TW202346855A - 測定方法、測定器及測定系統 - Google Patents

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TW202346855A TW112106128A TW112106128A TW202346855A TW 202346855 A TW202346855 A TW 202346855A TW 112106128 A TW112106128 A TW 112106128A TW 112106128 A TW112106128 A TW 112106128A TW 202346855 A TW202346855 A TW 202346855A
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畑中貴之
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之例示性實施方式之測定方法包含於第1時間藉由溫度感測器獲取溫度，並且獲取設定相位調整電路之導納之第1參數之工序。測定方法包含獲取與於第1時間獲取之溫度對應之第2參數之工序。第2參數係基於預先記憶之第2參數群而產生。測定方法包含藉由基於第1參數與第2參數，以與第1參數對應之方式修正第2參數群，而獲取修正參數群之工序。

Description

測定方法、測定器及測定系統
本發明之例示性實施方式係關於一種測定器。
於日本專利特開2020-190539號公報中記載有靜電電容測定用之測定器。該測定器記憶有用於在複數個溫度之各溫度下調整複數個相位調整電路各自之導納的參數，使用與溫度感測器所檢測出之溫度對應之參數來調整導納。
於一例示性實施方式中，提供一種對測定器與對象物之間之靜電電容進行測定之測定方法。測定器具備基底基板、感測器電極、溫度感測器、高頻振盪器、C/V(current/voltage，電流/電壓)轉換電路、及相位調整電路。基底基板呈圓盤狀。感測器電極設置於基底基板。溫度感測器設置於基底基板。高頻振盪器設為對感測器電極賦予高頻信號。C/V轉換電路產生與感測器電極形成之靜電電容對應之電壓信號。相位調整電路連接於感測器電極與高頻振盪器之間。C/V轉換電路具有包含運算放大器之放大電路。高頻振盪器係以將高頻信號輸入至運算放大器之非反相輸入端子之方式連接於非反相輸入端子，且經由相位調整電路連接於運算放大器之反相輸入端子。測定方法包含如下工序，即，於第1時間藉由溫度感測器獲取溫度，並且獲取第1參數，第1參數設定相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。測定方法包含如下工序，即，獲取設定與於第1時間獲取之溫度對應之相位調整電路之導納之第2參數。第2參數係基於預先記憶之第2參數群而產生，第2參數群與複數個溫度分別建立對應地設定相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。測定方法包含如下工序，即，基於第1參數與第2參數，以與第1參數對應之方式修正第2參數群，藉此獲取修正參數群。測定方法包含如下工序，即，於第1時間之後之第2時間，基於修正參數群獲取與溫度感測器重新獲取之溫度對應之修正參數。測定方法包含如下工序，即，藉由使用所獲取之修正參數設定相位調整電路之導納，而將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。
以下，對各種例示性實施方式進行說明。
於一例示性實施方式中，提供一種對測定器與對象物之間之靜電電容進行測定之測定方法。測定器具備基底基板、感測器電極、溫度感測器、高頻振盪器、C/V轉換電路、及相位調整電路。基底基板呈圓盤狀。感測器電極設置於基底基板。溫度感測器設置於基底基板。高頻振盪器設為對感測器電極賦予高頻信號。C/V轉換電路產生與感測器電極形成之靜電電容對應之電壓信號。相位調整電路連接於感測器電極與高頻振盪器之間。C/V轉換電路具有包含運算放大器之放大電路。高頻振盪器係以將高頻信號輸入至運算放大器之非反相輸入端子之方式連接於非反相輸入端子，且經由相位調整電路連接於運算放大器之反相輸入端子。測定方法包含如下工序，即，於第1時間藉由溫度感測器獲取溫度，並且獲取第1參數，第1參數設定相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。測定方法包含如下工序，即，獲取設定與於第1時間獲取之溫度對應之相位調整電路之導納之第2參數。第2參數係基於預先記憶之第2參數群而產生，第2參數群與複數個溫度分別建立對應地設定相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。測定方法包含如下工序，即，基於第1參數與第2參數，以與第1參數對應之方式修正第2參數群，藉此獲取修正參數群。測定方法包含如下工序，即，於第1時間之後之第2時間，基於修正參數群獲取與溫度感測器重新獲取之溫度對應之修正參數。測定方法包含如下工序，即，藉由使用所獲取之修正參數設定相位調整電路之導納，而將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。
於一例示性實施方式中，提供一種測定器。測定器具備基底基板、感測器電極、溫度感測器、高頻振盪器、C/V轉換電路、A/D(analogue/digital，類比/數位)轉換器、運算裝置、及相位調整電路。基底基板呈圓盤狀。感測器電極設置於基底基板。溫度感測器設置於基底基板。高頻振盪器設為對感測器電極賦予高頻信號。C/V轉換電路產生與感測器電極形成之靜電電容對應之電壓信號。A/D轉換器將自C/V轉換電路輸出之電壓信號轉換成數位值。運算裝置基於自A/D轉換器輸出之數位值，計算表示感測器電極形成之靜電電容之測定值。相位調整電路連接於感測器電極與高頻振盪器之間。C/V轉換電路具有包含運算放大器之放大電路。高頻振盪器係以將高頻信號輸入至運算放大器之非反相輸入端子之方式連接於非反相輸入端子，且經由相位調整電路連接於運算放大器之反相輸入端子。運算裝置係於第1時間藉由溫度感測器獲取溫度，並且獲取第1參數，第1參數設定相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。運算裝置獲取設定與於第1時間獲取之溫度對應之相位調整電路之導納之第2參數。第2參數係基於預先記憶之第2參數群而獲取，第2參數群與複數個溫度分別建立對應地設定相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。運算裝置基於第1參數與第2參數，以與第1參數對應之方式修正第2參數群，藉此獲取修正參數群。運算裝置係於第1時間之後之第2時間，基於修正參數群獲取與溫度感測器重新獲取之溫度對應之修正參數。運算裝置藉由使用所獲取之修正參數設定相位調整電路之導納，而將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。
於一例示性實施方式中，提供一種測定系統。測定系統具備處理系統、測定器、以及控制處理系統及測定器之動作之1個或複數個控制裝置。處理系統具有製程模組、傳送模組、及保管裝置。製程模組包含提供第1腔室之腔室本體、及設置於第1腔室內之載台。製程模組具有供載置測定器之載台、及配置於載台上之邊緣環。邊緣環包圍供載置測定器之載置區域。傳送模組氣密地連接於製程模組。傳送模組具有構成為能夠減壓之減壓室、及設置於減壓室且基於搬送位置資料搬送測定器之搬送裝置。保管裝置氣密地連接於減壓室。保管裝置具有於內側保管測定器之第2腔室。測定器具備基底基板、感測器電極、溫度感測器、高頻振盪器、C/V轉換電路、A/D轉換器、及相位調整電路。基底基板呈圓盤狀。感測器電極設置於基底基板。溫度感測器設置於基底基板。高頻振盪器設為對感測器電極賦予高頻信號。C/V轉換電路產生與感測器電極形成之靜電電容對應之電壓信號。A/D轉換器將自C/V轉換電路輸出之電壓信號轉換成數位值。相位調整電路連接於感測器電極與高頻振盪器之間。C/V轉換電路具有包含運算放大器之放大電路。高頻振盪器係以將高頻信號輸入至運算放大器之非反相輸入端子之方式連接於非反相輸入端子，且經由相位調整電路連接於運算放大器之反相輸入端子。1個或複數個控制裝置係於第1時間藉由溫度感測器獲取溫度，並且獲取第1參數，第1參數設定相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。1個或複數個控制裝置獲取設定與於第1時間獲取之溫度對應之相位調整電路之導納之第2參數。第2參數係基於預先記憶之第2參數群而獲取，第2參數群與複數個溫度分別建立對應地設定相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。1個或複數個控制裝置基於第1參數與第2參數，以與第1參數對應之方式修正第2參數群，藉此獲取修正參數群。1個或複數個控制裝置係於第1時間之後之第2時間，基於修正參數群獲取與溫度感測器重新獲取之溫度對應之修正參數。1個或複數個控制裝置藉由使用所獲取之修正參數設定相位調整電路之導納，而將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。1個或複數個控制裝置係於自C/V轉換電路輸出之電壓信號已調整為基準點之狀態下，基於自A/D轉換器輸出之數位值，計算表示感測器電極形成之靜電電容之測定值。
於上述實施方式中，高頻振盪器以將高頻信號輸入至運算放大器之非反相輸入端子之方式連接於非反相輸入端子，且經由相位調整電路連接於運算放大器之反相輸入端子。因此，藉由調整相位調整電路之導納而調整自複數個C/V轉換電路輸出之電壓信號之大小。自複數個C/V轉換電路輸出之電壓信號之大小會因周圍之溫度等而變動。因此，於測定器中獲取第1參數，第1參數設定與第1時間之溫度對應之相位調整電路之導納，以將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。另一方面，測定器預先記憶有設定相位調整電路之導納之第2參數群，基於第2參數群獲取與第1時間之溫度對應之第2參數。由於第1參數與第2參數對應於相同溫度，故理應為相同值。但是，可能會因獲取第1參數時與獲取第2參數群時之測定器之狀態之差異而導致2個值互不相同。因此，測定器藉由基於第1參數與第2參數對第2參數群進行修正，而獲取與複數個溫度對應之修正參數群。由於使用該修正參數群調整導納，故能夠根據此時之測定器之狀態及環境溫度而容易地調整電壓信號。
於一例示性實施方式中，獲取修正參數群之工序亦可計算第1參數與第2參數之差量，使用算出之差量來調整構成第2參數群之與複數個溫度對應之複數個參數。於該構成中，能夠統一修正作為第2參數之要素之複數個參數。
於一例示性實施方式中，獲取第2參數之工序亦可基於對構成第2參數群之與複數個溫度對應之複數個參數進行線性插值所得之資料，獲取與於第1時間獲取之溫度對應之第2參數。於該構成中，即便不獲取大量資料作為第2參數群，亦能夠基於資料間進行線性插值所得之資料而獲取第2參數，因此，能夠減少構成第2參數群之要素之數量。
於一例示性實施方式中，第2參數群亦可由在濕度10%以下之環境下持續放置了1天以上之測定器獲取。於該構成中，能夠以接近測定器之使用環境之狀態獲取第2參數群。
於一例示性實施方式中，傳送模組宜能夠將配置於載台上之邊緣環更換成其他邊緣環。1個或複數個控制裝置能夠以如下方式控制傳送模組，即，於將邊緣環更換成其他邊緣環之後，將測定器載置於載台上之由其他邊緣環包圍之區域。於該構成中，於更換邊緣環之後藉由測定器確認邊緣環之搬送位置。
於一例示性實施方式中，測定器宜於保管裝置之第2腔室內保管在除濕環境下。於該構成中，能夠以接近使用環境之狀態保管測定器。
於一例示性實施方式中，1個或複數個控制裝置能夠基於算出之表示靜電電容之測定值而求出測定器之中心相對於邊緣環之中心之偏移量。1個或複數個控制裝置能夠以如下方式控制傳送模組，即，基於該偏移量校準搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料搬送被加工物。於該構成中，能夠提高基於傳送模組之搬送位置之精度。
於一例示性實施方式中，1個或複數個控制裝置能夠基於算出之表示靜電電容之測定值而求出測定器之中心相對於載置區域之中心之偏移量。1個或複數個控制裝置能夠以如下方式控制傳送模組，即，基於該偏移量校準搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料搬送被加工物。於該構成中，能夠提高基於傳送模組之搬送位置之精度。
於一例示性實施方式中，1個或複數個控制裝置能夠基於算出之表示靜電電容之測定值而求出邊緣環之中心相對於載置區域之中心之偏移量。1個或複數個控制裝置能夠以如下方式控制傳送模組，即，基於該偏移量校準搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料變更邊緣環之載置位置。於該構成中，能夠提高基於傳送模組之搬送位置之精度。
於一例示性實施方式中，製程模組可包含使邊緣環上升之頂起銷。1個或複數個控制裝置能夠於變更邊緣環之載置位置時，以頂起銷使邊緣環上升之方式控制製程模組。1個或複數個控制裝置能夠以接收藉由頂起銷而上升之邊緣環且基於校準後之搬送位置資料再次將所接收之邊緣環載置於載台上之方式，控制傳送模組。於該構成中，能夠提高邊緣環之搬送位置之精度。
以下，參照圖式對各種實施方式詳細地進行說明。再者，對各圖式中相同或相當之部分標註相同符號。
一例示性實施方式之測定器可由具有作為搬送系統S1之功能之處理系統1搬送。首先，對具有用於處理被加工物之處理裝置、及用於將被加工物搬送至該處理裝置之搬送裝置的處理系統進行說明。圖1係例示處理系統之圖。處理系統1具備台2a～2d、容器4a～4d、裝載器模組LM、對準器AN、裝載閉鎖模組LL1、LL2、製程模組PM1～PM6、傳送模組TF、控制部MC及保管裝置5。再者，台2a～2d之個數、容器4a～4d之個數、裝載閉鎖模組LL1、LL2之個數、及製程模組PM1～PM6之個數不受限定，可為一個以上之任意個數。
台2a～2d沿著裝載器模組LM之一緣排列。容器4a～4d分別搭載於台2a～2d上。各容器4a～4d例如係稱為FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒)之容器。各容器4a～4d可構成為收容被加工物W。被加工物W如晶圓般具有大致圓盤形狀。
裝載器模組LM具有於其內部劃分形成大氣壓狀態之搬送空間之腔室壁。於該搬送空間內設置有搬送裝置TU1。搬送裝置TU1例如係多關節機械臂，且由控制部MC控制。搬送裝置TU1構成為於容器4a～4d與對準器AN之間、對準器AN與裝載閉鎖模組LL1～LL2之間、裝載閉鎖模組LL1～LL2與容器4a～4d之間搬送被加工物W。
對準器AN與裝載器模組LM連接。對準器AN構成為進行被加工物W之位置之調整(位置之校準)。圖2係例示對準器之立體圖。對準器AN具有支持台6T、驅動裝置6D、及感測器6S。支持台6T係能夠以沿鉛直方向延伸之軸線為中心而旋轉之台。支持台6T構成為於其上支持被加工物W。支持台6T藉由驅動裝置6D而旋轉。驅動裝置6D由控制部MC控制。若支持台6T藉由來自驅動裝置6D之動力而旋轉，則載置於該支持台6T上之被加工物W亦旋轉。
感測器6S係光學感測器。感測器6S係於被加工物W旋轉之期間，檢測被加工物W之邊緣。感測器6S根據邊緣之檢測結果，檢測被加工物W之凹口WN(或其他標記)之角度位置相對於基準角度位置之偏移量、及被加工物W之中心位置相對於基準位置之偏移量。感測器6S將凹口WN之角度位置之偏移量及被加工物W之中心位置之偏移量輸出至控制部MC。控制部MC基於凹口WN之角度位置之偏移量，計算用於將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置之支持台6T之旋轉量。控制部MC控制驅動裝置6D，以使支持台6T按照該旋轉量旋轉。藉此，能夠將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置。又，控制部MC基於被加工物W之中心位置之偏移量而控制自對準器AN接收被加工物W時之搬送裝置TU1之末端效應器(end effector)之位置。藉此，被加工物W之中心位置與搬送裝置TU1之末端效應器上之規定位置一致。
返回至圖1，裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2分別設置於裝載器模組LM與傳送模組TF之間。裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2分別提供預減壓室。
傳送模組TF經由閘閥而氣密地連接於裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2。傳送模組TF提供能夠減壓之減壓室。於該減壓室設置有搬送裝置TU2。搬送裝置TU2例如係具有搬送臂TUa之多關節機械臂。搬送裝置TU2由控制部MC控制。搬送裝置TU2構成為於裝載閉鎖模組LL1～LL2與製程模組PM1～PM6之間、及製程模組PM1～PM6中之任意兩個製程模組間搬送被加工物W。
製程模組PM1～PM6經由閘閥氣密地連接於傳送模組TF。各製程模組PM1～PM6係構成為對被加工物W進行電漿處理等專用處理之處理裝置。
保管裝置5能夠於經除濕之環境下保管下述之測定器100。如圖1所示，保管裝置5包含：腔室5a(第2腔室)，其提供能夠密閉之內部空間；氣體供給裝置5b，其經由閥連接於腔室5a；及排氣裝置5c，其連接於腔室5a。作為一例之保管裝置5亦可與裝載器模組LM鄰接設置。於該情形時，腔室5a宜經由可供測定器100通過之閘門而連接於裝載器模組LM之搬送空間。於閘門打開之狀態下，腔室5a內之空間與裝載器模組LM內之搬送空間連接。於閘門關閉之狀態下，能夠使腔室5a內之空間密閉。測定器100可於腔室5a之閘門打開之狀態下由搬送裝置TU1搬送。例如，搬送裝置TU1可經由裝載器模組LM而於裝載閉鎖模組LL1～LL2與腔室5a之間搬送測定器100。
氣體供給裝置5b能夠將不含水分之沖洗氣體供給至腔室5a內。沖洗氣體例如可為氮氣等惰性氣體。排氣裝置5c係用於將腔室5a內之氣體排出至外部之裝置。作為一例，排氣裝置5c可為能夠將腔室5a內減壓至所期望之真空度之真空泵。
例如，藉由自氣體供給裝置5b將沖洗氣體供給至腔室5a內，而腔室5a之內部空間能夠成為除濕環境。又，藉由利用排氣裝置5c將腔室5a之內部空間抽真空，而腔室5a之內部空間能夠成為除濕環境。作為一例，腔室5a之內部空間宜調整為極限真空度為10 mTorr左右之真空除濕環境。除濕環境係指空間中之濕度為10%以下。再者，亦可藉由在腔室5a內配置矽膠等除濕劑而實現腔室5a內之除濕環境。
於該處理系統1中進行被加工物W之處理時之一系列動作例示如下。裝載器模組LM之搬送裝置TU1自容器4a～4d之任一者取出被加工物W，並將該被加工物W搬送至對準器AN。繼而，搬送裝置TU1將位置已被調整之被加工物W自對準器AN取出，並將該被加工物W搬送至裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2中之一裝載閉鎖模組。繼而，一裝載閉鎖模組將預減壓室之壓力減壓至規定壓力。繼而，傳送模組TF之搬送裝置TU2自一裝載閉鎖模組取出被加工物W，並將該被加工物W搬送至製程模組PM1～PM6中之任一者。然後，製程模組PM1～PM6中之一個以上之製程模組對被加工物W進行處理。然後，搬送裝置TU2將處理後之被加工物W自製程模組搬送至裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2中之一裝載閉鎖模組。繼而，搬送裝置TU1將被加工物W自一裝載閉鎖模組搬送至容器4a～4d之任一者。
如上所述，該處理系統1具備控制部MC。控制部MC可為具備處理器、記憶體等記憶裝置、顯示裝置、輸入輸出裝置、通信裝置等之電腦。上述處理系統1之一系列動作係藉由控制部MC根據記憶裝置中所記憶之程式對處理系統1之各部進行控制而實現。
圖3係表示可作為製程模組PM1～PM6之任一者而採用之電漿處理裝置之一例的圖。圖3所示之電漿處理裝置10係電容耦合型電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置10具備大致圓筒形狀之腔室本體12。腔室本體12例如由鋁形成，可對其內壁面實施陽極氧化處理。該腔室本體12安全接地。
於腔室本體12之底部上設置有大致圓筒形狀之支持部14。支持部14例如由絕緣材料構成。支持部14設置於腔室本體12內。支持部14自腔室本體12之底部向上方延伸。又，於由腔室本體12提供之腔室S內設置有載台ST。載台ST由支持部14支持。
載台ST具有下部電極LE及靜電吸盤ESC。下部電極LE包含第1極板18a及第2極板18b。第1極板18a及第2極板18b例如包含鋁等金屬，且呈大致圓盤形狀。第2極板18b設置於第1極板18a上，且電性連接於第1極板18a。
於第2極板18b上設置有靜電吸盤ESC。靜電吸盤ESC具有將作為導電膜之電極配置於一對絕緣層或絕緣片間而成之構造，且呈大致圓盤形狀。於靜電吸盤ESC之電極經由開關23而電性連接有直流電源22。該靜電吸盤ESC藉由利用來自直流電源22之直流電壓產生之庫侖力等靜電力而吸附被加工物W。藉此，靜電吸盤ESC能夠保持被加工物W。
於第2極板18b之周緣部上設置有邊緣環ER。該邊緣環ER設置成包圍被加工物W之邊緣及靜電吸盤ESC。邊緣環ER具有第1部分P1及第2部分P2(參照圖7)。第1部分P1及第2部分P2具有環狀板形狀。第2部分P2係較第1部分P1更靠外側之部分。第2部分P2於高度方向上具有較第1部分P1大之厚度。第2部分P2之內緣P2i具有較第1部分P1之內緣P1i之直徑大之直徑。被加工物W係以其邊緣區域位於邊緣環ER之第1部分P1上之方式載置於靜電吸盤ESC上。該邊緣環ER可由矽、碳化矽、氧化矽等各種材料中之任一種形成。
於第2極板18b之內部設置有冷媒流路24。冷媒流路24構成調溫機構。對於冷媒流路24，自設置於腔室本體12之外部之冷卻器單元經由配管26a供給冷媒。供給至冷媒流路24之冷媒經由配管26b返回至冷卻器單元。如此，使冷媒於冷媒流路24與冷卻器單元之間循環。藉由控制該冷媒之溫度，而控制由靜電吸盤ESC支持之被加工物W之溫度。
於載台ST形成有貫通該載台ST之複數個(例如三個)貫通孔25。複數個貫通孔25於俯視下形成於靜電吸盤ESC之內側。於該等貫通孔25之各者中插入有頂起銷25a。再者，於圖3中描繪出插入有一根頂起銷25a之一個貫通孔25。頂起銷25a設置成能夠於貫通孔25內上下移動。藉由頂起銷25a之上升，而支持於靜電吸盤ESC上之被加工物W上升。例如，頂起銷25a能夠接收基於搬送位置資料由搬送裝置TU2搬送來之被加工物W，並將該被加工物W載置於靜電吸盤ESC上。又，頂起銷25a能夠將載置於靜電吸盤ESC上之被加工物W交接給搬送裝置TU2。
於載台ST中俯視下較靜電吸盤ESC更靠外側之位置，形成有貫通該載台ST(下部電極LE)之複數個(例如三個)貫通孔27。於該等貫通孔27之各者中插入有頂起銷27a。再者，於圖3中描繪出插入有一根頂起銷27a之一個貫通孔27。頂起銷27a設置成能夠於貫通孔27內上下移動。藉由頂起銷27a之上升，而被支持於第2極板18b上之邊緣環ER上升。例如，頂起銷27a能夠將因使用而消耗之邊緣環ER交接給搬送裝置TU2。又，頂起銷27a能夠接收基於搬送位置資料由搬送裝置TU2搬送來之更換用之邊緣環ER，並將該邊緣環ER載置於載置位置。再者，更換用之邊緣環ER可為未使用之邊緣環，亦可為雖已使用但消耗量較少之邊緣環。
又，於電漿處理裝置10設置有氣體供給管線28。氣體供給管線28將來自傳熱氣體供給機構之傳熱氣體、例如He氣體供給至靜電吸盤ESC之上表面與被加工物W之背面之間。
又，電漿處理裝置10具備上部電極30。上部電極30於載台ST之上方與該載台ST對向配置。上部電極30經由絕緣性遮蔽構件32而支持於腔室本體12之上部。上部電極30可包含頂板34及支持體36。頂板34面向腔室S。於該頂板34設置有複數個氣體噴出孔34a。該頂板34可由矽或石英形成。或者，頂板34可藉由在鋁製母材之表面形成氧化釔等耐電漿性膜而構成。
支持體36支持頂板34使其裝卸自如。支持體36例如可包含鋁等導電性材料。該支持體36可具有水冷構造。於支持體36之內部設置有氣體擴散室36a。與氣體噴出孔34a連通之複數個氣體流通孔36b自該氣體擴散室36a向下方延伸。又，於支持體36形成有將處理氣體引導至氣體擴散室36a之氣體導入口36c。於該氣體導入口36c連接有氣體供給管38。
於氣體供給管38經由閥群42及流量控制器群44而連接有氣體源群40。氣體源群40包含複數種氣體用之複數個氣體源。閥群42包含複數個閥，流量控制器群44包含質量流量控制器等複數個流量控制器。氣體源群40之複數個氣體源分別經由閥群42之對應之閥及流量控制器群44之對應之流量控制器而連接於氣體供給管38。
又，於電漿處理裝置10中，沿著腔室本體12之內壁裝卸自如地設置有積存物遮罩46。積存物遮罩46亦設置於支持部14之外周。積存物遮罩46防止蝕刻副產物(積存物)附著於腔室本體12。積存物遮罩46可藉由將氧化釔等陶瓷被覆於鋁材而構成。
於腔室本體12之底部側且支持部14與腔室本體12之側壁之間設置有排氣板48。排氣板48例如可藉由將氧化釔等陶瓷被覆於鋁材而構成。於排氣板48形成有於其板厚方向上貫通之複數個孔。於該排氣板48之下方且腔室本體12設置有排氣口12e。於排氣口12e經由排氣管52連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有壓力調整閥及渦輪分子泵等真空泵。排氣裝置50能夠將腔室本體12內之空間減壓至所期望之真空度。又，於腔室本體12之側壁設置有被加工物W之搬入搬出口12g。該搬入搬出口12g能夠藉由閘閥54而開閉。
又，電漿處理裝置10進而具備第1高頻電源62及第2高頻電源64。第1高頻電源62係產生電漿生成用之第1高頻之電源。第1高頻電源62例如產生具有27～100 MHz之頻率之高頻。第1高頻電源62經由匹配器66連接於上部電極30。匹配器66具有用於使第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(上部電極30側)之輸入阻抗匹配之電路。再者，第1高頻電源62亦可經由匹配器66連接於下部電極LE。
第2高頻電源64係產生用於將離子饋入至被加工物W之第2高頻之電源。第2高頻電源64例如產生400 kHz～13.56 MHz之範圍內之頻率之高頻。第2高頻電源64經由匹配器68連接於下部電極LE。匹配器68具有用於使第2高頻電源64之輸出阻抗與負載側(下部電極LE側)之輸入阻抗匹配之電路。
於電漿處理裝置10中，將來自複數個氣體源中所選擇之一個以上之氣體源之氣體供給至腔室S。又，腔室S之壓力藉由排氣裝置50而設定為規定壓力。進而，藉由來自第1高頻電源62之第1高頻而使腔室S內之氣體激發。藉此，生成電漿。然後，藉由所產生之活性種對被加工物W進行處理。再者，亦可視需要藉由基於第2高頻電源64之第2高頻之偏壓而將離子饋入至被加工物W。
以下，對測定器進行說明。圖4係自上表面側觀察測定器而示出之俯視圖。圖5係自底面側觀察測定器而示出之俯視圖。圖4及圖5所示之測定器100具備基底基板102。基底基板102例如由矽形成，具有與被加工物W之形狀相同之形狀、即大致圓盤形狀。基底基板102之直徑係與被加工物W之直徑相同之直徑，例如為300 mm。測定器100之形狀及尺寸由該基底基板102之形狀及尺寸規定。因此，測定器100具有與被加工物W之形狀相同之形狀，且具有與被加工物W之尺寸相同之尺寸。又，於基底基板102之邊緣形成有凹口102N(或其他標記)。
於基底基板102設置有靜電電容測定用之複數個第1感測器104A～104C。複數個第1感測器104A～104C沿著基底基板102之邊緣，例如於該邊緣之全周上等間隔地排列。具體而言，複數個第1感測器104A～104C分別以沿著基底基板102之上表面側之邊緣之方式設置。複數個第1感測器104A～104C各自之前側端面沿著基底基板102之側面。
又，於基底基板102設置有靜電電容測定用之複數個第2感測器105A～105C。複數個第2感測器105A～105C沿著基底基板102之邊緣，例如於該邊緣之全周上等間隔地排列。具體而言，複數個第2感測器105A～105C分別以沿著基底基板之底面側之邊緣之方式設置。複數個第2感測器105A～105C各自之感測器電極161沿著基底基板102之底面。又，第2感測器105A～105C與第1感測器104A～104C係於圓周方向上以60°之間隔交替地排列。
於基底基板102之上表面之中央設置有電路基板106。於電路基板106與複數個第1感測器104A～104C之間設置有用於將彼此電性連接之配線群108A～108C。又，於電路基板106與複數個第2感測器105A～105C之間設置有用於將彼此電性連接之配線群208A～208C。電路基板106、配線群108A～108C、及配線群208A～208C被外罩103覆蓋。
以下，對第1感測器詳細地進行說明。圖6係表示感測器之一例之立體圖。圖7係沿著圖6之VII-VII線所獲得之剖視圖。圖6及圖7所示之第1感測器104係用作測定器100之複數個第1感測器104A～104C之感測器，於一例中，構成為晶片狀之零件。再者，於以下之說明中，適當參照XYZ正交座標系統。X方向表示第1感測器104之前方向，Y方向表示與X方向正交之一方向且為第1感測器104之寬度方向，Z方向表示與X方向及Y方向正交之方向且為第1感測器104之上方向。於圖7中一併示出了第1感測器104與邊緣環ER。
第1感測器104具有電極141、屏蔽電極142、感測器電極143、基板部144及絕緣區域147。
基板部144例如由硼矽酸玻璃或石英形成。基板部144具有上表面144a、下表面144b、及前側端面144c。屏蔽電極142設置於基板部144之下表面144b之下方，且於X方向及Y方向上延伸。又，電極141介隔絕緣區域147設置於屏蔽電極142之下方，且於X方向及Y方向上延伸。絕緣區域147例如由SiO 2、SiN、Al 2O 3或聚醯亞胺形成。
基板部144之前側端面144c形成為階梯狀。前側端面144c之下側部分144d較該前側端面144c之上側部分144u朝向邊緣環ER側突出。感測器電極143沿著前側端面144c之上側部分144u延伸。於一例示性實施方式中，前側端面144c之上側部分144u及下側部分144d分別成為具有規定曲率之曲面。即，前側端面144c之上側部分144u於該上側部分144u之任意位置處具有固定曲率，該上側部分144u之曲率係測定器100之中心軸線AX100與前側端面144c之上側部分144u之間之距離之倒數。又，前側端面144c之下側部分144d於該下側部分144d之任意位置處具有固定曲率，該下側部分144d之曲率係測定器100之中心軸線AX100與前側端面144c之下側部分144d之間之距離之倒數。
感測器電極143沿著前側端面144c之上側部分144u設置。於一例示性實施方式中，該感測器電極143之前表面143f亦成為曲面。即，感測器電極143之前表面143f於該前表面143f之任意位置處具有固定曲率，該曲率係測定器100之中心軸線AX100與前表面143f之間之距離之倒數。
於將該第1感測器104用作測定器100之感測器之情形時，如下所述，電極141連接於配線181，屏蔽電極142連接於配線182，感測器電極143連接於配線183。
於第1感測器104中，感測器電極143被電極141及屏蔽電極142遮蔽而不到達第1感測器104之下方。因此，根據該第1感測器104，能夠於特定方向、即感測器電極143之前表面143f所朝之方向(X方向)上具有較高之指向性地測定靜電電容。
以下，對第2感測器詳細地進行說明。圖8係圖5之局部放大圖，表示一個第2感測器。第2感測器105具有感測器電極161。感測器電極161之邊緣局部呈圓弧形狀。即，感測器電極161具有由以中心軸線AX100為中心、具有不同半徑之兩個圓弧即內緣161a及外緣161b所規定的平面形狀。複數個第2感測器105A～105C各自之感測器電極161中之徑向外側之外緣161b係於共通之圓上延伸。又，複數個第2感測器105A～105C各自之感測器電極161中之徑向內側之內緣161a係於另一個共通之圓上延伸。感測器電極161之邊緣之一部分之曲率與靜電吸盤ESC之邊緣之曲率一致。於一例示性實施方式中，形成感測器電極161中之徑向外側之邊緣之外緣161b之曲率與靜電吸盤ESC之邊緣之曲率一致。再者，外緣161b之曲率中心、即外緣161b於其上延伸之圓之中心共有中心軸線AX100。
於一例示性實施方式中，第2感測器105進而包含包圍感測器電極161之屏蔽電極162。屏蔽電極162呈框狀，將感測器電極161遍及其全周地包圍。屏蔽電極162與感測器電極161係以於其等之間介存有絕緣區域164之方式相互隔開。又，於一例示性實施方式中，第2感測器105進而包含於屏蔽電極162之外側包圍該屏蔽電極162之電極163。電極163呈框狀，將屏蔽電極162遍及其全周地包圍。屏蔽電極162與電極163係以於其等之間介存有絕緣區域165之方式相互隔開。
以下，對電路基板106之構成進行說明。圖9係例示測定器之電路基板之構成之圖。電路基板106具有高頻振盪器171、複數個C/V轉換電路172A～172C、複數個C/V轉換電路272A～272C、A/D轉換器173、處理器174、記憶裝置175、通信裝置176、及電源177。於一例中，由處理器174、記憶裝置175等構成運算裝置。又，電路基板106具有溫度感測器179。溫度感測器179將與檢測出之溫度對應之信號輸出至處理器174。例如，溫度感測器179能夠獲取測定器100周圍之環境之溫度。
複數個第1感測器104A～104C分別經由複數個配線群108A～108C中對應之配線群而連接於電路基板106。又，複數個第1感測器104A～104C分別經由對應之配線群中包含之若干個配線而連接於複數個C/V轉換電路172A～172C中對應之C/V轉換電路。複數個第2感測器105A～105C分別經由複數個配線群208A～208C中對應之配線群而連接於電路基板106。又，複數個第2感測器105A～105C分別經由對應之配線群中包含之若干個配線而連接於複數個C/V轉換電路272A～272C中對應之C/V轉換電路。以下，對與第1感測器104A～104C之各者相同構成之一個第1感測器104、與配線群108A～108C之各者相同構成之一個配線群108、與C/V轉換電路172A～172C之各者相同構成之一個C/V轉換電路172進行說明。又，對與第2感測器105A～105C之各者相同構成之一個第2感測器105、與配線群208A～208C之各者相同構成之一個配線群208、及與C/V轉換電路272A～272C之各者相同構成之一個C/V轉換電路272進行說明。
配線群108包含配線181～183。配線181之一端連接於與電極141連接之焊墊151。該配線181連接於與電路基板106之接地極G連接之接地電位線GL。再者，配線181亦可經由開關SWG連接於接地電位線GL。又，配線182之一端連接於與屏蔽電極142連接之焊墊152，配線182之另一端連接於C/V轉換電路172。又，配線183之一端連接於與感測器電極143連接之焊墊153，配線183之另一端連接於C/V轉換電路172。
配線群208包含配線281～283。配線281之一端連接於電極163。該配線281連接於與電路基板106之接地極G連接之接地電位線GL。再者，配線281亦可經由開關SWG連接於接地電位線GL。又，配線282之一端連接於屏蔽電極162，配線282之另一端連接於C/V轉換電路272。又，配線283之一端連接於感測器電極161，配線283之另一端連接於C/V轉換電路272。
高頻振盪器171連接於電池等電源177，構成為接收來自該電源177之電力而產生高頻信號。再者，電源177亦連接於處理器174、記憶裝置175、及通信裝置176。高頻振盪器171具有複數個輸出線。高頻振盪器171將所產生之高頻信號經由複數個輸出線賦予至配線182及配線183、以及配線282及配線283。因此，高頻振盪器171電性連接於第1感測器104之屏蔽電極142及感測器電極143，從而來自該高頻振盪器171之高頻信號被賦予至屏蔽電極142及感測器電極143。又，高頻振盪器171電性連接於第2感測器105之感測器電極161及屏蔽電極162，從而來自該高頻振盪器171之高頻信號被賦予至感測器電極161及屏蔽電極162。
於C/V轉換電路172之輸入端連接有與焊墊152連接之配線182、及與焊墊153連接之配線183。即，於C/V轉換電路172之輸入端連接有第1感測器104之屏蔽電極142及感測器電極143。又，於C/V轉換電路272之輸入端分別連接有感測器電極161及屏蔽電極162。C/V轉換電路172及C/V轉換電路272構成為產生具有與其輸入端之電位差對應之振幅之電壓信號，並輸出該電壓信號。C/V轉換電路172產生與對應之第1感測器104形成之靜電電容對應之電壓信號。即，連接於C/V轉換電路172之感測器電極之靜電電容越大，該C/V轉換電路172輸出之電壓信號之電壓之大小越大。同樣地，連接於C/V轉換電路272之感測器電極之靜電電容越大，該C/V轉換電路272輸出之電壓信號之電壓之大小越大。
於A/D轉換器173之輸入端連接有C/V轉換電路172及C/V轉換電路272之輸出。又，A/D轉換器173連接於處理器174。A/D轉換器173係藉由來自處理器174之控制信號而控制，將C/V轉換電路172之輸出信號(電壓信號)及C/V轉換電路272之輸出信號(電壓信號)轉換成數位值，並將其作為檢測值輸出至處理器174。
於處理器174連接有記憶裝置175。記憶裝置175係揮發性記憶體等記憶裝置，例如構成為記憶測定資料。又，於處理器174連接有另一記憶裝置178。記憶裝置178係非揮發性記憶體等記憶裝置，例如記憶有由處理器174讀入並予以執行之程式。
通信裝置176係依據任意之無線通信標準之通信裝置。例如，通信裝置176依據Bluetooth(註冊商標)。通信裝置176構成為對記憶裝置175中所記憶之測定資料進行無線發送。
處理器174構成為藉由執行上述程式而控制測定器100之各部。例如，處理器174控制來自高頻振盪器171之高頻信號對屏蔽電極142、感測器電極143、感測器電極161及屏蔽電極162之供給。又，處理器174控制來自電源177之電力對記憶裝置175之供給、來自電源177之電力對通信裝置176之供給等。進而，處理器174藉由執行上述程式，而基於自A/D轉換器173輸入之檢測值獲取第1感測器104之測定值及第2感測器105之測定值。於一實施方式中，當將自A/D轉換器173輸出之檢測值設為X時，處理器174係以測定值成為與(a・X＋b)成比例之值之方式，基於檢測值獲取測定值。此處，a及b係根據電路狀態等而變化之常數。處理器174例如宜具有如測定值成為與(a・X＋b)成比例之值之規定之運算式(函數)。
於以上說明之測定器100中，在測定器100配置於由邊緣環ER包圍之區域之狀態下，複數個感測器電極143及屏蔽電極142與邊緣環ER之內緣相面對。基於該等感測器電極143之信號與屏蔽電極142之信號之電位差而產生之測定值表示反映複數個感測器電極143之各者與邊緣環ER之間之距離的靜電電容。再者，靜電電容C由C＝εS/d表示。ε為感測器電極143之前表面143f與邊緣環ER之內緣之間之介質之介電常數，S為感測器電極143之前表面143f之面積，d可視為感測器電極143之前表面143f與邊緣環ER之內緣之間之距離。
因此，藉由測定器100，能夠獲得反映仿照被加工物W之該測定器100與邊緣環ER之相對位置關係之測定資料。例如，感測器電極143之前表面143f與邊緣環ER之內緣之間之距離越大，則藉由測定器100獲取之複數個測定值越小。因此，能夠基於表示第1感測器104A～104C各自之感測器電極143之靜電電容之測定值而求出邊緣環ER之各徑向上之各感測器電極143之偏移量。並且，能夠根據各徑向上之第1感測器104A～104C各自之感測器電極143之偏移量而求出測定器100之搬送位置之誤差。
又，在測定器100載置於靜電吸盤ESC之狀態下，複數個感測器電極161及屏蔽電極162與靜電吸盤ESC相面對。如上所述，靜電電容C由C＝εS/d表示。ε為感測器電極161與靜電吸盤ESC之間之介質之介電常數。d為感測器電極161與靜電吸盤ESC之間之距離。S可視為俯視下感測器電極161與靜電吸盤ESC相互重疊之面積。面積S係根據測定器100與靜電吸盤ESC之相對位置關係而變化。因此，藉由測定器100，能夠獲得反映仿照被加工物W之該測定器100與靜電吸盤ESC之相對位置關係之測定資料。
於一例中，當測定器100被搬送至規定之搬送位置、即靜電吸盤ESC之中心與測定器100之中心一致之靜電吸盤ESC上之位置時，感測器電極161中之外緣161b與靜電吸盤ESC之邊緣亦可一致。於該情形時，例如，當因測定器100之搬送位置自規定之搬送位置偏移而導致感測器電極161相對於靜電吸盤ESC朝徑向外側偏移時，面積S變小。即，藉由感測器電極161所測定之靜電電容與測定器100被搬送至規定之搬送位置時之靜電電容相比變小。因此，能夠基於表示第2感測器105A～105C各自之感測器電極161之靜電電容之測定值而求出靜電吸盤ESC之各徑向上之各感測器電極161之偏移量。並且，能夠根據各徑向上之第2感測器105A～105C各自之感測器電極161之偏移量而求出測定器100之搬送位置之誤差。
繼而，對用於抑制因溫度環境變化而產生之靜電電容之測定值之變動之構成進行說明。首先，對高頻振盪器171、配線182及配線183以及C/V轉換電路172之連接更詳細地進行說明。圖10係表示高頻振盪器171、配線182及配線183以及C/V轉換電路172之連接之電路圖。如圖10所示，於高頻振盪器171與配線182之間連接有電阻171a。於高頻振盪器171與配線183之間連接有包含可變電阻171b及可變電容器171c之相位調整電路171d。C/V轉換電路172係於其一部分具有包含運算放大器及電阻之放大電路172a。於放大電路172a中，於運算放大器之反相輸入端子連接有配線183，於運算放大器之非反相輸入端子連接有配線182。又，運算放大器之反相輸入端子與輸出端子經由電阻連接。放大電路172a使輸入至C/V轉換電路172之來自感測器電極143之信號與來自屏蔽電極142之信號之電位差放大。
高頻振盪器171、配線282及配線283以及C/V轉換電路272係與高頻振盪器171、配線182及配線183以及C/V轉換電路172同樣地連接。即，於高頻振盪器171與配線282之間連接有電阻。於高頻振盪器171與配線283之間連接有包含可變電阻及可變電容器之相位調整電路。C/V轉換電路272係於其一部分具有包含運算放大器及電阻之放大電路。於放大電路中，於運算放大器之反相輸入端子連接有配線283，於運算放大器之非反相輸入端子連接有配線282。又，運算放大器之反相輸入端子與輸出端子經由電阻連接。
於如上所述之電路構成中，藉由變更相位調整電路171d之可變電阻171b之電阻值，而能夠變更來自感測器電極143之信號之振幅。又，藉由變更相位調整電路171d之可變電容器171c之靜電電容值，而能夠變更來自感測器電極143之信號之相位。於一例示性實施方式中，藉由利用處理器174調整(控制)可變電阻171b之電阻值與可變電容器171c之靜電電容值，而調整相位調整電路171d之導納。
於圖10中，與處理器174連接之D/A(Digital-to-analog，數位/類比)轉換器174a之輸出輸入至可變電阻171b。處理器174將用於調整可變電阻171b之電阻值之參數作為數位信號輸出至D/A轉換器174a。D/A轉換器174a將所輸入之數位信號轉換成類比信號，並輸出至可變電阻171b。藉此，可變電阻171b之電阻值被控制為與自處理器174輸出之數位信號對應之電阻值。
又，與處理器174連接之D/A轉換器174b之輸出輸入至可變電容器171c。處理器174將用於調整可變電容器171c之靜電電容值之參數作為數位信號輸出至D/A轉換器174b。D/A轉換器174b將所輸入之數位信號轉換成類比信號，並輸出至可變電容器171c。藉此，可變電容器171c之靜電電容值被控制為與自處理器174輸出之數位信號對應之靜電電容值。
於一例示性實施方式中，處理器174基於作為用於調整可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值之基準的基準參數群(第2參數群)，獲取與測定環境對應之修正參數群。基準參數群具有於除濕環境下預先獲取之複數個基準參數。例如，基準參數群亦可於測定器100之製造階段獲取。
用於調整可變電阻171b之電阻值之基準參數群、及用於調整可變電容器171c之靜電電容值之基準參數群例如宜以表格之形式儲存於記憶裝置178。表格具有與複數個溫度分別對應之基準參數。基準參數群用於在複數個溫度之各溫度下調整複數個C/V轉換電路172、272之輸出電壓信號之基準點。作為一例，基準點調整可為零點調整。即，基準參數可為於不存在測定器100之檢測對象之狀態下，調整可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值以使自C/V轉換電路172、272輸出之電壓信號為零的參數。該參數可為與為了分別控制可變電容器171c之靜電電容值及可變電阻171b之電阻值而自處理器174輸出至D/A轉換器174a、174b之數位信號對應的參數。
作為一例，記憶裝置178針對第1感測器104A～104C中之每一個具有以用於控制可變電阻171b之基準參數為要素之表格。記憶裝置178針對第2感測器105A～105C中之每一個具有以用於控制可變電阻171b之基準參數為要素之表格。用於控制可變電阻171b之各表格具有在複數個溫度之每一溫度下與各感測器對應之基準參數。
記憶裝置178針對第1感測器104A～104C中之每一個具有以用於控制可變電容器171c之基準參數為要素之表格。記憶裝置178針對第2感測器105A～105C中之每一個具有以用於控制可變電容器171c之基準參數為要素之表格。用於控制可變電容器171c之各表格具有在複數個溫度之每一溫度下與各感測器對應之基準參數。
基準參數群亦可於實際使用測定器100時之環境下獲取。即，作為一例之基準參數群亦可於20℃～80℃之溫度環境下、且極限真空度為10 mTorr左右並且除濕至濕度10%以下之除濕環境下獲取。於一例示性實施方式中，藉由在除濕環境下經過了1天以上之測定器100獲取基準參數群。
獲取基準參數群時，在上述環境下，於不存在測定器100之檢測對象之狀態下，調整可變電阻171b及可變電容器171c以使自C/V轉換電路172、272輸出之電壓信號為零。不存在測定器100之檢測對象之狀態可指例如於自測定器100至檢測對象之間形成有檢測值應為零之空間之狀態。並且，獲取如此調整後之可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值作為目標基準參數。藉由在將測定器100之溫度調整為20℃～80℃之狀態下，於各溫度下獲取基準參數，能夠製作表格。再者，亦可於20℃～80℃之範圍內每隔規定溫度獲取基準參數。例如，亦可每隔約3℃獲取基準參數。於該情形時，關於未獲取基準參數之溫度段，亦可基於所獲取之基準參數來推定。作為一例，亦可藉由在獲取之基準參數間進行線性插值而決定未獲取基準參數之溫度段之基準參數。
如上所述，有於測定器100之製造階段獲取基準參數群，而於實際之使用環境下無法直接使用之情況。例如，存在如下情況：即便在使用前將測定器100置於除濕環境下，亦無法再現獲取基準參數群時之測定器100之狀態，即便使用基準參數群，亦無法實現零點調整。因此，於一例示性實施方式之測定器100中，基於基準參數群而獲取適合使用時之環境之修正參數群。
作為一例之處理器174係於使用時之環境下且在任意溫度下獲取用於調整基準點之參數(第1參數)，基於該獲取之參數與基準參數來獲取使用時之環境下之各溫度之參數。即，作為一例之處理器174獲取參數，該參數係於不存在測定器100之檢測對象之狀態下，調整可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值以使自C/V轉換電路172、272輸出之電壓信號為零。處理器174獲取表示獲取該參數時(第1時間)之溫度之溫度資料作為修正時溫度，並與參數一併保存。處理器174係以於修正時溫度下獲取之參數與基準參數一致之方式修正基準參數。例如，處理器174基於基準參數群獲取與修正時溫度對應之基準參數，且獲取該基準參數與在修正時溫度下獲取之參數(第1參數)之差量。例如，當表格中未保存與修正時溫度對應之基準參數時，亦可利用對預先獲取之基準參數群進行線性插值所得之資料來獲取與修正時溫度對應之基準參數。處理器174藉由針對基準參數群之所有基準參數如上所述般獲取差量，而獲取修正參數群。
圖11係儲存有基準參數群之表格之一例。圖12係儲存有修正參數群之表格之一例。圖11及圖12中示出了於複數個溫度下調整基準點時之各溫度下之電阻值之參數與靜電電容值之參數。假設測定器100具有圖11所示之基準參數群，於23.8℃之溫度環境下便要重新獲取用於調整基準點之參數(第1參數)。例如，假設重新獲取之用於調整基準點之電阻值之參數為「11097」之值且靜電電容值之參數為「38892」之值。於該情形時，處理器174藉由在構成基準參數群之基準參數間進行線性插值，而獲取「11068」之值作為23.8℃下之電阻值之基準參數，並獲取「38873」之值作為靜電電容值之基準參數。處理器174獲取為了調整基準點所獲取之參數即「11097」及「38892」分別與基準參數即「11068」及「38873」之差量。處理器174針對基準參數群之所有基準參數如上所述般獲取差量。即，於上述例之情形時，處理器174將電阻值之基準參數及靜電電容值之基準參數分別加上差量即「29」及「19」而獲取圖12所示之修正參數群。
處理器174使用所獲取之修正參數群來調整可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值，以適應變動之溫度。即，處理器174係於第1時間之後之第2時間，基於修正參數群獲取與溫度感測器179所獲取之溫度對應之修正參數。並且，處理器174基於所獲取之修正參數來調整可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值。當未儲存與所獲取之溫度對應之修正參數時，亦可在各修正參數間進行線性插值而獲取對應之修正參數。
又，如上所述，於處理器174中，當將自A/D轉換器173輸出之檢測值設為X時，以測定值成為與(a・X＋b)成比例之值之方式獲取測定值。a及b係根據電路狀態等而變化之常數，可能取決於環境溫度。於一實施方式中，以自A/D轉換器173輸出之各檢測值X轉換成表示計算值之靜電電容之測定值的方式，對應於C/V轉換電路172A～172C及C/V轉換電路272A～272C之各者而調整常數a、b。計算值之靜電電容可根據上述之求出靜電電容C之式而計算。
於一例示性實施方式中，藉由處理器174而調整常數a、b。常數a、b例如宜以表格之形式儲存於記憶裝置178。表格具有與複數個溫度之各者建立對應之常數a、b作為要素。作為一例，記憶裝置178具有與C/V轉換電路172A～172C及C/V轉換電路272A～272C之各者對應之表格。即，記憶裝置178記憶有與複數個溫度分別建立對應之複數個常數群，以抑制自A/D轉換器173輸出之複數個測定值之溫度依存性。各常數群具有與C/V轉換電路172A～172C及C/V轉換電路272A～272C之各者對應之複數個常數a、b。處理器174選擇與環境溫度對應之常數群，使用構成所選擇之常數群之複數個常數a、b作為分別對應之函數之常數。
對獲取此種表格之方法之一例進行說明。再者，測定器100之使用環境例如可為20℃～80℃且極限真空度為10 mTorr左右之經除濕之真空環境下。
常數a、b於實際使用測定器100時之環境下獲取。即，於一例中，於20℃～80℃之溫度環境下且極限真空度為10 mTorr左右之經除濕之真空環境下獲取常數a、b。獲取常數a、b時，首先，於邊緣環ER之內側且靜電吸盤ESC上配置測定器100。然後，於該狀態下，水平地改變測定器100之位置，同時獲取測定器100之相對位置及該位置處之檢測值X。測定器100之相對位置可為各第1感測器104A～104C相對於邊緣環ER之距離。於該情形時，能夠計算基於計算值之各第1感測器104A～104C之靜電電容。又，測定器100之相對位置可為各第2感測器105A～105C相對於靜電吸盤ESC之位置。於該情形時，可計算俯視下之感測器電極161與靜電吸盤ESC相互重疊之面積。即，能夠計算基於計算值之各第2感測器105A～105C之靜電電容。然後，以所獲取之檢測值X近似於基於計算值之靜電電容之方式算出常數a、b。獲取算出之常數a、b作為構成表格之要素。於將測定器100之溫度調整為20℃～80℃之狀態下，於各溫度下獲取常數a、b，藉此，能夠製作表格。
繼而，對測定器100之動作之一例進行說明。圖13係表示自基準點調整工序至測定靜電電容之工序為止之測定器100之動作的流程圖。該流程圖中之動作係於處理系統1之腔室S內測定器100獲取表示靜電電容之測定值之測定系統之動作。該動作由1個或複數個控制裝置(一例中，為測定器100之處理器174及處理系統1之控制部MC)控制。再者，作為前提，測定器100於工廠等中組裝，並進行校正用之調整。校正用之調整可為獲取以上述之常數a、b為要素之表格。其後，藉由在除濕環境下經過了1天以上之測定器100而獲取基準參數群。
於圖13所示之動作流程中，測定器100被保管於保管裝置5之腔室5a內。於一例中，於測定器100載置於保管裝置5之腔室5a內之狀態下，使腔室5a內成為除濕環境。此時，腔室5a內可處於經除濕之沖洗氣體氛圍下、真空環境下等除濕環境下。首先，測定器100藉由溫度感測器179檢測周圍之溫度(步驟ST1)。檢測出之溫度資料例如記憶於記憶裝置175。繼而，執行C/V轉換電路172、272之輸出電壓信號之基準點調整(步驟ST2)。如上所述，基準點調整可為零點調整。即，於不存在測定器100之檢測對象之狀態下，藉由處理器174調整可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值以使自C/V轉換電路172、272輸出之電壓信號為零。步驟ST1與步驟ST2之順序亦可顛倒，還可為同時。
處理器174將為了調整可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值而輸出至D/A轉換器174a、174b之數位值例如記憶於記憶裝置175。即，處理器174獲取當前環境下之用於調整基準點之參數(步驟ST3)。於一例中，在測定器100被保管於保管裝置5之腔室5a之狀態下，不存在測定器100之檢測對象。因此，上述各步驟可於保管裝置5內執行。再者，亦可利用自保管裝置5取出之測定器100來執行上述各步驟。
繼而，測定器100獲取修正參數群(步驟ST4)。即，處理器174基於預先記憶之基準參數群，獲取與步驟ST1中所獲取之溫度資料對應之基準參數。然後，處理器174基於該獲取之基準參數與步驟ST3中獲取之參數，以與步驟ST3中獲取之參數對應之方式修正基準參數群，藉此獲取修正參數群。所獲取之修正參數群例如保存於記憶裝置175。
繼而，測定器100由搬送裝置TU2搬送至根據搬送位置資料特定出之載置區域上之位置(步驟ST5)。於一例中，可將測定器100保管於由保管裝置5產生之除濕環境下直至即將搬送前。於步驟ST5中，搬送裝置TU1將測定器100自保管裝置5搬送至裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2中之一裝載閉鎖模組。然後，搬送裝置TU2基於搬送位置資料，將測定器100自一裝載閉鎖模組搬送至製程模組PM1～PM6中之任一者，且將該測定器100載置於靜電吸盤ESC之載置區域上。載置區域可為邊緣環ER所包圍之區域。搬送位置資料係以測定器100之中心軸線AX100之位置與邊緣環ER之中心位置一致之方式預先規定之座標資料。搬送位置資料亦可為以測定器100之中心軸線AX100之位置與靜電吸盤ESC之中心位置一致之方式預先規定之座標資料。有搬送而來之測定器100之製程模組內可調整為極限真空度為10 mTorr左右之真空除濕環境。
於測定器100自保管裝置5向製程模組搬送之期間，測定器100可能會暫時暴露於大氣中。測定器100暴露於大氣中之時長為大氣中之濕度不會對測定器100造成實際影響之程度。例如，測定器100暴露於大氣中之時間可為1小時以下。
繼而，藉由溫度感測器179檢測周圍之溫度(步驟ST6)。檢測出之溫度資料例如記憶於記憶裝置175。然後，根據檢測出之溫度資料，設定相位調整電路171d中之可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值(步驟ST7)。即，處理器174自記憶裝置175獲取由溫度感測器179檢測出之溫度資料。然後，處理器174自記憶裝置175所記憶之修正參數群中獲取與該溫度資料對應之修正參數。藉由處理器174將所獲取之修正參數作為數位信號輸出至D/A轉換器174a，而控制可變電阻171b之電阻值及可變電容器171c之靜電電容值。
繼而，利用測定器100實施測定(步驟ST8)。於步驟ST8中，C/V轉換電路172之輸出信號(電壓信號)及C/V轉換電路272之輸出信號(電壓信號)由A/D轉換器173轉換成數位值，並作為檢測值輸出至處理器174。該檢測值亦可與溫度資料建立關聯地記憶於例如記憶裝置175。
繼而，設定用於根據自A/D轉換器173輸出之檢測值X計算表示靜電電容之測定值的函數之常數(步驟ST9)。於一例示性實施方式中，以測定值成為與(a・X＋b)成比例之值之方式設定函數。處理器174自記憶裝置178所記憶之包含複數個常數a、b之表格中獲取與檢測值建立關聯之溫度資料對應之常數a、b。藉此，設定常數a、b(步驟ST9)。
繼而，獲取靜電電容(步驟ST10)。即，利用反映出所獲取之常數a、b之函數，將檢測值轉換成表示靜電電容之測定值。所獲取之靜電電容之資料能夠針對每一感測器以與溫度資料、檢測值等建立關聯之狀態記憶於記憶裝置175。於一例示性實施方式中，能夠基於由第1感測器104A～104C獲取之各靜電電容，導出測定器100之中心相對於邊緣環ER之中心位置之偏移量(第1偏移量)。又，能夠基於由第2感測器105A～105C獲取之各靜電電容，導出測定器100之中心相對於靜電吸盤ESC之中心位置之偏移量(第2偏移量)。進而，能夠基於第1偏移量及第2偏移量，導出邊緣環ER之中心相對於靜電吸盤ESC之中心位置之偏移量(第3偏移量)。此種偏移量例如可用於校準利用於搬送裝置TU2進行之搬送之搬送位置資料。
作為一例，控制部MC亦可基於第1偏移量及第2偏移量之至少一者而校準搬送位置資料。控制部MC亦可以基於校準後之搬送位置資料搬送被加工物W(或測定器100)之方式控制傳送模組TF之搬送裝置TU2。又，控制部MC亦可基於第3偏移量而校準搬送位置資料。
控制部MC亦可於更換邊緣環ER時，以基於校準後之搬送位置資料搬送邊緣環ER之方式控制搬送裝置TU2。於該情形時，亦可利用測定器100執行靜電電容之測量，以確認更換後之邊緣環ER之搬送位置。即，控制部MC能夠以如下方式控制搬送裝置TU2：於更換邊緣環ER之後，將測定器100載置於邊緣環ER所包圍之靜電吸盤ESC上之載置區域。
控制部MC亦可以基於校準後之搬送位置資料變更邊緣環ER之載置位置之方式控制搬送裝置TU2。控制部MC能夠於變更邊緣環ER之載置位置時，以頂起銷27a使邊緣環ER上升之方式控制製程模組之頂起銷27a。並且，控制部MC係以搬送裝置TU2接收藉由頂起銷27a而上升之邊緣環ER之方式控制搬送裝置TU2。控制部MC能夠以基於校準後之搬送位置資料再次將所接收之邊緣環ER載置於靜電吸盤ESC上之方式，控制搬送裝置TU2。
如以上所說明般，一例示性實施方式之測定方法包含如下工序，即，於第1時間獲取溫度，並且獲取設定用於調整基準點(調整零點)之相位調整電路171d之導納之第1參數。處理器174獲取設定與於第1時間獲取之溫度對應之相位調整電路171d之導納之基準參數(第2參數)。基準參數係基於預先記憶之基準參數群(第2參數群)而獲取。處理器174基於第1參數與基準參數，以與第1參數對應之方式修正基準參數群，藉此獲取修正參數群。處理器174於第1時間之後之第2時間，基於修正參數群獲取與溫度感測器179重新獲取之溫度對應之修正參數。處理器174藉由使用所獲取之修正參數設定相位調整電路171d之導納，而將自C/V轉換電路輸出之電壓信號調整為基準點。
於半導體製造裝置中進行電漿處理時，被加工物W、靜電吸盤ESC及邊緣環ER之相互位置關係較為重要。因此，要求獲取表示被加工物W被搬送之位置之可靠性較高之資料。作為一例，藉由搬送具有與被加工物W相同形狀之測定器100，能夠獲取表示搬送之測定器100與靜電吸盤ESC及邊緣環ER之相互位置關係之資料。
於測定器100中，於複數個感測器電極與高頻振盪器171之間連接有複數個相位調整電路171d。因此，藉由調整相位調整電路171d之導納，能夠調整自複數個C/V轉換電路172輸出之電壓信號之大小。然而，自C/V轉換電路172輸出之電壓信號之大小可能會受周圍溫度之影響而變動。例如，即便於某溫度下進行零點調整，當溫度變化時，自C/V轉換電路172輸出之電壓信號亦可能會變大。
因此，例如，考慮使用與溫度感測器179所檢測出之溫度對應之參數來調整與複數個C/V轉換電路中之每一個對應之相位調整電路171d之導納。即，藉由預先獲取與複數個溫度對應之參數，能夠利用與檢測出之溫度對應之參數來調整導納。
然而，即便於再現獲取參數時之溫度、濕度等之環境下使用相同參數之情形時，根據測定時之測定器100之狀態，亦有無法適當地進行基準點調整之情況。例如，考慮原因在於可變電容器171c等電子零件之特性受濕度之影響而變動等。為了於靜電電容測定時之溫度不固定之環境下適當地進行基準點調整，亦考慮每次測定時均獲取與複數個溫度對應之參數群。
於一例示性實施方式中，基於實際測定時所獲取之用於調整基準點之參數及預先獲取之基準參數群，獲取對基準參數群進行修正所得之修正參數群。該修正參數群與測定時之用於調整基準點之參數對應，因此，能夠根據此時之測定器之狀態而進行導納之調整。於每次測定時均獲取與複數個溫度對應之參數群之情形時，不僅需要用於溫度調整之加熱器等，而且溫度調整需要較長時間。另一方面，於對預先獲取之基準參數群進行修正之情形時，無須進行溫度調整等，能夠於短時間內獲取參數群。
於一例示性實施方式中，獲取修正參數群之工序亦可計算實際測定時所獲取之用於調整基準點之參數與基準參數之差量，使用算出之差量來調整基準參數群。於該構成中，能夠統一修正作為基準參數之要素之複數個基準參數。
於一例示性實施方式中，獲取基準參數之工序亦可基於對構成基準參數群之複數個基準參數進行線性插值所得之資料，獲取與於第1時間獲取之溫度對應之基準參數。於該構成中，即便不獲取大量資料作為基準參數群，亦能夠基於資料間進行線性插值所得之資料而獲取基準參數，因此，能夠減少構成基準參數群之要素之數量。
於一例示性實施方式中，基準參數群亦可由在濕度10%以下之環境下持續放置了1天以上之測定器獲取。於該構成中，能夠以接近測定器100之使用環境之狀態獲取基準參數群。即，能夠減小實際測定時所獲取之用於調整基準點之參數與基準參數之差量。
於一例示性實施方式中，傳送模組TM宜能夠將配置於載台ST上之邊緣環ER更換成其他邊緣環ER。1個或複數個控制裝置能夠以如下方式控制傳送模組TM，即，於將邊緣環ER更換成其他邊緣環ER之後，將測定器100載置於載台ST上之由其他邊緣環ER包圍之區域。於該構成中，於更換邊緣環ER之後藉由測定器100確認邊緣環ER之搬送位置。
於一例示性實施方式中，測定器100可於保管裝置5之腔室5a內保管在除濕環境下。於該構成中，能夠以接近使用環境之狀態保管測定器100。
於一例示性實施方式中，1個或複數個控制裝置能夠基於算出之表示靜電電容之測定值而求出測定器100之中心相對於邊緣環ER之中心之偏移量。1個或複數個控制裝置能夠以如下方式控制傳送模組TM，即，基於該偏移量校準搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料搬送被加工物W。於該構成中，能夠提高基於傳送模組TM之搬送位置之精度。
於一例示性實施方式中，1個或複數個控制裝置能夠基於算出之表示靜電電容之測定值而求出測定器100之中心相對於載置區域之中心之偏移量。1個或複數個控制裝置能夠以如下方式控制傳送模組TM，即，基於該偏移量校準搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料搬送被加工物W。於該構成中，能夠提高基於傳送模組TM之搬送位置之精度。
於一例示性實施方式中，1個或複數個控制裝置能夠基於算出之表示靜電電容之測定值而求出邊緣環ER之中心相對於載置區域之中心之偏移量。1個或複數個控制裝置能夠以如下方式控制傳送模組TM，即，基於該偏移量校準搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料變更邊緣環ER之載置位置。於該構成中，能夠提高基於傳送模組TM之搬送位置之精度。
於一例示性實施方式中，製程模組可包含使邊緣環ER上升之頂起銷27a。1個或複數個控制裝置能夠於變更邊緣環ER之載置位置時，以頂起銷27a使邊緣環ER上升之方式控制製程模組。1個或複數個控制裝置能夠以接收藉由頂起銷27a而上升之邊緣環ER且基於校準後之搬送位置資料再次將所接收之邊緣環ER載置於載台ST上之方式，控制傳送模組TM。於該構成中，能夠提高邊緣環ER之搬送位置之精度。
以上，對各種例示性實施方式進行了說明，但並不限定於上述例示性實施方式，亦可進行各種省略、替換、及變更。又，能夠將不同實施方式中之要素組合而形成其他實施方式。
例如，於測定器100之動作之說明中，示出了於步驟ST9中調整常數a、b之例，但亦可省略步驟ST9。
又，測定器100之使用環境並不限定於20℃～80℃之溫度環境。溫度環境之下限亦可未達20℃，溫度環境之上限亦可高於80℃。儲存於測定器100之修正參數群可對應於與測定器100之使用環境相應之溫度。
又，作為獲取用於控制可變電阻171b或可變電容器171c之表格之方法，示出了於不存在測定器100之檢測對象之狀態下調整可變電阻171b及可變電容器171c之例，但該方法並不限定於此。例如，於特定條件下由各感測器輸出之檢測值已知時，亦可以由感測器輸出之數位值與已知之檢測值一致之方式調整可變電阻171b及可變電容器171c。
又，於上述例中，為了調整相位調整電路171d之導納，而控制可變電阻171b之電阻值與可變電容器171c之靜電電容值。於另一例中，亦可藉由調整流至可變電阻171b或可變電容器171c之電流量而調整導納。於該情形時，相位調整電路171d亦可具有固定電阻及固定電容器而代替可變電阻171b及可變電容器171c。
又，於上述例中，示出了保管裝置5與裝載器模組LM鄰接設置之例，但例如亦可使用製程模組中之一個作為保管裝置。又，保管裝置亦可與製程模組同樣地，經由閘閥而氣密地連接於傳送模組TF。於保管裝置連接於傳送模組TF之情形時，能夠於步驟ST5中在保持除濕環境之狀態下將測定器100移行至處於除濕真空環境下之製程模組。又，例如，亦可將收容被加工物W之容器(FOUP)中之一個用作保管裝置。進而，保管裝置亦可與處理系統隔開而配置。
又，示出了用於調整基準點之參數於除濕環境下獲取之例，但獲取該參數之環境並無特別限定。
根據以上之說明應當理解到：本發明之各種實施方式係出於說明之目的而於本說明書中進行說明，其能夠於不脫離本發明之範圍及主旨之情況下進行各種變更。因此，本說明書中揭示之各種實施方式未意圖進行限定，其真正之範圍與主旨由隨附之申請專利範圍表示。
1:處理系統 2a～2d:台 4a～4d:容器 5:保管裝置 5a:腔室 5b:氣體供給裝置 5c:排氣裝置 6D:驅動裝置 6S:感測器 6T:支持台 10:電漿處理裝置 12:腔室本體 12e:排氣口 12g:搬入搬出口 14:支持部 18a:第1極板 18b:第2極板 22:直流電源 23:開關 24:冷媒流路 25:貫通孔 25a:頂起銷 26a:配管 26b:配管 27:貫通孔 27a:頂起銷 28:氣體供給管線 30:上部電極 32:絕緣性遮蔽構件 34:頂板 34a:氣體噴出孔 36:支持體 36a:氣體擴散室 36b:氣體流通孔 36c:氣體導入口 38:氣體供給管 40:氣體源群 42:閥群 44:流量控制器群 46:積存物遮罩 48:排氣板 50:排氣裝置 52:排氣管 54:閘閥 62:第1高頻電源 64:第2高頻電源 66:匹配器 68:匹配器 100:測定器 102:基底基板 102N:凹口 103:外罩 104:第1感測器 104A～104C:第1感測器 105:第2感測器 105A～105C:第2感測器 106:電路基板 108:配線群 108A～108C:配線群 141:電極 142:屏蔽電極 143:感測器電極 143f:前表面 144:基板部 144a:上表面 144b:下表面 144c:前側端面 144d:下側部分 144u:上側部分 147:絕緣區域 151:焊墊 152:焊墊 153:焊墊 161:感測器電極 161a:內緣 161b:外緣 162:屏蔽電極 163:電極 164:絕緣區域 165:絕緣區域 171:高頻振盪器 171a:電阻 171b:可變電阻 171c:可變電容器 171d:相位調整電路 172:C/V轉換電路 172a:放大電路 172A～172C:C/V轉換電路 173:A/D轉換器 174:處理器 174a:D/A轉換器 174b: D/A轉換器 175:記憶裝置 176:通信裝置 177:電源 178:記憶裝置 179:溫度感測器 181:配線 182:配線 183:配線 208:配線群 208A～208C:配線群 272:C/V轉換電路 272A～272C:C/V轉換電路 281:配線 282:配線 283:配線 AN:對準器 AX100:中心軸線 ER:邊緣環 ESC:靜電吸盤 G:接地極 GL:接地電位線 LE:下部電極 LL1:裝載閉鎖模組 LL2:裝載閉鎖模組 LM:裝載器模組 MC:控制部 P1:第1部分 P1i:內緣 P2:第2部分 P2i:內緣 PM1～PM6:製程模組 S:腔室 S1:搬送系統 ST:載台 ST1:步驟 ST2:步驟 ST3:步驟 ST4:步驟 ST5:步驟 ST6:步驟 ST7:步驟 ST8:步驟 ST9:步驟 ST10:步驟 SWG:開關 TF:傳送模組 TU1:搬送裝置 TU2:搬送裝置 TUa:搬送臂 W:被加工物 WN:凹口 X:方向 Y:方向 Z:方向
圖1係例示處理系統之圖。 圖2係例示對準器之立體圖。 圖3係表示電漿處理裝置之一例之圖。 圖4係自上表面側觀察作為一例之測定器而示出之俯視圖。 圖5係自底面側觀察作為一例之測定器而示出之俯視圖。 圖6係表示第1感測器之一例之立體圖。 圖7係沿著圖6之VII-VII線所獲得之剖視圖。 圖8係圖5之第2感測器之放大圖。 圖9係例示測定器之電路基板之構成之圖。 圖10係例示測定器之電路基板之構成之詳情之圖。 圖11係表示基準參數群之一例之表格。 圖12係表示修正參數群之一例之表格。 圖13係表示藉由測定器測定靜電電容時之順序之一例之流程圖。
ST1:步驟
ST2:步驟
ST3:步驟
ST4:步驟
ST5:步驟
ST6:步驟
ST7:步驟
ST8:步驟
ST9:步驟
ST10:步驟

Claims (15)

  1. 一種測定方法，其係對測定器與對象物之間之靜電電容進行測定之方法，且 上述測定器具備： 圓盤狀之基底基板； 感測器電極，其設置於上述基底基板； 溫度感測器，其設置於上述基底基板； 高頻振盪器，其設為對上述感測器電極賦予高頻信號； C/V轉換電路，其產生與上述感測器電極形成之靜電電容對應之電壓信號；及 相位調整電路，其連接於上述感測器電極與上述高頻振盪器之間； 上述C/V轉換電路具有包含運算放大器之放大電路， 上述高頻振盪器係以將上述高頻信號輸入至上述運算放大器之非反相輸入端子之方式連接於上述非反相輸入端子，且經由上述相位調整電路連接於上述運算放大器之反相輸入端子， 該方法包括如下工序： 於第1時間藉由上述溫度感測器獲取溫度，並且獲取第1參數，上述第1參數設定上述相位調整電路之導納，以將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為基準點； 基於預先記憶之第2參數群，獲取設定與於上述第1時間獲取之溫度對應之上述相位調整電路之導納的第2參數，上述第2參數群與複數個溫度分別建立對應地設定上述相位調整電路之導納，以將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為上述基準點； 基於上述第1參數與上述第2參數，以與上述第1參數對應之方式修正上述第2參數群，藉此獲取修正參數群；及 於上述第1時間之後之第2時間，基於上述修正參數群獲取與上述溫度感測器重新獲取之溫度對應之修正參數，使用所獲取之上述修正參數設定上述相位調整電路之導納，藉此將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為基準點。
  2. 如請求項1之測定方法，其中獲取上述修正參數群之工序係計算上述第1參數與上述第2參數之差量，使用算出之上述差量來調整構成上述第2參數群之與複數個溫度對應之複數個參數。
  3. 如請求項1或2之測定方法，其中獲取第2參數之工序係基於對構成上述第2參數群之與複數個溫度對應之複數個參數進行線性插值所得之資料，獲取與於上述第1時間獲取之溫度對應之上述第2參數。
  4. 如請求項1至3中任一項之測定方法，其中上述第2參數群係由在濕度10%以下之環境下持續放置了1天以上之上述測定器所獲取。
  5. 一種測定器，其具備： 圓盤狀之基底基板； 感測器電極，其設置於上述基底基板； 溫度感測器，其設置於上述基底基板； 高頻振盪器，其設為對上述感測器電極賦予高頻信號； C/V轉換電路，其產生與上述感測器電極形成之靜電電容對應之電壓信號； A/D轉換器，其將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號轉換成數位值； 運算裝置，其基於自上述A/D轉換器輸出之上述數位值，計算表示上述感測器電極形成之上述靜電電容之測定值；及 相位調整電路，其連接於上述感測器電極與上述高頻振盪器之間；且 上述C/V轉換電路具有包含運算放大器之放大電路， 上述高頻振盪器係以將上述高頻信號輸入至上述運算放大器之非反相輸入端子之方式連接於上述非反相輸入端子，且經由上述相位調整電路連接於上述運算放大器之反相輸入端子， 上述運算裝置係 於第1時間藉由上述溫度感測器獲取溫度，並且獲取第1參數，上述第1參數設定上述相位調整電路之導納，以將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為基準點； 基於預先記憶之第2參數群，獲取設定與於上述第1時間獲取之溫度對應之上述相位調整電路之導納的第2參數，上述第2參數群與複數個溫度分別建立對應地設定上述相位調整電路之導納，以將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為上述基準點； 基於上述第1參數與上述第2參數，以與上述第1參數對應之方式修正上述第2參數群，藉此獲取修正參數群； 於上述第1時間之後之第2時間，基於上述修正參數群獲取與上述溫度感測器重新獲取之溫度對應之修正參數，使用所獲取之上述修正參數來設定上述相位調整電路之導納，藉此將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為基準點。
  6. 一種測定系統，其係使測定器於處理系統之腔室內獲取表示靜電電容之測定值者，且 具備上述處理系統、上述測定器、以及控制上述處理系統及上述測定器之動作之1個或複數個控制裝置， 上述處理系統具有： 製程模組，其具有提供第1腔室之腔室本體、設置於上述第1腔室內且於其上載置上述測定器之載台、及配置於上述載台上且以包圍供載置上述測定器之載置區域之方式載置的邊緣環； 傳送模組，其具有氣密地連接於上述製程模組且構成為能夠減壓之減壓室、及設置於上述減壓室且基於搬送位置資料搬送上述測定器之搬送裝置；及 保管裝置，其氣密地連接於上述減壓室，且具有於內側保管上述測定器之第2腔室； 上述測定器具備： 圓盤狀之基底基板； 感測器電極，其設置於上述基底基板； 溫度感測器，其設置於上述基底基板； 高頻振盪器，其設為對上述感測器電極賦予高頻信號； C/V轉換電路，其產生與上述感測器電極形成之靜電電容對應之電壓信號； A/D轉換器，其將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號轉換成數位值；及 相位調整電路，其連接於上述感測器電極與上述高頻振盪器之間； 上述C/V轉換電路具有包含運算放大器之放大電路， 上述高頻振盪器係以將上述高頻信號輸入至上述運算放大器之非反相輸入端子之方式連接於上述非反相輸入端子，且經由上述相位調整電路連接於上述運算放大器之反相輸入端子， 上述1個或複數個控制裝置係 於第1時間藉由上述溫度感測器獲取溫度，並且獲取第1參數，上述第1參數設定上述相位調整電路之導納，以將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為基準點； 基於預先記憶之第2參數群，獲取設定與於上述第1時間獲取之溫度對應之上述相位調整電路之導納的第2參數，上述第2參數群與複數個溫度分別建立對應地設定上述相位調整電路之導納，以將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為上述基準點； 基於上述第1參數與上述第2參數，以與上述第1參數對應之方式修正上述第2參數群，藉此獲取修正參數群； 於上述第1時間之後之第2時間，基於上述修正參數群獲取與上述溫度感測器重新獲取之溫度對應之修正參數，使用所獲取之上述修正參數來設定上述相位調整電路之導納，藉此將自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號調整為基準點； 於自上述C/V轉換電路輸出之上述電壓信號已調整為基準點之狀態下，基於自上述A/D轉換器輸出之上述數位值，計算表示上述感測器電極形成之上述靜電電容之測定值。
  7. 如請求項6之測定系統，其中上述1個或複數個控制裝置係於獲取上述修正參數群時，計算上述第1參數與上述第2參數之差量，使用算出之上述差量來調整構成上述第2參數群之與複數個溫度對應之複數個參數。
  8. 如請求項6或7之測定系統，其中上述1個或複數個控制裝置基於對構成上述第2參數群之與複數個溫度對應之複數個參數進行線性插值所得之資料，獲取與於上述第1時間獲取之溫度對應之上述第2參數。
  9. 如請求項6至8中任一項之測定系統，其中上述第2參數群係由在濕度10%以下之環境下持續放置了1天以上之上述測定器所獲取。
  10. 如請求項6至9中任一項之測定系統，其中上述傳送模組能夠將配置於上述載台上之上述邊緣環更換成其他邊緣環， 上述1個或複數個控制裝置以如下方式控制上述傳送模組，即，於將上述邊緣環更換成上述其他邊緣環之後，將上述測定器載置於上述載台上之由上述其他邊緣環包圍之區域。
  11. 如請求項6至10中任一項之測定系統，其中上述測定器係於上述保管裝置之上述第2腔室內保管在除濕環境下。
  12. 如請求項6至11中任一項之測定系統，其中上述1個或複數個控制裝置以如下方式控制上述傳送模組，即，基於算出之表示上述靜電電容之上述測定值而求出上述測定器之中心相對於上述邊緣環之中心之偏移量，基於該偏移量校準上述搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料搬送被加工物。
  13. 如請求項6至12中任一項之測定系統，其中上述1個或複數個控制裝置以如下方式控制上述傳送模組，即，基於算出之表示上述靜電電容之上述測定值而求出上述測定器之中心相對於上述載置區域之中心之偏移量，基於該偏移量校準上述搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料搬送被加工物。
  14. 如請求項6至13中任一項之測定系統，其中上述1個或複數個控制裝置以如下方式控制上述傳送模組，即，基於算出之表示上述靜電電容之上述測定值而求出上述邊緣環之中心相對於上述載置區域之中心之偏移量，基於該偏移量校準上述搬送位置資料，且基於校準後之搬送位置資料變更上述邊緣環之載置位置。
  15. 如請求項14之測定系統，其中上述製程模組包含使上述邊緣環上升之頂起銷， 上述1個或複數個控制裝置係 於變更上述邊緣環之載置位置時，以上述頂起銷使上述邊緣環上升之方式控制上述製程模組，且 以接收藉由上述頂起銷而上升之邊緣環且基於上述校準後之搬送位置資料再次將所接收之上述邊緣環載置於上述載台上之方式，控制上述傳送模組。
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