JP6659607B2 - テンプレート洗浄方法、及びテンプレート洗浄装置 - Google Patents
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Description
実施形態にかかるテンプレート洗浄装置について説明する。半導体デバイスの製造に、ナノインプリントリソグラフィ技術が用いられることがある。ナノインプリントリソグラフィ技術では、表面にパターンが形成されたテンプレートが準備される。基板にレジストが塗布された後、テンプレートの表面が基板上のレジストに押し当てられ、テンプレート表面上のパターンが基板上のレジストへ転写される。パターン転写時にテンプレート表面上にレジストが付着するため、パターン転写後に、酸又はアルカリ等の洗浄剤を用いて、テンプレート表面上からレジストを除去する洗浄処理が行われ得る。
助剤、pH調整剤を用いて、テンプレートを洗浄することを備えた
テンプレート洗浄方法。
前記洗浄の後に、プラズマを照射して、前記テンプレートに付着した前記助剤を除去することをさらに備えた
付記1に記載のテンプレート洗浄方法。
前記テンプレートは、所定の最小寸法を有するパターンを含み、
前記助剤に含まれる粒子の平均1次粒径は、前記所定の最小寸法に対応している
付記1又は2に記載のテンプレート洗浄方法。
前記助剤は、有機物を主成分とする材料で形成された粒子を含む
付記2に記載のテンプレート洗浄方法。
前記洗浄することは、前記助剤、前記pH調整剤、界面活性剤を用いて、前記テンプレートを洗浄することを含む
付記1から4のいずれか1項に記載のテンプレート洗浄方法。
前記界面活性剤は、前記テンプレートに付着したパーティクルの表面電位を第1の電位に調整し、
前記pH調整剤は、前記助剤の表面電位を前記第1の電位と逆極性の第2の電位に調整する
付記5に記載のテンプレート洗浄方法。
前記洗浄することは、前記助剤に振動を与えながら、前記助剤、前記pH調整剤を用いて、テンプレートを洗浄することを含む
付記1から6のいずれか1項に記載のテンプレート洗浄方法。
第1の処理室と、
前記第1の処理室に助剤を供給する第1の供給部と、
前記第1の処理室にpH調整剤を供給する第2の供給部と、
を備えたテンプレート洗浄装置。
第2の処理室と、
前記第2の処理室にプラズマを照射可能である照射部と、
をさらに備えた
付記8に記載のテンプレート洗浄装置。
有機物を主成分とする材料で形成された粒子を含む助剤を備え、
テンプレートを洗浄することに用いられる
洗浄液。
前記洗浄液のpHは、3以上6以下である
付記10に記載の洗浄液。
前記助剤は、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルスチレン系樹脂、メラニン系樹脂を含む群から選ばれる少なくとも1つを主成分とする材料で形成された粒子を含む
付記10又は11に記載の洗浄液。
前記粒子の平均1次粒子径は、5nm以上60nm以下である
付記10から12のいずれか1項に記載の洗浄液。
前記粒子は、0.5wt%以上20wt%以下の量で前記洗浄液に含有される
付記10から13のいずれか1項に記載の洗浄液。
Claims (3)
- 表面にパターンが形成されたテンプレートを酸又はアルカリで洗浄することと、
前記テンプレートを洗浄液で洗浄することと、
前記テンプレートをリンス液でリンスすることと、
処理ガスを用いて前記テンプレートをアッシングすることと、
を備え、
前記洗浄液は、少なくとも助剤、pH調整剤及び界面活性剤を含み、
前記助剤は、有機物を主成分とする材料で形成された粒子を含み、
前記界面活性剤は、前記テンプレートに付着したパーティクルの表面電位を第1の電位に調整し、
前記pH調整剤は、前記助剤の表面電位を前記第1の電位と逆極性の第2の電位に調整する
テンプレート洗浄方法。 - 前記洗浄することは、前記助剤に振動を与えながら、前記助剤、前記pH調整剤を用いて、前記テンプレートを洗浄することを含む
請求項1に記載のテンプレート洗浄方法。 - 第1の処理室と、
前記第1の処理室に助剤を供給する第1の供給部と、
前記第1の処理室にpH調整剤を供給する第2の供給部と、
前記第1の処理室に界面活性剤を供給する第3の供給部と、
第2の処理室と、
前記第2の処理室にプラズマを照射可能である照射部と、
前記第1の処理室に配され、テンプレートを回転可能に保持する第1のステージと、
前記第2の処理室に配される第2のステージと、
を備え、
前記界面活性剤は、前記テンプレートに付着したパーティクルの表面電位を第1の電位に調整し、
前記pH調整剤は、前記助剤の表面電位を前記第1の電位と逆極性の第2の電位に調整する
テンプレート洗浄装置。
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