KR20110093728A - 터치 센서 장치 - Google Patents

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Abstract

광학적으로 투명한 기판(1); 상기 기판(1)에 형성되는 한편 최소한 하나의 투명 도전막(4)을 갖는 최소한 하나의 광학적으로 투명한 터치 센서 소자(4x, 4y); 그리고 상기 투명 도전막(4)의 전기적 접속을 위한 최소한 하나의 접촉 구조물(2)을 포함하는 터치 센서 장치(10)가 제공된다. 접촉 구조물(2)은 상기 투명 도전막(4)과 직접 접촉하는 최소한 하나의 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막(2)을 갖는다.

Description

터치 센서 장치{TOUCH SENSOR ARRANGEMENT}
본 발명은 터치 센서 장치에 관한 것이다.
터치 센서는 전자 장치에서 점점 자주 사용되고 있다. 특히, 최근 몇 년 동안 터치 센서는 정보를 네비게이션 시스템, PDAs (Personal Digital Assistants; 휴대용 미니컴퓨터), 휴대전화, PC 시스템, 복사기, 등에 입력하기 위한 직관적으로 조작가능한, 사용자 친화적 인터페이스(intuitive-to-operate, user-friendly interface)로서 자주 사용되고 있다. 많은 경우, 터치 센서 또는 다수의 터치 센서들의 장치가 예를 들면 액티브-매트릭스(능동 매트릭스형) 액정 스크린(TFT-LCD, 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(thin film transistor liquid crystal display))와 같은 예를 스크린에 의해 형성될 수 있는 디플레이 유닛에 걸쳐 배치된다. 이 경우 터치 센서 또는 터치 센서 장치는 손가락, 트레이서(tracer) 또는 어떤 다른 물체로 전자 장치를 터칭(touching)함에 의해 사용자가 전자 장치와 통신할 수 있도록 종종 형성된다.
이와 관련하여, 터치 센서 또는 터치 센서 장치의 표면에 터칭 포인트를 측정하기 위한 다양한 측정 원리들이 알려져 있다. 다양한 측정 원리들은 다양한 유형의 터치 센서 또는 터치 센서 장치를 분류하기 위해 또한 사용된다. 예를 들면 저항식 센싱(저항막방식 센싱), 정전용량방식 센싱, 음향식 센싱, 광학식 센싱(예를 들면 가시 범위에서 또는 적외선 범위에서) 및 전자(電磁)유도방식(유도식 센싱)(electromagnetic induction (inductive sensing)) 사이에는 차이가 있다. 시중에 있는 대부분의 터치 센서들 또는 터치 센서 장치들은 터치 포인트(touching point)의 위치를 검출하기 위해 저항막방식 또는 정전용량방식 센싱(resistive or capacitive sensing)을 사용한다. 정전용량방식 터치 센서 장치는 절연성 기판에 도포되는 2 개의 도전막(導電膜)(electrically conductive layer)을 갖는다. 상기 2 개의 도전막은 예를 들면 기판의 대향 표면들에 적어도 실질적으로 전체 면적에 걸쳐 도포되거나 또는 단치 기판의 일 측면에 대해 도포될 수 있다. 기판의 일 측면에만 도포되는 경우, 막들은 예를 들면 절연성 막에 의해 분리되어 층층이 배치되거나 또는 서로 인접하여 그리드(grid) 배열로 배치될 수 있다.
디스플레이 유닛에 걸친 장치의 경우, 사용자가 디스플레이 유닛을 볼 수 있도록, 터치 센서 또는 터치 센서 장치는 광학적으로 투명한 형태이어야 한다(적어도 대부분은).
이러한 터치 센서들의 경우 터치 센서 소자의 전극으로서 도전성 투명막을 제공하는 것이 알려져 있다. 관련 전기 전도성이며 광학적으로 투명한 막들은 예를 들면 많은 경우에 있어서 예를 들면 ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), AZO (aluminum zinc oxide) 또는 ATO (antimony tin oxide), 폴리머도전막 또는 유사한 물질과 같은 TCO (transparent conducting oxide)(투명 전도막)로부터 제조된다.
US 2009/0096759 A1은 스크린 상의 터치 센서 장치를 기술한다. 이것은 광학적으로 투명한 터치 전극이 절연성 기판에 배치되며 터치 전극 상의 터칭 위치가 전기 신호에 의해 검출되는 터치감지스크린(터치스크린)을 기술한다. 제1 내지 제3 실시형태에서는, 정전용량방식(용량식 센싱)의 터치 센서 장치가 기술되며, 또 다른 실시형태들에서는 저항막방식(저항식 센싱)의 터치 센서 장치가 기술된다.
US 2009/0160824 A1은 정전용량방식의 터치감지스크린(터치스크린)용 2차원 센서 구조를 기술한다. 복수의 광학적으로 투명한 터치 센서 소자들이 제공되어, 스크린 상의 그리드 내에 배치된다(제1 방향과 이에 수직한 제2 방향으로 상이한 위치들을 가짐). 광학적으로 투명한 터치 센서 소자들은 금속 접촉 구조물(contacting structure)에 의해 전기적으로 접촉(접속)(contact)된다. 이 경우 금속 접촉 구조물은 절연성 유리 기판에 대해 하나의 막으로서 도포된다.
위에서 기술한 다양한 터치 센서 장치들에서 터치 신호 또는 위치 신호를 감지하는 것을 가능하게 하기 위해서는, 전기 전도성, 투명막들이 평가 유닛에 전기적으로 접속되어야 한다. 측정 정확성과 측정 속도와 관련하여 요구되는 특성을 갖는 터치 센서 장치를 얻기 위해서, 평가 유닛에 대한 전기적 접속은 통상적으로 터치 센서의 전극의 투명 도전막보다 더 큰(통상적으로 2 내지 3 크기 차수만큼 더 큰) 전도성을 갖는 금속 접촉 구조물에 의해 이루어진다. 금속 전도체 트랙들이 이와 관련하여 일반적으로 사용된다. 투명 도전성 막(electrically conductive, transparent layer)과 접촉구조물은 통상적으로 투명, 비전도 보호막(transparent, non-conducting protective layer)으로 코팅되며, 이 보호막은 그 아래에 놓인 센서층들을 부식, 습기, 땀, 오염물질 및 예를 들면 스크래치에 의해 야기되는 손상으로부터 보호하는 목적을 갖는다. 투명 도전 박막의 도포와 접촉 구조물의 도포 모두 일반적으로 기판 상의 음극 스퍼터링(cathode sputtering) 및 증착에 의해 이루어진다. 터치 센서 장치의 형성은 통상적으로 습식-화학적 에칭 공정과 결합한 포토리소그래피(photolithography)에 의한 개별막들의 구조화를 포함한다. 패시베이션층(passivation layer)(보호막)은 통상적으로 화학기상증착법(CVD)에 의해 증착되며 습식 또는 플라즈마 에칭에 의해 구조화된다.
막 증착공정(layer depositing process)에 의한 이러한 터치감지장치의 제조에서는, 예를 들면 대형(대면적) 터치감지스크린의 제조에서와 같은 특히 넓은 면적을 갖는 기판의 경우 또 다른 문제가 발생한다. 접촉 구조물 및 투명 도전막의 증착 시, 기판과 이에 도포되는 막들의 영역에서의 상이한 열팽창 계수 때문에 그리고 증착 공정의 또 다른 파라미터들 때문에(음극 스퍼터링의 경우에는 특히 작동 가스의 압력 및 기판 온도) 상이한 인장 응력(tensile stress) 또는 압축 응력(compressive stress)이 기판 표면에 평행한 평면에 발생한다. 이들 응력 차이들은 이로 인해 예를 들면 기판의 위로 향하는 변형을 야기할 수 있으며, 이것은 특히 대형 터치스크린의 경우 원하지 않은 결과로 이어진다. 극단적인 경우, 이것은 심지어 기판의 파괴로 이어질 수도 있다. 또한, 이들 영향들은 접촉 구조물(contacting structure)이 원하지 않은 변형을 하도록 야기할 수도 있다. 과도한 인장 응력의 경우, 막에 크랙이 발생할 수 있으며, 과도한 압축 응력의 경우 위로 향하는 변형 또는 접힘이 발생할 수 있다. 예를 들면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 접촉 구조물을 위한 재료로서 사용되는 경우, 소위 작은 언덕들(hillocks)이 형성된다, 즉 접촉 구조물 표면의 원하지 않은 변형이 발생한다. 제조공정의 후속하는 단계에서, 이들은 조악한 막 형성 또는 막 커버리지(덮힘률)와 예를 들면 터치 센서의 단락과 같은 또 다른 문제점들을 야기할 수 있다. 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 접촉 구조물을 위해 사용되는 경우, 또한 전기 접촉부에 투명 도전막들에 관하여 낮은 이동 저항을 제공하기 위해 특별한 조치가 취해져야 한다.
특히 예를 들면 휴대전화, PDA, 네비게이션 장치 등과 같은 휴대용 장치들의 경우에는, 작동 동안 터치 센서 또는 터치 센서 장치는 주위 환경 영향으로 인한 높은 스트레스에 노출된다(부식, 습기, 땀). 또한, 일반적으로 단지 수 마이크로미터 두께인 종종 매우 얇은 보호층으로 인해, 때로는 산화물질(예를 들면 산소, 등)이 확산되어 통과하여 그 아래에 위치한 막들과 반응할 수 있다. 이것은 부식 또는 산화에 의해 금속 접촉 구조물에 손상을 야기할 수 있다. 이 손상은 접촉 구조물의 전기 전도성의 변화(보통은 저하)로 이어질 수 있으며, 이것은 차례로 터칭 위치 검출의 에러를 발생시킬 수 있다. 극단적인 경우, 이것은 접촉 구조물의 완전한 전기적 중단을 야기할 수 있다.
따라서 접촉 구조물은 이러한 터치 센서 장치들의 경우에서 다수의 상이한 요구사항들을 충족해야만 한다. 접촉 구조물의 재질은 한편으로는 제조 동안 에칭 공정에서의 가공의 관점에서 우수해야 하며, 즉 에칭의 관점에서 우수해야 하거나 우수한 에칭 거동을 가져야 하며, 그리고 다른 한편으로는 높은 내식성과 터치 센서 장치의 적용에 있어 외부 영향에 대한 내성을 가져야 한다. 또한, 접촉 구조물은 비교적 높은 전기 전도성과 각각의 전기 전도성 투명 구조물에 관하여 낮은 이동 저항과 가져야 한다. 또한, 개별 층들에서의 상이한 인장 응력과 압축 응력에 의해 야기되는 원하지 않은 효과는 가능한 작게 유지되어야 하거나 보상되어야 한다.
본 발명의 목적은 가능한 가장 유리한 에칭 거동과 함께 동시에 우수한 내식성 및 다른 내성, 가능한 가장 높은 전기 전도성과 함께 가능한 가장 낮은 이동 저항, 그리고 개별층들 내의 기계적 응력 구배들에 의해 야기되는 불리한 영향들의 가능한 완전한 회피를 달성하는 전기 전도성 투명막의 전기 접촉을 위한 접촉 구조물을 포함하는 터치 센서 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은 청구항 제1항에서 청구된 바와 같은 터치 센서 장치에 의해 달성된다. 유리한 태양들은 종속항들에서 제공된다.
터치 센서 장치는 다음을 갖는다: 광학적으로 투명한 기판, 상기 기판에 형성되며 적어도 하나의 투명 도전막을 갖는 적어도 하나의 광학적으로 투명한 터치 센서 소자, 그리고 투명 도전막의 전기적 접촉(접속)을 위한 적어도 하나의 접촉 구조물. 투명 도전막과 직접 접촉하는 접촉 구조물은 0.02≤y≤0.15를 갖는 적어도 하나의 MoxTay막을 갖는다.
"터치(touch)" 또는 "터칭(touching)"은 본 명세서에서는 단지 직접 물리적 접촉을 갖는 직접 터칭을 의미할 뿐만 아니라 또한 대상이 센서 소자 바로 인접한 위치 내로 와서 센서 소자가 그것이 접근하는 것을 감지할 수 있을 때도 의미하는 것으로 이해된다. 터치 센서 장치는 본 명세서에서는 터치 센서 소자가 손가락, 트레이서(tracer) 또는 어떤 다른 물체로 터치되거나 또는 이들이 적어도 터치 센서 소자의 바로 인접한 위치 내로 오는 때를 감지하는 것을 가능하게 하는 장치를 의미하는 것으로 이해된다. 특히, 터치 센서 소자는 예를 들면 서두에 기술된 바와 같은 저항막방식 또는 정전용량방식 센싱(resistive or capacitive sensing)을 위해 설계될 수 있다. 터치 센서 장치는 특히 사용자가 손가락, 트레이서(tracer) 또는 어떤 다른 물체로 터칭함에 의해 전자 장치와 통신할 수 있는 방식으로 특히 정보를 전자 장치 내로 입력하기 위한 인터페이스로서 형성될 수 있다.
"광학적으로 투명한" 또는 "투명한"은 본 명세서에서는 각각의 층들 또는 구조물들이 가시영역의 빛에 대해 적어도 대부분 투명하여 가시 영역의 빛이 적어도 대부분 방해받지 않고 통과될 수 있는 것을 의미하는 것으로 이해된다.
0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay은 일반적으로 합금을 의미하며 여기서; x + y = 1 이다. 본 명세서에서 x 및 y에 대해 주어지는 숫자들은 항상 원자 퍼센트를 말한다. 그러나, 이것은 최고순도의 MoxTay일 필요는 없으며, 다른 원소들을 갖는 분순물들이 존재할 수도 있다는 점을 주목해야 한다. "적어도 하나의 MoxTay막"은 본 명세서에서는 접촉 구조물이 MoxTay막에 추가하여 하나 또는 그 이상의 다른 재질로 구성되는 하나 또는 그 이상의 또 다른 막들을 또한 가질 수 있거나 그렇지 않으면 다수의 MoxTay막들이 가능하게는 하나 또는 그 이상의 다른 막들과 조합으로 제공될 수 있음을 의미하는 것으로 이해된다. 그러나, 접촉 구조물을 전적으로 MoxTay로 형성하는 것이 또한 가능한 바, 왜냐하면 이것이 높은 전기 전도성을 갖기 때문이다. 이 경우, 단순화된 막 구조가 제공된다 (접촉 구조물이 상이한 재질로 구성되는 다수의 층들로 형성되는 공지된 터치 센서 장치와 비교하여 단순화됨).
투명 도전막과 직접 접촉하는 접촉 구조물은 0.02≤y≤0.15를 갖는 적어도 하나의 MoxTay막을 갖기 때문에, 접촉 구조물은 낮은 전기 저항을 가지며 그리고 특히 투명 도전막에 관하여 낮은 이동 저항이 제공된다. 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막은 제조 동안 특히 유리한 에칭 거동을 나타내며, 즉 습식-화학적 에칭 공정에서의 에칭의 관점에서 우수하며, 그러나 다른 한편으로는 또한 완성된 터치 센서 장치에서 높은 내식성과 다른 내성을 갖는다는 사실이 발견되었다. 이 특성은 습식-화학적 에칭에서 사용되는 통상의 화학적 공정에서의 가공의 관점에서 우수하지만, 다른 한편으로는 일반적으로 원하지 않게 발생하며 다른 주위 조건들 하에서 그리고 다른 pH 값들로 발생하는 대기 산화 과정과 부식 과정의 관점에서 높은 내성을 갖는 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay에 의해 발생된다. 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막의 경우, 또한 기판 상의 응력 조건이 터치 센서 장치의 제조 동안 매우 잘 제어될 수 있으며, 따라서 기판의 변형이 회피될 수 있으며 우수한 층 밀착성(adherence)이 달성될 수 있다. 특히 기판 표면에 평행한 평면에서 인장 응력을 야기시키는 Al 또는 Al≥90 원자 퍼센트 비율의 Al 합금(특히 예를 들면 AlNd 합금)으로 구성되는 적어도 하나의 또 다른 막을 갖는 접촉 구조물의 다중막 구조의 경우, 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막은 층 구조물에서 전체적으로 우수한 응력 보상을 발생시킨다. MoaNbb막과 비교하면, 예를 들면, MoxTay막에 의해 접촉 구조물의 저저항이 제공되며, 에칭 거동과 내식성이 상당히 개선되며 개선된 응력 보상이 층 구조물에서 전체적으로 달성된다.
MoxTay막에 대해 0.03≤y≤0.09 인 경우 바람직하다. 이 관계식의 경우 특히 전술한 유리한 이점들이 특히 높은 정도로 달성된다는 사실이 발견되었다.
일 구성예에 따르면, 접촉 구조물은 다중막 구조이며 Al 또는 Cu 또는 Ag 또는 Au 또는 Al 합금(with an Al content≥90 atomic percent) 또는 Cu 합금(with a Cu content≥90 atomic percent) 또는 Ag 합금(with an Ag content≥90 atomic percent) 또는 Au 합금(with an Au content≥90 atomic percent)으로 구성되는 적어도 하나의 층을 갖는다. 이 경우, 접촉 구조물의 특히 높은 전기 전도성이 Al, Cu, Ag 또는 Au 또는 이들의 합금으로 달성되며 투명 도전막에 대한 전기적 접속은 MoxTay막에 의해 형성된다. 기판과 Al, Cu, Ag, Au 또는 이들의 합금으로 이루어진 막 사이에 형성된 MoxTay막의 경우, 기판 상의 개선된 밀착성이 또한 특히 달성된다. 이 경우 접촉 구조물은 바람직하게는 이중막 또는 삼중막 구조를 갖는다. Cu 합금의 경우, Mg, Ca 및/또는 Mn을 갖는 합금이 특히 사용될 수 있다. MoxTay막은 접촉 구조물의 기술된 유리한 에칭 거동 및 높은 내식성 및 다른 내성을 제공한다. Al 또는 90 원자 퍼센트 이상의 Al 함량을 갖는 Al 합금, 특히 AlNd 합금으로 이루어진 적어도 하나의 막과 적어도 하나의 MoxTay막을 갖는 접촉 구조물의 막 구조가 특히 바람직하다. 이 경우, 상기 적어도 하나의 MoxTay막은 알루미늄 산화물의 절연성 표면층의 형성으로부터 Al 또는 Al 합금의 막을 신뢰가능하게 보호하며 투명 도전막의 신뢰가능한 전기적 접촉(접속)을 보장한다. 특히 이 조합의 경우, MoxTay막은 Al 또는 Al 합금의 막에 의해 도입된 응력에 대한 특히 유리한 보상을 달성하며 예를 들면 소위 작은 언덕들(hillocks)과 같은 표면의 원하지 않은 변형의 형성을 막는다. 특히 바람직한 구성예에서는, 접촉 구조물은 Al 또는 Al 합금의 막과 MoxTay막을 갖는 이중막 구조를 가지거나 MoxTay막, Al 또는 Al 합금의 막 및 또 다른 MoxTay막을 갖는 삼중막 구조를 갖는다.
일 구성예에 따르면, 터치 센서 장치의 접촉 구조물은 전자 활성 및 평가 유닛(electronic activation and evaluation unit)에 대한 접속을 위한 적어도 하나의 접촉(접속) 단말기(contact terminal)를 가지며 접촉 단말기의 노출된 표면은 적어도 하나의 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막에 의해 형성된다. 전자 평가 유닛으로의 전기적 연결이 터치 센서 장치를 위해 필요하며 이 전기적 연결은 일반적으로 터치 센서 장치가 형성된 다음 훨씬 이후의 시간에서 발생하는 가공 단계에서 완전히 형성되기 때문에, 이 경우 다수의 접촉 단말기들이 일반적으로 요구된다. 접촉 단말기들은 매우 상이한 주변 상황에 노출되기 때문에(예를 들면 종종 저장 및/또는 이송 동안의 비교적 긴 기간 동안에 걸쳐), 접촉 단말기들은 높은 전기 전도성뿐만 아니라 높은 내식성과 다른 내성도 가져야 하며, 이것은 적어도 하나의 MoxTay막에 의해 달성된다. 적어도 하나의 접촉 단말기의 노출 표면 상의 적어도 하나의 MoxTay막은 원하지 않은 부식이 이 지점에서 방지되는 것을 가능하게 한다. 또한, 접촉 단말기의 요구되는 구성은 이 경우 접촉 구조물의 형성과 동일한 공정 단계에서 수행될 수 있으며, 따라서 적은 수의 단계들을 갖는 효율적인 제조 공정이 가능하게 된다.
일 구성예에 따르면, 터치 센서 장치는 터치 센서 스크린(터치스크린)의 일부를 형성한다. 특히 이 경우에서는, 작동 동안 대부분은 예를 들면 부식, 습기, 땀 또는 기계적 효과와 같은 환경 영향으로 인한 부하에 노출된다. 높은 내식성 및 다른 내성은 특히 터치 센서 장치의 청구된 구성에 의해 이 적용을 위해 달성된다.
일 구성예에 따르면, 터치 센서 장치는 그리드(grid)에 배치되는 복수의 터치 센서 소자들을 갖는다. 특히 이러한 구성의 경우, 접촉 구조물은 내성이며 우수한 전기 전도성을 갖는 많은 터치 센서 소자들의 접촉(contacting)을 제공해야 하며, 이것은 청구된 특징들의 조합에 의해 달성된다. "그리드에 배치된(arranged in a grid)"은 본 명세서에서는 터치 센서 소자들이 기판 표면 상의 다양한 지점들에서 소정의 패턴(pattern)으로 배치되는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 그러나, 상기 패턴은 여기서는 직교 배치로 제한되는 것은 아니다(예를 들면 체커보드(checkerboard) 방식으로).
일 구성예에 따르면, 적어도 하나의 투명 도전성 막은 TCO (transparent conducting oxide)(투명 전도막), 투명 도전성 폴리머 또는 탄소 나노-튜브의 코팅을 포함한다. 이들의 광학적 투명도와 전기 전도성 때문에, 이들 재료들은 터치감지스크린에서 사용되는 터치 센서 장치들의 구성을 위해 특히 적합하다. 특히 ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), AZO (aluminum zinc oxide) 또는 ATO (antimony tin oxide)가 투명 전도막으로서 여기서 특히 이용될 수 있다. 적어도 하나의 MoxTay막은 특히 이들 물질들과 접촉할 때 전술한 유리한 특성들을 보여준다는 사실이 발견되었다.
일 구성예에 따르면, 터치 센서 장치로부터 멀어지는 쪽을 향하는 광학적으로 투명한 기판의 후방측은 액정표시장치의 적어도 하나의 부품을 위한 기판을 형성한다. 이 경우, 소위 "인셀(in-cell)" 터치 센서 장치가 제공되며, 이 경우 터치 센서 장치는 그 아래에 위치되는 스크린에 대하여 별도의 기판을 가질 필요가 없다. 특히 이러한 구성의 경우, 기판 내의 원하지 않은 응력의 회피가 중요하며 이것은 전술한 바와 같이 특정된 터치 센서 장치에 의해 달성된다. 그러나, 예를 들면, 터치 센서 장치와 액정표시장치의 적어도 하나의 부품을 기판의 동일한 측 상에, 바람직하게는 작동 동안 외부 측을 형성하지 않은 측 상에 형성하는 것이 또한 가능하다.
상기 목적은 청구항 제9항에서 청구된 바와 같은 스퍼터링 타겟의 이용에 의해 또한 달성된다. 유리한 태양들은 종속항에 특정된다. 스퍼터링 타겟은 광학적으로 투명한 기판 상에 형성되는 터치 센서 장치의 광학적으로 투명한 터치 센서 소자의 투명 도전막과 직접 접촉하는 접촉 구조물을 형성하기 위해 사용된다. 스퍼터링 타겟은 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막을 포함한다. 접촉층을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟의 사용은 접촉층이 음극 스퍼터링에 의한 기판 상의 증착에 의해 형성되는 것을 가능하게 한다. 이 경우, 접촉 구조물의 높은 전기 전도성과 함께 투명 도전막에 관한 낮은 전기 이동 저항, 접촉 구조물의 우수한 내식성 및 다른 내성뿐만 아니라, 기판 표면에 평행한 평면 내의 응력들에 대한 우수한 보상이 달성된다. 이것은 0.03≤y≤0.09 인 경우 특히 크게 달성된다. 상기 목적은 청구항 제11항에서 청구된 바와 같은 투명 도전막을 접촉(접속)하기 위한 접촉 구조물을 스트럭쳐링(structuring)(구조화)하기 위한 식각액(etching solution)의 이용에 의해 또한 달성된다. 접촉 구조물은 0.02≤y≤0.15를 갖는 적어도 하나의 MoxTay막을 갖는다. 식각액은 인산 및/또는 아세트산(초산) 및/또는 질산을 용액 구성 성분으로서 갖는다. 인산의 비율은 바람직하게는 60-90 중량%이며, 아세트산의 비율은 바람직하게는 0-20 중량%이며, 그리고 질산의 비율은 바람직하게는 1-12 중량%이다. 어쩌면 잔여 부분은 물과 어쩌면 습윤제 (예를 들면 불소화합물 또는 음이온 첨가제)일 수도 있다.
본 발명은 가능한 가장 유리한 에칭 거동과 함께 동시에 우수한 내식성 및 다른 내성, 가능한 가장 높은 전기 전도성과 함께 가능한 가장 낮은 이동 저항, 그리고 개별층들 내의 기계적 응력 구배들에 의해 야기되는 불리한 영향들의 가능한 완전한 회피를 달성하는 전기 전도성 투명막의 전기 접촉을 위한 접촉 구조물을 포함하는 터치 센서 장치를 제공하는 효과가 있다.
유리한 태양들과 및 구성예들은 첨부한 도면들 참조로 이하의 실시예들의 기술에 의해 제공된다.
도 1은 일 실시예에 따르는 터치 센서 장치의 구조의 평면도를 개략적으로 도시하며,
도 2는 기판의 표면에 수직한 도시로 터치 센서 장치의 다양한 영역들을 개략적으로 도시하며,
도 3는 또 다른 실시예의 경우에서 터치 센서 장치의 다양한 영역들을 개략적으로 도시한다.
제1 실시예
본 발명의 제1 실시예는 도 1 및 도 2를 참조로 이하에서 기술된다. 도시된 실시예의 경우, 터치 센서 장치(10)는 터치 센서 스크린(터치스크린)의 일부를 형성한다. 도시된 실시예의 경우, 터치 센서 장치는 소위 "인셀(in-cell)" 터치 센서 장치로서 구성되며, 터치 센서 장치(10)의 광학적으로 투명한 기판(1)은 동시에 LCD 스크린의 컬러 필터 기판(color filter substrate)을 형성한다. 터치 센서 장치로부터 멀어지는 쪽을 향하는 광학적으로 투명한 기판(1)의 후방측은 결과적으로 액정표시장치의 적어도 하나의 부품을 위한 기판을 형성한다. 그러나, 터치 센서 장치가 구현되는 방법은 이러한 구성으로 제한되지는 않는다. 또한 기판(1)은 예를 들면 유리 또는 투명 플라스틱 재질의 예를 들면 분리된 기판으로서 형성될 수도 있으며 그리고 예를 들면 경질 플레이트 또는 유연성 시트로서 형성될 수도 있다. 그러나, 모든 경우들에서 광학적으로 투명한 기판(1)은 전기 절연 물질로 구성된다.
도시된 실시예의 경우, 터치 센서 장치(10)는 도 1에 예를 들면 정사각형으로서 도시되는 복수의 터치 센서 소자들이 기판(1)의 표면 상에 측정(검출) 영역의 형상으로 배치되도록 형성된다. 그러나, 터치 센서 장치는 이러한 구성으로 제한되지는 않는다. 예시의 경우, 터치 센서 장치는 정전용량방식 센싱(capacitive sensing)을 위해 구성된다. 도시된 예시적인 실시예의 경우, 터치 센서 장치의 기능과 구조는 US 2009/0160824 A1에 기술된 것에 대체로 대응되지만, 그 구성이 이러한 구조로 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 저항막방식 센싱(resistive sensing)을 위한 터치 센서 장치를 구성하는 것이 또한 가능하다.
도시된 실시형태의 경우, 기판의 동일한 측부 상의 정전용량방식 센싱을 위해 필요한 2 개의 전도성 막(전극)은 행렬(rows and columns)의 그리드(grid) 내에 체커보드(checkerboard) 같은 패턴으로 구조화된다. 구조화(structuring) 때문에, 복수의 터치 센서 소자들이 결과적으로 형성되며, 정전용량방식 센싱을 위한 2 개의 전극을 형성한다. 정전용량방식 터치 센서 장치(10)의 2 개의 전극은 동일한 재질로 제조되며, 다시 말하면 전기 전도성, 광학적으로 투명한 막(4)으로 제조된다. 이것을 분명히 도시하기 위해, 2 개의 전극들은 도 1에서 음영으로서 다르게 도시된다. 일 전극측의 터치 센서 소자(4x)들은 수평방향으로 음영이 나타나게 도시되며 다른 전극측의 터치 센서 소자(4y)들은 수직방향으로 음영이 나타나게 도시된다. 터치 센서 소자(4x)들은 그들의 각 코너들에 의해 (수평인) 행(row)들에서 전기 전도 방식으로 서로 접속된다(도 1에 실선에 의해 개략적으로 도시된 바와 같이). 터치 센서 소자(4y)들은 마찬가지로 그들의 각 코너들에 의해 (수직인) 열(column)들에서 전기 전도 방식으로 서로 접속된다(도 1에 점선에 의해 개략적으로 도시된 바와 같이). 개별 터치 센서 소자들의 연결(접속)은 이 경우 예를 들면 터치 센서 소자들(4x, 4y)의 재질로 형성될 수 있으며, 다시 말하면 투명 도전막(4)으로 형성되거나 예를 들면 이하에 기술되는 접촉 구조물의 재질로 형성될 수 있다. 예시적인 실시형태의 경우, 투명 도전막(4)은 투명 전도막(TCO, transparent conducting oxide)으로 제조되며, 이것은 음극 스퍼터링(스퍼터 증착)에 의해 기판에 도포된다. 투명 도전막(4)은 특히 ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), AZO (aluminum zinc oxide) 또는 ATO (antimony tin oxide)으로 형성될 수 있다. 그러나, 예를 들면 도전성 폴리머 막으로 투명 도전막(4)을 형성하는 것이 또한 가능하다. 열(column)들의 연결과 행(row)들의 연결이 크로스(교차)하는 영역(7)에서, 이들은 각 경우 서로에 대해 전기적으로 절연되어 형성되며, 이것은 예를 들면 그 사이에 배치되는 전기적 절연층에 의해 구현될 수 있다.
터치 센서 소자(4x)들의 각 행들은 전기 전도 접촉 구조물(2)을 통해 접촉 구조물(2)의 구역에 의해 각각 형성되는 접촉 단말기들(6)에 연결된다. 유사하게, 터치 센서 소자(4y)들의 각 열들은 접촉 구조물(2)을 통해 접촉 구조물의 구역에 의해 마찬가지로 각각 연결되는 또 다른 접촉 단말기들(6)에 연결된다. 접촉 단말기들(6)은 전자 활성 및 평가 유닛에 대한 전기적 접속(연결)을 제공할 목적을 위해 형성되며, 이에 의해 각각의 전압들이 터치 센서 소자들(4x, 4y)의 전극들에 인가될 수 있으며, 따라서 터치 센서 장치(10)의 터칭을 검출하며 그 위치에 관하여 그것을 평가할 수 있다. 접촉 단말기들(6)은 예를 들면 솔더링(soldering) 또는 브레이징(brazing), 전기 전도성 접착제, 본딩, 등과 같은 접착 부착에 의해 예를 들면 터치 센서 장치(10) 상의 연결 케이블 부착될 수 있는 구역들로서 형성된다.
터치 센서 장치(10)의 개별적인 구성 요소들의 구조는 도 2를 참조로 이하에서 더욱 상세히 기술된다. 도 2에는, 터치 센서 장치(10)의 다양한 구역들(B1, B2, B3 및 B4)이 도시된다. 구역(B1)은 접촉 단말기(6)의 구역에 위치된다. 구역(B2)는 접촉 구조물(2)이 형성되지만, 투명 도전막(4)은 없는 구역이다. 구역(B3)은 접촉 구조물(2)이 투명 도전막(4)과 접촉이 형성되는 곳에 위치한다. 구역(B4)는 접촉 구조물이 형성되어 있지 않고, 단지 투명 도전막(4)이 있는 곳에 위치한다.
구역(B1)에서, 접촉 단말기(6)는 기판(1) 상에 접촉 구조물(2)의 재질로 형성된다. 접촉 단말기(6)는 음극 스퍼터링에 의해 기판에 도포되는 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막으로 제조된다. 이 구역(B1)에서, 접촉 단말기(6)의 표면은 추후의 전기적 접촉 동안 노출된다.
구역(B2)에서는, 터치 센서 소자들(4x, 4y)의 접촉을 위한 접촉 구조물(2)을 형성하기 위하여, 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막이 기판(1)에 증착된다. 이 막 위에는 예를 들면 질화 규소(silicon nitride)로 구성될 수 있는 광학적으로 투명한 보호막(5)이 증착된다. 보호막(5)은 예를 들면 접촉 단말기(6)와 투명 도전막(4)을 갖는 접촉 구조물(2)의 형성 후에 화학기상증착법(CVD)에 의해 증착될 수 있다.
구역(B3)에서는, 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막을 포함하는 접촉 구조물(2)이 기판(1)에 증착되며, 투명 도전막(4)이 접촉 구조물과 직접 접촉한다. 투명 도전막(4)은 예를 들면 음극 스퍼터링(cathode sputtering)에 의해 도포된다. 이 구역(B3)에서는, 접촉 구조물(2)과 투명 도전막(4)은 기판(1)으로부터 멀어지는 쪽을 향하는 측 상에서 보호막(5)에 의해 덮인다.
구역(B4)에는, 적어도 하나의 터치 센서 소자가 있다. 이 구역(B4)에서는, 투명 도전막(4)은 기판(1) 상에 증착되며 이 막은 기판(1)으로부터 멀어지는 쪽을 향하는 측 상에서 보호막(5)에 의해 덮인다.
전술한 터치 센서 장치를 만들기 위한 제조 공정에서, 접촉 구조물(2)과 접촉 단말기(6)는 음극 스퍼터링(스퍼터 증착)에 의해 기판(1)에 도포된다. 증착에서, 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay로 이루어진 타겟 영역을 갖는 스퍼터링 타겟이 사용된다. 스퍼터링 타겟 형태의 MoxTay을 제공함에 의해, 저비용의 음극 스퍼터링이 상기 구조물들을 형성하기 위한 코팅 방법으로서 사용될 수 있다. 증착 조건의 적절한 선택에 의해, 특히 유리 기판인 경우, 접촉 구조물(2)과 접촉 단말기(6)의 기판(1)에서의 우수한 밀착성(adherence)이 달성될 수 있다. 적절한 증착 조건의 예시는 예를 들면 5-10 W/㎠의 DC 전력밀도를 갖는 직류 음극 스퍼터링(DC 스퍼터링), 2.5 x 10-3 내지 7.5 x 10-3 mbar의 압력을 갖는 아르곤 작동 가스 및 실온과 150℃ 사이의 기판 온도이다.
제조 공정에서, 투명 도전막(4)과 MoxTay막은 습식-화학적 에칭 공정과 결합한 포토리소그래피(photolithography)에 의해 구조화된다. 이 경우 식각(etching)은 바람직하게는 인산 및 질산 그리고 가능하게는 아세트산(초산)으로 이루어진 식각액(PAN 식각액)으로 수행된다. 이 경우 인산의 비율은 바람직하게는 60-90 중량%이며, 질산의 비율은 바람직하게는 1-12 중량%이며, 아세트산의 비율은 바람직하게는 0-20 중량%이며, 그리고 잔여 부분은 물에 의해 형성되며, 습윤제(예를 들면 불소화합물 또는 음이온 첨가제)가 포함되는 것이 또한 가능하다. 보호막(5)은 습식 또는 플라즈마 에칭에 의해 구조화된다.
터치 센서 장치(10)의 사용에서, 전압이 전자 평가 및 제어 유닛에 의해 터치 센서 소자들(4x, 4y)에 공지된 방법으로 인가된다. 전자 평가 및 제어 유닛은 터치 센서 소자들(4x, 4y)이 손가락, 트레이서(tracer) 또는 어떤 다른 물체로 터치되거나 또는 접근됨에 의해 유발되는 정전 용량의 변화를 감지하며, 터치 센서 장치 상의 사용자 입력의 x/y 좌표들이 마찬가지로 공지된 방법으로 이로부터 계산된다.
제1 실시예의 경우, 터치 센서 장치의 구조는 접촉 구조물이 다중막 구조를 갖는 공지된 터치 센서 장치와 비교하여 단순화된다.
제2 실시예
제2 실시예는 도 1 및 도 3를 참조로 이하에서 기술된다. 제2 실시예는 접촉 구조물의 구조에서만 제1 실시예와 다르다. 중복을 피하기 위해, 제1 실시예와의 차이점만 이하에서 기술한다. 동일한 지정은 동일한 구성요소에 대해 계속 유지된다.
접촉 구조물(2)이 단지 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막에 의해 형성되는 제1 실시예와의 차이점으로서, 제2 실시예의 경우에는 접촉 구조물(2', 3)이 다중막 구조를 갖는다. 도 3에 도시된 실시예의 경우, 접촉 구조물은 막(3)과 그 위에 형성된 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막(2')을 갖는다. 막(3)은 Al, Cu, Au, Ag, 90 원자 퍼센트 이상의 Al 비율을 갖는 Al 합금, 90 원자 퍼센트 이상의 Cu 비율을 갖는 Cu 합금, 90 원자 퍼센트 이상의 Au 비율을 갖는 Au 합금 또는 90 원자 퍼센트 이상의 Ag 비율을 갖는 Ag 합금으로 형성된다. 막(3)은 바람직하게는 Al 또는 Al 합금으로 형성된다. 막(3)은 음극 스퍼터링에 의해 기판에 증착된다. 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막(2')은 음극 스퍼터링에 의해 금속막(3)에 증착된다.
제2 실시예에 따르는 터치 센서 장치의 경우, 대체로 제1 실시예의 경우와 동일한 이점들이 달성되며 이하에서 더욱 상세히 설명된다. 그러나 제2 실시예에 따르는 해결책의 경우에는, 막(3)이 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막보다 더 높은 전도성을 제공하기 때문에 접촉 구조물에 제1 실시예와 비교하여 향상된 전도성을 제공하는 것이 가능한다. 예를 들면, 300 nm 두께 MoxTay막은 약 11 μohmcm의 저항률을 가지며, 2 개의 막, 250 nm 두께 Al막과 50 nm 두께 MoxTay막을 포함하는 막은 약 3.5 μohmcm의 저항률을 갖는다.
변형예
제2 실시예의 변형예에 따르면, 접촉 구조물은 삼중막 구조를 가지며, 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막이 기판에 증착되며, (제2 실시예의 경우에서 기술된 바와 같은) 막(3)이 이 막위에 증착되며, 0.02≤y≤0.15를 갖는 또 다른 MoxTay막(2')이 금속막(3)에 증착된다. 다중막 구조의 경우, 변형예에 따르는 막 구조는 특히 기판(1)이 유리로 구성되는 경우, 기판(1) 상의 특히 우수한 밀착성을 달성한다.
본 발명에 따르는 해결책으로 달성되는 이점들을 이하에서 더욱 상세히 설명한다. 대기의 습기, 물, 땀, 등에 대한 높은 내식성은 적어도 하나의 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막을 갖는 접촉 구조물(2)을 갖는 본 터치 센서 장치에 의해 달성된다. 또한, 대기의 산소 및 주위 공기 내의 다른 산화물질에 대한 높은 내산화성이 달성된다. 동시에, 포토리소그래피(photolithography) 테크닉과 결합한 종래의 습식-화학적 에칭 공정과에 의한 우수한 구조화능력(structurability)이 제공된다. 접촉 구조물은 높은 전기 전도성을 제공하며 기판(1)의 재질에 우수한 밀착성을 제공한다. 투명 도전막(4)에 관하여 낮은 이동 저항을 갖는 양호한 전기 접촉은 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막에 의해 달성된다. 음극 스퍼터링(스퍼터 증착)에 의한 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막의 증착 때문에, 증착은 안정적이며, 제어가 용이하며, 저비용 코팅 공정으로 수행되며, 이것은 심지어 넓은 면적의 기판에 대해서도 이용가능하다.
전체 터치 센서 장치를 위한 제조 공정은 통상적인 박막 기술을 사용하여 수행된다. 막들은 우선 PVD(물리기상증착법) 또는 CVD(화학기상증착법) 공정에 의해 넓은 면적에 걸쳐 기판 상으로 코팅되며 이어서 포토리소그래피 공정에 의해 (각 경우) 구조화된다. 요구되는 에칭 단계는 이 경우 예를 들면 습식-화학적으로 수행되거나 또는 건식-에칭 공정에 의해 수행될 수 있으며, 습식-화학적 에칭 공정은 주로 금속막을 위해 고려된다. 습식-화학적 에칭은 이 경우 예를 들면 인산과 질산의 혼합물 또는 인산, 질산 및 초산의 혼합물에 의해 수행될 수 있다. Al 또는 Al 합금으로 구성되는 적어도 하나의 막이 있는 경우에 대해서는, 이것은 다음의 공정들을 특히 수반한다:
Figure pat00001
습식-화학적 에칭 공정 동안에, 방정식 R2에 명기된 바와 같은 산의 양성자(H+이온)에 의해 금속막이 산화되거나 또는 방정식 R3에 명기된 바와 같은 질산 이온에 의 해 금속막이 산화된다. 산화된, 용존 금속 종류는 방정식 R5에 명기된 바와 같은 인산 이온에 의해 용액 내에서 안정화된다.
화학적 관점에서, 회피되어야 할 원하지 않은 부식 또는 대기 중의 산화와 제조 공정을 위해 필요한 습식 에칭은 동일한 프로세스이지만, 이것은 상이한 주위 조건과 pH 조건 하에서 발생한다. 부식과 대기 중의 산화가 가능한 느린 반응 속도로 발생하거나 또는 전혀 발생하지 않도록 의도되는 반면, 습식-에칭과 구조화 공정 동안의 산화 프로세스는 요구되는 것이며 그 반응이 충분히 빠른 속도로 수행되어야 한다. 접촉 구조물의 형성을 위해 사용되는 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay는 이들 상충하는 요구사항들을 충족시킨다.
0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막은 이 경우 높은 전기 전도성을 제공한다. 접촉 구조물이 다중막 구조로 형성될 경우 및 특히 Al 또는 Al 합금의 막으로 형성되는 경우, 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막은 그 표면 상의 절연성 산화알루미늄막의 형성을 또한 방지한다. 특히 이러한 다중막 구조의 경우, 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막은 또한 막 구조 내에서 우수한 응력 보상을 가져온다. Al 또는 Al 합금의 막을 통해 막 구조 내로 그리고 기판 내로 도입되는 한편 기판 표면에 평행한 평면 내에 작용하는 인장 응력은 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay막에 의해 도입되는 한편 마찬가지로 기판 표면에 평행한 평면 내에 작용하는 압축 응력에 의해 특히 유리하게 보상된다. 그로 인해서, 기판의 결과 변형률(strain) 및 변형(deformation)이 효과적으로 회피된다.
터치 센서 장치가 작동 동안 외부에 놓이는 표면에 배치되는 터치 센서 장치의 구현예가 실시예들을 참조로 위에서 기술되었지만, 예를 들면 터치 센서 장치를 기판의 반대편 후방측에 배치하는 것이 또한 가능하다. 소위 양 전극들이 기판의 동일한 측에 배치되는 구현예가 여기서 기술되었지만, 예를 들면 하나의 전극이 기판의 일 측에 배치되고 다른 전극은 기판의 반대 측에 배치되는 것이 또한 가능하다.
터치 센서 장치의 전극들이 체커보드(checkerboard) 패턴으로 기판의 표면에 배치되는 구현예가 실시형태들을 참조로 기술되었지만, 이들은 예를 들면 약간 다른 패턴 또는 그리드에 또한 배치될 수도 있다. 또한, 예시적인 실시형태들의 경우에서와 같이 전극들이 기판 표면 상에 서로 인접하여 배치되지 않고, 절연막에 의해 서로 분리되어 층층이 배치되는 것도 또한 가능하다. 이 경우, 전극들은 예를 들면 넓은 면적에 걸쳐 구현될 수 있거나 그렇지 않으면 예를 들면 x/y 그리드 내에 스트럭쳐링(structuring)을 가질 수 있다. 특히 이러한 경우에 많은 터치 센서 소자들을 갖는 그리드 내의 이러한 배치가 또한 가능하며, 이에 의해 다양한 지점들에서의 터칭(touching)이 동시에 감지되는 것이 가능하다(소위 멀티-터치 구현(multi-touch implementation)).
접촉 구조물이 기판에 증착되며 터치 센서의 적어도 하나의 투명 도전막이 접촉 구조물에 부분적으로 증착되는 구현예가 실시형태들을 참조로 기술되었지만, 예를 들면 접촉 구조물이 투명 도전막에 부분적으로 증착되는 반대의 배치가 또한 가능하다. 다른 말로 말하면, 막 구조를 형성하고 구조화할 때, 특히 구조화(structuring)를 위한 에칭 공정에서의 선택성을 또한 고려한 유리한 시퀀스(순서)를 선택하는 것이 가능하다.
1 기판
2 접촉 구조물
2' 접촉 구조물
3 접촉 구조물
4 투명 도전막
4x 터치 센서 소자
4y 터치 센서 소자
5 보호막
6 접촉 단말기
10 터치 센서 장치

Claims (12)

  1. 광학적으로 투명한 기판(1), 기판(1)에 형성되는 한편 최소한 하나의 투명 도전막(4)을 갖는 최소한 하나의 광학적으로 투명한 터치 센서 소자(4x, 4y), 그리고 투명 도전막(4)의 전기적 접촉을 위한 최소한 하나의 접촉 구조물(2; 2', 3)을 포함하는 터치 센서 장치(10)에 있어서,
    접촉 구조물(2; 2', 3)은 투명 도전막(4)과 직접 접촉하는 0.02≤y≤0.15를 갖는 최소한 하나의 MoxTay막(2, 2')를 갖는 것을 특징으로 하는 터치 센서 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    0.03≤y≤0.09인 것을 특징으로 하는 터치 센서 장치.
  3. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    접촉 구조물(2', 3)은 다중막 구조이며 Al, Cu, Ag, Au, 90 원자 퍼센트 이상의 Al 함량을 갖는 Al 합금, 90 원자 퍼센트 이상의 Cu 함량을 갖는 Cu 합금, 90 원자 퍼센트 이상의 Ag 함량을 갖는 Ag 합금 또는 90 원자 퍼센트 이상의 Au 함량을 갖는 Au 합금으로 구성되는 최소한 하나의 막(3)을 갖는 것을 특징으로 하는 터치 센서 장치.
  4. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    접촉 구조물(2; 2', 3)은 전자 활성 및 평가 유닛에 대한 접속을 위한 최소한 하나의 접촉 단말기(6)를 가지며 접촉 단말기(6)의 노출된 표면은 0.02≤y≤0.15를 갖는 최소한 하나의 MoxTay막(2; 2')에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 센서 장치.
  5. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    터치 센서 장치는 터치 센서 스크린(터치스크린)의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 센서 장치.
  6. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    터치 센서 장치는 그리드(grid) 내에 배치되는 복수의 터치 센서 소자들(4x, 4y)을 갖는 것을 특징으로 하는 터치 센서 장치.
  7. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    최소한 하나의 투명 도전막(4)은 투명 전도막(TCO, transparent conducting oxide), 투명 도전성 폴리머 또는 탄소 나노-튜브의 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 센서 장치.
  8. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    터치 센서 장치로부터 멀어지는 쪽을 향하는 광학적으로 투명한 기판(1)의 후방측은 액정표시장치의 적어도 하나의 부품을 위한 기판을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 센서 장치.
  9. 광학적으로 투명한 기판(1)에 형성되는 터치 센서 장치(10)의 광학적으로 투명한 터치 센서 소자(4x, 4y)의 투명 도전막(4)과 직접 접촉하는 접촉 구조물을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟의 이용에 있어서,
    스퍼터링 타겟은 0.02≤y≤0.15를 갖는 MoxTay를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 이용.
  10. 제9항에 있어서,
    0.03≤y≤0.09인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 이용.
  11. 투명 도전막(4)을 접속하기 위한 접촉 구조물을 구조화하기 위한 식각액의 이용으로서, 접촉 구조물은 0.02≤y≤0.15를 갖는 최소한 하나의 MoxTay막(2, 2')을 가지며 그리고 식각액은 인산 및/또는 아세트산(초산) 및/또는 질산을 용액 구성 성분으로서 갖는 것을 특징으로 하는 식각액의 이용.
  12. 제11항에 있어서,
    인산의 비율은 60-90 중량%이며, 아세트산의 비율은 0-20 중량%이며 그리고 질산의 비율은 1-12 중량%인 것을 특징으로 하는 식각액의 이용.
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