CN107615474B - 吸附装置、吸附装置的制造方法、以及真空处理装置 - Google Patents

吸附装置、吸附装置的制造方法、以及真空处理装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有在电介质中具有吸附电极11、12的主体部50、以及被设置在主体部50的吸附侧的表面并且对基板进行吸附的吸附部51。吸附部51具有与基板接触来支承的接触支承部52、以及不与基板接触的非接触部53，在吸附部51中，被构成为接触支承部52的材料的体积电阻率比非接触部53的材料的体积电阻率大。

Description

吸附装置、吸附装置的制造方法、以及真空处理装置
技术领域
本发明涉及在真空中对基板进行吸附保持的吸附装置，特别是涉及对在背面具有绝缘性的膜的基板以及绝缘性的基板进行吸附保持的吸附装置的技术。
背景技术
历来，在溅射装置等中，为了精密地进行基板的温度控制而广泛地使用静电吸附装置。在真空中在玻璃等绝缘性基板上进行成膜等处理的装置中，广泛地使用利用梯度力对绝缘性基板进行吸附保持的吸附装置。此外，在对在背面具有绝缘性的膜的基板进行静电吸附的情况下，采取使吸附电压变高来使吸附力变强等方法。
在这样的吸附装置中，在吸附面上不管吸附电极的图案而全部表面与基板背面接触。此外，未对吸附电极图案与基板背面的接触部的位置关系加以注意。
因此，在吸附电极与基板之间的电阻值或距离产生差，成为不均匀的吸附状态。
此外，在基板与吸附面的接触部分的正下方存在吸附电极的区域中，吸附力相对地变大，基板背面或者吸附装置的表面的材料剥离，成为由灰尘的产生导致的工艺不良的原因。
进而，由吸附面的残留电荷引起的吸附力也为不均匀的状态，在基板输送时基板振动，也产生破损的现象。
进而此外，在吸附面内的残留吸附力的不均匀性对工艺的重复的吸附状态造成影响，特别是产生每个基板的温度控制的偏差，并且，即使进行由例如逆极性的电压施加引起的吸附面的残留吸附力的除去也难以完全地除去残留吸附力，因此，产生利用制造工序的成品率降低等信赖性降低的问题。
针对这样的问题，以往，为了使残留吸附力减少，通过单纯地使吸附面积相对于基板变小或使施加电压变小等那样的使面内吸附力相对地降低来进行。
可是，在这样的方法中，存在使从吸附面对基板的热传递效率降低而不能最大限度发挥吸附装置本来的吸附能力这样的问题。
另一方面，期望抑制由于上述的基板背面或者吸附装置的表面的材料剥离造成的灰尘的产生。
进而，将由于制造工序中的产出时间的缩短等引起的残留吸附力作为起因而产生基板的输送错误或每个基板的成品率降低这样的问题，因此，也期望以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4166379号；
专利文献2：日本特许第3324268号；
专利文献3：日本特许第4342691号。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是为了解决上述现有技术的课题而完成的，其目的在于提供一种抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题而完成的本发明是，一种吸附装置，具有：主体部，在电介质中具有吸附电极；以及吸附部，被设置在所述主体部的吸附侧的表面，对吸附对象物进行吸附，所述吸附部具有与所述吸附对象物接触来支承的接触支承部、以及不与所述吸附对象物接触的非接触部，所述吸附部的接触支承部被设置为在所述主体部的吸附侧的表面上的与所述吸附电极对应的区域以外的区域中不与所述吸附电极重叠，在所述吸附部中，被构成为接触支承部的材料的体积电阻率比所述非接触部的材料的体积电阻率大。
在本发明中，在如下的情况下也是有效的：所述主体部具有：被形成为板状并且在其一个主面的表层部分设置有所述吸附电极的基部、以及被整体地设置在所述基部的吸附电极侧的主面上并且由所述非接触部的材料构成的层状的高电阻器，在该层状的高电阻器的表面设置有所述吸附部的接触支承部。
另一方面，本发明是，一种吸附装置的制造方法，所述吸附装置具有在电介质中具有吸附电极的主体部、以及被设置在所述主体部的吸附侧的表面并且对吸附对象物进行吸附的吸附部，所述吸附部具有与所述吸附对象物接触来支承的接触支承部、以及不与所述吸附对象物接触的非接触部，所述吸附部的接触支承部被设置为在所述主体部的吸附侧的表面上的与所述吸附电极对应的区域以外的区域中不与所述吸附电极重叠，在所述吸附部中，被构成为接触支承部的材料的体积电阻率比所述非接触部的材料的体积电阻率大，在所述方法中，准备被形成为板状并且在其一个主面的表层部分设置有吸附电极的基部以及由所述非接触部的材料构成的层状的高电阻器，并且，具有：在所述基部的吸附电极侧的主面上配置所述层状的高电阻器并且通过烧结所述基部和所述层状的高电阻器来制作在所述基部的吸附电极侧的主面上整体地设置有所述层状的高电阻器的所述主体部的工序；以及在所述主体部的所述层状的高电阻器的表面设置有所述吸附部的接触支承部的工序。
此外，本发明是，一种真空处理装置，具备：真空槽；以及吸附装置，被设置在所述真空槽内，所述吸附装置具有在电介质中具有吸附电极的主体部、以及被设置在所述主体部的吸附侧的表面并且对吸附对象物进行吸附的吸附部，所述吸附部具有与所述吸附对象物接触来支承的接触支承部、以及不与所述吸附对象物接触的非接触部，所述吸附部的接触支承部被设置为在所述主体部的吸附侧的表面上的与所述吸附电极对应的区域以外的区域中不与所述吸附电极重叠，在所述吸附部中，被构成为所述接触支承部的材料的体积电阻率比所述非接触部的材料的体积电阻率大，所述真空处理装置被构成为对由所述吸附装置吸附保持的基板进行规定的处理。
发明效果
在本发明的吸附装置中，在主体部的吸附侧的表面设置的吸附部具有与吸附对象物接触来支承的接触支承部、以及不与吸附对象物接触的非接触部，在吸附部中，被构成为接触支承部的材料的体积电阻率比非接触部的材料的体积电阻率大，因此，能够使接触支承部的吸附力与非接触部同等或者小，由此，能够抑制起因于吸附部与吸附对象物的接触部分处的摩擦等的吸附对象物和吸附装置表面的剥离的产生，其结果是，能够防止灰尘的产生，并且，延长吸附装置自身的寿命。
此外，根据本发明，能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制，因此，能够防止吸附对象物的输送错误并且能够避免成品率的降低。
进而，在本发明中，吸附部的接触支承部被设置为在主体部的吸附侧的表面上的与吸附电极对应的区域以外的区域中不与吸附电极重叠，能够使从吸附电极到吸附部的接触支承部的表面（顶部）的距离比从吸附电极到吸附部的非接触部的表面的距离大，因此，能够使吸附电极与接触支承部之间的电阻值变大，由此，能够将Johnsen-Rahbeck力的大小控制为期望的值。
其结果是，根据本发明，能够容易地调整吸附部的接触支承部和非接触部的吸附力的大小，能够提供通用性更广的吸附装置。
在本发明中，在主体部具有被形成为板状并且在其一个主面的表层部分设置有吸附电极的基部、以及被整体地设置在基部的吸附电极侧的主面上并且由非接触部的材料构成的层状的高电阻器并且在该层状的高电阻器的表面设置有吸附部的接触支承部的情况下，作为基部的材料而能够使用各种陶瓷材料，并且能够通过选择向陶瓷材料的添加剂来控制电阻率，并且通过整体烧结来能够制作对于刚性、耐磨耗性、热冲击强的基部，因此，能够提供通用性更广的吸附装置。
在该情况下，只要在基部的吸附电极侧的主面上配置上述的层状的高电阻器，通过将这些基部和层状的高电阻器烧结来制作在基部的吸附电极侧的主面上整体地设置有层状的高电阻器的主体部，则能够容易地制造上述的吸附装置。
进而此外，根据具有真空槽以及被设置在真空槽内的上述任一个吸附装置并且被构成为对由吸附装置吸附保持的吸附对象物进行规定的处理的真空处理装置，能够提供能够进行高品位的真空处理的真空处理装置。
附图说明
图1是作为本发明的真空处理装置的一个实施方式的溅射装置的概略结构图。
图2（a）：示出整个表面吸附型的吸附装置的剖面的概略结构图，（b）：示出基板吸附的原理的等效电路图。
图3（a）（b）：示意性地示出本发明的吸附装置的结构例，图3（a）是剖面结构图，图3（b）是平面结构图。
图4是示意性地示出本发明的吸附装置的另一结构例的剖面结构图。
图5（a）~（d）：示出图4所示的吸附装置的制造方法的例子的工序图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施方式。
再有，本发明能够在双极型、单极型哪一个的吸附装置中都应用。
图1是作为本发明的真空处理装置的一个实施方式的溅射装置的概略结构图。
在图1中，附图标记2表示本实施方式的溅射装置1的真空槽，该真空槽2被构成为连接于未图示的真空排气系统来导入溅射气体。
在真空槽2内的上部配置有作为成膜源的靶3。
该靶3连接于溅射电源4，被施加负的偏置电压。再有，溅射电源4的正侧与真空槽2一起被接地。
在真空槽2内设置有用于对基板（吸附对象物）10进行吸附保持的吸附装置5。该吸附装置5为双极型的装置，被构成为：在由电介质构成的主体部50内设置有一对吸附电极11、12，向这些吸附电极11、12从设置在真空槽2的外侧的吸附电源20经由电流导入端子13、14分别供给电力。
再有，在各电流导入端子13、14与吸附电源20之间连接有能够对微小的电流进行测定的电流计21、22。
另一方面，在真空槽2的底部设置有用于使基板10载置在吸附装置5上或从吸附装置5脱离的升降机构15。
此外，在真空槽2的外部设置有用于对装置整体进行控制的计算机23，该计算机23连接于对上述的升降机构15进行驱动的驱动部16、电流计21、22、吸附电源20以及溅射电源4。
再有，该计算机23具备A/D变换板（board）等，此外例如连接于笔式记录器（penrecorder）等用于记录电流的单元（未图示）。
以下，对本发明的原理进行说明。
图2（a）是示出整个表面吸附型的吸附装置的剖面的概略结构图。
如图2（a）所示，从吸附电源120对设置在由电介质构成的吸附装置105内的吸附电极111在与基板110之间施加规定的电压，由此，在吸附装置105的吸附面150和基板110的背面110a产生逆极性的电荷，其结果是，吸附装置105的吸附面150和基板110被库伦力限制，基板110被保持在吸附面150上。
在此，在图2（b）中示出示出基板吸附的原理的等效电路图。
为了计算吸附力F，首先，对库伦力Fc进行考虑。在该情况下，当假设吸附装置105的电介质层的介电常数ε、施加电压V、电介质层的距离d、基板110和吸附装置105的带电部分的面积S时，下式成立。
Fc=1/2・ε・S（V/d）2。
在实际的吸附装置中，对将电介质作为电容的库伦力Fc以及由于在基板与吸附电极间的微少区域中流动微小的电流而产生的Johnsen-Rahbeck（约翰生-拉别克）力Fjr进行累计。其结果是，在吸附装置与基板间工作的吸附力F由下式表示。
F=Fc＋Fjr。
通常，已知Johnsen-Rahbeck力与库伦力相比相对更大。
此外，也已知：库伦力和Johnsen-Rahbeck力依赖于电介质的体积电阻率，在低电阻率（1×1012Ω・cm以下）的范围内Johnsen-Rahbeck力为支配性的，在高电阻率（1×1013Ω・cm以上）的范围内库伦力为支配性的。
因此，理解由于电介质的体积电阻率而在基板与吸附装置间的吸附力产生差。
本发明是基于这样的见解而完成的。
图3（a）（b）是示意性地示出本发明的吸附装置的结构例的图，图3（a）是剖面结构图，图3（b）是平面结构图。
如图3（a）所示，本结构例的吸附装置5是双极型的装置，被构成为在后述的由电介质构成的例如矩形板状的主体部50的内部作为上述的吸附电极11、12而设置有第一吸附电极11a、11b、第二吸附电极12a、12b。
在此，第一和第二吸附电极11a、11b和12a、12b分别连接于极性不同的吸附电源20A、20B。
如图3（b）所示，在本结构例的情况下，第一和第二吸附电极11a、11b和12a、12b分别被形成为长方形形状，被配置为隔开规定的间隔排列。
再有，第一和第二吸附电极11a、11b和12a、12b的配置为示意性地示出的配置，通常被配置为极性不同的电极交替。
另一方面，在主体部50的吸附侧的表面设置有对基板10进行吸附的吸附部51。
本结构例的吸附部51具有与基板10的背面接触来支承的接触支承部52、以及不与基板10的背面接触的非接触部53。
接触支承部52由被设置于主体部50的缘部且被形成为例如与主体部50的外径同等的矩形框状的框部52a、以及在框部52a的内侧整体地呈直线状地形成的直线部52b构成。
在此，框部52a被形成为以固定的高度突出，以使其高度相对于后述的非接触部53高。
此外，直线部52b被设置有多个，被配置为隔开规定的间隔例如平行地排列。
再有，直线部52b被设置为成为与框部52a同等的固定的高度。
另一方面，本结构例的非接触部53被设置为在接触支承部52的框部52a与直线部52b之间露出主体部50的表面，被形成为平面状，再有，各非接触部53被设置为成为同等的高度。
在本发明的情况下，并不被特别限定，但是，从通过使接触支承部52中的电阻值变大而将Johnsen-Rahbeck力的大小控制为期望的值的观点出发，优选的是，将接触支承部52设置于主体部50的吸附侧的表面上的与吸附电极11、12对应的区域以外的区域即吸附电极11、12的正上方的区域以外的区域。
在本结构例中，接触支承部52的框部52a在主体部50的吸附侧的表面被设置在吸附电极11、12的正上方的区域的周围。
此外，接触支承部52的直线部52b在主体部50的吸附侧的表面被设置在相邻的吸附电极11、12的正上方的区域之间。
再有，如图3（a）（b）所示，本结构例的接触支承部52的框部52a和直线部52b被设置于主体部50的吸附侧的表面上的吸附电极11、12的正上方的区域以外的区域，但是，只要能够确保本发明的效果，则关于接触支承部52的框部52a和直线部52b，也能够构成为位于与主体部50的吸附侧的表面上的吸附电极11、12的正上方的区域部分重叠。
在本发明中，在吸附部51中，被构成为接触支承部52的材料的体积电阻率比非接触部53的材料的体积电阻率大。
在本结构例的情况下，吸附部51的非接触部53由与吸附装置5的主体部50相同的材料构成，但是，也能够如后述那样由与吸附装置5的主体部50不同的材料构成。
在本发明的情况下，作为吸附部51的非接触部53的材料，从使与基板10之间的热传递效率提高的观点出发，优选的是，使用利用添加物的掺杂使体积电阻率降低后的材料。
作为这样的材料，例如可举出：掺杂C、Ti、Cr、Fe、Ta、TiN、TiO2等后的氧化铝（Al2O3体积电阻率：1×107~1×1012Ω·cm）、掺杂CxHy类的物质后的热分解氮化硼（PBN 体积电阻率：1×108~1×1012Ω·cm）、掺杂Ga、In、Al、TiN、TiO2等后的氮化硅（SiN 体积电阻率：1×108~1×1012Ω·cm）、掺杂Ti、TiN、TiO2、Ta等后的氮化铝（AlN 体积电阻率：1×102~1×1015Ω·cm）、掺杂Ta、Ti、TiN、TiO2等后的二氧化硅（SiO2 体积电阻率：1×105~1×108Ω·cm）、掺杂Ta、Ti、TiN、TiO2等后的赛隆（SiAlON 体积电阻率：1×1014Ω·cm以下）等。
另一方面，作为吸附部51的接触支承部52的材料，优选的是，使用与非接触部53同种类并且不掺杂添加物的材料。
作为这样的材料，当与上述的非接触部53的材料对应地记载时，可举出：氧化铝（Al2O3 体积电阻率：1×1014~1×1015Ω·cm）、热分解氮化硼（PBN 体积电阻率：1×1014~1×1015Ω·cm）、氮化硅（SiN 体积电阻率：1×1014~1×1015Ω·cm）、氮化铝（AlN 体积电阻率：比1×1015Ω·cm大）、一氧化硅（SiO 体积电阻率：比1×1019Ω·cm大）、赛隆（SiAlON 体积电阻率：比1×1014Ω·cm大）等。
本发明的吸附装置5的主体部50能够由通常的陶瓷的制造工序（压缩、烧结等）制作。
此外，能够通过由例如PVD、CVD、蒸镀等成膜工艺形成规定图案来制作在主体部50上形成的接触支承部52。
再有，作为吸附部51的接触支承部52的材料，除了上述的材料之外还能够使用以下那样的材料。
例如，作为氮化物，也能够使用氮化钽（TaN）、氮化钨（WN）、氮化镓（GaN）、氮化硼（BN）、氮化铟（InN）等。
作为氧化物，也能够使用二氧化硅（SiO2）、氧化铬（Cr2O3）、氧化钛（TiO2）、一氧化钛（TiO）、氧化锌（ZnO）、氧化钇（Y2O3）等。
作为碳化物，也能够使用金刚石（diamond）、聚脲（PU）、碳化钛（TiC）、碳化钽（TaC）、碳化硅（SiC）等。
作为高分子聚合物，也能够使用聚酰亚胺（polyimide）（PI）、聚脲（PU）、硅酮橡胶（silicone rubber）等。
这些材料之中的氧化物、碳化物能够通过上述的成膜工艺制作吸附部51的接触支承部52。
另一方面，关于作为高分子聚合物的聚脲（PU）、聚酰亚胺（PI），能够通过公知的蒸镀聚合法制作吸附部51的接触支承部52。
此外，关于硅酮橡胶，能够通过粘合成型加工后的片材来制作吸附部51的接触支承部52。
如以上叙述那样，根据本结构例的吸附装置5，在主体部50的吸附侧的表面设置的吸附部51具有与基板10接触来支承的接触支承部52、以及不与基板10接触的非接触部53，在吸附部51中，被构成为接触支承部52的材料的体积电阻率比非接触部53的材料的体积电阻率大，因此，能够使接触支承部52的吸附力比非接触部53小，由此，能够抑制起因于吸附部51与基板10接触部分处的摩擦等的基板10和吸附装置5表面的剥离的产生，其结果是，能够提供防止灰尘（dust）的产生并且与现有技术相比寿命长的吸附装置5。
此外，根据本结构例，能够以使吸附装置5的吸附力均匀的方式进行控制，因此，能够防止基板10的输送错误，并且，能够避免成品率的降低。
特别地，在本结构例中，吸附部51的接触支承部52被设置于主体部50的吸附侧的表面上的与吸附电极11、12对应的区域以外的区域，能够使从吸附电极11、12到吸附部51的接触支承部52的表面（顶部）的距离比从吸附电极11、12到吸附部51的非接触部53的表面的距离大，因此，能够使接触支承部52中的电阻值变大，由此，能够将Johnsen-Rahbeck力的大小控制为期望的值。
其结果是，根据本实施方式，能够容易地调整吸附部51的接触支承部52和非接触部53的吸附力的大小，能够提供通用性更广的吸附装置5。
图4是示意性地示出本发明的吸附装置的另一结构例的剖面结构图。以下，对与上述结构例对应的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
如图4所示，在本结构例的吸附装置5A中，上述的吸附装置5的主体部50由其基部50A以及在基部50A的吸附侧的表面设置的层状的高电阻器（以下，称为“高电阻器层”。）50B构成。
在此，主体部50的基部50A被形成为例如矩形板状并且在其一个主面的表层部分设置有上述的吸附电极11、12。
关于该基部50A，能够使用用于通常的吸附装置的各种陶瓷材料。
另一方面，在基部50A的吸附电极11、12侧的主面上整体地设置有由上述的非接触部53的材料构成的高电阻器层50B。
即，作为高电阻器层50B的材料，能够使用氧化铝（Al2O3）、热分解氮化硼（PBN）、氮化硅（SiN）、氮化铝（AlN）、一氧化硅（SiO）、赛隆（SiAlON）等。
该高电阻器层50B整个表面设置在基部50A的吸附电极11、12侧的主面（表面）上，由此被构成为覆盖吸附电极11、12。
进而，在主体部50的高电阻器层50B上如上述那样设置有由框部52a和直线部52b构成的接触支承部52，由此，被设置为在接触支承部52的框部52a和直线部52b之间露出的高电阻器层50B的平面部分为非接触部53。
作为本结构例的高电阻器层50B的材料，优选的是，使用利用上述的添加物的掺杂使体积电阻率降低后的材料。
图5（a）~（d）是示出图4所示的吸附装置的制造方法的例子的工序图。
如图5（a）所示，首先，准备由主体部50的基部50A的结构材料构成且在其一个主面的表层部分设置有吸附电极11、12的基部形成体50a以及由主体部50的高电阻器层50B的结构材料构成的高电阻器层形成体50b。
这些基部形成体50a和高电阻器层形成体50b为通过冲压成形等公知的方法将主体部50的基部50A和高电阻器层50B的结构材料形成为例如矩形板形状后的形成体。
接着，如图5（b）所示，在上述基部形成体50a上配置上述高电阻器层形成体50b，将这些基部形成体50a和高电阻器层形成体50b配置在未图示的烧结炉内以规定的温度加热来使它们烧结（烧结工序）。
由此，如图5（c）所示，得到在基部50A的吸附电极11、12侧的主面上整体地设置有高电阻器层50B后的主体部50。
之后，通过上述的成膜工艺或蒸镀聚合法来制作高电阻器层50B上的接触支承部52。
由此，如图5（d）所示，能够得到具有吸附部51的接触支承部52和非接触部53的主体部50。
在本结构例中，主体部50具有被形成为板状且在其一个主面的表层部分设置有吸附电极11、12的基部50A、以及在基部50A的吸附电极11、12侧的主面上整体地设置且由非接触部53的材料构成的高电阻器层50B，在该层状的高电阻器的表面设置有吸附部的接触支承部52，因此，能够针对基部50A的制作而采用各种方法，作为基部50A的材料，以之前举出的高分子聚合物或化学合成品为首而能够使用各种陶瓷材料，因此，能够提供通用性更广的吸附装置5A。
此外，在本结构例中，在基部50A的吸附电极11、12侧的主面上配置高电阻器层50B，通过烧结来制作该主体部50，因此，能够容易地制造上述的吸附装置5A。
再有，本发明并不限于上述的实施方式，能够进行各种变更。
例如，上述实施方式所记载的吸附电极11、12、接触支承部52、非接触部53的形状为一个例子，只要不超过本发明的范围，则能够进行各种变更。
进而，本发明不仅能够应用于溅射装置而且能够应用于例如蒸镀装置或蚀刻装置等各种真空处理装置。
附图标记的说明
1…溅射装置（真空处理装置）
2…真空槽
3…靶
4…溅射电源
5…吸附装置
10…基板（吸附对象物）
11、11a、11b、12、12a、12b…吸附电极
20…吸附电源
50…主体部
51…吸附部
52…接触支承部
53…非接触部。

Claims (4)

1.一种吸附装置，其中，具有：
主体部，在电介质中具有吸附电极；以及
吸附部，被设置在所述主体部的吸附侧的表面，对吸附对象物进行吸附，
所述吸附部具有与所述吸附对象物接触来支承的接触支承部、以及不与所述吸附对象物接触的非接触部，
所述吸附部的接触支承部被设置为在所述主体部的吸附侧的表面上的与所述吸附电极对应的区域以外的区域中不与所述吸附电极重叠，使从所述吸附电极到所述吸附部的所述接触支承部的表面的距离比从所述吸附电极到所述吸附部的所述非接触部的表面的距离大且使所述吸附电极与所述接触支承部之间的电阻值变大，
在所述吸附部中，被构成为所述接触支承部的材料的体积电阻率比所述非接触部的材料的体积电阻率大，使所述接触支承部的吸附力比所述非接触部的吸附力小。
2.根据权利要求1所述的吸附装置，其中，
所述主体部具有：被形成为板状并且在其一个主面的表层部分设置有所述吸附电极的基部、以及被整体地设置在所述基部的吸附电极侧的主面上并且由所述非接触部的材料构成的层，
在该层的表面设置有所述吸附部的接触支承部。
3.一种吸附装置的制造方法，所述吸附装置具有在电介质中具有吸附电极的主体部、以及被设置在所述主体部的吸附侧的表面并且对吸附对象物进行吸附的吸附部，所述吸附部具有与所述吸附对象物接触来支承的接触支承部、以及不与所述吸附对象物接触的非接触部，所述吸附部的接触支承部被设置为在所述主体部的吸附侧的表面上的与所述吸附电极对应的区域以外的区域中不与所述吸附电极重叠，使从所述吸附电极到所述吸附部的所述接触支承部的表面的距离比从所述吸附电极到所述吸附部的所述非接触部的表面的距离大且使所述吸附电极与所述接触支承部之间的电阻值变大，在所述吸附部中，被构成为接触支承部的材料的体积电阻率比所述非接触部的材料的体积电阻率大，使所述接触支承部的吸附力比所述非接触部的吸附力小，其中，
在所述方法中，准备被形成为板状并且在其一个主面的表层部分设置有吸附电极的基部以及由所述非接触部的材料构成的层，
并且，具有：
在所述基部的吸附电极侧的主面上配置所述层并且通过烧结所述基部和所述层来制作在所述基部的吸附电极侧的主面上整体地设置有所述层的所述主体部的工序；以及
在所述主体部的所述层的表面设置有所述吸附部的接触支承部的工序。
4.一种真空处理装置，其中，具备：
真空槽；以及
吸附装置，被设置在所述真空槽内，
所述吸附装置具有在电介质中具有吸附电极的主体部、以及被设置在所述主体部的吸附侧的表面并且对吸附对象物进行吸附的吸附部，所述吸附部具有与所述吸附对象物接触来支承的接触支承部、以及不与所述吸附对象物接触的非接触部，所述吸附部的接触支承部被设置为在所述主体部的吸附侧的表面上的与所述吸附电极对应的区域以外的区域中不与所述吸附电极重叠，使从所述吸附电极到所述吸附部的所述接触支承部的表面的距离比从所述吸附电极到所述吸附部的所述非接触部的表面的距离大且使所述吸附电极与所述接触支承部之间的电阻值变大，在所述吸附部中，被构成为所述接触支承部的材料的体积电阻率比所述非接触部的材料的体积电阻率大，使所述接触支承部的吸附力比所述非接触部的吸附力小，
所述真空处理装置被构成为对由所述吸附装置吸附保持的基板进行规定的处理。
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