JP5939808B2 - 基板吸着状態の判定方法 - Google Patents
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Description
図1(a)は第一実施形態に係るプラズマ処理装置100と、それに付設される、基板が載置される支持体の温度を測定する手段(温度測定手段)104と、基板が載置される支持体の温度を制御する手段(温度制御手段)105との概略構成を示す図である。プラズマ処理装置100は、プラズマ処理槽101と、処理槽内部の底面に配された、被処理基板102の支持体103と、上部電極109および下部電極をなす支持体103で構成されるプラズマを発生させる手段と、処理槽の外側に配され、プラズマの分布を制御する磁場発生手段Mと、を備える。
103・・・支持体、104・・・温度測定手段、105・・・温度制御手段、
107・・・シリコーンラバープレート、107s・・・一面、第一温度・・・T1、
第二温度・・・T2、P・・・プラズマ雰囲気。
Claims (4)
- プラズマを用いた処理槽と、
前記処理槽内に配され、基板を一面に接して載置する支持体と、
前記支持体に付属し、前記一面近傍の温度を測定する手段と、
前記支持体に付属し、前記一面近傍の温度を制御する手段と、
前記基板の近傍にプラズマを発生させる手段と、を備えてなるプラズマ処理装置を用い、
プラズマを発生させる前に、前記温度を測定する手段によって、前記一面近傍の第一温度T1を測定し、
プラズマを発生させた後に、前記温度を測定する手段によって、前記一面近傍の第二温度T2を測定し、
前記第一温度と前記第二温度の差分を求め、(T2−T1)>0となる場合に、前記支持体に対する前記基板の吸着状態を正常と判定する基板吸着状態の判定方法であって、
前記温度を制御する手段が冷媒を循環させるシステムである、ことを特徴とする基板吸着状態の判定方法。 - 前記支持体に対する前記基板の吸着状態を一枚単位で判定する、ことを特徴とする請求項1に記載の基板吸着状態の判定方法。
- 前記支持体の一面のうち、基板と接触する部位がシリコーンラバープレートからなり、前記シリコーンラバープレートに重なるように前記基板が配される、ことを特徴とする請求項1または2に記載の基板吸着状態の判定方法。
- 前記温度を測定する手段が熱電対を含むシステムである、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板吸着状態の判定方法。
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