KR20110089857A - 기판과 패턴형성된 층 간의 접착을 용이하게 하는 방법 - Google Patents

기판과 패턴형성된 층 간의 접착을 용이하게 하는 방법 Download PDF

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Abstract

기판을 패턴형성된 층에 접착하는 시스템 및 방법을 기술한다. 기판의 인시튜 세정 및 콘디셔닝, 그리고 기판과 패턴형성된 층 사이에 접착층의 도포, 그리고 또한 접착 재료와 기판 사이에 중간층을 형성하는 단계들이 포함된다.

Description

기판과 패턴형성된 층 간의 접착을 용이하게 하는 방법{FACILITATING ADHESION BETWEEN SUBSTRATE AND PATTERNED LAYER}
관련출원 참조
이 출원은 2008년 10월 30일에 출원된 미국 가출원 No. 61/109,528, 및 2009년 10월 27일에 출원된 미국 특허 출원 No. 12/606,588의 이익을 주장하며, 이들은 모두 여기에 참고로 포함된다.
나노제작은 100 나노미터 이하의 크기의 피처(feature)들을 갖는 매우 작은 구조물의 제작을 포함한다. 나노제작이 꽤 큰 영향을 준 한가지 이용분야는 집적회로의 가공처리에서이다. 반도체 가공처리 산업은 기판 위에 형성된 단위 면적당 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 위해 노력하기를 계속하며, 따라서 나노제작은 더욱더 중요해지고 있다. 나노제작은 형성된 구조물의 최소 피처 치수의 계속된 감소를 허용하면서 더 큰 공정제어를 제공한다. 나노제작이 사용된 다른 개발 영역은 생명공학, 광학기술, 기계 시스템 등을 포함한다.
오늘날 사용 중인 예가 되는 나노제작 기술은 통상 임프린트 리소그래피로 언급된다. 예가 되는 임프린트 리소그래피 공정은 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065976, 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065252, 및 미국 특허 No. 6,936,194와 같은 수많은 간행물에 상세히 기술되어 있는데, 이것들은 모두 여기에 참고문헌으로 포함된다.
상기한 미국 특허출원 공개 및 특허의 각각에 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 성형성 층(중합성)에 양각 패턴의 형성과 양각 패턴에 대응하는 패턴을 하부 기판에 전사하는 것을 포함한다. 기판은 원하는 위치를 얻기 위해 모션 스테이지에 결합시켜 패턴형성 공정을 용이하게 할 수 있다. 패턴형성 공정은 기판과 이격되어 있는 템플레이트 그리고 템플레이트와 기판 사이에 가해진 성형성 액체를 사용한다. 성형성 액체는 고화되어 성형성 액체와 접촉하는 템플레이트의 표면의 형상에 일치하는 패턴을 갖는 단단한 층(고화된 층)을 형성한다. 고화 후, 템플레이트는 단단한 층으로부터 분리되어 템플레이트와 기판이 이격된다. 다음에 기판과 고화된 층은 고화된 층의 패턴에 대응하는 양각 이미지를 기판에 전사하기 위한 추가의 공정을 거치게 된다.
본 발명이 더욱 상세히 이해될 수 있도록, 본 발명의 구체예의 설명을 첨부 도면에 예시된 구체예를 참고하여 제공한다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 단지 대표적인 구체예를 예시하는 것이며 따라서 범위를 제한하는 것으로 생각되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명의 구체예에 따르는 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 2는 패턴형성된 층이 위에 위치된, 도 1에 나타낸 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 3은 접착 재료를 도포하기 위한 기판의 인시튜 오존 가공처리를 위한 방법의 흐름도를 예시한다.
도 4는 본 발명의 구체예에 따르는 공정 챔버의 단순화된 도면을 예시한다.
도 5는 인시튜 오존 가공처리를 한 접착과 인시튜 오존 가공처리를 하지 않은 접착을 비교한 그래프이다.
도 6은 접착 층이 위에 있는 기판을 예시한다.
도 7은 기판에서의 패턴형성의 단순화된 측면도를 예시한다.
도면, 특히 도 1을 참고하면, 기판(12) 위에 양각 패턴을 형성하기 위해 사용된 리소그래피 시스템(10)이 예시되어 있다. 기판(12)은 기판 척(14)에 결합될 수도 있다. 예시하는 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 기타를 포함하나, 이에 제한되지 않는 어떤 척도 될 수 있다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 6,873,087에 기술되어 있다.
기판(12) 및 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x-, y-, 및 z-축에 따라 모션을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12), 및 기판 척(14)은 또한 베이스(도시않음)에 위치될 수도 있다.
기판(12)으로부터 이격되어 템플레이트(18)가 있다. 템플레이트(18)는 일반적으로 그로부터 기판(12)을 향하여 연장되는 메사(20)를 포함하고, 메사(20)는 그 위에 패턴형성 표면(22)을 갖는다. 또한, 메사(20)는 몰드(20)로도 언급된다. 템플레이트(18) 및/또는 몰드(20)는 용융 실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 경화 사파이어, 및/또는 기타를 포함하며 이들에 제한되지 않는 이러한 재료로부터 형성될 수 있다. 예시한 바와 같이, 패턴형성 표면(22)은 복수의 이격된 오목부(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 규정된 피처를 포함하나, 본 발명의 구체예는 이러한 구성들에 제한되지 않는다. 패턴형성 표면(22)은 기판(12)에 형성시킬 패턴의 토대를 형성하는 어떤 원래의 패턴도 규정할 수 있다.
템플레이트(18)는 척(28)에 결합될 수도 있다. 척(28)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 다른 유사한 척 유형들로서 구성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 6,873,087에 더 기술되어 있다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 결합되어 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 템플레이트(18)의 이동을 용이하게 하도록 구성될 수 있다.
시스템(10)은 유체 분배 시스템(32)을 더 포함한다. 유체 분배 시스템(32)은 기판(12) 위에 중합성 재료(34)를 부착시키기 위해 사용될 수 있다. 중합성 재료(34)는 드롭 분배, 스핀-코팅, 침지 코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD), 박막 부착, 후막 부착 및/또는 기타와 같은 기술들을 사용하여 기판(12)에 위치될 수 있다. 중합성 재료(34)는 설계 고려사항에 따라 몰드(20)와 기판(12) 사이에 원하는 공간이 규정되기 전 및/또는 후에 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 중합성 재료(34)는, 모두 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 7,157,036 및 미국 특허출원 공개 No. 2005/0187339에 기술된 것과 같은 중합성 재료를 포함할 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 향하게 하도록 결합된 에너지원(38)을 더 포함한다. 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 경로(42)와 겹쳐서 템플레이트(18)와 기판(12)을 위치시키도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32), 및/또는 에너지원(38)과 통신되어 있는 프로세서(54)에 의해 조정될 수 있고, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램에서 작동될 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16), 또는 둘다는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변동시켜 그것들 사이에 중합성 재료(34)가 채워지는 원하는 공간을 규정한다. 예를 들면, 임프린트 헤드(30)는 템플레이트(18)에 힘을 가하여 몰드(20)가 중합성 재료(34)와 접촉하도록 할 수도 있다. 원하는 공간이 중합성 재료(34)로 채워진 후에, 에너지원(38)은 에너지(40), 예를 들면, 광대역 자외선 복사선을 내어, 중합성 재료(34)를 고화 및/또는 가교결합되도록 일으켜 기판(12)의 표면(44)과 몰드(20)의 패턴형성 표면(22)의 형상에 일치하게 하여 기판(12) 위에 패턴형성된 층(46)을 규정한다. 패턴형성된 층(46)은 잔류 층(48)과, 돌출부(50)와 오목부(52)로서 나타낸 복수의 피처를 포함할 수 있고, 돌출부(50)는 두께(t₁)를 갖고 잔류층(48)은 두께(t₂)를 갖는다.
상기한 시스템 및 방법은 미국 특허 No. 6,932,934, 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0124566, 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0188381 및 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0211754에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에서 또한 사용될 수 있고, 이들 각각은 여기에 참고문헌으로 포함된다.
기판(12)의 표면(44)은 템플레이트(18)와 패턴형성된 층(46)의 분리 중에 패턴형성된 층(46)에 접착한다. 그러나, 기판(12)의 표면(44)과 패턴형성된 층(46) 사이의 약한 접착이 또한 일어날 수 있고, 기판(12)이 패턴형성된 층(46)으로부터 분리하도록 야기하고, 이것은 패턴형성된 층(46)에서 결함을 가져오고 수득률 문제를 가져오는데, 이것은 바람직하지 않다. 이런 이유로, 접착층(60)(도 5 참조)을 기판(12)과 패턴형성된 층(46) 사이에 위치시켜 기판(12)과 패턴형성된 층(46) 사이의 접착을 개선하며, 이하에 더 기술된다.
접착층(60)은 아크릴옥시메틸트리메톡시실란, 아크릴옥시메틸트리에톡시실란, 아크릴옥시프로필트리클로로실란, 및/또는 아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 포함하나 이들에 제한되지 않는 한가지 이상의 접착 재료로 형성될 수 있다. 일부 구체예에서, 접착층은 한가지 이상의 추가의 성분들을 더 포함할 수 있다. 추가의 성분은 1,2-비스(트리메톡시-실릴)에탄 및/또는 1,6-비스(트리클로로실릴)헥산을 포함할 수 있다. 접착 재료는 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 출원 공개 No. 2007/0212494에 더 기술되어 있다.
인시튜 기판 표면 세정 및 콘디셔닝과 함께 접착층 부착
도 3(도 4도 또한 참고함)은 인시튜 공정을 사용하여 접착층을 기판(12)에 도포하는 방법(300)의 흐름도를 예시한다. 한 예시적 구체예에서, 기판(12)은 상기한 바와 같은 임프린트 리소그래피 기판이다. 단계 302에서, 기판(12)을 도 4에 나타낸 바와 같이 공정 챔버(400)에 놓는다. 도 4에 나타낸 공정 챔버(400)는 편의상 방법(300)의 단계들을 기술하는 데에 있어서 예시되고, 예시된 구조에 제한되지 않는다. 도 4에 나타낸 공정 챔버(400)는 방법(300)의 단계들을 달성하기 위해 당업자에게 적합한 어떤 유형의 밀봉가능 용기도 표시하며, 달리 제한되지 않는다. 또한, 도 4에 나타낸 밸브(402 및 404)는 공정 챔버(400)로의 어떤 적합한 밀봉가능 액세스를 나타내며, 이때 밸브(402 및 404)가 공정 챔버(400)를 배기하고 및/또는 재료를 공정 챔버(400)에 주입하기 위해 구성되어 있다. 한 구체예에서, 밸브(402 및 404)는 단일 밸브로 구성될 수 있다. 대안의 구체예에서, 밸브(402 및 404)는 어떤 수의 밸브로도 구성될 수 있다. 또한, 한 구체예에서, 밸브(402 및 404)는 용도 및 목적이 서로 바뀔 수 있다.
단계 304에서, 공정 챔버(400)는 밸브(402)를 통해 기체들이 실질적으로 배기될 수 있다. 즉, 거의 모든 공기, 질소, 아르곤 또는 어떤 다른 기체 조성물이 이 단계에서 공정 챔버(400)로부터 배기된다. 예를 들면, 공정 챔버(400)는 100 Torr 보다 낮은 베이스 프레셔(base pressure)로 배기될 수 있다. 예시 구체예에서, 공정 챔버(400)는 0.2 Torr 보다 낮은 베이스 프레셔로 배기될 수 있다.
단계 306에서, 공정 챔버(400)는 고온으로 가열될 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버(400)는 실온보다 위의 온도, 즉 대략 25℃보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 대안의 예시 구체예에서, 공정 챔버(400)는 25℃보다 위의 온도, 즉, 60℃까지, 90℃까지 또는 점착 재료가 분해 또는 변질되기 시작하는 온도를 초과하지 않는 온도까지 가열될 수 있다. 공정 챔버(400)를 원하는 온도로 가열하는 것은 점착 재료 증기가 공정 챔버(400) 벽에 응축하는 것을, 방지될 수 없다면 최소화할 수 있다. (점착 재료 증기는 또 다른 단계에서 공정 챔버(400)에 주입된다.) 점착 재료 증기의 응축은 공정 챔버(400) 벽에 점착 재료의 축적을 가져올 수 있고 오염 문제를 야기할 수 있다. 챔버에 부착된 하드웨어(예를 들면, 도어, 밸브, 튜빙 등) 및/또는 챔버 내부에 위치된 하드웨어(예를 들면, 기판 캐리어, 굴대 등)도 또한 가열하여 이들 구성요소들에 점착 재료의 응축을 방지하거나 최소화할 수 있다.
단계 308에서, 세정제는 밸브(404)를 통해 공정 챔버(400)에 주입된다. 세정제는 오염물질의 기판(12)의 표면을 세정하도록 구성되고 그것은 공정 챔버(400)의 배기에 앞서 획득될 수도 있다. 예를 들면, 공기 중에서 발견되는 유기 오염물질은 기판(12)의 표면에 흡착한다. 기판(12)의 표면 상의 유기 오염물질의 존재는 점착 재료가 표면에 결합하여 접착층을 형성하는 것을 감소시키거나 방지할 수 있다.
유기 오염물질은 일반적으로 통상의 수세 방법으로 세척되지 않고, 또한 용매가 기판(12)의 표면에 남을 수도 있기 때문에, 기판(12)으로부터 유기 재료를 세정하는 다른 방법을 필요로 한다. 기판(12)의 인시튜 세정 공정은 오존 세정, UV/오존 세정 및 플라즈마 세정을 포함하는 몇가지 방법들을 사용하여 달성될 수도 있다.
구체적인 인시튜 세정 방법의 선택은 기판(12) 유형과 기판(12)의 윗 표면에 층을 이룬 어떤 재료에 의존한다. 예를 들면, 많은 기판들이 윗 표면에 카본 오버 코팅(CoC) 층(102)과 함께 제조된다(도 5 및 도 6 참조). 만약 CoC(102)가 기판(12)의 윗 표면에 있으면, 산소 플라즈마 세정은 CoC 층(102)에 심각한 손상을 야기할 수 있다. 이 경우에, 오존 세정을 사용하여 CoC 층(102)을 세정하고 표면 변질을 최소화할 수 있다. 구체예에서, 250g/㎤의 오존 농도를 500 Torr에서 대략 1 내지 30분 동안 공정 챔버(400)에 도입하여 기판(12) 표면을 세정할 수 있다.
단계 310에서, 세정제는 밸브(402)를 통해 공정 챔버로부터 배기된다. 공정 챔버(400) 내의 잔류 세정제의 농도를 최소화하기 위해 수많은 정화-배기(purge-evacuate) 사이클이 사용될 수 있다. 공정 챔버(400)에 남아있는 잔류 세정제는 증기 점착 재료(공정에서 나중에 챔버로 주입됨)와 원하지 않는 반응을 야기할 수도 있다. 구체예에서, 세정제는 두 정화-배기 사이클을 사용하여 공정 챔버(400)로부터 배기될 수 있다.
단계 312에서, 계량된 점착 재료가 밸브(404)를 통해 공정 챔버로 주입된다. 구체예에서, 주입된 점착 재료는 기판(12)의 표면에 흡착되고, 기판(12)의 표면에서 반응을 개시한다. 예시적 구체예에서, 기판(12)의 표면에서 점착 재료와의 반응은 기판(12)의 표면에 접착층을 형성할 수 있다. 이런 방식으로, 접착층(60)을 기판(12) 위에 위치시킬 수 있다(도 5 및 도 6 참조). 공정 챔버(400)에서 디스크(기판(12))의 수 및 공정 챔버(400)의 부피에 의존하여, 주입된 점착 재료의 부피는 1 마이크로리터 미만 내지 수천 마이크로리터의 범위일 수 있다. 예를 들면, 주입된 점착 재료의 부피는 0.1 마이크로리터 내지 10,000 마이크로리터의 범위일 수 있다. 주입된 점착 재료와 기판(12) 간의 이 반응은 1 내지 30 분간 계속할 수 있다.
단계 314에서, 수증기를 밸브(404)를 통해 공정 챔버에 주입한다. 기판(12) 위의 표면 반응은 대략 다음 1 내지 30 분간 계속할 수 있다.
단계 316에서, 공정 챔버(400)는 밸브(402)를 통해 물과 어떤 잔류 점착 재료를 배기한다.
단계 318에서, 기판(12)을 공정 챔버로부터 제거한다.
도 5는 인시튜 오존 방법(300)을 하지 않은 것과 인시튜 오존 방법(300)을 한 기판(12) 임프린트 공정에 기초한 접착력을 파운드 힘(pounds-force: lbf)으로 비교한 그래프이다. 실행 1 내지 3은 인시튜 오존 방법(300)을 하지 않고 결과된 접착력을 나타낸다. 실행 4 내지 5는 인시튜 오존 방법(300)을 한 결과된 접착력을 나타낸다. 예시로 나타낸 바와 같이, 기판(12)을 임프린팅하기에 앞서 인시튜 오존 방법(300)을 사용하는 것은 기판(12)과 기판(12)에 임프린팅된 패턴형성된 층(46) 간의 접착력을 증가시킬 수 있다. 예시 실시예에서, 평균 접착력은 기판(12)을 임프린팅하기에 앞서 인시튜 오존 방법(300)을 사용할 때 3 내지 13 lbf로 증가된다.
중간층 형성
도 6을 참고하면, 기판(12)은 기판(12) 위에 CoC 상층(102)과 함께 제조된다. 예를 들면, 하드 디스크 드라이브 매체는 종종 기판(12) 위에 CoC 상층(102)과 함께 제조된다. 그러나, 통상 사용되는 접착 재료는 CoC(102)와 조화되지 않는 접착을 가질 수 있다. 이런 이유로, 중간층(100)이 접착 촉진제 또는 향상제로서 CoC 층(102)과 접착층(60) 사이에 가해진다(도 6에 예시된 바와 같음).
중간층(100)은 점착 재료(60)보다 기판(12)에 더 큰 접착성을 갖고 기판(12)보다 점착 재료(60)에 더 큰 접착성을 갖는 재료로 형성될 수 있다. 따라서, 중간층(100)은 접착층(60)과 기판(12)의 CoC 상층(102) 둘다에 양호한 접착을 갖는다. 예를 들면, 중간층(100)은 탄탈(Ta), 규소(Si), 질화규소(SixNy), 산화규소(SiOx), 크롬(Cr), 질화크롬(CrNx), 티타늄-텅스텐(TiW), 티타늄-크롬(TiCr), 루테늄(Ru), 등을 포함하나 이들에 제한되지 않는 재료들의 한가지 또는 조합으로 형성될 수 있다. 구체예에서, 중간층(100)은 대략 3-15 nm의 두께 t₃를 갖는다.
도 7은 패턴형성된 층(46)으로부터의 패턴의 기판(12)으로의 예시적 패턴 전사를 예시한다. 이 실시예에서, 기판(12)은 패턴형성된 층(46)에 더하여 접착층(60), 중간층(100), 및 CoC 층(102)을 포함한다. 종종, CoC 층(102)을 갖는 기판(12)이 제조된다. 구체예에서, 중간층(100)은 상기한 인시튜 세정 및 콘디셔닝 공정의 일부로서 CoC 층(102)에 위치시킬 수 있다. 추가로, 구체예에서, 접착층(60)은 인시튜 세정 및 콘디셔닝 공정의 일부로서 중간층(100)에 위치시킬 수 있다.
도 7에 예시된 바와 같이, 단계 0의 동안에, 상기한 임프린트 공정을 사용하여 패턴형성된 층(46)이 접착층(60)에 형성되어 오목부(70) 및 돌출부(72)를 규정한다. 패턴 전사 단계 1의 동안에, 오목부(70)와 겹쳐서 패턴형성된 층(46)과 접착층(60)의 부분들이 에칭(제거)될 수 있다. 예를 들면, 패턴형성된 층(46)과 접착층(60)은 산소계 플라즈마 에칭 등과 같은 데스컴(descum) 공정을 사용하여 제거된다.
패턴 전사 단계 2의 동안에, 오목부(70)와 겹쳐서 중간층(100)과 CoC 층(102)의 부분들이 에칭 공정을 통해 제거된다. 구체예에서, 중간층(100)과 CoC 층(102)은 포스트 마스크 에칭 공정에서 제거된다. 예를 들어서, 질화규소(Si3N4)가 중간층(100)으로서 사용된다면, 중간층(100)을 에칭하기 위해 F-계 플라즈마 에칭(불소계)이 사용될 수 있고 CoC 층(102)을 에칭하기 위해 산소계 플라즈마 에칭이 사용될 수 있다.
패턴 전사 단계 3의 동안에, 패턴형성된 층(46)으로부터의 패턴을 예를 들면, 물리적 또는 화학적 에칭 공정을 사용하여 기판(12)에 전사한다. 중간층(100), 접착층(106), 또는 패턴형성된 층(46)이 패턴 전사 공정을 위한 마스크로서 사용될 수 있다.
패턴 전사 단계 3의 대안의 구체예에서, 패턴형성된 층(46) 및 접착층(60)을 먼저 예를 들어서, 플라즈마 에칭 공정을 사용하여 제거하고 이어서 기판(12)에 패턴을 전사한다.
패턴 전사 단계 4의 동안에, 중간층(100), 접착층(106), 및 패턴형성된 층(46)이 여전히 기판(12)과 함께 포함되어 있다면 그것들을 제거하여, (예를 들면, 포스트 패턴 전사) 패턴형성된 기판(12)을 가져온다.

Claims (20)

  1. 기판을 공정 챔버에 놓는 단계;
    세정제를 공정 챔버로 주입하는 단계;
    공정 챔버에서 세정제를 배기하는 단계; 그리고
    점착 재료를 공정 챔버로 주입하는 단계로서, 점착 재료는 기판 위에 위치되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 접착층을 도포하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 세정제를 공정 챔버로 주입하기에 앞서 공정 챔버에서 기체들을 실질적으로 배기하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 수증기를 공정 챔버로 전달하고, 공정 챔버에서 물을 실질적으로 배기하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 세정제는 오존계 세정제를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 세정제는 자외선(UV) 또는 플라즈마 중 한가지 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 점착 재료를 공정 챔버로 주입하기에 앞서 공정 챔버를 가열하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 기판은 임프린트 리소그래피 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 기판 위에 중간층을 부착하는 단계;
    기판을 공정 챔버에 놓는 단계;
    공정 챔버에서 기체를 배기하는 단계;
    세정제를 공정 챔버로 주입하는 단계;
    공정 챔버에서 세정제를 배기하는 단계;
    점착 재료를 공정 챔버로 주입하는 단계로서, 점착 재료는 기판 위에 부착되는 단계;
    수증기를 공정 챔버로 전달하는 단계; 그리고
    공정 챔버에서 물을 배기하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 접착층을 도포하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 중간층은, 점착 재료보다 기판에 더 큰 접착성을 갖고 기판보다 점착 재료에 더 큰 접착성을 갖는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 중간층은 탄탈(Ta), 규소(Si), 질화규소(Si3N4), 산화규소(SiO2), 크롬(Cr), 질화크롬(CrNx), 티타늄-텅스텐(TiW), 티타늄-크롬(TiCr), 및/또는 루테늄(Ru) 중 한가지 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 기판은 CoC(carbon over coating) 상층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 세정제는 오존, 자외선 광(UV), 또는 플라즈마 중 한가지 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 기판은 임프린트 리소그래피 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 기판을 공정 챔버에 놓는 단계;
    공정 챔버에서 기체를 배기하는 단계;
    세정제를 공정 챔버로 주입하는 단계;
    공정 챔버에서 세정제를 배기하는 단계;
    점착 재료를 공정 챔버로 주입하는 단계로서, 점착 재료는 기판 위에 부착되는 단계;
    수증기를 공정 챔버로 전달하는 단계; 그리고
    공정 챔버에서 물을 배기하는 단계
    에 의해 기판에 접착층을 도포하는 단계; 그리고
    기판을 임프린팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 콘디셔닝하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 점착 재료를 공정 챔버로 주입하기에 앞서 중간층을 기판 위에 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 중간층은 점착 재료보다 기판에 더 큰 접착성을 갖고 기판보다 점착 재료에 더 큰 접착성을 갖는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 기판은 적어도 부분적으로 임프린팅에 기초한 패턴형성된 층을 포함하고, 접착층, 중간층, 및 패턴형성된 층의 부분들을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 제거는 적어도 부분적으로 플라즈마 에칭 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 14 항에 있어서, 세정제는 오존, 자외선(UV), 또는 플라즈마 중 한가지 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 14 항에 있어서, 기판은 임프린트 리소그래피 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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