강도를 변경할 수 있어, 장치의 제조 비용을 저감할 수 있다.

본 발명의 그 밖의 특징 및 이점은, 첨부 도면을 참조로 한 이하의 설명에 의해 밝혀질 것이다.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 마그네트론 스퍼터링 장치의 개략도.
도 2a는, 본 발명에 관한 자석 유닛의 정면도.
도 2b는, 본 발명에 관한 자석 유닛의 A-A 단면도.
도 2c는, 본 발명에 관한 자석 유닛의 B-B 단면도.
도 2d는, 도 2a에 있어서 요크가 없는 상태를 도시하는 도면.
도 3은, 본 발명에 관한 자석 유닛에 있어서, 그 자장 해석을 설명하기 위한 도면.
도 4는, 본 발명에 관한 자석 유닛의 자장 해석의 결과를 도시하는 도면.
도 5는, 본 발명에 관한 자석 유닛에 있어서, 선단부 자장 강도를 중앙부보다 약하게 하기 위한 방법을 설명하는 도면.
도 6은, 본 발명에 관한 자석 유닛에 있어서, 선단부 자장 강도를 중앙부보다 강하게 하기 위한 방법을 설명하는 도면.
도 7a 및 도 7b는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 자석 유닛에서 자성체를 사용한 경우의 개략도.
도 8a는, 종래의 자석 유닛을 설명하는 정면도.
도 8b는, 도 8a의 A-A 단면도.
도 8c는, 도 8a의 B-B 단면도.

(제1 실시 형태)

이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 마그네트론 스퍼터링 장치에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 도 1에, 본 실시 형태에 관한 마그네트론 스퍼터링 장치의 개략적인 구성을 도시한다. 챔버(1) 내의 기판 홀더(5)에 기판(2)이 놓여 있다. 챔버(1)는, 도시하지 않은 배기 펌프에 의해 진공으로 배기되고, 도시하지 않은 가스 배관으로부터 프로세스 가스, 예를 들어 Ar 가스가 소정의 압력으로 되도록 공급된다.

기판(2)에 대향하여 상방에 타깃(3)이 배치되어 있다. 캐소드(4)는 타깃(3)을 설치면에 두어 설치 가능하고, 캐소드(4)는 절연물(6)을 개재하여 챔버(1)에 설치되어 있다.

본 실시 형태에서는, 타깃(3)을 설치 가능한 캐소드(4)의 이면측이 대기에 노출되어 있는 예를 나타낸다. 캐소드(4)는, 도시하지 않은 DC 전원에 접속되어 있다. 캐소드(4)의 이면측에는, 수밀리의 간극을 두고 자석 유닛(10)이 설치되어 있다. 자석 유닛(10)은, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 성막 중에는 캐소드(4)와의 간격을 바꾸지 않고, 캐소드(4)에 대하여 평행한 방향으로 왕복 운동을 행할 수 있다.

이어서, 도 2a 내지 도 2d의 참조에 의해, 본 실시 형태에 관한 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛(10)에 대하여 설명한다. 도 2a는 자석 유닛(10)의 정면도이며, 타깃(3)측으로부터 본 모습을 도시하고 있다. 타깃(3)측으로부터 보아 전방측 표면에 S극을 나타내도록 자화된 가늘고 긴 직사각형 형상의 영구 자석의 내측 자석(11)이 배치되어 있다. 내측 자석(11)을 둘러싸듯이, 타깃(3)측으로부터 보아 전방측 표면에 N극을 나타내도록 자화된 영구 자석의 외측 자석(12)이 배치되어 있다.

도 2a의 A-A 단면도인 도 2b나, 도 2a의 B-B 단면도인 도 2c에 도시한 바와 같이, 내측 자석(11)과 외측 자석(12)은, 그 사이를 비자성체(13)로 접속 고정되어 있다. 비자성체(13)는, 예를 들어 알루미늄이나 비자성체의 스테인리스 등이 사용되어 접착제에 의해 내측 자석(11)과 외측 자석(12)을 고정하고 있다. 요크(14)가 없는 상태의 단면을 도 2d에 도시했지만, 내측 자석(11)과 외측 자석(12)은, 비자성체(13)로만 고정되어 있고 요크(14)에 의한 고정은 필요로 하지 않는다.

요크(14)는 강자성체로 되어 있으며, 예를 들어 철이나 SUS430 등이다. 도 2c에 도시한 바와 같이, 요크(14)는, 타깃(3)에 대하여 반대측의 내측 자석(11)의 자극 표면과 외측 자석(12)의 자극 표면을, 자기 회로를 단락하도록 접속하고 있다. 여기에서의 요크(14)는, 자석[내측 자석(11)과 외측 자석(12)]의 흡착력(자력)으로 흡착되어 있는 것뿐이며, 자석과 요크(14)는 접착과 같은 방법에 의해 고정되어 있지 않다.

도 2b에 도시한 바와 같이, 요크(14)는 판상의 형상을 가지며, 직사각 형상으로 배열된 외측 자석의 긴 변 방향[자석 유닛(10)의 긴 변 방향]에 직교하는 면으로 복수 개로 분할되고, 또한 분할된 각각의 요크는 교환 가능하다.

복수 개로 분할된 요크의 각각은, 두께가 상이한 요크와 교환 가능하다. 여기에서는 외측 자석의 긴 변 방향[자석 유닛(10)의 긴 변 방향]으로 8분할되어 있으며, 중앙부의 6개의 요크는 동일한 두께이고, 양단부(선단부)의 2개는 중앙부의 6개의 요크의 두께에 비하여 얇은 요크가 배치되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 요크(14)의 분할 수로서, 8분할을 예시했지만, 본 발명의 취지는, 이 예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 복수 개로 분할한 요크의 구성예는, 도 1의 경우에 한정되는 것은 아니며, 복수 개로 분할된 각각의 요크의 두께를 각각 상이한 것으로 구성하는 것도 가능하다.

요크(14)가 두꺼운 영역에서는 대응하는 타깃 표면에서의 자장 강도는 강해지고, 요크(14)가 얇은 영역에서는 대응하는 타깃 표면에서의 자장 강도는 약해진다. 자장 강도와 요크 두께의 관계에 대해서는 상세하게 후술한다.

요크(14)는, 자석의 자력에 의해 흡착되어 있는 것과, 복수로 분할된 구조를 가짐으로써, 분할된 각각의 요크(14)를 쉽게 제거하여, 교환할 수 있다. 따라서, 두께가 상이한 요크(14)로 쉽게 교환할 수 있어, 이것이 타깃 표면에 있어서의 자장 강도의 제어를 쉽게 하고 있다.

또한, 도시하고 있지 않으나 분할된 각각의 요크(14)는, 얇은 강자성체의 판을 겹쳐 사용해도 효과는 동일하다. 그 경우, 얇은 강자성체의 요크(14)에 작용하는 자력이 작아져, 1매 1매의 얇은 강자성체의 요크(14)를 자석 유닛(10)으로부터 제거하는 것을 더욱 쉽게 할 수 있다.

통상, 마그네트론 스퍼터링 장치에서는, 자석 유닛(10)의 배면측인 요크(14)측에는 구조물을 접근시킬 필요는 없기 때문에 공간을 확보할 수 있다. 그로 인해, 쉽게 사람의 손으로 요크의 교환이 가능하고, 그에 의하여 타깃 표면의 자장 강도를 변경할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 자석 유닛을 타깃에 대하여 반대 방향으로 크게 이동할 필요는 없다.

이어서, 요크(14)의 두께와 타깃 표면에 있어서의 자장 강도의 관계에 대하여 설명한다. 도 3에 도시한 바와 같은 자석 유닛(10)의 타깃 표면에 있어서의 자장 강도를 자장 해석 소프트 ELF/MAGIC에 의해 계산했다.

자석 유닛(10)의 요크(14)의 두께는, 중앙부 부근에서 10㎜로 하고, 선단부 100㎜ 영역의 요크 두께 a를 0㎜ 내지 10㎜까지 변화시켰다. 도시하지 않은 타깃 표면은 자석 유닛(10)의 표면으로부터 40㎜의 위치이며, 자속 밀도 벡터가 거의 타깃(도시하지 않음)의 표면과 평행해지는 위치인 자석 유닛 선단으로부터 30㎜ 내측의 위치에 있어서의, 자속 밀도의 평행 성분(부호 20)을 계산했다. 또한, 내측 자석(11)과 외측 자석(12)은, 예를 들어 네오디뮴 자석으로 하고, 요크(14)는 SUS430으로 했다.

계산 결과를 도 4에 도시한다. 선단부 요크 두께 a가 두꺼워짐에 따라, 타깃 표면에 있어서의 자속 밀도가 커지고 있다. 선단부 요크 두께 a가 6㎜ 이상에서는 타깃 표면에 있어서의 자속 밀도는 거의 변화되지 않게 되지만, 이것은 선단부의 요크가 6㎜ 이상에서는 자기 포화되어 있지 않기 때문이다.

타깃 표면에 있어서의 자장 강도의 제어는, 요크 두께가 0㎜ 내지 6㎜의 범위에서 가능하다. 또한, 선단부 요크 두께 a가 0㎜라는 것은, 도 5에 도시한 바와 같이 그 영역에 요크(14)를 설치하지 않는다는 것이다.

도 5의 예에서는, 자석 유닛의 선단부 자장 강도를 중앙부보다 약하게 하기 위한 방법으로서, 자석 유닛(10)의 선단부의 영역에 요크(14)를 설치하지 않은 예를 나타내고 있다. 반대로, 중앙부 자장 강도를 선단부보다 약하게 하기 위해서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 선단부의 요크(14)는 두껍게 하고, 중앙부의 요크(14)를 얇게 하면 된다.

일반적으로, 침식 깊이는, 타깃 표면에 있어서의 타깃 표면과 평행한 방향의 자속 밀도가 큰 영역에서 깊어지고, 자속 밀도가 작은 영역에서 얕아진다. 본 실시 형태의 자석 유닛에서는, 요크 두께를 두껍게 한 영역의 침식은 깊어지고, 요크 두께를 얇게 한 영역의 침식은 얕아진다. 이와 같이, 요크 두께를 부분적으로 변경함으로써 원하는 침식 깊이 형상을 쉽게 얻을 수 있다.

이어서, 본 발명에 관한 마그네트론 스퍼터 장치를 사용한 스퍼터링 방법에 대하여 설명한다. 자석 유닛(10)의 요크(14)는, 예를 들어 중앙부는 균일한 두께로 하고, 선단부는 그보다 얇게 하는 구성으로 한다. 진공으로 배기한 챔버(1)의 기판 홀더(5)에 기판(2)을 설치한 후, 소정의 압력으로 되도록, 예를 들어 Ar 가스와 같은 프로세스 가스를 챔버에 도입한다(도입 공정).

자석 유닛(10)은, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 캐소드(4)와의 간격을 바꾸지 않고, 캐소드(4)에 대하여 평행한 방향으로 왕복 운동을 행하는 것이 가능하다. 자석 유닛(10)을 도시하지 않은 이동 기구에 의해 왕복 운동시키면서 DC 전원을 ON하고, 타깃에 DC 전력을 인가하여 스퍼터 성막을 실시한다. 일정 시간 후에 DC 전력을 OFF하여 성막이 완료된다(성막 공정).

기판(2)에 퇴적한 막의 두께를 도시하지 않은 측정 기구에 의해 측정하고, 측정 기구의 측정 결과에 의해, 원하는 막 두께 분포가 얻어졌는지의 여부를 확인한다(평가 공정). 막 두께 분포가 나빠 기판(3) 상의 어느 한 영역의 막 두께를 얇게 하려는 경우에는 막 두께를 얇게 하고자 하는 영역에 대응하는 자석 유닛(10)의 요크를 두꺼운 것으로부터 얇은 것으로 변경함으로써 자장 강도를 저감시킨다(변경 공정).

한편, 기판(3) 상의 어느 한 영역의 막 두께를 두껍게 하려는 경우에는, 막 두께를 두껍게 하고자 하는 영역에 대응하는 자석 유닛의 요크를 얇은 것으로부터 두꺼운 것으로 교환함으로써 자장 강도를 증강시킨다(변경 공정). 이 상태에서 다시 마찬가지의 성막을 행하여, 막 두께 분포를 확인한다. 이러한 작업을 몇번이나 반복함으로써 원하는 막 두께 분포를 얻을 수 있게 된다.

(제2 실시 형태)

이어서, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 7a에 도시하는 자석 유닛(10)의 내측 자석(11)과 외측 자석(12)에는 타깃(3)과 반대측의 자극에 철이나 SUS430 등의 강자성체로 이루어지는 자성체(15)가 접착제 등으로 각각 접속되어 있다. 내측 자석(11)과 외측 자석(12)에 접속되어 있는 자성체(15)는, 요크(14)를 개재하여 자기 회로적으로 접속되어 있다.

요크(14)는, 접착제 등으로 고정되어 있지 않고 자석[내측 자석(11), 외측 자석(12)]의 흡착력(자력)으로 부착되어 있을 뿐이며, 제거 가능하다. 내측 자석(11)과 외측 자석(12) 사이에는 비자성체(13)가 있고, 자성체(15)와 비자성체(13)는 접착제나 볼트 등으로 고정되어 있다.

요크(14)가 없는 경우의 자석 유닛(10)의 구성을 도 7b에 도시한다. 자성체(15)와 비자성체(13)가 고정되어 있기 때문에 요크(14)가 없는 경우에도 이 형상으로 유지할 수 있다. 이 경우, 내측 자석(11)과 외측 자석(12)은, 자기 회로로서는 단락하지 않아 상술한 제1 실시 형태의 요크(14)가 없는 경우(도 2d)와 동일한 자장 강도로 된다.

이렇게 하면 자성체와 비자성체를 최초로 접속하여 조립하고, 그 위에 내측 자석과 외측 자석을 조립하는 공정을 거치기 때문에, 종래의 일체의 요크 위에 자석을 조립하는 공정과 마찬가지로 자석 유닛의 조립은 쉽다.

이상의 실시 형태로 설명된 구성, 형상, 크기 및 배치 관계에 대해서는 본 발명이 이해·실시할 수 있을 정도로 개략적으로 나타낸 것에 지나지 않는다. 따라서, 본 발명은, 설명된 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상의 범위를 일탈하지 않는 한 여러 형태로 변경할 수 있다.

Claims (3)

1. 마그네트론 스퍼터링 장치이며,
   타깃의 설치면을 표면측으로 하는 캐소드와,
   상기 캐소드의 이면측에 배치된 자석 유닛을 구비하고,
   (a) 상기 자석 유닛은,
   하나의 극성의 자극면을 상기 캐소드측으로 향한 영구 자석으로 이루어지는 내측 자석과,
   상기 내측 자석을 둘러싸도록 직사각 형상으로 배열하고 상기 내측 자석과 반대 극성인 자극면을 상기 캐소드측으로 향한 영구 자석으로 이루어지는 외측 자석과,
   상기 내측 자석과 상기 외측 자석을 고정하는 비자성체와,
   상기 캐소드를 향한 상기 내측 자석 및 상기 외측 자석의 자극면의 반대측에 위치하고, 상기 내측 자석과 상기 외측 자석의 자극을 접속하는, 강자성체 재료로 구성되는 요크를 갖고,
   (b) 상기 요크는 판상의 형상을 가지며, 상기 직사각 형상으로 배열된 외측 자석의 긴 변 방향에 직교하는 면으로 복수 개로 분할되고, 또한 분할된 각각의 요크는 교환 가능하며,
   (c) 상기 자석 유닛은, 상기 캐소드의 이면에 대하여 평행한 방향으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 복수 개로 분할된 요크의 각각은, 두께가 상이한 요크와 교환 가능한 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
3. 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용한 스퍼터링 방법이며,
   제1항 또는 제2항에 기재된 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하여, 성막을 행하는 성막 공정과,
   상기 성막 공정에서 성막된 막 두께를 평가하는 평가 공정과,
   상기 평가 공정의 평가 결과에 따라, 상기 마그네트론 스퍼터링 장치의 상기 요크의 두께를 변경하는 변경 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.

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