JP2013153017A - 基板吸着状態の判定方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマを用いた処理槽101と、処理槽101内に配され、基板102を一面107sに接して載置する支持体103と、支持体103に付属し、一面107s近傍の温度を測定する手段104および温度を制御する手段105と、を備えてなるプラズマ処理装置100を用い、プラズマ発生前に、温度を測定する手段104によって、基板102の第一温度T1を測定し、プラズマ発生後に、温度を測定する手段104によって、基板102の第二温度T2を測定し、第一温度T1と第二温度T2の差T2−T1を示す数値に付随する正負の符号に基づいて、支持体103に対する基板102の吸着状態を判定する工程を有する、ことを特徴とする基板吸着状態の判定方法。
【選択図】図1
Description
また本発明は、プラズマに曝されない雰囲気からプラズマに曝される雰囲気に移行する際の、支持体の基板と接する一面近傍の温度の測定手段および制御手段を備えたプラズマ処理装置を提供することを、第二の目的とする。
図1(a)は第一実施形態に係るプラズマ処理装置100と、それに付設される、基板が載置される支持体の温度を測定する手段(温度測定手段)104と、基板が載置される支持体の温度を制御する手段(温度制御手段)105との概略構成を示す図である。プラズマ処理装置100は、プラズマ処理槽101と、処理槽内部の底面に配された、被処理基板102の支持体103と、上部電極109および下部電極をなす支持体103で構成されるプラズマを発生させる手段と、処理槽の外側に配され、プラズマの分布を制御する磁場発生手段Mと、を備える。
103・・・支持体、104・・・温度測定手段、105・・・温度制御手段、
107・・・シリコーンラバープレート、107s・・・一面、第一温度・・・T1、
第二温度・・・T2、P・・・プラズマ雰囲気。
Claims (8)
- プラズマを用いた処理槽と、
前記処理槽内に配され、基板を一面に接して載置する支持体と、
前記支持体に付属し、前記一面近傍の温度を測定する手段と、
前記支持体に付属し、前記一面近傍の温度を制御する手段と、
前記基板の近傍にプラズマを発生させる手段と、を備えてなるプラズマ処理装置を用い、
プラズマを発生させる前に、前記温度を測定する手段によって、前記一面近傍の第一温度T1を測定し、
プラズマを発生させた後に、前記温度を測定する手段によって、前記一面近傍の第二温度T2を測定し、
前記第一温度と前記第二温度の差分を求め、(T2−T1)>0となる場合に、前記支持体に対する前記基板の吸着状態を正常と判定する、ことを特徴とする基板吸着状態の判定方法。 - 前記支持体に対する前記基板の吸着状態を一枚単位で判定する、ことを特徴とする請求項1に記載の基板吸着状態の判定方法。
- 前記支持体の一面のうち、基板と接触する部位がシリコーンラバープレートからなり、前記シリコーンラバープレートに重なるように前記基板が配される、ことを特徴とする請求項1または2に記載の基板吸着状態の判定方法。
- 前記温度を測定する手段が熱電対を含むシステムである、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板吸着状態の判定方法。
- 前記温度を制御する手段が冷媒を循環させるシステムである、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板吸着状態の判定方法。
- プラズマを用いた処理槽と、
前記処理槽内に配され、基板を一面に接して載置する支持体と、
前記支持体に付属し、前記一面近傍の温度を測定する手段と、
前記支持体に付属し、前記一面近傍の温度を制御する手段と、
前記基板の近傍にプラズマを発生させる手段と、を備える、ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記支持体の前記基板と接する一面にシリコーンラバープレートが配されている、ことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シリコーンラバープレートは静電チャック機能を含む、ことを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理装置。
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