KR20110058385A - 고집적 상변화 메모리 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (27)
- 억세스 소자를 포함하는 반도체 기판;상기 억세스 소자 상부에 형성되는 가열 전극;상기 가열 전극 상부에 형성되는 상변화 나노 밴드; 및상기 상변화 나노 밴드의 양측에 형성되어, 상기 상변화 나노 밴드를 지지하는 층간 절연막을 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가열 전극은 상기 억세스 소자와 실질적으로 동일한 선폭을 갖는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 상변화 나노 밴드와 상기 층간 절연막 사이 중 적어도 하나에 개재되는 캡핑층을 더 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 캡핑층은 상기 상변화 나노 밴드를 구성하는 상변화 물질의 이동을 차단하는 물질인 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 상변화 나노 밴드와 상기 층간 절연막 사이 중 적어도 하나에, 상기 상변화 나노 밴드와 다른 종류의 추가의 상변화 나노 밴드가 더 형성되는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 추가의 상변화 나노 밴드의 상변화 온도는 상기 상변화 나노 밴드의 상변화 온도와 상이한 물질인 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 상변화 나노 밴드와 상기 추가의 상변화 나노 밴드 사이에 캡핑층이 더 개재되는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 억세스 소자는 수직형 다이오드인 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 상변화 나노 밴드는 상기 가열 전극보다 좁은 선폭을 갖는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 수직형 다이오드;상기 수직형 다이오드 상부에 형성되는 가열 전극;상기 가열 전극 상부에 형성되는 복수의 상변화 나노 밴드; 및상기 복수의 상변화 나노 밴드의 양측에 각각 형성되어, 상기 복수의 상변화 나노 밴드의 양측을 지지하도록 형성되는 층간 절연막을 포함하며,상기 복수의 상변화 나노 밴드의 총 선폭은 상기 가열 전극의 직경보다 작고,상기 복수의 상변화 나노 밴드는 그것의 상변화 특성이 각기 상이한 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 가열 전극의 선폭은 상기 수직형 다이오드의 선폭과 실질적으로 동일한 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 복수의 상변화 나노 밴드는,스페이서 형태를 갖는 제 1 상변화 나노 밴드; 및상기 제 1 상변화 나노 밴드와 서로 다른 상변화 온도에서 상변화가 일어나고, 상기 제 1 상변화 나노 밴드의 일측에 스페이서 형태를 갖도록 형성되는 제 2 상변화 나노 밴드를 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 상변화 나노 밴드 사이에 캡핑층이 더 개재되는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 복수의 상변화 나노 밴드와 상기 층간 절연막 사이 중 적어도 하나에 캡핑층이 더 개재되는 고집적 상변화 메모리 장치.
- 반도체 기판상에 복수의 억세스 소자를 형성하는 단계;상기 복수의 억세스 소자 상부 각각에 가열 전극을 형성하는 단계;상기 가열 전극 상부에 한 쌍의 상기 가열 전극을 노출시키는 트렌치를 구비한 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 트렌치 양측벽에 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계; 및상기 상변화 나노 밴드 사이에 제 2 층간 절연막을 충진하는 단계를 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 억세스 소자를 형성하는 단계는,상기 반도체 기판상에 절연막을 증착하는 단계;상기 절연막내에 복수의 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 각각의 콘택홀 내부에 다이오드를 형성하는 단계를 포함하며,상기 다이오드는 상기 콘택홀의 높이 보다 낮은 높이로 형성하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 가열 전극을 형성하는 단계는,상기 다이오드 상부의 콘택홀 내부가 충진되도록 도전물을 매립하는 단계를 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계 사이에,상기 제 1 층간 절연막의 트렌치 측벽에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계는,상기 제 1 층간 절연막 및 상기 트렌치 표면에 상변화 물질층을 소정 두께로 증착하는 단계; 및상기 제 1 층간 절연막 상면이 노출되도록 상기 상변화 물질층을 비등방성 식각하는 단계를 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 상변화 나노 밴드의 일측에 추가의 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 추가의 나노 밴드는 상기 상변화 나노 밴드와 서로 다른 온도에서 상변화가 이루어지는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계와, 상기 추가의 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계 사이에 상기 상변화 나노 밴드 측벽에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 반도체 기판 상부에 복수의 억세스 소자 및 그 상부에 가열 전극이 각각 구비되어 있는 절연막을 제공하는 단계;상기 절연막 상부에 한 쌍의 상기 가열 전극을 노출시키는 트렌치를 구비하는 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 층간 절연막의 양측벽에 상기 가열 전극과 콘택되는 복수의 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계; 및상기 상변화 나노 밴드 사이의 상기 트렌치내에 제 2 층간 절연막을 충진하는 단계를 포함하며,상기 복수의 상변화 나노 밴드는 각기 다른 상변화 특성을 갖는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 억세스 소자를 형성하는 단계는,상기 반도체 기판상에 절연막을 증착하는 단계;상기 절연막내에 복수의 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 각각의 콘택홀 내부에 다이오드를 형성하는 단계를 포함하며,상기 다이오드는 상기 콘택홀의 높이 보다 낮은 높이로 형성하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 가열 전극을 형성하는 단계는,상기 다이오드 상부의 콘택홀 내부가 충진되도록 도전물을 매립하는 단계를 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 복수의 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계는,상기 제 1 층간 절연막 및 상기 트렌치 표면에 제 1 상변화 물질층을 소정 두께로 증착하는 단계;상기 제 1 층간 절연막 상면이 노출되도록 상기 제 1 상변화 물질층을 비등방성 식각하여, 제 1 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계;상기 제 1 층간 절연막, 상기 제 1 상변화 나노 밴드 및 상기 트렌치 표면에 상기 제 1 상변화 물질층과 상이한 상변화 특성을 갖는 제 2 상변화 물질층을 소정 두께로 증착하는 단계; 및상기 제 2 상변화 물질층을 비등방성 식각하여, 제 2 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계를 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 상변화 물질층의 두께의 합은 상기 가열 전극의 선폭보다 작은 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 제 1 상변화 나노 밴드를 형성하는 단계와, 상기 제 2 상변화 물질층을 증착하는 단계 사이에, 상기 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 고집적 상변화 메모리 장치의 제조방법.
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