KR20100126211A - Ｖｕｖ 측정 시스템을 위한 자동 교정 방법 - Google Patents

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필립 왈쉬
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Abstract

복수의 교정 위치를 가진 교정 패드가 제공된다. 특정 교정 위치는 그 특정 위치가, 예컨대, 오염물로 인해 추가 사용이 불가능하게 되었음을 판정할 때까지 사용될 수 있고, 사용 불가능하게 되었다고 판정된 경우, 교정 프로세스는 교정 패드 상의 상이한 교정 위치를 사용하기 위해 이동할 수 있다. 위치가 더 이상 사용 불가능하다는 판정을 제공하기 위해 다양한 기술이 사용될 수 있다. 교정 프로세스에 사용하기 위해 시간이 흐름에 따라 위치에서 위치로의 이동이 발생할 수 있다. "나쁜" 위치의 지정은 측정된 반사율 데이터를 기초로 할 수 있으나, 다른 기준도 사용될 수 있다. 예를 들어, 광에 노출된 횟수는 위치를 나쁘다고 지정하는 기준일 수 있다. 대안으로서, 위치의 누적 노출이 기준일 수 있다. 또한, 단일 교정 패드 상에 제공된 복수의 교정 위치는 사용 이전에 사용 불가능한 교정 위치를 먼저 걸러내기 위해 사전-평가될 수 있다. 제공된 기술은 단일 교정 샘플을 사용하는 교정 프로세스, 또는 복수의 교정 샘플을 요구하는 프로세스에서 사용될 수 있다.

Description

ＶＵＶ 측정 시스템을 위한 자동 교정 방법{AUTOMATED CALIBRATION METHODOLOGY FOR VUV METROLOGY SYSTEM}
본 발명은 광 측정 분야에 관한 것이고, 더욱 상세하게는 진공 자외선(VUV) 범위를 포함하는 파장에서 동작할 수 있는 자동 교정을 위한 광 측정 방법에 관한 것이다.
광 반사측정 기술은 비접촉, 비파괴, 및 일반적으로 높은 처리량 특성으로 인해, 반도체 제조 산업에서 공정 제어 애플리케이션에 오랫동안 사용되어 왔다. 지속적으로 더 얇은 층을 포함하는 더 작은 디바이스를 개발하고 복잡한 새로운 재료의 도입하고자 함으로써, 이러한 기기의 민감도를 문제가 되었다. 그 결과, 재료 특성의 미묘한 변화에 더 우수한 민감도가 실현될 수 있는, 더 짧은 진공 자외선(VUV) 파장(200㎚ 미만)을 사용하는 광 반사측정 장비를 개발하고자 하는 노력이 요구되고 있다.
광 측정 기술에 사용되는 일반적인 도구는 반사계 및 엘립소메트리(ellipsometry)이다. 엘립소메트리는 일반적으로 파장/입사각당 2개의 측정값을 포함하는, 풍부한 데이터세트로 이루어진 것으로 간주된다. 한편, 반사계는 낮은 복잡도의 하드웨어 구성으로 인해 더 신뢰성 있고, 측정이 더 빠르며, 전형적으로 더 적은 설치면적(footprint)을 가진다. 일반적으로 말하자면, 두 기술 모두가 주어진 측정 문제를 해결할 수 있다면, 반사계가 대량 생산 환경에 대하여 더 비용 효율적인 선택이다.
윈도우 및 미러와 같은 광 표면의 오염물은 VUV 범위에서의 광학 기기의 동작에 심대한 장애물이다. 습기 및 잔류 분자, 특히 탄화수소 화합물은 시간이 흐름에 따라 이러한 표면상에 증착할 수 있고, 그 성능을 급격하게 저하시킨다. 이러한 재료는 환경에의 노출, 및/또는 가스 발생 재료(out-gassing material) 재료의 함수를 형성할 수 있다. 또한, 광 특정 도구 자체로부터의 VUV 및 DUV 방사선이 광-증착 프로세스를 통해 축적된 대기중의(airborne) 또는 가스 발생된 오염물과 반응함으로써 오염막의 형성을 일으킬 수 있다. 이러한 효과는 193 및 157㎚ 리소그래피 노출 도구의 설계, 개발, 및 성능에 대한 그들의 영향으로 인해 사전 조사의 초점을 형성하였다.
오염 층은 조사중의 샘플 면 위에 존재할 때 VUV에서 측정된 광 응답에 상당한 영향을 줄 수 있고, 부정확하고 그리고/또는 오류 있는 결과를 산출한다. 이러한 효과는 샘플이 그 두께가 오염 층의 두께와 유사할 수 있는 초박막(<100Å)으로 이루어진 때 특히 문제가 된다. 대기중 분자상 오염물(AMC)은 이러한 샘플의 표면 상에 증착하고, VUV 영역에서의 반사율에 상당한 영향을 미친다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, AMC는 샘플 위에 증착되는 전형적인 오염물은 물론, 광-증착된 오염물을 통칭한다.
신뢰성 있는 절대적인 반사율 표준이 존재하지 않고, 반드시 유지될 수도 없으므로, VUV에서의 반사계 교정은 어렵다. 과거, 이러한 문제를 극복하기 위해, 예컨대, 미국특허 제7,282,703호 및 제7,511,265호, 및 미국특허 출원번호 제10/930,339호, 제11/789,686호, 및 제12/072,878호와 같은 새로운 방법이 개발되었다. 반사계를 교정하기 위한 이러한 방법 중 일부는 2개의 교정 샘플을 사용하는 단계, 두 샘플로부터 강도를 측정하는 단계, 및 샘플의 특성 및 그들의 절대 반사율을 판정하기 위해 두 샘플의 스펙트럼의 비율을 분석하는 단계를 포함한다. 하나의 실시예에서, 교정 샘플은 자연발생 산화물 층(native oxide layer) 및/또는 실리콘 기판 위에 1000Å SiO2 층을 가진 배어(bare) 실리콘 기판으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 이것은 교정 샘플의 예시적인 구성일 뿐이다. 이전에 사용된 기술은 교정 위치 상에서 AMC 빌드업의 범위에 걸쳐 매우 잘 작동한다.
증착된 AMC의 두께가 일정 값, 예컨대, >40Å을 초과하는 경우에, 교정 샘플의 측정은 덜 정확해질 수 있다. 이에 대한 몇 가지 이유가 있다. 예를 들어, AMC는 시간이 흐름에 따라 증착되어, 입사광 중 분산적으로 반사되는 부분이 항상 증가하게 된다. 또는, AMC 막의 속성은 막 두께의 함수로서, 균일하지 않을 수 있다. 그 막이 다른 성분으로 이루어진 경우와 같이, AMC 막의 광 속성의 정확하지 않은 이해는 덜 정확한 측정을 야기할 수 있다.
VUV 측정 기기의 동작에 있어서, 이전에 개시된 방법은, 예컨대, 미국특허 제7,342,235호, 및 미국특허 출원번호 제11/600,414호 및 제11/600,477호와 같은, 시간이 흐름에 따라 축적된 증착된 AMC 층을 최소화하고, 제어하고, 그리고 제거하는 기술을 제공한다. 이전에 개시된 기술이 VUV 광 측정 기기의 정확한 교정 수단을 제공하였다 하더라도, 측정값은 증착된 AMC 두께의 특정 범위 상에서만 유효하다.
측정 장비의 교정은 또한 도구 사용자에 의존적일 수 있다. 장비 운전자는 AMC 층의 두께를 지속적으로 검사하고, 그 층이 교정 정확도를 나쁘게 할 만큼 충분히 두꺼운지를 판정해야 한다. 이것은 장비 교정의 책임이 도구 사용자로부터 자동화 시스템으로 이동되는 자동화 반도체 제조 환경에서 유리할 수 있다.
복수의 교정 위치를 가진 교정 패드가 제공된다. 특정 교정 위치는 그 특정 위치가, 예컨대, 오염물로 인해 추가 사용이 불가능한 것으로 판정될 때까지 사용될 수 있고, 사용 불가능한 것으로 판정된 경우, 교정 프로세스는 교정 패드 상의 상이한 교정 위치를 사용하기 위해 이동할 수 있다. 위치가 더 이상 사용 불가능하다는 판정을 제공하기 위해 다양한 기술이 사용될 수 있다. 그러므로, 이동은 교정 프로세스에서 사용을 위해 위치에서 위치로 시간이 흐름에 따라 발생할 수 있다. 다른 위치로 이동해야 할 때를 판정하기 위해 다양한 기준이 형성될 수 있다. "나쁜" 위치로의 지정은 측정된 반사율 데이터를 기초로 할 수 있으나, 다른 기준이 사용될 수도 있다. 예를 들어, 위치가 광에 노출된 횟수가 그 위치를 나쁜 것으로 지정하는 기준일 수 있다. 대안으로서, 위치의 누적 노출이 기준일 수 있다. 또한, 단일 교정 패드 상에 제공된 복수의 교정 위치는 사용 이전에 사용 불가능한 교정 위치를 먼저 걸러내기 위해 사전-평가될 수 있다. 제공된 기술은 단일 교정 샘플을 사용하는 교정 프로세스 및 복수의 교정 샘플을 요구하는 프로세스에서 사용될 수 있다.
하나의 실시예로서, 광 측정 도구를 평가하는 방법이 제공된다. 본 방법은 광 측정 도구의 평가를 돕는데 사용하기 위해 광 도구 특성화 패드를 사용하는 단계, 및 특성화 패드 상에 유사한 특성화 구조의 복수의 특성화 위치를 제공하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 특성화 위치 중 적어도 일부를 사용가능한 것으로 또는 사용 불가능한 것으로 지정하는 단계를 더 포함하고, 상기 판정을 기초로, 판정 후, 특성화 위치의 적어도 일부는 광 측정 도구의 평가를 위해 사용되지 않는다.
다른 실시예로서, 광 측정 도구를 교정하는 방법이 제공된다. 본 방법은 광 측정 도구의 교정 프로세스에 사용하기 위한 교정 패드를 제공하는 단계, 및 교정 패드를 복수의 교정 위치로 분할하는 단계를 포함하고, 상기 교정 위치는 유사한 교정 구조를 가진다. 본 방법은 또한 광 측정 도구를 교정하기 위한 교정 패드의 제1 교정 위치를 사용하는 단계 및 제1 교정 위치가 제1 교정 위치의 사용 기준을 충족시키지 못함을 검출하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 방법은 또한 제1 교정 위치가 기준을 충족하지 못한다는 판정을 기초로, 광 측정 도구를 교정하기 위해 교정 패드의 제1 교정 위치의 사용으로부터 제2 교정 위치의 사용으로 스위칭하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예로서, 광 측정 도구를 특성화하는데 사용하기 위한 패드가 제공된다. 본 패드는 광 측정값이 획득될 수 있는 패드의 제1 영역을 포함할 수 있는데, 제1 영역은 광 측정 도구를 특성화하는데 사용되도록 구성된 특성화 구조를 포함한다. 본 패드는 또한 복수의 서브-영역의 패드를 포함한다. 서브-영역은 개별적인 광 측정이 상이한 특성화 위치로부터 획득될 수 있도록 하는 크기인 복수의 특성화 위치를 가질 수 있어, 특성화 위치의 적어도 일부는 광 측정 도구의 특성화에 사용 불가능한 것으로 지정될 수 있는 한편, 광 측정 도구를 특성화하기 위해 다른 특성화 위치의 사용을 여전히 허용한다.
아래에 서술된 바와 같이, 다른 특성 및 변형이 구현될 수 있고, 바람직하다면, 관련 시스템이 사용될 수도 있다.
첨부된 도면과 연관지어 아래의 설명을 참고함으로써, 본 발명과 그 이점의 더욱 완벽한 이해를 얻을 수 있을 것이다. 유사한 번호는 유사한 피처임을 나타낸다. 첨부된 도면은 본 명세서에 서술된 기술의 예시적인 실시예를 도시한 것일 뿐이므로, 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 간주되지 않아야 하며 본 기술에 대하여 동등하게 유효한 다른 실시예가 가능하다.
도 1은 수용가능한 AMC 빌드업을 가진 하나의 예시적인 전형적 교정 샘플이다.
도 2는 수용 불가능한 AMC 빌드업을 가진 하나의 예시적인 전형적 교정 샘플이다.
도 3은 복수의 교정 위치를 가진 교정 패드를 도시한다.
도 3a는 교정 패드 상의 "좋은" 위치, 및 "나쁜" 위치의 사전 특성화된 매트릭스의 하나의 예시적인 다이어그램이다.
도 4는 3개의 상이한 조명/측정 스폿 구성의 도면이다.
도 5는 교정 패드 상의 "좋은" 위치로부터 측정된 교정 패드 비율 및 계산된 교정 패드 비율을 도시한다.
도 6은 교정 패드 상의 "나쁜" 위치로부터 측정된 교정 패드 비율 및 계산된 교정 패드 비율을 도시한다.
도 7은 교정 패드 상의 "나쁜 위치로부터 측정된 교정 패드 비율 및 계산된 교정 패드 비율을 도시한다.
도 8은 연속적인 교정 이벤트의 함수로서 감도지수를 기초로 하는 하나의 예시적인 교정 기준이다.
도 9는 연속적인 교정 이벤트의 함수로서 AMC 층 두께 값을 기초로 하는 하나의 예시적인 교정 기준이다.
도 10은 단일 위치 교정 방법으로 "좋은" 위치 및 "나쁜" 위치로부터의 반사 스펙트럼을 도시한다.
단일 결정 실리콘 웨이퍼는 DUV-NIR에서 동작하는 반사계용 교정 표준으로서 오랫동안 사용되어 왔다. 실리콘 웨이퍼는 흔하고, 그러한 스펙트럼 영역에서 제어가능하게 제조되고 광학적으로 잘 특성화되므로, 합리적인 선택임이 입증되었다. 대략 250㎚보다 긴 파장에서 동작하는 반사계의 교정에 사용될 때, 실리콘 웨이퍼는 잘 동작하는데, 이는 그들의 물리적 특성에 관한 기본적인 가정이 그 파장 영역 내의 에러에 비교적 민감하지 않기 때문이다. 즉, 웨이퍼의 표면상의 AMC 또는 자연발생 산화물층의 가정된 두께의 에러는 샘플의 예상된 반사에 유의미한 영향을 주지 않고, 그러므로 교정 프로세서의 정밀도에 부정적인 영향을 미치지 않는다.
도 1에서, 수용가능한 AMC 빌드업을 가진 전형적인 교정 샘플(100)의 실시예가 도시되어 있다. 대기중 분자상 오염물(airborne molecular contaminant)은 평면형으로 교정 샘플 위에 증착된다. 이러한 레벨 증착 구조는 광 모델에 의해 잘 설명되며, 측정된 교정 패드 비율과 계산된 교정 패드 비율이 서로 잘 일치하게 한다. 여기에 서술된 기술과 함께, 막이 "좋은" 교정 결과를 달성하기 위해 평면형으로 증착될 것을 요구하지는 않는다. 바람직하게는, 측정된 패드 비율이 분석 동안 사용된 광 모델에 의해 잘 설명되는지가 더 중요하다. 층(102)은 대기중 분자상 오염물의 평면 빌드업을 도시한다. 층(104)은 전형적인 교정 샘플에서 이산화규소(SiO2) 탑층을 나타낸다. 층(106)은 전형적인 교정 샘플에서 인터페이스 층을 예시한다. 층(108)은 전형적인 교정 샘플에서 베이스 실리콘 기판을 나타낸다. 이것은 단지 교정 샘플의 예시적인 구성일 뿐이다.
도 2에서, 수용 불가능한 AMC 빌드업을 가진 전형적인 교정 샘플(200)의 예가 도시되어 있다. AMC는 비평면형으로 증착된다. 샘플의 균일하지 않은 표면은 입사광 빔의 산란, 및 정반사된(specularly reflected) 신호의 손실을 야기한다. 이러한 행동은 분석 동안 사용되는 광 모델에 의해 잘 설명되지 않으며, 계산된 패드 비율과 측정된 패드 비율이 서로 잘 일치하지 않게 할 수 있다. 결과적인 교정이 정확하지 않음을 것임을 추정할 수 있다. 층(202)은 대기중 분자상 오염물의 비평면형 빌드업을 도시한다. 층(204)은 전형적인 교정 샘플에서 이산화규소(SiO2) 최상층을 나타낸다. 층(206)은 전형적인 교정 샘플에서 인터페이스 층을 예시한다. 층(208)은 전형적인 교정 샘플에서 베이스 실리콘 기판을 나타낸다. 이것은 단지 교정 샘플의 예시적인 구성일 뿐이며, 다양한 다른 교정 구조가 사용될 수 있음이 이해될 것이다. 예를 들어, 교정 구조는 다층 구조이거나, 대안으로서 단일 층 구조일 수 있다. 또한, 단지 설명의 목적으로 본 명세서에 서술된 재료와 더불어, 다른 재료가 교정 구조 층으로 사용될 수 있음을 당업자들은 이해할 것이다.
교정 샘플 상의 비평면형 AMC 증착은 측정된 비율과 계산된 비율이 서로 잘 일치하지 않게 할 수 있는 현상 중 하나일 뿐이다. 다른 고려사항은 AMC 막의 광 특성이 막 두께의 함수로서 균등질(homogenous)이 아니라는 점이다. 또한, 특정 값의 AMC 두께에 대하여, AMC/교정 패드 막 스택의 반사율은 낮은 값을 가지려는 경향이 있고, 심지어 특정 파장에서 0으로 근접할 수도 있다. 이는 이러한 파장의 소스의 강도에 대하여 매우 낮은 통찰(insight)을 제공할 수 있다. 측정된 비율과 계산된 비율이 잘 일치하지 않는 다른 가능한 이유는 AMC 막의 광 특성의 부정확한 이해일 수 있다. 증착된 막은 불연속 층과 같은, 다수의 상이한 컴포넌트로 이루어질 수 있다. 언급된 이상적이지 않은 산란, 또는 균일하지 않는 오염 막 상태가 광 모델의 사용을 절대적으로 불가능하게 하는 것은 아님을 이해해야 한다. 사실상, 이러한 상태들은 오염 층에 대한 효율적인 광 파라미터의 사용에 의해 잘 고려될 수 있다. 그러나, 이러한 설명은 몇몇 임계값에 도달된 후 비합리적으로 되고, 상기 효율적인 광 파라미터의 사용은 더 이상 교정 패드 막 스택의 변화를 적절하게 설명하지 못한다.
교정 샘플은 최초에는 사용가능할 수 있으나, 시간이 흐를수록 사용 불가능하게 변할 수 있다. 대안으로서, 교정 샘플은 최초에 사용 불가능할 수 있다. 샘플 상의 오염물의 원인은 매우 다양할 수 있다. 예를 들어, 샘플 위에 증착된 오염물이 샘플이 유지되는 대기의 순도를 부적절하게 유지하여 초래된 것이라면, 샘플은 사용 불가능할 수 있다. 또한, 광에 대한 단순한 노출이 교정 샘플을 변형시켜, 샘플이 "오염된" 것으로 분류되게 하는 광-증착 또는 광-애칭 프로세스를 야기할 수 있다. 또한, 광에 대한 노출은 샘플의 인터페이스 결합 구조를 변경시켜, 교정용 샘플을 오염시킬 수 있다. 그러므로, 샘플을 사용할 수 없게 오염시키는 다양한 메커니즘이 존재한다. 또한, 여기서 사용되는 "오염된" 샘플은 오염 층이 형성된 것은 물론, 에칭 프로세스 또는 결합 구조 변경과 같이 상기 서술된 바와 같이 변형된 샘플을 포함함을 이해해야 한다. 대안으로서, 샘플의 속성은 단순히 샘플 노후도(age)에 따라 변할 수 있다.
본 명세서에 제공된 몇몇 기술은 복수의 교정 위치가 제공된 교정 패드를 사용한다. 교정 위치는 그 위치가 단일 교정 패드 상에 다수의 동일한 교정 구조를 제공하도록 하는 방식으로 교정 패드 위에 형성된다. 이러한 방식으로, 단일 교정 패드가 광 측정 도구에 제공될 수 있으나, 복수의 교정 위치의 공통 교정 구조가 현재 사용가능하다. 특정한 교정 위치는 그 특정한 교정 위치가 오염된 것으로 판정될 때까지 사용될 수 있고, 오염된 것으로 판정된 경우 교정 프로세스는 교정 패드 상의 상이한 교정 위치를 사용하도록 이동될 수 있다. 단일 교정 패드 상에 복수의 위치가 제공되므로, 새로운 교정 패드가 사용될 필요는 없다. 위치가 더 이상 사용 불가능하다는 판정을 제공하기 위한 다양한 기술이 사용될 수 있다. 대안으로서, 복수의 위치는 각각의 위치가 한번 또는 몇몇 다른 설정된 횟수만큼 사용되도록 하는 방식으로 사용될 수 있다. 또한, 단일 교정 패드 상에 제공된 복수의 교정 위치는 사용 이전에 사용 불가능한 교정 위치를 먼저 걸러내기 위해 사전 평가될 수 있다. 그러므로, 이러한 위치는 교정 프로세스 동안 사용되지 않는다.
설명과 설명을 용이하게 할 목적으로, 용어 "교정"은 본 명세서에서 샘플과 관련지어 사용된다. 그러나, 본 명세서에 서술된 개념이 교정 샘플로 한정되는 것은 아니며, 기준 샘플, 또는 표준 샘플과 같은 다른 시스템 특성화 샘플에 대하여 사용될 수도 있다. 그러므로, 본 명세서에 서술된 기술은 교정 샘플, 기준 샘플, 및 표준 샘플을 포함한 광범위한 광 도구 특성화 샘플에 대하여 사용될 수 있으나, 이제 제한되지는 않는다. 본 명세서에 사용된 "교정 샘플"의 예시적인 사용은 단지 설명을 목적으로 제공된 것이며, 다른 도구 특성화 샘플에 의해 일반적으로 대체될 수 있고, 이러한 기술의 다른 특성화 샘플에 동등하게 적용할 수 있다.
도 3은 복수의 교정 위치(302)가 지정되어 있는 교정 패드(300)를 도시한다. 현재의 광학 기기는 종종 매우 작은 스폿 크기를 가지고, 매우 작은 교정 패드가 각각의 수천 개의 잠재적 교정 위치를 제공할 수 있음을 예상할 수 있다. 어떤 조건이 충족된 때, 기기는 자동적으로 "나쁜" 교정 위치에서 새로운 "좋은" 위치로 진행한다. 이 기기는 패드 상의 모든 "좋은" 위치 및 "나쁜" 위치를 추적하고, 모든 위치가 "나쁜" 것으로 추정되면 교정 패드가 교체된다. 대안의 실시예에서, 위치 중 일부 또는 모두는 몇몇 사전 차단 특성화를 겪을 수 있고, 초기의 나쁜 위치는 그와 같이 지정될 수도 있다. 패드 교체는 계획된 유지보수 세션 동안 관례적으로 수행될 것이다. 이러한 방식으로, 단일 교정 패드는 패드가 단일 교정 위치만 포함할 때 가능한 것보다 더 많은 교정을 위해 사용될 수 있다. 그러므로, 교정 프로세스에서 사용을 위해 위치에서 위치로의 이동이 시간이 흐름에 따라 이루어진다. 임의의 광범위한 평가를 기초로 다른 사이트로 이동되는 때에 관한 기준이 설정될 수 있으며, 이 기준은 아래에 제공된 내용을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 위치를 "나쁨"으로 판정하는 것은 측정된 반사율 데이터를 기초로 할 수 있으나, 다른 기준도 사용될 수 있다. 예를 들어, 위치가 광에 노출된 횟수가 위치를 나쁨으로 지정하는 기준일 수 있다. 대안으로서, 위치의 누적된 노출이 기준일 수 있다.
도 3a는 "좋은" 위치 및 "나쁜" 위치를 가진 하나의 예시적인 교정 패드이다. 교정 패드(300)는 복수의 잠재적 교정 위치를 가진다. 번호 매겨진 원(303)은 "좋은" 위치를 나타내고, 흑색 원(305)은 "나쁜" 위치를 나타낸다. "좋은" 위치는 다수의 교정 이벤트를 수행하기 위해 추후 사용될 수 있다. 교정 위치는 초기 특성화 이전에 준비되고, 교정 위치가 오염되지 않은 상태, 또는 사용가능한 상태로 유지됨을 보장하기 위해 교정 이벤트 전에 다시 준비될 필요가 있음을 이해해야 한다. 교정 위치의 준비는 컨디셔닝, 노출, 및 세척 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
교정 패드 상의 교정 위치의 밀도는 광 스폿 배열의 타입에 의해 영향을 받을 수 있다. 몇몇 예에서, 측정 기기의 조명 및 측정 영역은 독립적으로 조절될 수 있다. 이러한 경우, 적어도 3개의 상이한 상태가 가능하고, 이들 상이한 상태는 AMC 빌드업의 특성에 영향을 줄 수 있다. 도 4는 3개의 상이한 스폿 배열을 도시한다. 배열(400)은 점선의 조명 스폿이 실선의 측정 스폿보다 더 큰 상태를 도시한다. 배열(402)은 조명 스폿과 측정 스폿이 동일한 크기인 상태를 도시한다. 마지막으로, 배열(404)은 점선의 조명 스폿이 실선의 측정 스폿보다 더 작은 상태를 나타낸다. 이러한 특정한 도면에서 조명 및 측정 스폿이 설명을 위해 사실상 원형임을 이해해야 한다. 이들 스폿 중 하나 또는 모두가 다른 형상을 나타낼 수 있음이 이해될 것이다. 샘플의 조명은 샘플의 품질에 영향을 주기 때문에(예컨대, 노출은 오염물의 양을 변경시킬 수 있음), 일반적으로 패드 상의 위치의 밀도는 인접 위치에 대한 조명 스폿이 오버랩되지 않도록 하는 것이 바람직하다.
본 명세서에 서술된 개념은 다양한 주지의 교정 기술에 사용가능할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 기술은 단일 교정 샘플의 사용을 포함하지만, (앞서 언급된 바와 같은) 다른 기술은 2개의 교정 샘플, 및 각각의 샘플로부터 수집된 데이터의 비율을 사용한다. 본 명세서에 서술된 기술, 및 복수의 교정 위치를 가진 교정 패드의 사용은 단일 교정 샘플을 사용하는 기술, 또는 복수의 교정 샘플을 사용하는 기술에 대하여 유리하게 사용될 수 있다.
아래에 더욱 상세히 서술된 바와 같이, 광범위한 기준이 교정 위치가 좋은지 나쁜지를 판정하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 위치의 최초 특성은 절대 반사계 또는 분석적 측정 기술의 사용을 통해 달성될 수 있다. 위치는 또한 반사율 또는 반사율 비율 측정으로부터 계산된 오염물 두께가 소정의 설정된 한계를 초과하는지 여부를 기초로 특성화될 수 있다. 또한, 위치는 측정된 데이터와 계산된 데이터가 잘 일치하는지 여부를 기초로 특성화될 수 있다. 본 명세서에 서술된 개념은 교정 위치를 좋거나 나쁜 것으로 지정하기 위해 서술된 예시적인 기술로 제한되지 않음이 이해될 것이다. 이러한 예시적인 기술들이 이제 아래에 서술될 것인데, 먼저 2개의 상이한 교정 샘플을 사용하는 교정 방법에 관한 예시적인 기술에 관하여 서술되고, 그 다음 단일 교정 샘플 방법에 관하여 서술된다.
배경으로서, 반사율 데이터가 교정된 반사계로부터 기록된 후, 그 데이터는 전형적으로 프로세서 유닛으로 전송되고, 그곳에서 분석적 알고리즘을 통해 순차적으로 제거됨이 전형적임이 당업자들에게 주지되어 있다. 이러한 알고리즘은 반사율과 같은 광학 데이터를, 추후 측정 및/또는 모니터되는 막 두께, 컴플렉스 반사율, 구성, 다공율(porosity), 표면 또는 인터페이스 거칠기, 패턴화된 피처의 임계 치수 등과 같은, 샘플의 다른 속성과 일반적으로 연관짓는다.
데이터 감소는 샘플을 포함하는 재료의 광 속성을 설명하기 위한 하나 이상의 모델을 결합하는 몇몇 형태의 프레넬 방정식(Fresnel equation)을 사용하여 일반적으로 달성된다. 데이터 세트의 감소에 사용되는 특정 모델에 관계없이, 더 큰 목적은 일반적으로 (상기 서술된) 샘플의 속성에 관한 특정 파라미터가 반복적인 최적화 프로세스를 통해 획득될 수 있도록 측정된 데이터를 설명하기 위해 수학적 표현을 사용하는 것이다. 즉, 측정된 데이터 세트는 샘플의 특성에 관한 파라미터 세트에 의존하는 식을 사용하여 계산된 데이터 세트와 비교된다. 측정된 데이터 세트와 계산된 데이터 세트 간의 불일치는 두 데이터 세트 간의 적합한 일치가 달성되는 시점까지 파라미터의 값을 반복적으로 조절함으로써 최소화된다. 이러한 불일치는 "감도지수(figure of merit)" 파라미터의 표현으로 통상적으로 정량화된다.
감도지수의 계산을 위한 다수의 수학적 식은 종래 기술에 존재한다. 대부분의 이들 기술은 측정된 스펙트럼과 계산된 스펙트럼 간의 차이의 판정을 어느 정도는 기초로 한다. 이러한 기술 중 하나는 다수의 데이터 포인트에 의해 정규화된 제곱 잔차의 합(the sum of squared residuals)이다(즉, 무가중치 카이제곱 통계(the un-weighted chi-squared statistic)이다).
2개의 샘플 교정의 주지된 방법은, 예컨대, 미국특허 제7,282,703호, 및 미국특허 출원번호 제10/930,339호, 제11/418,846호, 및 제11/789,686호에 서술된 바와 같이, 교정 샘플의 속성의 판정을 야기하는 두 교정 샘플로부터의 반사율 비율의 분석을 포함한다. 이러한 기술은 교정 프로세스 내의 신뢰도를 특성화하기 위해 감도지수 값과 결합하여 사용될 수 있다. 나쁜 감도지수 값은 통상적으로 낮은 정확도의 교정 이벤트를 나타내고, 우수한 감도지수 값은 정확한 교정 이벤트를 나타낸다. 본 명세서에 서술된 기술은 교정의 성공 여부를 판정하기 위해 소정의 한계 값과 교정 결과를 비교하는 단계를 포함하는 방법을 제안한다. 성공으로 간주된다면, 샘플 측정이 수행된다. 그 이벤트가 성공적이지 않다면, 시스템은 자동적으로 교정 패드 상의 후속 세트의 교정 위치로 이동하고, 교정을 위한 다른 시도가 이루어진다. 또한 다른 형태의 교정 이벤트가 고려될 수 있다. 예를 들면, 소스 실패 및 하드웨어 문제이다.
도 5는 각각의 교정 샘플로부터의 반사율 비율이 사용되는 2 샘플 기술을 사용한 교정 패드 상의 "좋은" 위치에 대한 반사율 비율을 나타낸다. 실선 곡선(500)은 두 위치로부터 획득된 측정된 반사율 비율을 도시한다. 점선 곡선(502)은 계산된 반사율 비율을 나타낸다. 두 곡선은 파장 스펙트럼 영역 상에서 거의 일치하고, 우수한 감도지수 값을 야기한다. 이는 성공적인 교정 이벤트를 나타낸다.
도 6은 교정 패드 상의 "나쁜" 위치에 대한 반사율 비율을 나타낸다. 실선(600)은 측정된 반사율 비율을 나타내고, 계산된 반사율 비는 점선(602)으로 도시되어 있다. 두 곡선은 거의 일치하지 않는데, 특히 짧은 파장의 스펙트럼 영역에서 그러하며, 나쁜 감도지수 값을 야기한다. 이는 정확하지 않는 교정 이벤트를 암시할 수 있다.
도 7은 교정 패드 상의 "나쁜" 위치에 대한 다른 세트의 반사율 비율을 도시한다. 실선(700)은 측정된 반사율 비율을 나타내고, 계산된 반사율 비율은 점선(702)으로 도시된다. 본 예에서, 두 곡선은 상당히 상이하며, 특히 긴 파장의 스펙트럼 영역에서 그러하다. 비율 곡선의 이러한 불일치는 나쁜 감도지수 값 및 부정확한 교정을 나타낸다.
도 8은 예시적인 교정 성공 기준을 나타낸다. 연속적인 교정 이벤트에 관한 감도지수 값이 기록된다. 감도지수 값(802)은 소정의 감도지수 값(800)에 도달할 때까지 관측된다. 한계 기준이 충족되는 그러한 시점에, 시스템은 새로운 세트의 교정 위치로 이동하고, 다른 교정 이벤트를 수행한다. 교정 위치의 변경은 도 8의 값(804)에 의해 설명된다. 결과적으로, 감도지수 값은 이전 교정 위치로부터 획득된 초기값과 비교가능한 레벨로 다시 낮아진다.
성공적인 교정 기준의 다른 예가 도 9에 도시되어 있다. AMC 층 두께 값 및 연속적인 교정 이벤트(900)에 대한 영향이 기록된다. 연속적인 교정 이벤트가 발생할수록, AMC 두께 값이 증가함을 알 수 있다. 소정의 AMC 두께 한계(902)에 도달하는 그러한 시점에, 시스템은 새로운 세트의 교정 위치로 이동하고 다른 교정 이벤트를 수행한다. 새로운 교정 위치(904)로의 변경은 AMC 두께 값을 이전 교정 위치로부터 획득된 초기값과 유사한 레벨로 다시 강하시킨다. 도 9가 광 교정 이벤트가 AMC 두께 값이 낮을 때 달성됨을 암시하지만, 항상 그러한 것은 아님을 이해해야 한다. 성공적인 교정 이벤트는 대안의 AMC 두께 범위에서 달성될 수 있다.
앞서 언급한 바와 같이, 교정 패드를 특성화하는 것, 또는 사용 이전에 위치를 걸러내는 것은 교정 측정 성능을 더 강화할 수 있다. 이러한 방법은 더 정확한 교정 결과를 산출하기 위해 "좋은" 위치, 및 "나쁜" 위치를 식별하기 위해 사용될 수 있고, 나쁜 위치는 건너뛸 수도 있다. 또한, 교정 샘플에 대한 노출 강도를 모니터링하고 조절하는 것이 또한 성능 강화를 달성할 수 있다. 이러한 방법은 측정 시스템의 조명과 샘플 사이의 상호작용에 의해 발생되는 변화를 제거 및/또는 감소하기 위해 사용될 수 있다. 이는 플릿(fleet)간 노출 강도가 빠르게 변하는 자동화된 반도체 환경에서 도구의 플릿 간 변화를 향상시킬 것이다.
본 명세서에 서술된 특정 형태의 자동-진행 교정 측정법이 다른 환경에서 유용할 수 있음을 고려하는 것이 중요하다. 예컨대, 미국특허 제7,126,131호에서, 개시된 VUV 반사계는 기준 채널에 포함된다. 이러한 환경에서, 기준 평면 미러는 그것이 높은 파워 밀도에 노출되므로, 시스템 내의 다른 광 표면보다 더 많은 양의 AMC가 축적될 것임을 예상할 수 있다. 이것은 미러가 포커싱 광학 부재의 초점 평면에 위치될 수 있게 하는데 기여한다. 오염물이 소정의 한계에 도달한 후, 기준 미러 상의 다른 위치로의 이동을 돕기 위해 초점 평면에서 x-y 스테이지 상에 기준 평면 미러를 설치하는 것이 유리할 수 있다. 그러므로, 이것은 본 명세서에 서술된 개념이 기준 샘플에 관하여 유용하다는 예이다. 상기 언급된 바와 같이, 본 명세서에 제공된 기술은 임의의 광 도구 특성화 샘플에 일반적으로 적용가능하므로, 교정 샘플의 예는 모든 광 도구 특성화 샘플에 대한 예를 의미한다.
자동 진행 측정법은 또한 다양한 방법을 통해 도구 및 도구 매칭 성능을 향상시키는데 유리할 수 있다. 데이터는 동일한 EFEM(Equipment Front End Module) 상의 모듈 사이에서, 또는 하나의 위치에 위치된 동일한 반도체 생산 제조 공장 내에서, 또는 상이한 위치에 위치한 수개의 반도체 생산 제조 공장 내에서 교환될 수 있다. 이는 또한 더 좋은 매칭 상태를 위해 모듈-바이-모듈 기준으로 조명 조건을 조절하기 위해, 또는 모듈 듀티 사이클 기준으로 교정 성공 기준 상에 대한 한계를 조절하기 위해 데이터를 교환하는데 유리할 수 있다. 또한, 매칭은 교정 패드 속성이 동기화되어 유지됨을 보장하기 위해 각각의 모듈에 대한 측정 및 재료의 플로우를 제어함으로써 발생할 수 있다. 자동 진행 측정법을 사용하는 도구 및 도구 매칭 성능의 향상은 이러한 특수한 변형으로 제한되지 않는다.
상기 서술된 예시적인 다중 샘플 기술에 대한 대안의 선택은 단일 교정 패드만을 사용하는 것이다. 하나의 예로서, 본 방법은 시간 및 노출에 관하여, (측정의 적어도 일부분의 파장 범위에 대하여) 안정적이고, 그 광학 속성이 잘 알려져 있는 하나의 교정 샘플의 사용을 포함할 수 있다. 이러한 가정이 완전히 정확한 것은 아니지만, 적절한 교정 샘플 조건을 가진 특정 조건에서 합리적일 수 있다. 단일 교정 패드 방법은 교정 패드 상의 소정의 위치로부터 반사율 스펙트럼의 수집과 같은 사전 특성화를 포함한다. 유의미하게 상이한 반사율 스펙트럼을 나타내는 패드 위치는 후속 교정 이벤트에 사용될 "좋은" 위치의 목록에서 폐기된다. "나쁜" 위치에 대한 사전 특성화 정보는 또한 동일한 위치로부터의 미래의 교정 이벤트를 변경 및/또는 보정하기 위해 사용될 수 있다. 도 10은 사전 특성화된 "좋은" 교정 위치 및 "나쁜" 교정 위치로부터의 반사율 스팩트럼을 나타낸다. 실선(1000)은 "좋은" 교정 위치를 나타내고, 점선(1002)은 "나쁜" 교정 위치를 나타낸다. 성공적이지 않은 교정 결과를 나타내는 라인은 전형적으로 낮은 반사율 값을 나타내지만, 항상 반드시 그러한 것은 아니다. 이러한 낮은 반사율 값은 더 낮은 오염물의 정착, 샘플 굴절, 샘플의 표면상의 입자 등과 같은 이유로 영향을 받을 수 있다. 도 10에 도시된 "좋은" 교정 위치와 "나쁜" 교정 위치 사이의 편차는 전형적으로 낮은 파장에서 더 두드러진다.
사용될 교정 샘플의 절대 반사율을 판정하기 위해 몇 가지 노력이 요구된다. 이것은 몇몇 특수한 샘플 준비를 통해, 예컨대, 실리콘 상의 자연발생 산화물의 애칭 백 기술을 통해, 또는 절대 반사계를 사용하여 달성될 수 있다. 절대 반사율의 판정은 또한 투과 전자 현미경(TEM), 원자 현미경(AFM), 주사 전자 현미경(SEM), 엑스레이 법 등과 같은 분석적 측정 기술을 사용하여 달성될 수 있다. 대안으로서, 반사율 비율 또는 복수의 반사율 비율은 교정 샘플의 절대 반사율의 단일 판정을 위해 사용될 수 있다.
이러한 접근법의 이점은 더 높은 안정성을 산출한다는 것이다. 이것은 피팅(fitting)/분석 단계가 포함되지 않기 때문이다. 단점은 정확도에 대한 낮은 통찰력을 포함한다. 본 방법은 그 위치가 사전 특성화 이후 변경되었는지 여부를 판정할 수 없고, 본 시스템은 교정 패드, 소스, 신호 레벨, 기계적 배열 등이 가진 문제점을 식별하는 것과 같은 "에러"를 나타내는 능력이 부족하다.
교정 성공 기준은 교정 이벤트의 단일 결과 또는 복수의 교정 이벤트로부터의 임의의 교정 결과를 기초로 할 수 있음 주목할 만하다. 감도지수 값 및 AMC 두께 값이 교정 성공을 판단하기 위한 요소로서 표현되었으나, 다른 가능성이 존재하고, 동등하게 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 교정 위치가 변경되어야 하는 미어(mere) 주기는 샘플 및/또는 환경적 청결 상태를 나타낼 수 있다. 이러한 상태는 모니터링되고, 예컨대, 미국특허 제7,342,235호, 및 미국특허 출원번호 제11/600,414호 및 제11/600,477호와 같은, 최적의 도구 유지를 달성하기 위해 도구-세척 파라미터를 조절 및/또는 강화하기 위해 사용될 수 있다.
교정 위치 변경 주기는 도구, 프로세스, 샘플, 또는 이웃한 주변 교정 샘플의 상태에 의해 영향을 받을 것으로 예상될 수 있다. 교정 위치 변경 주기는 제조 환경에서 다른 이벤트 또는 행동에 영향을 줄 것으로 예상될 수 있는 유의미한 이벤트 또는 행동을 식별하기 위해 모니터링되고 사용될 수 있음이 자명할 것이다. 예를 들어, 어떠한 프로세스 도구 상에서 수행되는 행동은 제조 설비 내의 환경의 오염 레벨의 변화를 야기할 수 있고, 이러한 변화는 생산율에 역효과를 줄 수 있음이 이해될 것이다. 이러한 행동의 발생과 교정 위치 변경 주기 사이의 관계가 성립될 수 있다면, 교정 위치 변경 주기는 그러한 발생을 식별하기 위해, 그리고 수율 영향을 줄이기 위해 가능한 액션을 취하기 위해 모니터링될 수 있다. 이러한 점에서, 교정 위치 주기의 모니터링은 수율 향상을 돕기 위해 제조 기관에 귀중한 피드백을 제공할 수 있다.
상기 서술된 사전 특성화 기술은 상기 서술된 듀얼 샘플 방법 또는 시간에 걸친 변화를 모니터하는 다른 방법과 결합하거나 또는 단독으로 사용될 수도 있다. 듀얼 샘플 방법과 결합하여 사용될 때, 바람직한 실시예는 최초의 성공적인 듀얼 샘플 교정을 수행하는 단계, 및 그 후 교정 패드 상의 일련의 소정의 위치를 사전 특성화하기 위해 교정된 기기를 사용하는 단계를 포함할 수 있다. 그러므로, 본 기술은 "좋은" 교정 위치 및 "나쁜" 교정 위치의 초기 식별정보를 만드는 단계를 포함한다. 이러한 방식으로, 개별적인 측정 도구는 그 위치를 사전 특성화하기 위해 필요하지 않다. "좋은" 교정 위치의 적어도 하나의 속성에 대한 판정이 이루어지고, 듀얼 패드 교정을 수행하는 단계에서의 미래의 사용을 위해 누적된다. 마지막으로, 듀얼 패드 교정 결과의 판정을 돕기 위해 저장된 사전 특성화 데이터를 사용할 수 있다. 이러한 사전 특성화 데이터는 듀얼 패드 교정 샘플의 더 적은 속성이 교정 프로세스 동안 판정될 것이므로, 듀얼 샘플 교정 방법의 안정성을 향상시킬 것이다.
상기 서술한 결합된 듀얼 샘플 및 단일 샘플 방법의 대안의 방법은 듀얼 샘플 기술의 샘플을 사전 특성화하고, 위치에 대하여 저장된 비율과 후속 데이터를 비교함으로써, 그 위치가 시간에 걸쳐 변경되었는지 여부를 판정하기 위해 비율을 사용한다. 변경되지 않았다면, 단일 패드 교정이 수행될 수 있다.
상기 서술된 기술은 교정 위치가 초기 사용 또는 추가적 사용을 위해 수용가능한지 여부를 판정하기 위해 교정 위치를 평가하는 다양한 수단을 제공한다. 2개의 상이한 교정 샘플 위치가 교정 프로세스에서 사용되는 교정 방법에 대하여, 하나의 위치, 및/또는 두 위치는 사용 불가능한 것으로 판정될 수 있음이 이해될 것이다. 두 샘플 위치가 사용되는 몇몇 방법에서, 특정 위치가 사용 불가능함을 식별하는 것이 가능하지 않을 수 있으므로, 실제로 두 교정 위치중 하나만이 사용 불가능한 것이라 하더라도, 두 위치 모두 "나쁜" 것으로 지정될 수 있다.
그 위치가 일정 기간동안 시스템 내에서 "노후된" 후 사전 특성화이든, 상기 서술된 듀얼 샘플 기술과 같은 분석이든, 위치의 특성화를 수행하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 패드는 처음 시스템에 설치될 때, 패드는 상대적 평형에 도달한 후 일부 초기 안정(settling) 변동을 나타낼 수 있다. 그러므로, 초기 기간동안 발생하는 그 위치 내의 변화는 시스템 변화에 대한 오류(mistaken)가 아닐 수 있다.
자동 교정에 관하여 본 명세서에 서술된 기술은 광범위한 광 측정 도구와 함께 사용하는데 유리하다. 예를 들어, 본 명세서에 서술된 바와 같은 기술은 VUV 반사계와 함께 사용될 수 있다. 그러나, 이러한 개념은 VUV 스펙트럼 범위로 제한되는 것은 아니며, 반사계와 함께 사용되는 것으로 제한되지도 않음이 이해될 것이다. 그보다는, 다른 파장 및 다른 광 측정 도구도 본 명세서에 개시된 개념을 유리하게 사용할 수 있다.
본 명세서에 서술된 기술의 다른 변형 및 대안의 실시예는 본 설명을 읽은 당업자들에게 명백할 것이다. 그러므로, 본 명세서에 서술된 기술은 이들 예시의 배열로 한정되지 않음이 이해될 것이다. 따라서, 본 설명은 설명을 위한 것으로 이해되어야 하며, 본 명세서에 서술된 기술을 실시하는 방법을 당업자들에게 교시하고자 하는 목적이다. 도시되고 서술된 기술의 형태가 현재의 바람직한 실시예로서 취해진 것임을 이해해야 한다. 구현 및 아키텍처에 있어서 다양한 변형이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 동등한 엘리먼트가 본 명세서에 서술되고 도시된 엘리먼트를 대체할 수 있고, 본 명세서에 서술된 기술의 어떠한 특징은 다른 특징의 사용과 독립적으로 사용될 수 있으며, 이는 모두 본 기술의 설명을 읽은 후 당업자들에게 명백해질 것이다.

Claims (24)

  1. 광 측정 도구를 평가하는 방법으로서,
    광 측정 도구의 평가를 돕는데 사용하기 위한 광 도구 특성화 패드를 사용하는 단계;
    상기 특성화 패드 상에 유사한 특성화 구조의 복수의 특성화 위치를 제공하는 단계; 및
    상기 특성화 위치 중 적어도 일부를 사용가능한 것과 사용불가능한 것 중 하나로 지정하는 단계;를 포함하고,
    상기 지정을 기초로 하여, 상기 지정 후, 상기 특성화 위치 중 적어도 일부는 상기 광 측정 도구의 평가를 위해 사용되지 않는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 평가하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 단일 패드 교정 프로세스가 사용되는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 평가하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 듀얼 패드 교정 프로세스가 사용되는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 평가하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 광 측정 도구는 반사계인 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 평가하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 위치를 사용가능한 것으로 또는 사용불가능한 것으로 지정하는 단계는 상기 특성화 패드의 초기의 사전 특성화를 적어도 일부 기초로 하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 평가하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 위치를 사용가능한 것으로 또는 사용불가능한 것으로 지정하는 단계는 상기 특성화 패드의 적어도 일부의 사용 후 내려진 판단을 적어도 일부 기초로 하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 평가하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 제1 특성화 위치가 사용 불가능하다는 판정된 때, 제2 특성화 위치가 후속하여 사용되는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 평가하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 광 측정 도구는 상기 제1 특성화 위치가 사용 불가능한 것으로 판정된 때, 상기 제1 특성화 위치에서 상기 제2 특성화 위치로 자동으로 이동하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 평가하는 방법.
  9. 광 측정 도구를 교정하는 방법으로서,
    상기 광 측정 도구의 교정 프로세스에 사용하기 위한 교정 패드를 제공하는 단계;
    상기 교정 패드를 유사한 교정 구조를 가진 복수의 교정 위치로 분할하는 단계;
    상기 광 측정 도구를 교정하기 위해 상기 교정 패드의 제1 교정 위치를 사용하는 단계;
    상기 제1 교정 위치가 상기 제1 교정 위치의 사용을 위한 기준을 충족시키지 않음을 탐지하는 단계; 및
    상기 제1 교정 위치가 상기 기준을 충족시키지 못한다는 상기 판정을 기초로, 상기 광 측정 도구를 교정하기 위해, 상기 제1 교정 위치의 사용에서 상기 교정 패드의 제2 교정 위치의 사용으로 스위칭하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 기준은 반사율 비율 데이터를 기초로 하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 교정 위치의 사용에서 상기 교정 패드의 제2 교정 위치의 사용으로 스위칭하는 단계는 소정의 설정 한계를 초과하는 계산된 오염 두께를 기초로 하고, 상기 계산된 오염 두께는 반사율 비율 데이터를 사용하여 획득되는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 기준은 감도지수 값을 기초로 하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 감도지수 값은 교정 정밀도를 나타내는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  14. 제 9 항에 있어서, 상기 기준은 계산된 대기중 분자상 오염물 두께를 기초로 하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  15. 제 9 항에 있어서, 상기 교정 패드의 오염물은 샘플 패드의 노후도(age)에 따라 변하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  16. 제 9 항에 있어서, 상기 교정 패드의 오염물은 상기 교정 패드의 복수의 사용으로부터 변하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  17. 제 9 항에 있어서, 교정 위치의 변경 주기는 샘플 및/또는 환경적 청결 상태를 나타내는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  18. 제 9 항에 있어서, 상기 교정 위치의 변경 주기를 모니터하는 것은 제조 프로세스에 관한 피드백을 제공할 수 있는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 교정하는 방법.
  19. 광 측정 도구를 특성화하는데 사용하기 위한 패드로서,
    광 측정이 이루어질 수 있는 상기 패드의 제1 영역; 및
    상기 패드의 복수의 서브-영역;을 포함하고,
    상기 제1 영역은 상기 광 측정 도구를 특성화하기 위해 사용되도록 구성된 특성화 구조를 포함하고,
    상기 서브-영역은 복수의 특성화 위치이고, 상기 특성화 위치는 각각의 광측정이 상기 특성화 위치의 서로 다른 위치로부터 획득될 수 잇도록 하는 크기를 가지고, 상기 특성화 위치 중 적어도 일부는 상기 광 측정 도구의 특성화에 사용 불가능한 것으로 지정될 수 있는 한편, 상기 광 측정 도구를 특성화하기 위해 다른 특성화 위치의 사용을 여전히 허용하는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 특성화하는데 사용하기 위한 패드.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 특성화 위치는 상기 패드의 사용 이전에는 사용 불가능한 것으로 지정되지 않는 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 특성화하는데 사용하기 위한 패드.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 특성화 위치 중 적어도 일부는 상기 패드의 사용 이전에 사용 불가능한 것으로 사전 특성화된 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 특성화하는데 사용하기 위한 패드.
  22. 제 19 항에 있어서, 상기 패드는 교정 샘플인 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 특성화하는데 사용하기 위한 패드.
  23. 제 19 항에 있어서, 상기 패드는 기준 샘플인 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 특성화하는데 사용하기 위한 패드.
  24. 제 19 항에 있어서, 상기 패드는 표준 샘플인 것을 특징으로 하는 광 측정 도구를 특성화하는데 사용하기 위한 패드.
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