TWI390628B - Plasma processing device - Google Patents
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Description
本發明是有關在半導體晶圓或LCD用玻璃基板等的被處理基板實施電漿蝕刻、電漿CVD等的電漿處理之電漿處理裝置。
以往，在半導體裝置或液晶顯示裝置(LCD)等的製造領域中，使電漿發生而來進行電漿蝕刻或電漿CVD的電漿處理裝置會被使用。如此的電漿處理裝置是將處理室內設為減壓環境來使電漿發生。因此，大多靜電吸盤為在真空室內保持被處理基板的機構。
如上述那樣使用靜電吸盤的電漿處理裝置，在停止施加直流電壓至靜電吸盤，而來從靜電吸盤剝離被處理基板時，因為在靜電吸盤有殘留電荷，所以會形成被處理基板被強固地吸附於靜電吸盤的狀態，若勉強地剝離被處理基板，則有時會使被處理基板破損。因此，當殘留電荷所造成的吸附力為一定以上時，降低舉起被處理基板的速度(例如參照專利文獻1)。又，有當殘留電荷所造成的吸附力為一定以上時，藉由供給至被處理基板的背面側之傳熱氣體的壓力來舉起被處理基板的方法為人所知(例如參照專利文獻2)。
上述以往的技術是在殘留電荷變多而難以從靜電吸盤來剝離被處理基板時以不損傷被處理基板來從靜電吸盤剝離為目的。然而，一旦形成如此的事態，則從靜電吸盤來剝離被處理基板，到搬出至處理室外為止的時間費時，形成導致生產性降低的原因之一。由於為物理性剝離被處理基板者，而非使靜電吸盤的殘留電荷減少者，因此無法根本解決。
[專利文獻1]特開2001－257252公報[專利文獻2]特開2000－200825公報
本發明是有鑑於上述以往的情事而研發者，其目的是在於提供一種可防範因殘留電荷而造成被處理基板不能從靜電吸盤剝離那樣的事態，與以往相較之下可謀求生產性的提升之電漿處理裝置。
本發明之第1形態的電漿處理裝置，係具備：處理室，其係用以收容被處理基板，使電漿發生於內部，而來進行上述被處理基板的電漿處理；載置台，其係設置於上述處理室內，用以載置上述被處理基板；靜電吸盤，其係設置於上述載置台上，具有配置於絕緣層內的電極，由直流電源來施加直流電壓至該電極，而靜電吸附被處理基板；及基板支撐機構，其係可從上述載置台內突出，在上述載置台上支撐上述被處理基板，其特徵為：具備替換時期檢測手段，其係於停止來自上述直流電源的直流電壓的施加，而藉由上述基板支撐機構來從上述靜電吸盤舉起上述被處理基板時，檢測吸附上述被處理基板的殘留電荷的狀態，檢測出上述靜電吸盤的替換時期。
在上述第1形態中，上述替換時期檢測手段，係比較殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力與預先被設定的所定值，當殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力為形成上述所定值以上時，可判斷為上述靜電吸盤的替換時期。
在上述第1形態中，上述替換時期檢測手段，係由用以使上述基板支撐機構從上述載置台突出之驅動馬達的轉力矩(torque)或旋轉數來檢測上述靜電吸盤的殘留電荷的狀態。
在上述第1形態中，上述替換時期檢測手段，係比較殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力與預先被設定的第2所定值，當殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力為形成上述第2所定值以上時，將上述基板支撐機構之舉起上述被處理基板的工程從通常工程切換至異常工程。
本發明之第2形態的電漿處理裝置，係具備：處理室，其係用以收容被處理基板，使電漿發生於內部，而來進行上述被處理基板的電漿處理；載置台，其係設置於上述處理室內，用以載置上述被處理基板；靜電吸盤，其係設置於上述載置台上，具有配置於絕緣層內的電極，由直流電源來施加直流電壓至該電極，而靜電吸附被處理基板；及基板支撐機構，其係可從上述載置台內突出，在上述載置台上支撐上述被處理基板，其特徵為：具備除電製程控制手段，其係於停止來自上述直流電源的直流電壓的施加，而藉由上述基板支撐機構來從上述靜電吸盤舉起上述被處理基板時，檢測吸附上述被處理基板的殘留電荷的狀態，變更上述靜電吸盤的除電製程。
在上述第2形態中，上述除電製程控制手段，係對應於上述靜電吸盤的殘留電荷的增加，使上述處理室內的壓力上昇。
在上述第2形態中，上述除電製程控制手段，係由用以使上述基板支撐機構從上述載置台突出之驅動馬達的轉力矩來檢測上述靜電吸盤的殘留電荷的狀態。
在上述第2形態中，上述除電製程控制手段，係比較殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力與預先被設定的第2所定值，當殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力為形成上述第2所定值以上時，將上述基板支撐機構之舉起上述被處理基板的工程從通常工程切換至異常工程。
以下，參照圖面來說明有關本發明的實施形態。圖1是表示作為本實施形態的電漿處理裝置之電漿蝕刻裝置1的剖面概略構成模式圖。
電漿蝕刻裝置1是電極板上下平行對向，連接電漿形成用電源的電容耦合型平行平板蝕刻裝置。
電漿蝕刻裝置1是具有例如表面被陽極氧化處理的鋁等所構成形成圓筒形狀的處理室(處理容器)2，此處理室2會被接地。在處理室2內的底部，隔著陶瓷等的絕緣板3來設有用以載置被處理基板(例如半導體晶圓W)之略圓柱狀的基座支撐台4。並且，在此基座支撐台4上設有構成下部電極的基座5。在此基座5連接有旁路濾波器(bypass filter)(HPF)6。
在基座支撐台4的內部設有冷媒室7，在此冷媒室7中，冷媒會藉由冷媒導入管8、冷媒排出管9來循環，其冷熱會經由基座5來對半導體晶圓W傳熱，藉此半導體晶圓W會被控制成所望的溫度。
基座5是其上側中央部會被形成凸狀的圓板狀，且在其上設有與半導體晶圓W大略同形的靜電吸盤10。靜電吸盤10是在絕緣層11之間配置電極12而構成。然後，從連接至電極12的直流電源13來施加例如1.5kV的直流電壓，藉此例如藉由庫倫力來靜電吸附半導體晶圓W。
在絕緣板3、基座支撐台4、基座5、靜電吸盤11中，形成有用以對半導體晶圓W的背面供給傳熱媒體(例如He氣體等)之氣體通路14，經由該傳熱媒體，基座5的冷熱會被傳達至半導體晶圓W，而使得半導體晶圓W能夠維持於所定的溫度。
在基座5的上端周緣部，以能夠圍繞載置於靜電吸盤11上的半導體晶圓W之方式，配置有環狀的聚焦環(Focus Ring)15。此聚焦環15是例如由矽等的導電性材料所構成，具有使蝕刻的均一性提升之作用。
貫通上述絕緣板3、基座支撐台4、基座5及靜電吸盤11來設有複數(例如3根)的頂料銷(lifter pin)16，該等的頂料銷16可藉由驅動馬達17來上下作動。在該等的頂料銷16下降時，其頂部會形成埋沒於基座5的內部之狀態。另一方面，當頂料銷16上昇時，如圖中點線所示，其頂部會形成突出於基座5的上方之狀態，將半導體晶圓W支撐於基座5的上方。藉此，可在與未圖示的半導體晶圓W的搬送臂之間進行半導體晶圓W的交接。
在基座5的上方，與該基座5平行對向設有上部電極21。此上部電極21是隔著絕緣材22來支撐於處理室2的上部。上部電極21是藉由電極板24、及支撐此電極板24之導電性材料所構成的電極支撐體25來構成。電極板24是構成與基座5的對向面，具有多數的吐出孔23。此電極板24是例如藉由矽所構成，或在表面被施以陽極氧化處理(防蝕鈍化鋁處理)的鋁上設置石英罩來構成。基座5與上部電極21可變更其間隔。
在上部電極21的電極支撐體25的中央設有氣體導入口26，且在此氣體導入口26連接氣體供給管27。更在此氣體供給管27經由閥28及質量流控制器29來連接用以供給處理氣體亦即蝕刻氣體的處理氣體供給源30。
在處理室2的底部連接有排氣管31，且此排氣管31連接排氣裝置35。排氣裝置35具備渦輪分子泵等的真空泵，可將處理室2內抽真空至所定的減壓環境、例如1Pa以下的所定壓力。並且，在處理室2的側壁設有閘閥32，在將此閘閥32形成開的狀態下，使半導體晶圓W能夠搬送於鄰接的預載室(Load lock)(未圖示)之間。
在上部電極21連接有第1高頻電源40，且於其給電線介插有整合器41。並且，在上部電極21連接有低通濾波器(LPF)42。此第1高頻電源40具有50~150MHz範圍的頻率。藉由施加如此高的頻率，可在處理室2內形成理想的解離狀態且高密度的電漿。
在作為下部電極的基座5連接有第2高頻電源50，且於其給電線介插有整合器51。此第2高頻電源50具有比第1高頻電源40低的頻率範圍，藉由施加如此範圍的頻率，可對被處理體的半導體晶圓W賦予適當的離子作用，而不造成損傷。第2高頻電源50的頻率最好為1~20MHz的範圍。
上述構成的電漿蝕刻裝置1是藉由控制部60來統括性地控制其動作。在此控制部60設有：用以控制具備CPU的電漿蝕刻裝置1的各部之製程控制器61、及使用者介面部62、以及記憶部63。
使用者介面部62是由鍵盤及顯示器等所構成，該鍵盤是供以工程管理者管理電漿蝕刻裝置1而進行指令的輸入操作，該顯示器是使電漿蝕刻裝置1的業狀況可視化而予以顯示者。
在記憶部63中儲存有處方(recipe)，其係記憶有用以藉由製程控制器61的控制來實現在電漿蝕刻裝置1所被執行的各種處理之控制程式(軟體)或處理條件資料等。然後，因應所需，根據來自使用者介面部62的指示等，從記憶部63叫出任意的處方，而使執行於製程控制器61，在製程控制器61的控制下，進行電漿蝕刻裝置1之所望的處理。並且，控制程式或處理條件資料等的處方，可利用儲存於電腦可讀取的記憶媒體(例如硬碟、CD、軟碟、半導體記憶體等)的狀態者，或從其他的裝置例如經由專用線路來使隨時傳送於線上。
上述製程控制器61具備替換時期檢測手段64。此替換時期檢測手段64是在停止來自直流電源13的直流電壓的施加而從靜電吸盤10舉起半導體晶圓W時，檢測吸附半導體晶圓W的殘留電荷的狀態，檢測出靜電吸盤10的替換時期。亦即，靜電吸盤10如前述般具有絕緣層11，但此絕緣層11若重複進行電漿蝕刻處理，則隨著電漿的作用等而消耗。然後，一旦絕緣層11消耗，則靜電吸盤10的殘留電荷會增大，而使得半導體晶圓W難以剝離。
亦即，停止從直流電源13往靜電吸盤10施加直流電壓時，是藉由所定的除電製程(例如對靜電吸盤10施加逆電壓的除電製程、或使電漿作用而藉由電漿來除電的除電製程等)進行靜電吸盤10的除電。藉由此除電製程，當絕緣層11未消耗時，可進行靜電吸盤10的必要除電，殘留電荷會形成可不妨礙藉由頂料銷16來舉起半導體晶圓W的程度。
但，若絕緣層11消耗，則跟著殘留電荷會增大。就本實施形態而言，是隨著如此的經時變化，殘留電荷會增大，雖可藉由頂料銷16來舉起半導體晶圓W，但絕緣層11某程度消耗而預測不久會形成無法舉起半導體晶圓W的狀態之時間點，判斷靜電吸盤10的替換時期到來。然後，對使用者介面部62進行靜電吸盤10的替換時期訊息的顯示。只要根據此顯示來進行靜電吸盤10的替換，便可防範因殘留電荷而造成半導體晶圓W不能從靜電吸盤10剝離那樣的事態，與以往相較之下可謀求生產性的提升。
圖2是表示上述製程控制器61的替換時期檢測手段64的動作流程圖。如同圖所示，替換時期檢測手段64是在電漿蝕刻裝置1的電漿處理進行時，監視頂料銷16的上昇動作進行的時序(101)。
然後，在頂料銷16上昇時，檢測驅動馬達17的轉力矩(102)。然後，比較該被檢測出的轉力矩與預先被設定的所定值(103)，當所被檢測出的轉力矩比所定值少時，終了動作。
另一方面，當所被檢測出的轉力矩為所定值以上時(103)，判斷其次被檢測出的轉力矩是否為預先被設定的界限值以上(104)，當少於界限值時，對使用者介面部62進行靜電吸盤10的替換時期訊息的顯示(105)。
上述所謂的界限值是意指若就那樣使半導體晶圓W上昇，則對半導體晶圓W產生破損的可能性高的值，為大於上述所定值的值。然後，當檢出轉力矩為此界限值以上時進行異常處理(106)。此異常處理是至少包含使驅動馬達17停止而令頂料銷16的上昇一旦停止之工程。然後，進行警報的發出或頂料銷16的微速度上昇等。此工程並非依靜電吸盤10的經時變化者，而是為了對突發性產生的殘留電荷增大所造成之半導體晶圓W的強固吸附狀態的危險迴避、或因為無視靜電吸盤10的替換時期的顯示，隨著絕緣層11的消耗，殘留電荷的增大所造成之半導體晶圓W的強固吸附狀態時的危險迴避。
另外，如上述，本實施形態中，製程控制器61的替換時期檢測手段64是根據以頂料銷16來舉起半導體晶圓W時之驅動馬達17的轉力矩來檢測出靜電吸盤10的殘留電荷的狀態，但亦可藉由其他的方法來檢測殘留電荷。例如，亦可由驅動馬達17的旋轉數來檢測出靜電吸盤10的殘留電荷的狀態。又，亦可在連結吸盤電極10與直流電源13的配線途中設置殘留電荷監視器，在進行靜電吸盤10的除電時，可在控制部60掌握其進行狀況。此殘留電荷監視器是例如先記憶起串連開關部SW1時流動的電荷量，藉由扣除將開關SW1切換至接地側時流動的電荷量，來求取殘留於靜電吸盤10的電荷。又，亦可使用CCD感測器等來監視基座5上的半導體晶圓W，藉由監視半導體晶圓W的彎曲或翹起等，來判斷靜電吸盤10的殘留電荷的狀態。
其次，說明有關藉由上述構成的電漿蝕刻裝置1來進行半導體晶圓W的電漿蝕刻之工程。首先，半導體晶圓W會在閘閥32開放之後，從未圖示的預載室(Load lock)來搬入至處理室2內，載置於頂料銷16上。其次，藉由頂料銷16下降，半導體晶圓W會被載置於靜電吸盤10上。接著，閘閥32會被關閉，藉由排氣裝置35來將處理室2內抽真空至所定的真空度。然後，從直流電源13來對靜電吸盤10施加直流電壓，藉此半導體晶圓W會被靜電吸附於靜電吸盤10上。
然後，閥28會被開放，從處理氣體供給源30所定的處理氣體(蝕刻氣體)會藉由質量流控制器29來一邊調整其流量，一邊經由氣體供給管27、氣體導入口26來導入至上部電極21的中空部，更經由電極板24的吐出孔23，如圖1的箭號所示，對半導體晶圓W均一地吐出。
而且，處理室2內的壓力會被維持於所定的壓力。然後，從第1高頻電源40來將所定頻率的高頻電力施加於上部電極21。藉此，在上部電極21與下部電極亦即基座5之間產生高頻電場，處理氣體會解離而電漿化。
另一方面，從第2高頻電源50來將比上述第1高頻電源40更低頻率的高頻電力施加於下部電極亦即基座5。藉此，電漿中的離子會被引至基座5側，藉由離子輔助，蝕刻的各向異性(anisotropic)會被提高。
然後，一旦電漿蝕刻終了，則高頻電力的供給及處理氣體的供給會被停止，以和上述程序相反的程序，半導體晶圓W會從處理室2內搬出。此時，以頂料銷16來舉起靜電吸盤10上的半導體晶圓W時，藉由檢測驅動馬達17的轉力矩來檢測出靜電吸盤10的殘留電荷的狀態，前述圖2所示的工程會藉由製程控制器61的替換時期檢測手段64來實行。
圖3是表示其他實施形態的電漿蝕刻1a的構成。此實施形態的電漿蝕刻1a是製程控制器61具備除電製程控制手段65。另外，有關其他的部份則是與前述實施形態的電漿蝕刻裝置1同様構成，因此針對所對應的部份賦予同符號，而省略說明。
圖4是表示本實施形態之除電製程控制手段65的動作流程圖。如同圖所示，除電製程控制手段65是在電漿蝕刻裝置1a的電漿處理進行時，監視頂料銷16的上昇動作進行的時序(201)。
然後，在頂料銷16上昇時，檢測驅動馬達17的轉力矩(202)。然後，比較該被檢測出的轉力矩與預先被設定的所定值(203)，當所被檢測出的轉力矩比所定值少時，終了動作。
另一方面，當所被檢測出的轉力矩為所定值以上時(203)，判斷其次所被檢測出的轉力矩是否為界限值以上(204)，當少於界限值時，進行靜電吸盤10的除電製程的變更(205)。所謂除電製程的變更是意指例如除電製程的逆施加電壓的上昇、處理室1內的壓力上昇等、使除電能夠更強力地進行之除電製程的變更。藉由如此按照靜電吸盤10的絕緣層11的消耗狀態來逐次變更除電製程，可常時進行最適的除電製程。亦即，頂料銷16接觸於半導體晶圓W背面之後，以低速度來將半導體晶圓W舉起至所定高度的期間之處理室2內的壓力例如設定成20~50Pa，使殘留於半導體晶圓W的電荷能夠積極地逃離，藉此可在不使半導體晶圓W發生翹起或破裂的情況下，從靜電吸盤10來脫離半導體晶圓W。
另外，如此的除電製程是預先實際執行各種的除電製程，然後檢測藉由頂料銷16來舉起半導體晶圓W時的轉力矩，進行檢測出靜電吸盤10的殘留電荷的狀態之實驗，藉此而能夠選擇最適的除電製程。
又，上述所謂的界限值是與前述的實施形態同様，意指若就那樣使半導體晶圓W上昇，則對半導體晶圓W產生破損的可能性高的值，為大於上述所定值的值。然後，當檢出轉力矩為此界限值以上時進行異常處理(206)。此異常處理是至少包含使驅動馬達17停止而令頂料銷16的上昇一旦停止之工程。然後，進行警報的發出或頂料銷16的微速度上昇等。此工程並非是依靜電吸盤10的經時變化者，而是為了對突發性產生的殘留電荷增大所造成之半導體晶圓W的強固吸附狀態的危險迴避。
另外，如上述，本實施形態中，製程控制器61的替換時期檢測手段64是根據以頂料銷16來舉起半導體晶圓W時之驅動馬達17的轉力矩來檢測出靜電吸盤10的殘留電荷的狀態，但亦可藉由其他的方法，例如根據驅動馬達17的旋轉數等來檢測出殘留電荷。
如以上說明那樣，若利用本實施形態，則可防範因殘留電荷而造成半導體晶圓W不能從靜電吸盤10剝離那樣的事態發生，與以往相較之下可謀求生產性的提升。另外，本發明並非限於上述實施形態，可實施各種的變形。例如，電漿蝕刻裝置並非限於圖2所示之平行平板型的上下部高頻施加型，亦可適用於對下部電極施加2周波的高頻之型式或其他各種的電漿處理裝置。
本發明的電漿處理裝置可利用於半導體裝置的製造領域等。因此，具有產業上的利用可能性。
1．．．電漿蝕刻裝置
2．．．處理室(處理容器)
3．．．絕緣板
4．．．基座支撐台
5．．．基座
6．．．旁路濾波器
7．．．冷媒室
8．．．冷媒導入管
9．．．冷媒排出管
10．．．靜電吸盤
11．．．絕緣層
12．．．電極
13．．．直流電源
14．．．氣體通路
15．．．聚焦環
16．．．頂料銷
17．．．驅動馬達
21．．．上部電極
22．．．絕緣材
23．．．吐出孔
24．．．電極板
25．．．電極支撐體
26．．．氣體導入口
27．．．氣體供給管
28．．．閥
29．．．質量流控制器
30．．．處理氣體供給源
31．．．排氣管
32．．．閘閥
35．．．排氣裝置
40．．．第1高頻電源
41．．．整合器
42．．．低通濾波器
50．．．第2高頻電源
51．．．整合器
60．．．控制部
61．．．製程控制器
62．．．使用者介面部
63．．．記憶部
64．．．替換時期檢測手段
65．．．除電製程控制手段
W．．．晶圓
SW1．．．開關
圖1是表示本發明的實施形態之電漿蝕刻裝置的剖面概略構成。
圖2是表示圖1的電漿蝕刻裝置的動作流程圖。
圖3是表示本發明的其他實施形態之電漿蝕刻裝置的剖面概略構成。
圖4是表示圖3的實施形態之電漿蝕刻裝置的動作流程圖。
1．．．電漿蝕刻裝置
2．．．處理室(處理容器)
3．．．絕緣板
4．．．基座支撐台
5．．．基座
6．．．旁路濾波器
7．．．冷媒室
8．．．冷媒導入管
9．．．冷媒排出管
10．．．靜電吸盤
11．．．絕緣層
12．．．電極
13．．．直流電源
14．．．氣體通路
15．．．聚焦環
16．．．頂料銷
17．．．驅動馬達
21．．．上部電極
22．．．絕緣材
23．．．吐出孔
24．．．電極板
25．．．電極支撐體
26．．．氣體導入口
27．．．氣體供給管
28．．．閥
29．．．質量流控制器
30．．．處理氣體供給源
31．．．排氣管
32．．．閘閥
35．．．排氣裝置
40．．．第1高頻電源
41．．．整合器
42．．．低通濾波器
50．．．第2高頻電源
51．．．整合器
60．．．控制部
61．．．製程控制器
62．．．使用者介面部
63．．．記憶部
64．．．替換時期檢測手段
W．．．半導體晶圓
SW1．．．開關
Claims (6)
- 一種電漿處理裝置，係具備：處理室，其係用以收容被處理基板，使電漿發生於內部，而來進行上述被處理基板的電漿處理；載置台，其係設置於上述處理室內，用以載置上述被處理基板；靜電吸盤，其係設置於上述載置台上，具有配置於絕緣層內的電極，由直流電源來施加直流電壓至該電極，而靜電吸附被處理基板；及基板支撐機構，其係可從上述載置台內突出，在上述載置台上支撐上述被處理基板，其特徵為：具備替換時期檢測手段，其係於停止來自上述直流電源的直流電壓的施加，而藉由上述基板支撐機構來從上述靜電吸盤舉起上述被處理基板時，檢測吸附上述被處理基板的殘留電荷的狀態，檢測出上述靜電吸盤的替換時期，係由用以使上述基板支撐機構從上述載置台突出之驅動馬達的轉力矩或旋轉數來檢測上述靜電吸盤的殘留電荷的狀態之替換時期檢測手段。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，上述替換時期檢測手段，係比較殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力與預先被設定的所定值，當殘留電荷所 造成之上述被處理基板的吸附力為上述所定值以上時，判斷為上述靜電吸盤的替換時期。
- 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，上述替換時期檢測手段，係比較殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力與預先被設定的第2所定值，當殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力為上述第2所定值以上時，將上述基板支撐機構之舉起上述被處理基板的工程從通常工程切換至異常工程。
- 一種電漿處理裝置，係具備：處理室，其係用以收容被處理基板，使電漿發生於內部，而來進行上述被處理基板的電漿處理；載置台，其係設置於上述處理室內，用以載置上述被處理基板；靜電吸盤，其係設置於上述載置台上，具有配置於絕緣層內的電極，由直流電源來施加直流電壓至該電極，而靜電吸附被處理基板；及基板支撐機構，其係可從上述載置台內突出，在上述載置台上支撐上述被處理基板，其特徵為：具備除電製程控制手段，其係於停止來自上述直流電源的直流電壓的施加，而藉由上述基板支撐機構來從上述靜電吸盤舉起上述被處理基板時，檢測吸附上述被處理基板的殘留電荷的狀態，變更上述靜電吸盤的除電製程，係由用以使上述基板支撐機構從上述載置台突出之驅動馬達 的轉力矩來檢測上述靜電吸盤的殘留電荷的狀態之除電製程控制手段。
- 如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置，其中，上述除電製程控制手段，係對應於上述靜電吸盤的殘留電荷的增加，使上述處理室內的壓力上昇。
- 如申請專利範圍第4或5項之電漿處理裝置，其中，上述除電製程控制手段，係比較殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力與預先被設定的第2所定值，當殘留電荷所造成之上述被處理基板的吸附力為上述第2所定值以上時，將上述基板支撐機構之舉起上述被處理基板的工程從通常工程切換至異常工程。
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