KR20180024385A - 기판 처리 장치의 이상 진단 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 - Google Patents

기판 처리 장치의 이상 진단 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 Download PDF

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Abstract

기판 처리 장치의 이상 진단 방법에 따르면, 기판 처리 장치 내에 배치된 척의 온도를 측정할 수 있다. 상기 측정된 척의 온도를 온도 제어부에서 상기 척의 목표 온도와 비교할 수 있다. 상기 비교 결과들에 따라 상기 온도 제어부로부터 상기 척으로 구동 변수를 공급하는 구동 변수 인가부로 전송되는 제어 신호들을 분석하여, 상기 기판 처리 장치의 이상 및/또는 반도체 기판의 휨을 진단할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치의 이상으로 야기되는 반도체 장치의 제조 수율 하락이 방지될 수 있다.

Description

기판 처리 장치의 이상 진단 방법 및 이를 수행하기 위한 장치{METHOD OF DIAGNOSING AN ABNORMAL STATE OF A SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME}
본 발명은 기판 처리 장치의 이상 진단 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 플라즈마 처리 장치와 같은 기판 처리 장치의 이상 상태를 진단하는 방법, 및 이러한 방법을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판 상에 형성된 막을 처리하는데 기판 처리 장치가 사용될 수 있다. 기판 처리 장치는 반도체 기판이 안치되는 척을 포함할 수 있다. 척 내에는 반도체 기판을 가열하기 위한 히터가 내장될 수 있다.
관련 기술들에 따르면, 기판 처리 장치 내에 이상이 발생되었는지 여부를 정확하게 파악할 수 없을 수 있다. 특히, 반도체 기판이 척 상에 정확하게 안치되었는지 여부를 정확하게 파악할 수 없다.
본 발명은 기판 처리 장치 내에 이상이 발생되었는지 여부를 정확하게 파악할 수 있는 기판 처리 장치의 이상 진단 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기된 방법을 수행하기 위한 장치도 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 기판 처리 장치의 이상 진단 방법에 따르면, 기판 처리 장치 내에 배치된 척의 온도를 측정할 수 있다. 상기 측정된 척의 온도를 온도 제어부에서 상기 척의 목표 온도와 비교할 수 있다. 상기 비교 결과들에 따라 상기 온도 제어부로부터 상기 척으로 구동 변수(drive parameter)를 공급하는 구동 변수 인가부로 전송되는 제어 신호들을 분석하여, 상기 기판 처리 장치의 이상을 진단할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 기판 처리 장치의 이상 진단 장치는 온도 센서, 온도 제어부 및 분석부를 포함할 수 있다. 상기 온도 센서는 상기 기판 처리 장치 내에 배치된 척의 온도를 측정할 수 있다. 상기 온도 제어부는 상기 측정된 척의 온도를 상기 척의 목표 온도와 비교하고, 상기 비교 결과들에 따라 상기 척으로 구동 변수를 공급하는 구동 변수 인가부로 제어 신호들을 전송할 수 있다. 상기 분석부는 상기 제어 신호들을 분석하여, 상기 기판 처리 장치의 이상을 진단할 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 온도 제어부로부터 구동 변수 인가부로 전송되는 제어 신호를 분석하여, 기판 처리 장치 내의 이상 및/또는 반도체 기판의 휨을 정확하게 진단할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치의 이상으로 야기되는 반도체 장치의 제조 수율 하락이 방지될 수 있다. 또한, 이상이 발생된 기판 처리 장치에 대한 즉각적인 보수가 가능해질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 이상 진단 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 2 내지 도 4는 기판 처리 장치 내에 이상이 발생된 경우들을 나타낸 단면도들이다.
도 5는 도 1에 도시된 장치를 이용해서 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 이상 진단 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 7은 도 6에 도시된 장치를 이용해서 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 이상 진단 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 9는 도 8에 도시된 장치를 이용해서 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 이상 진단 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 플라즈마 처리 장치를 포함할 수 있다. 플라즈마 처리 장치는 증착 장치, 식각 장치, 애싱(ashing) 장치 등을 포함할 수 있다. 증착 장치는 플라즈마를 이용해서 반도체 기판 상에 막을 형성할 수 있다. 식각 장치는 플라즈마를 이용해서 반도체 기판 상의 막을 식각할 수 있다. 애싱 장치는 플라즈마를 이용해서 반도체 기판 상의 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있다.
기판 처리 장치는 챔버(110), 척(120), 히터(130), 리프트 핀(140), 상부 전극(150), 가스 유입구(160) 및 구동 변수 인가부(170)를 포함할 수 있다.
척(120)은 챔버(110)의 저면에 배치될 수 있다. 척(120)은 정전척(electrostatic chuck : ESC)를 포함할 수 있다. 히터(130)는 척(120)에 내장될 수 있다. 리프트 핀(140)은 척(120) 내에 수직 방향을 따라 이동 가능하게 배치될 수 있다.
상부 전극(150)은 챔버(110)의 상부에 배치될 수 있다. 척(120)과 상부 전극(150)은 구동 변수 인가부(170)에 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 변수 인가부(170)는 척(120)으로 전력, 전류, 전압 또는 저항과 같은 구동 변수(drive parameter)를 공급할 수 있다. 구동 변수 인가부(170)는 파워 소스로부터 척(120)으로 인가되는 전력을 변환시키는 전력 변환기를 포함할 수 있다. 가스 유입구(160)는 챔버(110)의 측벽에 연결될 수 있다. 가스 유입구(160)를 통해 유입된 공정 가스로부터 상부 전극(150)과 척(120) 사이에 형성된 전기장에 의해서 플라즈마가 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 4는 기판 처리 장치 내에 이상이 발생된 경우들을 나타낸 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 리프트 핀(140)의 오작동에 의해서 반도체 기판(W)이 척(120) 상에서 정상적으로 안착되지 못하고 척(120)과의 간격이 생길 수가 있다.
도 3을 참조하면, 척(120)에 묻은 이물질(M)로 인해서 척(120) 상에 안치된 반도체 기판(W)이 미세하게 기울어질 수 있다.
도 4를 참조하면, 반도체 기판(W)의 가장자리부가 척(120)의 가장자리에 형성된 구조물에 걸려서, 반도체 기판(W)이 기울어질 수 있다.
또는, 반도체 기판(W)이 휘어질 경우, 휘어진 반도체 기판(W)과 척(120) 사이의 접촉 면적이 줄어들 수 있다.
이러한 경우들이 발생되면, 반도체 기판(W)과 척(120) 사이의 접촉 면적이 줄어들 수 있다. 그러므로, 히터(130)로부터 반도체 기판(W)으로 열전달이 효율적으로 이루어지지 않을 수 있다.
상기된 경우 외에 기판 처리 장치 내의 이상이 발생되는 경우들의 예들로서, 반도체 기판(W)을 고정하는 척(120)의 척킹력이 약화될 수 있다. 플라즈마에 장시간 노출된 척(120)이 침식될 수 있다. 침식된 척(120)에는 열화 현상이 발생될 수 있다. 챔버(110) 내의 압력이 설정된 압력 범위를 벗어날 수도 있다. 챔버(110) 내에서 온도를 균일하게 유지시키는 헬륨 가스의 흐름에 급진적 변화가 발생될 수도 있다.
상기된 이상 현상들이 기판 처리 장치에 발생되면, 온도 제어부(220)에 의해서 척(120)에 대한 온도 보상 동작이 즉각적으로 수행될 수 있다. 특히, 온도 보상 동작은 기판 처리 장치 내에서 반도체 기판에 대한 공정이 수행되는 동안에 이루어질 수 있다. 이로 인하여, 기판 처리 장치에 이상이 발생되었음에도 불구하고, 기판 처리 장치가 계속 가동될 수 있다. 이상이 발생된 기판 처리 장치로부터 생산된 반도체 장치는 검사 장치에 의해서 비정상으로 처리될 수 있다. 또한, 이상이 발생된 기판 처리 장치의 계속적인 가동은 기판 처리 장치의 심각한 고장을 유발할 수도 있다.
본 실시예의 이상 진단 장치는 상기된 이상 상태들이 기판 처리 장치에 발생된 것을 진단할 수 있다. 부가적으로, 이상 진단 장치는 반도체 기판(W)의 휨도 감지할 수 있다. 본 실시예의 이상 진단 장치는 온도 센서(210), 온도 제어부(220), 분석부(230) 및 경보부(240)를 포함할 수 있다.
온도 센서(210)는 척(120)에 부착될 수 있다. 온도 센서(210)는 척(120)의 온도를 측정할 수 있다.
온도 제어부(220)는 온도 센서(210)에 의해 측정된 척(120)의 온도에 따라 구동 변수 인가부(170)를 제어할 수 있다. 즉, 온도 제어부(220)는 척(120)의 측정 온도에 따라 구동 변수 인가부(170)로 제어 신호들을 전송할 수 있다. 예를 들어서, 측정된 척(120)의 온도가 설정된 척(120)의 목표 온도보다 낮으면, 온도 제어부(220)는 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)로 공급되는 구동 변수를 높이기 위한 제어 신호를 구동 변수 인가부(170)에 입력할 수 있다. 반면에, 측정된 척(120)의 온도가 척(120)의 목표 온도보다 높으면, 온도 제어부(220)는 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)으로 공급되는 구동 변수를 낮추기 위한 제어 신호를 구동 변수 인가부(170)에 입력할 수 있다.
분석부(230)는 온도 제어부(220)로부터 구동 변수 인가부(170)로 전송되는 제어 신호를 분석할 수 있다. 분석부(230)는 제어 신호를 기 설정된 기준 제어 신호와 비교할 수 있다. 다른 실시예로서, 분석부(230)는 제어 신호가 기준 제어 신호의 파형과 매칭되는지 여부, 즉 제어 신호의 파형이 기준 제어 신호의 파형으로부터 설정된 허용 범위 이내에 속하는지 여부를 확인할 수도 있다. 기준 신호는 척(120)의 측정 온도가 목표 온도로부터 설정된 허용 범위 이내인 경우, 온도 제어부(220)로부터 구동 변수 인가부(170)로 전송되는 신호일 수 있다.
따라서, 제어 신호가 기준 제어 신호로부터 설정된 허용 범위를 벗어나거나 기준 제어 신호의 파형으로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 파형을 갖는 것으로 확인되면, 분석부(230)는 기판 처리 장치에 이상이 발생된 것으로 진단할 수 있다. 한편, 기판 처리 장치의 점검을 통해서 기판 처리 장치에 이상이 발생되지 않은 것으로 판정되면, 분석부(230)는 반도체 기판(W)이 휘어진 것으로 진단할 수도 있다.
경보부(240)는 분석부(230)의 진단에 의해서 기판 처리 장치에 이상이 발생된 것을 경보할 수 있다. 또는, 경보부(240)는 반도체 기판(W)의 휨을 알리는 경보를 발할 수도 있다.
부가적으로, 경보부(240)는 기판 처리 장치 전체를 제어하는 시스템으로 기판 처리 장치의 이상 및/또는 반도체 기판(W)의 휨을 알릴 수도 있다.
도 5는 도 1에 도시된 장치를 이용해서 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 단계 ST300에서, 온도 센서(210)가 척(120)의 온도를 측정할 수 있다.
단계 ST310에서, 온도 센서(210)에 의해 측정된 척(120)의 온도가 온도 제어부(220)로 전송될 수 있다.
단계 ST320에서, 척(120)의 측정 온도에 따라 온도 제어부(220)는 구동 변수 인가부(170)로 제어 신호들을 입력할 수 있다.
단계 ST330에서, 분석부(230)는 제어 신호들을 분석할 수 있다. 분석부(230)는 제어 신호를 기 설정된 기준 제어 신호와 비교할 수 있다. 분석부(230)는 제어 신호가 기준 제어 신호의 파형으로부터 설정된 허용 범위 내에 속하는 파형을 갖는지 여부를 확인할 수도 있다. 척(120)의 측정 온도가 목표 온도로부터 설정된 허용 범위 이내인 경우, 분석부(230)는 기판 처리 장치에 이상이 발생되지 않은 것으로 진단할 수 있다. 이러한 경우, 제어 신호는 기준 제어 신호로부터 설정된 허용 범위를 벗어나지 않거나 기준 제어 신호의 파형과 매칭되는 파형을 가질 수 있다.
반면에, 척(120)의 측정 온도가 목표 온도로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 경우, 분석부(230)는 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생된 것으로 진단할 수 있다. 이러한 경우, 제어 신호는 기준 제어 신호로부터 설정된 허용 범위를 벗어나거나 기준 제어 신호의 파형으로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 파형을 가질 수 있다.
단계 ST340에서, 경보부(240)가 경보를 발할 수 있다. 경보부(240)는 기판 처리 장치 전체를 제어하는 시스템으로 기판 처리 장치의 이상 및/또는 반도체 기판(W)의 휨을 알릴 수도 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 이상 진단 장치를 나타낸 블럭도이다.
본 실시예의 이상 진단 장치는 측정부, 제 2 분석부 및 저장부를 더 포함한다는 점을 제외하고는 도 1에 도시된 이상 진단 장치의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 6을 참조하면, 측정부(250)는 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)에 인가되는 구동 변수를 측정할 수 있다. 구동 변수가 파워, 전류, 전압 또는 저항을 포함하므로, 측정부(250)는 전류계 및 전압계를 포함할 수 있다.
제 2 분석부(260)는 측정부(250)에 의해 측정된 구동 변수를 분석할 수 있다. 상기된 이상 상태가 기판 처리 장치에 발생되면, 전술한 바와 같이, 온도 제어부(220)로부터 구동 변수 인가부(170)로 입력되는 제어 신호가 기준 제어 신호로부터 설정된 허용 범위를 벗어날 수 있다. 또는, 제어 신호가 기준 제어 신호의 파형으로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 파형을 가질 수도 있다. 이에 따라, 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)으로 인가되는 구동 변수에 큰 변동이 발생될 수 있다.
제 2 분석부(260)는 측정된 구동 변수를 기준 구동 변수와 비교할 수 있다. 또는, 제 2 분석부(260)는 측정된 구동 변수가 기준 구동 변수의 파형으로부터 설정된 허용 범위 내에 속하는 파형을 갖는지를 확인할 수 있다. 기준 구동 변수는 척(120)의 측정 온도가 목표 온도로부터 설정된 허용 범위 이내인 경우, 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)으로 인가되는 구동 변수일 수 있다. 따라서, 제 2 분석부(260)는 측정된 구동 변수가 기준 구동 변수로부터 설정된 허용 범위를 벗어나거나 기준 구동 변수의 파형으로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 파형을 가질 경우, 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생된 것으로 진단할 수 있다.
이와 같이, 제 1 분석부(230)가 온도 제어부(220)로부터 구동 변수 인가부(170)로 전송되는 제어 신호를 근거로 기판 처리 장치의 이상을 1차 진단하는 것에 부가하여, 제 2 분석부(260)가 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)에 실제로 인가되는 구동 변수를 근거로 기판 처리 장치의 이상을 2차 진단할 수 있다.
예를 들어서, 기판 처리 장치에 이상이 발생되었음에도 불구하고, 온도 제어부(220)로부터 구동 변수 인가부(170)로 전송되는 제어 신호를 근거로 제 1 분석부(230)가 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생되지 않은 것으로 진단할 수 있다. 이러한 경우에, 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)에 실제로 인가되는 구동 변수를 근거로 제 2 분석부(260)가 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생되었음을 진단할 수 있다.
특히, 온도 제어부(220)로부터 구동 변수 인가부(170)로 전송되는 제어 신호를 근거로 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 제 1 분석부(230)의 분석 결과보다 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)에 실제로 인가되는 구동 변수를 근거로 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 제 2 분석부(260)의 분석 결과가 더 높은 신뢰도를 가질 수 있다.
제 2 분석부(260)의 분석 결과는 경보부(240)로 전송될 수 있다. 경보부(240)는 제 2 분석부(260)의 진단에 의해서 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생된 것을 경보할 수 있다. 부가적으로, 경보부(240)는 기판 처리 장치 전체를 제어하는 시스템으로 기판 처리 장치의 이상 및/또는 반도체 기판(W)의 휨을 알릴 수도 있다.
한편, 측정부(250)에서 측정된 구동 변수들은 저장부(270)에 저장될 수 있다. 저장부(270)에 저장된 구동 변수들에 관한 데이터들은 데이터베이스화되어, 기판 처리 장치의 구체적 이상 진단에 활용될 수 있다.
도 7은 도 6에 도시된 장치를 이용해서 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 단계 ST400에서, 온도 센서(210)가 척(120)의 온도를 측정할 수 있다.
단계 ST410에서, 온도 센서(210)에 의해 측정된 척(120)의 온도가 온도 제어부(220)로 전송될 수 있다.
단계 ST420에서, 척(120)의 측정 온도에 따라 온도 제어부(220)는 구동 변수 인가부(170)로 제어 신호들을 입력할 수 있다.
단계 ST430에서, 제 1 분석부(230)는 제어 신호들을 분석할 수 있다. 제 1 분석부(230)는 제어 신호를 기 설정된 기준 제어 신호와 비교하거나 제어 신호가 기준 제어 신호의 파형으로부터 설정된 허용 범위 내에 속하는 파형을 갖는지 여부를 확인할 수 있다. 제어 신호가 기준 제어 신호로부터 설정된 허용 범위 이내이거나 기준 제어 신호의 파형과 매칭되는 파형을 가질 경우, 제 1 분석부(230)는 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생되지 않은 것으로 진단할 수 있다.
반면에, 척(120)의 측정 온도가 목표 온도로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 경우, 제 1 분석부(230)는 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생된 것으로 진단할 수 있다.
단계 ST440에서, 경보부(240)가 경보를 발할 수 있다. 경보부(240)는 기판 처리 장치 전체를 제어하는 시스템으로 기판 처리 장치의 이상 및/또는 반도체 기판(W)의 휨을 알릴 수도 있다.
단계 ST450에서, 척(120)의 측정 온도가 목표 온도로부터 설정된 허용 범위 이내인 경우, 측정부(250)가 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)에 인가되는 구동 변수를 측정할 수 있다.
단계 ST460에서, 제 2 분석부(260)가 측정부(250)에 의해 측정된 구동 변수들을 분석할 수 있다. 제 2 분석부(260)는 측정된 구동 변수들을 기 설정된 기준 구동 변수와 비교하거나 측정된 구동 변수가 기준 구동 변수의 파형과 매칭되는 파형을 갖는지를 확인할 수 있다. 측정된 구동 변수들이 기준 구동 변수로부터 설정된 허용 범위 이내이거나 기준 구동 변수의 파형으로부터 설정된 허용 범위 내에 속하는 파형을 가질 경우, 제 2 분석부(260)는 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생되지 않은 것으로 진단할 수 있다.
반면에, 측정된 구동 변수들이 기준 구동 변수부터 설정된 허용 범위를 벗어나거나 기준 구동 변수의 파형으로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 파형을 가질 경우, 제 2 분석부(260)는 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생된 것으로 진단할 수 있다.
단계 ST470에서, 경보부(240)가 경보를 발할 수 있다. 경보부(240)는 기판 처리 장치 전체를 제어하는 시스템으로 기판 처리 장치의 이상 및/또는 반도체 기판(W)의 휨을 알릴 수도 있다.
한편, 단계 ST480에서, 측정부(250)에서 측정된 구동 변수들은 저장부(270)에 저장될 수 있다. 저장부(270)에 저장된 구동 변수들에 관한 데이터들은 데이터베이스화되어, 기판 처리 장치의 구체적 이상 진단에 활용될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 이상 진단 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예의 이상 진단 장치는 온도 센서(210), 온도 제어부(220), 측정부(250), 분석부(260), 경보부(240) 및 저장부(270)를 포함할 수 있다.
본 실시예의 온도 센서(210), 온도 제어부(220) 및 경보부(240)는 도 1에 도시된 온도 센서(210), 온도 제어부(220) 및 경보부(240)의 기능들과 실질적으로 동일한 기능들을 가질 수 있다. 따라서, 온도 센서(210), 온도 제어부(220) 및 경보부(240)에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
또한, 본 실시예의 측정부(250), 분석부(260) 및 저장부(270)는 도 6에 도시된 측정부(250), 제 2 분석부(260) 및 저장부(270)의 기능들과 실질적으로 동일한 기능들을 가질 수 있다. 따라서, 측정부(250), 분석부(260) 및 저장부(270)에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 9는 도 8에 도시된 장치를 이용해서 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 단계 ST500에서, 온도 센서(210)가 척(120)의 온도를 측정할 수 있다.
단계 ST510에서, 온도 센서(210)에 의해 측정된 척(120)의 온도가 온도 제어부(220)로 전송될 수 있다.
단계 ST520에서, 척(120)의 측정 온도에 따라 온도 제어부(220)는 구동 변수 인가부(170)로 제어 신호들을 입력할 수 있다.
단계 ST530에서, 측정부(250)가 구동 변수 인가부(170)로부터 척(120)에 인가되는 구동 변수를 측정할 수 있다.
단계 ST540에서, 분석부(260)가 측정부(250)에 의해 측정된 구동 변수들을 분석할 수 있다. 분석부(260)는 측정된 구동 변수들을 기 설정된 기준 구동 변수와 비교할 수 있다. 측정된 구동 변수들이 기준 구동 변수로부터 설정된 허용 범위 이내거나 기준 구동 변수의 파형으로부터 설정된 허용 범위 내에 속하는 파형을 가질 경우, 분석부(260)는 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생되지 않은 것으로 진단할 수 있다.
반면에, 측정된 구동 변수들이 기준 구동 변수부터 설정된 허용 범위를 벗어나거나 기준 구동 변수의 파형으로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 파형을 가질 경우, 분석부(260)는 기판 처리 장치에 이상 또는 반도체 기판(W)의 휨이 발생된 것으로 진단할 수 있다.
단계 ST550에서, 경보부(240)가 경보를 발할 수 있다. 경보부(240)는 기판 처리 장치 전체를 제어하는 시스템으로 기판 처리 장치의 이상 및/또는 반도체 기판(W)의 휨을 알릴 수도 있다.
단계 ST560에서, 측정부(250)에서 측정된 구동 변수들은 저장부(270)에 저장될 수 있다. 저장부(270)에 저장된 구동 변수들에 관한 데이터들은 데이터베이스화되어, 기판 처리 장치의 구체적 이상 진단에 활용될 수 있다.
본 실시예의 방법 및 장치는 온도 제어부(220)에 의한 척(120)의 즉각적인 온도 보상 동작에 의해 진단되지 않을 수 있는 기판 처리 장치의 미소한 이상을 정확하게 진단할 수 있다. 특히, 기판 처리 장치 내에서 공정이 진행되는 동안에도 기판 처리 장치의 이상 발생을 진단할 수 있다. 그러므로, 이상이 발생된 기판 처리 장치로부터 반도체 장치가 생산되는 것을 방지하여, 반도체 장치의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판 처리 장치의 이상을 즉시 진단할 수가 있게 되어, 기판 처리 장치의 수명을 연장시킬 수도 있다.
한편, 본 실시예들에서는, 척(120)의 측정 온도를 이용한 척(120)의 제어 경로에 본 실시예의 방법 및 장치가 적용됨을 예시적으로 설명하였다. 그러나, 본 실시예의 방법 및 장치는 기판 처리 장치 내에서 센서에 의해 제어되는 다른 구성요소들의 제어 경로들에도 적용될 수도 있다.
상기된 본 실시예들에 따르면, 온도 측정부로부터 구동 변수 인가부로 전송되는 제어 신호 및/또는 구동 변수 인가부로부터 척으로 인가되는 구동 변수를 분석하여, 기판 처리 장치 내의 이상 및/또는 반도체 기판의 휨을 정확하게 진단할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치의 이상 및/또는 반도체 기판의 휨으로 야기되는 반도체 장치의 제조 수율 하락이 방지될 수 있다. 또한, 이상이 발생된 기판 처리 장치에 대한 즉각적인 보수가 가능해질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 ; 챔버 120 ; 척
130 ; 히터 140 ; 리프트 핀
150 ; 상부 전극 160 ; 가스 유입구
170 ; 구동 변수 인가부 210 ; 온도 센서
220 ; 온도 제어부 230 ; 제 1 분석부
240 ; 경보부 250 ; 측정부
260 ; 제 2 분석부 270 ; 저장부

Claims (10)

  1. 기판 처리 장치 내에 배치된 척의 온도를 측정하고;
    상기 측정된 척의 온도를 온도 제어부에서 상기 척의 목표 온도와 비교하고; 그리고
    상기 비교 결과들에 따라 상기 온도 제어부로부터 상기 척으로 구동 변수를 공급하는 구동 변수 인가부로 전송되는 제어 신호들을 분석하여, 상기 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 것을 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 것은 상기 제어 신호들이 기준 제어 신호로부터 설정된 허용 범위를 벗어나는지 여부 및/또는 상기 기준 제어 신호의 파형으로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 파형을 갖는지 여부를 확인하는 것을 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치의 이상이 진단되면, 경보를 발하는 것을 더 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 변수 인가부로부터 상기 척으로 공급되는 상기 구동 변수를 측정하고; 그리고
    상기 측정된 구동 변수를 분석하여 상기 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 것을 더 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 것은 상기 측정된 구동 변수가 기준 구동 변수로부터 설정된 허용 범위를 벗어나는지 여부 및/또는 상기 기준 구동 변수의 파형으로부터 설정된 허용 범위를 벗어난 파형을 갖는지 여부를 확인하는 것을 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 기판 처리 장치의 이상이 진단되면, 경보를 발하는 것을 더 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 방법.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 측정된 구동 변수들을 저장하는 것을 더 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 방법.
  8. 기판 처리 장치 내에 배치된 척의 온도를 측정하는 온도 센서;
    상기 측정된 척의 온도를 상기 척의 목표 온도와 비교하고, 상기 비교 결과들에 따라 상기 척으로 구동 변수를 공급하는 구동 변수 인가부로 제어 신호들을 전송하는 온도 제어부; 및
    상기 제어 신호들을 분석하여, 상기 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 제 1 분석부를 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치의 이상이 진단되면, 경보를 발하는 경보부를 더 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 구동 변수 인가부로부터 상기 척으로 공급되는 상기 구동 변수를 측정하는 측정부;
    상기 측정된 구동 변수를 분석하여 상기 기판 처리 장치의 이상을 진단하는 제 2 분석부를 더 포함하는 기판 처리 장치의 이상 진단 장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200072106A (ko) * 2018-12-12 2020-06-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법
KR20220021554A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 세메스 주식회사 히터 제어 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR20220074089A (ko) * 2020-11-27 2022-06-03 주식회사 에이아이비즈 반도체 소자 제조 공정의 공정 업데이트 및 불량 원인 분석 방법
WO2023239494A1 (en) * 2022-06-07 2023-12-14 Lam Research Corporation Radio frequency system protection based on temperature inference

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6971199B2 (ja) * 2018-05-31 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030033116A1 (en) * 2001-08-07 2003-02-13 Tokyo Electron Limited Of Tbs Broadcast Center Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
KR20110049871A (ko) * 2008-08-20 2011-05-12 가부시키가이샤 알박 정전 척의 사용 한계 판별 방법
KR20110073527A (ko) * 2008-09-19 2011-06-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 자체­진단형 반도체 장비

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6469283B1 (en) 1999-03-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing thermal gradients within a substrate support
JP4121361B2 (ja) 2002-12-04 2008-07-23 住友重機械工業株式会社 チャック温度制御方式
KR20060100028A (ko) 2005-03-16 2006-09-20 삼성전자주식회사 정전척 모니터링 시스템
JP2008047564A (ja) 2006-08-10 2008-02-28 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置、静電チャックの診断方法及び記憶媒体
CN102187447B (zh) 2008-10-20 2013-03-27 创意科技股份有限公司 静电吸盘的检查方法以及静电吸盘装置
JP5401343B2 (ja) 2010-01-28 2014-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 静電チャック用電源回路、及び静電チャック装置
CN105408993A (zh) 2013-08-06 2016-03-16 应用材料公司 局部加热的多区域基板支撑件
KR101585082B1 (ko) 2014-09-24 2016-01-14 한국생산기술연구원 히팅 유닛 및 그 제조방법 및 이를 이용한 온도 제어가 가능한 정전척

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030033116A1 (en) * 2001-08-07 2003-02-13 Tokyo Electron Limited Of Tbs Broadcast Center Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
KR20110049871A (ko) * 2008-08-20 2011-05-12 가부시키가이샤 알박 정전 척의 사용 한계 판별 방법
KR20110073527A (ko) * 2008-09-19 2011-06-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 자체­진단형 반도체 장비

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200072106A (ko) * 2018-12-12 2020-06-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법
KR20220021554A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 세메스 주식회사 히터 제어 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR20220074089A (ko) * 2020-11-27 2022-06-03 주식회사 에이아이비즈 반도체 소자 제조 공정의 공정 업데이트 및 불량 원인 분석 방법
WO2023239494A1 (en) * 2022-06-07 2023-12-14 Lam Research Corporation Radio frequency system protection based on temperature inference

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