KR20110073615A

KR20110073615A - 전극을 갖는 유리 기판, 특히 유기 발광 다이오드 장치를 위한 기판

Info

Publication number: KR20110073615A
Application number: KR1020117011660A
Authority: KR
Inventors: 아르노 위그나르; 줄리앙 셀리에; 기욤 르캄프
Original assignee: 쌩-고벵 글래스 프랑스
Priority date: 2008-10-24
Filing date: 2009-10-22
Publication date: 2011-06-29
Also published as: FR2937798B1; US20110266562A1; EA201170603A1; JP2012506607A; FR2937798A1; WO2010046604A1; EP2361232A1; CN102203025A

Abstract

본 발명은 제1 측(10) 및 제2 반대 측(11)을 갖고, 제2 측 상에 하나 이상의 전기 전도성 층으로부터 형성된 전극(2)이 제공된 유리 기판(1)으로서, 제2 측 전체에 걸쳐 제1 측(10)의 방향으로 기판의 내부를 향해 연장하는 두께 e를 통해, 이온 교환 처리에 의해 얻어진 유리의 굴절률 변화를 갖고, 표면에서의 굴절률이 두께로부터 멀리 위치한 유리의 굴절률보다 더 큰 것을 특징으로 하는 유리 기판(1)에 관한 것이다.

Description

전극을 갖는 유리 기판, 특히 유기 발광 다이오드 장치를 위한 기판 {GLASS SUBSTRATE WITH AN ELECTRODE, ESPECIALLY A SUBSTRATE INTENDED FOR AN ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE}

본 발명은 유리 기판의 측들 중 하나에 전극이 제공된 유리 기판에 관한 것이다.

본 발명은 보다 구체적으로 OLED (유기 발광 다이오드) 장치를 위한 지지체로서 작용하는 구조물에 대해 기술될 것이다.

OLED는 유기 전기발광 물질 또는 다층을 포함하고, 전극 중 하나는 유리 기판과 결합된 전극에 의해 형성된 애노드(anode)이고, 다른 전극은 애노드의 반대쪽에 있는 유기 물질 상에 배열된 캐소드(cathode)인 2개의 전극을 경계로 한다.

OLED는 애노드로부터 주입된 홀(hole) 및 캐소드로부터 주입된 전자의 재조합 에너지를 사용하여 전기발광에 의해 광을 방출하는 장치이다. 단지 한 측에서만 방출하는 발광 장치에 그것을 사용할 경우, 캐소드는 투명하지 않고, 방출된 광자는 대조적으로 투명한 애노드 및 OLED를 지지하는 유리 기판을 통과하여 광을 장치의 외부로 전달한다.

OLED는 일반적으로 디스플레이 스크린 또는 보다 최근에는 조명 장치에 사용된다.

OLED는 낮은 광 추출 효율을 가지며, 전기발광 물질에 의해 방출된 광에 대한 실제 유리 기판을 나오는 광의 비는 약 0.25로 비교적 낮다.

이러한 효과는, 한편으로는 소정량의 광자가 캐소드와 애노드 사이에 도파 모드로 트랩핑(trapping)되고, 다른 한편으로는 유리 기판 (n = 1.5)과 장치 외부의 공기 (n = 1) 사이의 굴절률 차이로 인한 유리 기판내의 광 반사의 결과이다.

따라서, OLED의 효율을 개선시키는 것, 즉 백색광을 전달하는 동안, 즉 가시선 스펙트럼의 특정 또는 심지어 모든 파장을 방출하는 동안 광 추출 효율을 증가시키는 방법이 모색되어 왔다.

통상적으로 제안되어 온 해결책은, 유리-공기 계면에서 (주로 기하학적 광학을 사용하기 때문에 기하학적 광학 해결책으로 칭해짐), 또는 유리-애노드 계면에서 (통상적으로 회절 광학을 사용하기 때문에 회절 광학 해결책으로 칭해짐) 유리 기판과 관련이 있다.

회절 광학 해결책으로서, 회절 격자를 형성하는 주기적인 요철(asperity) 구조를 갖는 유리-애노드 계면을 제공하는 것이 공지되어 있다. 특허문헌 US 2004/0227462호에는 회절 광학 해결책이 기재되어 있다. 이러한 목적 상, 상기 문헌에는 투명한 기판이 애노드 및 유기 필름의 지지체인 OLED가 텍스쳐화된(textured) 것으로 개시되어 있다. 따라서, 기판의 표면은 돌출부 및 구멍을 교호로 함유하며, 이들의 프로파일 후 애노드가 존재하고, 상부에 유기 필름이 침착된다.

그러나, 이러한 해결책은 단색 광, 즉 공간 중 소정 방향의 추출에 효과적이지만, 조명 용도를 위한 백색 광과 같은 다색 광에는 효과적이지 않다.

또한, 이 특허문헌 US 2004/0227462호에서는 패턴이 돌출부를 위해 요구되는 것에 상응하는 포토레지스트 마스크를 기판의 표면 상에 적용한 후, 마스크를 통해 표면을 에칭함으로써 기판의 프로필을 얻는다. 이러한 방법은 대형 면적의 기판에 대해 산업적으로 실행하기가 쉽지 않으며, 무엇보다도 특히 조명 용도에 대해 비용이 너무 많이 든다.

특허문헌 WO 05/081334호는 평면 유리 기판을 엠보싱된(embossed) 중합체 필름으로 커버하고, 이후에 중합체 필름의 프로필을 따라 전극 및 유기 필름을 침착시키는 것으로 이루어진 또다른 회절 광학 해결책을 제공한다. 주기적이거나 주기적이 아닐 수 있는 필름의 파형 구조는 파동의 피크가 파동의 골로부터 떨어진 거리가 0.5 μm 내지 200 μm이도록 하는 치수로 만든다.

그럼에도 불구하고, 이러한 해결책을 사용하면 다수의 전기적 결함이 OLED에서 관찰되었다.

따라서, 본 발명의 목적은 측들 중 하나에 투명한 전극을 갖고, 간단하고 신뢰성 있으며 기존 해결책에 비해 장치에 의해 방출되는 광의 추출을 개선시키고, 백색 광이 전달되게 하는, 발광 장치, 특히 OLED의 지지체를 형성하기 위한 무기 유리 기판을 제공하는 것이다.

본 발명에 따라, 유리 기판은 제1 측 및 제2 반대 측을 포함하며, 제2 측에는 하나 이상의 전기 전도성 필름에 의해 형성된 전극이 제공된다. 유리 기판은 그의 제2 측 전체 상에 제1 측의 방향으로 기판의 내부를 향해 연장하는 두께 e를 통해 이온 교환 처리에 의해 얻어진 유리의 굴절률 변화를 가지며, 표면에서의 굴절률은 두께 e를 지나 (즉, 이온 교환된 측 상 기판의 자유 표면으로부터 측정된 두께 e보다 더 큰 두께에서) 위치한 유리의 굴절률보다 더 크다.

이러한 지수 변화는 이온 교환에 의해 얻어진다. 유리 중 이온 교환은 유리 중 특정 이온, 특히 알칼리-금속 이온이 상이한 특성, 예컨대 분극성을 갖는 다른 이온과 교환되는 능력이다. 이러한 다른 이온은 유리의 표면에서 교환되므로, 그의 표면 근처의 유리에서 굴절률이 유리의 것과 상이한 이온 패턴을 형성한다.

유리의 표면은, OLED를 손상시키는 애노드와 캐소드 사이의 전기 접촉을 방지할 정도로 충분히 편평한 상태로 유지된다.

유리하게는, 굴절률은 전극의 굴절률에 근접하거나 그와 동일하도록 두께 e를 통해 제2 측의 표면까지 변한다. 따라서, 유리의 표면과 유리와 직접 접촉된 전극 사이의 지수 변화량은 0.4 또는 심지어 0.3이 바람직하다.

두께 e에서 굴절률 변화는 두께 e 아래의 (두께 e를 지나서) 유리의 지수의 값에서 직접적으로 중간 값을 갖지 않고 또다른 지수 값이 되는 프로필에 상응할 수 있다.

바람직한 변법에 따르면, 기판 중 굴절률 변화는 지수 구배, 즉 다수의 지수 값을 통해 도달하는 프로필에 상응하는 변화에 상응한다. 프로필은 바람직하게는 (대략) 선형이다. 이러한 프로필은 공지된 방식으로 유리, 특히 그의 확산 특성, 예를 들어 은과 나트륨 사이의 상호확산 계수를 선택함으로써 얻어진다.

지수 변화량은 0.05 이상, 바람직하게는 0.08 이상, 심지어 0.1 이상이다.

기판은 유리하게는, 전극의 굴절률에 근접하거나 그와 동일하도록 유리의 두께를 통해 표면까지 변하는 굴절률을 갖는다.

따라서, 전극이 제공된 유리 기판이 OLED를 위한 지지체로 작용할 경우, 전극과 유리 사이의 지수 차이가 훨씬 작기 때문에, OLED로부터 방출된, 전극을 통해 통과하여 유리 기판과 만나는 광자는 그의 경로로부터 훨씬 덜한 정도로 편향된다. 지수 구배는 매체의 지수에서 점진적인 변화로 정의된다. 이러한 매체는 그것을 통과하는 광이 너무 많이 반사되는 것을 방지할 수 있게 한다.

일 특성에 따르면, 유리의 두께, 유리하게는 1 μm 내지 100 μm, 바람직하게는 1 μm 내지 10 μm, 특히 1 μm 내지 5 μm에서 지수 변화는 기판에서 광을 기판으로부터의 광자의 최적의 투과를 보장하는 입사 각도로 향하게 하기에 충분하다.

이온 교환은 바륨, 세슘 및 바람직하게는 은 또는 탈륨 이온 (조합 또는 조합이 아님)으로부터 선택된 이온과 유리의 특정 이온의 교환이다. 이러한 이온은 그것이 대체하는 이온에 비해 높은 분극성으로 인해 선택되어 유리의 이온 교환 영역의 굴절률에서 큰 변화를 유발한다.

은 또는 탈륨 이온의 도판트 이온으로서의 사용은 유리의 굴절률에 비해 충분히 큰 굴절률을 갖는 영역이 형성되게 하여 본 발명에 따라 전기발광 장치의 특정 용도가 다루어질 수 있게 한다.

이온 교환은 공지된 기술을 사용하여 얻어진다. 처리되는 유리 기판의 표면은 200 내지 550℃의 고온하에 필요한 교환 깊이에 따른 충분한 시간 동안 교환 이온의 용융 염의 조(예를 들어, 질산은 (AgNO₃))에 둔다.

유리하게는, 조와 접촉한 기판은 동시에, 바람직하게는 주로 유리 기판의 전도성 및 그의 두께에 따라 달라지는 10 내지 100 V의 전기장에 노출될 수 있다. 이 경우, 기판에는 이후에 유리하게는 교환 온도와 유리의 유리 전이 온도 사이의 온도에서 또다른 열 처리가 수행되어 전극이 제공된 기판의 측에 대해 수직한 방향으로 교환 이온이 확산하게 만들어서 선형 프로필을 갖는 지수 구배를 얻을 수 있다.

본 발명의 기판의 광 투과율은 80％ 이상일 수 있다.

기판은 엑스트라-클리어(extra-clear) 유리로 제조될 수 있다. 엑스트라-클리어 유리의 조성에 대해서는 출원 WO 04/025334호를 참조할 수 있다. 특히, 0.05％ 미만의 Fe III (또는 Fe₂O₃)를 함유하는 소다-석회-실리카 유리가 선택될 수 있다. 예를 들어, 쌩-고벵(Saint-Gobain)으로부터의 디아만트(Diamant) 유리, 쌩-고벵으로부터의 (텍스쳐화된 또는 매끄러운) 알바리노(Albarino) 유리, 필킹톤(Pilkington)으로부터의 옵티화이트(Optiwhite) 유리 또는 쇼트(Schott)로부터의 B270 유리가 선택될 수 있다.

유리 기판은 유리하게는 다음의 조성을 가질 수 있다:

SiO₂ 67.0 내지 73.0％, 바람직하게는 70.0 내지 72.0％;

Al₂O₃ 0 내지 3.0％, 바람직하게는 0.4 내지 2.0％;

CaO 7.0 내지 13.0％, 바람직하게는 8.0 내지 11.0％;

MgO 0 내지 6.0％, 바람직하게는 3.0 내지 5.0％;

Na₂O 12.0 내지 16.0％, 바람직하게는 13.0 내지 15.0％;

K₂O 0 내지 4.0％;

TiO₂ 0 내지 0.1％;

총 철 함량 (Fe₂O₃로 표현됨) 0 내지 0.03％, 바람직하게는 0.005 내지 0.01％;

산화환원 (FeO/총 철 함량) 0.02 내지 0.4％, 바람직하게는 0.02 내지 0.2％;

Sb₂O₃ 0 내지 0.3％;

CeO₂ 0 내지 1.5％; 및

SO₃ 0 내지 0.8％, 바람직하게는 0.2 내지 0.6％.

본 발명에 따른 유리 기판은 바람직하게는 발광 장치, 특히 전극 중 하나가 본 발명의 유리 기판의 전극에 의해 형성된 2개의 전극 사이에 배치된 유기 필름을 포함하는 전기발광 다이오드 장치 (OLED)에서 지지체로 사용된다.

이러한 전기발광 다이오드 장치는, 예를 들어 디스플레이 스크린 또는 조명 장치에 사용하기 위한 것이다.

본 발명은 이제 단지 예시의 목적을 위하여, 어떠한 방식으로든 본 발명의 범위를 제한하지 않는 실시예를 첨부된 도면과 함께 사용하여 기술될 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 유리 기판의 단면을 도시한다.
도 2는 제1 실시양태에 따라, 두께를 통해 굴절률이 변하는 기판을 얻기 위하여 이온 교환 방법을 수행하기 위한 장치를 계략적으로 도시한다.
도 3은 제2 실시양태에 따라, 두께를 통해 굴절률이 변하는 기판을 얻기 위하여 이온 교환 방법을 수행하기 위한 장치를 개략적으로 도시한다.
도 4는 도 1의 기판이 제공된 OLED의 단면이다.

도면은 그것을 판독하기 쉽게 하기 위하여 일정한 비율로 도시되지 않았다.

도 1은 최대 치수로 제1 측(10) 및 제2 반대 측(11)을 포함하는 특히 0.7 내지 10 mm의 두께를 갖는 유리 기판(1)을 도시한다.

기판은 그의 제2 측(11) 상에 전기 전도성 물질(들)의 하나 이상의 박막에 의해 형성된 전극(2)이 제공되며, 상기 박막은 바람직하게는 기판의 광 투과 수단으로서의 사용과 관련하여 투명하다.

본 발명에 따라, 기판(1)은 그의 제2 측(11)으로부터 그의 표면 전체에 걸쳐 깊이 e만큼 깊은, 굴절률이 기판의 본체의 나머지의 굴절률에 비해 변하는 유리의 두께를 갖는다.

두께 e는 유리하게는 1 μm 내지 100 μm, 바람직하게는 1 μm 내지 10 μm, 특히 1 μm 내지 5 μm이다. 통상적으로 1.5인 유리의 굴절률은 변하며, 0.05 이상, 바람직하게는 0.08 이상 또는 심지어 0.1 이상 변한다.

기판은 상당한 광 투과율, 즉 80％ 이상을 보유한다. 광 투과율은 ISO 23539:2005 표준에 따라 공지된 방식으로 측정된다.

지수 변화는 유리하게는 점진적이다. 그것은 바람직하게는 선형 프로필을 갖는 지수 구배를 형성한다.

굴절률의 이러한 변화는 이온 교환 처리를 사용하여 본 발명에 따라 얻어진다. 유리의 특정 이온, 특히 알칼리 금속 이온은 은, 탈륨, 바륨 및/또는 세슘 이온과 같은 이온과 교환된다.

2가지 이온 교환 처리 기술이 제안된다.

도 2에 도시된 제1 기술은 기판의 측(11)을, 그의 이온이 교환을 위한 것인 물질을 함유하는 조(3)에 침지시켜 수행한다. 예를 들어, 은 이온의 교환의 경우, 조는 질산은(AgNO₃)을 함유한다.

기판의 침지는 처리될 측의 반대 측을 코팅하고, 조 후에 예를 들어 연마에 의해 제거되는 Al, Ti 또는 Al₂O₃ 보호 필름으로 완결될 수 있다.

기판의 침지는 대신에 부분적으로 바람직하게는 기판의 전체 두께와 동일한 깊이로 수행되어 처리될 측의 반대 측으로 플러슁(flushing)될 수 있다.

은 이온 Ag⁺이 나트륨 이온 Na⁺을 대신하여 유리로 확산되는 깊이는 기판이 조에 방치되는 시간의 함수이다.

기판을 조로부터 제거한 후, 실온으로 냉각시키고, 풍부한 물로 세정하여 질산은의 임의의 잔류 미량을 제거한다.

이러한 기술은 유리하게는 거의 선형의 지수 구배를 생성한다.

제2 기술은 임의 부가적 열 처리 단계와 함께 전기장하에 수행되는 교환으로 이루어진다.

도 3은 전기장 보조 이온 교환 방법을 수행하기 위한 장치를 도시한다.

장치는 서로 대향하고 각각의 탱크를 형성하는 2개의 구획(5 및 6)을 포함한다. 구획은, 탱크의 함유물에 대해 밀봉부로도 작용하는 접착제(7)를 통해 기판(1)에 결합된다. 구획 중 하나는 AgNO₃의 조(50)를 함유하는 반면, 다른 구획은 KNO₃ (또는 LiNO₃) 및 NaNO₃의 혼합물로 충전된다.

백금 전극(8) 및 백금 전극(9)은 각각 각각의 조(50 및 60)에 침지되고, 이들 전극은 전압 발생기(80)에 연결된다.

전기장이 전극(8 및 9) 사이에 인가될 때, 유리의 알칼리 금속 이온은 조(60)를 향해 이동하고, 조(50)에 함유된 Ag⁺ 이온으로 점진적으로 대체된다 (이동 방향은 화살표로 나타냄).

변법으로, AgNO₃ 조 대신, 금속 은 필름이 침착될 수 있다. 금속 은 필름은 마그네트론 침착, CVD 침착, 잉크 젯 인쇄 또는 스크린 인쇄에 의해 침착된다. 또한, 전극을 형성하는 필름이 반대 측 상에 침착된다. 이어서, 전기장을 은 필름과 금속 필름 사이에 인가시킨다. 교환 후, 전극을 형성하는 필름은 연마 또는 화학적 에칭에 의해 제거된다.

따라서, 금속 필름 또는 조와 전극 사이에 인가된 전기장은 이온 교환을 유발한다. 이온 교환은 250℃ 내지 350℃의 온도에서 수행한다. 교환 깊이는 장 강도, 기판이 이러한 장에 노출되는 시간 및 교환이 수행되는 온도의 함수이다. 장은 10 내지 100 V이다.

이러한 기술은, 프로필이 유리의 지수 값에서 제2 값으로 이러한 2개의 값 사이에 시차를 둔 변화없이 갑자기 변하는 계단과 닮은 지수 변화를 생성한다. 예를 들어, 그것은 바람직하게는 10 V/mm의 장하에 300℃의 온도에서 10시간 동안 2 mm 두께의 엑스트라-클리어 유리를 사용하여 이러한 이온 교환을 수행하도록 선택된다. 0.1의 진폭을 갖는 계단 모양의 지수 변화가 얻어진다.

이러한 기판을 열 처리로 마무리 처리함으로써, 지수 변화는 유리하게는 점진적이 된다. 이러한 처리는 기판을 이온 교환 온도와 유리의 유리 전이 온도 사이의 온도의 오븐에서 가열하는 것으로 이루어진다. 온도 및 처리 시간은 요구되는 지수 구배에 따라 달라진다.

이온 교환이 유리의 황변 및 결과적으로 광 투과율의 부적당한 감소를 유발하지 않도록 하는 특정 유리 조성이 바람직할 것이다.

예를 들어, 유리 조성은 다음과 같다:

SiO₂ 67.0 내지 73.0％, 바람직하게는 70.0 내지 72.0％;

Al₂O₃ 0 내지 3.0％, 바람직하게는 0.4 내지 2.0％;

CaO 7.0 내지 13.0％, 바람직하게는 8.0 내지 11.0％;

MgO 0 내지 6.0％, 바람직하게는 3.0 내지 5.0％;

Na₂O 12.0 내지 16.0％, 바람직하게는 13.0 내지 15.0％;

K₂O 0 내지 4.0％;

TiO₂ 0 내지 0.1％;

Sb₂O₃ 0 내지 0.3％;

CeO₂ 0 내지 1.5％; 및

SO₃ 0 내지 0.8％, 바람직하게는 0.2 내지 0.6％.

따라서, 이온 교환 방법은 대형 면적이 산업적으로 재현가능한 방식으로 쉽게 처리될 수 있게 한다. 그것은 중간 및/또는 추가의 단계, 예컨대 필름 침착 또는 에칭 단계 없이 간단한 방식으로 직접적으로 유리가 작업될 수 있게 한다.

또한, 유리 기판의 비변형된 표면 마무리는 커버 전극(2)이 직접적이고 일상적인 조건하에 통상적인 두께로 침착되도록 보장한다.

전극(2)은 전기 전도성 물질의 다층에 의해 형성된다. 그것은, 예를 들어 약 1.9의 굴절률을 갖는 ITO (인듐 주석 옥시드) 필름 또는 일반적으로 제1 유전체가 2의 지수를 갖는 유리와 직접 접촉하는 유전체(들)/Ag/유전체(들) 다층으로 제조된다.

본 발명에 따르면, 굴절률 구배의 변화는, 유리의 깊이이고, 그것은 유리의 굴절률(n = 1.5)에 상응하는 반면, 표면에서 그것은 더 높고, 2에 근접한 전극 다층의 제1 필름의 굴절률에 근접한다.

도 4는 전극(2)이 제공되고, 굴절률 변화를 갖는 본 발명의 기판을 포함하는 OLED(7)를 나타낸다.

따라서, OLED는 연속적으로 OLED를 위한 지지체로 작용하는, 굴절률 변화를 갖는 기판(1), 전극(2)을 형성하는 제1 투명한 전기 전도성 코팅, 그 자체로 공지된 유기 물질(들)의 필름(70) 및 제2 전극을 형성하고, 바람직하게는 공지된 바와 같이, 유기 필름에 의해 방출된 광을 반대 반향으로 투명한 기판으로 되돌아가게 하는, 유기 필름(70)과 대향하는 반사 표면을 갖는 제2 전기 전도성 코팅(71)을 포함한다.

실시예의 OLED는 본 발명의 이로운 효과를 보여주기 위하여 비교용으로 제조되었다.

실시예는 모두 동일한 기초 OLED 요소 (투명한 전극, 유기 물질의 필름, 제2 전극, 유리 지지 기판)를 가졌다. 유리 지지체 또는 베이스 기판은 쌩-고벵 글래스 프랑스에 의해 시판되는, 5 cm × 5 cm의 크기 및 2.1 mm의 두께를 갖는 알바리노(Albarino; 등록상표) 유형의 표준 유리 기판이었다.

이러한 베이스 기판이 비처리될 경우, 그것은 1.52의 굴절률을 갖는 비교 시험용 참고용 기판(참고용 실시예)이었다.

실시예 1은 345℃의 온도에서 21시간 동안 질산은(AgNO₃)의 조에 침지시킨, 제1 기술에 따른 은 이온 교환을 수행한 베이스 기판에 관한 것이다.

실시예 2는 400℃의 온도에서 3시간 동안 질산탈륨(TlNO₃)의 조에 침지시킨, 제1 기술에 따른 탈륨 이온 교환을 수행한 베이스 기판에 관한 것이다.

하기 표는 각각의 실시예에 대해 얻어진 값을 대조한다: 기판의 굴절률, 비처리된 참고용 기판에 대해 얻어진 지수 구배, 기판 중 이온 교환 두께, 및 각각의 실시예의 기판을, 기판을 제외하고는 동일한 요소를 포함하는 OLED로 통합시켰을 때 얻어진 추출 효율.

추출 효율을 계산하기 위하여, 먼저 OLED로부터 방출된 광 출력(light optical power)과 OLED 장치에 주입된 전력 사이의 비에 상응하는 외부 양자 효율을 계산하였다. 그 다음, OLED에 대한 내부 양자 효율이 25％라고 가정하고, 외부 양자 효율을 이 내부 양자 효율 (여기서, 0.25)로 나누어 추출 효율을 얻었다.

따라서, 본 발명의 실시예 1 및 2의 기판은 비처리된 기판에 비해 19％가 넘는 광 추출 효율의 상대적 증가를 나타내었다. 추출 효율의 상대적 증가는 본 발명의 실시예와 참고용 실시예 사이의 효율 차이와 참고용 실시예의 효율 사이의 비이다. 또한, 이러한 증가는 광의 시야각 함수로서 OLED의 다른 특성, 특히 색 변화의 열화없이 얻어지는 것으로 나타났다.

Claims

제1 측(10) 및 제2 반대 측(11)을 포함하고, 제2 측 상에 하나 이상의 전기 전도성 필름에 의해 형성된 전극(2)이 제공된 유리 기판(1)으로서, 제2 측 전체에 걸쳐 제1 측(10)의 방향으로 기판의 내부를 향해 연장하는 두께 e를 통해, 이온 교환 처리에 의해 얻어진 유리의 굴절률 변화를 갖고, 표면에서의 굴절률이 두께 e를 지나 위치한 유리의 굴절률보다 더 큰 것을 특징으로 하는 유리 기판(1).
제1항에 있어서, 굴절률이 전극(2)의 굴절률에 근접하게 또는 그와 동일하게 되도록 두께 e를 통해 제2 측의 표면까지 변하는 것을 특징으로 하는 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 두께 e에서의 굴절률 변화가 중간 값 없이 직접적으로 두께 e 아래의 유리의 지수 값에서 또다른 지수 값으로 되거나 그 밖에 다수의 지수 값을 통하는 프로필에 상응하며, 상기 프로필은 바람직하게는 선형인 것을 특징으로 하는 기판.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 지수 변화량이 0.05 이상, 바람직하게는 0.08 이상, 심지어 0.1 이상인 것을 특징으로 하는 기판.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 지수 변화의 두께 e가 유리하게는 1 μm 내지 100 μm, 바람직하게는 1 μm 내지 10 μm, 특히 1 μm 내지 5 μm인 것을 특징으로 하는 기판.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 지수 변화가 은 및/또는 탈륨 및/또는 세슘 및/또는 바륨 이온을 사용한 유리의 이온 교환 처리에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 기판.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 광 투과율이 80％ 이상인 것을 특징으로 하는 기판.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 다음의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 기판:
SiO₂ 67.0 내지 73.0％, 바람직하게는 70.0 내지 72.0％;
Al₂O₃ 0 내지 3.0％, 바람직하게는 0.4 내지 2.0％;
CaO 7.0 내지 13.0％, 바람직하게는 8.0 내지 11.0％;
MgO 0 내지 6.0％, 바람직하게는 3.0 내지 5.0％;
Na₂O 12.0 내지 16.0％, 바람직하게는 13.0 내지 15.0％;
K₂O 0 내지 4.0％;
TiO₂ 0 내지 0.1％;
총 철 함량 (Fe₂O₃로 표현됨) 0 내지 0.03％, 바람직하게는 0.005 내지 0.01％;
산화환원 (FeO/총 철 함량) 0.02 내지 0.4％, 바람직하게는 0.02 내지 0.2％;
Sb₂O₃ 0 내지 0.3％;
CeO₂ 0 내지 1.5％; 및
SO₃ 0 내지 0.8％, 바람직하게는 0.2 내지 0.6％.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 장치, 특히 유기 발광 다이오드 장치에서 지지체로 사용되고, 기판의 전극(2)이 장치의 전극 중 하나를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 디스플레이 스크린 또는 조명 장치에 사용되는 것을 특징으로 하는 기판.