KR20110102415A - 질화 탄탈막의 형성 방법 및 그 성막 장치 - Google Patents

질화 탄탈막의 형성 방법 및 그 성막 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110102415A
KR20110102415A KR1020117015593A KR20117015593A KR20110102415A KR 20110102415 A KR20110102415 A KR 20110102415A KR 1020117015593 A KR1020117015593 A KR 1020117015593A KR 20117015593 A KR20117015593 A KR 20117015593A KR 20110102415 A KR20110102415 A KR 20110102415A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
nitride film
tantalum nitride
tantalum
substrate
Prior art date
Application number
KR1020117015593A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101271869B1 (ko
Inventor
아키코 야마모토
하루노리 우시카와
노부유키 가토
다카카즈 야마다
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20110102415A publication Critical patent/KR20110102415A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101271869B1 publication Critical patent/KR101271869B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H01L21/28562—Selective deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 (S) 상에, 반응 가스로서 질소 원자 함유 화합물 가스를 공급하고, 원료 가스로서 t－아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 가스를 공급하고, 기판 (S) 상에 질화 탄탈막을 형성하는 질화 탄탈막의 형성 방법에 의해, 또, 반응 가스 공급 라인 L4 와, 원료를 액화시키기 위한 용기 (13) 와, 액화된 원료를 가스화시키기 위한 기화기 (11) 와, 원료 액체의 공급량을 조절하기 위한 액체 매스 플로우 컨트롤러 (12) 와, 원료 가스 공급 라인 L1 을 갖는 성막 장치에 의해, 항상 안정적으로 원료 가스를 공급할 수 있고, 피처리 기판의 스루풋을 향상시킬 수 있어, 그 결과, 질화 탄탈막의 생산성이 향상된다.

Description

질화 탄탈막의 형성 방법 및 그 성막 장치{TANTALUM NITRIDE FILM FORMATION METHOD AND FILM FORMATION DEVICE THEREFORE}
본 발명은, 질화 탄탈막의 형성 방법 및 그 성막 장치에 관한 것이다.
반도체 집적 회로가 LSI 에서 ULSI 로 대규모 집적화를 거듭하는 가운데, 배선막에는 선폭을 극한까지 좁고 가늘게 하는 것이 필요로 되고 있다. 최근, 반도체 집적 회로의 배선막으로서, Cu 배선막의 이용이 확산되고 있다. 그러나, 32 ㎚ 노드 이후의 선단 디바이스의 Cu 배선막 형성 프로세스에 있어서는 현행 도금법에 의한 홀, 트렌치로의 Cu 매립은 어렵다. 이것은, Cu 배선막의 하지층으로서 필요한 배리어 메탈막을 현상황에서는 PVD 법에 의해 형성하고 있기 때문에, 그 미세화가 어려워 만족할 수 있는 하지층을 얻을 수 없기 때문이다. 그 때문에, 배리어 메탈막에 대해 애스펙트비가 큰 홀, 트렌치 등에 대한 고커버리지성과 함께, 막이 극박인 것이나 고배리어성이 있는 것이 요구되고 있는 것이 현상황이다.
그러한 상황하에서, 원자 또는 분자로 하여 실제로 몇 개분의 두께밖에 없는 물질을 퇴적시키는 원자층 퇴적 (이하, 「ALD」 라고 칭한다) 법이 주목을 받고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 특허문헌 1 에는, ALD 법에 의해 금속 함유 박막을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
ALD 법이란, 진공 장치의 성막실에 성막 원료 가스 및 반응 가스를 교대로 펄스 도입함으로써 목적 물질 박막을 적층하는 기술이다. 따라서, 그 펄스의 반복 횟수에 의해 막두께 제어가 용이하고, 종래의 박막 제작 기술에 비해 스텝 커버리지가 우수하여 막두께 분포의 편차가 적은 박막을 제작할 수 있다.
그러나, 성막 속도가 느리기 때문에, 양산 기술로서 적합하지 않다는 문제가 있다.
한편, 구리 배선 배리어막으로서, 구리와의 접착성 및 구리에 대한 확산 배리어성이 우수한 탄탈막이나, 탄탈막과 마찬가지로 확산 배리어성이 우수한 데다 탄탈막보다 경도가 낮기 때문에 화학 연마가 용이한 질화 탄탈막이 알려져 있다. 그러나, 이들의 원료가 되는 할로겐화 탄탈 화합물은, 고융점, 또한 저증기압의 화합물로, 장치 중에서의 안정 공급이 어렵고, 또, 부식성이 강한 할로겐 원소를 함유하므로, 탄탈막이 할로겐으로 오염되거나 장치 내 부재가 부식되거나 한다는 문제가 있었다.
일본 공개특허공보 2008-010888호
본 발명은, 상기 문제점을 해결하는 것으로서, 막 오염 등의 원인이 되는 할로겐 원소를 프로세스 중에서 제거하여, 높은 스루풋 및 양호한 비저항을 갖는 질화 탄탈막의 형성 방법 및 그 성막 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 질화 탄탈막의 형성 방법에 관련된 제 1 발명은, 기판 상에, 반응 가스로서 질소 원자 함유 화합물 가스를 공급하고, 원료 가스로서 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 가스를 공급하여, 기판 상에 질화 탄탈막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 제 1 발명에 의하면, 원료 가스로서 할로겐 원소를 함유하지 않는 탄탈 프리커서를 사용하므로, 할로겐 오염 등을 방지할 수 있다.
본 발명의 질화 탄탈막의 형성 방법에 관련된 제 2 발명은, 기판 상에, 반응 가스로서 질소 원자 함유 화합물 가스를 계속적으로 공급하면서, 원료 가스로서 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 가스를 펄스적으로 공급하여, 기판 상에 질화 탄탈막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화 탄탈막의 형성 방법에 관련된 제 3 발명에 의하면, 상기 원료 가스로서 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키고, 이 액체를 기화기 내에서 100 ℃ 이상, 바람직하게는 100 ∼ 180 ℃ 로 가열하여 가스화한 것을 사용하는 것을 특징으로 한다.
액화 온도가 40 ℃ 미만이면, 원료 가스가 완전히 액화되지 않아 액화 수송에 지장을 초래할 우려가 있으며, 80 ℃ 를 초과하면, 액화 수송의 시점에서 열스트레스에 장시간 노출되게 되어 열 열화가 생기게 될 가능성이 있다. 또, 가스화 온도가 100 ℃ 미만이면, 기화가 불완전하고 원료 비말 (飛沫) 이 기판에 부착되어 불균일한 막두께 분포가 생길 우려가 있다. 또, 너무 고온에서는 원료 가스의 과도한 열분해가 발생하여 목적으로 하는 막을 제작할 수 없게 되기 때문에, 상한 온도는 바람직하게는 180 ℃ 이다.
상기 형성 방법에서는, 원료 가스를 우선 액체로 공급하므로, 공급량 조절을 정확하게 실시할 수 있다. 또한 소정의 온도로 설정된 기화기를 사용함으로써, 버블링법과 비교하여, 원료 액체를 수납하기 위한 용기 내 원료 액체의 잔량에 영향받지 않고 항상 안정적인 양의 원료 가스를 공급할 수 있으므로, 질화 탄탈막의 생산성을 향상시킴과 함께 막의 균일성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 본 발명의 경우, 특히 상기 제 2 및 제 3 발명의 경우, 종래의 ALD 법에 비해 비저항이 감소하여, 배리어막으로서, 보다 바람직한 특성을 갖는 질화 탄탈막을 보다 짧은 시간에 얻을 수 있다.
또, 상기 성막법에 의하면, 촉매 또는 열 혹은 플라즈마에 의해 원료 가스의 반응성을 높여 효율적으로 성막할 수 있다.
상기 질소 원자 함유 화합물 가스는, 질소 가스, 암모니아 가스, 히드라진 가스, 및 히드라진 유도체 가스로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화 탄탈막의 형성 방법에 관련된 제 4 발명에 의하면, 기판 상에 질화 탄탈막을 형성하고, 이 막 상에 구리, 텅스텐, 알루미늄, 탄탈, 티탄, 루테늄, 코발트, 니켈, 또는 그들의 합금으로 이루어지는 금속막을 형성할 때에, 질화 탄탈막을, 상기 성막법에 의해 반응 가스로서 질소 원자 함유 화합물 가스를 공급하면서, 원료 가스로서의 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 가스를 펄스적으로 공급하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화 탄탈막의 형성 방법에 관련된 제 5 발명에 의하면, 반응 가스의 활성 종에 대한 변환 수단으로서 촉매 또는 열 혹은 플라즈마를 이용하고, 기판 상에 반응 가스로서 질소 가스, 암모니아 가스, 히드라진 가스, 및 히드라진 유도체 가스로부터 선택된 가스를 공급하면서, t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키고, 이 액체를 기화기 내에서 100 ℃ 이상으로 가열하여 가스화한 원료 가스를 펄스적으로 공급하여, 기판 상에 질화 탄탈막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화 탄탈막의 형성 방법을 실시하기 위한 성막 장치에 관련된 제 6 발명에 의하면, 촉매 또는 열 혹은 플라즈마를 이용하는 기상 성막이 가능한 진공 처리실을 갖는 성막 장치로서, 진공 처리실 내에 재치되는 기판 상에 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 라인과, 원료 가스 형성용 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키기 위한 용기와, 액화된 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 100 ℃ 이상, 바람직하게는 100 ∼ 180 ℃ 로 가열하여 가스화시키기 위한 기화기와, 상기 기화기에 대한 액체의 공급량을 조절하기 위한 액체 매스 플로우 컨트롤러와, 상기 기화기에서 얻어진 가스를 상기 진공 처리실 내에 재치되는 기판 상에 공급하는 원료 가스 공급 라인을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 성막 장치에 있어서, 또한 상기 기화기가 진공 처리실에 직접 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 성막 장치에 있어서, 또한 상기 반응 가스의 활성 종에 대한 변환 촉매선이 반응 가스 공급 라인에 설치되어 있는 것을 특징으로 하고, 또, 추가로 이 촉매선의 가열 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 원료 가스로서, 원료를 기화기를 이용하여 가스화하여 얻어진 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 가스를 펄스적으로 공급하고, 그것과 동시에 반응 가스를 연속적으로 공급함으로써, 종래의 성막 방법과 비교하여 성막 레이트를 향상시켜, 스루풋 향상이 도모되는 데다 또한 비저항이 낮은 질화 탄탈막을 형성할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1 은 본 발명의 질화 탄탈막을 형성하기 위해서 사용하는 성막 장치의 일 구성예를 나타내는 모식적 구성도.
도 2 는 실시예 1 에 있어서의 질화 탄탈막의 형성 프로세스의 플로우 차트도.
도 3 은 질화 탄탈막의 성막 온도 (℃) 가 성막 속도 (㎚/사이클) 및 얻어진 막의 비저항 (μΩ㎝) 에 미치는 영향을 나타내는 그래프.
도 4 는 비교예 1 에 있어서의 질화 탄탈막의 형성 프로세스의 플로우 차트도.
본 발명에 관련된 질화 탄탈막의 형성 방법의 실시형태에 의하면, 반응 가스의 활성 종에 대한 변환 수단으로서, 촉매 또는 열 혹은 플라즈마를 이용하는 성막 방법에 의해, 반응 가스로서, 기판 상에 질소 가스, 암모니아 가스, 히드라진 가스, 및 히드라진 유도체 가스로부터 선택된 가스를 공급하면서, t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 (이하, 「화합물 T」 라고 칭한다) 을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키고, 이 액체를 기화기 내에서 100 ∼ 180 ℃ 로 가열하여 가스화한 원료 가스를 펄스적으로 공급하여 질화 탄탈막을 형성할 수 있다. 180 ℃ 를 초과하면, 화합물 T 에 있어서의 이중 결합의 개열뿐만 아니라, 다른 열분해 반응이 진행되어 질화 탄탈막을 형성할 수 없게 된다 (일본 특허 공보 제3963078호의 도 4 참조).
본 발명에 있어서의 촉매 또는 열 혹은 플라즈마를 이용하는 성막법은, 반응 가스를 연속적으로 공급하면서, 원료 가스를 소정 시간 사이클로 펄스적으로 공급하여 기판 상에서 반응시켜 성막하는 방법이다.
예를 들어, 진공 처리실 내에 암모니아 가스 등의 반응 가스 소정량을 계속적으로 공급하면서, 원료 가스로서 소정량의 화합물 T 의 가스를 소정 시간 (예를 들어, 0.1 ∼ 300 초간, 바람직하게는 0.1 ∼ 30 초 정도) 공급하고, 그 후 소정 시간 (예를 들어, 0.1 ∼ 300 초간, 바람직하게는 0.1 ∼ 60 초 정도) 화합물 T 의 가스 공급을 정지한다는 화합물 T 의 가스의 펄스적인 공급 및 정지 사이클을 소정 횟수 반복한 후에, 원료 가스 및 반응 가스의 공급을 정지하여, 원하는 막두께를 갖는 질화 탄탈막을 형성하는 방법이다. 이 원료 가스와 반응 가스의 반응에 의해 질화 탄탈막이 형성된다.
촉매에 의해 반응 가스를 활성 종으로 변환하는 성막법인 경우에는, 통전에 의한 저항 가열로 고온 (예를 들어, 1700 ∼ 2500 ℃) 으로 가열되고 있는 촉매선에 반응 가스를 접촉시키고, 촉매 작용에 의해 반응 가스를 분해, 활성화시켜 라디칼의 활성 종을 형성시키고, 이 활성 종과 원료 가스를 반응시켜, 원하는 막두께를 갖는 질화 탄탈막을 형성한다. 이 촉매 작용에 의한 성막법인 경우의 기판 온도는 200 ∼ 400 ℃ 이다. 이 경우, 활성 종으로의 변환시에 고온의 촉매선에 원료 가스를 접촉시키므로, 원료 가스 중의 탄소가 분해되어 막의 오염이 방지되기 때문에, 비저항이 낮은 막을 형성할 수 있다. 또한, 열 또는 플라즈마에 의해 반응 가스를 활성 종으로 변환하는 성막법인 경우의 기판 온도는 150 ∼ 700 ℃ 이며, 예를 들어, 히터 등의 가열 수단에 의해 기판을 가열시키고, 상기한 사이클을 반복하여, 원하는 막두께를 갖는 질화 탄탈막을 형성한다.
반응 가스로서의 히드라진 유도체는, 예를 들어 메틸 히드라진, 디메틸 히드라진 등을 사용할 수 있다.
이 질화 탄탈막을 메탈 배리어막으로서 형성한 후에, 이 막 상에, 예를 들어 CVD 법에 의해, 공지된 프로세스 조건으로, 구리, 텅스텐, 알루미늄, 탄탈, 티탄, 루테늄, 코발트, 니켈, 또는 그들의 합금으로 이루어지는 금속막을 형성한다. 이 경우, 형성된 금속막과 질화 탄탈막 사이의 밀착성이 열화되는 경우가 있다. 이 밀착성의 열화에 관해서는, 질화 탄탈막 형성 후에 적절한 후처리를 실시하면, 예를 들어, 질화 탄탈막의 표면 상에 질화 금속막을 형성하거나, 혹은 질소 가스를 질화 탄탈막의 표면 상에 화학 흡착시키면, 저온에서의 어닐 처리에 의해 밀착성을 확보할 수 있다. 즉, 질화 금속막이나 화학 흡착된 질소 분자층이 활성인 금속 흡착 사이트를 점유하기 때문에, 질화 탄탈막 표면에 있어서의 산소, 불소 화합물, 물, 암모니아 등의 불순물과의 반응 생성물층 (예를 들어, 불순물이 산소인 경우, 금속 산화물 등과 같은 계면층) 의 형성이 억제되므로, 저온에서의 어닐 처리라도 Ta 와 Cu 등의 상호 확산이 용이해져 밀착성을 향상시킬 수 있다고 생각된다.
본 발명의 질화 탄탈막 형성 방법을 실시하기 위해서 사용할 수 있는 성막 장치는, 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들어 도 1 에 나타내는 바와 같은 성막 장치를 들 수 있다.
성막 장치 (1) 는, 기판 격납실 (도시 생략) 로부터 반송된 기판 (S) 상에 질화 탄탈막을 형성하기 위한 진공 처리실 (10) 과, 기화기 (11) 와, 액체 매스 플로우 컨트롤러 (12) 와, 원료 가스용 액체 원료원 (화합물 T) (13a) 을 넣기 위한 용기 (13) 로 이루어져 있다.
진공 처리실 (10) 은, 도시되지 않는 배기 수단 (예를 들어, 터보 분자 펌프 등) 을 구비하고 있다. 진공 처리실 (10) 에 원료 가스 공급용 라인 L1 를 통하여 접속되어 있는 기화기 (11) 에는, Ar 등의 불활성 가스로 이루어지는 캐리어 가스의 가스 충전 봄베 (111) 가 밸브 V1 및 매스 플로우 컨트롤러 (112) 를 통하여 접속되고, 캐리어 가스와 함께 기화기 (11) 로부터 공급되는 원료 가스를 진공 처리실 (10) 내에 공급하도록 구성되어 있다. 라인 L1 의 진공 처리실 (10) 측에는 밸브 V2 가 사이에 설치되어 있고, 또, 기화기 (11) 측에는 밸브 V3 을 통하여 진공 펌프 (14) 가 접속되어 있다. 이하에 서술하는 가압 수단에 의해 액체 원료원 (13a) 이 기화기 (11) 방향으로 수송되고, 기화기 (11) 에서 얻어진 원료 가스가 진공 처리실 (10) 내로 도입되도록 구성되어 있다.
기화기 (11) 에는, 밸브 V4 를 통하여 액체 매스 플로우 컨트롤러 (12) 가 접속되고, 액체 매스 플로우 컨트롤러 (12) 는, 밸브 V5 및 V6 을 통하여 용기 (13) 에 접속되어 있다. 용기 (13) 에는, 가압에 의해, 액체 원료원 (13a) 을 액체 매스 플로우 컨트롤러 (12) 를 거쳐 기화기 (11) 에 공급하기 위한 가압 수단이 형성되어 있다. 이 가압 수단은, 액체 원료원 (13a) 을 가압하여 기화기 (11) 에 공급하기 위한 것으로, 불활성 가스 (예를 들어, 헬륨) 의 가스 봄베 (13b) 와 매스 플로우 컨트롤러 (13c) 로 이루어지고, 라인 L2 에 의해 용기 (13) 에 접속되어 있다. 이 라인 L2 에는, 매스 플로우 컨트롤러 (13c) 측으로부터 용기 (13) 를 향하여 밸브 V7, V8 및 V9 가 사이에 설치되고, 밸브 V7 과 V8 사이에는 불활성 가스의 압력을 관측하기 위한 압력계 (13d) 가 형성되어 있다. 또, 밸브 V5 및 V6 과 밸브 V8 및 V9 사이는, 밸브 V10 이 사이에 설치되어 있는 라인에 의해 접속된다. 밸브 V6 과 밸브 V9 를 닫은 상태로 밸브 V10 을 열면, 라인 L2 및 L3 안으로 통한 대기를 배기시킬 수 있어, 밸브 V6 과 밸브 V9 를 열어 액체 원료원 (13a) 으로부터 액체 원료 또는 원료 증기나 원료 가스가 라인 L2 및 L3 으로 유입되더라도 원료가 대기와 반응하여 고화되어 배관 중에서의 막힘의 원인이 되는 것을 방지할 수 있다.
액체 상태의 화합물 T 가 통과하는 배관, 즉 용기 (13) 에서 액체 매스 플로우 컨트롤러 (12) 까지의 배관은, 40 ∼ 80 ℃ 로 보온되고, 액체 상태의 화합물 T 는 He 의 압력에 의해 기화기 (11) 방향으로 반송된다. 기화기 (11) 는 기화 온도 100 ℃ 이상으로 설정되어 있다. 가스 상태로 된 화합물 T 를 진공 처리실 (10) 내부에 재치되어 있는 기판 (S) 상에 공급한다. 기판 (S) 을 가열하는 히터 (도시 생략) 는 150 ∼ 700 ℃ 로 설정할 수 있도록 구성되어 있다.
진공 처리실 (10) 내에는 기판 (S) 을 재치하는 기판 스테이지 (101) 가 형성되고, 촉매 CVD 법을 이용하는 경우에는, 기판 스테이지 (101) 에 대향하여 촉매선 (102) 이 진공 처리실 (10) 의 상부에 설치되어 있다.
이 촉매 CVD 법의 경우, NH3, N2, H2 등의 반응 가스와 Ar 이나 N2 등의 캐리어 가스는, 각각의 가스 봄베 (15a) 로부터 매스 플로우 컨트롤러 (15b) 를 통하여 진공 처리실 (10) 내의 촉매선 (102) 상부로 도입되어, 1700 ∼ 2500 ℃ 로 가열되고 있는 촉매선 (102) 과 접촉하고, 그 촉매 작용에 의해 라디칼로 분해되어 활성화되고, 이렇게 하여 얻어진 반응성이 높은 활성 종을 기판 (S) 상에 공급하고, 원료 가스와 반응시켜 금속막 (질화 탄탈막) 을 형성할 수 있도록 구성되어 있다. 이 반응 가스를 도입하기 위한 라인 L4 에는, 진공 처리실측에 밸브 V11 이 사이에 설치되어 있다.
도 1 에 나타내는 성막 장치 (1) 에 있어서는, 상기한 바와 같이, 용기 (13) 내의 액체 원료원 (13a) 인 화합물 T 를, 40 ∼ 80 ℃ 로 가열된 액체 상태로, 액체 매스 플로우 컨트롤러 (12) 를 통하여 소정의 유량으로 기화기 (11) 에 반송하고, 기화기 (11) 에서 150 ℃ 이상으로 가열하고, 기체 상태로 진공 처리실 (10) 내에 펄스적으로 도입하여, 기판 (S) 상에 공급하고, 또, 반응 가스를, 진공 처리실 (10) 상부로부터 촉매선 (102) 을 향하여 도입하고, 얻어진 활성 종을 기판 (S) 상에 공급하여, 기판 상에서 화합물 T 와 활성 종을 반응시켜 성막한다.
실시예 1
본 실시예에서는, 도 1 에 나타내는 성막 장치를 이용하여 질화 탄탈막을 형성하였다.
피처리 기판으로서 Si 기판을 이용하고, 이 기판을 진공 처리실 내의 기판 스테이지 상에 재치하여, 기판을 300 ℃ 로 가열하고, 진공 처리실 상부로부터 1700 ∼ 2500 ℃ 의 소정 온도로 가열한 촉매선을 향하여 반응 가스인 NH3 을 400 sccm 의 양으로 연속적으로 도입하여 촉매선과 접촉시키고, 라디칼 등의 활성 종을 생성시켜 기판 상에 공급하면서, NH3 의 도입과 동시에, 원료 가스인 화합물 T 의 가스를, 고체에서의 중량으로 하여 0.1 g/min 의 양으로 25 초간 도입하여 기판 상에 공급하고, 기판 상에서 원료 가스와 반응 가스의 활성 종을 반응시켜, 질화 탄탈막을 형성하고, 이어서 화합물 T 의 가스 도입을 정지하고 60 초간 유지하였다. 이 화합물 T 의 가스는, 150 ℃ 로 설정된 기화기를 거쳐 공급되었다.
이어서, 반응 가스의 도입을 계속하면서, 화합물 T 의 가스 도입과 정지를 상기와 동일한 조건으로 12 사이클 반복하여, 목적으로 하는 질화 탄탈막을 형성하였다. 이 성막 프로세스의 플로우 차트를 도 2 에 나타낸다.
이렇게 하여 얻어진 질화 탄탈막은, 9.0 ㎚ 의 막두께를 가지고 있었다. 성막 속도는 0.52 ㎚/분이고, 1 사이클당 막두께는 0.76 ㎚ 였다. 또, 비저항은 2200μΩ㎝, 스루풋은 12 장/시간이 달성되었다.
실시예 2
본 실시예에서는, 성막 온도가 성막 속도 (㎚/사이클) 및 얻어진 막의 비저항 (μΩ㎝) 에 미치는 영향에 대해 검토하였다.
성막 프로세스는 실시예 1 에 따라 실시하였는데, 기판 온도를 280 ∼ 370 ℃ 로 설정하고, 32 사이클의 성막 프로세스를 실시하였다. 얻어진 결과를 도 3 에 나타낸다.
도 3 으로부터 분명한 바와 같이, 기판 온도 (성막 온도) 310 ∼ 370 ℃ 에 있어서 형성된 질화 탄탈막의 비저항이 낮고, 또, 성막 속도는 기판 온도 270 ∼ 370 ℃ 의 경우에 높았다.
실시예 3
본 실시예에서는, 실시예 1 및 실시예 2 와는 달리, 원료 가스와 반응 가스를 함께 흐르게 하여 질화 탄탈막을 제작하였다.
피처리 기판으로서 Si 기판을 이용하고, 이 기판을 진공 처리실 내의 기판 스테이지 상에 재치하여, 기판을 300 ℃ 로 가열하고, 진공 처리실 내에 원료 가스인 화합물 T 의 가스를 고체에서의 중량으로 하여 0.10 g/min 의 양으로 60 초간 도입하고 기판 상에 공급하여 흡착, 열분해시켰다. 도입된 화합물 T 의 가스는, 150 ℃ 로 설정된 기화기를 거쳐 얻어진 가스였다. 동시에, 진공 처리실 내의 1700 ∼ 2500 ℃ 의 소정 온도로 가열된 촉매선을 향하여 반응 가스인 NH3 을 400 sccm 의 유량으로 60 초간 도입하고, 라디칼 등의 활성 종을 생성시켜 기판 상에 공급하여, 목적으로 하는 질화 탄탈막을 형성하였다.
이렇게 하여 얻어진 질화 탄탈막은, 10 ㎚ 의 막두께를 가지고 있었다. 성막 속도는 10 ㎚/min 였다. 실시예 1 과 비교하면, 성막 속도는 빠른 반면, 비저항은 10000 μΩ㎝ 로 높고, 스루풋은 15 장/시간으로 매우 높았다.
실시예 4
본 실시예에서는, 촉매선을 가열하지 않고, 원료 가스와 반응 가스를 함께 흐르게 하여 질화 탄탈막을 제작하였다.
피처리 기판으로서 Si 기판을 이용하고, 이 기판을 진공 처리실 내의 기판 스테이지 상에 재치하여, 기판을 300 ℃ 로 가열하고, 진공 처리실 내에 원료 가스인 화합물 T 의 가스를 고체에서의 중량으로 하여 0.10 g/min 의 양으로 60 초간 도입하고 기판 상에 공급하여, 흡착, 열분해시켰다. 도입된 화합물 T 의 가스는, 150 ℃ 로 설정된 기화기를 거쳐 얻어진 가스였다. 동시에, 반응 가스인 NH3 을 400 sccm 의 유량으로 60 초간 도입하고, 활성 종을 생성시켜 기판 상에 공급하여, 목적으로 하는 질화 탄탈막을 형성하였다.
이렇게 하여 얻어진 질화 탄탈막은, 10 ㎚ 의 막두께를 가지고 있었다. 성막 속도는 10 ㎚/min 였다. 실시예 1 과 비교하면, 성막 속도는 빠른 반면, 비저항은 12000 μΩ㎝ 로 높고, 스루풋은 13 장/시간으로 매우 높았다.
(비교예 1)
본 비교예에서는, ALD 에 따라 질화 탄탈막을 형성하여, 실시예 1 에서 얻어진 질화 탄탈막과 비교하였다.
피처리 기판으로서 Si 기판을 이용하고, 이 기판을 진공 처리실 내의 기판 스테이지 상에 재치하여, 기판을 300 ℃ 로 가열하고, 진공 처리실 내에 원료 가스인 화합물 T 의 가스를 고체에서의 중량으로 하여 0.15 g/min 의 양으로 20 초간 도입하고 기판 상에 공급하여, 흡착, 열분해시킨 후, 퍼지 가스로서 Ar 가스를 이용하여 진공 처리실 내의 원료 가스를 5 초간 퍼지하였다. 도입된 화합물 T 의 가스는, 150 ℃ 로 설정된 기화기를 거쳐 얻어진 가스였다. 이어서, 진공 처리실 내의 1700 ∼ 2500 ℃ 의 소정 온도로 가열된 촉매선을 향하여 반응 가스인 NH3 을 400 sccm 의 유량으로 20 초간 도입하고, 라디칼 등의 활성 종을 생성시켜 기판 상에 공급하였다. 기판 상에서 반응이 일어나 질화 탄탈막이 형성되었다.
이어서, 진공 처리실 내의 반응 가스를 Ar 가스를 이용하여 5 초간 퍼지한 후, 상기와 동일한 조건으로 화합물 T 의 가스의 공급 및 NH3 가스의 공급 사이클을 270 사이클 반복하여, 목적으로 하는 질화 탄탈막을 형성하였다. 이 성막 프로세스의 플로우 차트를 도 4 에 나타낸다.
이렇게 하여 얻어진 질화 탄탈막은, 8.9 ㎚ 의 막두께를 가지고 있었다. 성막 속도는 0.040 ㎚/min 이고, 1 사이클당 막두께는 0.033 ㎚ 였다. 실시예 1 에 비하면, 성막 속도는 낮고, 그 결과, 1 사이클당 막두께는 낮았다. 또, 비저항은 4800 μΩ㎝ 이고, 스루풋은 2 장/시간으로, 실시예 1 과 비교하여 매우 낮았다.
산업상 이용가능성
본 발명의 질화 탄탈막 형성 방법에 의하면, 항상 안정적으로 원료 가스를 공급할 수 있어 막두께 균일성을 높임과 함께, 피처리 기판의 스루풋을 향상시킬 수 있어, 그 결과, 생산성을 향상시킬 수 있으므로, 질화 탄탈막을 사용하는 기술 분야, 예를 들어 Cu 배선 등의 메탈 배리어막을 형성하는 반도체 장치의 기술 분야에서 이용 가능하다.
1 성막 장치
10 진공 처리실
11 기화기
12 액체 매스 플로우 컨트롤러
13 용기
13a 액체 원료원
13b 가스 봄베
13c 매스 플로우 컨트롤러
13d 압력계
14 진공 펌프
15a 가스 봄베
15b 매스 플로우 컨트롤러
101 기판 스테이지
102 촉매선
111 가스 충전 봄베
L1 ∼ L4 라인
V1 ∼ V10 밸브
S 기판

Claims (10)

  1. 기판 상에, 반응 가스로서 질소 원자 함유 화합물 가스를 공급하고, 원료 가스로서 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키고, 이 액체를 기화기 내에서 100 ℃ 이상으로 가열하여 가스화한 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 가스를 공급하여, 기판 상에 질화 탄탈막을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 탄탈막의 형성 방법.
  2. 기판 상에, 반응 가스로서 질소 원자 함유 화합물 가스를 계속적으로 공급하면서, 원료 가스로서 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키고, 이 액체를 기화기 내에서 100 ℃ 이상으로 가열하여 가스화한 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 가스를 펄스적으로 공급하여, 기판 상에 질화 탄탈막을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 탄탈막의 형성 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 질화 탄탈막의 형성 방법이, 촉매 또는 열 혹은 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 질화 탄탈막의 형성 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 원자 함유 화합물 가스가, 질소 가스, 암모니아 가스, 히드라진 가스, 및 히드라진 유도체 가스로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 질화 탄탈막의 형성 방법.
  5. 기판 상에 질화 탄탈막을 형성하고, 이 막 상에 구리, 텅스텐, 알루미늄, 탄탈, 티탄, 루테늄, 코발트, 니켈, 또는 그들의 합금으로 이루어지는 금속막을 형성할 때에, 질화 탄탈막을, 반응 가스로서 질소 원자 함유 화합물 가스를 공급하면서, 원료 가스로서 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키고, 이 액체를 기화기 내에서 100 ℃ 이상으로 가열하여 가스화한 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈 가스를 펄스적으로 공급하여 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 탄탈막의 형성 방법.
  6. 반응 가스의 활성 종에 대한 변환 수단으로서 촉매 또는 열 혹은 플라즈마를 이용하고, 기판 상에 반응 가스로서 질소 가스, 암모니아 가스, 히드라진 가스, 및 히드라진 유도체 가스로부터 선택된 가스를 공급하면서, t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키고, 이 액체를 기화기 내에서 100 ℃ 이상으로 가열하여 가스화한 원료 가스를 펄스적으로 공급하여, 기판 상에 질화 탄탈막을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 탄탈막의 형성 방법.
  7. 촉매 또는 열 혹은 플라즈마를 이용하는 기상 성막이 가능한 진공 처리실을 갖는 성막 장치로서,
    진공 처리실 내에 재치되는 기판 상에 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 라인과,
    원료 가스 형성용 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 40 ∼ 80 ℃ 로 가열하여 액화시키기 위한 용기와,
    액화된 t-아밀이미드-트리스(디메틸아미드)탄탈을 100 ℃ 이상으로 가열하여 가스화시키기 위한 기화기와,
    상기 기화기에 대한 액체의 공급량을 조절하기 위한 액체 매스 플로우 컨트롤러와,
    상기 기화기에서 얻어진 가스를 상기 진공 처리실 내에 재치되는 기판 상에 공급하는 원료 가스 공급 라인을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    또한 상기 기화기가 진공 처리실에 직접 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    또한 상기 반응 가스의 활성 종에 대한 변환 촉매선이 반응 가스 공급 라인에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    또한 상기 촉매선의 가열 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
KR1020117015593A 2008-12-09 2009-12-07 질화 탄탈막의 형성 방법 및 그 성막 장치 KR101271869B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008313692 2008-12-09
JPJP-P-2008-313692 2008-12-09
PCT/JP2009/070482 WO2010067778A1 (ja) 2008-12-09 2009-12-07 窒化タンタル膜の形成方法及びその成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110102415A true KR20110102415A (ko) 2011-09-16
KR101271869B1 KR101271869B1 (ko) 2013-06-07

Family

ID=42242765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117015593A KR101271869B1 (ko) 2008-12-09 2009-12-07 질화 탄탈막의 형성 방법 및 그 성막 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110318505A1 (ko)
JP (1) JP5409652B2 (ko)
KR (1) KR101271869B1 (ko)
TW (1) TWI431146B (ko)
WO (1) WO2010067778A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180106897A (ko) * 2017-03-17 2018-10-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
US10201485B2 (en) 2014-10-30 2019-02-12 Amorepacific Corporation Washing composition

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8815344B2 (en) * 2012-03-14 2014-08-26 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer depositions
US9460932B2 (en) 2013-11-11 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Surface poisoning using ALD for high selectivity deposition of high aspect ratio features
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5989999A (en) * 1994-11-14 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Construction of a tantalum nitride film on a semiconductor wafer
TW408433B (en) * 1997-06-30 2000-10-11 Hitachi Ltd Method for fabricating semiconductor integrated circuit
US6410433B1 (en) * 1999-04-27 2002-06-25 Tokyo Electron Limited Thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
JP3963078B2 (ja) * 2000-12-25 2007-08-22 株式会社高純度化学研究所 ターシャリーアミルイミドトリス（ジメチルアミド）タンタルとその製造方法及びそれを用いたｍｏｃｖｄ用原料溶液並びにそれを用いた窒化タンタル膜の形成方法
US6500761B1 (en) * 2001-10-24 2002-12-31 Tokyo Electron Limited Method for improving the adhesion and durability of CVD tantalum and tantalum nitride modulated films by plasma treatment
US7081409B2 (en) * 2002-07-17 2006-07-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of producing integrated circuit devices utilizing tantalum amine derivatives
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
KR100602087B1 (ko) * 2004-07-09 2006-07-14 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US7241686B2 (en) * 2004-07-20 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA
KR100552820B1 (ko) * 2004-09-17 2006-02-21 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US7966969B2 (en) * 2004-09-22 2011-06-28 Asm International N.V. Deposition of TiN films in a batch reactor
US7265048B2 (en) * 2005-03-01 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Reduction of copper dewetting by transition metal deposition
JP4931169B2 (ja) * 2005-03-03 2012-05-16 株式会社アルバック タンタル窒化物膜の形成方法
US7396755B2 (en) * 2005-05-11 2008-07-08 Texas Instruments Incorporated Process and integration scheme for a high sidewall coverage ultra-thin metal seed layer
US7754906B2 (en) * 2005-10-07 2010-07-13 Air Products And Chemicals, Inc. Ti, Ta, Hf, Zr and related metal silicon amides for ALD/CVD of metal-silicon nitrides, oxides or oxynitrides
KR101044355B1 (ko) * 2005-12-06 2011-06-29 가부시키가이샤 알박 가스 헤드 및 박막제조장치
KR100727258B1 (ko) * 2005-12-29 2007-06-11 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장치의 박막 및 금속 배선 형성 방법
CN101426952A (zh) * 2006-04-18 2009-05-06 株式会社爱发科 成膜装置及阻挡膜的制造方法
US20080141937A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling a vapor delivery system
US20100120245A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Agus Sofian Tjandra Plasma and thermal anneal treatment to improve oxidation resistance of metal-containing films
US8076241B2 (en) * 2009-09-30 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Methods for multi-step copper plating on a continuous ruthenium film in recessed features

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10201485B2 (en) 2014-10-30 2019-02-12 Amorepacific Corporation Washing composition
KR20180106897A (ko) * 2017-03-17 2018-10-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
CN108624864A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010067778A1 (ja) 2010-06-17
JP5409652B2 (ja) 2014-02-05
US20110318505A1 (en) 2011-12-29
JPWO2010067778A1 (ja) 2012-05-17
TWI431146B (zh) 2014-03-21
KR101271869B1 (ko) 2013-06-07
TW201033392A (en) 2010-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7182676B2 (ja) 周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法及び関連する半導体デバイス構造
US10995405B2 (en) Deposition of molybdenum thin films using a molybdenum carbonyl precursor
JP4674061B2 (ja) 薄膜形成方法
TW504521B (en) Methods for preparing ruthenium metal films
JP4703810B2 (ja) Ｃｖｄ成膜方法
EP1939323B1 (en) Cyclic chemical vapor deposition of metal-silicon containing films
KR101271869B1 (ko) 질화 탄탈막의 형성 방법 및 그 성막 장치
CN108796471B (zh) 成膜方法和成膜装置
US7763311B2 (en) Method for heating a substrate prior to a vapor deposition process
KR100606398B1 (ko) 반도체 처리용의 성막 방법
US20070237895A1 (en) Method and system for initiating a deposition process utilizing a metal carbonyl precursor
US20120321817A1 (en) Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films
TW201942407A (zh) 氧化膜形成方法
CN112969813B (zh) 使用钌前体和还原气体的化学气相沉积方法
US20070281476A1 (en) Methods for forming thin copper films and structures formed thereby
Fine et al. Organometallic Chemical Vapor Deposition of Copper from a New Organometallic Precursor
JP6041464B2 (ja) 金属薄膜の製膜方法、および金属薄膜の製膜装置
JP4601975B2 (ja) 成膜方法
JP4666339B2 (ja) 導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法
US7192866B2 (en) Source alternating MOCVD processes to deposit tungsten nitride thin films as barrier layers for MOCVD copper interconnects
US7867560B2 (en) Method for performing a vapor deposition process
JP4448582B2 (ja) タンタル−炭素系薄膜の形成方法
TW202416415A (zh) 混合氣體供應裝置
WO2023086298A1 (en) Molybdenum precursor compounds
Gatineau et al. A New Liquid Precursor for Pure Ruthenium Depositions

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170317

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180321

Year of fee payment: 6