TW202225710A - 執行裝置及執行方法 - Google Patents

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薄優斗
畑中貴之
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

例示性實施方式之執行裝置具備動作裝置、加速度感測器及運算裝置。動作裝置係用以執行特定動作之裝置。加速度感測器能夠計測施加至執行裝置之加速度。運算裝置計測由加速度感測器計測之加速度成為基準範圍內之值起的經過時間，於加速度一直為基準範圍內之值並經過特定時間之情形時，使動作裝置執行特定動作。

Description

執行裝置及執行方法
本發明之例示性實施方式係關於一種執行裝置及執行方法。
日本專利特開2017-183683號公報中記載了一種執行測定靜電電容之動作之測定器。該測定器具備基底基板、第1感測器、第2感測器及電路基板。第1感測器具有沿著基底基板上表面之邊緣設置之第1電極。第2感測器具有固定於基底基板底面之第2電極。電路基板搭載於基底基板上，且連接於第1感測器及第2感測器。電路基板對第1電極及第2電極提供高頻信號，根據第1電極中之電壓振幅取得與靜電電容相應的第1測定值，根據第2電極中之電壓振幅取得與靜電電容相應的第2測定值。
一例示性實施方式中，提供一種由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送並執行特定動作之執行裝置。執行裝置具備動作裝置、加速度感測器及運算裝置。動作裝置係用以執行特定動作之裝置。加速度感測器能夠計測施加至執行裝置之加速度。運算裝置基於由加速度感測器計測之加速度，使動作裝置執行特定動作。運算裝置計測由加速度感測器計測之加速度為閾值以下起的經過時間，於加速度一直沒有超過閾值並經過特定時間之情形時，判定執行裝置已載置於半導體製造裝置之載置台，並使動作裝置執行特定動作。
以下，對各種例示性實施方式進行說明。
一例示性實施方式中，提供一種由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送而執行特定動作之執行裝置。執行裝置具備動作裝置、加速度感測器及運算裝置。動作裝置係用以執行特定動作之裝置。加速度感測器能夠計測施加至執行裝置之加速度。運算裝置計測從由加速度感測器計測之加速度為基準範圍內之值起的經過時間，於加速度一直為基準範圍內之值並經過特定時間之情形時，判定執行裝置已載置於半導體製造裝置之載置台，並使動作裝置執行特定動作。
上述實施方式之執行裝置中，可藉由設置於執行裝置之加速度感測器檢測施加至執行裝置之加速度。例如，於執行裝置正由半導體製造裝置之搬送裝置搬送之情形時，根據速度變化對執行裝置施加加速度。又，於執行裝置載置於載置台之狀態下，執行裝置靜止，加速度未施加至執行裝置。運算裝置可判定由搬送裝置引起之移動所產生的加速度是否被施加至執行裝置。於在加速度未超過基準範圍之狀態下，即由移動所產生的加速度未施加至執行裝置之狀態下經過特定時間之情形時，運算裝置可判定執行裝置已載置於載置台。基於該判斷，運算裝置使動作裝置執行特定動作。因此，能夠使動作裝置自動執行特定動作。
一例示性實施方式中，於從經過時間計測開始算起的特定時間內加速度超過基準範圍之情形時，運算裝置可停止經過時間之計測並回到初始狀態。
一例示性實施方式中，於藉由運算裝置使動作裝置執行特定動作後加速度超過基準範圍之情形時，運算裝置可判定執行裝置已從半導體製造裝置之載置台搬出，使動作裝置停止特定動作。
另一例示性實施方式中，提供一種使由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送之執行裝置執行特定動作的執行方法。該方法具備下述工序，即，計測施加至執行裝置之加速度，對所計測之加速度成為基準範圍內之值起的經過時間進行計測。又，該方法具備下述工序，即，於從經過時間計測開始加速度一直未超過基準範圍並經過特定時間之情形時，判定執行裝置已載置於半導體製造裝置之載置台，並使動作裝置執行特定動作。
一例示性實施方式中，執行方法可進而包含下述工序，即，於從經過時間計測開始算起的特定時間內加速度超過基準範圍之情形時，停止經過時間之計測並回到初始狀態。
一例示性實施方式中， 執行方法亦可進而包含下述工序，即，於動作裝置執行特定動作後加速度超過基準範圍之情形時，判定執行裝置已從半導體製造裝置之載置台搬出，使動作裝置停止特定動作。
一例示性實施方式中，加速度感測器可包含：第1加速度感測器，其能夠計測沿著水平方向之第1方向上的第1加速度；及第2加速度感測器，其能夠計測與沿著水平方向之第1方向正交之第2方向上的第2加速度。加速度可為第1加速度與第2加速度之合成值。
一例示性實施方式中，基準範圍可為從-0.005 m/s 2至0.005 m/s 2。
一例示性實施方式中，特定時間可為60 s以上。
一例示性實施方式中，特定動作可為靜電電容之測定。
以下，參照圖式對各種實施方式進行詳細說明。再者，各圖式中對相同或相當之部分附上相同之符號。
一例示性實施方式之執行裝置可藉由具有作為半導體製造裝置S1之功能之處理系統1搬送。首先，對具有用以處理被加工物之處理裝置及用以向該處理裝置搬送被加工物之搬送裝置之處理系統進行說明。圖1係例示處理系統之圖。處理系統1具備平台2a～2d、容器4a～4d、加載模組LM、對準機AN、加載鎖定模組LL1、LL2、製程模組PM1～PM6、傳輸模組TF及控制部MC。再者，平台2a～2d之個數、容器4a～4d之個數、加載鎖定模組LL1、LL2之個數及製程模組PM1～PM6之個數不受限定，可為一個以上之任意個數。
平台2a～2d沿著加載模組LM之一緣排列。容器4a～4d分別搭載於平台2a～2d上。容器4a～4d之各者為例如被稱作FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式單元匣)之容器。容器4a～4d之各者可構成為收容被加工物W。被加工物W具有如晶圓般之大致圓盤形狀。
加載模組LM具有於其內部區劃大氣壓狀態之搬送空間之腔室壁。該搬送空間內設置有搬送裝置TU1。搬送裝置TU1例如為多關節機械手，且由控制部MC控制。搬送裝置TU1構成為於容器4a～4d與對準機AN之間、對準機AN與加載鎖定模組LL1～LL2之間、加載鎖定模組LL1～LL2與容器4a～4d之間搬送被加工物W。
對準機AN與加載模組LM連接。對準機AN構成為進行被加工物W之位置調整(位置校準)。圖2係例示對準機之立體圖。對準機AN具有支持台6T、驅動裝置6D及感測器6S。支持台6T為能夠繞沿鉛直方向延伸的軸線旋轉的台座。支持台6T構成為支持被加工物W。支持台6T藉由驅動裝置6D旋轉。驅動裝置6D藉由控制部MC控制。當支持台6T藉由來自驅動裝置6D之動力而旋轉時，載置於該支持台6T上之被加工物W亦旋轉。
感測器6S為光學感測器。感測器6S於被加工物W旋轉期間檢測被加工物W之邊緣。感測器6S根據邊緣之檢測結果，檢測被加工物W之凹口WN(或者另一標記物)之角度位置相對於基準角度位置的偏移量及被加工物W之中心位置相對於基準位置的偏移量。感測器6S將凹口WN之角度位置之偏移量及被加工物W之中心位置之偏移量輸出至控制部MC。控制部MC基於凹口WN之角度位置之偏移量，算出用以將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置之支持台6T的旋轉量。控制部MC以使支持台6T旋轉該旋轉量之方式控制驅動裝置6D。藉此，可將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置。又，控制部MC基於被加工物W之中心位置之偏移量，來控制從對準機AN接收被加工物W時的搬送裝置TU1之末端效應器(end effector)的位置。藉此，被加工物W之中心位置與搬送裝置TU1之末端效應器上之特定位置一致。
回到圖1，加載鎖定模組LL1及加載鎖定模組LL2之各者設置於加載模組LM與傳輸模組TF之間。加載鎖定模組LL1及加載鎖定模組LL2之各者提供預備減壓室。
傳輸模組TF經由閘閥氣密地連接於加載鎖定模組LL1及加載鎖定模組LL2。傳輸模組TF提供能夠減壓之減壓室。該減壓室中設置有搬送裝置TU2。搬送裝置TU2為例如具有搬送臂TUa之多關節機械手。搬送裝置TU2由控制部MC控制。搬送裝置TU2構成為於加載鎖定模組LL1～LL2與製程模組PM1～PM6之間及製程模組PM1～PM6中任兩個製程模組間搬送被加工物W。
製程模組PM1～PM6經由閘閥氣密連接於傳輸模組TF。製程模組PM1～PM6之各者係構成為對被加工物W進行諸如電漿處理之專用處理的處理裝置。
該處理系統1中進行被加工物W之處理時的一連串動作例示如下。加載模組LM之搬送裝置TU1從容器4a～4d中之任一個取出被加工物W，並將該被加工物W搬送至對準機AN。接下來，搬送裝置TU1從對準機AN取出位置得以調整之被加工物W，並將該被加工物W搬送至加載鎖定模組LL1及加載鎖定模組LL2中之一加載鎖定模組。接下來，一加載鎖定模組將預備減壓室之壓力減壓至特定壓力。接下來，傳輸模組TF之搬送裝置TU2從一加載鎖定模組取出被加工物W，並將該被加工物W搬送至製程模組PM1～PM6中之任一個。然後，製程模組PM1～PM6中一個以上之製程模組對被加工物W進行處理。然後，搬送裝置TU2將處理後之被加工物W從製程模組搬送至加載鎖定模組LL1及加載鎖定模組LL2中之一加載鎖定模組。接下來，搬送裝置TU1將被加工物W從一加載鎖定模組搬送至容器4a～4d中之任一個。
該處理系統1如上述般具備控制部MC。控制部MC可為具備處理器、記憶體等記憶裝置、顯示裝置、輸入輸出裝置、通信裝置等之電腦。上述處理系統1之一連串動作係藉由控制部MC依據記憶裝置中記憶之程式對處理系統1各部之控制而實現。
圖3係表示可作為製程模組PM1～PM6中之任一個而採用之電漿處理裝置之一例之圖。圖3所示之電漿處理裝置10為電容耦合型電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置10具備大致圓筒形狀之腔室本體12。腔室本體12例如由鋁形成，其內壁面可被施以陽極氧化處理。該腔室本體12安全接地。
於腔室本體12之底部上設置有大致圓筒形狀之支持部14。支持部14例如由絕緣材料構成。支持部14設置於腔室本體12內。支持部14從腔室本體12之底部向上方延伸。又，由腔室本體12提供之腔室S內設置有載台ST。載台ST由支持部14支持。
載台ST具有下部電極LE及靜電吸盤ESC。下部電極LE包含第1板18a及第2板18b。第1板18a及第2板18b例如由鋁等金屬構成，且呈大致圓盤形狀。第2板18b設置於第1板18a上，且與第1板18a電性連接。
於第2板18b上設置有靜電吸盤ESC。靜電吸盤ESC具有將作為導電膜之電極配置於一對絕緣層或絕緣片材間的構造，且具有大致圓盤形狀。直流電源22經由開關23電性連接於靜電吸盤ESC之電極。該靜電吸盤ESC藉由因來自直流電源22之直流電壓而產生之庫倫力等靜電力來吸附被加工物W。藉此，靜電吸盤ESC可保持被加工物W。
於第2板18b之周緣部上設置有聚焦環FR。該聚焦環FR以包圍被加工物W之邊緣及靜電吸盤ESC之方式設置。聚焦環FR具有第1部分P1及第2部分P2(參照圖7)。第1部分P1及第2部分P2具有環狀板形狀。第2部分P2為較第1部分P1靠外側之部分。第2部分P2於高度方向上具有較第1部分P1更大的厚度。第2部分P2之內緣P2i具有較第1部分P1之內緣P1i之直徑更大的直徑。被加工物W以其邊緣區域位於聚焦環FR之第1部分P1上的方式載置於靜電吸盤ESC上。該聚焦環FR可由諸如矽、碳化矽、氧化矽之各種材料中的任一種形成。
於第2板18b之內部設置有冷媒流路24。冷媒流路24構成調溫機構。將冷媒從設置於腔室本體12之外部之冷卻器單元經由配管26a供給至冷媒流路24。供給至冷媒流路24之冷媒經由配管26b回到冷卻器單元。如此，冷媒於冷媒流路24與冷卻器單元之間循環。藉由控制該冷媒之溫度，來控制由靜電吸盤ESC支持之被加工物W之溫度。
載台ST形成有貫通該載台ST之複數個(例如三個)貫通孔25。複數個貫通孔25俯視時形成於靜電吸盤ESC之內側。複數個貫通孔25的各貫通孔25中插入有頂起銷25a。再者，圖3中描繪了插入有一根頂起銷25a之一個貫通孔25。頂起銷25a設置成於貫通孔25內能夠上下移動。藉由頂起銷25a之上升，支持於靜電吸盤ESC上之被加工物W上升。
於載台ST中俯視時較靜電吸盤ESC靠外側之位置，形成有貫通該載台ST(下部電極LE)之複數個(例如三個)貫通孔27。複數個貫通孔27的各貫通孔27中插入有頂起銷27a。再者，圖3中描繪了插入有一根頂起銷27a之一個貫通孔27。頂起銷27a設置成於貫通孔27內能夠上下移動。藉由頂起銷27a之上升，支持於第2板18b上之聚焦環FR上升。
又，電漿處理裝置10中設置有氣體供給管線28。氣體供給管線28將來自傳熱氣體供給機構之傳熱氣體，例如He氣體供給至靜電吸盤ESC之上表面與被加工物W之背面之間。
又，電漿處理裝置10具備上部電極30。上部電極30於載台ST之上方處與該載台ST對向配置。上部電極30隔著絕緣性遮蔽構件32支持於腔室本體12之上部。上部電極30可包含頂板34及支持體36。頂板34面向腔室S。該頂板34設置有複數個氣體噴出孔34a。該頂板34可由矽或石英形成。或者，頂板34可藉由於鋁製母材之表面形成諸如氧化釔之耐電漿性之膜而構成。
支持體36裝卸自如地支持頂板34。支持體36可由例如鋁等導電性材料構成。該支持體36可具有水冷構造。支持體36之內部設置有氣體擴散室36a。與氣體噴出孔34a連通之複數個氣體通流孔36b從該氣體擴散室36a向下方延伸。又，於支持體36形成有將處理氣體導入氣體擴散室36a之氣體導入口36c。該氣體導入口36c連接有氣體供給管38。
氣體源群40經由閥群42及流量控制器群44連接於氣體供給管38。氣體源群40包含複數種氣體用之複數個氣體源。閥群42包含複數個閥，流量控制器群44包含諸如質量流量控制器之複數個流量控制器。氣體源群40之複數個氣體源分別經由閥群42之對應之閥及流量控制器群44之對應之流量控制器連接於氣體供給管38。
又，電漿處理裝置10中，沿著腔室本體12之內壁裝卸自如地設置有積存物遮罩46。積存物遮罩46亦設置於支持部14之外周。積存物遮罩46防止蝕刻副產物(積存物)附著於腔室本體12。積存物遮罩46可藉由將氧化釔等陶瓷被覆於鋁材而構成。
於腔室本體12之底部側且支持部14與腔室本體12之側壁之間設置有排氣板48。排氣板48可藉由例如將氧化釔等陶瓷被覆於鋁材而構成。排氣板48中形成有在其板厚方向上貫通之複數個孔。於該排氣板48之下方且腔室本體12中設置有排氣口12e。排氣裝置50經由排氣管52而連接於排氣口12e。排氣裝置50具有壓力調整閥及渦輪分子泵等真空泵。排氣裝置50可將腔室本體12內之空間減壓至所需之真空度為止。又，於腔室本體12之側壁設置有被加工物W之搬入搬出口12g。該搬入搬出口12g能夠藉由閘閥54開閉。
又，電漿處理裝置10進而具備第1高頻電源62及第2高頻電源64。第1高頻電源62係產生電漿生成用之第1高頻之電源。第1高頻電源62產生例如具有27～100 MHz之頻率之高頻。第1高頻電源62經由匹配器66連接於上部電極30。匹配器66具有用以使第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(上部電極30側)之輸入阻抗匹配之電路。再者，第1高頻電源62可經由匹配器66連接於下部電極LE。
第2高頻電源64係產生用以將離子饋入至被加工物W之第2高頻之電源。第2高頻電源64例如產生400 kHz～13.56 MHz之範圍內之頻率之高頻。第2高頻電源64經由匹配器68連接於下部電極LE。匹配器68具有用以使第2高頻電源64之輸出阻抗與負載側(下部電極LE側)之輸入阻抗匹配之電路。
電漿處理裝置10將來自選自複數個氣體源中之一個以上之氣體源的氣體供給至腔室S。又，腔室S之壓力藉由排氣裝置50設定為特定壓力。進而，藉由來自第1高頻電源62之第1高頻激發腔室S內之氣體。藉此，生成電漿。然後，藉由所產生之活性種來處理被加工物W。再者，可視需要藉由基於第2高頻電源64之第2高頻之偏壓，將離子饋入至被加工物W。
繼而，對執行裝置進行說明。圖4係從上表面側觀察執行裝置所示之俯視圖。圖5係從底面側觀察執行裝置所示之俯視圖。一例之執行裝置100可為計測由處理系統1之搬送裝置搬送之位置之計測器。圖示例之執行裝置100藉由具有作為半導體製造裝置S1之功能之處理系統1的搬送裝置而搬送，執行靜電電容之計測作為特定動作。又，執行裝置100基於所計測出之靜電電容計測搬送位置。
圖4及圖5所示之執行裝置100具備基底基板102。基底基板102例如由矽形成，具有與被加工物W之形狀相同之形狀，即大致圓盤形狀。基底基板102之直徑為與被加工物W之直徑相同之直徑，例如為300 mm。執行裝置100之形狀及尺寸由該基底基板102之形狀及尺寸規定。因此，執行裝置100具有與被加工物W之形狀相同之形狀，且具有與被加工物W之尺寸相同之尺寸。又，於基底基板102之邊緣形成有凹口102N(或者另一標記物)。
於基底基板102設置有靜電電容測定用之複數個第1感測器104A～104C。複數個第1感測器104A～104C沿著基底基板102之邊緣等間隔地排列於例如該邊緣之全周。具體而言，複數個第1感測器104A～104C之各者以沿著基底基板102之上表面側之邊緣的方式設置。複數個第1感測器104A～104C之各自之前側端面沿著基底基板102之側面。
又，於基底基板102設置有靜電電容測定用之複數個第2感測器105A～105C。複數個第2感測器105A～105C沿著基底基板102之邊緣等間隔地排列於例如該邊緣之全周。具體而言，複數個第2感測器105A～105C之各者以沿基底基板之底面側之邊緣的方式設置。複數個第2感測器105A～105C之各者之感測器電極161沿著基底基板102之底面。又，第2感測器105A～105C與第1感測器104A～104C在圓周方向上以60°間隔交替排列。再者，以下之說明中，有時將第1感測器104A～104C及第2感測器105A～105C統稱為靜電電容感測器。
於基底基板102之上表面之中央設置有電路基板106。電路基板106與複數個第1感測器104A～104C之間設置有用以將彼此電性連接之配線群108A～108C。又，電路基板106與複數個第2感測器105A～105C之間設置有用以將彼此電性連接之配線群208A～208C。電路基板106、配線群108A～108C及配線群208A～208C由外罩103所覆蓋。
以下，對第1感測器進行詳細說明。圖6係表示感測器之一例之立體圖。圖7係沿著圖6之VII-VII線所得之剖視圖。圖6及圖7所示之第1感測器104係用作執行裝置100之複數個第1感測器104A～104C之感測器，一例中，作為晶片狀之零件而構成。再者，以下之說明中，適當參照XYZ正交座標系統。X方向表示第1感測器104之前方向，Y方向表示與X方向正交之一方向且第1感測器104之寬度方向，Z方向表示與X方向及Y方向正交之方向且第1感測器104之上方向。圖7中將聚焦環RF與第1感測器104一起示出。
第1感測器104具有電極141、屏蔽電極142、感測器電極143、基板部144及絕緣區域147。
基板部144例如由硼矽酸玻璃或石英形成。基板部144具有上表面144a、下表面144b及前側端面144c。屏蔽電極142設置於基板部144之下表面144b之下方，沿X方向及Y方向延伸。又，電極141隔著絕緣區域147設置於屏蔽電極142之下方，且於X方向及Y方向上延伸。絕緣區域147例如由SiO 2、SiN、Al 2O 3或聚醯亞胺形成。
基板部144之前側端面144c形成為梯狀。前側端面144c之下側部分144d較該前側端面144c之上側部分144u朝聚焦環FR之側突出。感測器電極143沿著前側端面144c之上側部分144u延伸。一例示性實施方式中，前側端面144c之上側部分144u及下側部分144d分別成為具有特定曲率之曲面。即，前側端面144c之上側部分144u於該上側部分144u之任意位置處具有固定之曲率，該上側部分144u之曲率為執行裝置100之中心軸線AX100與前側端面144c之上側部分144u之間之距離的倒數。又，前側端面144c之下側部分144d於該下側部分144d之任意位置處具有固定之曲率，該下側部分144d之曲率為執行裝置100之中心軸線AX100與前側端面144c之下側部分144d之間之距離的倒數。
感測器電極143沿著前側端面144c之上側部分144u設置。一例示性實施方式中，該感測器電極143之前表面143f亦成為曲面。即，感測器電極143之前表面143f於該前表面143f之任意位置處具有固定之曲率，該曲率為執行裝置100之中心軸線AX100與前表面143f之間之距離的倒數。
於將該第1感測器104用作執行裝置100之感測器之情形時，如後述般電極141連接於配線181，屏蔽電極142連接於配線182，感測器電極143連接於配線183。
第1感測器104中，感測器電極143藉由電極141及屏蔽電極142相對於第1感測器104之下方而遮蔽。因此，根據該第1感測器104，能夠於特定方向，即，感測器電極143之前表面143f所朝向的方向(X方向)上以高指向性測定靜電電容。
以下，對第2感測器進行詳細說明。圖8係圖5之局部放大圖，示出一個第2感測器。第2感測器105具有感測器電極161。感測器電極161之邊緣局部呈圓弧形狀。即，感測器電極161具有如下平面形狀，該平面形狀由具有以中心軸線AX100為中心之不同半徑的兩個圓弧即內緣161a及外緣161b所規定。複數個第2感測器105A～105C各自之感測器電極161中之徑向外側之外緣161b於共通之圓上延伸。又，複數個第2感測器105A～105C各自之感測器電極161中之徑向內側之內緣161a於另一共通圓上延伸。感測器電極161之邊緣之一部分曲率與靜電吸盤ESC之邊緣之曲率一致。一例示性實施方式中，感測器電極161中之形成徑向外側之邊緣之外緣161b之曲率與靜電吸盤ESC之邊緣之曲率一致。再者，外緣161b之曲率中心，即，外緣161b於其上延伸之圓之中心共有中心軸線AX100。
一例示性實施方式中，第2感測器105進而包含包圍感測器電極161之屏蔽電極162。屏蔽電極162呈框狀，跨感測器電極161之全周而包圍該感測器電極161。屏蔽電極162與感測器電極161以該等之間介置絕緣區域164之方式彼此相隔。又，一例示性實施方式中，第2感測器105進而包含有在屏蔽電極162之外側包圍該屏蔽電極162之電極163。電極163呈框狀，跨屏蔽電極162之全周而包圍該屏蔽電極162。屏蔽電極162與電極163以該等之間介置絕緣區域165之方式彼此相隔。
以下，對電路基板106之構成進行說明。圖9係例示測定器之電路基板之構成之圖。電路基板106具有高頻振盪器171、複數個C/V轉換電路172A～172C、複數個C/V轉換電路272A～272C、A/D轉換器173、處理器174、記憶裝置175、通信裝置176及電源177。一例中，由處理器174、記憶裝置175等構成運算裝置。又，電路基板106具有溫度感測器179。溫度感測器179將與檢測到的溫度相應之信號輸出至處理器174。例如，溫度感測器179可取得執行裝置100之周圍之環境溫度。
複數個第1感測器104A～104C之各者經由複數個配線群108A～108C中對應之配線群連接於電路基板106。又，複數個第1感測器104A～104C之各者經由對應之配線群所包含之一些配線，連接於複數個C/V轉換電路172A～172C中對應之C/V轉換電路。複數個第2感測器105A～105C之各者經由複數個配線群208A～208C中對應之配線群連接於電路基板106。又，複數個第2感測器105A～105C之各者經由對應之配線群所包含之一些配線，連接於複數個C/V轉換電路272A～272C中對應之C/V轉換電路。以下，對與第1感測器104A～104C之各者為相同構成之一個第1感測器104、與配線群108A～108C之各者為相同構成之一個配線群108、與C/V轉換電路172A～172C之各者為相同構成之一個C/V轉換電路172進行說明。又，對與第2感測器105A～105C之各者為相同構成之一個第2感測器105、與配線群208A～208C之各者為相同構成之一個配線群208及與C/V轉換電路272A～272C之各者為相同構成之一個C/V轉換電路272進行說明。
配線群108包含配線181～183。配線181之一端連接於電極141。該配線181連接於與電路基板106之接地G連接之接地電位線GL。再者，配線181可經由開關SWG連接於接地電位線GL。又，配線182之一端連接於屏蔽電極142，配線182之另一端連接於C/V轉換電路172。又，配線183之一端連接於感測器電極143，配線183之另一端連接於C/V轉換電路172。
配線群208包含配線281～283。配線281之一端連接於電極163。該配線281連接於與電路基板106之接地G連接之接地電位線GL。再者，配線281可經由開關SWG連接於接地電位線GL。又，配線282之一端連接於屏蔽電極162，配線282之另一端連接於C/V轉換電路272。又，配線283之一端連接於感測器電極161，配線283之另一端連接於C/V轉換電路272。
高頻振盪器171構成為連接於電池等電源177，接收來自該電源177之電力並產生高頻信號。再者，電源177亦連接於處理器174、記憶裝置175及通信裝置176。高頻振盪器171具有複數個輸出線。高頻振盪器171經由複數個輸出線將所產生之高頻信號提供給配線182及配線183以及配線282及配線283。因此，高頻振盪器171電性連接於第1感測器104之屏蔽電極142及感測器電極143，來自該高頻振盪器171之高頻信號被提供給屏蔽電極142及感測器電極143。又，高頻振盪器171電性連接於第2感測器105之感測器電極161及屏蔽電極162，來自該高頻振盪器171之高頻信號被提供給感測器電極161及屏蔽電極162。
與屏蔽電極142連接之配線182及與感測器電極143連接之配線183連接於C/V轉換電路172之輸入。即，第1感測器104之屏蔽電極142及感測器電極143連接於C/V轉換電路172之輸入。又，感測器電極161及屏蔽電極162分別連接於C/V轉換電路272之輸入。C/V轉換電路172及C/V轉換電路272構成為生成具有與其輸入中之電位差相應的振幅之電壓信號，並輸出該電壓信號。C/V轉換電路172生成與對應之第1感測器104所形成之靜電電容相應的電壓信號。即，連接於C/V轉換電路172之感測器電極之靜電電容越大，該C/V轉換電路172輸出之電壓信號之電壓之大小越大。同樣，連接於C/V轉換電路272之感測器電極之靜電電容越大，該C/V轉換電路272輸出之電壓信號之電壓之大小越大。
C/V轉換電路172及C/V轉換電路272之輸出連接於A/D轉換器173之輸入。又，A/D轉換器173連接於處理器174。A/D轉換器173被來自處理器174之控制信號控制，將C/V轉換電路172之輸出信號(電壓信號)及C/V轉換電路272之輸出信號(電壓信號)轉換為數位值，並作為檢測值輸出至處理器174。
記憶裝置175連接於處理器174。記憶裝置175為諸如揮發性記憶體之記憶裝置，例如，構成為記憶測定資料。又，另一記憶裝置178連接於處理器174。記憶裝置178為諸如非揮發性記憶體之記憶裝置，例如，記憶有由處理器174讀取並執行之程式。
通信裝置176係依據任意無線通信標準之通信裝置。例如，通信裝置176依據Bluetooth(註冊商標)。通信裝置176構成為無線發送記憶裝置175中記憶之測定資料。
處理器174構成為藉由執行上述程式控制執行裝置100之各部。例如，處理器174控制從高頻振盪器171對屏蔽電極142、感測器電極143、感測器電極161及屏蔽電極162之高頻信號的供給。又，處理器174控制從電源177對記憶裝置175之電力供給、從電源177對通信裝置176之電力供給等。進而，處理器174藉由執行上述程式，基於從A/D轉換器173輸入之檢測值取得第1感測器104之測定值及第2感測器105之測定值。一實施方式中，於將從A/D轉換器173輸出之檢測值設為X時，處理器174中，以測定值為與(a・X＋b)成比例之值的方式，基於檢測值取得測定值。此處，a及b為根據電路狀態等而變化之常數。處理器174例如可具有測定值為與(a・X＋b)成比例之值之特定的運算式(函數)。
以上說明之執行裝置100中，在執行裝置100配置於由聚焦環FR包圍之區域之狀態下，複數個感測器電極143及屏蔽電極142與聚焦環FR之內緣面對面。基於該等感測器電極143之信號與屏蔽電極142之信號之電位差生成之測定值表示靜電電容，該靜電電容反映了複數個感測器電極143各者與聚焦環FR之間的距離。再者，靜電電容C由C＝εS/d表示。ε可視作感測器電極143之前表面143f與聚焦環FR之內緣之間的介質之介電常數，S可視作感測器電極143之前表面143f之面積，d可視作感測器電極143之前表面143f與聚焦環FR之內緣之間的距離。
因此，根據執行裝置100，獲得反映了模擬被加工物W之該執行裝置100與聚焦環FR之相對位置關係的測定資料。例如，感測器電極143之前表面143f與聚焦環FR之內緣之間的距離越大，執行裝置100所取得之複數個測定值越小。因此，可基於表示第1感測器104A～104C之各者之感測器電極143的靜電電容之測定值，求出聚焦環FR之各徑向上之各感測器電極143的偏移量。然後，可根據各徑向上之第1感測器104A～104C各自之感測器電極143之偏移量，求出執行裝置100之搬送位置。
又，於執行裝置100載置於靜電吸盤ESC之狀態下，複數個感測器電極161及屏蔽電極162與靜電吸盤ESC面對面。如上述般，靜電電容C由C＝εS/d表示。ε為感測器電極161與靜電吸盤ESC之電極之間的介質之介電常數。d為感測器電極161與靜電吸盤ESC之電極之間之距離。S可視作俯視時感測器電極161與靜電吸盤ESC之電極彼此重疊之面積。面積S根據執行裝置100與靜電吸盤ESC之電極之相對位置關係而變化。因此，根據執行裝置100，獲得反映了模擬被加工物W之該執行裝置100與靜電吸盤ESC之相對位置關係之測定資料。
一例中，於執行裝置100被搬送至特定之搬送位置，即靜電吸盤ESC之中心與執行裝置100之中心一致之靜電吸盤ESC上之位置之情形時，感測器電極161中之外緣161b與靜電吸盤ESC之邊緣可一致。該情形時，例如，因執行裝置100之搬送位置偏離特定之搬送位置，感測器電極161相對於靜電吸盤ESC向徑向之外側偏移時，面積S減小。即，由感測器電極161測定之靜電電容小於執行裝置100被搬送至特定之搬送位置時之靜電電容。因此，可基於表示第2感測器105A～105C各自之感測器電極161之靜電電容之測定值，求出靜電吸盤ESC之各徑向上之各感測器電極161的偏移量。然後，可根據各徑向上之第2感測器105A～105C各自之感測器電極161之偏移量求出執行裝置100之搬送位置。
又，電路基板106具有加速度感測器190。加速度感測器190藉由檢測施加至執行裝置100之加速度，檢測處理系統1內之執行裝置100之搬送動作。一例之加速度感測器190至少包含第1加速度感測器190X及第2加速度感測器190Y而構成。
圖10係用以說明設置於執行裝置100之加速度感測器190之模式圖。圖10中，示出從上側觀察執行裝置100之模式性俯視圖。圖10中之Y軸通過執行裝置100之中心與凹口110N。X軸與Y軸正交，並且通過執行裝置100之中心。X軸與Y軸可為沿著平面彼此正交(交叉)之軸，該平面係沿著基底基板。
第1加速度感測器190X構成為檢測X軸方向上之加速度，第2加速度感測器190Y構成為檢測Y軸方向上之加速度。因此，於執行裝置100為水平之狀態下，能夠藉由第1加速度感測器190X檢測沿著水平方向之第1方向上的加速度。又，能夠藉由第2加速度感測器190Y檢測與沿著水平方向之第1方向交叉之第2方向上的加速度。
一例中，當第1加速度感測器190X檢測到施加至X軸之正方向之加速度時，輸出與加速度之大小相應的正檢測值，當檢測到施加至X軸之負方向之加速度時，輸出與加速度之大小相應的負檢測值。又，第2加速度感測器190Y於檢測到施加至Y軸之正方向之加速度時，輸出與加速度之大小相應的正檢測值，當檢測出施加至Y軸之負方向之加速度時，輸出與加速度之大小相應的負檢測值。
一例之執行裝置100中，來自第1加速度感測器190X及第2加速度感測器190Y之各檢測值被輸入至處理器174。處理器174將第1加速度感測器190X之檢測值與第2加速度感測器190Y之檢測值累加(合成)，導出累加值(合成值)。處理器174可基於累加值，判定執行裝置100是否已由搬送裝置搬送。
當在圖10所示之沿著X軸之方向D1、D2上搬送執行裝置100時，第2加速度感測器190Y中未實質檢測到加速度。因此，處理器174可僅將第1加速度感測器190X之檢測值作為累加值。同樣地，當在圖10所示之沿著Y軸之方向D3、D4上搬送執行裝置100時，處理器174可僅將第2加速度感測器190Y之檢測值作為累加值。又，當在X軸與Y軸之雙方為正方向之方向D5及X軸與Y軸之雙方為負方向之方向D6上搬送執行裝置時，可將檢測值按原樣相加所得之值作為累加值。
當在X軸為正方向且Y軸為負方向之方向D7及X軸為負方向且Y軸為正方向之方向D8上搬送執行裝置100時，第1加速度感測器190X之檢測值與第2加速度感測器190Y之檢測值之符號相反。因此，可將從第1加速度感測器190X之檢測值減去第2加速度感測器190Y之檢測值所得之值作為累加值。再者，第1加速度感測器190X之檢測值與第2加速度感測器190Y之檢測值只要不會因累加而抵消即可，因此可將從第2加速度感測器190Y之檢測值減去第1加速度感測器190X之檢測值所得之值作為累加值。
作為一例，當輸入至處理器174之兩個檢測值中之一個實質為零時，處理器174判定執行裝置100於方向D1、D2、D3、D4上搬送，可算出累加值。又，當輸入至處理器174之兩個檢測值之符號相同時，處理器174判定執行裝置100於方向D5、D6上搬送，可算出累加值。又，當輸入至處理器174之兩個檢測值之符號彼此不同時，處理器174判定執行裝置100於方向D7、D8上搬送，可算出累加值。
繼而，對執行裝置100中之動作控制進行說明。圖11係表示電源控制系統之電路之方塊圖。一例之執行裝置100中，基於由加速度感測器190計測之加速度，控制從電源177對感測器輸出取得電路(動作裝置)195之電力供給。感測器輸出取得電路195係用以取得來自靜電電容感測器之輸出信號之電路，包含上述高頻振盪器171與C/V轉換電路172、272。C/V轉換電路172、272包含放大電路172a、272a及濾波器電路172b、272b。放大電路172a、272a使輸入至C/V轉換電路172、272之來自感測器電極143、161之信號與來自屏蔽電極142、162之信號之電位差放大。又，濾波器電路172b、272b降低從放大電路172a、272a輸出之電壓信號之雜訊。一例中，放大電路172a、272a及濾波器電路172b、272b均包含運算放大器，藉由從電源177供給之電力而動作。
電源177與感測器輸出取得電路195經由開關198彼此電性連接。開關198具有可將電源177與感測器輸出取得電路195之間之路徑在電性連接之狀態與電性切斷之狀態間進行切換之功能。於連接有開關198之狀態下，從電源177對感測器輸出取得電路195供給電力。即，於連接有開關198之狀態下，第1感測器104A～104C及第2感測器105A～105C動作，可取得靜電電容。又，於切斷開關198之狀態下，停止從電源177對感測器輸出取得電路195供給電力。開關198可為例如電晶體般之電子式開關。
開關198之連接及切斷藉由處理器174控制。一例之執行裝置100如上述般，於載置於靜電吸盤ESC上之狀態下進行靜電電容之計測，執行搬送位置之計測。因此，處理器174於執行裝置100被載置於靜電吸盤ESC上之後將開關198從切斷狀態控制成連接狀態。
一例之處理器174計測由加速度感測器190計測之加速度為特定之基準範圍內之值起的經過時間。例如，處理器174可藉由內置之計時器計測經過時間。加速度之基準範圍為不包含搬送裝置TU1、TU2搬送期間施加至執行裝置100的加速度之值的範圍。即，當檢測到超過基準範圍之加速度時，認為執行裝置100正由搬送裝置TU1、TU2搬送。例如，基準範圍可定義為從正閾值到負閾值之範圍。作為一例，加速度之基準範圍可為-0.005 m/s 2至0.005 m/s 2之間之範圍。
於加速度一直未超過正負閾值並經過特定時間之情形時，處理器174判定執行裝置100已載置於處理系統1之靜電吸盤(載置台)ESC，將電源177與感測器輸出取得電路195之間之配線控制為電性連接之狀態。即，處理器174使執行裝置100執行靜電電容之取得(特定動作)。例如，於所計測之加速度一直在基準範圍內並經過60 s以上時，處理器174可控制成連接有開關198。
圖12係表示執行裝置之動作之一例之流程圖。圖12之例中，示出藉由處理系統1將執行裝置100搬送至靜電吸盤ESC(載置台)，並基於靜電吸盤ESC上取得之靜電電容取得位置資訊之動作。例如，處理系統1之搬送裝置以如下方式進行控制，即，將作為容器4a～4d之任一個之專用FOUP中所收容的執行裝置100載置於靜電吸盤ESC上，經過固定時間後使執行裝置100從靜電吸盤ESC上回到FOUP內。
圖12之例中，首先，藉由執行裝置100開始計測加速度(步驟ST1)。例如，執行裝置100可於收容在與處理系統1連接之專用FOUP之狀態下啟動。當執行裝置100啟動時，加速度感測器190動作，藉此來自加速度感測器190之信號被處理器174取得。再者，即使執行裝置100啟動，初始狀態下開關198仍為被切斷狀態。即，停止從電源177對感測器輸出取得電路195之電力供給。步驟ST1中，控制部MC以搬送裝置TU1、TU2將執行裝置100從FOUP搬送至製程模組PM內之靜電吸盤ESC上的方式控制處理系統1。
繼而，判定由加速度感測器190計測之加速度是否超過基準範圍(步驟ST2)。於執行裝置100載置於FOUP內時，由執行裝置100之加速度感測器190檢測之加速度處於基準範圍內。另一方面，當開始搬送執行裝置100時，藉由加速度感測器190計測超過基準範圍之加速度。步驟ST2中，當加速度感測器190之計測值處於基準範圍內時，判定未開始由搬送裝置搬送，並重複步驟ST2。
步驟ST2中，當判定由加速度感測器190計測之加速度超過基準範圍時，重設處理器174之計時器，成為用以計測加速度處於基準範圍內起的經過時間之待機狀態(步驟ST3)。
繼而，判定由加速度感測器190計測之加速度是否處於基準範圍內(步驟ST4)。於執行裝置100被搬送之狀態下加速度超過基準範圍。因此，於搬送執行裝置100期間，重複步驟ST4。另一方面，當搬送結束且執行裝置100載置於靜電吸盤ESC上時，由搬送引起之加速度不再對執行裝置100施加。即，步驟ST4中，判定加速度感測器190的計測值處於基準範圍內。
當加速度處於基準範圍內時，啟動處理器174之計時器，計測加速度處於基準範圍內起的經過時間(步驟ST5)。再者，因根據搬送之狀況，執行裝置100之搬送期間執行裝置100會暫時靜止等理由，可想到施加至執行裝置100之加速度處於基準範圍內。該情形時，由於執行裝置100實際上正處於搬送期間，因此必須避免判定執行裝置100載置於靜電吸盤ESC。因此，於經過時間之計測中，重複判定加速度是否處於基準範圍內(步驟ST6)。藉此，於加速度超過基準範圍時，回到步驟ST3並重設計時器。即，停止計時器對經過時間之計測，使計時器回到初始狀態。
步驟ST6中，當判定加速度處於基準範圍內時，判定加速度處於基準範圍內起的經過時間是否超過了設定時間(步驟ST7)。當經過時間未超過設定時間時，回到步驟ST6。當經過時間超過設定時間時，處理器174結束計時器(步驟ST8)，啟動靜電電容感測器(步驟ST9)。即，處理器174使開關198為連接狀態，從電源177對感測器輸出取得電路195供給電力。
繼而，藉由上述方法開始計測執行裝置100之搬送位置(步驟ST10)，計測靜電電容值(步驟ST11)。於計測靜電電容期間，判定由加速度感測器190計測之加速度是否超過基準範圍(步驟ST12)。即，判定藉由搬送裝置TU1、TU2將執行裝置100從靜電吸盤ESC搬送至FOUP之工序是否已開始。當判定加速度超過基準範圍時，停止靜電電容感測器(步驟ST13)。即，切斷開關198，停止從電源177對感測器輸出取得電路195供給電力。然後，表示所計測之位置計測之結果之資料例如被發送至外部之電腦，從而動作結束。
如以上說明，一例示性實施方式中，提供由設置於處理系統1之搬送裝置TU1、TU2搬送而執行特定動作之執行裝置100。執行裝置100具備作為動作裝置之第1感測器104及第2感測器105、加速度感測器190及處理器174。加速度感測器190計測施加至執行裝置100之加速度。處理器174對由加速度感測器190計測之加速度為基準範圍內之值起所經過之時間進行計測。於加速度一直為基準範圍內之值並經過特定時間之情形時，執行裝置100對感測器輸出取得電路195供給電力。即，藉由第1感測器104及第2感測器105執行靜電電容之計測。
上述執行裝置100中，可藉由加速度感測器190檢測施加至執行裝置100之加速度。例如，於執行裝置100正由處理系統1之搬送裝置TU1、TU2搬送之情形時，根據速度變化對執行裝置100施加加速度。又，於執行裝置100載置於靜電吸盤ESC之狀態下，執行裝置100靜止，且不對執行裝置100施加加速度。
處理器174可判定由搬送裝置TU1、TU2之移動所產生的加速度是否被施加至執行裝置100。於在加速度未超過基準範圍之狀態，即移動引起之加速度未施加至執行裝置100之狀態下經過特定時間之情形時，處理器174可判斷執行裝置100已載置於靜電吸盤ESC。基於該判斷，執行裝置100藉由第1感測器104及第2感測器105執行靜電電容之計測。如此，執行裝置100可自動執行特定動作。
於藉由第1感測器104及第2感測器105執行靜電電容之計測之情形時，必須對感測器輸出取得電路195供給電力。上述執行裝置100中，於搬送裝置TU1、TU2搬送執行裝置100期間，停止對感測器輸出取得電路195供給電力。因此，可減少執行裝置100中之電力消耗。
一例示性實施方式中，處理器174於從經過時間計測開始算起的特定時間內加速度超過基準範圍之情形時，可停止計測經過時間。例如，於由搬送裝置TU1、TU2搬送執行裝置100期間暫時停止搬送之情形時，處理器174開啟計時器並開始計測經過時間。即便於該情形時，由於當重新開始搬送時停止計測經過時間，因此可防止誤判定為執行裝置100已搬送至靜電吸盤ESC上。
一例示性實施方式中，於由第1感測器104及第2感測器105執行靜電電容之計測後加速度超過基準範圍之情形時，處理器174判定執行裝置100已從靜電吸盤ESC搬出。該情形時，為了使第1感測器104及第2感測器105停止計測靜電電容，而停止對感測器輸出取得電路195供給電力。藉由伴隨執行裝置100之搬出而停止對感測器輸出取得電路195之電力供給，可抑制消耗電力之增加。
一例示性實施方式中，加速度感測器190包含第1加速度感測器190X及第2加速度感測器190Y。第1加速度感測器190X計測沿著水平方向之第1方向上的第1加速度。第2加速度感測器190Y計測與沿著水平方向之第1方向正交之第2方向上的第2加速度。藉由具備第1加速度感測器190X及第2加速度感測器190Y，可確實地檢測出因搬送裝置TU1、TU2之搬送施加至執行裝置100的加速度。
一例示性實施方式中，基準範圍可為-0.005 m/s 2至0.005 m/s 2之間之範圍。該構成中，可適當判定執行裝置100是否已由搬送裝置TU1、TU2搬送。
一例示性實施方式中，步驟ST7之設定時間可為60 s以上。例如，即使於搬送裝置TU1、TU2搬送執行裝置100期間暫時停止搬送，普通半導體製造裝置中要在60 s經過之前重新開始搬送。因此，即使處理器174誤開啟計時器，亦可防止誤判定為執行裝置100已搬送至靜電吸盤ESC上。再者，處理系統1之搬送裝置以如下方式進行控制，即，於將執行裝置100載置於靜電吸盤ESC上後經過上述設定時間以上的固定時間後，使執行裝置100從靜電吸盤ESC上回到FOUP內。
一例示性實施方式中，執行裝置100可執行靜電電容之測定。再者，執行裝置100可具有發出彼此不同波長之光之複數個光源及拍攝執行裝置之周圍之攝像裝置等，來作為執行特定動作之動作裝置。即，執行裝置100於圖12中之步驟ST8之後，可開始對上述複數個光源供給電力，亦可使上述攝像裝置啟動。
以上，已對例示性實施方式進行了說明，但不限定於上述例示性實施方式，可進行各種省略、置換及變更。
例如，執行裝置100亦可進而包含有在與X軸及Y軸雙方正交之Z軸方向上檢測加速度之第3加速度感測器。
又，由加速度感測器輸出之加速度可由絕對值表示。例如，第1加速度感測器190X之檢測值與第2加速度感測器190Y之檢測值之累加值可為由第1加速度感測器190X計測之加速度與由第2加速度感測器190Y計測之加速度之向量之和的絕對值。該情形時，加速度之基準範圍可定義為從零到正閾值之範圍。
根據以上之說明可理解，本發明之各種實施方式於本說明書中進行說明係為了說明之目的，在不脫離本發明之範圍及主旨之情況下可進行各種變更。因此，本說明書中揭示之各種實施方式並非旨在進行限定，真實範圍及主旨由隨附申請專利範圍而表示。
1:處理系統 2a～2d:平台 4a～4d:容器 6D:驅動裝置 6S:感測器 6T:支持台 10:電漿處理裝置 12:腔室本體 12e:排氣口 12g:搬入搬出口 14:支持部 18a:第1板 18b:第2板 22:直流電源 23:開關 24:冷媒流路 25:貫通孔 25a:頂起銷 26a,26b:配管 27:貫通孔 27a:頂起銷 28:氣體供給管線 30:上部電極 32:遮蔽構件 34:頂板 34a:氣體噴出孔 36:支持體 36a:氣體擴散室 36b:氣體通流孔 36c:氣體導入口 38:氣體供給管 40:氣體源群 42:閥群 44:流量控制器群 46:積存物遮罩 48:排氣板 50:排氣裝置 52:排氣管 54:閘閥 62:第1高頻電源 64:第2高頻電源 66:匹配器 68:匹配器 100:執行裝置 102:基底基板 102N:凹口 103:外罩 104,104A~104C:第1感測器 105,105A~105C:第2感測器 106:電路基板 108A~108C:配線群 110N:凹口 141:電極 142:屏蔽電極 143:感測器電極 143f:前表面 144:基板部 144a:上表面 144b:下表面 144c:前側端面 144d:下側部分 144u:上側部分 147:絕緣區域 161:感測器電極 161a:內緣 161b:外緣 162:屏蔽電極 163:電極 164:絕緣區域 165:絕緣區域 171:高頻振盪器 172,172A~172C:C/V轉換電路 172a,272a:放大電路 172b,272b:濾波器電路 173:A/D轉換器 174:處理器 175:記憶裝置 176:通信裝置 177:電源 178:記憶裝置 179:溫度感測器 181~183:配線 190:加速度感測器 190X:第1加速度感測器 190Y:第2加速度感測器 195:感測器輸出取得電路 198:開關 208A~208C:配線群 272,272A~272C:C/V轉換電路 281~283:配線 AN:對準機 AX100:中心軸線 D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7,D8:方向 ESC:靜電吸盤 G:接地 GL:接地電位線 LE:下部電極 LL1,LL2:加載鎖定模組 LM:加載模組 MC:控制部 PM1~PM6:製程模組 P1:第1部分 P1i:內緣 P2:第2部分 P2i:內緣 RF:聚焦環 S:腔室 S1:半導體製造裝置 ST:載台 SWG:開關 TF:傳輸模組 TUa:搬送臂 TU1:搬送裝置 TU2:搬送裝置 W:被加工物 WN:凹口 X,Y,Z:軸
圖1係例示處理系統之圖。 圖2係例示對準機之立體圖。 圖3係表示電漿處理裝置之一例之圖。 圖4係從上表面側觀察一例之測定器所示之俯視圖。 圖5係從底面側觀察一例之測定器所示之俯視圖。 圖6係表示第1感測器之一例之立體圖。 圖7係沿著圖6之VII-VII線所得之剖視圖。 圖8係圖5之第2感測器之放大圖。 圖9係例示測定器之電路基板之構成之圖。 圖10係用以說明一例之執行裝置之加速度感測器之模式圖。 圖11係表示電源控制系統之電路之一例之方塊圖。 圖12係表示執行裝置之動作方法之一例之流程圖。
171:高頻振盪器
172:C/V轉換電路
172a,272a:放大電路
172b,272b:濾波器電路
173:A/D轉換器
174:處理器
177:電源
190:加速度感測器
190X:第1加速度感測器
190Y:第2加速度感測器
195:感測器輸出取得電路
198:開關
272:C/V轉換電路

Claims (14)

  1. 一種執行裝置，其係由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送而執行特定動作，且包括： 動作裝置，其用以執行上述特定動作； 加速度感測器，其能夠計測施加至上述執行裝置之加速度；及 運算裝置，其計測上述加速度感測器計測之上述加速度成為基準範圍內之值起的經過時間，於上述加速度一直為上述基準範圍內之值並經過特定時間之情形時，判定上述執行裝置已載置於上述半導體製造裝置之載置台，並使上述動作裝置執行上述特定動作。
  2. 如請求項1之執行裝置，其中 上述運算裝置於從上述經過時間計測開始算起的上述特定時間內上述加速度超過上述基準範圍之情形時，停止上述經過時間之計測並回到初始狀態。
  3. 如請求項1或2之執行裝置，其中 上述加速度感測器包含： 第1加速度感測器，其能夠計測沿著水平方向之第1方向上之第1加速度；及 第2加速度感測器，其能夠計測與沿著水平方向之上述第1方向正交之第2方向上之第2加速度； 上述加速度為上述第1加速度與上述第2加速度之合成值。
  4. 如請求項1至3中任一項之執行裝置，其中 於藉由上述運算裝置使上述動作裝置執行特定動作後上述加速度超過上述基準範圍之情形時，上述運算裝置判定上述執行裝置已從上述半導體製造裝置之載置台搬出，使上述動作裝置停止上述特定動作。
  5. 如請求項1至4中任一項之執行裝置，其中 上述基準範圍為-0.005 m/s 2至0.005 m/s 2之間之範圍。
  6. 如請求項1至5中任一項之執行裝置，其中 上述特定時間為60 s以上。
  7. 如請求項1至6中任一項之執行裝置，其中 上述特定動作係靜電電容之測定。
  8. 一種執行方法，其係使由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送之執行裝置執行特定動作，且包括下述工序： 藉由計測施加至上述執行裝置之加速度，來計測施加至上述執行裝置之上述加速度成為基準範圍內之值起的經過時間； 於從上述經過時間計測開始上述加速度一直未超過上述基準範圍並經過特定時間之情形時，判定上述執行裝置已載置於上述半導體製造裝置之載置台，且使上述特定動作執行。
  9. 如請求項8之執行方法，其進而包括下述工序，即，於從上述經過時間計測開始算起的上述特定時間內上述加速度超過上述基準範圍之情形時，停止上述經過時間之計測並回到初始狀態。
  10. 如請求項8或9之執行方法，其中 上述加速度係沿著水平方向之第1方向上之第1加速度和與沿著水平方向之上述第1方向正交之第2方向上之第2加速度之合成值。
  11. 如請求項8至10中任一項之執行方法，其進而包括下述工序，即，於上述執行裝置執行特定動作後上述加速度超過上述基準範圍之情形時，判定上述執行裝置已從上述半導體製造裝置之載置台搬出，且使上述特定動作停止。
  12. 如請求項8至11中任一項之執行方法，其中 上述基準範圍為-0.005 m/s 2至0.005 m/s 2之間之範圍。
  13. 如請求項8至12中任一項之執行方法，其中 上述特定時間為60 s以上。
  14. 如請求項8至13中任一項之執行方法，其中 上述特定動作係靜電電容之測定。
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