JP2014017323A - 計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法 - Google Patents

計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板処理装置における被処理基板の処理状態に影響を及ぼす因子または基板の搬送動作に関わる因子の計測を行うにあたり、計測に要する費用を低減させることのできる技術を提供すること。
【解決手段】被測定因子を計測するためのセンサ部を有する第１の基板と、この第１の基板の下に着脱自在に積層され、前記センサ部にて計測して得られた計測信号を処理する信号処理部と、前記センサ部に給電するための電源部と、前記信号処理部にて処理されて得られた計測データを記憶するメモリ及び前記計測データを無線で送信するための通信部の少なくとも一方と、を含む第２の基板と、を備えるように計測用基板を構成する。そして、前記第２の基板は、前記センサ部の被測定因子が互いに異なる複数種別の第１の基板に対して共通化させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、被処理基板に対して処理を行う基板処理装置内にて計測を行うための計測用基板の技術分野に関する。
半導体製造工程においては、基板を複数の処理モジュール内に順次搬入して一連の処理が行われる。処理モジュールとしては例えば基板に薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布モジュール、基板に形成された塗布膜を加熱処理する加熱モジュールなどが挙げられる。より具体的な例としては、レジスト液を塗布するモジュール、レジスト膜を加熱するモジュール、露光後のレジスト膜を加熱するモジュール、現像液をレジスト膜に供給するモジュールなどが挙げられるが、薬液により絶縁膜を基板に成膜する処理においても同様なモジュールが用いられる。
これらの処理モジュールにて被処理基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）の処理を行うためには、事前に処理モジュール内の処理を左右する因子について事前に調整しておくことが必要である。例えば塗布モジュールでは、スピンコーティング時にウエハから振り切られたミストがウエハに再付着しないようにダウンフローが形成されており、また加熱モジュールでは、塗布膜からの昇華物が基板に再付着しないように処理雰囲気にパージガスが供給されている。処理モジュール内における気流の状態（風向、風速）が乱れるとウエハの面内の温度にバラツキが生じて処理の面内均一性の低下の一因になるし、また同種の処理モジュール間で気流の状態が異なると、ウエハ間における処理のばらつきの一因となる。
このため処理モジュール内の気流の状態をコンピュータシミュレーションにより調べて、その結果に基づいて調整作業が行われているが、より高精度に気流の状態を把握することが要求されている。更にまた処理モジュール内に限られず、基板の搬送経路における気流の状態についても、搬送中の基板に対するパーティクル汚染に影響を与えることから、把握することが重要である。
こうした要求に応じて気流センサの開発を検討しているが、計測基板としては作業効率を図るためにコードレス（ワイヤレス）として構成することが得策である。しかしワイヤレスの基板は、センサ部に加えて、給電回路(電源部)、アナログ回路、制御回路を含む信号処理回路、通信回路あるいはメモリなどを配線基板に実装しなければならないため、有線式の基板に比べてコストが高くなる。
一方、製品ウエハに対して処理を行う前には、気流の状態の他に加熱モジュール内の加熱プレートの温度分布や、処理モジュール内の載置部に受け渡す時の受け渡しの位置を事前に把握することも要求される。特許文献１には、温度センサを備えたワイヤレスウエハにより加熱モジュール内の温度を計測してメモリ内に蓄積し、当該ウエハを専用のキャリアに戻して計測データをメモリから読み出すことが記載されている。また特許文献２には、加速度センサを備えたワイヤレスウエハを基板搬送機構により塗布モジュール内のスピンチャックに受け渡し、ウエハを回転させたときの加速度センサの計測信号に基づいて回転中心とウエハの中心との位置ずれ量を把握することが記載されている。このように計測用基板をワイヤレス基板として用いることにより高い作業効率で計測作業を行えるが、ワイヤレス基板は既述のように高価であり、また計測対象（被計測因子）の種別が多いことから、トータルの運転コストの高騰の一因になる。
特開２００６−８０４８９号公報 特開２００８−１０９０２７号公報
本発明はこのような事情の下になされたものであり、基板処理装置における被処理基板の処理状態に影響を及ぼす因子または基板の搬送動作に関わる因子の計測を行うにあたり、計測に要する費用を低減させることのできる技術を提供することにある。
本発明の計測用基板は、基板搬送機構により被処理基板が処理モジュール内に搬入され、処理が行われる基板処理装置に用いられ、被処理基板の処理状態に影響を及ぼす因子または基板の搬送動作に関わる因子の計測を行うための計測用基板において、
被測定因子を計測するためのセンサ部を有する第１の基板と、
この第１の基板の下に着脱自在に積層され、前記センサ部にて計測して得られた計測信号を処理する信号処理部と、前記センサ部に給電するための電源部と、前記信号処理部にて処理されて得られた計測データを記憶するメモリ及び前記計測データを無線で送信するための通信部の少なくとも一方と、を含む第２の基板と、を備え、
前記第２の基板は、前記センサ部の被測定因子が互いに異なる複数種別の第１の基板に対して共通化されていることを特徴とする。
他の発明は、基板搬送機構により被処理基板が処理モジュール内に搬入され、処理が行われる基板処理装置において、
被処理基板の処理状態に影響を及ぼす因子または基板の搬送動作に関わる因子の計測を行うためのセンサ部を有し、センサ部の被測定因子が互いに異なる複数種別の第１の基板と、この第１の基板の下に着脱自在に積層され、複数種別の第１の基板に対して共通化されている第２の基板と、を保管する保管部と、
前記第１の基板を第２の基板に着脱するための着脱機構と、を備え、
前記第２の基板は、前記センサ部にて計測して得られた計測信号を処理する信号処理部と、前記センサ部に給電するための電源部と、前記信号処理部にて処理されて得られた計測データを記憶するメモリ及び前記計測データを無線で送信するための通信部の少なくとも一方と、を含み、
前記着脱機構により前記第１の基板に第２の基板を装着して構成された計測用基板は、前記基板搬送機構に受け渡されることを特徴とする。
更に他の発明は、基板搬送機構により被処理基板が処理モジュール内に搬入され、処理が行われる基板処理装置に対して、基板処理を行う前に計測用基板を用いて計測を行なう運転方法において、
被処理基板の処理状態に影響を及ぼす因子または基板の搬送動作に関わる因子の計測を行うためのセンサ部を有する第１の基板の下方側に、前記センサ部にて計測して得られた計測信号を処理する信号処理部と、前記センサ部に給電するための電源部と、前記信号処理部にて処理されて得られた計測データを記憶するメモリ及び前記計測データを無線で送信するための通信部の少なくとも一方と、を含む第２の基板を積層して計測用基板を形成する工程と、
前記計測用基板を前記基板搬送機構に受け渡して計測を行う工程と、
しかる後、前記第１の基板を第２の基板から取り外し、被計測因子が当該第１の基板のセンサ部の被計測因子とは異なるセンサ部を有する別の種別の第１の基板を当該第２の基板に装着して計測用基板を形成する工程と、
その後、前記計測用基板を前記基板搬送機構に受け渡して計測を行う工程と、を含むことを特徴とする。
本発明は、計測用の基板を、被測定因子を計測するためのセンサ部を有する第１の基板と、前記センサ部にて計測して得られた計測信号を処理する信号処理部や電源部を含み、第１の基板に対して着脱自在な第２の基板と、により構成すると共に、第２の基板を複数種別の第１の基板に対して共通化している。このため、各種別ごとにワイヤレスの計測用基板を構成することに比べて、費用の低減が図れる。
また他の発明は、第１の基板と第２の基板とを保管部に保管し、計測用の基板における一の種別の第１の基板を他の種別の第２の基板に着脱機構により交換するようにしているため、作業効率がよい。
本発明の実施の形態に係る計測用ウエハの斜視図である。 前記計測用ウエハの概略構成図である。 気流の計測用ウエハの分解斜視図である。 前記計測用ウエハの縦断側面図である。 前記計測用ウエハの周縁部の縦断側面図である。 前記計測用ウエハの周縁部の縦断側面図である。 前記計測用ウエハを構成する上部側ウエハの平面図である。 前記計測用ウエハを構成するセンサ対の斜視図である。 前記センサ対を構成するセンサの概略側面図である。 前記センサ対を構成するセンサの概略側面図である。 前記上部側ウエハと前記計測用ウエハを構成する下部側ウエハとにより構成される回路図である。 前記上部側ウエハと前記計測用ウエハを構成する下部側ウエハとにより構成される回路図である。 前記センサ対による測定原理を示す説明図である。 他の計測用ウエハを構成する加速度センサの斜視図である。 前記計測用ウエハによる測定方法を示す説明図である。 前記計測用ウエハによる他の測定方法を示す説明図である。 前記計測用ウエハによる他の測定方法を示す説明図である。 前記計測用ウエハが用いられる塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられる格納モジュールの縦断正面図である。 前記格納モジュールの横断平面図である。 前記塗布、現像装置に設けられる着脱モジュールの縦断正面図である。 前記着脱モジュールの各部の斜視図である。 前記塗布、現像装置に設けられる制御部の概略図である。 前記制御部に設けられるメモリの模式図である。 前記メモリの模式図である。 気流の測定結果の表示例を示す説明図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの合体工程を示す工程図である。 加熱モジュールの縦断側面図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記着脱モジュールによる上部側ウエハと下部側ウエハとの分離工程を示す工程図である。 前記加熱モジュールの平面図である。 他の計測用ウエハの概略構成図である。 前記計測用ウエハを格納する格納モジュールの部分断面図である。 前記計測用ウエハの他の着脱機構の斜視図である。 他の気流測定用ウエハを示す縦断側面図である。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態の計測用ウエハ１Ａ、１Ｂ、１Ｃについて、その斜視図である図１と、概略回路図である図２とを参照しながら説明する。これら計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃは、基板処理装置である塗布、現像装置６内を当該装置６により処理されるウエハＷと同様に搬送される。より詳しくは、塗布、現像装置６にはウエハＷが載置される多数のモジュールが設けられ、そのモジュール間をウエハＷが搬送機構により搬送されるが、計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃはこのモジュール間を搬送される。そして、各種の測定データを無線で、塗布、現像装置６に設けられる制御部７に送信する。
前記計測用ウエハ１Ａは、前記各モジュールの載置部に載置されたウエハＷ表面の気流の風向及び風速を検出する役割を有する。計測用ウエハ１Ｂは、スピンコーティングによりウエハＷに成膜を行うモジュールのスピンチャックの位置を検出する役割を有する。より詳しくは、前記スピンチャックはウエハＷの裏面を保持ながら回転し、この回転するウエハＷに薬液ノズルから薬液が供給されてスピンコーティングが行われるが、当該スピンチャックの回転中心位置を検出する。なお、スピンコーティング後に回転するウエハＷの周縁部に溶剤を供給して膜を除去する際に、ウエハＷの中心が回転中心位置とずれてスピンチャックに載置されると、膜の除去幅がウエハＷの周方向に変動してしまう。それを防ぐためにこのように回転中心の検出を行う。また、計測用ウエハ１Ｂは、ウエハＷの搬送を適切に行うために、モジュールとウエハＷの搬送機構との受け渡しの高さ位置を検出する役割も有する。
前記計測用ウエハ１Ｃは、加熱モジュールの熱板に載置されたウエハＷの温度分布を計測する役割を有する。計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃを用いて計測される気流、回転中心及び温度は、ウエハＷの処理に影響を及ぼす因子であり、計測用ウエハ１Ｂを用いて計測される受け渡し高さ位置は、ウエハＷの搬送動作に関わる因子である。
これら計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃは、前記ウエハＷよりも若干厚みが大きい他はウエハＷと略同様の円形状に構成されている。これら計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃは、各々固有の上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと、これら計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃに共用され、上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃの下方に積層される下部側ウエハ１１とにより構成される。上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと、下部側ウエハ１１とは互いに着脱自在に構成されている。つまり、下部側ウエハ１１に上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃを測定種別に応じて付け替えることができる。上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃは、上記の各測定を行うためのセンサを夫々含んでいる。下部側ウエハ１１は、これらセンサに電力を供給すると共に、センサから伝達された検出データを前記制御部７に無線送信する役割を有する。
下部側ウエハ１１について説明すると、下部側ウエハ１１は円形に構成され、その中央部には、上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃの結合用の凹部１２が形成されている。凹部１２は下方に向けて縮径された円形に構成され、その側周面にはネジが切られている。この凹部１２の開口縁に沿って、多数の電極１３が間隔をおいて環状に配列されている。各上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃが下部側ウエハ１１に装着されたときに、上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃの各センサは互いに異なる電極１３に接続される。つまり、使用される上部側ウエハごと、さらに１つの上部側ウエハのセンサごとに異なる電極１３が使用される。図２において、前記センサからの出力信号の下部側ウエハ１１への伝達用の電極及びセンサへの電力供給用の電極をまとめて１つの電極１３として示している。なお、この電極１３に対応する後述の電極２４についてもそのように複数の電極を１つの電極として示している。また図示の便宜上、図１などでは電極１３の数を実際の数よりも少なく示している。
電極１３の外側において、平面視左右方向に部品格納用凹部１４、１４が形成されている。これら凹部１４には多数の回路部品１５及び電源部１６が設けられている。回路部品１５については、図の煩雑化を防ぐために図１中にその一部のみを示している。回路部品１５及び電源部１６の高さは凹部１４の深さよりも小さく形成され、下部側ウエハ１１の表面と、上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃの裏面とが密着することができる。凹部１４、１４の外側には、円形の係合用凹部１７、１７が設けられている。
下部側ウエハ１１の裏面には電源部１６に接続され、電源部１６を構成する充電池を充電するための電極１８が形成されている。また、下部側ウエハ１１の周縁部には、切り欠き１９が設けられる。上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃが下部側ウエハ１１に装着されたときに、この切り欠き１９は上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃの各周縁部に設けられる切り欠き２１と重なりあって、計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃの向きを特定するためのノッチＮを形成する。下部側ウエハ１１については後にさらに詳しく説明する。
上部側ウエハ２Ａについて、その裏面側斜視図である図３及びその縦断側面図である図４も参照して説明する。上部側ウエハ２Ａは前記下部側ウエハ１１に重ねられる円形の基板本体２２を備え、基板本体２２の裏面中央部には円形の突起２３が形成されている。突起２３は、前記下部側ウエハ１１の凹部１２に差し込めるように下方側に向かって縮径され、その周面には凹部１２と螺合するようにネジが切られている。この突起２３の周囲には、上部側ウエハ２Ａに設けられる後述の風速センサ３Ａ、３Ｂに接続される電極２４が設けられる。電極２４はこれら風速センサ３Ａ、３Ｂへ電力を供給すると共に風速センサ３Ａ、３Ｂで取得したデータを下部側ウエハ１１に出力する役割を有し、下部側ウエハ１１に上部側ウエハ２Ａを装着したときに所定の電極１３に接続される。
基板本体２２の裏面周縁部には、突起２３を挟むように基板本体２２の内部から下部側に開口された開口部２５、２５が形成されている。開口部２５の上部側は拡径されている。開口部２５には係合子である円形のストッパ２６が設けられている。ストッパ２６の上部はフランジ２７を形成し、前記開口部２５上部側の拡径部に係止されており、ストッパ２６が脱落しないように構成されている。フランジ２７の上側と当該フランジ２７が面する天井との間にはバネ２８が設けられている。当該バネ２８により、ストッパ２６は図５に示すように上部側ウエハ２Ａの下面に突出している。フランジ２７は金属により構成されており、上部側ウエハ２Ａの上部側から受ける磁力によって、バネ２８の復元力に抗して上昇する。それによって、図６に示すようにストッパ２６が上部側ウエハ２Ａ内に引き込まれる。バネ２８は前記磁力の影響を受けない材質によって構成されている。ストッパ２６は前記下部側ウエハ１１の係合用凹部１７に係合し、上部側ウエハ２Ａと、下部側ウエハ１１との周方向の位置ずれを抑える。他の上部側ウエハ２Ｂ、２Ｃについても上記した上部側ウエハ２Ａの構成を有する。つまり、基板本体２２、突起２３及びストッパ２６を備えており、上部側ウエハ２Ａと同様に下部側ウエハ１１に装着される。
続いて、上部側ウエハ２Ａに固有の構成について説明する。図７は上部側ウエハ２Ａの表面を示しており、中心部から周縁部へ放射状に８方向に広がるようにセンサ対３１が配置されている。図中２０は基板本体２２の表面に形成された配線パターンであり、前記裏面側の電極２４に電気的に接続されている。実際には配線パターン２０は複数のラインにより構成されているが、便宜上、並行する複数のラインを一本のラインとして示している。
センサ対３１は合計２９個設けられ、図中にチャンネル（Ｃｈ）１〜２９として示している。各チャンネルのセンサ対３１は互いに同様に構成されている。代表して計測用ウエハ１Ａ中心部のＣｈ１５のセンサ対３１について、図８を参照して説明する。センサ対３１は互いに近接して配置された風速センサ３Ａ、３Ｂからなり、風速センサ３Ａ、３Ｂはその表面の所定の直線方向の気流の風速に応じて信号を出力する。風速センサ３Ａ、３Ｂはそのように風速を検出できる方向が異なるように配置されることを除いて、互いに同様に構成されている。
風速センサ３Ａを例に挙げて図９、図１０の縦断側面図も参照しながら説明する。風速センサ３Ａは平面視正方形のチップであり、チップの中央部には空隙部２９が形成され、この空隙部２９の表面を覆うように絶縁薄膜３０が形成されている。絶縁薄膜３０にはヒータ３２と、このヒータ３２を挟むようにサーモパイル３３、３４とが形成されている。また、チップには測温抵抗体である温度センサ３５が設けられており、周囲温度に応じて当該温度センサ３５の抵抗値が変化する。
このヒータ３２、温度センサ３５及び上記の下部側ウエハ１１に設けられる回路部品１５により、図１１に示す温度補償回路４１が構成される。この温度補償回路４１について説明すると、ヒータ３２、温度センサ３５が固定抵抗Ｒ１、Ｒ２に夫々直列に接続されている。ヒータ３２と固定抵抗Ｒ１との中点、温度センサ３５と固定抵抗Ｒ１との中点は、夫々オペアンプＯＰ１の反転入力端子、非反転入力端子に接続されている。オペアンプＯＰ１の出力端子は固定抵抗Ｒ１、Ｒ２に接続される。
ヒータ３２及び温度センサ３５はグランドに接続されており、このようにヒータ３２、温度センサ３５及び固定抵抗Ｒ１、Ｒ２はブリッジ回路を構成している。また、電源電圧Ｖｃｃを印加する電極、グランド間に電流供給回路４０が設けられ、電流供給回路４０は、固定抵抗Ｒ２と温度センサ３５との間に接続されている。電流供給回路４０は前記ブリッジ回路に供給する電流を制御する。周囲温度が高くなるほど温度センサ３５の抵抗値が高くなる。このように、温度センサ３５の抵抗値が高くなるほど抵抗Ｒ２と温度センサ３５との間の電圧が高くなり、この電圧が高くなるほど、電流供給回路４０からブリッジ回路へ供給する電流が小さくなる。
気流の大きさによりヒータ３２の温度が変化し、オペアンプＯＰ１からはこのヒータ３２の熱を補償するように電力が供給される。具体的に説明すると、気流が大きくなり、ヒータ３２の温度が下がるとヒータ３２の抵抗値（Ｒｈ）が下がりオペアンプの−側の入力電圧が低くなるのでオペアンプＯＰ１からブリッジ回路に出力される電圧が高くなる。そして、ヒータ３２及び温度センサ３５に加わる電圧が高くなり、ヒータ３２の温度が上がる。逆に気流が小さくなるとオペアンプＯＰ１からブリッジ回路への出力電圧が低くなり、ヒータ３２の温度が下がる。このような作用によりヒータ３２の温度は一定に保たれる。
また、周囲温度が変化して温度センサ３５の抵抗値が変化すると、固定抵抗Ｒ２と温度センサ３５との分圧比が変化し、オペアンプＯＰ１への反転入力端子の電位が変化して、オペアンプＯＰ１の出力が変化して、ヒータ３２の出力が変化する。詳しく説明すると、周囲温度の上昇により温度センサ３５の温度が上がって温度センサ３５の抵抗値（Ｒｂ）が高くなる。固定抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵抗値は気流により変化しないように構成され、ブリッジ回路の平衡条件よりＲｈ／Ｒｂ＝一定であるため、Ｒｈが上昇してヒータ３２の温度が上昇する。逆に周囲温度が低下したときは温度センサ３５の抵抗値が下がり、Ｒｈが下降してヒータ３２の温度が下降する。
このような作用によりヒータ３２は周囲温度に対して一定温度だけ高い温度になるように温度補償される。前記電流供給回路４０は、上記のように電流を制御することで周囲温度の変化に対してヒータ３２の温度の変化のずれを抑える役割を有している。オペアンプＯＰ１、固定抵抗Ｒ１、Ｒ２及び電流供給回路４０を図１１中に構成部品群４２として示しており、この構成部品群４２は上記の下部側ウエハ１１の多数の回路部品１５により構成されている。
また、サーモパイル３３、３４及び上記の下部側ウエハ１１に設けられる回路部品１５により、図１２に示す風速検出回路４３が構成される。この回路４３について説明すると、サーモパイル３３、３４は固定抵抗Ｒ３、Ｒ４に夫々直列に接続されており、これらの中点が夫々オペアンプＯＰ２の反転入力端子、非反転入力端子に接続されている。また、固定抵抗Ｒ３、Ｒ４は電源電圧Ｖｃｃが印加される電極に接続され、サーモパイル３３、３４はグランドに接続され、ブリッジ回路が構成されている。固定抵抗Ｒ３、Ｒ４及びオペアンプＯＰ２を図中に構成部品群４４として示しており、この構成部品群４４は上記の多数の回路部品１５により構成されている。
前記図９、図１０も用いて風速検出回路４３の作用を説明する。図９、図１０ではヒータ３２から放射される熱の分布をヒータ３２に向かって領域３７ａ、３７ｂ、３７ｃとして示し、各領域はこの順に温度が高い。図９に示すようにサーモパイル３３、３４の配列方向に気流が形成されていない状態では、サーモパイル３３、３４は互いに同様の熱量を受け、オペアンプＯＰ２からは所定の電圧が出力される。図９に示すように前記配列方向に気流が形成されると、その風速に応じて上記のヒータ３２の熱分布が偏り、上流側のサーモパイル（図では３４）に比べて下流側のサーモパイル（図では３３）の温度が高くなる。この温度変化を受けてサーモパイル３４、３３の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に応じてオペアンプＯＰ２からの出力が変化する。つまり、前記配列方向の風速に応じてオペアンプＯＰ２からの出力が変化する。
図９の状態に対してサーモパイル３３の温度が高くなる図１０の状態では、サーモパイル３４に比べてサーモパイル３３の抵抗値が上昇し、オペアンプＯＰ２の−側の入力が大きくなる。図１０とは逆に、サーモパイル３４側に向かって気流が形成されてサーモパイル３４の温度が高くなるとサーモパイル３３に比べてサーモパイル３４の抵抗値が上昇し、オペアンプＯＰ２の＋側の入力が大きくなる。つまり、風速センサ３Ａ、３Ｂは前記配列方向における風向きと、当該配列方向における風速とを検出することができる。風速センサ３Ａが含まれる風速検出回路４３からの前記出力をＶｘ、風速センサ３Ｂが含まれる風速検出回路４３からの前記出力をＶｙとする。
各センサ対３１の風速センサ３Ａは互いに同じ方向（Ｘ方向）の風速を検出するように配置され、風速センサ３Ｂは互いに同じ方向（Ｙ方向）の風速を検出するように配置されている。各図において、サーモパイル３３側を＋、３４側を−としている。これら風速センサ３Ａ、３Ｂの検出方向は互いに９０度異なっている。図８に示す３２Ａ〜３６Ａは、風速センサ３Ａ、３Ｂの電極であり、風速検出回路４３及び温度補償回路４１を構成している。図８中３２Ｂはボンディングワイヤーであり、各電極３２Ａ〜３６Ａと、配線パターン２０とを接続している。なお、図１など他の図ではボンディングワイヤー３２Ｂ及び配線パターン２０の図示は省略している。
図１３を用いて、この計測用ウエハ１Ａの気流の測定手法について説明する。図１３では矢印で計測用ウエハ１Ａの表面の気流の流れを示している。図中のＰは、各センサ対３１に近接して設定された基点である。既述のように風速センサ３Ａ、３ＢによりＸ方向の風速、Ｙ方向の風速が検出されるが、同じセンサ対３１を構成する風速センサ３Ａ、３Ｂ及び基点Ｐは互いに近接して配置されているので、これらの風速センサ３Ａ、３Ｂ及び基点Ｐの表面には、互いに同じ方向且つ同じ風速の気流が形成されていると見ることができる。そして、風速センサ３Ａにより検出される気流の風速は前記Ｘ方向の風速であることから、気流のＸ方向のベクトル成分４Ａと見ることができる。また、風速センサ３Ｂにより検出される気流の風速は前記Ｙ方向の風速であることから、気流のＹ方向のベクトル成分４Ｂと見ることができる。このＸＹ方向の各ベクトル成分を基点Ｐとして合成し、風向及び風速を測定することができる。このような風向及び風速の測定は、計測用ウエハ１Ａから送信される前記Ｖｘ、Ｖｙのデータに基づいて後述の制御部７が行う。
続いて計測用ウエハ１Ｂを構成する上部側ウエハ２Ｂについて、上部側ウエハ２Ａとの差異点を説明する。この上部側ウエハ２Ｂは、計測用ウエハ１Ｂの移動時の加速度についてのデータを出力する。この加速度データを取得した制御部７が、上記のようにスピンチャックの回転中心位置及び受け渡し高さ位置を検出する。これらの検出方法については前記特許文献２に記載されているため、この上部側ウエハ２Ｂについては、その構成の概略と前記検出方法とを簡単に説明する。
図１に示すように、上部側ウエハ２Ｂの表面には計測ユニット５１が設けられ、その内部には加速度センサ５２が、上部側ウエハ２Ｂの中心に位置するように設けられている。図１４に示すように、この加速度センサ５２は、水平な枠５３と、枠５３内で支持部５４に支持された錘５５とを備える。支持部５４は錘５５から平面の４方に伸びて錘５５を支持し、その表面に各々ピエゾ素子からなるセンサ本体５６ａ〜５６ｂが設けられる。センサ本体５６ａ、５６ａの配列方向（図中Ｘ１方向）と５６ｂ、５６ｂの配列方向（図中Ｙ１方向）とは直交している。
加速度センサ５２に加速度が働くと、センサ本体５６ａ、５６ｂの変形により、センサ本体５６ａ、５６ｂから夫々水平なＸ１方向、Ｙ１方向の加速度に応じた信号が出力される。また、これらセンサ本体５６ａ、５６ｂからの信号に基づいて、前記信号を受信する制御部７は、Ｚ方向（高さ方向）の加速度変化も検出することができる。センサ本体５６ａ、５６ｂは、図示しない配線により上部側ウエハ２Ｂの裏面の電極２４に接続されている。つまり、上部側ウエハ２Ｂの電極２４は、加速度センサ５２の検出信号を下部側ウエハ１１へ取り出すと共に、当該加速度センサ５２へ電力を供給する役割を有する。
計測用ウエハ１Ｂによる前記スピンチャックの回転中心の検出方法の一例としてレジスト塗布モジュール８１のスピンチャック８２の前記回転中心の検出について説明する。図１５に示すようにスピンチャック８２に計測用ウエハ１Ｂを載置する。そして、スピンチャック８２を一定の角速度で鉛直軸回りに回転させ、前記角速度と受信した前記Ｘ１方向の加速度と、Ｙ１方向の加速度とに基づいて制御部７はスピンチャック８２と計測用ウエハ１Ｂの中心位置（加速度センサ５２の中心位置）との偏心距離Ｌを算出する。計測用ウエハ１Ｂの中心位置は、制御部７により設定される座標系の位置として、当該制御部７により把握される。
スピンチャック８２における計測用ウエハ１Ｂの位置を互いにずらして３回測定を行い、偏心距離Ｌを夫々算出する。各測定において、スピンチャック８２の回転中心は、計測用ウエハ１Ｂの中心位置を中心とし、前記偏心距離Ｌを半径とする円弧上にあるため、制御部７は各測定の前記円弧の交点をスピンチャック８２の回転中心として決定する。
続いて、受け渡し高さ位置の検出の一例として、前記レジスト塗布モジュール８１の検出方法について説明すると、図１６中Ａ３は、ウエハＷの搬送機構である搬送アームである。図中８３は搬送アームＡ３と、スピンチャック８２との間でウエハＷを受け渡す昇降ピンである。図１６に示すように昇降ピン８３をウエハＷの受け渡し位置に上昇させた状態で、計測用ウエハ１Ｂを保持した搬送アームＡ３を下降させる。図１７に示すように昇降ピン８３に計測用ウエハ１Ｂが突き当たると、検出されるＺ方向の加速度が変化するので、制御部７はその変化に基づいて昇降ピン８３の高さ位置を特定する。
続いて、上部側ウエハ２Ｃについて説明する。図１に示すようにこの上部側ウエハ２Ｃには、その中心部から周縁部へ放射状に８方向に広がるように例えば熱電対からなる温度センサ５７が分散して埋設されている。この例では２９個の温度センサ５７が設けられている。図２においては、センサ対３１と同様に各温度センサ５７をＣｈ１’〜Ｃｈ２９’として記載している。各温度センサ５７は、他の上部側ウエハのセンサと同様に図示しない配線によりウエハ２Ｃの裏面側の電極２４に接続されている。
下部側ウエハ１１について図２を用いて更に説明する。上記したように下部側ウエハ１１には、上部側ウエハ２Ａの各チャンネルごとに構成部品群４２、４４が設けられている。そして、各構成部品群４４の後段には信号処理部をなすアナログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）４５が設けられており、さらにその後段には無線送信部４６が設けられている。無線送信部４６は、例えば制御部７と無線通信を行うための通信回路、前記通信を制御するための制御回路及びアンテナなどを含んでいる。これらＡＤＣ４５及び無線送信部４６は、前記回路部品１５により構成される。構成部品群４４から出力された電圧のアナログ信号Ｖｘ、Ｖｙは、ディジタル信号に変換されて無線送信部４６から送信される。
また、加速度センサ５２のセンサ本体５６ａ、５６ｂに接続される各電極１３の後段には、各々回路部４７が設けられている。回路部４７は、前記回路部品１５により構成され、センサ本体５６ａ、５６ｂからの出力を夫々増幅する増幅回路及び電源部１６からセンサに電力供給を行うための給電回路などを含んでいる。この回路部４７は前記ＡＤＣ４５の前段に接続されており、センサ本体５６ａ、５６ｂからのアナログの加速度データがＡＤＣ４５によりディジタル信号に変換されて無線送信部４６から送信される。さらに、Ｃｈ１’〜Ｃｈ２９’の各温度センサ５７に接続される各電極１３の後段にも同様に回路部４７が設けられており、温度センサ５７から出力されるアナログの温度信号はＡＤＣ４５によりディジタル信号に変換されて無線送信部４６から送信される。
続いて、塗布、現像装置６の一例について図１８〜図２０を参照しながら説明する。図１８、１９、２０は夫々塗布、現像装置６の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置６は、互いに直線状に配列されたキャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３とを備えている。インターフェイスブロックＤ３には露光装置Ｄ４が接続されている。以降の説明ではブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向を前後方向とする。キャリアブロックＤ１は、ウエハＷを含むキャリアＣを図示しない搬送機構との間で受け渡す役割を有し、キャリアＣの載置台６１と、キャリアＣからウエハＷを搬送するための移載機構６２とを備えている。
処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合がある。また、図１９では単位ブロックを「層」と表現して記載の繁雑化を避けている。この例では、下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられており、代表してＣＯＴ層Ｂ３について図１８を参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう搬送領域Ｒの左右の一方側には棚ユニットＵ１〜Ｕ６が前後方向に配置され、他方側には夫々液処理モジュールである前記レジスト塗布モジュール８１と、保護膜形成モジュール８４とが前後に並べて設けられている。搬送領域Ｒには図示しないエア供給部からエアが供給されている。
レジスト塗布モジュール８１は上記のようにスピンチャック８２を備える。図中８５はカップであり、スピンコーティング中、モジュールの天井部から供給されるエアを排気する。レジストを供給する薬液ノズル及びレジスト膜の周縁部除去用の溶剤ノズルの図示は省略している。保護膜形成モジュール８４は保護膜を形成するための薬液により、同様にして処理が行われるように構成されている。
前記搬送領域Ｒには、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＡ３が設けられている。この搬送アームＡ３は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ搬送領域Ｒの長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ３の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。また、前記棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、搬送領域Ｒの長さ方向に沿って配列され、棚ユニットＵ１〜Ｕ５は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュール８６が例えば２段に積層されて構成されている。棚ユニットＵ６は、互いに積層された周縁露光モジュール８７により構成される。
周縁露光モジュール８７は、ウエハＷの周縁を露光する露光部と、ウエハＷの裏面を支持すると共に回転自在且つ横方向に移動自在なステージと、露光する幅を制御するためにウエハＷの周縁位置を決定する光センサと、を備えている。前記光センサは、回転するウエハＷの周縁へ投光する投光部と、この投光部と対になる受光部とからなり、前記受光部が投光部から受ける光の入射範囲に基づいて、前記制御部７はウエハＷの周縁位置を検出する。後述するように計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃを用いるときには、前記入射範囲に基づいて計測用ウエハ１Ａ〜１ＣのノッチＮの向きの検出を行い、前記ステージによりその向きを調整する。
単位ブロックＢ４はＢ３と同様に構成される。他の単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ５及びＢ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なること及び周縁露光モジュール８７の代わりに加熱モジュール８６が設けられることなどを除き、単位ブロックＢ３、Ｂ４と同様に構成される。単位ブロックＢ１、Ｂ２は、レジスト塗布モジュール８１、保護膜形成モジュール８４の代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＢ５、Ｂ６は、現像モジュールを備える。図２０では各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームはＡ１〜Ａ６として示している。
処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構である受け渡しアーム６３とが設けられている。タワーＴ１は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。実際にはタワーＴ１には各種のモジュールが設けられるが、説明を簡素化するために、受け渡しアーム６３と各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームＡ１〜Ａ６との間でウエハＷを受け渡すための受け渡しモジュールＴＲＳ、及び後述するモジュール９１、１０１のみ表示する。
インターフェイスブロックＤ３は単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えている。６４、６５、６６はインターフェイスアームである。アーム６４はタワーＴ２とタワーＴ３とに対してウエハＷの受け渡しを行い、アーム６５は、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行い、アーム６６は、タワーＴ２と露光装置Ｄ４の間でウエハＷの受け渡しを行う。タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳが互いに積層されて構成されている。なお、Ｔ３、Ｔ４については説明を省略する。
この塗布、現像装置６及び露光装置Ｄ４からなるシステムのウエハＷの搬送経路の概略について簡単に説明する。ウエハＷは、キャリアＣ→移載機構６２→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→受け渡しアーム６３→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→単位ブロックＢ１（Ｂ２）→単位ブロックＢ３（Ｂ４）→インターフェイスブロックＤ３→露光装置Ｄ４→インターフェイスブロックＤ３→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→移載機構６２→キャリアＣの順で流れていく。
処理ブロックＤ２内のウエハＷの流れについてより詳しく述べると、反射防止膜を形成する単位ブロックＢ１、Ｂ２、レジスト膜を形成する単位ブロックＢ３、Ｂ４及び現像を行う単位ブロックＢ５、Ｂ６は二重化されており、これら二重化された単位ブロックに対して、ウエハＷが振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＢ１に受け渡す場合には、タワーＴ１のうちの受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＢ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＡ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、受け渡しアーム６３によりウエハＷが受け渡される。タワーＴ１における受け渡しアーム６３のウエハＷの受け取り元のモジュールは、移載機構６２により搬入される受け渡しモジュールＴＲＳ０である。また単位ブロックＢ２に対応する受け渡しモジュールをＴＲＳ２とすれば、受け渡しモジュールＴＲＳ０のウエハＷは受け渡しアーム６３により受け渡しモジュールＴＲＳ２に受け渡される。
また単位ブロックＢ１あるいはＢ２にて反射防止膜の形成を終えたウエハＷは、例えば受け渡しモジュールＴＲＳ１あるいはＴＲＳ２を介して、単位ブロックＢ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と単位ブロックＢ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４との間で交互に振り分け搬送されることになる。この搬送は受け渡しアーム６３により行われる。
ところでウエハＷが載置される場所をモジュールと記載している。モジュールには、ウエハＷの搬入出を検出するための図示しないセンサが設けられている。各モジュールにおいてウエハＷが搬入及び搬出されると、各センサから前記制御部７へそのように搬入、搬出がなされたことを示す搬入信号、搬出信号が夫々送信される。各モジュールでは所定の設定量で常時排気が行われており、また搬送領域Ｒやレジスト塗布モジュール８１などの所定のモジュールでは、所定の量で常時エアが供給されている。
例えば、前記タワーＴ１には互いに分離した状態の上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと、下部側ウエハ１１とを格納する保管部を構成する格納モジュール９１と、下部側ウエハ１１に対して上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃを着脱させる着脱モジュール１０１と、が設けられている。図２１、図２２は夫々格納モジュール９１の正面図、横断平面図である。この格納モジュール９１には、上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと２基の下部側ウエハ１１とが互いに上下に間隔をおいて格納されている。この格納モジュール９１は筐体９２を備え、筐体９２内には支持部９３が設けられる。支持部９３は、下部側ウエハ１１及び上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃの各裏面周縁部を水平に支持する。
筐体９２内には電源供給部９４、９４が設けられている。図中９５は各電源供給部９４から上方に突き出たピンである。下部側ウエハ１１が支持部９３に支持されるとき、ピン９５は当該下部側ウエハ１１の充電用電極１８に接触する。電源供給部９４からピン９５、前記電極１８を介して電源部１６に電力が供給されて、当該電源部１６が充電される。
続いて着脱モジュール１０１についてその正面図である図２３と、この着脱モジュール１０１の各構成要素の斜視図である図２４とを参照して説明する。着脱モジュール１０１は図示しない搬送口が形成された筐体１０２を備えており、筐体１０２内には下部側ウエハ保持部１０３と、上部側ウエハ保持部１０４とが設けられている。下部側ウエハ保持部１０３は、スピンチャック１０５と、回転駆動機構１０６とにより構成される。前記スピンチャック１０５は図示しない吸引口を備え、下部側ウエハ１１の裏面中央部を吸引し、当該下部側ウエハ１１を水平に保持する。回転駆動機構１０６により、スピンチャック１０５は鉛直軸回りに回転する。
上部側ウエハ保持部１０４は、保持部本体１０７と昇降機構１０８とにより構成される。保持部本体１０７は例えば円形に形成されており、その下面の周縁部寄りの位置には突出部１０９が設けられている。後述するように各上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃは所定の向きで着脱モジュール１０１に搬送されるが、この突出部１０９はこのように搬送された上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃを保持するにあたり、その表面のセンサに干渉しないように形成されている。突出部１０９の下方には吸引口１１０が設けられている。吸引口１１０は排気管を介して排気部１１１に接続されており、当該吸引口１１０からの排気によって上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃの表面が保持部本体１０７に保持される。
保持部本体１０７の下面周縁部には、突起１１２が設けられている。この突起１１２には電磁石１１３が埋設されている。電磁石１１３は電力供給部１１４に接続されており、電力供給部１１４からの電力の給断によって励磁状態と無励磁状態とが切り替えられる。上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃは所定の向きで着脱モジュール１０１に搬送されるが、前記突起１１２はそのように搬送された上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃのストッパ２６に重なる位置に設けられ、前記励磁状態及び無励磁状態の切り替えにより、当該ストッパ２６の昇降を行うことができる。
続いて制御部７について説明する。図２５は制御部７の構成を示している。制御部７はバス７１を備え、バス７１にはＣＰＵ７２、プログラム格納部７３、メモリ７４、表示部７５及び操作部７６が接続されている。プログラム格納部７３にはプログラム７７、７８が格納されている。プログラム７７はウエハＷ処理用のプログラムであり、塗布、現像装置６の各部に制御信号を送信してウエハＷの搬送機構及びモジュールの動作を制御する。それによって、上記のようにウエハＷの搬送と処理とが行われる。プログラム７８は上記の計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃを用いる測定用プログラムであり、上記の各測定を行うために塗布、現像装置６の各部に制御信号を送信する。それによって、上部側ウエハと下部側ウエハとの合体及び分離、計測用ウエハの搬送、当該計測用ウエハによる測定、測定結果の表示などの動作が制御される。装置６のユーザは、操作部７６からウエハＷの処理を行う処理モードと、各種の測定を行う測定モードとのいずれかを選択して実行することができ、選択したモードによってプログラム７７または７８が動作する。プログラム格納部７３は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）等により構成されている。
メモリ７４について説明する。測定モード実行時に、実行する測定の種別によって、メモリ７４の異なる記憶領域に測定データが記憶される。また、測定の種別によっては、測定に必要なデータが当該記憶領域に記憶されている。風向及び風速の測定に用いられる記憶領域を７４Ａ、回転中心位置の検出に用いられる記憶領域を７４Ｂ、受け渡し高さ位置の検出に用いられる記憶領域を７４Ｃ、温度の測定に用いられる記憶領域を７４Ｄとして説明する。図２６、２７はこれらの記憶領域７４Ａ〜７４Ｄを模式的に示している。
図２６の風向及び風速測定用の記憶領域７４Ａについて説明する。図２６の上側の表に示すように記憶領域７４Ａには、上記チャンネルごとに、無線送信された電圧値Ｖｘ、Ｖｙ、これらＶｘ、Ｖｙから夫々演算されるＸ方向、Ｙ方向の風速値Ｃｘ、Ｃｙ、前記Ｃｘ、Ｃｙから演算される上記の点Ｐを基点とする風速値Ｃｘｙが記憶される。また、上記の基点Ｐの計測用ウエハ１ＡにおけるＸＹ座標が記憶される。さらに、図２６の下側のグラフ７４Ｅに示すように、記憶領域７４Ａには、Ｖｘ、ＶｙからＣｘ、Ｃｙを演算するための対応関係が記憶されている。グラフの縦軸が電圧Ｖｘ、Ｖｙ（単位Ｖ）であり、横軸が風速Ｃｘ、Ｃｙ（単位ｍ／秒）である。Ｃｘｙは点Ｐを基点にした風速であり、Ｃｘｙ＝{（Ｃｘ）２＋（Ｃｙ）２}１／２である。モジュールごとに計測が行われるので、これらＶｘ、Ｖｙ、Ｃｘ、Ｃｙ、Ｃｘｙは各モジュールごとに対応付けられて記憶される。図示は省略しているが、実際にはＶｘ、Ｖｙは連続して取得されて各時間ごとに記憶領域７４Ａに記憶されるので、測定時間内の任意のＣｘ、Ｃｙ、Ｃｘｙを算出することができる。
図２７に示す回転中心位置検出用の記憶領域７４Ｂには、測定を行ったモジュールごとに、上記のように各センサ本体５６ａ、５６ｂから出力されたＸ１方向、Ｙ１方向の加速度のデータ及びこれらの加速度データから演算される上記の偏心距離Ｌが記憶される。上記のように１つのモジュールにつき３回測定を行うので、これら加速度データ及び偏心距離Ｌは各測定回ごとに記憶される。また、モジュールごとに各測定回の偏心距離から演算された前記回転中心位置の座標が記憶される。
受け渡し高さ位置検出用の記憶領域７４Ｃには、測定を行ったモジュールごとに、前記センサ本体５６ａ、５６ｂから出力された加速度データ、及びこれらの加速度データから演算されたＺ方向（高さ方向）の加速度データが記憶される。これらの加速度データは測定時間中、連続して記憶される。図中各測定時間中の時刻をｔ１、ｔ２・・・として表記している。そして、このＺ方向の加速度の変化から演算された各モジュールの受け渡し高さ位置座標がこの記憶領域７４Ｃに記憶される。温度測定用の記憶領域７４Ｄには、測定を行う加熱モジュールごとに各チャンネルの温度センサ５７から出力値と、この出力値から算出された検出温度とが記憶される。
図２５に戻って操作部７６について説明する。操作部７６はマウスやキーボードやタッチパネルなどからなる。ユーザは、この操作部７６から処理モード及び測定モードの選択、測定モードのうち実行する測定種別の選択、測定を行うモジュールの選択、計測用ウエハ１Ａの搬送経路、測定を行ったモジュールについて表示部７５への測定結果の表示の指示などを行うことができる。
表示部７５はディスプレイであり、各記憶領域７４Ａ〜７４Ｄに記憶されたデータに基づいて表示が行われる。図２８には、後述するように加熱モジュール８６について気流の測定を行った結果の表示の一例を示している。設定された座標に基づいてこの表示部７５の所定の場所に、基点Ｐが表示されると共に、算出した風向がこれら基点Ｐから伸びる矢印として表示される。図中各基点Ｐについてはチャンネルに対応する番号を付して示している。
前記矢印は、演算された風速値Ｃｘｙが大きいほど長く表示される。また、表示部７５には計測用ウエハ１Ａの外形が表示され、この外形内に演算された各チャンネルのＣｘｙに応じたカラーが表示される。実際の画像表示はカラーのグラデーションにより風速分布が示されるが、図２８では便宜上それに代えて等高線を用いており、風速の強度に応じた模様を付して示している。また、前記グラデーション中のカラーと風速Ｃｘｙの数値との対応を示すバー７４Ｆが表示される。それによって、ユーザは計測用ウエハ１Ａの面内、つまりウエハＷの載置部における各部の風速Ｃｘｙの値が分かるようになっている。同様に、表示部７５には、測定された回転中心位置座標、受け渡し高さ位置座標及び温度についての表示も行うことができる。この表示としては、例えば図２７に示したような各モジュールと、回転中心位置座標、受け渡し高さ位置座標、各チャンネルの温度とが対応付けられた表が夫々表示される。
続いて、計測用ウエハ１Ａによる気流の測定を行う手順について説明する。先ずユーザにより測定モードが選択され、次いでその測定モードのうち風向及び風速の測定が行われるように選択される。そして、ユーザにより測定を行うモジュールと、そのモジュールに搬送されるまでの搬送経路とが設定される。ここでは測定を行うモジュールとして、単位ブロックＢ３の加熱モジュール８６が選択されたものとする。
移載機構６２が格納モジュール９１から上部側ウエハ２Ａを受け取り、図２９に示すように上部側ウエハ２Ａを着脱モジュール１０１に搬送する。上部側ウエハ２Ａが保持部本体１０７の下方に位置すると、前記保持部本体１０７がウエハＷに向けて下降すると共に吸引口１１０から吸引が開始され、上部側ウエハ２Ａ表面が保持部本体１０７に吸着される。続いて前記移載機構６２が格納モジュール９１から下部側ウエハ１１を受け取り、着脱モジュール１０１に搬送する。スピンチャック１０５上に位置した移載機構６２が下降し（図３０）、下部側ウエハ１１の裏面中央部がスピンチャック１０５の図示しない吸引口に吸引され、当該スピンチャック１０５に保持される。
続いて、移載機構６２が着脱モジュール１０１から退避し、保持部本体１０７が下降する（図３１）。上部側ウエハ２Ａの突起２３が、下部側ウエハ１１の凹部１２に差し込まれ（図３２）、電力供給部１１４から電磁石１１３に給電され、その磁力により上部側ウエハ２Ａのストッパ２６が上昇する（図３３）。スピンチャック１０５により下部側ウエハ１１が回転すると共に、保持部本体１０７がさらに下降し、前記突起２３が前記凹部１２に螺合してねじ込まれる（図３４）。スピンチャック１０５が予め設定された量回転し、下部側ウエハ１１の表面が上部側ウエハ２Ａの裏面に当接し、上部側ウエハ２Ａの電極２４と下部側ウエハ１１の電極２４とが接続されると、前記回転が停止する（図３５）。電極同士が接続されたことにより、下部側ウエハ１１の電源部１６からセンサ対３１に給電され、センサ対３１の測定データが下部側ウエハ１１の無線送信部４６から出力される。このとき、下部側ウエハ１１の係合用凹部１７は、ストッパ２６に重なるように位置している。電磁石１１３への電力供給がオフになり、ストッパ２６が係合用凹部１７に差し込まれて係合し、計測用ウエハ１Ａが形成される（図３６）。
そして、吸引口１１０からの吸引が停止し、保持部本体１０７による計測用ウエハ１の固定が解除され（図３７）、保持部本体１０７が上昇する。そして、移載機構６２が着脱モジュール１０１に進入して、計測用ウエハ１Ａの裏面に位置し（図３８）、スピンチャック１０５の吸引に抗して計測用ウエハ１Ａを持ち上げ、移載機構６２に計測用ウエハ１Ａが受け渡される。その後、計測用ウエハ１Ａは、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０→受け渡しアーム６３→受け渡しモジュールＴＲＳ３→搬送アームＡ３→周縁露光モジュール８７の順に受け渡される。この周縁露光モジュール８７において、前記ステージに計測用ウエハ１Ａが載置され、計測用ウエハ１ＡのノッチＮの検出が行われる。そして、前記ステージを回転させて、ノッチＮを所定の向きに向けた後、搬送アームＡ３が計測用ウエハ１Ａを再度受け取り、測定を行うように設定された加熱モジュール８６に搬送する。
ウエハＷが搬送されると、加熱モジュール８６から搬入信号が送信され、搬入信号を受けた制御部７は、各チャンネルから送信される電圧データＶｘ、Ｖｙのメモリ７４への記憶を開始する。図３９は加熱モジュール８６の側面図である。搬送領域Ｒから水平移動自在な冷却プレート１２２に受け渡された計測用ウエハ１Ａは、熱板１２３に設けられる図示しない昇降ピンにより当該熱板１２３上に載置される。
上記のように計測用ウエハ１Ａの向きが調整されているため、各チャンネルは熱板１２３上に所定の向きに置かれる。熱板１２３を覆うカバー１２４の搬送領域Ｒ側に開口した開口部１２５から、搬送領域Ｒから離れて設けられた排気口１２６へ向かう気流に計測用ウエハ１Ａが曝され、Ｖｘ、Ｖｙの取得が続けられる。図の矢印は気流の方向を示している。前記搬入信号の送信から所定の時間経過後、計測用ウエハ１Ａは熱板１２３上から前記昇降ピン及び冷却プレート１２２を介して搬送アームＡ３に受け渡され、搬送アームＡ３より加熱モジュール８６から計測用ウエハ１Ａが搬出される。加熱モジュール８６から搬出信号が出力され、当該信号を受けた制御部７は前記Ｖｘ、Ｖｙの取得を停止する。
例えば計測用ウエハ１Ａは前記周縁露光モジュール８７に搬送され、前記光センサとステージとによってノッチＮが検出され、当該ノッチＮが所定の方向を向くように計測用ウエハ１Ａの向きが調整される。向き調整後、計測用ウエハ１Ａは、例えば搬送アームＡ３→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ３→受け渡しアーム６３→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０→移載機構６２の順で搬送された後、移載機構６２により着脱モジュール１０１に搬送され、スピンチャック１０５に保持される（図４０）。
移載機構６２の着脱モジュール１０１から退避後、保持部本体１０７が下降し、その突出部１０９が計測用ウエハ１Ａ表面に当接すると（図４１）、吸引口１１０から吸引が行われ、計測用ウエハ１Ａが保持部本体１０７に保持される（図４２）。その後、電磁石１１３に給電され、ストッパ２６が凹部１７から上昇して、これらの係合が解除されると（図４３）、スピンチャック１０５が回転を開始すると共に保持部本体１０７が上昇を開始する（図４４）。それによって、上部側ウエハ２Ａの突起２３が下部側ウエハ１１の凹部１２から外れていき（図４５）、上部側ウエハ２Ａの電極２４と下部側ウエハ１１の電極１３との接続が解除され、センサ対３１への給電及びセンサ対３１からのデータの送信が停止される。
予め設定された量スピンチャック１０５が回転され、前記突起２３と凹部１２との螺合が解除されると、スピンチャック１０５の回転が停止する（図４６）。その一方で保持部本体１０７が上昇を続け、所定の量だけ上昇すると、上昇が停止すると共に電磁石１１３への給電がオフになり、ストッパ２６が上部側ウエハ２Ａの下面に突出する（図４７）。
その後、着脱モジュール１０１に進入した移載機構６２が上部側ウエハ２Ａの裏面に回り込むと、吸引口１１０からの吸引が停止し、上部側ウエハ２Ａが移載機構６２に受け渡される（図４８）。移載機構６２は、上部側ウエハ２Ａを格納モジュール９１に搬送する。上記のように測定後に周縁露光モジュール８７で計測用ウエハ１Ａの向きが調整されていることと、下部側ウエハ１１からの取り外す際のスピンチャック１０５の回転量が所定の量に制御されていることにより、上部側ウエハ２Ａは所定の向きで格納モジュール９１に戻される。これによって次に着脱モジュール１０１に搬送したときに、センサ対３１が保持部本体１０７に干渉することが防がれる。続いて、下部側ウエハ１１が移載機構６２に受け渡され、格納モジュール９１に搬送され、上部側ウエハ２Ａと同様に所定の向きで支持部９３に支持される。このとき図２１で示したように、その裏面の電極１８にピン９５が接触し、電源部１６が充電される。
この気流の測定に続いて、レジスト塗布モジュール８１の回転中心の測定を行う場合の例について説明する。気流を測定する場合と同様に、ユーザが、測定種別、測定を行うモジュール、計測用ウエハ１Ｂの搬送経路について指定する。移載機構６２は、上部側ウエハ２Ｂを上部側ウエハ２Ａと同様に着脱モジュール１０１に搬送し、続いて下部側ウエハ１１を同様に着脱モジュールに搬送する。ただし、このように搬送される下部側ウエハ１１は、格納モジュール９１に格納されている２基の下部側ウエハ１１のうち、前回の気流測定時に格納モジュール９１で待機していた下部側ウエハ１１である。
その後、上部側ウエハ２Ａ及び下部側ウエハ１１は、計測用ウエハ１Ａと同様に互いに接続されて計測用ウエハ１Ｂが形成され、測定を行うように設定されたレジスト塗布モジュール８１に搬送される。搬送アームＡ３により計測用ウエハ１Ｂがスピンチャック８２に受け渡され、制御部７によりスピンチャック８２の回転が開始されると共に加速度のデータの取得が開始される。
データの取得から所定の時間経過後に制御部７による前記データの取得の停止と、スピンチャック８２の回転の停止とが行われる。このような回転開始及びデータの取得開始→回転停止及びデータの取得停止のプロセスが繰り返され、回転を停止する度にスピンチャック８２における計測用ウエハ１Ｂの位置はずらされる。上記のように３回データの取得を行った後、計測用ウエハ１Ｂは計測用ウエハ１Ａと同様に着脱モジュール１０１へ搬送されて上部側ウエハ２Ｂと下部側ウエハとに分離され、格納モジュール９１に戻される。
計測用ウエハ１Ｂによる高さ位置検出の手順については詳細を省略するが、簡単に説明すると、回転中心位置を検出する場合と同様に、測定を行うモジュールに計測用ウエハ１Ｂが搬送されると、制御部７が加速度のデータの記憶を開始する。図１６、図１７の昇降ピンに受け渡す例で説明したように、設定されたモジュールにおけるウエハＷの受け渡し位置上に搬送機構が移動した後に当該搬送機構が下降する。この間、加速度のデータの記憶が続けられ、搬送機構が所定量下降するとこの下降とデータの取得とが停止される。
計測用ウエハ１Ｃによる温度検出についても簡単に測定手順を説明しておく。計測用ウエハ１Ｃは、例えば計測用ウエハ１Ａと同様に着脱モジュール１０１で上部側ウエハ２Ｃと下部側ウエハ１１とから形成された後、各チャンネルの温度センサ５７が測定する加熱モジュール８６において所定の位置に位置するように、周縁露光モジュール８７にて向きの調整がなされる。そして、図４９に示したように加熱モジュール８６の熱板１２３に搬送されて測定が行われた後、着脱モジュール１０１で分離されて、格納モジュール９１に戻される。これらの測定を行う場合も、下部側ウエハ１１は前回の測定で用いた下部側ウエハ１１とは異なる下部側ウエハを用いる。このように下部側ウエハ１１を交互に使うことによって、測定に用いる下部側ウエハ１１の電源部１６には、測定に必要な電力が蓄えられた状態とする。
測定が行われ、データが制御部７に記憶されたモジュールについて、ユーザは既述のように測定結果を表示部に表示することができる。また、回転中心位置の検出を行ったモジュールについては、この測定後、次に処理モードを実行した場合、特定した回転中心位置にウエハＷの中心が位置するように搬送アームＡの受け渡しが制御される。高さ位置の測定を行ったモジュールについては、この測定結果に従って、例えばユーザが前記昇降ピン８３などのウエハＷの搬送機構から当該ウエハＷを受け取るための部材の高さ位置を調整する。それによって、ウエハＷの受け渡しの際に、前記受け取り部材に対する搬送機構の下降量が不十分となり、ウエハＷを当該受け取り部材に受け渡せないような状態が発生することを防ぐ。
また、気流測定を行ったモジュールについては、気体供給口の位置や排気口の位置を調整し、ウエハＷ表面の各部で均一性高い気流が形成されるようにする。温度測定を行った加熱モジュール８６については、熱板１２３の各部のヒータの出力を調整して、ウエハＷ表面の加熱温度が均一性高くなるように調整を行う。これらの調整を行った上で、処理モードを実行し、ウエハＷの搬送及び処理を行う。
上記の各例では１つのモジュールの測定を行う場合について説明しているが、各種の測定を行うにあたり、複数のモジュールで連続してデータを取得することができる。例えば、上記の気流の測定を行う場合、加熱モジュール８６の測定後、レジスト塗布モジュール８１の測定を行うように設定することができる。このように設定を行うと、計測用ウエハ１Ａは加熱モジュール８６→搬送アームＡ３→レジスト塗布モジュール８１の順に搬送されて各モジュールでデータが取得された後、着脱モジュール１０１に戻される。
このような計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃは、各計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃに共用される下部側ウエハ１１と、この下部側ウエハ１１に着脱自在に構成される上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃとにより構成される。そして、下部側ウエハ１１には各上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃに設けられるセンサからの出力をディジタル変換するＡＤＣ４５や、変換したデータを無線で送信する無線送信部４６及びこれらＡＤＣ４５、無線送信部４６及び前記センサに電力を供給する電源部１６が設けられる。このため測定種別ごとに夫々計測用ウエハを作成することに比べて、構成部品の点数を抑えることができるので、測定に要する費用の低減を図ることができる。また、計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃでは、無線により測定データの送信を行うため、計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃと制御部７との間でデータの送信を有線により行う場合に比べて上記のように複数のモジュール間を搬送して、連続してデータを取得することができる。そのためユーザが、計測用ウエハをモジュールごとに搬送する手間が無くなり、測定効率を高くすることができる。
また、この塗布、現像装置６では、上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと下部側ウエハ１１とを格納する格納モジュール９１を設け、ウエハＷの移載機構６２と着脱モジュール１０１とを用いて、当該上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと下部側ウエハ１１との着脱を自動で行っているため、効率よく測定を行うことができる。ただし、この着脱はユーザが手動で行ってもよい。例えば塗布、現像装置６の外部で上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃに下部側ウエハ１１を装着して計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃを形成しておき、それをキャリアＣに格納してウエハＷと同様に塗布、現像装置６に搬送してもよい。
さらに、計測用ウエハ１Ａにおいて、無線による測定を行うための各回路部品１５や電源部１６が下部側ウエハ１１に形成されている。従って、これら回路部品１５及び電源部１６によりセンサ対３１の周囲の気流が乱されることが無いため、精度高く風向及び風速の測定を行うことができる。なお回路部品１５については、専用のＩＣチップなどの部品を用いて部品の高さを抑え、当該計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃの厚さを抑えてもよい。ただし、レジスト塗布モジュール８１など、ウエハＷの上部から気体が供給され、この気体がカップ８５に排気されてウエハＷの周縁部へ向けて流れるようなモジュールでは、気流は計測用ウエハ１Ａの厚さの影響に殆ど影響されないので、前記厚さが比較的大きくても精度高い測定データを得ることができるし、そのような専用の部品を製造する必要が無いため、下部側ウエハ１１の製造コストを抑えることができる利点がある。また、制御部７は、風向及び風速ではなく風向のみを演算して表示部７５に表示するようにしてもよい。また、計測用ウエハ１Ａはモジュールではなく搬送機構に載置し、ウエハＷの搬送路の風向及び風速について測定してもよい。
上記の例では上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと下部側ウエハ１１とを同じ格納モジュール９１に格納して待機させているが、互いに別の場所に設けられた格納モジュールに格納してもよい。格納モジュール９１及び着脱モジュール１０１の設置場所としてはタワーＴ１に限られない。インターフェイス側のタワーＴ２〜Ｔ４内に設けてもよい。また、キャリアＣに着脱モジュール１０１の下部側ウエハ保持部１０３及び上部側ウエハ保持部１０４を設け、当該キャリアＣ内で着脱を行ってもよい。また、分離した状態の上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃ、下部側ウエハ１１を格納したキャリアＣを塗布、現像装置６に搬送し、装置６内の着脱モジュール１０１で着脱を行ってもよい。
また、格納モジュール９１及び着脱モジュール１０１で各上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃ及び下部側ウエハ１１の向きは所定の向きにされているため、計測用ウエハ１Ａ〜１Ｃはモジュールごとに所定の向きで搬送される。つまり、各モジュールに搬送されたときにどのような向きで搬送されるか把握しておくことで各チャンネルのセンサの測定位置が分かる。従って、上記の気流及び温度の測定前に周縁露光モジュール８７により計測用ウエハ１Ａ、１Ｃの向きを調整することは必ずしも行わなくてよい。格納モジュール９１と着脱モジュール１０１との間における上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと、下部側ウエハ１１との搬送順は上記の例に限られず、どちらが先に搬送先のモジュールに搬送されてもよい。
（第２の実施形態）
第１の実施形態で無線送信部４６を設ける代わりに、図５０に示すようにメモリ１３１を設けて、ディジタル変換された測定データを保存してもよい。下部側ウエハ１１には、メモリ１３１に接続されるデータ通信用の端子１３２が設けられる。例えば図５１に示すように格納モジュール９１にデータ送信用のピン１３３が設けられ、下部側ウエハ１１が格納モジュールに格納されるとき、このピン１３３が前記端子１３２に接触する。そして、このピン１３３を介してメモリ１３１の測定データが前記制御部７のメモリ７４に送信される構成であってもよい。第１の実施形態においても、このようなメモリ１３１をバックアップ用として設けてもよい。また、各実施形態で構成部品群４４と回路部４７とにＡＤＣ４５及び無線送信部４６が共用されているが、これら構成部品群４４、回路部４７で個別にＡＤＣ４５及び無線送信部４６を設けてもよい。また、構成部品群４４及び回路部４７の後段にＡＤＣ４５を個別に設け、無線送信部４６については共用にしてもよい。
上記の例では上部側ウエハ２Ａ〜２Ｃと下部側ウエハ１１との着脱機構としては、上記の突起２３及び凹部１２のネジ、ストッパ２６に限られない。図５２は、上部側ウエハ２Ａ及び下部側ウエハ１１の各中央部の他の構成について示している。上部側ウエハ２Ａの中央の突起２３は円形に構成されており、その周面には突起２３の下端から上方に向かった後屈曲されて当該突起２３を周方向に伸びる溝１４１が形成されている。前記溝１４１において上側へ向かう部分は後述の突起１４５の差し込み口１４２、伸長方向の端部は突起１４５の固定用凹部１４３をなし、これらは他の部分よりその深さが大きくなっている。下部側ウエハ１１の凹部１２には、平面視弧状のバネである固定部材１４４が設けられ、その内側に突起１４５が形成されている。
着脱モジュール１０１により上部側ウエハ２Ａを下部側ウエハ１１に装着するにあたり、突起２３が固定部材１４４の内側に進入し、突起１４５が差し込み口１４２に差し込まれる。その後、着脱モジュール１０１により上部側ウエハ２Ａが回転し、突起１４５が溝１４１を移動して固定用凹部１４３に落とし込まれる。バネである固定部材１４４により突起１４５が固定用凹部１４３へ向けて付勢されて、下部側ウエハ１１と上部側ウエハ２Ａとが固定される。上部側ウエハ２Ａを取り外すときには上部側ウエハ２Ａが逆回転され、突起１４５が固定用凹部１４３から溝１４１の浅い部分に乗り上げて差し込み口１４２に移動した後、下部側ウエハ１１と上部側ウエハ２Ａとが引き離される。
ところで、計測用ウエハ１Ａにおいては精度高く風向及び風速を行うため、センサ対３１の周囲の気流が前記回路部品１５や電源部１６により影響されることを防ぐことが必要になる。図５３には、上部側ウエハと下部側ウエハに分割されておらず、１枚のウエハに前記回路部品１５及び電源部１６を埋め込んだ構成の計測用ウエハ１５１を示している。基板が分割されていないことを除いて、上記の計測用ウエハ１Ａと同様の構成であるため、この計測用ウエハ１を用いても精度高い測定を行うことができる。
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 計測用ウエハ
１１ 下部側ウエハ
１６ 電源部
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ 上部側ウエハ
２３ 突起
２４ 電極
２６ ストッパ
３Ａ、３Ｂ 風速センサ
３１ センサ対
４５ アナログ、ディジタル変換器
４６ 無線送信部
５２ 加速度センサ
５７ 温度センサ
６ 塗布、現像装置
７ 制御部

Claims (6)

  1. 基板搬送機構により被処理基板が処理モジュール内に搬入され、処理が行われる基板処理装置に用いられ、被処理基板の処理状態に影響を及ぼす因子または基板の搬送動作に関わる因子の計測を行うための計測用基板において、
    被測定因子を計測するためのセンサ部を有する第１の基板と、
    この第１の基板の下に着脱自在に積層され、前記センサ部にて計測して得られた計測信号を処理する信号処理部と、前記センサ部に給電するための電源部と、前記信号処理部にて処理されて得られた計測データを記憶するメモリ及び前記計測データを無線で送信するための通信部の少なくとも一方と、を含む第２の基板と、を備え、
    前記第２の基板は、前記センサ部の被測定因子が互いに異なる複数種別の第１の基板に対して共通化されていることを特徴とする計測用基板。
  2. 複数種別のうちの一つの種別の第１の基板に設けられたセンサ部は、風向を計測するためのセンサ部であることを特徴とする請求項１記載の計測用基板。
  3. 前記第１の基板と第２の基板の各中心部には、互いに螺合するネジ部が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の計測用基板。
  4. 前記第１の基板は、基板本体の下面に形成された開口部と、この開口部に対して下方側に突没自在に設けられると共に当該開口部の上面に係止された状態で下方側に突出する係合子と、を備え、
    前記第２の基板は、前記係合子と係合する係合凹部を備えていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の計測用基板。
  5. 基板搬送機構により被処理基板が処理モジュール内に搬入され、処理が行われる基板処理装置において、
    被処理基板の処理状態に影響を及ぼす因子または基板の搬送動作に関わる因子の計測を行うためのセンサ部を有し、センサ部の被測定因子が互いに異なる複数種別の第１の基板と、この第１の基板の下に着脱自在に積層され、複数種別の第１の基板に対して共通化されている第２の基板と、を保管する保管部と、
    前記第１の基板を第２の基板に着脱するための着脱機構と、を備え、
    前記第２の基板は、前記センサ部にて計測して得られた計測信号を処理する信号処理部と、前記センサ部に給電するための電源部と、前記信号処理部にて処理されて得られた計測データを記憶するメモリ及び前記計測データを無線で送信するための通信部の少なくとも一方と、を含み、
    前記着脱機構により前記第１の基板に第２の基板を装着して構成された計測用基板は、前記基板搬送機構に受け渡されることを特徴とする基板処理装置。
  6. 基板搬送機構により被処理基板が処理モジュール内に搬入され、処理が行われる基板処理装置に対して、基板処理を行う前に計測用基板を用いて計測を行なう運転方法において、
    被処理基板の処理状態に影響を及ぼす因子または基板の搬送動作に関わる因子の計測を行うためのセンサ部を有する第１の基板の下方側に、前記センサ部にて計測して得られた計測信号を処理する信号処理部と、前記センサ部に給電するための電源部と、前記信号処理部にて処理されて得られた計測データを記憶するメモリ及び前記計測データを無線で送信するための通信部の少なくとも一方と、を含む第２の基板を積層して計測用基板を形成する工程と、
    前記計測用基板を前記基板搬送機構に受け渡して計測を行う工程と、
    しかる後、前記第１の基板を第２の基板から取り外し、被計測因子が当該第１の基板のセンサ部の被計測因子とは異なるセンサ部を有する別の種別の第１の基板を当該第２の基板に装着して計測用基板を形成する工程と、
    その後、前記計測用基板を前記基板搬送機構に受け渡して計測を行う工程と、を含むことを特徴とする基板処理装置の運転方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170003963A (ko) * 2014-06-03 2017-01-10 가부시키가이샤 덴소 풍향계, 풍향 풍량계 및 이동 방향 측정계
KR20170139649A (ko) 2015-06-02 2017-12-19 아사히 가세이 가부시키가이샤 분산체
KR20190008578A (ko) * 2016-06-15 2019-01-24 케이엘에이-텐코 코포레이션 고온 프로세스 애플리케이션에서 측정 파라미터를 획득하기 위한 캡슐화된 계장화 기판 장치
KR200489713Y1 (ko) * 2018-11-15 2019-07-25 이주빈 이동 설치가 용이한 포터블 조명기구
JP2021048415A (ja) * 2020-12-14 2021-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び測定用基板
JP2021081264A (ja) * 2019-11-18 2021-05-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 温度測定装置、温度測定システム、および温度測定装置を用いた温度測定方法
JP2022508112A (ja) * 2018-11-14 2022-01-19 サイバーオプティクス コーポレーション 改良されたウエハー状センサ

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11569138B2 (en) * 2015-06-16 2023-01-31 Kla Corporation System and method for monitoring parameters of a semiconductor factory automation system
KR101757815B1 (ko) * 2015-09-25 2017-07-14 세메스 주식회사 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
US10324104B2 (en) * 2016-01-04 2019-06-18 Bradley Charles Ashmore Device for measuring the speed and direction of a gas flow
NL2017773B1 (en) * 2016-11-11 2018-05-24 Suss Microtec Lithography Gmbh Positioning device
US20190008711A1 (en) * 2017-07-10 2019-01-10 Liko Research & Development Ab Slingbar with Multi-Sling Compatibility
KR102395191B1 (ko) 2017-10-12 2022-05-06 삼성전자주식회사 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법
US11181544B2 (en) 2020-02-20 2021-11-23 Bradley Charles Ashmore Configurable flow velocimeter
CN113777346B (zh) * 2021-08-23 2024-06-11 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 基于仿生汗毛模型的无线传输双向气流传感器及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005516400A (ja) * 2002-01-24 2005-06-02 センサレー コーポレイション 処理状況検知ウェハおよびデータ解析システム
JP2011253844A (ja) * 2010-05-31 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3696674B2 (ja) * 1995-12-15 2005-09-21 富士通株式会社 光ディスク装置、媒体キャリアおよび媒体ターンテーブル
JP4343151B2 (ja) 2004-08-11 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム
US8167522B2 (en) * 2005-03-30 2012-05-01 Brooks Automation, Inc. Substrate transport apparatus with active edge gripper
US20070272827A1 (en) * 2005-04-27 2007-11-29 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having mount holder attached to image sensor die
JP4607848B2 (ja) 2006-10-27 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板受け渡し位置の調整方法及び記憶媒体
JPWO2008105144A1 (ja) * 2007-02-28 2010-06-03 株式会社山武 センサ、センサの温度制御方法及び異常回復方法
EP2531772B1 (de) * 2010-08-10 2015-09-30 OSRAM GmbH Leiterplatte mit mindestens einer halbleiterlichtquelle, auflage für die leiterplatte, system aus der leiterplatte und der auflage sowie verfahren zum befestigen der leiterplatte an der auflage

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005516400A (ja) * 2002-01-24 2005-06-02 センサレー コーポレイション 処理状況検知ウェハおよびデータ解析システム
JP2011253844A (ja) * 2010-05-31 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170003963A (ko) * 2014-06-03 2017-01-10 가부시키가이샤 덴소 풍향계, 풍향 풍량계 및 이동 방향 측정계
KR101895302B1 (ko) * 2014-06-03 2018-09-05 가부시키가이샤 덴소 풍향계, 풍향 풍량계 및 이동 방향 측정계
KR20170139649A (ko) 2015-06-02 2017-12-19 아사히 가세이 가부시키가이샤 분산체
KR20190008578A (ko) * 2016-06-15 2019-01-24 케이엘에이-텐코 코포레이션 고온 프로세스 애플리케이션에서 측정 파라미터를 획득하기 위한 캡슐화된 계장화 기판 장치
KR102446462B1 (ko) * 2016-06-15 2022-09-21 케이엘에이 코포레이션 고온 프로세스 애플리케이션에서 측정 파라미터를 획득하기 위한 캡슐화된 계장화 기판 장치
US11823925B2 (en) 2016-06-15 2023-11-21 Kla Corporation Encapsulated instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications
JP2022508112A (ja) * 2018-11-14 2022-01-19 サイバーオプティクス コーポレーション 改良されたウエハー状センサ
JP7195427B2 (ja) 2018-11-14 2022-12-23 サイバーオプティクス コーポレーション 改良されたウエハー状センサ
KR200489713Y1 (ko) * 2018-11-15 2019-07-25 이주빈 이동 설치가 용이한 포터블 조명기구
JP2021081264A (ja) * 2019-11-18 2021-05-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 温度測定装置、温度測定システム、および温度測定装置を用いた温度測定方法
JP2021048415A (ja) * 2020-12-14 2021-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び測定用基板
JP7050139B2 (ja) 2020-12-14 2022-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び測定用基板

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