CN116626397A - 测定方法、测定器及测定系统 - Google Patents

测定方法、测定器及测定系统 Download PDF

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    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2605—Measuring capacitance
    • G—PHYSICS
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    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/44—Modifications of instruments for temperature compensation

Abstract

示例性实施方式所涉及的测定方法包括在第1时间内由温度传感器获取温度且获取设定相位调整电路的导纳的第1参数的工序。测定方法包括获取与在第1时间内所获取的温度对应的第2参数的工序。第2参数根据预先存储的第2参数组来生成。测定方法包括如下工序：通过根据第1参数和第2参数校正第2参数组以使其与第1参数对应来获取校正参数组的工序。

Description

测定方法、测定器及测定系统
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及一种测定器。
背景技术
在日本特开2020-190539号公报中记载有静电电容测定用的测定器。该测定器存储有用于在多个温度中的每一个下调整多个相位调整电路中的每一个的导纳的参数，并使用与由温度传感器检测到的温度对应的参数来调整导纳。
发明内容
在一示例性实施方式中，提供一种测定测定器与对象物之间的静电电容的测定方法。测定器具备基座基板、传感器电极、温度传感器、高频振荡器、C/V转换电路及相位调整电路。基座基板呈圆盘状。传感器电极设置于基座基板上。温度传感器设置于基座基板上。高频振荡器以向传感器电极提供高频信号的方式设置。C/V转换电路生成与传感器电极所形成的静电电容对应的电压信号。相位调整电路连接在传感器电极与高频振荡器之间。C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路。高频振荡器以将高频信号输入至运算放大器的非反相输入端子的方式与非反相输入端子连接，并且经由相位调整电路与运算放大器的反相输入端子连接。测定方法包括如下工序：在第1时间内，由温度传感器获取温度，并且为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点，获取设定相位调整电路的导纳的第1参数的工序。测定方法包括获取与在第1时间内所获取的温度对应的设定相位调整电路的导纳的第2参数的工序。第2参数根据为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点而与多个温度分别建立对应关联地设定相位调整电路的导纳的预先存储的第2参数组来生成。测定方法包括如下工序：通过根据第1参数和第2参数校正第2参数组以使其与第1参数对应来获取校正参数组的工序。测定方法包括如下工序：在比第1时间晚的第2时间内，根据校正参数组来获取与由温度传感器重新获取的温度对应的校正参数的工序。测定方法包括如下工序：通过使用所获取的校正参数来设定相位调整电路的导纳，将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点的工序。
附图说明
图1是例示处理系统的图。
图2是例示对准器的立体图。
图3是表示等离子体处理装置的一例的图。
图4是从上表面侧观察一例测定器时示出的俯视图。
图5是从底面侧观察一例测定器时示出的俯视图。
图6是表示第1传感器的一例的立体图。
图7是沿图6的VII-VII线剖切的剖视图。
图8是图5的第2传感器的放大图。
图9是例示测定器的电路板的结构的图。
图10是例示测定器的电路板的结构的详细内容的图。
图11是表示基准参数组的一例的表。
图12是表示校正参数组的一例的表。
图13是表示由测定器测定静电电容时的步骤的一例的流程图。
具体实施方式
以下，对各种示例性实施方式进行说明。
在一示例性实施方式中，提供一种测定测定器与对象物之间的静电电容的测定方法。测定器具备基座基板、传感器电极、温度传感器、高频振荡器、C/V转换电路及相位调整电路。基座基板呈圆盘状。传感器电极设置于基座基板上。温度传感器设置于基座基板上。高频振荡器以向传感器电极提供高频信号的方式设置。C/V转换电路生成与传感器电极所形成的静电电容对应的电压信号。相位调整电路连接在传感器电极与高频振荡器之间。C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路。高频振荡器以将高频信号输入至运算放大器的非反相输入端子的方式与非反相输入端子连接，并且经由相位调整电路与运算放大器的反相输入端子连接。测定方法包括如下工序：在第1时间内，由温度传感器获取温度，并且为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点，获取设定相位调整电路的导纳的第1参数的工序。测定方法包括获取与在第1时间内所获取的温度对应的设定相位调整电路的导纳的第2参数的工序。第2参数根据为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点而与多个温度分别建立对应关联地设定相位调整电路的导纳的预先存储的第2参数组来生成。测定方法包括如下工序：通过根据第1参数和第2参数校正第2参数组以使其与第1参数对应来获取校正参数组的工序。测定方法包括如下工序：在比第1时间晚的第2时间内，根据校正参数组来获取与由温度传感器重新获取的温度对应的校正参数的工序。测定方法包括如下工序：通过使用所获取的校正参数来设定相位调整电路的导纳，将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点的工序。
在一示例性实施方式中，提供一种测定器。测定器具备基座基板、传感器电极、温度传感器、高频振荡器、C/V转换电路、A/D转换器、运算装置及相位调整电路。基座基板呈圆盘状。传感器电极设置于基座基板上。温度传感器设置于基座基板上。高频振荡器以向传感器电极提供高频信号的方式设置。C/V转换电路生成与传感器电极所形成的静电电容对应的电压信号。A/D转换器将从C/V转换电路输出的电压信号转换成数字值。运算装置根据从A/D转换器输出的数字值来算出表示传感器电极所形成的静电电容的测定值。相位调整电路连接在传感器电极与高频振荡器之间。C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路。高频振荡器以将高频信号输入至运算放大器的非反相输入端子的方式与非反相输入端子连接，并且经由相位调整电路与运算放大器的反相输入端子连接。运算装置在第1时间内，由温度传感器获取温度，并且为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点，获取设定相位调整电路的导纳的第1参数。运算装置获取与在第1时间内所获取的温度对应的设定相位调整电路的导纳的第2参数。第2参数根据为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点而与多个温度分别建立对应关联地设定相位调整电路的导纳的预先存储的第2参数组来获取。运算装置通过根据第1参数和第2参数校正第2参数组以使其与第1参数对应来获取校正参数组。运算装置在比第1时间晚的第2时间内，根据校正参数组来获取与由温度传感器重新获取的温度对应的校正参数。运算装置通过使用所获取的校正参数来设定相位调整电路的导纳，将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点。
在一示例性实施方式中，提供一种测定系统。测定系统具备处理系统、测定器以及控制处理系统及测定器的动作的一个或多个控制装置。处理系统具有处理模块、传输模块及保管装置。处理模块包括提供第1腔室的腔室主体和设置于第1腔室内的工作台。处理模块具有载置有测定器的工作台和配置于工作台上的边缘环。边缘环包围载置有测定器的载置区域。传输模块与处理模块气密地连接。传输模块具有以能够减压的方式构成的减压室和设置于减压室内且根据输送位置数据来输送测定器的输送装置。保管装置与减压室气密地连接。保管装置具有在内侧保管测定器的第2腔室。测定器具备基座基板、传感器电极、温度传感器、高频振荡器、C/V转换电路、A/D转换器及相位调整电路。基座基板呈圆盘状。传感器电极设置于基座基板上。温度传感器设置于基座基板上。高频振荡器以向传感器电极提供高频信号的方式设置。C/V转换电路生成与传感器电极所形成的静电电容对应的电压信号。A/D转换器将从C/V转换电路输出的电压信号转换成数字值。相位调整电路连接在传感器电极与高频振荡器之间。C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路。高频振荡器以将高频信号输入至运算放大器的非反相输入端子的方式与非反相输入端子连接，并且经由相位调整电路与运算放大器的反相输入端子连接。一个或多个控制装置在第1时间内，由温度传感器获取温度，并且为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点，获取设定相位调整电路的导纳的第1参数。一个或多个控制装置获取与在第1时间内所获取的温度对应的设定相位调整电路的导纳的第2参数。第2参数根据为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点而与多个温度分别建立对应关联地设定相位调整电路的导纳的预先存储的第2参数组来获取。一个或多个控制装置通过根据第1参数和第2参数校正第2参数组以使其与第1参数对应来获取校正参数组。一个或多个控制装置在比第1时间晚的第2时间内，根据校正参数组来获取与由温度传感器重新获取的温度对应的校正参数。一个或多个控制装置通过使用所获取的校正参数来设定相位调整电路的导纳，将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点。一个或多个控制装置在从C/V转换电路输出的电压信号被调整为基准点的状态下，根据从A/D转换器输出的数字值来算出表示传感器电极所形成的静电电容的测定值。
在上述实施方式中，高频振荡器以将高频信号输入至运算放大器的非反相输入端子的方式与非反相输入端子连接，并且经由相位调整电路与运算放大器的反相输入端子连接。因此，通过调整相位调整电路的导纳来调整从多个C/V转换电路输出的电压信号的大小。从多个C/V转换电路输出的电压信号的大小可以根据周围的温度等而变动。因此，在测定器中，为了将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点，获取与第1时间的温度对应的设定相位调整电路的导纳的第1参数。另一方面，测定器预先存储设定相位调整电路的导纳的第2参数组，并根据第2参数组来获取与第1时间的温度对应的第2参数。第1参数和第2参数对应于相同的温度，因此本应是相同的值。但是，由于获取第1参数时与获取第2参数组时的测定器的状态不同，有时2个值彼此不同。因此，测定器通过根据第1参数和第2参数校正第2参数组来获取与多个温度对应的校正参数组。由于使用该校正参数组来调整导纳，因此能够根据当时的测定器的状态及环境温度容易地调整电压信号。
在一示例性实施方式中，获取校正参数组的工序可以为如下：算出第1参数与第2参数的差分，并使用所算出的差分来调整构成第2参数组的与多个温度对应的多个参数。在该结构中，能够统一修改作为第2参数的要素的多个参数。
在一示例性实施方式中，获取第2参数的工序可以为如下：根据对构成第2参数组的与多个温度对应的多个参数进行线性插补而获得的数据来获取与在第1时间内所获取的温度对应的第2参数。在该结构中，即使不获取大量数据作为第2参数组，也能够根据在数据之间进行线性插补而获得的数据来获取第2参数，因此能够减少构成第2参数组的要素的数量。
在一示例性实施方式中，第2参数组可以由在湿度10％以下的环境下放置1天以上的测定器来获取。在该结构中，能够在接近测定器的使用环境的状态下获取第2参数组。
在一示例性实施方式中，传输模块能够将配置于工作台上的边缘环更换为另一个边缘环。一个或多个控制装置可以控制传输模块，以在边缘环被更换为另一个边缘环之后，使测定器载置于工作台上的被另一个边缘环包围的区域中。在该结构中，在更换边缘环之后，由测定器确认边缘环的输送位置。
在一示例性实施方式中，测定器可以在保管装置的第2腔室内在除湿环境下被保管。在该结构中，能够在接近使用环境的状态下保管测定器。
在一示例性实施方式中，一个或多个控制装置可以根据所算出的表示静电电容的测定值来求出测定器的中心相对于边缘环的中心的偏移量。一个或多个控制装置可以根据该偏移量来校准输送位置数据，并控制传输模块以根据所校准的输送位置数据来输送被加工物。在该结构中，可以提高基于传输模块的输送位置的精度。
在一示例性实施方式中，一个或多个控制装置可以根据所算出的表示静电电容的测定值来求出测定器的中心相对于载置区域的中心的偏移量。一个或多个控制装置可以根据该偏移量来校准输送位置数据，并控制传输模块以根据所校准的输送位置数据来输送被加工物。在该结构中，可以提高基于传输模块的输送位置的精度。
在一示例性实施方式中，一个或多个控制装置可以根据所算出的表示静电电容的测定值来求出边缘环的中心相对于载置区域的中心的偏移量。一个或多个控制装置可以根据该偏移量来校准输送位置数据，并控制传输模块以根据所校准的输送位置数据来变更边缘环的载置位置。在该结构中，可以提高基于传输模块的输送位置的精度。
在一示例性实施方式中，处理模块可以包括使边缘环上升的升降销。一个或多个控制装置可以控制处理模块，以在变更边缘环的载置位置时，升降销使边缘环上升。一个或多个控制装置可以控制传输模块，以接收由升降销提升的边缘环，并使所接收的边缘环根据所校准的输送位置数据再次载置于工作台上。在该结构中，可以提高边缘环的输送位置的精度。
以下，参考附图对各种实施方式进行详细说明。另外，在各附图中，对相同或相等的部分标注相同的符号。
关于一示例性实施方式所涉及的测定器，可以由具有作为输送系统S1的功能的处理系统1输送。首先，对处理系统进行说明，所述处理系统具有用于处理被加工物的处理装置及用于将被加工物输送至该处理装置的输送装置。图1是例示处理系统的图。处理系统1具备平台2a～2d、容器4a～4d、装载模块LM、对准器AN、装载锁定模块LL1、LL2、处理模块PM1～PM6、传输模块TF、控制部MC及保管装置5。另外，平台2a～2d的个数、容器4a～4d的个数、装载锁定模块LL1、LL2的个数及处理模块PM1～PM6的个数并无限定，可以为一个以上的任意个数。
平台2a～2d沿装载模块LM的一边缘排列。容器4a～4d分别搭载于平台2a～2d上。容器4a～4d的各自例如为称为FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)的容器。容器4a～4d的各自可以构成为容纳被加工物W。被加工物W如晶圆那样具有大致圆盘形状。
装载模块LM具有将大气压状态的输送空间划分在其内部的腔室壁。在该输送空间内设置有输送装置TU1。输送装置TU1例如为多关节机器人，并且由控制部MC控制。输送装置TU1构成为在容器4a～4d与对准器AN之间、对准器AN与装载锁定模块LL1～LL2之间、装载锁定模块LL1～LL2与容器4a～4d之间输送被加工物W。
对准器AN与装载模块LM连接。对准器AN构成为进行被加工物W的位置的调整(位置的校准)。图2是例示对准器的立体图。对准器AN具有支承台6T、驱动装置6D及传感器6S。支承台6T为能够以沿铅垂方向延伸的轴线为中心进行旋转的台。支承台6T构成为在其上支承被加工物W。支承台6T由驱动装置6D旋转。驱动装置6D由控制部MC控制。当支承台6T通过来自驱动装置6D的动力进行旋转时，载置于该支承台6T上的被加工物W也旋转。
传感器6S为光学传感器。传感器6S在被加工物W旋转期间检测被加工物W的边缘。传感器6S根据边缘的检测结果来检测被加工物W的凹槽WN(或者，其他标记)的角度位置相对于基准角度位置的偏移量及被加工物W的中心位置相对于基准位置的偏移量。传感器6S将凹槽WN的角度位置的偏移量及被加工物W的中心位置的偏移量输出至控制部MC。控制部MC根据凹槽WN的角度位置的偏移量来算出用于将凹槽WN的角度位置校正为基准角度位置的支承台6T的旋转量。控制部MC控制驱动装置6D以使支承台6T旋转该旋转量。由此，能够将凹槽WN的角度位置校正为基准角度位置。并且，控制部MC根据被加工物W的中心位置的偏移量来控制从对准器AN接收被加工物W时的输送装置TU1的末端效应器(end effector)的位置。由此，被加工物W的中心位置与输送装置TU1的末端效应器上的规定位置一致。
返回至图1，装载锁定模块LL1及装载锁定模块LL2的各自设置在装载模块LM与传输模块TF之间。装载锁定模块LL1及装载锁定模块LL2的各自提供预减压室。
传输模块TF经由闸阀与装载锁定模块LL1及装载锁定模块LL2气密地连接。传输模块TF提供能够减压的减压室。在该减压室内设置有输送装置TU2。输送装置TU2例如为具有输送臂TUa的多关节机器人。输送装置TU2由控制部MC控制。输送装置TU2构成为在装载锁定模块LL1～LL2与处理模块PM1～PM6之间及在处理模块PM1～PM6中的任意两个处理模块之间输送被加工物W。
处理模块PM1～PM6经由闸阀与传输模块TF气密地连接。处理模块PM1～PM6的各自为如下处理装置，即，构成为对被加工物W进行等离子体处理等专用处理。
保管装置5可以在除湿的环境下保管后述测定器100。如图1所示，保管装置5包括提供可密闭的内部空间的腔室5a(第2腔室)、经由阀与腔室5a连接的气体供给装置5b及与腔室5a连接的排气装置5c。一例保管装置5可以与装载模块LM相邻而设置。此时，腔室5a可以经由测定器100能够通过的闸门与装载模块LM的输送空间连接。在闸门打开的状态下，腔室5a内的空间与装载模块LM内的输送空间连接。在闸门关闭的状态下，腔室5a内的空间可密闭。在腔室5a的闸门打开的状态下，测定器100可以由输送装置TU1输送。例如，输送装置TU1可以经由装载模块LM在装载锁定模块LL1～LL2与腔室5a之间输送测定器100。
气体供给装置5b可以将不包含水分的吹扫气体供给至腔室5a内。吹扫气体例如可以为氮气等惰性气体。排气装置5c为用于将腔室5a内的气体向外部排出的装置。作为一例，排气装置5c可以为能够将腔室5a内减压至所期望的真空度的真空泵。
例如，通过将吹扫气体从气体供给装置5b供给至腔室5a内，可以使腔室5a的内部空间成为除湿环境。并且，通过由排气装置5c对腔室5a的内部空间进行抽真空，可以使腔室5a的内部空间成为除湿环境。作为一例，腔室5a的内部空间可以被调整为极限真空度为10mTorr左右的真空除湿环境。除湿环境是指空间内的湿度为10％以下。另外，通过将硅胶等除湿剂配置于腔室5a内，可以实现腔室5a内的除湿环境。
在该处理系统1中进行被加工物W的处理时的一系列的动作如下所示。装载模块LM的输送装置TU1从容器4a～4d中的任一个取出被加工物W，并将该被加工物W输送至对准器AN。接着，输送装置TU1从对准器AN取出其位置已被调整的被加工物W，并将该被加工物W输送至装载锁定模块LL1及装载锁定模块LL2中的一个装载锁定模块。接着，一个装载锁定模块将预减压室的压力减压至规定压力。接着，传输模块TF的输送装置TU2从一个装载锁定模块取出被加工物W，并将该被加工物W输送至处理模块PM1～PM6中的任一个。然后，处理模块PM1～PM6中的一个以上的处理模块对被加工物W进行处理。然后，输送装置TU2将处理后的被加工物W从处理模块输送至装载锁定模块LL1及装载锁定模块LL2中的一个装载锁定模块。接着，输送装置TU1将被加工物W从一个装载锁定模块输送至容器4a～4d中的任一个。
如上所述，该处理系统1具备控制部MC。控制部MC可以为具备处理器、存储器等存储装置、显示装置、输入输出装置、通信装置等的计算机。上述处理系统1的一系列的动作通过控制部MC根据存储于存储装置中的程序对处理系统1的各部进行控制来实现。
图3是表示可以用作处理模块PM1～PM6中的任一个的等离子体处理装置的一例的图。图3所示的等离子体处理装置10为电容耦合型等离子体蚀刻装置。等离子体处理装置10具备大致圆筒形状的腔室主体12。腔室主体12例如由铝形成，并且可以对其内壁面实施阳极氧化处理。该腔室主体12被安全接地。
在腔室主体12的底部上设置有大致圆筒形状的支承部14。支承部14例如由绝缘材料构成。支承部14设置于腔室主体12内。支承部14从腔室主体12的底部向上方延伸。并且，在由腔室主体12提供的腔室S内设置有工作台ST。工作台ST被支承部14支承。
工作台ST具有下部电极LE及静电卡盘ESC。下部电极LE包括第1板18a及第2板18b。第1板18a及第2板18b例如由铝等金属构成，并且呈大致圆盘形状。第2板18b设置于第1板18a上，并且与第1板18a电连接。
在第2板18b上设置有静电卡盘ESC。静电卡盘ESC具有将作为导电膜的电极配置在一对绝缘层或绝缘片之间的结构，并且具有大致圆盘形状。直流电源22经由开关23与静电卡盘ESC的电极电连接。该静电卡盘ESC通过由来自直流电源22的直流电压所产生的库仑力等静电力来吸附被加工物W。由此，静电卡盘ESC能够保持被加工物W。
在第2板18b的周缘部上设置有边缘环ER。该边缘环ER以包围被加工物W的边缘及静电卡盘ESC的方式设置。边缘环ER具有第1部分P1及第2部分P2(参考图7)。第1部分P1及第2部分P2具有环状板形状。第2部分P2为比第1部分P1更靠外侧的部分。第2部分P2在高度方向上具有比第1部分P1大的厚度。第2部分P2的内缘P2i具有比第1部分P1的内缘P1i的直径大的直径。被加工物W载置于静电卡盘ESC上以使其边缘区域位于边缘环ER的第1部分P1上。该边缘环ER可以由硅、碳化硅、氧化硅等各种材料中的任一个形成。
在第2板18b的内部设置有制冷剂流路24。制冷剂流路24构成温度调节机构。从设置于腔室主体12的外部的制冷单元经由配管26a向制冷剂流路24供给制冷剂。供给至制冷剂流路24的制冷剂经由配管26b返回至制冷单元。如此，制冷剂在制冷剂流路24与制冷单元之间循环。通过控制该制冷剂的温度来控制被静电卡盘ESC支承的被加工物W的温度。
在工作台ST上形成有贯穿该工作台ST的多个(例如，三个)贯穿孔25。多个贯穿孔25形成于俯视观察时的静电卡盘ESC的内侧。在这些每一个贯穿孔25中插入有升降销25a。另外，在图3中描绘了插入有一根升降销25a的一个贯穿孔25。升降销25a设置成能够在贯穿孔25内上下移动。通过升降销25a的提升而支承于静电卡盘ESC上的被加工物W上升。例如，升降销25a可以接收根据输送位置数据由输送装置TU2输送的被加工物W，并将该被加工物W载置于静电卡盘ESC上。并且，升降销25a可以将载置于静电卡盘ESC上的被加工物W交接给输送装置TU2。
在工作台ST上，在俯视观察时比静电卡盘ESC更靠外侧的位置上形成有贯穿该工作台ST(下部电极LE)的多个(例如，三个)贯穿孔27。在这些每一个贯穿孔27中插入有升降销27a。另外，在图3中描绘了插入有一根升降销27a的一个贯穿孔27。升降销27a设置成能够在贯穿孔27内上下移动。通过升降销27a的提升而支承于第2板18b上的边缘环ER上升。例如，升降销27a可以将因使用而消耗的边缘环ER交接给输送装置TU2。并且，升降销27a可以接收根据输送位置数据由输送装置TU2输送的更换用的边缘环ER，并将该边缘环ER载置于载置位置上。另外，更换用的边缘环ER可以为未使用的边缘环，也可以为虽已使用但消耗量少的边缘环。
并且，在等离子体处理装置10中设置有气体供给管路28。气体供给管路28将来自传热气体供给机构的传热气体(例如，He气体)供给至静电卡盘ESC的上表面与被加工物W的背面之间。
并且，等离子体处理装置10具备上部电极30。上部电极30在工作台ST的上方与该工作台ST对置配置。上部电极30经由绝缘遮蔽部件32支承于腔室主体12的上部。上部电极30可以包括顶板34及支承体36。顶板34面向腔室S。在该顶板34上设置有多个排气孔34a。该顶板34可以由硅或石英形成。或者，顶板34可以通过在铝制母材的表面上形成氧化钇等耐等离子体性的膜来构成。
支承体36装卸自如地支承顶板34。支承体36例如可以由铝等导电性材料构成。该支承体36可以具有水冷结构。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。与排气孔34a连通的多个气体通流孔36b从该气体扩散室36a向下方延伸。并且，在支承体36上形成有将处理气体引导至气体扩散室36a中的气体导入口36c。在该气体导入口36c上连接有气体供给管38。
在气体供给管38上经由阀组42及流量控制器组44连接有气体源组40。气体源组40包括用于多种气体的多个气体源。阀组42包括多个阀，流量控制器组44包括质量流量控制器等多个流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组42中的相对应的阀及流量控制器组44中的相对应的流量控制器与气体供给管38连接。
并且，在等离子体处理装置10中，沿腔室主体12的内壁装卸自如地设置有沉积物挡板46。沉积物挡板46也设置于支承部14的外周。沉积物挡板46防止蚀刻副产物(沉积物)附着于腔室主体12上。沉积物挡板46可以通过在铝材上涂覆氧化钇等陶瓷来构成。
在腔室主体12的底部侧且支承部14与腔室主体12的侧壁之间设置有排气板48。排气板48例如可以通过在铝材上涂覆氧化钇等陶瓷来构成。在排气板48上形成有向其板厚方向贯穿的多个孔。在该排气板48的下方且腔室主体12上设置有排气口12e。在排气口12e上经由排气管52连接有排气装置50。排气装置50具有压力调节阀及涡轮分子泵等真空泵。排气装置50能够将腔室主体12内的空间减压至所期望的真空度。并且，在腔室主体12的侧壁上设置有被加工物W的搬入搬出口12g。该搬入搬出口12g能够通过闸阀54来开闭。
并且，等离子体处理装置10还具备第1高频电源62及第2高频电源64。第1高频电源62为产生等离子体生成用的第1高频的电源。第1高频电源62例如产生具有27～100MHz的频率的高频。第1高频电源62经由匹配器66与上部电极30连接。匹配器66具有用于使第1高频电源62的输出阻抗与负载侧(上部电极30侧)的输入阻抗匹配的电路。另外，第1高频电源62可以经由匹配器66与下部电极LE连接。
第2高频电源64为产生用于将离子引入至被加工物W中的第2高频的电源。第2高频电源64例如产生400kHz～13.56MHz的范围内的频率的高频。第2高频电源64经由匹配器68与下部电极LE连接。匹配器68具有用于使第2高频电源64的输出阻抗与负载侧(下部电极LE侧)的输入阻抗匹配的电路。
在等离子体处理装置10中，来自在多个气体源中选择的一个以上的气体源的气体被供给至腔室S。并且，由排气装置50将腔室S的压力设定为规定压力。而且，由来自第1高频电源62的第1高频激励腔室S内的气体。由此，生成等离子体。然后，由所产生的活性种对被加工物W进行处理。另外，根据需要，可以通过基于第2高频电源64的第2高频的偏置来将离子引入至被加工物W中。
以下，对测定器进行说明。图4是从上表面侧观察测定器时示出的俯视图。图5是从底面侧观察测定器时示出的俯视图。图4及图5所示的测定器100具备基座基板102。基座基板102例如由硅形成，并且具有与被加工物W的形状相同的形状即大致圆盘形状。基座基板102的直径为与被加工物W的直径相同的直径，例如为300mm。测定器100的形状及尺寸被该基座基板102的形状及尺寸限定。因此，测定器100具有与被加工物W的形状相同的形状，并且具有与被加工物W的尺寸相同的尺寸。并且，在基座基板102的边缘上形成有凹槽102N(或者，其他标记)。
在基座基板102上设置有静电电容测定用的多个第1传感器104A～104C。多个第1传感器104A～104C沿基座基板102的边缘例如在该边缘的整周以等间隔排列。具体而言，多个第1传感器104A～104C的各自以沿基座基板102的上表面侧的边缘的方式设置。多个第1传感器104A～104C的各自的前侧端面沿基座基板102的侧面。
并且，在基座基板102上设置有静电电容测定用的多个第2传感器105A～105C。多个第2传感器105A～105C沿基座基板102的边缘例如在该边缘的整周以等间隔排列。具体而言，多个第2传感器105A～105C的各自以沿基座基板的底面侧的边缘的方式设置。多个第2传感器105A～105C的各自的传感器电极161沿基座基板102的底面。并且，第2传感器105A～105C和第1传感器104A～104C在周向上以60°间隔交替排列。
在基座基板102的上表面的中央设置有电路板106。在电路板106与多个第1传感器104A～104C之间设置有用于彼此电连接的配线组108A～108C。并且，在电路板106与多个第2传感器105A～105C之间设置有用于彼此电连接的配线组208A～208C。电路板106、配线组108A～108C及配线组208A～208C被罩体103覆盖。
以下，对第1传感器进行详细说明。图6是表示传感器的一例的立体图。图7是沿图6的VII-VII线剖切的剖视图。图6及图7所示的第1传感器104为用作测定器100的多个第1传感器104A～104C的传感器，在一例中，构成为芯片状的器件。另外，在以下说明中，适当参考XYZ正交坐标系。X方向表示第1传感器104的前方向，Y方向表示与X方向正交的一方向即第1传感器104的宽度方向，Z方向表示与X方向及Y方向正交的方向即第1传感器104的上方向。在图7中与第1传感器104一起示出边缘环ER。
第1传感器104具有电极141、保护电极142、传感器电极143、基板部144及绝缘区域147。
基板部144例如由硼硅酸盐玻璃或石英形成。基板部144具有上表面144a、下表面144b及前侧端面144c。保护电极142设置于基板部144的下表面144b的下方，并且沿X方向及Y方向延伸。并且，电极141隔着绝缘区域147设置于保护电极142的下方，并且沿X方向及Y方向延伸。绝缘区域147例如由Si O2、SiN、Al2O3或聚酰亚胺形成。
基板部144的前侧端面144c形成为阶梯状。前侧端面144c的下侧部分144d比该前侧端面144c的上侧部分144u更朝向边缘环ER侧突出。传感器电极143沿前侧端面144c的上侧部分144u延伸。在一示例性实施方式中，前侧端面144c的上侧部分144u及下侧部分144d分别成为具有规定曲率的弯曲面。即，前侧端面144c的上侧部分144u在该上侧部分144u的任意位置上具有一定的曲率，该上侧部分144u的曲率为测定器100的中心轴线AX100与前侧端面144c的上侧部分144u之间的距离的倒数。并且，前侧端面144c的下侧部分144d在该下侧部分144d的任意位置上具有一定的曲率，该下侧部分144d的曲率为测定器100的中心轴线AX100与前侧端面144c的下侧部分144d之间的距离的倒数。
传感器电极143沿前侧端面144c的上侧部分144u设置。在一示例性实施方式中，该传感器电极143的前表面143f也成为弯曲面。即，传感器电极143的前表面143f在该前表面143f的任意位置上具有一定的曲率，该曲率为测定器100的中心轴线AX100与前表面143f之间的距离的倒数。
在将该第1传感器104用作测定器100的传感器的情况下，如后述，电极141与配线181连接，保护电极142与配线182连接，传感器电极143与配线183连接。
在第1传感器104中，传感器电极143相对于第1传感器104的下方被电极141及保护电极142遮蔽。因此，根据该第1传感器104，能够在特定方向即传感器电极143的前表面143f所朝向的方向(X方向)上以高指向性测定静电电容。
以下，对第2传感器进行详细说明。图8是图5的局部放大图，并且表示一个第2传感器。第2传感器105具有传感器电极161。传感器电极161的边缘局部呈圆弧形状。即，传感器电极161具有被内缘161a及外缘161b限定的平面形状，内缘161a及外缘161b为具有以中心轴线AX100为中心的不同的半径的两个圆弧。多个第2传感器105A～105C各自的传感器电极161中的径向外侧的外缘161b在共用的圆上延伸。并且，多个第2传感器105A～105C各自的传感器电极161中的径向内侧的内缘161a在其他共用的圆上延伸。传感器电极161的边缘的一部分的曲率与静电卡盘ESC的边缘的曲率一致。在一示例性实施方式中，形成传感器电极161中的径向外侧的边缘的外缘161b的曲率与静电卡盘ESC的边缘的曲率一致。另外，外缘161b的曲率中心即外缘161b在其上延伸的圆的中心共享中心轴线AX100。
在一示例性实施方式中，第2传感器105还包括包围传感器电极161的保护电极162。保护电极162呈框状，并在其整周包围传感器电极161。保护电极162和传感器电极161彼此分开以使绝缘区域164介于保护电极162和传感器电极161之间。并且，在一示例性实施方式中，第2传感器105还包括在保护电极162的外侧包围该保护电极162的电极163。电极163呈框状，并在其整周包围保护电极162。保护电极162和电极163彼此分开以使绝缘区域165介于保护电极162和电极163之间。
以下，对电路板106的结构进行说明。图9是例示测定器的电路板的结构的图。电路板106具有高频振荡器171、多个C/V转换电路172A～172C、多个C/V转换电路272A～272C、A/D转换器173、处理器174、存储装置175、通信装置176及电源177。在一例中，运算装置由处理器174、存储装置175等构成。并且，电路板106具有温度传感器179。温度传感器179将与所检测的温度对应的信号输出至处理器174。例如，温度传感器179能够获取测定器100的周围环境的温度。
多个第1传感器104A～104C的各自经由多个配线组108A～108C中相对应的配线组与电路板106连接。并且，多个第1传感器104A～104C的各自经由相对应的配线组中所包括的若干配线与多个C/V转换电路172A～172C中相对应的C/V转换电路连接。多个第2传感器105A～105C的各自经由多个配线组208A～208C中相对应的配线组与电路板106连接。并且，多个第2传感器105A～105C的各自经由相对应的配线组中所包括的若干配线与多个C/V转换电路272A～272C中相对应的C/V转换电路连接。以下，对与第1传感器104A～104C的各自相同结构的一个第1传感器104、与配线组108A～108C的各自相同结构的一个配线组108及与C/V转换电路172A～172C的各自相同结构的一个C/V转换电路172进行说明。并且，对与第2传感器105A～105C的各自相同结构的一个第2传感器105、与配线组208A～208C的各自相同结构的一个配线组208及与C/V转换电路272A～272C的各自相同结构的一个C/V转换电路272进行说明。
配线组108包括配线181～183。配线181的一端与连接到电极141上的焊盘151连接。该配线181与连接到电路板106的接地G上的接地电位线GL连接。另外，配线181可以经由开关SWG与接地电位线GL连接。并且，配线182的一端与连接到保护电极142上的焊盘152连接而配线182的另一端与C/V转换电路172连接。并且，配线183的一端与连接到传感器电极143上的焊盘153连接而配线183的另一端与C/V转换电路172连接。
配线组208包括配线281～283。配线281的一端与电极163连接。该配线281与连接到电路板106的接地G上的接地电位线GL连接。另外，配线281可以经由开关SWG与接地电位线GL连接。并且，配线282的一端与保护电极162连接而配线282的另一端与C/V转换电路272连接。并且，配线283的一端与传感器电极161连接而配线283的另一端与C/V转换电路272连接。
高频振荡器171构成为与电池等电源177连接，并且接收来自该电源177的电力而产生高频信号。另外，电源177也与处理器174、存储装置175及通信装置176连接。高频振荡器171具有多个输出线。高频振荡器171将所产生的高频信号经由多个输出线提供给配线182及配线183以及配线282及配线283。因此，高频振荡器171与第1传感器104的保护电极142及传感器电极143电连接，并且来自该高频振荡器171的高频信号被提供给保护电极142及传感器电极143。并且，高频振荡器171与第2传感器105的传感器电极161及保护电极162电连接，并且来自该高频振荡器171的高频信号被提供给传感器电极161及保护电极162。
在C/V转换电路172的输入处连接有与焊盘152连接的配线182及与焊盘153连接的配线183。即，在C/V转换电路172的输入处连接有第1传感器104的保护电极142及传感器电极143。并且，在C/V转换电路272的输入处分别连接有传感器电极161及保护电极162。C/V转换电路172及C/V转换电路272构成为生成具有与其输入处的电位差对应的振幅的电压信号并输出该电压信号。C/V转换电路172生成与相对应的第1传感器104所形成的静电电容对应的电压信号。即，与C/V转换电路172连接的传感器电极的静电电容越大，该C/V转换电路172所输出的电压信号的电压的大小越大。相同地，与C/V转换电路272连接的传感器电极的静电电容越大，该C/V转换电路272所输出的电压信号的电压的大小越大。
在A/D转换器173的输入处连接有C/V转换电路172及C/V转换电路272的输出。并且，A/D转换器173与处理器174连接。A/D转换器173通过来自处理器174的控制信号进行控制，将C/V转换电路172的输出信号(电压信号)及C/V转换电路272的输出信号(电压信号)转换成数字值，并作为检测值输出至处理器174。
在处理器174上连接有存储装置175。存储装置175为易失性存储器等存储装置，例如构成为存储测定数据。并且，在处理器174上连接有其他存储装置178。存储装置178为非易失性存储器等存储装置，例如存储有由处理器174读取并执行的程序。
通信装置176为遵照任意无线通信标准的通信装置。例如，通信装置176遵照Bluetooth(蓝牙)(注册商标)。通信装置176构成为无线发送存储于存储装置175中的测定数据。
处理器174构成为通过执行上述程序来控制测定器100的各部。例如，处理器174控制从高频振荡器171向保护电极142、传感器电极143、传感器电极161及保护电极162的高频信号的供给。并且，处理器174控制从电源177向存储装置175的电力供给和从电源177向通信装置176的电力供给等。而且，处理器174通过执行上述程序，根据从A/D转换器173输入的检测值来获取第1传感器104的测定值及第2传感器105的测定值。在一实施方式中，在将从A/D转换器173输出的检测值设为X的情况下，在处理器174中，根据检测值来获取测定值以使测定值成为与(a·X+b)成比例的值。其中，a及b为根据电路状态等而发生变化的常数。处理器174例如可以具有如测定值成为与(a·X+b)成比例的值的规定运算式(函数)。
在以上所说明的测定器100中，在测定器100配置于被边缘环ER包围的区域中的状态下，多个传感器电极143及保护电极142与边缘环ER的内缘对置。根据这些传感器电极143的信号与保护电极142的信号的电位差所生成的测定值表示反映多个传感器电极143各自与边缘环ER之间的距离的静电电容。另外，静电电容C由C＝εS/d表示。ε为传感器电极143的前表面143f与边缘环ER的内缘之间的介质的介电常数，S为传感器电极143的前表面143f的面积，d能够视为传感器电极143的前表面143f与边缘环ER的内缘之间的距离。
因此，根据测定器100，可以获得反映模拟了被加工物W的该测定器100与边缘环ER的相对位置关系的测定数据。例如，传感器电极143的前表面143f与边缘环ER的内缘之间的距离越大，由测定器100获取的多个测定值越小。因此，能够根据表示第1传感器104A～104C的各自的传感器电极143的静电电容的测定值来求出边缘环ER在各径向上的各传感器电极143的偏移量。然后，能够从各径向上的第1传感器104A～104C的各自的传感器电极143的偏移量来求出测定器100的输送位置的误差。
并且，在测定器100载置于静电卡盘ESC上的状态下，多个传感器电极161及保护电极162与静电卡盘ESC对置。如上所述，静电电容C由C＝εS/d表示。ε为传感器电极161与静电卡盘ESC之间的介质的介电常数。d为传感器电极161与静电卡盘ESC之间的距离。S能够视为在俯视观察时传感器电极161与静电卡盘ESC彼此重叠的面积。面积S根据测定器100与静电卡盘ESC的相对位置关系而发生变化。因此，根据测定器100，可以获得反映模拟了被加工物W的该测定器100与静电卡盘ESC的相对位置关系的测定数据。
在一例中，在测定器100被输送至规定输送位置即静电卡盘ESC的中心与测定器100的中心一致的静电卡盘ESC上的位置上的情况下，传感器电极161中的外缘161b与静电卡盘ESC的边缘可以一致。此时，例如在由于测定器100的输送位置从规定输送位置偏移而使传感器电极161相对于静电卡盘ESC向径向外侧偏移时，面积S变小。即，由传感器电极161测定的静电电容小于测定器100被输送至规定输送位置上时的静电电容。因此，能够根据表示第2传感器105A～105C的各自的传感器电极161的静电电容的测定值来求出静电卡盘ESC在各径向上的各传感器电极161的偏移量。然后，能够从各径向上的第2传感器105A～105C的各自的传感器电极161的偏移量来求出测定器100的输送位置的误差。
接着，对用于抑制因温度环境的变化而产生的静电电容的测定值的变动的结构进行说明。首先，对高频振荡器171与配线182及配线183与C/V转换电路172的连接进行更详细的说明。图10是表示高频振荡器171与配线182及配线183与C/V转换电路172的连接的电路图。如图10所示，在高频振荡器171与配线182之间连接有电阻171a。在高频振荡器171与配线183之间连接有包括可变电阻171b及可变电容器171c的相位调整电路171d。C/V转换电路172在其一部分上具有包括运算放大器及电阻的放大电路172a。在放大电路172a中，在运算放大器的反相输入端子连接有配线183，在运算放大器的非反相输入端子连接有配线182。并且，运算放大器的反相输入端子和输出端子处经由电阻连接。放大电路172a放大被输入至C/V转换电路172的来自传感器电极143的信号与来自保护电极142的信号的电位差。
高频振荡器171与配线282及配线283与C/V转换电路272和高频振荡器171与配线182及配线183与C/V转换电路172相同地连接。即，在高频振荡器171与配线282之间连接有电阻。在高频振荡器171与配线283之间连接有包括可变电阻及可变电容器的相位调整电路。C/V转换电路272在其一部分上具有包括运算放大器及电阻的放大电路。在放大电路中，在运算放大器的反相输入端子连接有配线283，在运算放大器的非反相输入端子连接有配线282。并且，运算放大器的反相输入端子和输出端子处经由电阻连接。
在如上所述的电路结构中，通过变更相位调整电路171d的可变电阻171b的电阻值，可以变更来自传感器电极143的信号的振幅。并且，通过变更相位调整电路171d的可变电容器171c的静电电容值，可以变更来自传感器电极143的信号的相位。在一示例性实施方式中，由处理器174调整(控制)可变电阻171b的电阻值和可变电容器171c的静电电容值，从而调整相位调整电路171d的导纳。
在图10中，与处理器174连接的D/A转换器174a的输出被输入至可变电阻171b。处理器174将用于调整可变电阻171b的电阻值的参数作为数字信号输出至D/A转换器174a。D/A转换器174a将所输入的数字信号转换成模拟信号，并将其输出至可变电阻171b。由此，可变电阻171b的电阻值被控制为与从处理器174输出的数字信号对应的电阻值。
并且，与处理器174连接的D/A转换器174b的输出被输入至可变电容器171c。处理器174将用于调整可变电容器171c的静电电容值的参数作为数字信号输出至D/A转换器174b。D/A转换器174b将所输入的数字信号转换成模拟信号，并将其输出至可变电容器171c。由此，可变电容器171c的静电电容值被控制为与从处理器174输出的数字信号对应的静电电容值。
在一示例性实施方式中，处理器174根据成为用于调整可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值的基准的基准参数组(第2参数组)来获取与测定环境对应的校正参数组。基准参数组具有在除湿环境下预先获取的多个基准参数。例如，基准参数组可以在测定器100的制造阶段获取。
用于调整可变电阻171b的电阻值的基准参数组及用于调整可变电容器171c的静电电容值的基准参数组例如可以作为表存储于存储装置178中。表具有与多个温度中的每一个对应的基准参数。基准参数组用于在多个温度中的每一个下进行多个C/V转换电路172、272的输出电压信号的基准点调整。作为一例，基准点调整可以为零点调整。即，基准参数可以为在测定器100的检测对象不存在的状态下调整可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值以使从C/V转换电路172、272输出的电压信号成为零的参数。该参数可以为与为了分别控制可变电容器171c的静电电容值及可变电阻171b的电阻值而从处理器174输出至D/A转换器174a、174b的数字信号对应的参数。
作为一例，存储装置178针对第1传感器104A～104C中的每一个具有以用于控制可变电阻171b的基准参数为要素的表。存储装置178针对第2传感器105A～105C中的每一个具有以用于控制可变电阻171b的基准参数为要素的表。用于控制可变电阻171b的各表针对多个温度中的每一个具有与各传感器对应的基准参数。
存储装置178针对第1传感器104A～104C中的每一个具有以用于控制可变电容器171c的基准参数为要素的表。存储装置178针对第2传感器105A～105C中的每一个具有以用于控制可变电容器171c的基准参数为要素的表。用于控制可变电容器171c的各表针对多个温度中的每一个具有与各传感器对应的基准参数。
基准参数组可以在实际使用测定器100时的环境下获取。即，一例基准参数组可以在20℃～80℃的温度环境下且在极限真空度为10mTorr左右的除湿至湿度10％以下的除湿环境下获取。在一示例性实施方式中，由在除湿环境下经过了1天以上的测定器100获取基准参数组。
在获取基准参数组时，在上述环境下，在基于测定器100的检测对象不存在的状态下调整可变电阻171b及可变电容器171c以使从C/V转换电路172、272输出的电压信号成为零。基于测定器100的检测对象不存在的状态例如可以为在测定器100到检测对象之间形成有检测值应成为零的空间的状态。然后，作为以如此调整时的可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值为目标的基准参数而获取。在将测定器100调温到20℃～80℃的状态下，在各温度下获取基准参数，从而能够制作表。另外，可以在20℃～80℃的范围内以规定温度刻度获取基准参数。例如，可以以约3℃刻度获取基准参数。此时，针对未获取基准参数的温度区域，可以根据所获取的基准参数来推算。作为一例，可以通过在所获取的基准参数之间进行线性插补来确定未获取基准参数的温度区域的基准参数。
如上所述，基准参数组在测定器100的制造阶段获取，有时在实际使用的环境下无法直接使用。例如，即使在使用前将测定器100放置在除湿环境下，有时也无法再现获取基准参数组时的测定器100的状态，即使使用基准参数组也无法零点调整。因此，在一示例性实施方式中的测定器100中，根据基准参数组来获取适合于使用时的环境的校正参数组。
一例处理器174在使用时的环境下的任意温度下获取用于基准点调整的参数(第1参数)，并根据该获取的参数和基准参数来获取使用时的环境下的各温度的参数。即，一例处理器174获取在测定器100的检测对象不存在的状态下调整可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值以使从C/V转换电路172、272输出的电压信号成为零的参数。处理器174获取表示获取该参数时(第1时间)的温度的温度数据作为校正时温度，并将其与参数一起保存。处理器174校正基准参数以使在校正时温度下获取的参数与基准参数一致。例如，处理器174根据基准参数组来获取与校正时温度对应的基准参数，并获取与在校正时温度下获取的参数(第1参数)的差分。例如，在表中未保存有与校正时温度对应的基准参数的情况下，可以通过对预先获取的基准参数组进行线性插补而获得的数据来获取与校正时温度对应的基准参数。处理器174通过将所获取的差分扩展到基准参数组的所有基准参数来获取校正参数组。
图11是存储有基准参数组的表的一例。图12是存储有校正参数组的表的一例。在图11及图12中，示出在多个温度下进行基准点调整时的每个温度的电阻值的参数和静电电容值的参数。在测定器100具有图11所示的基准参数组时，在23.8℃的温度环境下重新获取了用于基准点调整的参数(第1参数)。例如，重新获取的用于基准点调整的电阻值的参数为「11097」这一值且静电电容值的参数为「38892」这一值。此时，处理器174通过在构成基准参数组的基准参数之间进行线性插补，在23.8℃下获取「11068」这一值作为电阻值的基准参数，并获取「38873」这一值作为静电电容值的基准参数。处理器174分别获取作为为了基准点调整而获取的参数的「11097」及「38892」与作为基准参数的「11068」及「38873」的差分。处理器174将所获取的差分扩展到基准参数组的所有基准参数。即，在上述例的情况下，处理器174将作为差分的「29」及「19」分别加到电阻值的基准参数及静电电容值的基准参数中，并获取图12所示的校正参数组。
处理器174使用所获取的校正参数组来调整可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值以适应变动的温度。即，处理器174在比第1时间晚的第2时间内，根据校正参数组来获取与由温度传感器179获取的温度对应的校正参数。然后，处理器174根据所获取的校正参数来调整可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值。在未存储有与所获取的温度对应的校正参数的情况下，可以在各校正参数之间进行线性插补来获取对应的校正参数。
并且，如上所述，在处理器174中，在将从A/D转换器173输出的检测值设为X的情况下，获取测定值以使测定值成为与(a·X+b)成比例的值。a及b为根据电路状态等而发生变化的常数，并且可以依赖于环境温度。在一实施方式中，与C/V转换电路172A～172C及C/V转换电路272A～272C的各自对应地调整常数a、b以使从A/D转换器173输出的检测值X的各自转换成表示基于计算值的静电电容的测定值。基于计算值的静电电容可以通过求出上述静电电容C的式来算出。
在一示例性实施方式中，由处理器174调整常数a、b。常数a、b例如可以作为表存储于存储装置178中。表具有与多个温度中的每一个建立对应关联的常数a、b作为要素。作为一例，存储装置178具有与C/V转换电路172A～172C及C/V转换电路272A～272C的各自对应的表。即，存储装置178存储与多个温度分别建立对应关联的多个常数组，以抑制从A/D转换器173输出的多个测定值的温度依赖性。每个常数组具有与C/V转换电路172A～172C及C/V转换电路272A～272C的各自对应的多个常数a、b。处理器174选择与环境温度对应的常数组，并将构成所选择的常数组的多个常数a、b分别用作对应的函数的常数。
对获取这种表的方法的一例进行说明。另外，测定器100的使用环境例如可以为20℃～80℃且极限真空度为10mTorr左右的除湿的真空环境。
常数a、b在实际使用测定器100时的环境下获取。即，在一例中，在20℃～80℃的温度环境下且在极限真空度为10mTorr左右的除湿的真空环境下获取常数a、b。在获取常数a、b时，首先，在边缘环ER的内侧且静电卡盘ESC上配置测定器100。然后，在该状态下，一边使测定器100的位置水平变化，一边获取测定器100的相对位置和该位置上的检测值X。测定器100的相对位置可以为第1传感器104A～104C各自相对于边缘环ER的距离。此时，可以算出基于计算值的第1传感器104A～104C各自的静电电容。并且，测定器100的相对位置可以为第2传感器105A～105C各自相对于静电卡盘ESC的位置。此时，可以算出俯视观察时的传感器电极161与静电卡盘ESC彼此重叠的面积。即，可以算出基于计算值的第2传感器105A～105C各自的静电电容。然后，算出常数a、b以使所获取的检测值X近似于基于计算值的静电电容。获取所算出的常数a、b作为构成表的要素。在将测定器100调温到20℃～80℃的状态下，在各温度下获取常数a、b，从而能够制作表。
接着，对测定器100的动作的一例进行说明。图13是表示从基准点调整的工序到测定静电电容的工序的测定器100的动作的流程图。该流程图中的动作为在处理系统1的腔室S内由测定器100获取表示静电电容的测定值的测定系统的动作。该动作由一个或多个控制装置(在一例中，测定器100的处理器174及处理系统1的控制部MC)来控制。另外，作为前提，测定器100已经在工厂等中组装，并进行了校正用的调整。校正用的调整可以为以上述常数a、b为要素的表的获取。之后，可以由在除湿环境下经过了1天以上的测定器100获取基准参数组。
在图13所示的动作流程中，测定器100被保管于保管装置5的腔室5a内。在一例中，在保管装置5的腔室5a内载置有测定器100的状态下，腔室5a内成为除湿环境。此时，腔室5a内可以处于除湿的吹扫气体氛围气下、真空环境下等除湿环境下。首先，测定器100由温度传感器179检测周围的温度(步骤ST1)。检测到的温度数据例如存储于存储装置175中。接着，执行C/V转换电路172、272的输出电压信号的基准点调整(步骤ST2)。如上所述，基准点调整可以为零点调整。即，在基于测定器100的检测对象不存在的状态下由处理器174调整可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值以使从C/V转换电路172、272输出的电压信号成为零。步骤ST1和步骤ST2的顺序可以相反，也可以同时进行。
处理器174将为了调整可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值而输出至D/A转换器174a、174b的数字值例如存储于存储装置175中。即，处理器174获取当前环境下的用于基准点调整的参数(步骤ST3)。在一例中，在测定器100被保管于保管装置5的腔室5a内的状态下，基于测定器100的检测对象不存在。因此，上述各步骤能够在保管装置5内执行。另外，可以由从保管装置5取出的测定器100执行上述各步骤。
接着，测定器100获取校正参数组(步骤ST4)。即，处理器174根据预先存储的基准参数组来获取与在步骤ST1中所获取的温度数据对应的基准参数。然后，处理器174通过根据该获取的基准参数和在步骤ST3中所获取的参数校正基准参数组以使其与在步骤ST3中所获取的参数对应来获取校正参数组。所获取的校正参数组例如保存于存储装置175中。
接着，测定器100由输送装置TU2输送至根据输送位置数据所确定的载置区域上的位置上(步骤ST5)。在一例中，测定器100可以在由保管装置5生成的除湿环境下保管，直至输送紧前为止。在步骤ST5中，输送装置TU1将测定器100从保管装置5输送至装载锁定模块LL1及装载锁定模块LL2中的一个装载锁定模块。然后，输送装置TU2根据输送位置数据将测定器100从一个装载锁定模块输送至处理模块PM1～PM6中的任一个，并将该测定器100载置于静电卡盘ESC的载置区域上。载置区域可以为被边缘环ER包围的区域。输送位置数据为以使测定器100的中心轴线AX100的位置与边缘环ER的中心位置一致的方式预先设定的坐标数据。输送位置数据可以为以使测定器100的中心轴线AX100的位置与静电卡盘ESC的中心位置一致的方式预先设定的坐标数据。输送测定器100的处理模块内可以被调整为极限真空度为10mTorr左右的真空除湿环境。
在测定器100从保管装置5输送至处理模块的期间，测定器100可以暂时暴露于大气中。测定器100暴露于大气中的时间成为大气中的湿度基本上不会对测定器100带来影响的程度的长度。例如，测定器100暴露于大气中的时间可以为1小时以下。
接着，由温度传感器179检测周围的温度(步骤ST6)。检测到的温度数据例如存储于存储装置175中。然后，根据检测到的温度数据来设定相位调整电路171d中的可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值(步骤ST7)。即，处理器174从存储装置175中获取由温度传感器179检测到的温度数据。然后，处理器174从存储于存储装置175中的校正参数组中获取与该温度数据对应的校正参数。处理器174将所获取的校正参数作为数字信号输出至D/A转换器174a，从而控制可变电阻171b的电阻值及可变电容器171c的静电电容值。
接着，实施基于测定器100的测定(步骤ST8)。在步骤ST8中，由A/D转换器173将C/V转换电路172的输出信号(电压信号)及C/V转换电路272的输出信号(电压信号)转换成数字值，并将其作为检测值输出至处理器174。该检测值与温度数据建立有关联，例如可以将其存储于存储装置175中。
接着，设定用于根据从A/D转换器173输出的检测值X来算出表示静电电容的测定值的函数的常数(步骤ST9)。在一示例性实施方式中，设定函数以使测定值成为与(a·X+b)成比例的值。处理器174根据存储于存储装置178中的包含多个常数a、b的表来获取与和检测值建立有关联的温度数据对应的常数a、b。由此，设定常数a、b(步骤ST9)。
接着，获取静电电容(步骤ST10)。即，通过反映所获取的常数a、b的函数，将检测值转换成表示静电电容的测定值。所获取的静电电容的数据可以在针对每个传感器与温度数据、检测值等建立有关联的状态下存储于存储装置175中。在一示例性实施方式中，可以根据由第1传感器104A～104C获取的各自的静电电容来导出测定器100的中心相对于边缘环ER的中心位置的偏移量(第1偏移量)。并且，可以根据由第2传感器105A～105C获取的各自的静电电容来导出测定器100的中心相对于静电卡盘ESC的中心位置的偏移量(第2偏移量)。而且，可以根据第1偏移量及第2偏移量来导出边缘环ER的中心相对于静电卡盘ESC的中心位置的偏移量(第3偏移量)。这种偏移量例如可以用于由输送装置TU2进行的输送中所利用的输送位置数据的校准。
作为一例，控制部MC可以根据第1偏移量及第2偏移量中的至少一者来校准输送位置数据。控制部MC可以控制传输模块TF的输送装置TU2以根据所校准的输送位置数据来输送被加工物W(或测定器100)。并且，控制部MC可以根据第3偏移量来校准输送位置数据。
控制部MC可以控制输送装置TU2以在边缘环ER被更换时，根据所校准的输送位置数据来输送边缘环ER。此时，为了确认被更换的边缘环ER的输送位置，可以执行基于测定器100的静电电容的测量。即，控制部MC可以控制输送装置TU2，以在边缘环ER被更换之后，使测定器100载置于被边缘环ER包围的静电卡盘ESC上的载置区域中。
控制部MC可以控制输送装置TU2以根据所校准的输送位置数据来变更边缘环ER的载置位置。控制部MC可以控制处理模块的升降销27a，以在变更边缘环ER的载置位置时，升降销27a使边缘环ER上升。然后，控制部MC控制输送装置TU2以使输送装置TU2接收由升降销27a提升的边缘环ER。控制部MC可以控制输送装置TU2以使所接收的边缘环ER根据所校准的输送位置数据再次载置于静电卡盘ESC上。
如以上说明，一示例性实施方式所涉及的测定方法包括在第1时间内获取温度且获取设定基准点调整(零点调整)用的相位调整电路171d的导纳的第1参数的工序。处理器174获取与在第1时间内所获取的温度对应的设定相位调整电路171d的导纳的基准参数(第2参数)。基准参数根据预先存储的基准参数组(第2参数组)来获取。处理器174通过根据第1参数和基准参数校正基准参数组以使其与第1参数对应来获取校正参数组。处理器174在比第1时间晚的第2时间内，根据校正参数组来获取与由温度传感器179重新获取的温度对应的校正参数。处理器174通过使用所获取的校正参数来设定相位调整电路171d的导纳，将从C/V转换电路输出的电压信号调整为基准点。
在半导体制造装置中进行等离子体处理的情况下，被加工物W、静电卡盘ESC及边缘环ER彼此的位置关系很重要。因此，要求获取表示被加工物W被输送的位置的可靠性高的数据。作为一例，通过输送具有与被加工物W相同形状的测定器100，可以获取表示所输送的测定器100与静电卡盘ESC及边缘环ER彼此的位置关系的数据。
在测定器100中，在多个传感器电极与高频振荡器171之间连接有多个相位调整电路171d。因此，可以通过调整相位调整电路171d的导纳来调整从多个C/V转换电路172输出的电压信号的大小。然而，从C/V转换电路172输出的电压信号的大小有时根据周围的温度的影响而变动。例如，即使在某个温度下进行了零点调整，在温度发生变化的情况下，有时从C/V转换电路172输出的电压信号也会变大。
因此，例如可以考虑使用与由温度传感器179检测到的温度对应的参数来调整与多个C/V转换电路中的每一个对应的相位调整电路171d的导纳。即，通过预先获取与多个温度对应的参数，能够利用与检测到的温度对应的参数来调整导纳。
然而，在再现了获取参数时的温度、湿度等的环境下，即使在使用相同的参数的情况下，根据测定时的测定器100的状态，有时也无法适当地进行基准点调整。例如，作为原因，可以考虑可变电容器171c等电子器件的特性受到湿度的影响而变动等。在测定静电电容时的温度不恒定的环境下，为了适当地进行基准点调整，也可以考虑在每次测定时获取与多个温度对应的参数组。
在一示例性实施方式中，根据在实际测定时获取的基准点调整用的参数和预先获取的基准参数组来获取校正了基准参数组的校正参数组。该校正参数组与测定时的用于基准点调整的参数对应，因此能够根据当时的测定器的状态进行导纳的调整。在每次测定时获取与多个温度对应的参数组的情况下，不仅需要用于温度调整的加热器等，而且温度调整也需要很长时间。另一方面，在校正预先获取的基准参数组的情况下，不需要温度调整等，能够在短时间内获取参数组。
在一示例性实施方式中，获取校正参数组的工序可以为如下：算出在实际测定时获取的基准点调整用的参数与基准参数的差分，并使用所算出的差分来调整基准参数组。在该结构中，能够统一校正作为基准参数的要素的多个基准参数。
在一示例性实施方式中，获取基准参数的工序可以为如下：根据对构成基准参数组的多个基准参数进行线性插补而获得的数据来获取与在第1时间内所获取的温度对应的基准参数。在该结构中，即使不获取大量数据作为基准参数组，也能够根据在数据之间进行线性插补而获得的数据来获取基准参数，因此能够减少构成基准参数组的要素的数量。
在一示例性实施方式中，基准参数组可以由在湿度10％以下的环境下放置1天以上的测定器来获取。在该结构中，能够在接近测定器100的使用环境的状态下获取基准参数组。即，能够减小在实际测定时获取的基准点调整用的参数与基准参数的差分。
在一示例性实施方式中，传输模块TM能够将配置于工作台ST上的边缘环ER更换为另一个边缘环ER。一个或多个控制装置可以控制传输模块TM，以在边缘环ER被更换为另一个边缘环ER之后，使测定器100载置于工作台ST上的被另一个边缘环ER包围的区域中。在该结构中，在更换边缘环ER之后，由测定器100确认边缘环ER的输送位置。
在一示例性实施方式中，测定器100可以在保管装置5的腔室5a内在除湿环境下保管。在该结构中，能够在接近使用环境的状态下保管测定器100。
在一示例性实施方式中，一个或多个控制装置可以根据所算出的表示静电电容的测定值来求出测定器100的中心相对于边缘环ER的中心的偏移量。一个或多个控制装置可以根据该偏移量来校准输送位置数据，并控制传输模块TM以根据所校准的输送位置数据来输送被加工物W。在该结构中，可以提高基于传输模块TM的输送位置的精度。
在一示例性实施方式中，一个或多个控制装置可以根据所算出的表示静电电容的测定值来求出测定器100的中心相对于载置区域的中心的偏移量。一个或多个控制装置可以根据该偏移量来校准输送位置数据，并控制传输模块TM以根据所校准的输送位置数据来输送被加工物W。在该结构中，可以提高基于传输模块TM的输送位置的精度。
在一示例性实施方式中，一个或多个控制装置可以根据所算出的表示静电电容的测定值来求出边缘环ER的中心相对于载置区域的中心的偏移量。一个或多个控制装置可以根据该偏移量来校准输送位置数据，并控制传输模块TM以根据所校准的输送位置数据来变更边缘环ER的载置位置。在该结构中，可以提高基于传输模块TM的输送位置的精度。
在一示例性实施方式中，处理模块可以包括使边缘环ER上升的升降销27a。一个或多个控制装置可以控制处理模块，以在变更边缘环ER的载置位置时，升降销27a使边缘环ER上升。一个或多个控制装置可以控制传输模块TM，以接收由升降销27a提升的边缘环ER，并使所接收的边缘环ER根据所校准的输送位置数据再次载置于工作台ST上。在该结构中，可以提高边缘环ER的输送位置的精度。
以上，对各种示例性实施方式进行了说明，但是并不限定于上述示例性实施方式，可以进行各种各样的省略、替换及变更。并且，能够组合不同的实施方式中的要素来形成其他实施方式。
例如，在测定器100的动作的说明中，示出了在步骤ST9中调整常数a、b的例，但是步骤ST9也可以省略。
并且，测定器100的使用环境并不限于20℃～80℃的温度环境。温度环境的下限可以小于20℃，温度环境的上限可以高于80℃。存储于测定器100中的校正参数组可以与对应于测定器100的使用环境的温度对应。
并且，作为获取用于控制可变电阻171b或可变电容器171c的表的方法，示出了在基于测定器100的检测对象不存在的状态下调整可变电阻171b及可变电容器171c的例，但是该方法并不限定于此。例如，在特定条件下由各传感器输出的检测值已知的情况下，可以调整可变电阻171b及可变电容器171c以使由传感器输出的数字值与已知的检测值一致。
并且，在上述例中，为了调整相位调整电路171d的导纳而控制可变电阻171b的电阻值和可变电容器171c的静电电容值。在另一例中，可以通过调整流过可变电阻171b或可变电容器171c的电流量来调整导纳。此时，相位调整电路171d可以具有固定电阻及固定电阻来代替可变电阻171b及可变电容器171c。
并且，在上述例中，示出了保管装置5与装载模块LM相邻而设置的例，但是例如可以将处理模块中的一个用作保管装置。并且，与处理模块相同地，保管装置可以经由闸阀与传输模块TF气密地连接。在保管装置与传输模块TF连接的情况下，在步骤ST5中，能够在保持除湿环境的状态下将测定器100转移到除湿真空环境下的处理模块。并且，例如可以将容纳被加工物W的容器(FOU P)中的一个用作保管装置。而且，保管装置可以与处理系统分开配置。
并且，示出了在除湿环境下获取用于基准点调整的参数的例，但是获取该参数的环境并无特别限定。
根据以上说明可以理解，在本说明书中出于说明的目的对本发明的各种实施方式进行了说明，在不脱离本发明的范围及要旨的情况下可以进行各种变更。因此，并不限定于本说明书中所公开的各种实施方式，真正的范围和要旨由所附的权利要求书来示出。

Claims (15)

1.一种测定方法，其为测定测定器与对象物之间的静电电容的方法，其中，
所述测定器具备：
圆盘状的基座基板；
传感器电极，设置于所述基座基板上；
温度传感器，设置于所述基座基板上；
高频振荡器，以向所述传感器电极提供高频信号的方式设置；
C/V转换电路，生成与所述传感器电极所形成的静电电容对应的电压信号；及
相位调整电路，连接在所述传感器电极与所述高频振荡器之间，
所述C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路，
所述高频振荡器以将所述高频信号输入至所述运算放大器的非反相输入端子的方式与所述非反相输入端子连接，并且经由所述相位调整电路与所述运算放大器的反相输入端子连接，
该方法包括如下工序：
在第1时间内，由所述温度传感器获取温度，并且为了将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为基准点，获取设定所述相位调整电路的导纳的第1参数的工序；
根据为了将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为所述基准点而与多个温度分别建立对应关联地设定所述相位调整电路的导纳的预先存储的第2参数组来获取与在所述第1时间内所获取的温度对应的设定所述相位调整电路的导纳的第2参数的工序；
通过根据所述第1参数和所述第2参数校正所述第2参数组以使其与所述第1参数对应来获取校正参数组的工序；及
在比所述第1时间晚的第2时间内，根据所述校正参数组来获取与由所述温度传感器重新获取的温度对应的校正参数，并使用所获取的所述校正参数来设定所述相位调整电路的导纳，从而将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为基准点的工序。
2.根据权利要求1所述的测定方法，其中，
获取所述校正参数组的工序为如下：算出所述第1参数与所述第2参数的差分，并使用所算出的所述差分来调整构成所述第2参数组的与多个温度对应的多个参数。
3.根据权利要求1或2所述的测定方法，其中，
获取第2参数的工序为如下：根据对构成所述第2参数组的与多个温度对应的多个参数进行线性插补而获得的数据来获取与在所述第1时间内所获取的温度对应的所述第2参数。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的测定方法，其中，
所述第2参数组由在湿度10％以下的环境下放置1天以上的所述测定器来获取。
5.一种测定器，其具备：
圆盘状的基座基板；
传感器电极，设置于所述基座基板上；
温度传感器，设置于所述基座基板上；
高频振荡器，以向所述传感器电极提供高频信号的方式设置；
C/V转换电路，生成与所述传感器电极所形成的静电电容对应的电压信号；
A/D转换器，将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号转换成数字值；
运算装置，根据从所述A/D转换器输出的所述数字值来算出表示所述传感器电极所形成的所述静电电容的测定值；及
相位调整电路，连接在所述传感器电极与所述高频振荡器之间，
所述C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路，
所述高频振荡器以将所述高频信号输入至所述运算放大器的非反相输入端子的方式与所述非反相输入端子连接，并且经由所述相位调整电路与所述运算放大器的反相输入端子连接，
所述运算装置进行如下处理：
在第1时间内，由所述温度传感器获取温度，并且为了将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为基准点，获取设定所述相位调整电路的导纳的第1参数，
根据为了将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为所述基准点而与多个温度分别建立对应关联地设定所述相位调整电路的导纳的预先存储的第2参数组来获取与在所述第1时间内所获取的温度对应的设定所述相位调整电路的导纳的第2参数，
通过根据所述第1参数和所述第2参数校正所述第2参数组以使其与所述第1参数对应来获取校正参数组，
在比所述第1时间晚的第2时间内，根据所述校正参数组来获取与由所述温度传感器重新获取的温度对应的校正参数，并使用所获取的所述校正参数来设定所述相位调整电路的导纳，从而将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为基准点。
6.一种测定系统，其在处理系统的腔室内由测定器获取表示静电电容的测定值，
所述测定系统具备：所述处理系统；所述测定器；及一个或多个控制装置，控制所述处理系统及所述测定器的动作，
所述处理系统具有：
处理模块，具有提供第1腔室的腔室主体、设置于所述第1腔室内且在其上载置有所述测定器的工作台及配置于所述工作台上且以包围载置有所述测定器的载置区域的方式载置的边缘环；
传输模块，与所述处理模块气密地连接，并且具有以能够减压的方式构成的减压室及设置于所述减压室内且根据输送位置数据来输送所述测定器的输送装置；及
保管装置，与所述减压室气密地连接，并且具有在内侧保管所述测定器的第2腔室，
所述测定器具备：
圆盘状的基座基板；
传感器电极，设置于所述基座基板上；
温度传感器，设置于所述基座基板上；
高频振荡器，以向所述传感器电极提供高频信号的方式设置；
C/V转换电路，生成与所述传感器电极所形成的静电电容对应的电压信号；
A/D转换器，将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号转换成数字值；及
相位调整电路，连接在所述传感器电极与所述高频振荡器之间，
所述C/V转换电路具有包括运算放大器的放大电路，
所述高频振荡器以将所述高频信号输入至所述运算放大器的非反相输入端子的方式与所述非反相输入端子连接，并且经由所述相位调整电路与所述运算放大器的反相输入端子连接，
所述一个或多个控制装置进行如下处理：
在第1时间内，由所述温度传感器获取温度，并且为了将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为基准点，获取设定所述相位调整电路的导纳的第1参数，
根据为了将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为所述基准点而与多个温度分别建立对应关联地设定所述相位调整电路的导纳的预先存储的第2参数组来获取与在所述第1时间内所获取的温度对应的设定所述相位调整电路的导纳的第2参数，
通过根据所述第1参数和所述第2参数校正所述第2参数组以使其与所述第1参数对应来获取校正参数组，
在比所述第1时间晚的第2时间内，根据所述校正参数组来获取与由所述温度传感器重新获取的温度对应的校正参数，并使用所获取的所述校正参数来设定所述相位调整电路的导纳，从而将从所述C/V转换电路输出的所述电压信号调整为基准点，
在从所述C/V转换电路输出的所述电压信号被调整为基准点的状态下，根据从所述A/D转换器输出的所述数字值来算出表示所述传感器电极所形成的所述静电电容的测定值。
7.根据权利要求6所述的测定系统，其中，
所述一个或多个控制装置在获取所述校正参数组时，算出所述第1参数与所述第2参数的差分，并使用所算出的所述差分来调整构成所述第2参数组的与多个温度对应的多个参数。
8.根据权利要求6或7所述的测定系统，其中，
所述一个或多个控制装置根据对构成所述第2参数组的与多个温度对应的多个参数进行线性插补而获得的数据来获取与在所述第1时间内所获取的温度对应的所述第2参数。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的测定系统，其中，
所述第2参数组由在湿度10％以下的环境下放置1天以上的所述测定器来获取。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的测定系统，其中，
所述传输模块能够将配置于所述工作台上的所述边缘环更换为另一个边缘环，
所述一个或多个控制装置控制所述传输模块，以在所述边缘环被更换为所述另一个边缘环之后，使所述测定器载置于所述工作台上的被所述另一个边缘环包围的区域中。
11.根据权利要求6至10中任一项所述的测定系统，其中，
所述测定器在所述保管装置的所述第2腔室内在除湿环境下被保管。
12.根据权利要求6至11中任一项所述的测定系统，其中，
所述一个或多个控制装置根据所算出的表示所述静电电容的所述测定值来求出所述测定器的中心相对于所述边缘环的中心的偏移量，根据该偏移量来校准所述输送位置数据，并控制所述传输模块以根据所校准的输送位置数据来输送被加工物。
13.根据权利要求6至12中任一项所述的测定系统，其中，
所述一个或多个控制装置根据所算出的表示所述静电电容的所述测定值来求出所述测定器的中心相对于所述载置区域的中心的偏移量，根据该偏移量来校准所述输送位置数据，并控制所述传输模块以根据所校准的输送位置数据来输送被加工物。
14.根据权利要求6至13中任一项所述的测定系统，其中，
所述一个或多个控制装置根据所算出的表示所述静电电容的所述测定值来求出所述边缘环的中心相对于所述载置区域的中心的偏移量，根据该偏移量来校准所述输送位置数据，并控制所述传输模块以根据所校准的输送位置数据来变更所述边缘环的载置位置。
15.根据权利要求14所述的测定系统，其中，
所述处理模块包括使所述边缘环上升的升降销，
所述一个或多个控制装置进行如下处理：
控制所述处理模块，以在变更所述边缘环的载置位置时，所述升降销使所述边缘环上升，
控制所述传输模块，以接收由所述升降销提升的边缘环，并使所接收的所述边缘环根据所述所校准的输送位置数据再次载置于所述工作台上。
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