KR20110049871A - 정전 척의 사용 한계 판별 방법 - Google Patents

정전 척의 사용 한계 판별 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110049871A
KR20110049871A KR1020117006315A KR20117006315A KR20110049871A KR 20110049871 A KR20110049871 A KR 20110049871A KR 1020117006315 A KR1020117006315 A KR 1020117006315A KR 20117006315 A KR20117006315 A KR 20117006315A KR 20110049871 A KR20110049871 A KR 20110049871A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
electrostatic chuck
substrate
value
coating layer
Prior art date
Application number
KR1020117006315A
Other languages
English (en)
Inventor
나가히로 이노우에
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20110049871A publication Critical patent/KR20110049871A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

정전 척이 사용 한계에 도달하였는지 여부를 정확하게 판별할 수 있도록 한 정전 척의 사용 한계 판별 방법을 제공한다. 정전 척(2)은 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(4')과, 이들 전극(4, 4')을 덮는 유전체로 이루어지는 피복층(5)을 구비하고, 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극(4, 4') 사이에 전원(7)으로부터 전압을 인가함으로써, 피복층의 표면에 장착한 처리 기판(S)을 흡착하도록 구성된다. 처리 기판(S)을 흡착한 상태에서 두 전극(4, 4') 사이에 흐르는 전류값을 전류계(8)에 의해 검출하여, 검출 전류값이 소정의 임계값 이상으로 되었을 때에 정전 척(2)이 사용 한계에 도달하였다고 판별한다. 임계값은 정전 척(2)에 접하는 기판 이면의 저항값이 상이한 각각의 처리 기판마다 상이한 값으로 설정된다.

Description

정전 척의 사용 한계 판별 방법{METHOD FOR DETERMINING SERVICE LIMIT OF ELECTROSTATIC CHUCK}
본 발명은 처리 기판에 스퍼터링 등의 소정의 처리를 행할 때에 처리 기판을 유지하기 위해 사용하는 정전 척(electrostatic chuck)의 사용 한계 판별 방법에 관한 것이다.
종래, 정전 척으로서, 제 1 전극 및 제 2 전극과, 이들 전극을 덮는 유전체로 이루어지는 피복층을 구비하고, 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 피복층의 표면에 장착한 처리 기판을 흡착하는 것은 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 또한, 처리 기판이 절연성 기판인 경우에는, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 전압을 인가함으로써 발생하는 경도력(gradient force)에 의해 처리 기판이 척 플레이트의 표면에 흡착되고, 처리 기판이 비절연성 기판인 경우에는, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력(Coulomb force)에 의해 처리 기판이 척 플레이트의 표면에 흡착된다.
그런데, 정전 척에 흡착되는 처리 기판을 가열 및 냉각하는 경우에는, 처리 기판과 정전 척의 열 팽창 차이에 의해, 피복층이 처리 기판으로 긁혀서 점차 마모된다. 따라서, 종래에는 정전 척으로 흡착한 처리 기판의 매수가 소정의 사용 한도 매수로 되면, 정전 척이 사용 한계에 도달하였다고 판단하여, 정전 척을 교환하고 있다.
그러나, 처리 기판의 매수가 사용 한도 매수에 도달하여도, 피복층이 그다지 마모되지 않는 경우가 있다. 그 때문에, 정전 척의 교환 빈도를 감소시켜서 생산성을 향상시키기 위하여, 더욱 정확하게 정전 척의 사용 한계를 판별하는 것이 요청되고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허출원공개 제2004-31502호 공보
본 발명은 이상의 점을 고려하여, 정전 척이 사용 한계에 도달하였는지 여부를 정확하게 판별할 수 있도록 한 정전 척의 사용 한계 판별 방법을 제공하는 것을 그 과제로 하고 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 제 1 전극 및 제 2 전극과, 이들 전극을 덮는 유전체로 이루어지는 피복층을 구비하고, 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 피복층의 표면에 장착한 처리 기판을 흡착하는 정전 척의 사용 한계 판별 방법으로서, 처리 기판을 흡착한 상태에서 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극 사이에 흐르는 전류값을 검출하여, 검출 전류값이 소정의 임계값 이상으로 되었을 때에 정전 척이 사용 한계에 도달하였다고 판별하도록 하고, 상기 임계값은 정전 척에 접하는 기판 이면의 저항값이 상이한 각각의 처리 기판마다 상이한 값으로 설정되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 처리 기판의 흡착 시에 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극 사이에 흐르는 전류값은 피복층의 마모에 수반하여 점차 증가한다. 그 때문에, 이 전류값은 피복층의 마모의 정도를 나타내는 파라미터로 되고, 전류값이 임계값 이상으로 되었는지 여부에 의해, 피복층의 마모가 한계에 도달하였는지 여부, 즉, 정전 척이 사용 한계에 도달하였는지 여부를 판별할 수 있다. 그러나, 이 전류값은 정전 척에 접하는 기판 이면의 저항값에 의해서도 변화하고, 기판 이면의 저항값이 작아질수록 커진다. 따라서, 임계값을 일의적으로 결정한 것에서는, 기판 이면의 저항값이 작은 처리 기판의 경우, 정전 척이 사용 한계에 도달하지 않음에도, 사용 한계에 도달하였다고 오판별되어 버린다. 이것에 대하여, 본 발명에서는, 상기와 같은 기판 이면의 저항값이 상이한 각각의 처리 기판마다 상이한 값으로 임계값을 설정하고 있으므로, 정전 척이 사용 한계에 도달하였는지 여부를 정확하게 판별할 수 있다.
또한, 처리 기판에 대한 스퍼터링 등의 처리를 개시하면, 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극 사이에 흐르는 전류값이 처리의 영향으로 변동된다. 그 때문에, 본 발명에 있어서, 상기 전류값은 처리 기판의 흡착 후, 처리 기판에 대한 처리를 개시하기 전에 검출되는 전류값인 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 처리의 영향에 의한 전류 변동을 발생하지 않는 상태에서 검출되는 전류값에 기초하여, 정전 척이 사용 한계에 도달하였는지 여부를 판별할 수 있고, 전류 변동에 기인하는 오판별을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명 방법의 실시에 이용하는 설비의 개략 구성도이다.
도 2의 (a)는 피복층의 마모 전의 ESC 전류의 흐름 방향을 개략적으로 도시하는 도면이고, (b)는 피복층의 마모 후의 ESC 전류의 흐름 방향을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3은 피복층의 마모에 의한 ESC 전류의 변화를 도시하는 그래프이다.
도 4는 처리 기판의 1회의 처리 사이클 중의 ESC 전류의 추이를 도시하는 그래프이다.
도 5는 본 발명 방법의 실시 형태의 판별 처리를 도시하는 순서도이다.
도 1을 참조하면, 1은 도시를 생략한 진공 처리조 내에 설치되는 스테이지이며, 스테이지(1) 상에, 유리 기판 등의 처리 기판(S)을 흡착하는 정전 척(2)이 고정되어 있다. 정전 척(2)은 유전체인 예를 들어, 세라믹 재료를 이용하여 형성되는 척 플레이트(3)를 가지고, 이 척 플레이트(3) 내에, 제 1 전극(4)과 제 2 전극(4')이 매설되어 있다. 제 1 전극(4)과 제 2 전극(4')은 예를 들어, 빗 이빨 모양으로 형성되어, 그 이빨 부분이 서로 비접촉의 상태에서 치합하도록 배치되어 있다.
제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극(4, 4') 사이에는, 컨트롤러(6)로 제어되는 전원(7)으로부터 전기회로(7a)를 통해 직류 전압이 인가된다. 또한, 전기회로(7a)에는, 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극(4, 4') 사이에 흐르는 전류값(이하, ESC 전류라고 한다)을 검출하는 전류계(8)가 그 사이에 설치되어 있다. 그리고, 전류계(8)로 검출한 ESC 전류의 데이터를 컨트롤러(6)에 입력하고 있다. 또한, 컨트롤러(6)에는 EES(Engineering Equipment System) 서버(9)가 접속되어 있다.
도 2의 (a)를 참조하면, 정전 척(2)은 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극(4, 4')을 덮는 유전체로 이루어지는 피복층(5)을 구비하고 있다. 그리고, 두 전극(4, 4') 사이에 전압을 인가함으로써, 피복층(5)의 표면에 장착한 처리 기판(S)이 흡착되도록 하고 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 피복층(5)이 척 플레이트(3)와 일체이지만, 피복층(5)을 척 플레이트(3) 상에 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극(4, 4')을 덮도록 하여 형성하여도 좋다.
그런데, 도면 외의 가열 수단에 의해 처리 기판(S)을 가열하면, 정전 척(2)과 처리 기판(S)과의 열 팽창 차이에 의해, 피복층(5)이 처리 기판(S)에 의해 긁혀서 마모되어 얇아진다. 그리고, 피복층(5)의 두께가 소정의 마모 한계 이하로 얇아지면, 그 이상 정전 척(2)을 사용할 수 없게 된다.
여기서, 피복층(5)이 얇아지면, 도 2의 (b)에 도시한 것과 같이, 피복층(5)과 처리 기판(S)과의 접촉면에 전류가 흐르기 쉽게 되어, ESC 전류가 증가한다. 그 때문에, 전류계(8)로 검출한 ESC 전류는 피복층(5)의 마모의 정도를 나타내는 파라미터가 된다. 그리고, ESC 전류가 소정의 임계값 이상으로 되었는지의 여부에 의해, 피복층(5)의 마모가 한계에 도달하였는지 여부, 즉, 정전 척(2)이 사용 한계에 도달하였는지 여부를 판별할 수 있다.
다만, ESC 전류는 정전 척(2)에 접하는 기판 이면의 저항값에 의해서도 변화한다. 그리고, 기판 이면의 저항값이 큰 처리 기판(S)에서는, 도 3에 a 선으로 도시한 바와 같이, 피복층(5)이 마모하였을 때의 ESC 전류의 증가율이 작아지지만, 기판 이면의 저항값이 작은 처리 기판(S)에서는, 도 3에 b 선으로 도시한 바와 같이, 피복층(5)이 마모하였을 때의 ESC 전류의 증가율이 커진다. 또한, 기판 이면의 저항값은 처리 기판(S)이 동일 재질이어도, 기판 이면에 형성한 디바이스의 성상에 따라서는 상이하다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 임계값을 기판 이면의 저항값이 상이한 각각의 처리 기판마다 상이한 값으로 설정하고, 즉, 기판 이면의 저항값이 작아질수록 임계값의 값이 커지도록 처리 기판(S)의 종류에 따라 임계값을 설정하고, 이들 임계값을 컨트롤러(6)에 기억시키고 있다. 그리고, ESC 전류가 현재 흡착하고 있는 처리 기판(S)의 종류에 대응하는 임계값 이상으로 되었을 때에, 정전 척(2)이 사용 한계에 도달하였다고 판단하고 있다. 또한, 정전 척(2)에 흡착하는 처리 기판(S)의 종류는 키보드 조작에 의한 입력으로 컨트롤러(6)가 인식한다.
이것에 의하면, 기판 이면의 저항값이 큰 처리 기판(S)에서는, 임계값이 비교적 낮은 값 YIl(도 3 참조)로 설정되고, 기판 이면의 저항값이 작은 처리 기판(S)에서는, 임계값이 비교적 높은 값 YIh로 설정되게 된다. 그 때문에, 처리 기판(S)의 종류에 관계없이, 피복층(5)의 두께가 동일한 한계값 Lim으로 감소하였을 때에, 정전 척(2)이 사용 한계에 도달하였다고 판단된다.
그런데, 처리 기판(S)의 처리에 있어서는, 도 4의 t0의 시점에서 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극(4, 4')으로의 전압 인가를 개시하고, 전압이 소정의 흡착 전압으로 승압하는 t1의 시점으로부터 일정 시간 지연된 t2의 시점으로부터 처리 기판(S)에 대한 스퍼터링 등의 처리를 개시하고, t3의 시점에서 처리를 종료한다. 도 4는 ESC 전류의 추이를 도시하고 있고, 스퍼터링 처리를 행하는 경우, t2로부터 t3까지의 처리 기간 중에는, 스퍼터 방전의 영향으로 ESC 전류가 변동된다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 이러한 전류 변동에 의한 오판정을 방지하기 위해, 도 5에 도시하는 순서로 정전 척(2)의 사용 한계 판별 처리를 행하고 있다. 이 판별 처리에서는, 우선, 처리 기판(S)의 흡착 후, 처리 기판(S)에 대한 처리를 개시하기 전의 t1으로부터 t2까지의 기간에 검출된 ESC 전류의 평균값을 산출하고(STEP1), 이 평균값을 이번 판별 처리에 이용하는 ESC 전류의 검출값 I로 하고 있다(STEP2). 그리고, 현재 흡착하고 있는 처리 기판(S)의 종류에 대응하는 임계값 YI를 검색하고(STEP3), 이 임계값 YI와 ESC 전류의 검출값 I를 비교하여(STEP4), I
Figure pct00001
YI로 되었을 때에, 정전 척(2)이 사용 한계에 도달하였다고 판단하여, 그 취지를 부저(buzzer), 램프, 메일 전달(mail delivery) 등으로 보고하고 있다(STEP5).
이것에 의하면, 처리의 영향에 의한 전류 변동을 발생하지 않는 상태에서 검출되는 ESC 전류에 기초하여, 정전 척(2)이 사용 한계에 도달하였는지 여부를 판별할 수 있고, 전류 변동에 기인하는 오판별을 방지할 수 있다. 또한, 처리 기판(S)의 종류에 대응하는 임계값 YI을 이용하기 때문에, 상술한 바와 같이 기판 이면의 저항값의 차이에 의한 오판정도 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, t1으로부터 t2까지의 기간에 검출된 ESC 전류의 평균값을 컨트롤러(5)로부터 EES 서버(9)에 송신하고 있다. 그리고, EES 서버(9)에서, 처리 기판(S)의 종류별로 ESC 전류의 상기 평균값의 추이를 기억하고, 이 추이를 적절하게 그래프화 하여 출력할 수 있도록 하고 있다.
S : 처리 기판 2 : 정전 척
4 : 제 1 전극 4' : 제 2 전극
5 : 피복층 6 : 컨트롤러
7 : 전원 8 : 전류계

Claims (2)

  1. 제 1 전극 및 제 2 전극과, 이들 전극을 덮는 유전체로 이루어지는 피복층을 구비하고, 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 피복층의 표면에 장착한 처리 기판을 흡착하는 정전 척의 사용 한계 판별 방법으로서,
    처리 기판의 흡착 시에 제 1 전극과 제 2 전극의 두 전극 사이에 흐르는 전류값을 검출하여, 검출 전류값이 소정의 임계값 이상으로 되었을 때에 정전 척이 사용 한계에 도달하였다고 판별하도록 하고,
    상기 임계값은 정전 척에 접하는 기판 이면의 저항값이 상이한 각각의 처리 기판마다 상이한 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 정전 척의 사용 한계 판별 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 전류값은 처리 기판의 흡착 후, 처리 기판에 대한 처리를 개시하기 전에 검출되는 전류값인 것을 특징으로 하는 정전 척의 사용 한계 판별 방법.
KR1020117006315A 2008-08-20 2009-08-17 정전 척의 사용 한계 판별 방법 KR20110049871A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-211476 2008-08-20
JP2008211476 2008-08-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110049871A true KR20110049871A (ko) 2011-05-12

Family

ID=41707195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117006315A KR20110049871A (ko) 2008-08-20 2009-08-17 정전 척의 사용 한계 판별 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110140712A1 (ko)
JP (1) JPWO2010021317A1 (ko)
KR (1) KR20110049871A (ko)
CN (1) CN102124554A (ko)
DE (1) DE112009001988T5 (ko)
TW (1) TW201013829A (ko)
WO (1) WO2010021317A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180024385A (ko) * 2016-08-30 2018-03-08 삼성전자주식회사 기판 처리 장치의 이상 진단 방법 및 이를 수행하기 위한 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8937800B2 (en) * 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5979545A (ja) * 1982-10-29 1984-05-08 Toshiba Corp 静電チャック装置
JP2695436B2 (ja) * 1988-06-24 1997-12-24 富士通株式会社 静電チャックの劣化検出回路
JP2973758B2 (ja) * 1993-01-06 1999-11-08 日新電機株式会社 静電チャック
JPH077071A (ja) * 1993-06-15 1995-01-10 Hitachi Ltd 静電チャック
US5751537A (en) * 1996-05-02 1998-05-12 Applied Materials, Inc. Multielectrode electrostatic chuck with fuses
US5886865A (en) * 1998-03-17 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck
JP2002305237A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Hitachi Ltd 半導体製造方法および製造装置
JP4030361B2 (ja) 2002-06-24 2008-01-09 株式会社アルバック 静電吸着方法
US7864502B2 (en) * 2007-05-15 2011-01-04 International Business Machines Corporation In situ monitoring of wafer charge distribution in plasma processing
US7768269B2 (en) * 2007-08-15 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Method of multi-location ARC sensing with adaptive threshold comparison

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180024385A (ko) * 2016-08-30 2018-03-08 삼성전자주식회사 기판 처리 장치의 이상 진단 방법 및 이를 수행하기 위한 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20110140712A1 (en) 2011-06-16
DE112009001988T5 (de) 2011-07-28
TW201013829A (en) 2010-04-01
CN102124554A (zh) 2011-07-13
WO2010021317A1 (ja) 2010-02-25
JPWO2010021317A1 (ja) 2012-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101390444B1 (ko) 기판 보호지지 장치
KR101604993B1 (ko) 정전 용량 감지 특징을 갖는 정전 척 조립체 및 관련 작동 방법
JP5265770B2 (ja) プラズマ処理チャンバ内のデチャックを検出するための容量結合静電(cce)プローブ構成、それに関連する方法、及び、その方法を実行するコンピュータ可読コードを格納するプログラム格納媒体
US20080218931A1 (en) System for decharging a wafer or substrate after dechucking from an electrostatic chuck
TW201027662A (en) Electrostatic chuck device and method for determining adsorbed state of wafer
JP5574962B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US12020911B2 (en) Chucking process and system for substrate processing chambers
KR20230034970A (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템의 무선 주파수 (radiofrequency) 공급 시스템으로부터 프로세스 제어 정보를 추출하기 위한 시스템들 및 방법들
JP5232868B2 (ja) 基板管理方法
KR20120046702A (ko) 기판 처리 방법 및 그 방법을 실행하는 프로그램을 기억하는 기억 매체
KR20110049871A (ko) 정전 척의 사용 한계 판별 방법
US20090088041A1 (en) Display substrate manufacturing method and vacuum processing apparatus
JP5939808B2 (ja) 基板吸着状態の判定方法
JPH07211768A (ja) 静電吸着装置の保持状態確認方法
CN104992920A (zh) 一种控制静电吸盘吸力的方法
JP6898526B2 (ja) 静電チャック用の給電装置及び基板管理方法
JP7020311B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6142305B2 (ja) 静電吸着方法及び静電吸着装置
US20210391141A1 (en) Substrate state detection for plasma processing tools
JP2001250811A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JPH07263529A (ja) 静電吸着装置
JP5961001B2 (ja) 基板吸着状態の監視方法
CN107615474B (zh) 吸附装置、吸附装置的制造方法、以及真空处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application