JP2012507391A - 基板とパターン形成層との間の接着性の促進 - Google Patents
基板とパターン形成層との間の接着性の促進 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012507391A JP2012507391A JP2011534510A JP2011534510A JP2012507391A JP 2012507391 A JP2012507391 A JP 2012507391A JP 2011534510 A JP2011534510 A JP 2011534510A JP 2011534510 A JP2011534510 A JP 2011534510A JP 2012507391 A JP2012507391 A JP 2012507391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing chamber
- layer
- cleaning agent
- adhesive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 57
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 18
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UMUXBDSQTCDPJZ-UHFFFAOYSA-N chromium titanium Chemical compound [Ti].[Cr] UMUXBDSQTCDPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 10
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- LEPRPXBFZRAOGU-UHFFFAOYSA-N 3-trichlorosilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCOC(=O)C=C LEPRPXBFZRAOGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(propyl)silyl]oxymethyl prop-2-enoate Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OCOC(=O)C=C RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000009528 severe injury Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- ICJGKYTXBRDUMV-UHFFFAOYSA-N trichloro(6-trichlorosilylhexyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl ICJGKYTXBRDUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDUXKFKVDQRWJN-UHFFFAOYSA-N triethoxysilylmethyl prop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)COC(=O)C=C WDUXKFKVDQRWJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGDCINCKDQXDX-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-trimethoxysilylethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC[Si](OC)(OC)OC JCGDCINCKDQXDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPPHEZSCZWYTOP-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilylmethyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)COC(=O)C=C JPPHEZSCZWYTOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Cleaning Implements For Floors, Carpets, Furniture, Walls, And The Like (AREA)
Abstract
基板をパターン形成層に接着させる装置と方法が説明される。現場での基板の洗浄と調整、そして基板とパターン形成層の間への接着層の塗布とともに、接着材料と基板の間に中間層を形成することを含む。
Description
（関連出願の参照）
本特許出願は、２００８年１０月３０日に提出の米国仮出願番号第６１／１０９，５２８号、ならびに２００９年１０月２７日に提出の米国特許出願番号第１２／６０６，５８８号の利益を請求するものであり、これらの内容を本明細書に援用する。
本特許出願は、２００８年１０月３０日に提出の米国仮出願番号第６１／１０９，５２８号、ならびに２００９年１０月２７日に提出の米国特許出願番号第１２／６０６，５８８号の利益を請求するものであり、これらの内容を本明細書に援用する。
ナノ加工は、１００ナノメートル程度、またはそれ以下の特徴的形状部を有する非常に微細な構造体の加工を含む。ナノ加工が相当大きな効果を発揮する適用方法の一つとして、集積回路の処理が上げられる。半導体処理業界では、基板上に形成される単位領域ごとの回路数を増加させながら、より大きい歩留まりを得るために懸命の努力を続けている。よって、ナノ加工の重要性はより高まっている。ナノ加工は、形成される構造体の最小の特徴的形状部寸法を減少させながら、プロセス管理をより高めることができる。ナノ加工を採用してきた他の開発領域としては、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどがある。
今日利用されているナノ加工技術の一例として、一般にインプリントリソグラフィと呼ばれるものがある。例示したインプリントリソグラフィ工程は、米国特許公開第２００４／００６５９７６号、米国特許公開第２００４／００６５２５２号、米国特許第６，９３６，１９４号など、多数の公報に詳細に説明されている。
上記の米国特許公報、および特許それぞれに開示されたインプリントリソグラフィ技術は、成形可能な層（重合可能）にレリーフパターンを形成することとレリーフパターンに対応するパターンを下層の基板へ転写することを含む。パターンニング工程をより容易にするため、基板を所望の位置決めを得るための移動ステージと連結してもよい。パターンニング工程は、基板から間隔をあけて位置するテンプレートと、テンプレートと基板の間に塗布される成形可能な液体を使用する。成形可能な液体は、固化されて、成形可能な液体に接触するテンプレートの表面の形状に合わせたパターンを有する堅い層を形成する。固化後、テンプレートと基板が間隔をあけて位置するように、テンプレートを堅い層から離す。次に、基板と固化した層をさらなる工程に付し、レリーフ画像を、固化した層のパターンに対応する基板に転写する。
本発明をより詳しく理解するため、添付の図面に示された実施形態を参照しながら本発明の実施形態を説明する。しかしながら、注目すべきは、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、よって範囲を限定することを意図したものではない。
図面、特に図１を参照する。基板１２上にレリーフパターンを形成するために使用するリソグラフィック装置１０が図示されている。基板１２は、基板チャック１４と連結することができる。図示のごとく、基板チャック１４は、真空チャックである。しかし、基板チャック１４は、真空、ピン型、溝型、電磁式、および／またはそれに類似するものを限定することなく包含するいかなるチャックでもよい。例示したチャックは、本明細書で援用する米国特許第６，８７３，０８７号に説明されている。
基板１２と基板チャック１４は、さらにステージ１６で支持することができる。ステージ１６は、ｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸に沿った動作を行うことができる。ステージ１６、基板１２、および基板チャック１４は、基台（図示せず）上に位置させてもよい。
基板１２から間隔をあけて位置しているのはテンプレート１８である。テンプレート１８は、一般的に、そこから基板１２に向かって延在するメサ型２０を有し、メサ型２０は、その上部にパターン形成面２２を有する。さらに、メサ型２０はモールド２０と称してもよい。テンプレート１８、および／またはモールド２０は、石英ガラス、水晶、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウ珪酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイヤ、および／またはそれに類似するものを限定することなく包含する材料から形成することができる。図示のごとく、パターン形成面２２は、間隔をあけて位置する複数の凹部２４、および／または凸部２６によって形成される特徴的形状部を有するが、本発明の実施形態は、そのような形状に限定するものではない。パターン形成面２２は、基板１２上に形成されるパターンの基礎をなすものであればどの様な元のパターンも形成できる。
テンプレート１８は、チャック２８に連結することができる。チャック２８は、真空、ピン型、溝型、電磁式、および／またはその他の類似したタイプのチャックとして、但しそれらに限定されることなく、構成することができる。例示のチャックについては、さらに、本明細書で援用する米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。さらに、チャック２８は、インプリントヘッド３０に連結して、チャック２８、および／またはインプリントヘッド３０がテンプレート１８を動きやすくするように構成してもよい。
装置１０は、さらに流体分注装置３２を備えていてもよい。流体分注装置３２を使って、基板１２上に重合可能な材料３４を付着させてもよい。重合可能な材料３４を、液滴分注、スピンコート、ディップコート、化学付着（ＣＤＶ）、物理付着（ＰＶＤ）、薄膜付着、厚膜付着および／またはそれに類似するような技術を使って基板１２上に位置させることができる。重合可能な材料３４を、設計上の都合に応じて、所望の空間がモールド２０と基板１２の間に形成される前および／または後に、基板１２に配設すればよい。重合可能な材料３４は、本明細書にすべてを援用する米国特許第７，１５７，０３６号および米国特許公開第２００５／０１８７３３９号に記載の重合可能な材料を含むものでもよい。
図１、および２を参照する。装置１０は、さらに通路４２に沿ってエネルギー４０を送給するように連結されたエネルギー源３８を備えていてもよい。インプリントヘッド３０とステージ１６を、テンプレート１８と基板１２が通路４２に重なる位置にくるように構成することができる。装置１０は、ステージ１６、インプリントヘッド３０、流体分注装置３２、および／または源３８と通信するプロセッサ５４によって制御することができ、メモリ５６に保存したコンピュータ読み出し可能なプログラム上で操作することができる。
インプリントヘッド３０、あるいはステージ１６、またはその両方は、モールド２０と基板１２の間の距離を変化させて、それらの間に充填する重合可能な材料３４の所望量を決定する。例えば、インプリントヘッド３０は、テンプレート１８に力を加えることによって、モールド２０を重合可能な材料３４に接触させるようにしてもよい。所望の空間を重合可能な材料３４で充填した後、源３８は、エネルギー４０、例えば、広帯域紫外線などを生成して、重合可能な材料３４を基板１２の表面４４、およびパターン形成面２２を形成するように固化、および／または交差結合させ、基板１２上にパターン形成層４６を形成する。パターン形成層４６は、厚みｔ2の残留層４８と、厚みｔ1の凸部５０と凹部５２として示すような複数の特徴的形状部を有していてもよい。
上記の装置および工程は、さらに、それぞれ本明細書で援用する米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許公開第２００４／０１２４５６６号、米国特許公開第２００４／０１８８３８１号、および米国特許第２００４／０２１１７５４号に記載のインプリントリソグラフィ工程および装置にも採用することができる。
基板１２の表面４４は、テンプレートと１８とパターン形成層４６の剥離中にパターン形成層４６に接着することができる。しかし、基板１２の表面４４とパターン形成層４６との間の接着が弱い場合もあり、基板１２がパターン形成層４６から剥離してしまい、パターン形成層４６と歩留まりの問題における不良につながり、好ましくない。よって、下記にさらに詳しく説明するように、接着層６０（図５参照）を基板１２とパターン形成層４６の間に位置させて、基板１２とパターン形成層４６の間の接着性を高めてもよい。
接着層６０は、アクリルオキシメチルトリメトキシシラン、アクリルオキシメチルトリエトキシシラン、アクリルオキシプロピルトリクロロシラン、および／またはアクリルオキシプロピルトリメトキシシランを、限定することなく包含する一つ以上の接着材料から形成することができる。いくつかの実施形態では、接着層は、さらに一つ以上の別の成分を含んでいてもよい。別の成分は、１，２−ビス（トリメトキシ−シリル）エタンおよび／または１，６−ビス（トリクロロシリル）ヘキサンを含んでいてもよい。接着材料については、本明細書に援用する米国特許公開第２００７／０２１２４９４号に詳しく説明されている。
現場基板表面洗浄および調整における接着層の付着
図３（図４も参照）は、現場での処理を使って接着層を基板１２に塗布する方法３００のフローチャートである。例示する一実施形態では、基板１２は、上記のようなインプリントリソグラフィ基板である。工程３０２では、基板１２を図４に示す処理チャンバ４００に戴置することができる。図４に示す処理チャンバ４００は方法３００の工程を説明する際に便利なように図示するものであり、図示の構成に限定されるものではない。図４に示す処理チャンバ４００は、当業者が方法３００の工程を行うのに適したあらゆるタイプの密封可能な容器を表すものであり、限定されるものではない。さらに、図４に示すバルブ４０２および４０４は処理チャンバ４００への密閉可能なアクセスを実現するのに適したものの代表であり、バルブ４０２と４０４は、処理チャンバ４００からの排出および／または処理チャンバ４００への材料の注入用に構成されているものである。一実施形態では、バルブ４０２および４０４は、単一バルブから構成されていてもよい。また別の実施形態では、バルブ４０２および４０４を構成する弁の数は限られない。さらに、一実施形態では、バルブ４０２および４０４は使用方法や目的によって代替可能である。
図３（図４も参照）は、現場での処理を使って接着層を基板１２に塗布する方法３００のフローチャートである。例示する一実施形態では、基板１２は、上記のようなインプリントリソグラフィ基板である。工程３０２では、基板１２を図４に示す処理チャンバ４００に戴置することができる。図４に示す処理チャンバ４００は方法３００の工程を説明する際に便利なように図示するものであり、図示の構成に限定されるものではない。図４に示す処理チャンバ４００は、当業者が方法３００の工程を行うのに適したあらゆるタイプの密封可能な容器を表すものであり、限定されるものではない。さらに、図４に示すバルブ４０２および４０４は処理チャンバ４００への密閉可能なアクセスを実現するのに適したものの代表であり、バルブ４０２と４０４は、処理チャンバ４００からの排出および／または処理チャンバ４００への材料の注入用に構成されているものである。一実施形態では、バルブ４０２および４０４は、単一バルブから構成されていてもよい。また別の実施形態では、バルブ４０２および４０４を構成する弁の数は限られない。さらに、一実施形態では、バルブ４０２および４０４は使用方法や目的によって代替可能である。
工程３０４では、処理チャンバ４００はバルブ４０２を介してガスを実質的に排出してもよい。すなわち空気、窒素、アルゴン、または他のいかなる気体成分のほぼすべてを、この工程で処理チャンバ４００から排出させることができる。例えば、処理チャンバ４００は１００トール（Ｔｏｒｒ）（１３３３２．２パスカル（Ｐａ））未満の基本圧まで排出可能である。例示する実施形態では、処理チャンバ４００は０．２トール（Ｔｏｒｒ）（２６．６６４パスカル（Ｐａ））未満の基本圧まで排出することができる。
工程３０６では、処理チャンバ４００は、高温まで加熱することができる。例えば、処理チャンバ４００は、室温より高い温度まで、例えば、約２５℃より高い温度まで加熱してもよい。別に例示した実施形態では、処理チャンバ４００は２５℃より高い温度、すなわち、６０℃まで、９０℃まで、あるいは、接着材料が劣化または分解し始める温度を超えない温度まで加熱することができる。処理チャンバ４００を所望の温度まで過熱することにより、防止できないまでも、接着材料の蒸気が処理チャンバ４００の壁上で凝縮するのを最小限にすることができる。（接着材料の蒸気は、別の工程で処理チャンバ４００の中に注入される。）接着材料の蒸気の凝縮により、接着材料が処理チャンバ４００の壁の上に堆積し、汚染の問題を引き起こす。チャンバに取り付けたハードウェア（例えばドア、バルブ、管など）および／またはチャンバ内部に位置するハードウェア（例えば、基板キャリア、マンドレルなど）も加熱してこれらの構成要素への接着材料の凝縮を防ぐかまたは最小限にすることができる。
工程３０８では、バルブ４０４を介して処理チャンバ４００に洗浄剤を注入することができる。洗浄剤は、処理チャンバ４００の排出の前に付着した汚染物質を基板１２の表面から洗浄するように構成されている。例えば、空気中にある有機汚染物質が基板１２の表面に吸着されている場合がある。基板１２の表面上の有機汚染物質の存在により、接着材料が基板に接着して接着層を形成しにくなったり阻止される可能性がある。
有機汚染物質は、一般的に通常の水洗法では洗い流すことができず、溶剤も基板１２の表面に残る可能性があるため、基板１２から有機材を洗浄する他の方法が必要である。オゾン洗浄、紫外線／オゾン洗浄およびプラズマ洗浄など、いくつかの方法を使って基板１２の現場洗浄法を行ってもよい。
特定の現場洗浄法の選択は、基板１２のタイプおよび基板１２の上面に積層される材料によって異なる。例えば、基板の多くは、上面に炭素上塗り（ＣｏＣ）層１０２を有して製造されている（図５および６参照）。ＣｏＣ１０２が基板１２の最上表面層の上にある場合、酸素プラズマ洗浄をすると、ＣｏＣ層１０２に激しい損傷を与える可能性がある。この場合、オゾン洗浄を使ってＣｏＣ層１０２を洗浄し、表面の劣化を最低限にすることができる。一実施形態では、２５０ｇ／ｃｍ3の濃度のオゾンを約１分から３０分、５００トール（Ｔｏｒｒ）（６６６６１パスカル（Ｐａ））で処理チャンバ４００に導入して基板１２表面を洗浄する。
工程３１０では、洗浄剤はバルブ４０２を介して処理チャンバから排出できる。多数のパージ排出サイクルを使って処理チャンバ４００内の残留洗浄剤の濃度を最小限に抑えることができる。処理チャンバ４００に残る残留洗浄剤は、（後工程でチャンバ内に注入する）蒸気状接着材料と望ましくない反応をおこす場合がある。一実施形態では、洗浄剤を二つのパージ排出サイクルを使って処理チャンバ４００から排出することができる。
工程３１２では、バルブ４０４を介して、計量した接着材料を処理チャンバの中に注入することができる。一実施形態では、注入した接着材料を基板１２の表面に吸着させ、基板１２の表面上において反応を開始させてもよい。例示した実施形態では、基板１２の表面上の接着材料との反応により、基板１２の表面上に接着層を形成することができる。このように、接着層６０は、基板１２上に位置させることができる（図５および６参照）。処理チャンバ４００内のディスク（基板１２）数と処理チャンバ４００の容積により、注入する接着材料の量は、１マイクロリットル未満から数千マイクロリットルまでの範囲でよい。例えば、注入された接着材料の量は、０．１マイクロリットルから１００００マイクロリットルの範囲でもよい。注入した接着材料と基板１２の間の反応は１分から３０分継続すればよい。
工程３１４では、バルブ４０４を介して水蒸気を処理チャンバに送給してもよい。基板１２上の表面反応は次の約１分から３０分継続することができる。
工程３１６では、処理チャンバ４００から、バルブ４０２を介して水およびその他の残留接着材料を排出させることができる。
工程３１８では、基板１２を処理チャンバから取り出す。
図５は、現場でのオゾン法３００を使わない場合および使った場合における基板１２のインプリント工程に基づいた重量ポンド（ｌｂｆ）で表した接着力の比較のグラフである。実行１から３は、現場でのオゾン法３００を行わなかった場合の接着力の結果を示す。実行４および５は、現場でのオゾン法３００を行った場合の接着力の結果を示す。図示の如く、基板１２のインプリントに先立って現場でのオゾン法３００を使うことにより基板１２と基板１２上にインプリントしたパターン形成層４６との間の接着力を強めることができる。図示の例では、基板１２のインプリントに先立って現場でのオゾン法３００を使う場合、平均接着力は、３〜１３重量ポンド（ｌｂｆ）（１３．３４４６６４〜５７．８２６８８ニュートン（Ｎ））まで増強させることができる。
中間層形成
図６を参照する。基板１２には、基板１２上にＣｏＣ最上層１０２が設けられている。例えば、ハードディスクドライブ媒体は、基板１２上にＣｏＣ最上層１０２を設けて製造されることが多い。しかし、一般的に使用されている接着材料は、ＣｏＣ１０２への接着が不均一である場合がある。従って、中間層１００を（図６に示すごとく）接着促進剤または増強剤としてＣｏＣ層１０２と接着層６０の間に塗布することができる。
図６を参照する。基板１２には、基板１２上にＣｏＣ最上層１０２が設けられている。例えば、ハードディスクドライブ媒体は、基板１２上にＣｏＣ最上層１０２を設けて製造されることが多い。しかし、一般的に使用されている接着材料は、ＣｏＣ１０２への接着が不均一である場合がある。従って、中間層１００を（図６に示すごとく）接着促進剤または増強剤としてＣｏＣ層１０２と接着層６０の間に塗布することができる。
中間層１００は、接着材料６０より基板１２への接着力が強く、基板１２より接着材料６０への接着力が強い材料から構成すればよい。よって、中間層１００は、接着層６０と基板１２のＣｏＣ最上層１０２の両者に対し良好な接着力を有する。例えば、中間層１００は、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化珪素（ＳｉxＮy）、酸化珪素（ＳｉＯx）、クロム（Ｃｒ）、窒化クロム（ＣｒＮｘ）、チタン−タングステン（ＴｉＷ）、チタン−クロム（ＴｉＣｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）等を限定されずに含む、一種類の材料でも、材料の組み合わせから構成してもよい。一実施形態では、中間層１００は、約３〜１５ｎｍの厚みｔ3を有していてもよい。
図７は、パターン形成層４６から基板１２上への例示パターン転写を示す図である。この例では、基板１２は、パターン形成層４６に加え、接着層６０、中間層１００、ＣｏＣ層１０２を含む。基板１２は、ＣｏＣ層１０２を有して製造されることが多い。一実施形態では中間層１００は、上記のような現場洗浄と調整工程の一部としてＣｏＣ層１０２上に位置させることができる。さらに、ある実施形態では、接着層６０を現場洗浄および調整工程の一部として中間層１００上に位置させてもよい。
図７に示すように、フェーズ０の間、パターン形成層４６を、上記のインプリント工程を使って接着層６０上に形成し、凹部７０と凸部７２を形成することができる。パターン転写フェーズ１では、凹部７０と重なるパターン形成層４６と接着層６０の部分をエッチング（除去）することができる。例えば、酸素系プラズマエッチなどのようなディスカム工程を使ってパターン形成層４６と接着層６０を取り除くことができる。
パターン転写フェーズ２では、凹部７０に重なる中間層１００とＣｏＣ層１０２の部分を、エッチング工程を介して除去することができる。一実施形態では、中間層１００と、ＣｏＣ層１０２は、マスキング後のエッチング工程で取り除くことができる。例えば、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）を中間層１００として使用し、Ｆ系プラズマエッチ（フッ素系）を使って中間層１００をエッチングし、酸素系プラズマエッチを使ってＣｏＣ層１０２をエッチングしてもよい。
パターン転写フェーズ３では、パターン形成層４６からのパターンを、例えば、物理的または化学的エッチ工程を使って基板１２に転写することができる。中間層１００、接着層１０６、またはパターン形成層４６を、パターン転写工程でのマスクとして使うことができる。
パターン転写フェーズ３の別の実施形態では、まず、例えば、プラズマエッチ工程を使ってパターン形成層４６と接着層６０を取り除き、続いて基板１２へのパターン転写を行ってもよい。
パターン転写フェーズ４では、中間層１００、接着層６０およびパターン形成層４６が、まだ基板１２に残っている場合には、それらを取り除くことにより（例えば、ポスト・パターン転写）、パターン形成基板１２を得ることができる。
１２ 基板； ４６ パターン形成層； ６０ 接着層； １００ 中間層；
１０２ 最上層。
１０２ 最上層。
Claims (20)
- 基板に接着層を塗布する塗布方法であって、
前記基板を処理チャンバに置くことと、
洗浄剤を前記処理チャンバに注入することと、
前記処理チャンバから前記洗浄剤を排出させることと、
接着材料を前記処理チャンバに注入し、前記接着材料を前記基板上に位置させることと、を含む塗布方法。 - さらに、前記洗浄剤を前記処理チャンバに前記注入する前に前記処理チャンバからガスを実質的に排出させることを含む請求項１に記載の塗布方法。
- さらに、水蒸気を前記処理チャンバに送給し、前記処理チャンバから水を排出させることを含む請求項１または２に記載の塗布方法。
- 前記洗浄剤はオゾン系洗浄剤を含む請求項１、２、または３に記載の塗布方法。
- 前記洗浄剤は紫外線（ＵＶ）またはプラズマのうちの少なくとも一つを含む請求項１、２、３、または４に記載の塗布方法。
- さらに、前記接着材料を前記処理チャンバに注入する前に、前記処理チャンバを加熱することを含む請求項１に記載の塗布方法。
- 前記基板は、インプリントリソグラフィ基板を含む請求項１に記載の塗布方法。
- 基板に接着層を塗布する塗布方法であって、
前記基板上に中間層を配設することと、
処理チャンバの中に前記基板を置くことと、
前記処理チャンバからガスを排出することと、
洗浄剤を前記処理チャンバの中に注入することと、
前記処理チャンバから前記洗浄剤を排出させることと、
前記処理チャンバに接着材料を注入して、前記接着材料を前記基板に付着させることと、
水蒸気を前記処理チャンバの中に送給することと、
前記処理チャンバから水を排出することと、を含む塗布方法。 - 前記中間層が、前記基板に対して前記接着材料より大きい接着性を有し、前記基板より前記接着材料に対して大きい接着性を有する材料を有する請求項８に記載の塗布方法。
- 前記中間層は、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、酸化珪素（ＳｉＯ2）、クロム（Ｃｒ）、窒化クロム（ＣｒＮx）、チタン−タングステン（ＴｉＷ）、チタン−クロム（ＴｉＣｒ）、および／またはルテニウム（Ｒｕ）のうちの少なくとも一つを含む請求項８に記載の塗布方法。
- 前記基板が、カーボンオーバーコーティング（ＣｏＣ）最上層を含む請求項８に記載の塗布方法。
- 前記洗浄剤が、オゾン、紫外線（ＵＶ）、またはプラズマのうちの少なくとも一つからなる請求項８に記載の塗布方法。
- 前記基板がインプリントリソグラフィ基板を含む請求項８に記載の塗布方法。
- 基板を調整する調整方法であって、
基板を処理チャンバに戴置し、
前記処理チャンバからガスを排出し、
前記処理チャンバに洗浄剤を注入し、
前記処理チャンバから前記洗浄剤を排出させ、
前記処理チャンバに接着材料を注入して、前記接着材料を前記基板に付着させ、
水蒸気を前記処理チャンバに送給し、
前記処理チャンバから前記水を排出させることによって前記基板に接着層を塗布し、
前記基板にインプリントを施す調整方法。 - さらに、前記接着材料を前記処理チャンバに注入する前に前記基板上に中間層を付着させることを含む請求項１４に記載の調整方法。
- 前記中間層が前記接着材料より前記基板に対する接着性が大きく、前記基板よりも前記接着材料に対する接着性が大きい材料を含む請求項１５に記載の調整方法。
- 前記基板は、少なくとも部分的に前記インプリンティングに基づくパターン形成層を含み、さらに、前記接着層、前記中間層、および前記パターン形成層の部分を除去することを含む請求項１５に記載の調整方法。
- 前記取り除くことを、少なくとも部分的にプラズマエッチ工程によって行う請求項１７に記載の調整方法。
- 前記洗浄剤は、オゾン、紫外線（ＵＶ）、またはプラズマのうちの少なくとも一つからなる請求項１４に記載の調整方法。
- 前記基板は、インプリントリソグラフィ基板を含む請求項１４に記載の調整方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10952808P | 2008-10-30 | 2008-10-30 | |
| US61/109,528 | 2008-10-30 | ||
| US12/606,588 US8361546B2 (en) | 2008-10-30 | 2009-10-27 | Facilitating adhesion between substrate and patterned layer |
| US12/606,588 | 2009-10-27 | ||
| PCT/US2009/005870 WO2010051024A1 (en) | 2008-10-30 | 2009-10-29 | Facilitating adhesion between substrate and patterned layer |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012507391A true JP2012507391A (ja) | 2012-03-29 |
| JP2012507391A5 JP2012507391A5 (ja) | 2013-01-24 |
| JP5404803B2 JP5404803B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=41447119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011534510A Active JP5404803B2 (ja) | 2008-10-30 | 2009-10-29 | 基板とパターン形成層との間の接着性の促進 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8361546B2 (ja) |
| JP (1) | JP5404803B2 (ja) |
| KR (1) | KR101699060B1 (ja) |
| MY (1) | MY149262A (ja) |
| WO (1) | WO2010051024A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013542591A (ja) * | 2010-09-08 | 2013-11-21 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソフラフィで用いる蒸気供給システム |
| JP2022506816A (ja) * | 2018-11-09 | 2022-01-17 | フェニックス コンタクト ゲーエムベーハー ウント コムパニー カーゲー | 物品をインプリントするための装置および方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8846195B2 (en) * | 2005-07-22 | 2014-09-30 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Ultra-thin polymeric adhesion layer |
| US8808808B2 (en) * | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
| US8361546B2 (en) | 2008-10-30 | 2013-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Facilitating adhesion between substrate and patterned layer |
| US20110165412A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-07-07 | Molecular Imprints, Inc. | Adhesion layers in nanoimprint lithograhy |
| TWI471693B (zh) * | 2011-11-10 | 2015-02-01 | Canon Kk | 光可固化組成物，及使用彼之圖案化方法 |
| US20170066208A1 (en) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
| US10754244B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
| US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
| US10620539B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
| US10134588B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| US10317793B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
| US11448958B2 (en) * | 2017-09-21 | 2022-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for controlling the placement of fluid resist droplets |
| US20200105522A1 (en) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist composition and method of forming photoresist pattern |
| US11845241B2 (en) | 2021-03-18 | 2023-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Laminate containing an adhesion promoter layer and method of making the laminate |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001258348A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-25 | Iseki & Co Ltd | 残幹切断装置 |
| JP2001272503A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 親水化ハードコートフィルム及び透明積層フィルム |
| JP2002060529A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 高密着ハードコートフィルム |
| JP2004051706A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハードコート処理物品とその製造方法 |
Family Cites Families (74)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3023201A1 (de) * | 1980-06-21 | 1982-01-07 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
| JPS6140845A (ja) | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | 低反射率ガラス |
| JPH04330650A (ja) | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光ディスク用基板の製造方法 |
| US5458953A (en) * | 1991-09-12 | 1995-10-17 | Mannington Mills, Inc. | Resilient floor covering and method of making same |
| US5545367A (en) * | 1992-04-15 | 1996-08-13 | Soane Technologies, Inc. | Rapid prototype three dimensional stereolithography |
| GB9220986D0 (en) | 1992-10-06 | 1992-11-18 | Ciba Geigy Ag | Chemical composition |
| DE4234423C2 (de) | 1992-10-13 | 1996-10-10 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Mit einem Resist beschichtete Metall- oder Halbleitersubstrate und Verfahren zur Erzielung einer stabilen Resist-Substrat-Haftung |
| US5432700A (en) * | 1992-12-21 | 1995-07-11 | Ford Motor Company | Adaptive active vehicle suspension system |
| US5578683A (en) * | 1994-06-27 | 1996-11-26 | Avery Dennison Corporation | Crosslinkable graft pressure-sensitive adhesives |
| AU6774996A (en) * | 1995-08-18 | 1997-03-12 | President And Fellows Of Harvard College | Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces |
| JP2978435B2 (ja) * | 1996-01-24 | 1999-11-15 | チッソ株式会社 | アクリロキシプロピルシランの製造方法 |
| US5942302A (en) * | 1996-02-23 | 1999-08-24 | Imation Corp. | Polymer layer for optical media |
| US6667082B2 (en) * | 1997-01-21 | 2003-12-23 | Cryovac, Inc. | Additive transfer film suitable for cook-in end use |
| US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
| US6723396B1 (en) * | 1999-08-17 | 2004-04-20 | Western Washington University | Liquid crystal imprinting |
| US6873087B1 (en) * | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| DE10008109A1 (de) | 2000-02-22 | 2001-08-23 | Krauss Maffei Kunststofftech | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer DVD |
| AU2001277907A1 (en) * | 2000-07-17 | 2002-01-30 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
| DE10103586A1 (de) * | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Roland Goebel | Primer zur Bildung einer haftfesten und feuchtestabilen Legierungs-Kunststoff-Verbundschicht und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US20020123592A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-05 | Zenastra Photonics Inc. | Organic-inorganic hybrids surface adhesion promoter |
| JP5201379B2 (ja) | 2001-03-26 | 2013-06-05 | リケンテクノス株式会社 | アンカーコート剤、易接着性基材フィルム及び積層フィルム |
| US7332266B2 (en) * | 2001-04-10 | 2008-02-19 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming anti-reflective coating for use in lithography |
| US7011932B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-03-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polymer waveguide fabrication process |
| US7141188B2 (en) * | 2001-05-30 | 2006-11-28 | Honeywell International Inc. | Organic compositions |
| US6610458B2 (en) * | 2001-07-23 | 2003-08-26 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Method and system for direct-to-press imaging |
| DE10217151A1 (de) * | 2002-04-17 | 2003-10-30 | Clariant Gmbh | Nanoimprint-Resist |
| US6720076B2 (en) * | 2002-05-31 | 2004-04-13 | Omnova Solutions Inc. | In-mold primer coating for thermoplastic substrates |
| US20030235787A1 (en) * | 2002-06-24 | 2003-12-25 | Watts Michael P.C. | Low viscosity high resolution patterning material |
| US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US6932934B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US6957608B1 (en) * | 2002-08-02 | 2005-10-25 | Kovio, Inc. | Contact print methods |
| US6808745B2 (en) * | 2002-08-22 | 2004-10-26 | Eastman Kodak Company | Method of coating micro-electromechanical devices |
| EP1546804A1 (en) | 2002-08-27 | 2005-06-29 | Obducat AB | Device for transferring a pattern to an object |
| US6936194B2 (en) * | 2002-09-05 | 2005-08-30 | Molecular Imprints, Inc. | Functional patterning material for imprint lithography processes |
| US20040065252A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Sreenivasan Sidlgata V. | Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards |
| US8349241B2 (en) * | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| JP2006504136A (ja) * | 2002-10-21 | 2006-02-02 | ナノインク インコーポレーティッド | ナノメートル・スケール設計構造、その製造方法および装置、マスク修復、強化、および製造への適用 |
| US7241823B2 (en) * | 2002-12-11 | 2007-07-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Radiation curing silicone rubber composition, adhesive silicone elastomer film formed from same, semiconductor device using same, and method of producing semiconductor device |
| US7365103B2 (en) * | 2002-12-12 | 2008-04-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Compositions for dark-field polymerization and method of using the same for imprint lithography processes |
| US20040168613A1 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-02 | Molecular Imprints, Inc. | Composition and method to form a release layer |
| US7179396B2 (en) * | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
| US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
| US7307118B2 (en) * | 2004-11-24 | 2007-12-11 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
| US20050160934A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Molecular Imprints, Inc. | Materials and methods for imprint lithography |
| US7157036B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US20060108710A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
| US20050098534A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of conductive templates employing indium tin oxide |
| US6958531B2 (en) * | 2003-11-14 | 2005-10-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Multi-substrate package and method for assembling same |
| DE60336322D1 (de) | 2003-11-21 | 2011-04-21 | Obducat Ab | Nanoimprint Lithographie in Mehrschichtsystemem |
| US8076386B2 (en) * | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7229732B2 (en) * | 2004-08-04 | 2007-06-12 | Xerox Corporation | Imaging members with crosslinked polycarbonate in charge transport layer |
| JP4130668B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2008-08-06 | 富士通株式会社 | 基体の加工方法 |
| SG119379A1 (en) * | 2004-08-06 | 2006-02-28 | Nippon Catalytic Chem Ind | Resin composition method of its composition and cured formulation |
| US7309225B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-18 | Molecular Imprints, Inc. | Moat system for an imprint lithography template |
| US7252862B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-08-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Increasing adhesion in an imprinting procedure |
| US20060062922A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Molecular Imprints, Inc. | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor |
| US20060081557A1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Molecular Imprints, Inc. | Low-k dielectric functional imprinting materials |
| US7163888B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-01-16 | Motorola, Inc. | Direct imprinting of etch barriers using step and flash imprint lithography |
| US20060145398A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Release layer comprising diamond-like carbon (DLC) or doped DLC with tunable composition for imprint lithography templates and contact masks |
| US20070059211A1 (en) * | 2005-03-11 | 2007-03-15 | The College Of Wooster | TNT sensor containing molecularly imprinted sol gel-derived films |
| US7256131B2 (en) * | 2005-07-19 | 2007-08-14 | Molecular Imprints, Inc. | Method of controlling the critical dimension of structures formed on a substrate |
| US8808808B2 (en) * | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
| US7759407B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
| US8557351B2 (en) | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
| US8846195B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-09-30 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Ultra-thin polymeric adhesion layer |
| US20070042173A1 (en) * | 2005-08-22 | 2007-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Antireflection film, manufacturing method thereof, and polarizing plate using the same, and image display device |
| US7393789B2 (en) * | 2005-09-01 | 2008-07-01 | Micron Technology, Inc. | Protective coating for planarization |
| US7419611B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-09-02 | International Business Machines Corporation | Processes and materials for step and flash imprint lithography |
| US8142703B2 (en) * | 2005-10-05 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography method |
| US20080110557A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | Molecular Imprints, Inc. | Methods and Compositions for Providing Preferential Adhesion and Release of Adjacent Surfaces |
| US8337959B2 (en) * | 2006-11-28 | 2012-12-25 | Nanonex Corporation | Method and apparatus to apply surface release coating for imprint mold |
| US9323143B2 (en) * | 2008-02-05 | 2016-04-26 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Controlling template surface composition in nano-imprint lithography |
| US8361546B2 (en) | 2008-10-30 | 2013-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Facilitating adhesion between substrate and patterned layer |
| US20110165412A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-07-07 | Molecular Imprints, Inc. | Adhesion layers in nanoimprint lithograhy |
-
2009
- 2009-10-27 US US12/606,588 patent/US8361546B2/en active Active
- 2009-10-29 KR KR1020117012205A patent/KR101699060B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-29 WO PCT/US2009/005870 patent/WO2010051024A1/en active Application Filing
- 2009-10-29 MY MYPI2011001822A patent/MY149262A/en unknown
- 2009-10-29 JP JP2011534510A patent/JP5404803B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001258348A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-25 | Iseki & Co Ltd | 残幹切断装置 |
| JP2001272503A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 親水化ハードコートフィルム及び透明積層フィルム |
| JP2002060529A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 高密着ハードコートフィルム |
| JP2004051706A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハードコート処理物品とその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013542591A (ja) * | 2010-09-08 | 2013-11-21 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソフラフィで用いる蒸気供給システム |
| JP2022506816A (ja) * | 2018-11-09 | 2022-01-17 | フェニックス コンタクト ゲーエムベーハー ウント コムパニー カーゲー | 物品をインプリントするための装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5404803B2 (ja) | 2014-02-05 |
| WO2010051024A1 (en) | 2010-05-06 |
| KR20110089857A (ko) | 2011-08-09 |
| US8361546B2 (en) | 2013-01-29 |
| US20100112236A1 (en) | 2010-05-06 |
| KR101699060B1 (ko) | 2017-01-23 |
| MY149262A (en) | 2013-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5404803B2 (ja) | 基板とパターン形成層との間の接着性の促進 | |
| JP4536148B2 (ja) | リソグラフィ・インプリント・システム | |
| JP5745532B2 (ja) | インプリント・リソグラフィ用テンプレート | |
| US7858010B2 (en) | Soft template with alignment mark | |
| JP5421378B2 (ja) | インプリント・リソグラフィ・ツールのその場クリーニング | |
| JP5289577B2 (ja) | インプリント・リソグラフィ装置用の真空チャックを備えた装置 | |
| EP1918776B1 (en) | Etching of nano-imprint templates using an etch reactor | |
| JP5357768B2 (ja) | 液体吐出装置上への非湿潤性コーティング | |
| US6830950B2 (en) | Integrated method for release and passivation of MEMS structures | |
| TWI380895B (zh) | 控制殘餘層厚度之技術 | |
| US20100078846A1 (en) | Particle Mitigation for Imprint Lithography | |
| WO2008146869A2 (en) | Pattern forming method, pattern or mold formed thereby | |
| TWI408045B (zh) | 壓印微影術製程中之分離技術 | |
| JP2011505066A (ja) | リフトオフ工程を用いてテンプレートを生成する方法 | |
| JP2013070033A (ja) | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
| US9164375B2 (en) | Dual zone template chuck | |
| US8512585B2 (en) | Template pillar formation | |
| TWI411656B (zh) | 促進基材與圖案化層間黏著的技術 | |
| TWI845860B (zh) | 卡盤組件、平坦化製程、裝置及製造物品的方法 | |
| JP2010040747A (ja) | 基板処理装置 | |
| US20230373065A1 (en) | Planarization process, apparatus and method of manufacturing an article | |
| JP6992331B2 (ja) | インプリントモールド | |
| TW202433595A (zh) | 製造物件的平坦化製程、設備與方法 | |
| Choi et al. | Development of a two-chamber process for self-assembling a fluorooctatrichlorosilane monolayer for the nanoimprinting of full-track nanopatterns with a 35 nm half pitch |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121029 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121029 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20121029 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20121115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121130 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20121130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130311 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130318 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130411 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130418 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130513 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20130521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130903 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131015 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131029 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5404803 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |