KR20110084055A - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛 - Google Patents
발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110084055A KR20110084055A KR1020100004104A KR20100004104A KR20110084055A KR 20110084055 A KR20110084055 A KR 20110084055A KR 1020100004104 A KR1020100004104 A KR 1020100004104A KR 20100004104 A KR20100004104 A KR 20100004104A KR 20110084055 A KR20110084055 A KR 20110084055A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- cavity
- electrode
- emitting chip
- emitting device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/05611—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05655—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/45111—Tin (Sn) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45155—Nickel (Ni) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45166—Titanium (Ti) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48801—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/48811—Tin (Sn) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48844—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48847—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48855—Nickel (Ni) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
- H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
- H01L2924/15156—Side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
Abstract
실시예에 따른 발광 소자는 상부가 개방되도록 형성된 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 측벽은 상기 캐비티의 바닥면에 대해 제1 각도로 경사진 몸체; 상기 몸체에 형성되며, 적어도 일부분이 상기 캐비티의 측벽을 따라 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 캐비티의 바닥면 중 어느 하나 위에 탑재된 발광칩; 일단은 상기 발광칩 상면에 본딩되고, 타단은 상기 캐비티의 측벽에 형성된 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나에 본딩되는 적어도 하나의 와이어; 및 상기 캐비티 내에 형성되어 상기 발광칩을 밀봉하는 몰딩부재를 포함한다.
Description
실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛을 제공한다.
실시예는 색편차가 적은 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 상부가 개방되도록 형성된 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 측벽은 상기 캐비티의 바닥면에 대해 제1 각도로 경사진 몸체; 상기 몸체에 형성되며, 적어도 일부분이 상기 캐비티의 측벽을 따라 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 캐비티의 바닥면 중 어느 하나 위에 탑재된 발광칩; 일단은 상기 발광칩 상면에 본딩되고, 타단은 상기 캐비티의 측벽에 형성된 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나에 본딩되는 적어도 하나의 와이어; 및 상기 캐비티 내에 형성되어 상기 발광칩을 밀봉하는 몰딩부재를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 상부가 개방되도록 형성된 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 측벽은 상기 캐비티의 바닥면에 대해 제1 각도로 경사진 몸체가 준비되는 단계; 적어도 일부분이 상기 캐비티의 측벽을 따라 형성되도록 상기 몸체에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 몸체를 지지프레임 상에 배치되는 단계; 상기 몸체, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 하나 위에 발광칩을 탑재하는 단계; 상기 발광칩 상면에 적어도 하나의 와이어의 일단을 본딩시키는 단계; 상기 지지프레임을 제1 각도 기울인 후, 상기 적어도 하나의 와이어의 타단을 상기 캐비티의 측벽에 형성된 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 본딩하는 단계; 및 상기 지지프레임을 수평면에 대응하도록 기울인 후, 상기 캐비티에 몰딩부재를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 바텀 커버; 상기 바텀 커버 내에 배치된 도광판; 및 상기 도광판의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치되며, 기판 및 상기 기판에 탑재된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광모듈부를 포함하며, 상기 발광 소자는 상부가 개방되도록 형성된 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 측벽은 상기 캐비티의 바닥면에 대해 제1 각도로 경사진 몸체와, 상기 몸체에 형성되며, 적어도 일부분이 상기 캐비티의 측벽을 따라 형성된 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 캐비티의 바닥면 중 어느 하나 위에 탑재된 발광칩과, 일단은 상기 발광칩 상면에 본딩되고, 타단은 상기 캐비티의 측벽에 형성된 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나에 본딩되는 적어도 하나의 와이어와, 상기 캐비티 내에 형성되어 상기 발광칩을 밀봉하는 몰딩부재를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 색편차가 적은 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 2 내지 도 7은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 8을 실시예에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트 유닛
도 2 내지 도 7은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 8을 실시예에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트 유닛
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법에 대해 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(1)는 몸체(10), 제1 전극(31) 및 제2 전극(32), 발광칩(20), 적어도 하나의 와이어(40) 및 몰딩부재(40)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(10)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 세라믹 재질, 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 몸체(10)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(10)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 상기 몸체(10)가 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지할 수 있다.
상기 몸체(10)의 상면의 형상은 상기 발광 소자(1)의 용도 및 설계에 따라 사각형, 다각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 몸체(10)에는 상부가 개방되도록 캐비티(cavity)(15)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(15)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(15)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있다.
상기 캐비티(15)의 측벽(16)은 상기 캐비티(15)의 바닥면에 대해 제1 각도(θ) 경사질 수 있다. 상기 제1 각도(θ)는 예를 들어, 30° 내지 60° 일 수 있다. 다만, 상기 제1 각도(θ)는 상기 캐비티(15)의 깊이, 상기 발광칩(20)의 높이(h) 및 배광 특성 등을 고려하여 결정될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 몰딩부재(50)가 형광체를 포함하는 경우, 상기 캐비티(15)의 바닥면의 너비(w)는 상기 발광칩(20)의 너비의 1배 내지 2배의 너비를 가질 수 있다. 후술하겠지만, 상기 캐비티(15)의 바닥면의 너비(w)를 이처럼 비교적 작게 형성함으로써, 상기 발광칩(20)으로부터 방출되는 빛의 색편차를 최소화할 수 있다.
상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 상기 몸체(10)에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 서로 전기적으로 분리될 수 있으며, 외부의 전극 및 상기 발광칩(20)에 전기적으로 연결되어 상기 발광칩(20)에 전원을 제공할 수 있다.
상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 적어도 일부분이 상기 몸체(10)의 캐비티(15)의 측벽(16)을 따라 형성될 수 있다. 실시예처럼, 상기 캐비티(15)의 바닥면의 너비(w)가 상기 발광칩(20)의 너비의 1배 내지 2배를 가지는 경우, 상기 와이어(40)를 상기 캐비티(15)의 바닥면 상에 형성된 상기 제1 전극(31) 또는 상기 제2 전극(32)에 본딩할 수 없기 때문에, 상기 캐비티(15)의 측벽(16)에 형성된 상기 제1 전극(31) 또는 제2 전극(32)에 와이어 본딩을 실시해야 하기 때문이다.
상기 제1 전극(31), 상기 제2 전극(32) 및 상기 몸체(10)의 캐비티(15)의 바닥면 중 어느 하나 위에는 상기 발광칩(20)이 탑재될 수 있다.
상기 발광칩(20)은 예를 들어, 적어도 하나의 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)를 포함할 수 있으며, 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 적어도 하나의 와이어(40)는 상기 발광칩(20)과 상기 제1 전극(31) 및 상기 제2 전극(32) 중 적어도 하나를 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 적어도 하나의 와이어(40)는 접합력이 좋은 Au, Sn, Ni, Cu, Ti 중 적어도 하나를 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이때, 상기 적어도 하나의 와이어(40)의 일단은 상기 발광칩(20)의 상면에 본딩되고, 타단은 상기 캐비티(15)의 측벽(16)에 형성된 상기 제1 전극(31) 및 상기 제2 전극(32) 중 어느 하나에 본딩될 수 있다.
그런데, 앞에서 설명한 것과 같이, 상기 캐비티(15)의 측벽(16)은 상기 제1 각도(θ)의 경사를 가지므로, 일반적인 본딩 방법에 의해서 상기 적어도 하나의 와이어(40)를 본딩하는 경우, 불량이 발생할 위험이 크다.
따라서, 실시예에서는 상기 몸체(10)를 상기 제1 각도(θ)만큼 기울인 후에 상기 적어도 하나의 와이어(40)를 상기 캐비티(15)의 측벽(16)에 형성된 상기 제1,2 전극(31,32) 중 어느 하나에 본딩하는 방법을 사용하여 와이어 본딩 공정의 신뢰성을 확보한다. 이에 대해서는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대한 설명에서 자세히 후술한다.
상기 몸체(10)의 캐비티(15) 내에는 상기 발광칩(20)을 밀봉함으로써 보호하도록 상기 몰딩부재(50)가 형성될 수 있다.
상기 몰딩부재(50)는 투광성을 갖는 수지 재질 또는 실리콘 재질로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 몰딩부재(50)는 형광체를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 발광칩(20)에서 방출되는 빛은 상기 형광체의 여기광에 의해 파장이 변화되게 된다. 예를 들어, 상기 발광칩(20)이 청색 LED이고 상기 형광체가 황색 여기광을 발생시키는 황색 형광체인 경우, 상기 발광칩(20)에서 방출되는 청색 빛과 상기 황색 형광체에서 방출되는 황색 빛이 혼색되어 백색 빛이 생성되게 된다.
한편, 일반적으로 몰딩부재에 형광체가 포함된 경우, 발광칩에서 방출되는 빛이 다양한 경로를 가지고 반사, 굴절, 산란 등이 과정을 거쳐 출사되게 되므로 발광 소자의 출사광(들)은 광 경로차에 따른 색편차를 갖게 되며, 이에 따라 출사광의 품질이 저하되게 된다.
하지만, 실시예에서는, 상기 몸체(10)의 캐비티(15)의 바닥면의 너비(w)가 상기 발광칩(20)의 너비의 1배 내지 2배로 형성되게 되므로, 상기 발광칩(20) 상에 형성된 상기 몰딩부재(50)의 두께가 비교적 일정하게 된다. 따라서, 상기 발광 소자(1)의 출사광(들)이 갖는 광 경로차가 줄어들게 되어, 색 편차가 적은 고 품위의 빛을 제공될 수 있게 된다.
다만, 상기와 같이 상기 캐비티(15)의 바닥면의 너비(w)를 제한하는 경우, 상기 캐비티(15)의 바닥면에 형성된 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)에 와이어 본딩을 실시할 수 있는 충분한 면적이 확보되지 못하므로, 대신에 상기 캐비티(15)의 측벽(16)에 형성된 상기 제1,2 전극(31,32)에 와이어 본딩을 실시하게 된다.
이하에서는, 실시예에 따른 발광 소자(1)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
도 2 내지 도 7은 실시예에 따른 발광 소자(1)의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)이 형성된 상기 몸체(10)를 준비한다. 이때, 제조 공정을 수월하게 진행하기 위해 상기 몸체(10)는 지지프레임(12) 상에 고정되도록 배치되게 된다.
도 3을 참조하면, 상기 몸체(10), 상기 제1 전극(31) 및 상기 제2 전극(32) 중 어느 하나 위에 상기 발광칩(20)을 탑재할 수 있다.
비록 도시되지는 않았지만, 상기 발광칩(20) 아래에는 접착층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 접착층은 접착성이 좋은 에폭시 수지 등과 같은 수지 재질, 접착성이 좋은 AuSn과 같은 금속 재질 또는 도전성 필러가 첨가된 수지 재질로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 4를 참조하면, 상기 발광칩(20) 위로 상기 와이어(40)가 삽입된 캐필러리(25)를 이동시킨 후, 상기 와이어(40)의 일단을 상기 발광칩(20) 상에 본딩시킬 수 있다.
상기 와이어(40)를 본딩시키기 위해, 상기 발광칩(20) 상에는 Au, Ti, Sn, Cu, 또는 Ni 중 적어도 하나를 포함하는 접합성이 높은 금속 재질로 이루어진 전극 패드(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 전극 패드(미도시)에 볼 범프가 형성되면서 상기 와이어(40)가 상기 발광칩(20)에 본딩될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5를 참조하면, 상기 지지프레임(12)을 상기 제1 각도(θ) 기울인 후, 상기 캐필러리(25)를 상기 캐비티(15)의 측벽(15) 상에 형성된 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 중 어느 하나 위로 이동시켜 상기 와이어(40)의 타단을 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 중 어느 하나에 본딩시킬 수 있다.
상기 캐필러리(25)에 의해 와이어 본딩을 실시하는 경우, 수평면이 아닌 경사진 면에 와이어 본딩을 하게 되면 와이어의 접속 불량이 발생하거나, 와이어가 끊어지는 현상이 빈번히 발생하여 발광 소자의 신뢰성이 저하될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광 소자 제조방법에서는, 상기 지지프레임(12)을 상기 제1 각도(θ) 기울인 후에 상기 캐필러리(25)에 의한 와이어 본딩을 실시함으로써, 경사면에 형성된 전극(31,32) 상에 상기 와이어(40)를 안정적으로 본딩할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 제1,2 전극(31,32)에 상기 와이어(40)의 타단을 본딩한 후에는, 상기 캐필러리(25)를 상승시키면서 상기 캐필러리(25)와 상기 와이어(40) 사이를 절단함으로써 와이어 본딩 공정을 완료할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 지지프레임(12)을 다시 수평면으로 대응시킨 후, 상기 캐비티(15) 내에 상기 발광칩(20)을 밀봉하여 보호하도록 상기 몰딩부재(50)를 형성함으로써, 실시예에 따른 발광 소자(1)를 제공할 수 있다.
상기 몰딩부재(50)는 상기 캐비티(15) 내에 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 몰딩부재(50)에는 적어도 한 종류의 형광체가 포함될 수 있다.
또한, 비록 도시되지는 않았지만, 상기 몰딩부재(50) 상에는 배광을 조절하기 위한 렌즈가 더 형성될 수도 있다.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자(1)를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다.
도 8을 참조하면, 상기 백라이트 유닛은 바텀 커버(140), 상기 바텀 커버(140) 내에 배치된 도광판(110) 및 상기 도광판(110)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광모듈부(120)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 도광판(110) 아래에는 반사시트(130)가 배치될 수 있다.
상기 바텀 커버(140)는 상기 도광판(110), 발광모듈부(120) 및 반사시트(130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며,금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광모듈부(120)는 기판(121)과, 상기 기판(121)에 탑재되는 복수의 실시예에 따른 발광 소자(1)를 포함할 수 있다.
상기 기판(121)은 일반 인쇄회로기판(PCB), 메탈 코어 인쇄회로기판(MCPCB), 연성 인쇄회로기판(FPCB) 또는 세라믹 기판 등을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 발광 소자(1)는 상기 기판(121)의 제1면에 탑재되며, 어레이 형태로 배치될 수 있다.
도시된 것처럼, 상기 발광모듈부(120)는 상기 바텀 커버(140)의 내측면 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 도광판(110)의 적어도 일 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.
다만, 상기 발광모듈부(120)는 상기 바텀 커버(140)의 밑면에 배치되어, 상기 도광판(110)을 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(110)은 상기 바텀 커버(140) 내에 배치될 수 있다. 상기 도광판(110)은 상기 발광모듈부(120)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.
상기 도광판(110)은 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. 상기 도광판(110)은 예를 들어, 압출 성형법에 의해 형성될 수 있다.
상기 도광판(110) 아래에는 상기 반사시트(130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(130)는 상기 도광판(110)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 도광판(110)의 출사면을 향해 반사할 수 있다.
상기 반사시트(130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1 : 발광 소자 10 : 몸체
15 : 캐비티 20 : 발광칩
31, 32 : 전극 40 : 와이어
50 : 몰딩부재
15 : 캐비티 20 : 발광칩
31, 32 : 전극 40 : 와이어
50 : 몰딩부재
Claims (11)
- 상부가 개방되도록 형성된 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 측벽은 상기 캐비티의 바닥면에 대해 제1 각도로 경사진 몸체;
상기 몸체에 형성되며, 적어도 일부분이 상기 캐비티의 측벽을 따라 형성된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 캐비티의 바닥면 중 어느 하나 위에 탑재된 발광칩;
일단은 상기 발광칩 상면에 본딩되고, 타단은 상기 캐비티의 측벽에 형성된 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나에 본딩되는 적어도 하나의 와이어; 및
상기 캐비티 내에 형성되어 상기 발광칩을 밀봉하는 몰딩부재를 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 각도는 30° 내지 60° 인 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 캐비티의 바닥면의 너비는 상기 발광칩의 너비의 1배 내지 2배인 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 발광칩 상에는 전극 패드가 형성되고, 상기 와이어는 상기 전극 패드에 본딩되는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 몰딩부재는 적어도 한 종류의 형광체를 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서
상기 발광칩은 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자. - 상부가 개방되도록 형성된 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 측벽은 상기 캐비티의 바닥면에 대해 제1 각도로 경사진 몸체가 준비되는 단계;
적어도 일부분이 상기 캐비티의 측벽을 따라 형성되도록 상기 몸체에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계;
상기 몸체를 지지프레임 상에 배치되는 단계;
상기 몸체, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 하나 위에 발광칩을 탑재하는 단계;
상기 발광칩 상면에 적어도 하나의 와이어의 일단을 본딩시키는 단계;
상기 지지프레임을 제1 각도 기울인 후, 상기 적어도 하나의 와이어의 타단을 상기 캐비티의 측벽에 형성된 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 본딩하는 단계; 및
상기 지지프레임을 수평면에 대응하도록 기울인 후, 상기 캐비티에 몰딩부재를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 제 7항에 있어서,
상기 제1 각도는 30° 내지 60°인 발광 소자 제조방법. - 제 7항에 있어서,
상기 적어도 하나의 와이어는 상기 발광칩 상면에 형성된 전극 패드에 본딩되는 발광 소자 제조방법. - 제 7항에 있어서,
상기 캐비티의 바닥면의 너비는 상기 발광칩의 너비의 1배 내지 2배인 발광 소자 제조방법. - 바텀 커버;
상기 바텀 커버 내에 배치된 도광판; 및
상기 도광판의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치되며, 기판 및 상기 기판에 탑재된 복수의 발광 소자를 포함하는 발광모듈부를 포함하며,
상기 발광 소자는 상부가 개방되도록 형성된 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티의 측벽은 상기 캐비티의 바닥면에 대해 제1 각도로 경사진 몸체와,
상기 몸체에 형성되며, 적어도 일부분이 상기 캐비티의 측벽을 따라 형성된 제1 전극 및 제2 전극과,
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 캐비티의 바닥면 중 어느 하나 위에 탑재된 발광칩과,
일단은 상기 발광칩 상면에 본딩되고, 타단은 상기 캐비티의 측벽에 형성된 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나에 본딩되는 적어도 하나의 와이어와,
상기 캐비티 내에 형성되어 상기 발광칩을 밀봉하는 몰딩부재를 포함하는 백라이트 유닛.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100004104A KR101055081B1 (ko) | 2010-01-15 | 2010-01-15 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛 |
US13/005,107 US8476662B2 (en) | 2010-01-15 | 2011-01-12 | Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit |
JP2011004102A JP2011146708A (ja) | 2010-01-15 | 2011-01-12 | 発光素子、バックライトユニット |
EP11150923.8A EP2346103A3 (en) | 2010-01-15 | 2011-01-14 | Light emitting device and backlight unit |
CN2011100225800A CN102185077A (zh) | 2010-01-15 | 2011-01-17 | 发光器件、用于制造发光器件的方法、以及背光单元 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100004104A KR101055081B1 (ko) | 2010-01-15 | 2010-01-15 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110084055A true KR20110084055A (ko) | 2011-07-21 |
KR101055081B1 KR101055081B1 (ko) | 2011-08-08 |
Family
ID=43923590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100004104A KR101055081B1 (ko) | 2010-01-15 | 2010-01-15 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8476662B2 (ko) |
EP (1) | EP2346103A3 (ko) |
JP (1) | JP2011146708A (ko) |
KR (1) | KR101055081B1 (ko) |
CN (1) | CN102185077A (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013105547A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Zi-You Liao | Led照明器具用セラミック熱伝導片とled発光子の結合構造とその作製方法 |
TWI461799B (zh) * | 2011-12-23 | 2014-11-21 | Wistron Corp | 具有可撓式顯示面板的電子裝置及背光模組 |
JP2014209091A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-11-06 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN103411143A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-11-27 | 南通亚浦照明电器制造有限公司 | 一种光效提升及降低光衰的led灯具 |
KR102221599B1 (ko) * | 2014-06-18 | 2021-03-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP6665759B2 (ja) | 2016-11-10 | 2020-03-13 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路 |
US10916690B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-02-09 | International Business Machines Corporation | Electrical leads for trenched qubits |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3080675A (en) * | 1960-08-15 | 1963-03-12 | Marvin I Glass | Toy |
DE19621124A1 (de) * | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren |
US6420735B2 (en) * | 1997-05-07 | 2002-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Surface-emitting light-emitting diode |
JPH11163419A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
JP2000261039A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光源装置 |
JP2002033520A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体発光装置 |
JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
US6737811B2 (en) * | 2001-06-16 | 2004-05-18 | A L Lightech, Inc. | High intensity light source arrangement |
DE10241989A1 (de) * | 2001-11-30 | 2003-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP4150245B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2008-09-17 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
US20040173808A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-09 | Bor-Jen Wu | Flip-chip like light emitting device package |
CN101740560B (zh) * | 2003-04-01 | 2012-11-21 | 夏普株式会社 | 发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
JP2006294710A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Nec Corp | 傾き補正方法、ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 |
KR100665182B1 (ko) | 2005-06-03 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
KR100631993B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
KR20080037734A (ko) * | 2005-08-23 | 2008-04-30 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 장치와 그를 이용한 백 라이트 및 액정 표시 장치 |
JP2007080862A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
KR101171186B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 고휘도 발광 다이오드 및 이를 이용한 액정 표시 장치 |
JP4858290B2 (ja) * | 2006-06-05 | 2012-01-18 | 株式会社デンソー | 負荷駆動装置 |
KR101220038B1 (ko) | 2006-09-11 | 2013-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
JP4915911B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-04-11 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
KR101309348B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2013-09-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시모듈 |
KR101323401B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광원소자, 그 제조방법, 이를 구비한 백라이트 유닛 및액정표시장치 |
JP4798000B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2011-10-19 | パナソニック電工株式会社 | Ledパッケージ |
TWI368336B (en) * | 2007-07-12 | 2012-07-11 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light emitting diode device and applications thereof |
KR100930425B1 (ko) | 2008-01-25 | 2009-12-08 | 알티전자 주식회사 | 측면 발광 다이오드 패키지 |
JP2009188069A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 |
US7923746B2 (en) * | 2008-03-12 | 2011-04-12 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting diode package structure and method for fabricating the same |
KR101017393B1 (ko) | 2008-05-28 | 2011-02-28 | 서울반도체 주식회사 | 발광영역이 확장된 사이드뷰 타입 led 패키지 |
US8236584B1 (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-07 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Method of forming a light emitting diode emitter substrate with highly reflective metal bonding |
-
2010
- 2010-01-15 KR KR1020100004104A patent/KR101055081B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-01-12 JP JP2011004102A patent/JP2011146708A/ja active Pending
- 2011-01-12 US US13/005,107 patent/US8476662B2/en active Active
- 2011-01-14 EP EP11150923.8A patent/EP2346103A3/en not_active Withdrawn
- 2011-01-17 CN CN2011100225800A patent/CN102185077A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011146708A (ja) | 2011-07-28 |
CN102185077A (zh) | 2011-09-14 |
US20110194273A1 (en) | 2011-08-11 |
EP2346103A2 (en) | 2011-07-20 |
US8476662B2 (en) | 2013-07-02 |
EP2346103A3 (en) | 2014-04-23 |
KR101055081B1 (ko) | 2011-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101064036B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 | |
KR101055023B1 (ko) | 백라이트 유닛 및 이를 이용한 디스플레이 장치 | |
KR101055081B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛 | |
JP5391468B2 (ja) | Ledパッケージ | |
US8766526B2 (en) | Light-emitting device package providing improved luminous efficacy and uniform distribution | |
CN103633079A (zh) | 发光器件 | |
US9184349B2 (en) | Light emitting device, adhesive having surface roughness, and lighting system having the same | |
US9748452B2 (en) | Light-emitting element package | |
KR20110128693A (ko) | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 | |
KR20120056543A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR20130032095A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR101028243B1 (ko) | 발광 모듈 | |
KR101781047B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR102075080B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치 | |
KR101722627B1 (ko) | 발광소자 모듈 | |
KR20120034484A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR101883344B1 (ko) | 발광소자 어레이 | |
KR101778151B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR20120072737A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR20110108541A (ko) | 발광 모듈 및 이를 이용한 라이트 유닛 | |
KR20130014899A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR20120006370A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101722622B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR20120073929A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR20120011252A (ko) | 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140708 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150706 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160707 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170704 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |