KR20110082166A - 기판 관리 방법 - Google Patents

Abstract

정전 척으로 처리해야 할 기판의 파손으로 연결되는 기판 상태를 정확하게 파악한다. 전극(3a, 3b)을 가지는 척 본체(1)와, 기판의 바깥 둘레부가 면 접촉 가능한 리브부(2a) 및 리브부(2a)로 둘러싸인 내부 공간(2b)에 소정의 간격을 두어 세워 설치된 복수 개의 지지부(2c)를 가지는 유전체인 척 플레이트(2)와, 내부 공간에 소정의 가스를 도입하는 가스 도입 수단을 구비하고, 척 플레이트로 기판을 흡착하고, 동시에, 상기 내부 공간에 소정 가스를 공급하여 가스 분위기를 형성할 수 있는 정전 척으로 기판을 유지하는 경우, 교류 전원을 통해 척 플레이트의 정전 용량을 지나는 교류 전류를 흘려서 그 전류값을 감시하고, 가스 도입 수단을 통해 상기 가스를 흘려서 이 가스 유량을 감시하고, 전류값 및 가스 유량 중 적어도 한쪽의 변화량으로부터 기판 상태를 관리하고, 기판의 파손을 일으키지 않도록 한다.

Description

기판 관리 방법{SUBSTRATE MANAGING METHOD}

본 발명은 기판 관리 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는, 주로 실리콘 웨이퍼를 처리해야 할 기판으로 하고, 소위 쌍극 형의 정전 척(electrostatic chuck)에 기판을 흡착하여 유지한 상태에서 소정의 처리를 수행하는 경우에, 실리콘 웨이퍼의 흡착 중 및 그 흡착 전후에서 기판이 파손하지 않도록 기판 상태를 관리하기 위한 것에 관한 것이다.

반도체 제조 공정에서 소망하는 디바이스 구조를 얻기 위해 PVD법, CVD법 등에 의한 성막 처리, 이온 주입 처리, 열처리나 에칭 처리 등의 각종의 처리가 행해지고, 이러한 처리를 행하는 진공 처리 장치에서는, 진공 분위기 중의 처리실에서 처리해야 할 기판인 실리콘 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다)를 위치 결정하여 유지하기 위하여 소위 정전 척이 설치되어 있다. 종래, 정전 척으로서는, 양 및 음의 전극을 매설한 척 본체 상면에, 유전체인 척 플레이트를 장착하여 이루어지는 소위 쌍극 형의 것이 예를 들어, 특허 문헌 1에서 알려져 있다.

또한, 진공 처리 장치 내에서 행해지는 처리에 따라서는, 웨이퍼를 소정 온도로 가열하는 경우가 있고, 이러한 경우에는, 척 본체에 예를 들어, 저항 가열식의 가열 수단을 조립함과 동시에, 웨이퍼의 이면(소정의 처리가 행해지는 면과 반대측)의 바깥 둘레부와 면 접촉하는 리브부(rib portion)를 형성하고, 이 리브부로 둘러싸인 내부 공간에 예를 들어, 동심 모양으로 복수 개의 지지부를 세워 설치하여 척 플레이트를 구성하는 것이 알려져 있다. 그리고, 웨이퍼의 가열, 냉각 시에는, 상기 내부 공간에 척 본체에 형성한 가스 통로를 통하여 Ar 가스 등의 불활성 가스를 공급하고, 리브부와 웨이퍼 이면으로 형성되는 내부 공간에 불활성 가스 분위기를 형성함으로써 웨이퍼로의 열전달을 보조하여, 효율적으로 웨이퍼의 가열이나 냉각을 행하도록 하고 있다.

그런데, 상기 구성의 정전 척에서는, 웨이퍼의 가열 냉각 시, 이 웨이퍼와 정전 척과의 열팽창 차이에 의해 척 플레이트의 리브부나 지지부가 웨이퍼로 마찰되어 점차 마모된다. 이 때문에, 상기 특허 문헌 1과 같이, 교류 전원을 통해 척 플레이트의 정전 용량을 지나는 교류 전류를 흘려서 전류값을 감시함으로써 그 사용 한계를 가급적 신속하게 판단하고, 웨이퍼의 흡착 불량 등에 기인한 처리실 내에서의 웨이퍼의 파손을 방지하여 생산성을 향상하는 것이 종래부터 행해지고 있다.

다른 한편으로, 최근에는 생산성을 더욱 향상시키기 위하여, 웨이퍼를 직경이 크고 판이 얇은 것(700 ㎛ 이하의 두께)으로 하는 경향이 있다. 이러한 웨이퍼에는, 소정의 처리에 의해 여러 가지 방향의 뒤틀림(warping)이 발생하고, 또한, 어느 것인가의 처리 중에 있어서도 웨이퍼의 가열이나 냉각에 의해 웨이퍼의 뒤틀림 상태가 변화하게 된다. 이 때문에, 처리중 뿐만 아니라, 정전 척으로 뒤틀림이 발생한 웨이퍼를 유지할 때나 처리 후에 웨이퍼의 흡착을 해제하여 반송할 때에, 웨이퍼가 파손되는 경우가 있다. 그 결과, 정전 척의 사용 한계를 판단하는 것만으로는, 제품 수율을 향상시키면서 생산성을 향상시킬 수 없다는 단점이 생기고, 웨이퍼 상태를 어떻게 관리할지가 중요하게 되어 있다.

특허 문헌 1 : 일본 특허출원공개 평1-321136호 공보

본 발명은 이상의 점을 고려하여, 정전 척으로 처리해야 할 기판의 파손으로 연결되는 기판 상태를 정확하게 파악할 수 있는 기판 관리 방법을 제공하는 것을 그 과제로 하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 복수 개의 전극을 가지는 척 본체와, 처리해야 할 기판의 바깥 둘레부가 면 접촉 가능한 리브부 및 상기 리브부로 둘러싸인 내부 공간에 소정의 간격을 두어서 세워 설치된 복수 개의 지지부를 가지는 유전체인 척 플레이트와, 상기 내부 공간에 소정의 가스를 도입하는 가스 도입 수단을 구비하고, 전극 사이에 소정의 전압을 인가하여 척 플레이트로 기판을 흡착하고, 이와 동시에, 상기 내부 공간에 소정의 가스를 공급하여 가스 분위기를 형성할 수 있는 정전 척으로 기판을 유지하는 경우, 이 기판의 파손을 일으키지 않도록 기판 상태를 관리하는 기판 관리 방법으로서, 교류 전원을 통해 척 플레이트의 정전 용량을 지나는 교류 전류를 흘려서 그 전류값을 감시함과 동시에, 가스 도입 수단을 통하여 상기 가스를 흘려서 이 가스 유량을 감시하고, 전류값 및 가스 유량 중 적어도 한쪽의 변화량으로부터 상기 기판 상태의 관리를 행하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 상기 구성의 정전 척으로 기판을 흡착한 상태에서 가열 처리나 성막 처리 등의 소정의 처리를 수행함으로써, 리브부와 기판의 외주면 사이의 간격이 커지는 방향(인장 방향)으로의 기판의 뒤틀림이 커지면, 상기 간격을 통한 내부 공간으로부터의 가스의 누설량이 변화함으로써 가스 도입 수단으로부터의 가스 공급량이 변화한다. 다른 한편으로, 기판 중앙부가 내부 공간으로부터 멀어지는 방향(압축 방향)으로의 기판의 뒤틀림이 커지면, 정전 용량이 변화함으로써 임피던스가 증가하고 이것에 의해 전류값이 변화한다.

이와 같이 본 발명에서는, 정전 척으로 기판을 흡착하고 있는 동안, 기판이 어느 것인가의 방향으로 뒤틀리거나, 그 뒤틀림이 커지거나 하면, 그것에 따라, 가스 유량 또는 임피던스, 나아가서는 교류 전류값의 변화가 커짐으로써 기판의 파손으로 연결되는 기판 상태를 정확하게 파악할 수 있다. 그 결과, 처리실 내에서의 기판의 파손을 확실하게 방지하여 제품 수율을 향상시키면서 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명에서는, 상기 전류값 및 가스 유량 중 적어도 한쪽의 변화량이 소정의 임계값을 넘으면, 기판의 파손으로 연결되는 기판 상태인 것으로 판단하고, 두 전극 사이에 인가하는 직류 전압 및 가스 도입 수단으로부터의 가스의 유량 중 적어도 한쪽을 제어하여 상기 기판 상태를 해소하는 구성을 채용하면, 기판에 무리한 응력이 가해지는 것을 방지하여 확실하게 기판의 파손을 방지할 수 있다.

또한, 상기 기판을 척 플레이트에 장착한 후, 상기 전극에 전압을 인가하기 전에 교류 전류를 흘려서 그 전류값을 감시하고, 소정의 임계값을 넘고 있으면, 기판 불량이라고 판단하는 구성을 채용해 두면, 필요 이상으로 뒤틀림이 발생하고 있는 기판을 정전 척으로 무리하게 강제로 흡착함으로써 파손되는 것을 방지할 수 있어서 좋다.

또한, 상기 기판의 흡착 상태로부터 전압의 인가를 정지한 후, 상기 전류값으로부터 척 플레이트로부터의 기판의 이탈 가능 상태를 판단하는 구성을 채용하면, 흡착 해제 직후에 잔류 전하의 영향을 받아서 아직 기판이 흡착되어 있는 상태에서, 예를 들어, 기판을 반송하기 위해서 리프트업(lift up) 하거나 반송 로봇을 액세스하게 함으로써 처리실 내에서 기판이 파손되는 것을 확실하게 방지할 수 있어서 좋다.

도 1은 정전 척의 구성을 설명하는 도면이다.
도 2는 기판인 웨이퍼의 뒤틀림을 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 3은 웨이퍼의 뒤틀림에 따른 임피던스 및 가스 유량의 변화를 설명하는 도면이다.

이하에 도면을 참조하여, 처리해야 할 기판을 웨이퍼(W)로 하고, PVD법, CVD법 등에 의한 성막 처리, 이온 주입 처리, 열처리나 에칭 처리 등의 처리를 행하는 진공 처리 장치 내에 배치된 정전 척(C)으로 웨이퍼(W)가 파손되지 않도록 관리하는 본 발명의 실시 형태의 기판 관리 방법을 설명한다.

도 1에 도시하는 바와 같이, 정전 척(C)은 도시를 생략한 처리실 내의 저부에 배치되는 척 본체(1)와, 이 척 본체(1)의 상면에 설치된 유전체인 척 플레이트(2)로 구성된다. 예를 들어, 질화 알루미늄으로 만들어지는 척 본체(1)에는 도시를 생략한 절연층을 통해 양 및 음의 전극(3a, 3b)이 조립되고, 공지의 척 전원(E)의 직류 전원(E1)으로부터 직류 전압이 인가될 있도록 되어 있다.

또한, 척 본체(1)에는, 상하 방향으로 관통하는 가스 통로(4)가 형성되고, 이 가스 통로(4)의 하단은 질량 유량 제어기(5)를 사이에 설치한 가스관(6)을 통해 Ar 가스 등의 불활성 가스를 수용한 가스원(7)에 연통하고, 이들 부품이 본 실시 형태의 가스 도입 수단을 구성한다. 또한, 척 본체(1)에는 공지의 구조를 가지는 저항 가열식의 히터(8)가 내장되고, 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열 유지할 수 있도록 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 히터(8)만을 설치한 것을 예로 들어 설명하고 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니고, 공지의 냉각 수단을 조립하여 구성하여도 좋다.

척 플레이트(2)는 예를 들어, 질화 알루미늄으로 만들어지며, 웨이퍼(W) 이면의 바깥 둘레부가 면 접촉 가능한 고리 모양의 리브부(2a)와, 리브부(2a)로 둘러싸인 내부 공간(2b)으로 동심 모양으로 세워 설치된 복수 개의 막대 모양의 지지부(2c)를 구비한다. 이 경우, 지지부(2c)의 높이는 리브부(2a)의 높이보다 약간 작아지도록 설정되고, 척 플레이트(2) 표면에서 웨이퍼(W)를 흡착하였을 때, 각 지지부(2c)로 웨이퍼(W)를 지지하도록 되어 있다.

그리고, 척 플레이트(2)에 웨이퍼(W)를 장착한 후, 두 전극(3a, 3b) 사이에 직류 전압을 인가함으로써 발생하는 정전기력으로 웨이퍼(W)가 척 플레이트(2)의 표면에서 흡착된다. 이때, 웨이퍼(W) 이면의 바깥 둘레부가 리브부(2a)와 그 전체 주변에 걸쳐 면 접촉함으로써 내부 공간(2b)이 대체로 밀폐된다. 이 상태에서, 가스 도입 수단을 통해 Ar 가스를 공급하면, 상기 내부 공간(2b)에 Ar 가스 분위기가 형성될 수 있다. 이것에 의해, 히터(8)를 작동시켜서 웨이퍼(W)를 가열하는 경우, 리브부(2a)와 웨이퍼(W) 이면으로 형성되는 내부 공간(2b)에 Ar 가스 분위기를 형성함으로써, 웨이퍼(W)로의 열 전달을 보조하여 효율적으로 웨이퍼(W)를 가열할 수 있다.

또한, 웨이퍼(W) 이면의 바깥 둘레부와 리브부(2a) 사이에는 밀봉 부재를 설치하고 있지 않으므로, 웨이퍼(W) 이면의 바깥 둘레부가 리브부(2a)와 그 전체 주변에 걸쳐 면 접촉하고 있는 것과 같은 경우에도 미량(예를 들어, 0.01 ~ 0.03 sccm)의 불활성 가스가 누설되게 된다.

여기서, 웨이퍼(W)에는, 도 2의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이, 예를 들어, 그 자체의 응력이나 웨이퍼(W) 표면에 형성한 박막의 응력에 의해 압축 방향 또는 인장 방향의 뒤틀림이 발생하고 있다. 이와 같은 웨이퍼(W)를 정전 척(C)에 흡착할 때, 정전 척(C)으로 웨이퍼(W)를 흡착하여 가열 처리나 성막 처리하는 동안, 또는, 처리 후에 정전 척(C)의 흡착을 해제하여 반송할 때에 기판이 파손(분열이나 깨짐 등을 말한다)되지 않도록 관리할 필요가 있다.

본 실시 형태에서는, 상기 웨이퍼의 상태를 파악하기 위하여, 척 전원(E) 내의 직류 전원(E1)에 교류 전원(E2)을 직렬로 접속하고(도시하지 않음), 교류 전원(E2)으로부터 정전 척(1)의 정전 용량을 지나는 교류 전류를 흘리고, 공지의 전류계(A)로 측정한 전류값으로부터 임피던스를 감시함과 동시에, 질량 유량 제어기(5)의 하류 측에서 가스관(6)에 공지의 질량 유량계(9)를 사이에 설치하여 Ar 가스의 가스 유량을 감시하는 것으로 하였다.

이하에, 도 3을 참조하여, 정전 척(C)으로 뒤틀림이 발생한 웨이퍼(W)를 흡착하는 경우를 웨이퍼(W)에 압축 방향의 뒤틀림이 발생하고 있는 것을 예로 들어 웨이퍼(W) 상태를 관리할 수 있는 것을 설명한다. 본 실시 형태에서는, 도 1 중에 가상선으로 도시하는 바와 같이 공지의 레이저 변위계를 웨이퍼(W)의 중심 위치의 위쪽에 배치하고, 이 중심 위치에서의 변위량을 측정하는 것으로 하였다. 여기서, 도 3 중의 이중 점선(a)으로 도시하는 것은 임피던스의 변화, 실선(b)은 가스 유량의 변화, 1점 쇄선(c)은 변위량 및, 점선(d)은 전류값, 그리고, 실선(e)은 전극으로의 직류 전압의 변화를 도시하고 있다.

먼저, 척 플레이트(2) 표면에 웨이퍼(W)를 장착한 후에 교류 전원(E2)을 통해 교류 전류를 흘리고, 그때의 전류계(A)에서의 전류값으로부터 정전 용량의 임피던스를 측정함과 동시에, 레이저 변위계로 웨이퍼(W)의 중심 위치에 있어서의 변위량을 측정한다.

다음으로, 척 전원(E)의 직류 전원(E1)을 통해 두 전극(3a, 3b) 사이에 소정의 직류 전압(예를 들어, 400V)을 인가하여 척 플레이트(2) 표면에 웨이퍼(W)를 흡착한다. 이때, 웨이퍼(W) 이면의 바깥 둘레부가 리브부(2a)와 그 전체 주변에 걸쳐 면 접촉하여 웨이퍼(W)가 대체로 수평인 상태가 된다(도 1 참조). 이때의 임피던스 및 중심 위치를 측정하면, 임피던스는 저하(약 10 ㏀ 저하)하고, 웨이퍼(W)의 중심 위치도 척 플레이트(2) 측으로 변위하고 있다. 이 상태에서, 가스 도입 수단을 통하여 Ar 가스를 내부 공간(2b)에 일정한 유량으로 도입하여 그 가스 유량을 질량 유량계(9)로 측정하면, 그 당초의 유량이 많아지고, 시간의 경과와 함께 일정한 값을 나타내게 된다. 그리고, Ar 가스 도입과 동시에 히터(8)를 작동시켜서 웨이퍼(W)를 소정 온도(예를 들어 400℃)로 가열하여 소정 시간 유지하였다.

웨이퍼(W)의 가열 중, 전류계로 측정한 전류값은 대체로 일정하고, 그 결과, 임피던스도 대체로 일정하게 되고, 또한, 가스 유량 및 변위량도 대부분 변화하지 않는다. 그리고, 소정 시간 경과 후, 히터(8) 및 Ar 가스의 도입을 정지하고, 두 전극(3a, 3b) 사이로의 전압의 인가를 정지하고, 이때의 전류값, 나아가서는 임피던스를 측정하면, 흡착 전의 것보다 약 2할 높아지고, 레이저 변위계로 측정하면, 흡착 전의 것보다 변위량이 커져서 웨이퍼(W)의 압축 방향의 뒤틀림이 커졌다.

이것에 의해, 임피던스로부터 웨이퍼(W)의 뒤틀림 상태를 정확하게 관리할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 레이저 변위계에 의한 측정에 의해, 웨이퍼(W)의 압축 방향의 뒤틀림이 발생하고 있는 경우에는, 임피던스와 웨이퍼(W)의 변위량에는 상관이 있으며, 대체로 비례 관계가 된다는 것을 알 수 있다. 이상의 점으로부터, 임피던스, 나아가서는 전류값을 측정하면, 웨이퍼(W)의 뒤틀림 양이 판단될 수 있고, 이것을 관리하면, 웨이퍼(W)의 파손으로 통하는 상태를 적합하게 관리할 수 있다. 이와 같이 본 실시 형태에서는, 임피던스, 나아가서는 전류값의 변화로부터 웨이퍼(W)의 파손으로 연결되는 상태를 정확하게 파악할 수 있기 때문에, 특히, 처리실 내에서의 웨이퍼(W)의 파손을 확실하게 방지하여 제품 수율을 향상시키면서 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 처리 중에 임피던스, 나아가서는 전류값이 소정의 임계값을 넘어 변화하였을 경우에는, 웨이퍼의 파손으로 연결되는 상태라고 판단할 수 있다. 이와 같은 경우에는, 소정의 처리를 적절하게 중지하면서, 두 전극(3a, 3b) 사이에 인가하는 직류 전압 및 가스 도입 수단으로부터의 가스 유량 중 적어도 한쪽을 제어하여 웨이퍼(W)에 무리한 응력이 가해지는 상태를 해소한다. 이것에 의해, 처리실 내에서의 웨이퍼(W)의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 임계값에 대해서는, 웨이퍼(W)의 사이즈나 두께를 고려하여 적절하게 설정하면 좋다.

또한, 임피던스와 웨이퍼(W)의 변위량에는 상관이 있는 것을 고려하여, 웨이퍼(W)를 척 플레이트(2) 상에 장착한 후, 전극(3a, 3b)에 직류 전압을 인가하기 전에 교류 전류를 흘려서 전류값, 나아가서는 임피던스를 감시하고, 소정의 임계값을 넘고 있으면, 필요 이상의 뒤틀림이 웨이퍼(W)에 발생하고 있고, 정전 척(C)으로 무리하게 강제로 흡착하면 파손될 수 있다고 판단함으로써, 처리실 내에서의 웨이퍼(W)의 파손을 방지할 수 있다.

다른 한편으로, 웨이퍼(W)의 흡착 상태로부터 직류 전압의 인가를 정지한 후, 임피던스로부터 척 플레이트(2)로부터의 웨이퍼(W)의 이탈 가능 상태를 판단하는 구성을 채용하면, 흡착 해제 직후에 잔류 전하의 영향을 받아서 아직 흡착되어 있는 상태에서, 예를 들어, 웨이퍼(W)를 반송하기 위해 리프트업이나 반송 로봇을 액세스하게 함으로써 파손되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 압축 방향의 뒤틀림이 발생하고 있는 경우를 주로 설명하였지만, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 처리 중이나 그 전후에서 웨이퍼(W)가 인장 방향의 뒤틀림을 발생하고 있는 경우에는, 척 플레이트(2)에 웨이퍼(W)를 흡착하여도, 리브부(2a)와 웨이퍼(W)의 바깥 둘레부와는 면 접촉하지 않고, 양자 간의 간격이 커져서 누설되는 가스량이 크다. 그 결과, 질량 유량계(9)로 측정하고 있는 가스 유량도 변화한다. 이와 같이, 가스 유량과 웨이퍼(W)의 인장 방향의 뒤틀림에는 상관이 있다는 점으로부터, 가스 유량을 관리하면, 웨이퍼(W)의 뒤틀림 양이 판단될 수 있고, 이것을 관리하면, 웨이퍼(W)의 파손으로 통하는 상태를 적합하게 관리할 수 있고, 상기와 마찬가지로 하여 처리실 내에서의 웨이퍼(W)의 파손을 방지할 수 있다.

C : 정전 척 1 : 척 본체
2 : 척 플레이트 2a : 리브부
2b : 내부 공간 2c : 지지부
3a, 3b : 전극 5 : 질량 유량 제어기(가스 도입 수단)
7 : 가스원(가스 도입 수단)
9 : 질량 유량계 A : 전류계
E : 척 전원 W : 웨이퍼

Claims (4)

1. 복수 개의 전극을 가지는 척 본체와, 처리해야 할 기판의 바깥 둘레부가 면 접촉 가능한 리브부 및 상기 리브부로 둘러싸인 내부 공간에 소정의 간격을 두어서 세워 설치된 복수 개의 지지부를 가지는 유전체인 척 플레이트와, 상기 내부 공간에 소정의 가스를 도입하는 가스 도입 수단을 구비하고, 전극 사이에 소정의 전압을 인가하여 척 플레이트로 기판을 흡착하고, 동시에, 상기 내부 공간에 소정의 가스를 공급하여 가스 분위기를 형성할 수 있는 정전 척으로 기판을 유지하는 경우, 이 기판의 파손을 일으키지 않도록 기판 상태를 관리하는 기판 관리 방법으로서,
   교류 전원을 통해 척 플레이트의 정전 용량을 지나는 교류 전류를 흘려서 그 전류값을 감시함과 동시에, 가스 도입 수단을 통해 상기 가스를 흘려서 이 가스 유량을 감시하고, 전류값 및 가스 유량 중 적어도 한쪽의 변화량으로부터 상기 기판 상태의 관리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판 관리 방법.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 전류값 및 가스 유량 중 적어도 한쪽의 변화량이 소정의 임계값을 넘으면, 기판의 파손으로 연결되는 기판 상태라고 판단하고, 두 전극 사이에 인가하는 직류 전압 및 가스 도입 수단으로부터의 가스의 유량 중 적어도 한쪽을 제어하여 상기 기판 상태를 해소하는 것을 특징으로 하는 기판 관리 방법.
3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 기판을 척 플레이트에 장착한 후, 상기 전극에 전압을 인가하기 전에 교류 전류를 흘려서 그 전류값을 감시하고, 소정의 임계값을 넘고 있으면, 기판 불량으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 관리 방법.
4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 기판의 흡착 상태로부터 전압의 인가를 정지한 후, 상기 전류값으로부터 척 플레이트로부터의 기판의 이탈 가능 상태를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 관리 방법.

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