JP5421378B2 - インプリント・リソグラフィ・ツールのその場クリーニング - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、アメリカ合衆国特許法第１１９条（ｅ）（１）の規定に従って、２００８年１０月２日に出願された米国特許仮出願第６１／１０２，０８２号、２００９年６月１日に出願された米国特許仮出願第６１／１８２，９１２号、及び２００９年９月２１日に出願された米国特許出願第１２／５６３，３５６号に基づく優先権を主張するものであり、これら出願全ての全体が、引用により本明細書に組み入れられる。

ナノファブリケーションは、１００ナノメートル又はそれより小さいオーダーの形状構造部を有する非常に小さい構造体の製造を含む。ナノファブリケーションがかなり大きな影響を及ぼした１つの用途は、集積回路の処理である。半導体処理産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より高い生産歩留まりを求めて努力し続けているので、ナノファブリケーションはますます重要になっている。ナノファブリケーションは、形成される構造体の最小形状構造部の寸法の継続的な低減を可能にしながら、より優れたプロセス制御機能を提供するものである。ナノファブリケーションが採用される他の開発分野には、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどが含まれる。

今日使用されている例示的なナノファブリケーション技術は、一般に、インプリント・リソグラフィと呼ばれる。例示的なインプリント・リソグラフィ・プロセスは、米国特許出願公開第２００４／００６５９７６号、米国特許出願公開第２００４／００６５２５２号、米国特許第６，９３６，１９４号等の多数の刊行物に詳細に記載されており、これらの特許文献の全ては、引用により本明細書に組み入れられる。

前述の米国特許出願公開及び米国特許の各々に開示されるインプリント・リソグラフィ技術は、ポリマー層内にレリーフ・パターンを形成すること、及び、そのレリーフ・パターンに対応するパターンを下にある基板内に転写することを含む。基板は、所望の位置決めを行なってパターン形成プロセスを実行するために、可動ステージに結合される。パターン形成プロセスは、基板から離間して配置されたテンプレートと、該テンプレートと基板との間に導入される成形可能な液体を用いる。成形可能な液体が実質的に固化して、該成形可能な液体と接触するテンプレート表面の形状に適合するパターンを有する剛性層を形成する。固化した後、テンプレートを剛性層から分離し、テンプレートと基板とを離間して配置する。次に基板及び固化層に付加的なプロセスを施して、固化層内のパターンに対応するレリーフ像を基板に転写する。

基板内にレリーフ像を形成する際に、成形可能な液体の液滴が拡がってテンプレートの形状構造部を充填するに従って、該液体がテンプレートと基板との間の領域から流出することがある。インプリント液体の一部の残留物が、テンプレートの活性領域上に残ることがある。この物質は、インプリント毎に蓄積することになる。こうしたテンプレート上への物質の蓄積は、後のインプリントに対して、これらに限定されるものではないが、プリントされる形状構造部の重要な寸法の変化、プリントされる形状構造部の高さの変化、テンプレート面の表面エネルギー及び／又は湿潤特性の変化、固化層と汚染されたテンプレート面との間の粘着力の増大、及びインプリント・プロセスにおけるパターン形成欠陥数の増加といった悪影響を及ぼすことになる。

テンプレート表面をクリーニングする技術は、テンプレートをインプリント・リソグラフィ・システムから取り外し、テンプレートをクリーニングし、テンプレートを再び取り付け、再び取り付けたテンプレートを検査することを含む。テンプレートのクリーニングとしては、テンプレートを液体クリーニング溶液中に浸漬すること、又は、反応性プラズマチャンバ内でテンプレートをクリーニングすることがある。これらのクリーニング・プロセスは、低速であり、結果として休止時間が高価なものとなる。液体クリーニング・プロセスは、高温、及び特殊な実験装置を必要とすることになる。同様に、プラズマクリーニングは、真空チャンバ及び高温を必要とするものであり、テンプレート表面を損傷する可能性がある。

リソグラフィ・システムの簡略化された側面図である。 パターン形成層を上に有する、図１に示す基板の簡略化された側面図を示す。 図１に示すテンプレートから汚染物質を除去するためのシステムの簡略化された側面図を示す。 図１に示すテンプレートから汚染物質を除去するためのシステムの簡略化された側面図を示す。 図１に示すテンプレートから汚染物質を除去するためのシステムの簡略化された側面図を示す。 テンプレートから汚染物質を除去するための例示的な方法のフローチャートを示す。 例示的な紫外線クリーニング源に近接したテンプレートの表面を示す。 非ＵＶ吸収性ガスでパージされたチャンバ内に収容された例示的な紫外線クリーニング源を示す。 紫外エネルギー源からテンプレートに向けての非ＵＶ吸収性ガスの流れを有する、チャンバ内の例示的な紫外線クリーニング源を示す。 パージされたチャンバ内にあり、テンプレートの非インプリント側に近接した例示的な紫外線クリーニング源を示す。 硬化及びクリーニングのために異なる紫外線源を有するインプリント・リソグラフィ・システムの動作を示す。 硬化及びクリーニングのために異なる紫外線源を有するインプリント・リソグラフィ・システムの動作を示す。 インプリント・リソグラフィ・テンプレートの下のステージ上に取り付けられた紫外線クリーニング源の例示的な動きを示す。 インプリント・リソグラフィ・テンプレートの下のステージ上に取り付けられた紫外線クリーニング源の例示的な動きを示す。 基板の装填及び取り出し中にテンプレートをクリーニングするために、固定された取付具上に取り付けられた例示的な紫外線クリーニング源を示す。

特徴及び利点を詳細に理解できるようにするために、図面に示される実施形態を参照して、実施形態をより詳細に説明する。しかしながら、図面は、典型的な実施形態を示すにすぎず、従って、本発明の範囲を限定するものとみなすべきではないことに留意すべきである。

図面、特に図１を参照すると、図には、基板１２上にレリーフ・パターンを形成するのに用いられるリソグラフィ・システム１０が示される。基板１２は、基板チャック１４に結合することができる。図示されるように、基板チャック１４は、真空チャックである。しかしながら、基板チャック１４は、どのような形式のチャックでもよく、これらチャックとしては、以下に限定されるものではないが、真空、ピン型、溝型、電磁式及び/又はその種の他のものがある。例示的なチャックが、引用により本明細書に組み入れられる米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。

基板１２及び基板チャック１４は、ステージ１６により、さらに支持することができる。該ステージ１６は、ｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸に沿って動くことができる。ステージ１６、基板１２、及び基板チャック１４は、基部（図示せず）上に配置することもできる。

テンプレート１８が、基板１２から離間して配置される。該テンプレート１８は、一般に、該テンプレートから基板１２に向かって延びるメサ２０を含み、メサ２０は、その上にパターン形成面２２を有する。さらに、メサ２０は、金型２０と呼ぶこともできる。テンプレート１８及び／又は金型２０は、これらに限定されるものではないが、溶融シリカ、水晶、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ化炭素ポリマー、金属、硬化サファイア、及び/又はその種の他のものを含む材料から形成することができる。図示されるように、パターン形成面２２は、離間配置された複数の凹部２４及び／又は突出部２６により定められた構造部を含む。パターン形成面２２は、基板１２上に形成されるパターンの基礎を形成する任意のオリジナル・パターンを定めることができる。

テンプレート１８は、チャック２８に結合することができる。チャック２８は、これらに限定されるものではないが、真空、ピン型、溝型、電磁式及び／又は他の類似のチャック型式として構成することができる。こうしたチャックは、引用により本明細書に組み入れられる米国特許第６，８７３，０８７号にさらに記載される。さらに、チャック２８をインプリント・ヘッド３０に結合することができ、テンプレート１８の移動を容易にするようにチャック２８及び／又はインプリント・ヘッド３０を構成することができる。

システム１０は、流体分配システム３２をさらに含むことができる。流体分配システム３２を用いて、材料を基板１２上に堆積させることができる。例えば、流体分配システム３２を用いて、基板上に成形可能な液体材料３４を堆積させることができる。この材料３４は、液滴分配、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積及び／又はその種の他のもののような技術を用いて、基板１２上に配置することができる。設計の考慮事項に応じて、金型２２と基板１２との間に所望の容積が定められる前、及び／又は定められた後に、材料３４を基板１２上に配置することができる。材料３４は、どちらも引用により本明細書に組み入れられる米国特許第７，１５７，０３６号及び米国特許出願公開第２００５／０１８７３３９号に記載されるように、モノマー混合物を含むことができる。さらに、材料は、生物医学産業、太陽電池産業等における機能材料を含み得ることに留意すべきである。

図１及び図２を参照すると、システム１０は、経路４２に沿ってエネルギー４０を導くように結合されたエネルギー源３８をさらに含むことができる。テンプレート１８と基板１２を経路４２と重ね合わせた状態で配置するように、インプリント・ヘッド３０及びステージ１６を構成することができる。システム１０は、ステージ１６、インプリント・ヘッド３０、流体分配システム３２、及び／又はエネルギー源３８と通信状態にあるプロセッサ５４により調整することができ、メモリ５６内に格納されたコンピュータ可読プログラム上で動作することができる。

インプリント・ヘッド３０及びステージ１６のいずれか又は両方が、これらの間に材料３４により充填される所望の容積を定めるように、金型２０と基板１２との間の距離を変化させる。例えば、インプリント・ヘッド３０がテンプレート１８に力を加え、金型２０を材料３４に接触させることができる。材料３４で所望の容積を充填した後、エネルギー源３８は、例えば、広帯域紫外線放射のようなエネルギー４０を生成し、材料３４を固化及び／又は架橋させて、基板１２の表面４４及びパターン形成面２２の形状に適合させ、パターン形成された層４６を、基板１２上に定める。このパターン形成層４６は、残留層４８と、突出部５０及び凹部５２などで示される複数の形状構造部とを含むものであり、突出部５０は厚さｔ１を有し、残留層は厚さｔ２を有する。

上述のシステム及びプロセスは、米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許第７，０７７，９９２号、米国特許第７，１７９，３９６号、米国特許第７，３９６，４７５号に記載されたインプリント・リソグラフィ・プロセス及びシステムにおいても用いることができ、これらの特許文献の全ては、その全体が引用により本明細書に組み入れられる。

場合によっては、図１及び図２に関して説明されるインプリント・プロセスの際、金型２０と基板１２との間の所望の容積を超えて材料３４が押し出されることがある。所望の容積を超えた押し出しは、材料３４が金型２０と基板１２との間で圧縮されたときに、材料３４内で生じる流体圧力に起因するものである。さらに、金型２０が基板１２から分離された後でさえも、パターン形成層４６の部分がテンプレート１８上に残ることがある。パターン形成面２２上の材料３４の残留物は、欠陥を引き起こすこともあり、本明細書では一般に汚染物質と呼ばれる。

本明細書に記載されるその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）クリーニング・プロセスを用いて、インプリント・リソグラフィ・システム１０からテンプレート１８を取り外すことなく、テンプレート１８をクリーニングすることができる。従って、テンプレートが依然としてインプリント・リソグラフィ・システム１０内に取り付けられている間に、テンプレート１８をクリーニングすることができる。テンプレート１８のクリーニングは、インプリント・リソグラィ・システム１０と両立性のあるクリーニング方法を実施することにより、室温及び大気圧で迅速に達成することができる。液体を使用することなく、及び／又は、テンプレート１８の表面を損傷することなく、クリーニングを達成することができる。

図３を参照すると、テンプレート１８は、対向する面を含むものとすることができる。例えば、テンプレート１８は、後面６０と活性面６２とを含むものとすることができる。後面６０は、マスク２０を含む。マスク２０は、形状構造部２４及び２６を有するものとするか、及び／又は、マスク２０は、設計考慮事項に応じて、平坦にしてもよい。１つの実施形態においては、図３に示されるように、エネルギー６４を後面６０からテンプレート１８に照射することができる。別の実施形態においては、図４に示されるように、エネルギー６４を活性面６２から、テンプレート１７に照射することができる。エネルギー６４は、一次エネルギー源３８（図１に示される）から与えることができ、及び／又は、エネルギー６４は、二次エネルギー源から与えることができる。エネルギー６４は、紫外線エネルギー、熱エネルギー、電磁エネルギー、可視光エネルギー、及び／又は他のタイプのエネルギーとすることができる。さらに別の実施形態においては、一次エネルギー源３８（面６０に向けられる）及びエネルギー６４（活性面６２に向けられる）を生成する二次エネルギー源の両方から、エネルギーを与えることができる。例えば、一次エネルギー源（ＵＶ源）及び二次エネルギー源（ＶＵＶ）からエネルギーを与えることができる。エネルギーは、実質的に同時に及び／又は非同期式に与えることができる。

図３及び図４に示されるように、テンプレート１８のマスク２０に隣接させて１つ又はそれ以上のノズル６８を配置することができる。ノズル６８は、流体６６を、テンプレート１８の表面及び／又はテンプレート１８を囲む領域に導入することができる。流体６６は、テンプレート１８の表面及び／又はテンプレート１８を囲む領域から、押出し材料及び／又は粒子を実質的に除去することができるものであれば、どのような液体又は気体であってもよい。例えば、流体６６は、オゾンガスとすることができる。一例では、ノズル６８は、１つ又はそれ以上のノズル６８から複数の流体を提供することができる。例えば、ノズル６８は、オゾンガス、ヘリウム、二酸化炭素、及び／又は、図１及び図２に関連して説明されたようなインプリント・プロセスの際に必要とされる他の物質を導入することができる。

別の実施形態においては、図５に示されるように、余分な流体及び／又は汚染物質を放出するための少なくとも１つのポート７２を有する排気プレート７０を、テンプレート１８から離間して配置することができる。排気プレート７０は、金属、プラスチック、ガラス、及び／又は同様の材料でできた平板又は湾曲した板とすることができる。一例においては、プレート７０の中間点にポート７２を配置することができる。しかしながら、プレート７０に沿ったいずれの位置にポート７２を配置してもよい。さらに、図５内には１つのポートだけが示されるが、余分な流体６６及び／又は汚染物質を放出するために、複数のポート７２をプレート７０内に含ませることができることに留意すべきである。

ポート７２は、テンプレート１８及びテンプレート１８を囲む領域から流体６６を除去するための排気システムを構成することができる。ポート７２は、テンプレート１８及び該テンプレート１８を囲む領域から流体６６を除去するために、真空装置及び／又は吸引又は強制力の手段によって動作する他の類似の装置を用いて、能動的放出を行なうことができる。例えば、真空及び／又は他の類似の装置は、流体６６から汚染物質をさらに除去して廃棄及び／又は再利用するものとすることができる。

代替的に、ポート７２は、受動的放出技術を提供するものとすることができる。例えば、テンプレート１８を横切って流体６６（例えば、オゾン）を引き込み、テンプレート１８からの汚染物質を付着させるようにすることができる。汚染物質は、流体６６と共に放出するか、及び／又は、ポート７２を通って放出することができる。

図６は、テンプレート１８から汚染物質を除去するための例示的な方法のフローチャート７４を示す。ステップ７６において、エネルギー６４によりテンプレート１８に照射することができる。テンプレート１８の後面６０及び／又は活性面６２上に照射することができる。ステップ７８において、テンプレート１８の表面及び／又はテンプレート１８を囲む領域に流体６６を導入することができる。例えば、ノズル６８により流体６６を導入することができる。流体６６は、テンプレート１８の表面及び／又はテンプレート１８を囲む領域から汚染物質を実質的に除去することができる。ステップ８０において、テンプレート１８の表面及び／又はテンプレート１８を囲む領域から、流体６６及び／又は汚染物質を除去することができる。流体６６及び／又は汚染物質の除去は、ポート７２及び／又は他の類似の機構を通した積極的な放出、及び／又は、消極的な放出によるものとすることができる。ステップ８２において、図１及び図２に関連して説明されたようなインプリント・プロセスを再開することができる。１つの実施形態においては、インプリント・リソグラフィ・システム１０において、第１の基板１２を取り外し、第２の基板を装填する間に、テンプレート１８をクリーニングすることができる。

幾つかの実施形態においては、真空紫外線放射（例えば、約１２０ｎｍから約２００ｎｍまでの波長範囲の放射）を用いて、インプリント・リソグラフィ・システム１０内のインプリント・リソグラフィ・テンプレート１８の形状構造部２４及び２６及び／又はマスク２０をクリーニングすることができる。約２００ｎｍより短い波長では、酸素（例えば、大気中の酸素）により真空紫外線放射又はＶＵＶ放射を吸収することができる。非ＵＶ吸収性ガス種には、窒素及びアルゴンが含まれる。酸素によるＶＵＶ放射の吸収により、オゾン及び／又は励起原子酸素のような反応種の生成がもたらされることがある。これらの種は、有機化合物に対して反応性であり、従って、インプリント・リソグラフィ・テンプレート１８の表面から、材料３４及び／又は固化した材料３４をクリーニングすることができる。ＶＵＶ源及び約１７０ｎｍから３７０ｎｍまでの波長範囲の放射をもたらすＵＶ源を用いて実質的に同時に照射することより、反応性酸素種の生成をさらに増大させることができる。

ＶＵＶ放射源は、例えば、低圧水銀灯、誘電体バリア放電源などとすることができる。低圧水銀灯は、オゾンを生成することができる約１８５ｎｍの帯域と、何らかの有機分子により吸収され、それらを直接（オゾンなしで）劣化させることができる約２５４ｎｍの別の帯域とを含む、１又はそれ以上のスペクトル領域で放射を生成することができる。希ガス（又は希ガス及びハロゲン化物の混合物）で充填された誘電体バリア放電（ＤＢＤ）源は、エキシマの減衰から真空紫外線放射を生成することができる。この放射源は、例えば、ＤＢＤ源がキセノンガスを含む場合、電気エネルギーの約４０％を約１７２ｎｍの波長の放射に変換することができ、非常に効果的である。ＤＢＤ源は、ごくわずかな起動時間により室温で動作し、及び／又は最小の熱を生成することができる。

パージされたチャンバ又は非ＵＶ吸収性ガスの雰囲気がない場合には、ＶＵＶ放射は、放射源に近接した位置にある（例えば、エネルギー源の表面から約１０ｍｍの範囲内の）酸素により吸収することができる。従って、パージされたチャンバ又は非ＵＶ吸収性ガスの雰囲気がない場合においては、インプリント・リソグラフィ・システム１０内に組み込まれることになるＶＵＶ放射源は、クリーニング中にテンプレート１８に近接するように配置すればよい。

図７を参照すると、幾つかの実施形態においては、酸素含有環境中（例えば、空気中）の大気圧のもとで、インプリント・リソグラフィ・システム１０内において（その場で）、テンプレート１８をクリーニングすることができる。例えば、酸素含有環境内で、テンプレート１８の活性面６２をＶＵＶ放射源８６の表面８７に近接させることができる。幾つかの実施形態においては、ＶＵＶ放射源８６は、ＤＢＤ源とすることができる。１つの実施形態においては、テンプレート１８の活性面６２を、ＶＵＶ放射源８６の表面８７の約１０ｍｍ内にすることができる。従って、放射線は、空気中で大幅に減衰され、効果的なクリーニングをもたらすことができる。分離距離がより小さいほど、テンプレート１８の活性面６２の放射線が強くなり、有機化合物をテンプレート１８の活性面６２から除去する速度をさらに向上させることができる。場合によっては、クリーニングの速度は、テンプレート１８の活性面６２にわたって異なり得る（例えば、放射源８６は、テンプレート１８の活性面６２にわたって異なるエネルギーをもたらす曲面をもった電球とすることができる）。

図８は、ＶＵＶ放射源８６をチャンバ８８内に収容することができる別の実施形態を示す。この図では、チャンバ８８は、テンプレート６０の上に配置された状態で示される。図３及び図４に示すように、放射６４をもたらすために、チャンバ８８をテンプレート６０の上又は下に配置できることに留意すべきである。チャンバ８８とテンプレート６０の他の相対的位置もまた可能である。入口９２を通した非吸収性ガス９０（例えば、窒素又はアルゴン）でチャンバ８８をパージすることができる。チャンバ８８内の圧力は、およそ大気圧とすることができる。テンプレート１８は、パージされたチャンバ８８のウィンドウ９４にごく近接して（例えば、約５ｍｍ以内に）配置することができる。ウィンドウ９４は、これに限定されるものではないが、非ＵＶ吸収性材料（例えば、溶融シリカ）を含む材料で構成することができる。ＶＵＶ放射源８６は、比較的高い均一性を有した状態でウィンドウ９４の第１の側９５（すなわち、パージされた側）に照射することができ、活性面６２にわたって相対的に均一なクリーニングをもたらす。図８に示されるように、チャンバ８８をパージするのに用いられるガス９０を用いて、ＶＵＶ放射源８６により発生する熱を除去することもできる。例えば、ガス９０を用いて、出口９６を通して熱を除去することができる。

図９に示されるように、ＶＵＶ放射源８６（例えば、ＤＢＤ源）を開放チャンバ９８内に配置することができる。非ＵＶ吸収性ガス９０は、入口９２を通してチャンバ９８に流入することができる。ガス９０は、ＶＵＶ放射源８６に流れる前に、ディフューザ・プレート１００を通って流れることができる。テンプレート１８に向かう実質的に層状の流れをチャンバ９８内に形成することができる。テンプレート１８の活性面６２を、チャンバ９８の開口部１０２から約５ｍｍ以内に配置して、テンプレート１８の活性面６２とＶＵＶ放射源８６との間の距離が５ｍｍを超えるようにすることができる。非ＵＶ吸収性ガス９０の流れが、他の場合にはＶＵＶ放射源８６とテンプレート１８の活性面６２との間の空気中で発生する、ＶＵＶ放射源８６からの放射線の減衰を減少させることになる。このことにより、空気中で達成されるよりも（例えば、図７に示されるように）、ＶＵＶ放射源８６とテンプレート１８の活性面１８との間の距離が大きくなる。

図１０は、ＶＵＶ放射源８６（例えば、ＤＢＤ源）をパージされたチャンバ１０４内に配置することができる別の実施形態を示す。テンプレート１８は、チャンバ１０４の一方の側部を形成しており、テンプレート１８の活性面６２がチャンバ１０４とは反対側に向いた状態で配置されるようにすることができる。例えば、活性面６２は、大気環境中にある状態にすることができる。ＶＵＶ放射は、パージされたチャンバ１０４を通ってテンプレート１８の後面６０へ、さらにテンプレート１８の活性面６２へと透過することができる。

活性面６２における放射線強度は比較的高く、向上した表面クリーニング速度をもたらすことができる。例えば、ＶＵＶ放射源８６をテンプレート１８の後面６０に近接して配置した場合（テンプレート１８と基板１２との間とは対照的に）、ＶＵＶ源８６を実質的に再配置することなく、及び／又は、図１のインプリント・リソグラフィ・システム１０内でテンプレート１８を再配置することなく、テンプレート１８をクリーニングすることができる。この構成により、ＶＵＶ放射源８６をテンプレート１８と基板１２及び／又は図１のステージ１６との間に配置することなく、テンプレート１８の活性面６２をクリーニングすることが可能になる。従って、図１及び図２に関連して説明されたように、インプリントが終わるたびに、テンプレート１８をクリーニングすることができる。

図１１Ａ及び図１１Ｂは、エネルギー源３８及びＶＵＶ放射源８６（例えば、ＤＢＤ源）の両方を有する別の実施形態を示す。エネルギー源３８は、テンプレート１８と基板１２との間の材料３４を固化することができ、ＶＵＶ放射源８６は、テンプレート１８の活性面６２及び／又は後面６０をクリーニングすることができる。

図１１Ａは、開位置にあるシャッター１０８を示す。この開位置において、シャッター１０８により、エネルギー源３８からのエネルギー４０が、ウィンドウ１１２を通ってチャンバ１１０に入り、テンプレート１８の活性面６２と基板１２との間の材料３４を照射するのが容易になる。チャンバ１００は、非ＵＶ吸収性ガス９０でパージすることができる。

図１１Ｂは、閉位置のシャッター１０８を示す。この閉位置において、ＶＵＶ放射源８６からのＶＵＶ放射は、テンプレート１８の後面６０に接触することができる。シャッター１０８は、チャンバ１１０内のＶＵＶ放射をテンプレート１８の方向に導く反射面１１４を有することができる。テンプレート１８のクリーニング後、シャッター１０８を再び開いて、エネルギー源３８からのエネルギー４０をテンプレート１８に到達させることができる。

幾つかの実施形態において、シャッター１０８は、エネルギー源３８からのエネルギー４０に対して透明であり、ＶＵＶ放射を反射することができる。例えば、シャッター１０８は、ＶＵＶ放射を反射するコーティングを有することができる。こうした実施形態においては、シャッター１０８は、図１及び図２に関連して説明された固化ステップ（例えば、重合ステップ）のために（例えば、図１１Ｂに示されるように）静止したままである。

図１２Ａ及び図１２Ｂは、ＶＵＶ放射源８６（例えば、ＤＢＤ源）を、テンプレート１８の活性面６２より下方に配置されたステージ１１６（例えば、ｘ−ｙステージ）に結合することができる別の実施形態を示している。ステージ１１６の設計は、米国特許出願第１０／４３８，２２４号及び米国特許出願第１１／２１１，７６６号にさらに詳細に説明されている、転写体と類似しており、これらの出願は、いずれも、その全体が引用により本明細書に組み入れられる。

図１２Ａを参照すると、クリーニング・プロセス中に、ステージ１１６を並進及び／又は回転させて、１つ又はそれ以上のＶＵＶ放射源８６をテンプレート１８の活性面６２の下に位置させることができる。ＶＵＶ放射源８６からの放射線を、テンプレート１８の活性面６２の方向に導くことができる。さらに、ＶＵＶ放射源８６を活性面６２の一部の下に配置し、ステージ１１６をｘ方向及びｙ方向に沿って並進させて、活性面６２を横切って放射線を当てることができる。

図１２Ｂを参照すると、クリーニング後には、ステージ１１６を並進及び／又は回転させて、ＶＵＶ放射源８６を移動させ、ＶＵＶ放射源８６をテンプレート１８の下に位置させることができないようにすることができる。図１及び図２に関連して説明されるように、インプリントのために、テンプレート１８及び基板１２を再び位置合わせすることができる。

図１３は、基板１２をシステム１０に装填するとき又は該システム１０から取り出すとき、テンプレート１８をクリーニングすることができる別の実施形態を示す。例えば、図１３に示すように、ＶＵＶ放射源８６（例えば、ＤＢＤ源）は、固定された取付具１１８上に取り付けることができる。自動テンプレート操作ツール１２０を用いて、クリーニングのためにテンプレート１８をＶＵＶ放射源８６に近接して配置し、次いで、図１及び図２に関して説明されたように、インプリントのためにテンプレート１８を基板１２に近接して再配置することができる。

１８ テンプレート； ６０ 後面； ６２ 活性面； ８６ ＶＵＶ放射源；
８７ 表面。

Claims (17)

1. インプリント・リソグラフィ・テンプレートをクリーニングする方法であって、
   前記テンプレートが前記インプリント・リソグラフィ・システム内に配置されている間に、真空紫外線放射源からの真空紫外線放射を前記テンプレートの表面に照射するステップを有し、
   前記真空紫外線放射源は、チャンバ内に配置され、前記チャンバは非ＵＶ吸収性ガスによりパージされることを特徴とする方法。
2. 前記真空紫外線放射源は誘電バリア放電源を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記テンプレートの前記表面に照射するステップは、該テンプレートの活性面に照射するステップを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
4. 前記テンプレートに照射する前に、前記テンプレートを前記真空紫外線放射源に近接して配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
5. 前記テンプレートに照射する前に、前記真空紫外線放射源を前記テンプレートに近接して配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
6. 前記テンプレートの前記表面と前記真空紫外線放射源との間の距離は、約１０ｍｍ又はそれより短いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
7. 前記非ＵＶ吸収性ガスは、窒素又はアルゴンを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
8. 前記真空紫外線放射源から前記テンプレートに向けて、実質的に層流の非ＵＶ吸収性ガスを確立するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
9. 前記チャンバ内の圧力は、大気圧より大きいか又は実質的に等しいことを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
10. 前記チャンバは、真空紫外線放射に対して実質的に透明なウィンドウを含み、前記テンプレートの表面は、前記ウィンドウの外面から約５ｍｍ又はそれより短い距離をおいて配置されることを特徴とする請求項７乃至９に記載の方法。
11. 前記テンプレートに照射している間に、基板を前記インプリント・リソグラフィ・システム内に装填するか、又は取り外すステップを含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
12. 前記テンプレートは、テンプレート・チャックに結合されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
13. テンプレート表面の上にガスを流し、前記インプリント・リソグラフィ・システムから前記ガスを排気して、該インプリント・リソグラフィ・システムから汚染物質を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法。
14. 第２の紫外線放射源を前記テンプレートの前記表面に曝し、前記インプリント・リソグラフィ・システムからの汚染物質の除去を改善するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれかに記載の方法。
15. 前記第２の紫外線放射源は、１７０ｎｍから３７０ｎｍまでの波長範囲の放射を生成することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
16. 前記第２の紫外線放射源は、２２５ｎｍから２７５ｎｍまでの波長範囲の放射を生成することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
17. 前記第２の紫外線放射源は、インプリント・リソグラィ処理中、変形可能な材料を実質的に固化するためにも用いられる源によって与えられることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれかに記載の方法。

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