KR20100105425A - Proximity exposure apparatus, method for determining a substrate position in the proximity exposure apparatus and method of manufacturing a display panel substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 액정디스플레이 장치 등의 표시용 패널 기판의 제조에 있어서, 기판의 노광을 수행하는 노광장치, 노광방법 및 이들을 사용한 표시용 패널기판의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 기판을 지지하는 척을 이동 스테이지로 XY방향으로 이동 및 θ방향으로 회전시켜 노광 시의 기판의 위치 결정을 수행하는 노광 장치, 노광 방법 및 이들을 사용한 표시용 패널 기판의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
표시용 패널로서 사용되는 액정디스플레이 장치의 TFT(Thin Film Transistor) 기판이나 컬러 필터 기판, 플라즈마 디스플레이 패널용 기판, 유기 EL(Electroluminescence) 표시 패널용 기판 등의 제조는, 노광장치를 사용하여, 포토 리소그래피 기술로 기판 상에 패턴을 형성하여 시행된다. 노광 장치로서는, 렌즈 또는 거울을 이용하여 마스크의 패턴을 기판 상에 투영하는 프로젝션 방법과, 마스크와 기판 사이에 미세한 틈(프록시미티 갭(gap))을 마련하여 마스크의 패턴을 기판으로 전사하는 프록시미티 방식이 있다. 프록시미티 방식은, 프로젝션 방식에 비해 패턴 해상성능은 떨어지나, 조사광학계의 구성이 간단하면서, 또한 처리 능력이 높아 양산용으로 적합하다.Production of TFT (Thin Film Transistor) substrates, color filter substrates, substrates for plasma display panels, substrates for organic EL (Electroluminescence) display panels and the like of liquid crystal display devices used as the display panels is performed using photolithography. This is done by forming a pattern on the substrate with the technique. As an exposure apparatus, a projection method for projecting a pattern of a mask onto a substrate using a lens or a mirror, and a proxy for providing a fine gap (proxy gap) between the mask and the substrate to transfer the pattern of the mask to the substrate There is a Miti way. Proximity method has a lower pattern resolution than the projection method, but has a simple structure and high processing capability for the irradiation optical system, and is suitable for mass production.
프록시미티 노광장치에 있어서, 패턴의 인화를 정밀하게 수행하기 위해서는, 노광 시의 기판의 위치 결정을 정밀하게 수행하지 않으면 안된다. 기판의 위치 결정을 수행하는 이동 스테이지는, X방향으로 이동하는 X스테이지와, Y방향으로 이동하는 Y스테이지와, θ방향으로 회전하는 θ스테이지를 구비하고, 기판을 지지하는 척을 탑재하여, XY방향으로 이동 및 θ방향으로 회전한다. 특허문헌 1에는, 레이저 측장계(Laser measuring system)를 사용하여 이동 스테이지의 XY방향의 위치를 검출하고, 또한 복수의 레이저 변위계를 사용하여 척의 θ방향 기울기를 검출하는 기술이 개시되어 있다.In the proximity exposure apparatus, in order to perform the printing of the pattern precisely, positioning of the substrate at the time of exposure must be precisely performed. The moving stage for positioning the substrate includes an X stage moving in the X direction, a Y stage moving in the Y direction, and a θ stage rotating in the θ direction, and a chuck supporting the substrate is mounted thereon, and the XY Direction and rotate in the θ direction.
[특허문헌 1]일본특허출원공개 2008-298906호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Publication No. 2008-298906
특허문헌 1 에 기재되어 있듯이, 복수의 레이저 변위계를 사용하여, 척의 θ방향 기울기를 검출할 경우, 복수의 레이저 변위계를 보다 거리를 두어 설치하는 만큼, 척의 θ방향 기울기를 정밀하게 검출할 수 있다. 그러나 레이저 변위계 출력의 특성은 직선성이 떨어지며, 특정범위를 넓히면 측정오차가 커진다. 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, X스테이지에 복수의 레이저 변위계를 설치하여 척의 θ방향 기울기를 검출하기 위해, 척을 Y스테이지에 의해, Y방향으로 이동하면, 레이저 변위계로 측정하는 척의 변위가, 척의 Y방향으로의 이동에 의해 변동한다. 그로 인해, 복수의 레이저 변위계를 보다 거리를 두어 설치하면, 레이저 변위계의 측정범위가 넓어지고, 측정오차가 커지는 문제점이 발생한다.As described in
본 발명의 과제는, 복수의 레이저 변위계를 사용하며, 척의 θ방향 기울기를 정밀하게 검출하여, 기판의 θ방향 위치 결정을 정밀하게 수행하는 것이다. 또한, 본 발명의 과제는, 패턴의 인화를 정밀하게 수행하여, 고품질의 표시용 패널 기판을 제조하는 것이다.An object of the present invention is to use a plurality of laser displacement meters, to precisely detect the θ direction inclination of the chuck, and to precisely perform the θ direction positioning of the substrate. Moreover, the subject of this invention is manufacturing a high quality display panel board | substrate by performing pattern printing precisely.
본 발명의 프록시미티 노광 장치는, 기판을 지지하는 척과, 마스크를 지지하는 마스크 홀더를 구비하고, 마스크와 기판 사이에 미세한 갭(gap)을 설정하여, 마스크의 패턴을 기판으로 전사하는 프록시미티 노광 장치에 있어서, X방향(또는 Y방향)으로 이동하는 제 1 스테이지, 제 1 스테이지에 탑재되어 Y방향(또는 X방향)으로 이동하는 제 2 스테이지, 및 제 2 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3 스테이지를 가지며, 척을 탑재하여, 척에 지지된 기판의 위치 결정을 수행하는 이동 스테이지와, 제 2 스테이지에 마련되어 척과 함께 XY방향으로 이동하고, 척의 변위를 복수 개소에서 측정하는 복수의 레이저 변위계와, 복수의 레이져 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향 기울기를 검출하는 제 1 검출수단과, 이동 스테이지를 구동하는 스테이지 구동 회로와, 제 1 검출수단의 검출결과에 근거하여 스테이지 구동회로를 제어하고, 제 3 스테이지로 척을 θ방향으로 회전시켜서, 기판의 θ방향의 위치 결정을 수행하는 제어 장치를 구비한 것이다.The proximity exposure apparatus of the present invention includes a chuck supporting a substrate and a mask holder supporting a mask, and sets a fine gap between the mask and the substrate to transfer the pattern of the mask to the substrate. In the apparatus, a first stage moving in the X direction (or Y direction), a second stage mounted on the first stage and moving in the Y direction (or X direction), and mounted in the second stage and rotating in the θ direction A plurality of lasers having a third stage, mounted on the chuck to position the substrate supported by the chuck, and a plurality of lasers provided on the second stage and moving in the XY direction together with the chuck to measure displacement of the chuck at a plurality of locations; First drive means for detecting the inclination of the chuck in the θ direction from the measurement results of the displacement meter and the plurality of laser displacement meters, and stage driving for driving the moving stage. And a control device which controls the stage driving circuit based on the detection result of the first detecting means, rotates the chuck in the θ direction with the third stage, and performs positioning in the θ direction of the substrate.
또한, 본 발명의 프록시미티 노광 장치의 기판 위치 결정 방법은, 기판을 지지하는 척과, 마스크를 지지하는 마스크 홀더를 구비하며, 마스크와 기판 사이에 미세한 갭을 마련하여, 마스크의 패턴을 기판으로 전사하는 프록시미티 노광 장치의 기판 위치 결정 방법으로, X방향(또는 Y방향)으로 이동하는 제 1 스테이지, 제 1 스테이지에 탑재되어 Y방향(또는 X방향)으로 이동하는 제 2 스테이지, 및 제 2 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3 스테이지를 갖는 이동 스테이지에 척을 탑재하고, 제 2 스테이지에 복수의 레이저 변위계를 설정하여, 복수의 레이저 변위계를 척과 함께 XY방향으로 이동시키고, 복수의 레이저 변위계로 척의 변위를 복수 개소에서 측정하고, 측정결과로부터 척의 θ방향 기울기를 검출하고, 검출결과에 근거하여 제 3 스테이지로 척을 θ방향으로 회전시켜서, 기판의 θ방향의 위치 결정을 수행하는 것이다.Further, the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of the present invention includes a chuck for supporting a substrate and a mask holder for supporting a mask, and provides a fine gap between the mask and the substrate to transfer the pattern of the mask to the substrate. A substrate positioning method of a proximity exposure apparatus, comprising: a first stage moving in the X direction (or Y direction), a second stage mounted on the first stage and moving in the Y direction (or X direction), and a second stage The chuck is mounted on a moving stage having a third stage mounted in the rotational direction and rotated in the θ direction, and a plurality of laser displacement meters are set in the second stage to move the plurality of laser displacement meters in the XY direction together with the chucks, and the plurality of laser displacement meters. The displacement of the furnace chuck is measured at a plurality of locations, the θ direction inclination of the chuck is detected from the measurement result, and the third stay is based on the detection result. Thereby to rotate the chuck to the θ direction, to perform a determined position of the θ direction of the substrate.
제 2 스테이지에 복수의 레이저 변위계를 마련하여, 복수의 레이저 변위계를 척과 함께 XY방향으로 이동시키고, 복수의 레이저 변위계로 척의 변위를 복수 개소에서 측정하기 때문에, 각 레이저 변위계로 측정하는 척의 변위는, 척의 이동에 의해 변동되지 않는다. 척을 XY방향으로 이동시켜도, 레이저 변위계의 측정 범위가 넓어지지 않기 때문에, 복수의 레이저 변위계를 보다 거리를 두어 설치할 수 있다. 따라서, 척의 θ방향 기울기가 정밀하게 검출되며, 기판의 θ방향 위치 결정이 정밀하게 수행된다.Since a plurality of laser displacement meters are provided in the second stage, the plurality of laser displacement meters are moved together with the chuck in the XY direction, and the displacements of the chucks measured by the respective laser displacement meters are measured because the displacements of the chucks are measured at a plurality of positions by the plurality of laser displacement meters. It is not changed by the movement of the chuck. Even if the chuck is moved in the XY direction, since the measurement range of the laser displacement meter does not become wider, a plurality of laser displacement meters can be provided at a further distance. Thus, the θ direction inclination of the chuck is accurately detected, and the θ direction positioning of the substrate is precisely performed.
나아가, 본 발명의 프록시미티 노광 장치는, 레이저광을 발생하는 광원, 제 1 스테이지에 설치된 제 1 반사 수단, 제 2 스테이지에 설치된 제 2 반사 수단, 광원으로부터의 레이저광과 제 1 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하는 제 1 레이저 간섭계, 및 광원으로부터의 레이저광과 제 2 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하는 복수의 제 2 레이저 간섭계를 갖는 레이저 측장계와, 레이저 측장계의 제 1 레이저 간섭계 및 복수의 제 2 레이저 간섭계의 측정결과로부터 이동 스테이지의 XY방향의 위치를 검출하는 제 2 검출수단을 구비하며, 제어장치가, 제 2 검출수단의 검출결과에 근거하여, 스테이지 구동 회로를 제어하고, 제 1 스테이지 및 제 2 스테이지로 척을 XY방향으로 이동시켜, 기판의 XY방향의 위치 결정을 수행하는 것이다.Further, the proximity exposure apparatus of the present invention comprises a light source for generating laser light, a first reflecting means provided in a first stage, a second reflecting means provided in a second stage, a laser light from a light source and a first reflecting means. A laser having a first laser interferometer for measuring interference with the reflected laser light, and a plurality of second laser interferometers for measuring interference at a plurality of places with the laser light from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means. And a second detecting means for detecting a position in the XY direction of the moving stage from measurement results of the measurement system and the measurement results of the first laser interferometer and the plurality of second laser interferometers of the laser measurement system. Based on the detection result, the stage driving circuit is controlled, and the chuck is moved in the XY direction by the first stage and the second stage to position the substrate in the XY direction. To perform.
또한, 본 발명의 프록시미티 노광 장치의 기판 위치 결정 방법은, 제 1 스테이지에 제 1 반사수단을 설치하고, 제 2 스테이지에 제 2 반사수단을 설치하며, 제 1 레이저 간섭계로, 광원으로부터의 레이저광과 제 1 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고, 복수의 제 2 레이저 간섭계로, 광원으로부터의 레이저광과 제 2 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 측정결과로부터 이동 스테이지의 XY방향의 위치를 검출하고, 검출결과에 근거하여, 제 1 스테이지 및 제 2 스테이지에 의해 척을 XY방향으로 이동시켜서, 기판의 XY방향 위치 결정을 수행하는 것이다. 레이저 측장계를 이용하여, 이동 스테이지의 XY방향의 위치가 정밀하게 검출되며, 기판의 XY방향의 위치 결정이 정밀하게 수행된다. 또한, 복수의 제 2 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 이동스테이지가 XY방향으로 이동할 때의 요잉(yawing)을 검출할 수 있다.In addition, the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of the present invention provides a first reflecting means in a first stage, a second reflecting means in a second stage, and a laser from a light source with a first laser interferometer. The interference between the light and the laser light reflected by the first reflecting means is measured, and the plurality of second laser interferometers measure the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means at a plurality of places. The measurement is performed, the position of the XY direction of the moving stage is detected from the measurement result, and based on the detection result, the chuck is moved in the XY direction by the first stage and the second stage, and the XY direction positioning of the substrate is performed. . By using the laser measuring system, the position of the XY direction of the moving stage is accurately detected, and the positioning of the substrate in the XY direction is precisely performed. In addition, yawing when the moving stage moves in the XY direction can be detected from the measurement results of the plurality of second laser interferometers.
나아가, 본 발명의 프록시미티 노광 장치는, 척에 설치된 제 3 반사수단을 구비하고, 레이저 측장계가 복수의 제 2 레이저 간섭계에 의해, 광원으로부터의 레이저광과 제 3 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 제 2 검출수단이, 레이저 측장계의 복수의 제 2 레이저 간섭계의 측정결과로부터 척의 변위를 검출하고, 제 1 검출수단이, 제 2 검출수단이 검출한 척의 변위와 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성하고, 작성한 보정식으로 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하고, 보정된 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향 기울기를 검출하는 것이다.Furthermore, the proximity exposure apparatus of this invention is equipped with the 3rd reflecting means provided in the chuck | zipper, and the laser length measurement system reflected the laser beam from the light source by the some 2nd laser interferometer, and the 3rd reflecting means The interference with the light is measured at a plurality of places, the second detecting means detects the displacement of the chuck from the measurement results of the plurality of second laser interferometers of the laser measuring system, and the first detecting means detects the displacement of the chuck. From the displacement of the chuck and the measurement results of the plural laser displacement meters, a correction equation for correcting the measurement results of the plural laser displacement meters is prepared, the measurement results of the plural laser displacement meters are corrected by the correction equations made, and the From the measurement result, the inclination of the chuck in the θ direction is detected.
또한, 본 발명의 프록시미티 노광 장치의 기판 위치 결정 방법은, 척에 제 3 반사수단을 설치하고, 복수의 제 2 레이저 간섭계로, 광원으로부터의 레이저광과 제 3 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 측정결과로부터 척의 변위를 검출하고, 검출결과와 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성하며, 작성한 보정식으로 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하고, 보정된 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향 기울기를 검출하는 것이다. 레이저 변위계의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성할 때, 레이저 측장계를 이용하여 척의 변위가 정밀하게 검출되며, 레이저 변위계의 측정결과가 정밀하게 보정된다.Further, in the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of the present invention, a third reflecting means is provided in the chuck, and a plurality of second laser interferometers are used for laser light reflected from the light source and laser light reflected by the third reflecting means. A correction equation that measures the interference with the plural places, detects the displacement of the chuck from the measurement result, and corrects the measurement results of the plural laser displacement meters from the detection result and the measurement results of the plural laser displacement meters. By correcting the measurement results of the plurality of laser displacement meters, and detecting the inclination of the chuck in the θ direction from the corrected measurement results of the plurality of laser displacement meters. When preparing a correction formula for correcting the measurement result of the laser displacement meter, the displacement of the chuck is precisely detected using the laser measurement system, and the measurement result of the laser displacement meter is precisely corrected.
본 발명의 표시용 패널 기판의 제조방법은, 상술한 어느 하나의 프록시미티 노광장치를 사용하여 기판의 노광을 수행하거나, 혹은 상술한 어느 하나의 프록시미티 노광장치의 기판 위치 결정 방법을 이용하여 기판의 위치를 결정하여, 기판의 노광을 수행하는 것이다. 노광 시의 기판의 위치 결정이 정밀하게 수행되기 때문에, 패턴의 인화가 정밀하게 수행되어, 고품질의 표시용 패널 기판이 제조된다.In the method for manufacturing a display panel substrate of the present invention, the substrate is exposed using any one of the above-mentioned proximity exposure apparatuses, or the substrate is determined using the substrate positioning method of any one of the above-described proximity exposure apparatuses. To determine the position of, to perform the exposure of the substrate. Since the positioning of the substrate at the time of exposure is performed precisely, the printing of the pattern is performed precisely, and a high quality display panel substrate is manufactured.
본 발명의 프록시미티 노광 장치 및 프록시미티 노광 장치의 기판 위치 결정 방법에 의하면, X방향(또는 Y방향)으로 이동하는 제 1 스테이지, 제 1 스테이지에 탑재되어 Y방향(또는 X방향)으로 이동하는 제 2 스테이지 및 제 2 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3 스테이지를 갖는 이동 스테이지에 척을 탑재하고, 제 2 스테이지에 복수의 레이저 변위계를 마련하여, 복수의 레이저 변위계를 척과 함께 XY방향으로 이동시키고, 복수의 레이저 변위계로 척의 변위를 복수 개소에서 측정하며, 측정결과로부터 척의 θ방향의 기울기를 검출하고, 검출결과에 근거하여 제 3 스테이지로, 척을 θ방향으로 회전시켜서 기판의 θ방향 위치 결정을 수행함으로써, 복수의 레이저 변위계를 보다 거리를 두어 설치할 수 있기 때문에, 척의 θ방향 기울기를 정밀하게 검출하여, 기판의 θ방향 위치 결정을 정밀하게 수행할 수 있다.According to the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus and the proximity exposure apparatus of the present invention, the first stage moves in the X direction (or Y direction) and the first stage moves on the Y stage (or X direction). The chuck is mounted on a moving stage having a third stage mounted on the second stage and the second stage and rotating in the θ direction, and a plurality of laser displacement meters are provided on the second stage, so that the plurality of laser displacement meters together with the chuck in the XY direction. The displacement of the chuck with a plurality of laser displacement meters is measured at a plurality of places, and the tilt of the chuck direction is detected from the measurement result, and the chuck is rotated in the θ direction with the third stage based on the detection result, and the θ direction of the substrate is obtained. By performing the positioning, it is possible to install a plurality of laser displacement meters at a further distance, so that the inclination of the chuck in the θ direction is precisely determined. By detecting, the θ direction positioning of the substrate can be precisely performed.
나아가, 본 발명의 프록시미티 노광장치 및 프록시미티 노광 장치의 기판 위치 결정 방법에 의하면, 제 1 스테이지에 제 1 반사수단을 설치하고, 제 2 스테이지 에 제 2 반사수단을 설치하고, 제 1 레이저 간섭계로, 광원으로부터의 레이저광과 제 1 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고, 복수의 제 2 레이저 간섭계로, 광원으로부터의 레이저광과 제 2 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 측정결과로 이동 스테이지의 XY방향의 위치를 검출하며, 검출결과에 근거하여, 제 1 스테이지 및 제 2 스테이지로 척을 XY방향으로 이동시켜서, 기판의 XY방향의 위치 결정을 수행함으로써, 이동 스테이지의 XY방향의 위치를 정밀하게 검출할 수 있기 때문에, 기판의 XY방향의 위치 결정을 정밀하게 수행할 수 있다. 또한, 복수의 제 2 레이저 간섭계의 측정결과로, 이동 스테이지 XY방향으로 이동할 때의 요잉을 검출할 수 있다.Furthermore, according to the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus and the proximity exposure apparatus of this invention, a 1st reflection means is provided in a 1st stage, a 2nd reflection means is provided in a 2nd stage, and a 1st laser interferometer To measure the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the first reflecting means, and with a plurality of second laser interferometers, the laser light from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means; , The interference is measured at a plurality of locations, the measurement result detects the position of the XY direction of the moving stage, and based on the detection result, the chuck is moved in the XY direction to the first and second stages, By performing the positioning, since the position in the XY direction of the moving stage can be detected precisely, the positioning in the XY direction of the substrate can be precisely performed. Further, as a result of the measurement of the plurality of second laser interferometers, yawing when moving in the movement stage XY direction can be detected.
나아가. 본 발명의 프록시미티 노광 장치 및 프록시미티 노광 장치의 기판 위치 결정 방법에 의하면, 척에 제 3 반사수단을 설치하고, 복수의 제 2 레이저 간섭계로, 광원으로부터의 레이저광과 제 3 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 측정결과로 척의 변위를 검출하고, 검출결과와 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성하고, 작성한 보정식으로 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하고, 보정한 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향 기울기를 검출함으로써, 레이저 변위계의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성할 때에, 레이저 측장계를 사용하여 척의 변위를 정밀하게 검출할 수 있으며, 레이저 변위계의 측정결과를 정밀하게 보정할 수 있다. 따라서, 척의 θ방향 기울기를 더 정밀하게 검출하여, 기판의 θ방향 위치 결정을 더 정밀하게 수행할 수 있다.Furthermore. According to the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus and the proximity exposure apparatus of the present invention, a third reflecting means is provided in the chuck, and a plurality of second laser interferometers are used for the laser light from the light source and the third reflecting means. Measure the interference with the reflected laser light at a plurality of places, detect the displacement of the chuck as a measurement result, and create a correction equation for correcting the measurement results of the plurality of laser displacement meters from the detection results and the measurement results of the plurality of laser displacement meters. When the correction formula for correcting the measurement results of the laser displacement meter is generated by correcting the measurement results of the plurality of laser displacement meters by the created correction formula and detecting the inclination direction of the chuck from the measured results of the corrected laser displacement meters. The measuring system can be used to accurately detect the displacement of the chuck, and the measurement results of the laser displacement meter can be precisely corrected. The. Therefore, by detecting the θ direction inclination of the chuck more precisely, the θ direction positioning of the substrate can be performed more precisely.
본 발명의 표시용 패널 기판의 제조방법에 의하면, 노광 시의 기판 위치 결정을 정밀하게 수행할 수 있으므로, 패턴의 인화를 정밀하게 수행하여, 고품질의 표시용 패널기판을 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of the display panel substrate of the present invention, since the substrate positioning at the time of exposure can be performed precisely, the printing of a pattern can be performed precisely, and a high quality display panel substrate can be manufactured.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광 장치의 개략적 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광 장치의 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광 장치의 측면도이다.
도 4는 레이저 측장계의 동작을 설명하는 도면이다.
도 5는 레이저 측장계의 동작을 설명하는 도면이다.
도 6은 이동 스테이지의 상면도이다.
도 7은 이동 스테이지의 측면도이다.
도 8은 레이저 변위계의 출력 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 레이저 변위계의 측정 결과의 보정 방법을 설명하는 도면이다.
도 10a는 보정 전 레이저 변위계의 측정결과를 나타내는 도면이고, 도 10b는 보정 후의 레이저 변위계의 측정결과를 나타내는 도면이다.
도 11은 액정 디스플레이 장치의 TFT기판의 제조 공정의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 12는 액정 디스플레이 장치의 컬러 필터 기판의 제조 공정의 일례를 나타내는 순서도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows schematic structure of the proximity exposure apparatus by one Embodiment of this invention.
2 is a front view of a proximity exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.
3 is a side view of the proximity exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
It is a figure explaining the operation | movement of a laser measuring system.
5 is a view for explaining the operation of the laser measurement system.
6 is a top view of the moving stage.
7 is a side view of the moving stage.
8 is a diagram illustrating output characteristics of a laser displacement meter.
It is a figure explaining the correction method of the measurement result of a laser displacement meter.
10A is a diagram showing a measurement result of a laser displacement meter before correction, and FIG. 10B is a diagram showing a measurement result of a laser displacement meter after correction.
11 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device.
It is a flowchart which shows an example of the manufacturing process of the color filter substrate of a liquid crystal display device.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광 장치의 개략적 구성을 나타내는 도면이다. 그리고 도 2는 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광 장치의 정면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광 장치의 측면도이다. 본 실시형태는, 2개의 이동 스테이지를 이용한 프록시미티 노광 장치의 예를 나타낸다. 프록시미티 노광 장치는, 척(10a, 10b), 베이스(11), 받침대(12), X가이드(13), 이동 스테이지, 마스크 홀더(20), 레이저 측장계 제어장치(30), 레이저 측장계, 레이저 변위계 제어장치(40), 레이저 변위계(42, 43, 44), 바 미러(45, 46, 47), 주 제어장치(70), 입출력 인터페이스 회로(71, 72) 및 스테이지 구동회로(80a, 80b)를 포함해서 구성되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에서는, 레이저 측장계 제어장치(30), 레이저 측장계의 레이저 광원(31), 레이저 변위계 제어장치(40), 주 제어장치(70), 입출력 인터페이스 회로(71, 72) 및 스테이지 구동회로(80a, 80b)가 생략되어 있다. 프록시미티 노광 장치는, 이들 외에 노광광을 조사하는 조사광학계, 기판 반송 로봇, 장치 내의 온도 관리를 수행하는 온도 제어 유닛 등을 구비한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows schematic structure of the proximity exposure apparatus by one Embodiment of this invention. 2 is a front view of a proximity exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a side view of a proximity exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. This embodiment shows an example of a proximity exposure apparatus using two moving stages. The proximity exposure apparatus includes the
또한, 이하에서 설명하는 실시형태에 있어서 XY방향은 예시이며, X방향과 Y방향을 바꿀 수도 있다.In addition, in embodiment described below, XY direction is an illustration and X direction and Y direction can also be changed.
도 1 및 도 2에 있어서, 척(10a)은, 기판(1)의 노광을 수행하는 노광위치에 있으며, 척(10b)은, 기판의 로드/언 로드를 수행하는 로드/언 로드 위치에 있다. 척(10a)에 대한 로드/언 로드 위치는, 노광위치의 도면 좌측에 있다. 척(10a, 10b)은, 후술하는 각 이동 스테이지의 의해, 각 로드/언 로드 위치에서 노광 위치로 서로 번갈아 가며 이동된다. 각 로드/언 로드 위치에 있어서, 도시하지 않은 각 기판 반송 로봇에 의해, 기판(1)이 척(10a, 10b)으로 반입되며, 또한 기판(1)이 척(10a, 10b)에서 반출된다. 척(10a, 10b)은, 기판(1)을 진공흡착하여 지지한다.1 and 2, the
노광위치의 상공에는, 마스크(2)를 지지하는 마스크 홀더(20)가 설치되어 있다. 마스크 홀더(20)는, 마스크(2)의 주변부를 진공흡착하여 지지한다. 마스크 홀더(20)에 지지된 마스크(2)의 상공에는, 도시하지 않은 조사광학계가 배치되어 있다. 노광 시, 조사광학계로부터의 노광광이 마스크(2)를 투과하여 기판(1)으로 조사됨에 따라, 마스크(2)의 패턴이 기판(1)의 표면에 전사되고, 기판(1) 상에 패턴이 형성된다.Above the exposure position, a
도 2에 있어서, 척(10a, 10b)은, 이동 스테이지에 각각 탑재되어 있다. 각 이동 스테이지는, X스테이지(14), Y가이드(15), Y스테이지(16), θ스테이지(17) 및 척 지지대(19)를 포함하며 구성되어 있다. X스테이지(14)는, 베이스(11)에 마련된 X가이드(13)에 탑재되어, X가이드(13)를 따라 X방향을 이동한다. Y스테이지(16)는, X스테이지(14)에 마련된 Y가이드(15)에 탑재되며, Y가이드(15)를 따라 Y방향으로 이동한다. θ스테이지(17)는, Y스테이지(16)에 탑재되며, θ방향으로 회전한다. 척 지지대(19)는, 척(10a, 10b)을 복수 개소에서 지지한다. In FIG. 2, the
각 이동 스테이지의 X스테이지(14)의 X방향으로의 이동에 의해, 척(10a, 10b)은 각 로드/언 로드 위치와 노광위치 사이를 이동한다. 각 로드/언 로드 위치에 있어서, 각 이동 스테이지의 X스테이지(14)의 X방향으로의 이동, Y스테이지(16)의 Y방향으로의 이동 및 θ스테이지(17)의 θ방향으로의 회전에 의해, 척(10a, 10b)에 탑재된 기판(1)의 예비 정렬(프리얼라인먼트)이 수행된다. 노광장치에 있어서, 각 이동 스테이지의 X스테이지(14)의 X방향으로의 이동 및 Y스테이지(16)의 Y방향으로의 이동에 의해, 척(10a, 10b)에 지지된 기판(1)의 XY방향으로의 스텝 이동이 수행된다. 그리고 각 이동 스테이지의 X스테이지(14)의 X방향으로의 이동, Y스테이지(16)의 Y방향으로의 이동 및 θ스테이지(17)의 θ방향으로의 회전에 의해, 노광 시의 기판(1)의 위치 결정이 수행된다. 또한 도시하지 않은 Z-틸트기구로 마스크 홀더(20)를 Z방향으로 이동 및 틸트시킴으로써, 마스크(2)와 기판(1)의 갭 맞춤이 수행된다.By the movement of the
도 1에 있어서, 스테이지 구동회로(80a)는, 주 제어장치(70)의 제어에 의해, 척(10a)을 탑재한 이동 스테이지의 X스테이지(14), Y스테이지(16) 및 θ스테이지(17)를 구동한다. 또한, 스테이지 구동회로(80b)는 주 제어장치(70)의 제어로, 척(10b)을 탑재한 이동 스테이지의 X스테이지(14), Y스테이지(16) 및 θ스테이지(17)를 구동한다.In Fig. 1, the
또한, 본 실시형태에서는, 마스크 홀더(20)를 Z방향으로 이동 및 틸트시킴으로써, 마스크(2)와 기판(1)과의 갭 맞춤을 수행하고 있지만, 각 이동 스테이지의 척 지지대(19)에 Z-틸트기구를 마련하여, 척(10a, 10b)을 Z방향으로 이동 및 틸트시킴으로써, 마스크(2)와 기판(1)과의 갭 맞춤을 수행할 수 있다. In addition, in this embodiment, although the gap alignment of the
이하, 본 실시형태에 의한 프록시미티 노광장치의 기판 위치 결정 동작에 대해 설명하고자 한다. 도 1에 있어서, 레이저 측장계는, 레이저 광원(31), 레이저 간섭계(32a, 32b, 33), 바 미러(34a, 34b, 35) 및 미러 유닛(50)을 포함하여 구성된다. 각 이동 스테이지의 X스테이지(14)가 X가이드(13)에 탑재되어 있기 때문에, 베이스(11)와 X스테이지(14) 사이에, X가이드(13) 높이에 대응되는 공간이 발생한다. Y방향으로 연장되는 바 미러(34a, 34b)는, 이 공간을 이용하여, X스테이지(14) 아래에 설치되어 있다. 각각 2개의 레이저 간섭계(32a, 32b)는, 베이스(11)의 X가이드(13)에서 벗어난 위치에 설치되어 있다. 도 2 및 도 3에 있어서, X방향으로 연장되는 바 미러(35)는, 암(36)에 의해, 거의 척(10a, 10b)의 높이로 각 이동 스테이지의 Y스테이지(16)에 설치되어 있다. 2개의 레이저 간섭계(33)는, 베이스(11)에 마련된 받침대(12)에 설치되어 있다.Hereinafter, the substrate positioning operation of the proximity exposure apparatus according to the present embodiment will be described. In FIG. 1, the laser measuring system includes a
도 4 및 도 5는, 레이저 측장계의 동작을 설명하는 도면이다. 또한 도 4는 척(10a)이 노광장치에 있으며, 척(10b)이 로드/언 로드 위치에 있는 상태를 나타내고, 도 5는, 척(10b)이 노광장치에 있으며, 척(10a)이 로드/언 로드 위치에 있는 상태를 나타낸다. 도 4 및 도 5에 있어서, 2개의 레이저 간섭계(32a)는, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광을 바 미러(34a)로 조사하고, 바 미러(34a)에 의해 반사된 레이저광을 수광하여, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(34a)에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 2개소에서 측정한다. 또한 2개의 레이저 간섭계(32b)는, 레이저 광원(31)로부터의 레이저광을 바 미러(34b)로 조사하고, 바 미러(34b)에 의해 반사된 레이저광을 수광하여, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(34b)에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 2개소에서 측정한다. 4 and 5 are diagrams illustrating the operation of the laser measuring system. 4 shows a state in which the
도 1에 있어서, 레이저 측장계 제어장치(30)는, 주 제어장치(70)의 제어로, 2개의 레이저 간섭계(32a)의 측정결과로부터, 척(10a)을 탑재한 이동 스테이지의 X방향 위치를 검출하고, 또한 X스테이지(14)가 X방향으로 이동할 때의 요잉을 검출한다. 그리고 레이저 측장계 제어장치(30)는, 주 제어장치(70)의 제어로, 2개의 레이저 간섭계(32b)의 측정결과로부터, 척(10b)을 탑재한 이동 스테이지의 X방향의 위치를 검출하고, 또, X스테이지(14)가 X방향으로 이동할 때의 요잉을 검출한다. 레이저 측장계를 이용하여, 각 이동 스테이지의 X방향 위치가 정밀하게 검출된다. 그리고 각각 2개의 레이저 간섭계(32a, 32b)의 측정결과로부터, 각 이동스테이지의 X스테이지(14)가 X방향으로 이동할 때의 요잉을 검출할 수 있다.In FIG. 1, the laser measuring
도 4 및 도 5에 있어서, 2개의 레이저 간섭계(33)는, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광을 바 미러(35)로 조사하고, 바 미러(35)에 의해 반사된 레이저광을 수광하여, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(35)에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 2개소에서 측정한다. 도 1에 있어서, 레이저 측장계 제어장치(30)는, 주 제어장치(70)의 제어에 의해, 2개의 레이저 간섭계(33)의 측정결과로부터, 노광장치에 있는 척(10a, 10b)을 탑재한 이동 스테이지의 Y방향 위치를 검출하고, 그리고 노광장치에 있는 척(10a, 10b)을 탑재한 이동 스테이지가 XY방향으로 이동할 때의 요잉을 검출한다. 레이저 측장계를 이용하여, 노광장치에 있는 척(10a, 10b)을 탑재한 이동 스테이지의 Y방향 위치가 정밀하게 검출된다. 또한 2개의 레이저 간섭계(33)의 측정결과로부터, 노광위치에 있는 척(10a, 10b)을 탑재한 이동스테이지가 XY방향으로 이동될 때의 요잉을 검출할 수 있다.4 and 5, the two
도 6은 이동 스테이지의 상면도이고, 도 7은 이동 스테이지의 측면도이다. 또한 도 6 및 도 7은, 척(10a)을 탑재한 이동 스테이지를 나타내고 있으며, 척(10b)을 탑재한 이동스테이지는, 레이저 변위계(42) 및 바 미러(45)의 배치가 다른 것 외에는, 척(10a)을 탑재한 이동스테이지와 동일한 구성이다. 도 6 및 도 7에 있어서, Y방향으로 연장되는 바 미러(45)는, X스테이지(14) 상에 설치되어 있다. 레이저 변위계(42)는, Y스테이지(16) 아래에, 바 미러(45)와 마주보면서 설치되어 있다. 레이저 변위계(42)는, 레이저광을 바 미러(45)로 조사하고, 바 미러(45)에 의해 반사된 레이저광을 수광하여, Y스테이지(16)의 X방향의 변위를 측정한다. 도 1에 있어서, 레이저 변위계 제어장치(40)는, 주 제어장치(70)의 제어로, 레이저 변위계(42)의 측정결과로부터, Y스테이지(16)가 Y방향으로 이동할 때의 롤링을 검출한다.6 is a top view of the moving stage, and FIG. 7 is a side view of the moving stage. 6 and 7 show the moving stage on which the
도 6 및 도 7에 있어서, X방향으로 연장되는 바 미러(46)는, 척(10a)의 이면에 설치되어 있다. 2개의 레이저 변위계(43)는, 암(36)에 의해 Y스테이지(16)에 설치된 바 미러(35) 아래에, 바 미러(46)와 마주보며 설치되어 있다. 각 레이저 변위계(43)가 Y스테이지(16)에 설치되어 있기 때문에, X스테이지(14) 및 Y스테이지(16)에 의해 척(10a)을 XY방향으로 이동할 때, 각 레이저 변위계(43)는, 척(10a)과 함께 XY방향으로 이동된다. 2개의 레이저 변위계(43)는, 레이저광을 바 미러(46)로 조사하고, 바 미러(46)에 의해 반사된 레이저광을 수광하여, 바 미러(46)의 Y방향 변위를 2개소에서 측정한다. 도 1에 있어서, 레이저 변위계 제어장치(40)는, 주 제어장치(70)의 제어에 의해, 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터, 척(10a)의 θ방향 기울기를 검출한다.6 and 7, the
Y스테이지(16)에 2개의 레이저 변위계(43)를 마련하여, 2개의 레이저 변위계(43)를 척(10a)과 함께 XY방향으로 이동시키고, 2개의 레이저 변위계(43)에 의해 척(10a)의 변위를 복수 개소에서 측정하기 때문에, 각 레이저 변위계(43)로 측정하는 척(10a)의 변위는, 척(10a)의 이동에 의해 변동되지 않는다. 척(10a)을 XY방향으로 이동해도 레이저 변위계(43)의 측정범위가 넓어지지 않으므로, 2개의 레이저 변위계(43)를 보다 거리를 두어 설치할 수 있다. Two
도 6에 있어서, Y방향으로 연장되는 바 미러(47)는, 척(10a)의 이면에 설치되어 있다. 레이저 변위계(44)는, 암(48)에 의해, Y스테이지(16)에, 바 미러(47)와 마주보며 설치되어 있다. 레이저 변위계(44)는 레이저광을 바 미러(47)로 조사하고, 바 미러(47)에 의해 반사된 레이저광을 수광하여, 바 미러(47)의 X방향 변위를 측정한다. 도 1에 있어서, 레이저 변위계 제어장치(40)는, 주 제어장치(70)의 제어에 의해, 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과 및 레이저 변위계(44)의 측정결과로부터, θ방향으로의 회전에 의한 척(10a)의 XY방향의 위치 변화를 검출한다.In FIG. 6, the
도 1에 있어서, 주 제어장치(70)는, 레이저 측장계 제어 장치(30)의 검출결과를, 입출력 인터페이스 회로(71)를 개재시켜 입력한다. 또한, 주 제어장치(70)는, 레이저 변위계 제어장치(40)의 검출결과를, 입출력 인터페이스회로(72)를 개재시켜 입력한다. 그리고 주 제어장치(70)는, 레이저 변위계 제어장치(40)에 의한 척(10a, 10b)의 θ방향 기울기의 검출결과에 근거하여, 스테이지 구동회로(80a, 80b)를 제어하며, θ스테이지(17)에 의해 척(10a, 10b)을 θ방향으로 회전시켜서, 기판(1)의 θ방향 위치 결정을 수행한다. 또한 주 제어장치(70)는, 레이저 측장계 제어장치(30)에 의한 이동 스테이지의 XY방향의 위치 검출결과에 근거하여, 스테이지 구동회로(80a, 80b)를 제어하고, X스테이지(14) 및 Y스테이지(16)에 의해 척(10a, 10b)을 XY방향으로 이동시켜서, 노광 시의 기판(1)의 XY방향 위치 결정을 수행한다.In FIG. 1, the
다음으로, 레이저 변위계(43)의 측정결과의 보정에 대해 설명하고자 한다. 도 8은, 레이저 변위계의 출력 특성을 나타내는 도면이다. 도 8의 가로축은 레이저 변위계로 측정하는 실제 변위, 세로축은 레이저 변위계의 출력을 나타낸다. 도 8에서 나타낸 바와 같이, 레이저 변위계의 측정결과를 직선으로 근사시켰을 때, 근사직선이 일점쇄선으로 나타내는 이상직선에서 벗어나 있을 경우, 레이저 변위계의 측정결과를 보정할 필요가 있다. 레이저 변위계는, 출력특성에 있어 직선성이 떨어져, 측정범위를 넓히면 측정결과가 근사직선에서 크게 벗어난다. 그 때문에, 측정결과와 근사직사의 차가 소정의 허용치 이내인 범위를, 측정범위로 사용한다.Next, the correction of the measurement result of the
도 9는 레이저 변위계의 측정 결과의 보정 방법을 설명하는 도면이다. 레이저 측장계의 미러 유닛(50)은, 모터(51), 승강가이드(52) 및 미러(53, 54)를 포함하며 구성되어 있다. 미러(53, 54)는, 도 6에서 나타낸 바와 같이, X방향으로 2쌍이 마련되어 있다. 도 9에 있어서, 레이저 측장계의 2개의 레이저 간섭계(33)가 설치된 받침대(12)의 측면에는, 모터(51) 및 승강가이드(52)가 설치되어 있다. 모터(51)는, 펄스 모터와, 펄스 모터에 연결된 볼 스크류와, 로드를 포함하여 구성되고, 펄스 모터로 볼 스크류를 구동시킴으로써, 로드가 상승 및 하강한다. 모터(51)의 로드 선단에는, 2쌍의 미러(53, 54)가 설치되어 있으며, 각 미러(53, 54)는, 모터(51)에 의해, 승강 가이드(52)를 따라 승강된다. It is a figure explaining the correction method of the measurement result of a laser displacement meter. The
도 7에서 나타낸 바와 같이, 각 미러(53, 54)는, 일반적으로 모터(51)에 의해 하강된다. 도 9에서 나타낸 바와 같이, 모터(51)에 의해 각 미러(53, 54)를 상승시키면, 각 레이저 간섭계(33)에서 조사된 레이저광은, 각 미러(53, 54)에 의해 반사되어, 바 미러(46)로 각각 조사된다. 그리고 바 미러(46)에 의해 반사된 레이저광은, 각 미러(53, 54)에 의해 반사되어, 각 레이저 간섭계(33)로 각각 조사된다. 2개의 레이저 간섭계(33)는, 바 미러(46)에 의해 반사된 레이저광을 수광하여 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(46)에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 2군데에서 측정한다. As shown in FIG. 7, each
도 1에 있어서, 레이저 측장계 제어장치(30)는, 주 제어장치(70)의 제어에 의해, 2개의 레이저 간섭계(33)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 Y방향 변위를 검출한다. 레이저 변위계 제어장치(40)는, 레이저 측장계 제어장치(30)가 검출한 척(10a, 10b)의 변위와 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터, 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과가, 레이저 측장계 제어장치(30)가 검출한 척(10a, 10b)의 변위와 일치하도록, 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성한다. 그리고 레이저 변위계 제어장치(40)는, 각 레이저 변위계(43)가 바 미러(46)의 Y방향 변위를 측정할 때마다, 작성한 보정식으로 각 레이저 변위계(43)의 측정결과를 보정한다.In FIG. 1, the laser measuring
도 10a는 보정 전 레이저 변위계의 측정결과를 나타내는 도면이고, 도 10b는 보정 후의 레이저 변위계의 측정결과를 나타내는 도면이다. 보정 전의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터는, 근사직선이 이상직선에서 벗어나 있기 때문에, 측정범위 내에서 도 10a에 나타내는 측정오차가 발생한다. 보정 후의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터는, 도 10b에 나타낸 바와 같이, 근사직선이 이상직선과 겹쳐서 측정오차가 작아진다. 도 1에 있어서, 레이저 변위계 제어장치(40)는 보정한 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향 기울기를 검출한다. 10A is a diagram showing a measurement result of a laser displacement meter before correction, and FIG. 10B is a diagram showing a measurement result of a laser displacement meter after correction. From the measurement result of the
척(10a, 10b)에 바 미러(46)를 설치하고, 2개의 레이저 간섭계(33)로, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(46)에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 측정결과로부터 척(10a, 10b)의 변위를 검출하고, 검출결과와 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터, 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성하고, 작성한 보정식에 의해 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과를 보정하고, 보정한 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향 기울기를 검출하기 때문에, 레이저 변위계(43)의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성할 때에 레이저 측장계를 이용하여 척(10a, 10b)의 변위가 정밀하게 검출되며, 레이저 변위계(43)의 측정결과가 정밀하게 보정된다.Bar mirrors 46 are provided in the
이상, 설명한 본 실시형태에 의하면, X방향으로 이동하는 X스테이지(14), X스테이지(14)에 탑재되어 Y방향으로 이동하는 Y스테이지(16), 및 Y스테이지(16)에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 θ스테이지(17)를 갖는 이동 스테이지에 척(10a, 10b)을 탑재하고, Y스테이지(16)에 2개의 레이저 변위계(43)를 마련하여, 2개의 레이저 변위계(43)를 척(10a, 10b)과 함께 XY방향으로 이동시키고, 2개의 레이저 변위계(43)로 척(10a, 10b)의 변위를 복수 개소에서 측정하며, 측정결과로부터 척(10a, 10b)의 θ방향 기울기를 검출하고, 검출결과에 근거하여, θ스테이지(17)로 척(10a, 10b)을 θ방향으로 회전시켜서, 기판(1)의 θ방향 위치 결정을 수행함으로써, 2개의 레이저 변위계(43)를 보다 거리를 두어 설치할 수 있으므로, 척(10a, 10b)의 θ방향 기울기를 정밀하게 검출하여, 기판(1)의 θ방향 위치 결정을 정밀하게 수행할 수 있다.In the above-described embodiment, the
게다가, X스테이지(14)에 바 미러(34a, 34b)를 설치하며, Y스테이지(16)에 바 미러(35)를 설치하고, 레이저 간섭계(32a, 32b)에 의해, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(34a, 34b)에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고, 2개의 레이저 간섭계(33)로, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(35)에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 2개소에서 측정하고, 측정결과로부터 이동 스테이지의 XY방향의 위치를 검출하고, 검출결과에 근거하여, X스테이지(14) 및 Y스테이지(16)에 의해 척(10a, 10b)을 XY방향으로 이동하여, 기판(1)의 XY방향의 위치 결정을 수행함으로써, 이동 스테이지의 XY방향의 위치를 정밀하게 검출할 수 있으므로, 기판(1)의 XY방향 위치 결정을 정밀하게 수행할 수 있다. 또한, 2개의 레이저 간섭계(33)의 측정결과로부터, 노광위치에 있는 척(10a, 10b)을 탑재한 이동 스테이지가 XY방향으로 이동할 때의 요잉을 검출할 수 있다.In addition, the bar mirrors 34a and 34b are provided in the
나아가, 척(10a, 10b)에 바 미러(46)를 설치하고, 2개의 레이저 간섭계(33)에 의해, 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(46)에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 측정결과로부터 척(10a, 10b)의 변위를 검출하며, 검출결과와 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터, 2개의 변위계(43)의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성하고, 작성한 보정식으로 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과를 보정하고, 보정한 2개의 레이저 변위계(43)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향 기울기를 검출함으로써, 레이저 변위계(43)의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성할 때에, 레이저 측장계를 이용하여 척(10a, 10b)의 변위를 정밀하게 검출할 수 있으며, 레이저 변위계(43)의 측정결과를 정밀하게 보정할 수 있다. 따라서, 척(10a, 10b)의 θ방향 기울기를 보다 더 정밀하게 검출하여, 기판(1)의 θ방향 위치 결정을 보다 더 정밀하게 수행할 수 있다. Furthermore, the
본 발명의 프록시미티 노광장치를 이용하여 기판의 노광을 수행하거나, 혹은 본 발명의 프록시미티 노광장치의 기판 위치 결정 방법을 이용하여 기판의 위치를 결정하여, 기판의 노광을 수행함으로써, 노광 시의 기판 위치 결정을 정밀하게 수 있기 때문에, 패턴의 인화를 정밀하게 수행하여, 고품질의 표시용 패널 기판을 제조할 수 있다. The exposure of the substrate is performed using the proximity exposure apparatus of the present invention, or the substrate is positioned using the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of the present invention, and the substrate is exposed. Since substrate positioning can be precisely performed, printing of a pattern can be performed precisely and a high quality display panel substrate can be manufactured.
예를 들어, 도 11은 액정 디스플레이 장치의 TFT기판의 제조 공정의 일례를 나타내는 순서도이다. 박막 형성 공정(단계 101)에서는, 스퍼터법이나 플라즈마 화학기상성장(CVD)법 등으로, 기판 상에 액정구동용 투명 전극이 되는 도전체막이나 절연체막 등의 박막을 형성한다. 레지스트 도포 공정(단계 102)에서는, 롤 도포법 등으로 감광 수지 재료(포토레지스트)를 도포하여, 박막 형성 공정(단계 101)에서 형성된 박막 상에 포토레지스트막을 형성한다. 노광공정(단계 103)에서는, 프록시미티 노광 장치나 투영 노광 장치 등을 이용하여, 마스크 패턴을 포토레지스트막으로 전사한다. 현상 공정(단계 104)에서는, 샤워 현상법 등으로 현상액을 포토레지스트막 상에 공급하여, 포토레지스트막의 불필요한 부분을 제거한다. 에칭공정(단계 105)에서는, 습식 에칭에 의해, 박막 형성 공정(단계 101)에서 형성된 박막 중, 포토레지스트막에서 마스크되지 않은 부분을 제거한다. 박리공정(단계 106)에서는, 에칭 공정(단계 105)에서의 마스크 역할을 끝낸 포토레지스트막을, 박리액으로 박리한다. 이들 각 공정의 전 또는 후에는, 필요에 따라, 기판의 세정/건조 공정이 실시된다. 이들 공정을 수차례 반복하여, 기판 상에 TFT어레이가 형성된다.For example, FIG. 11 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device. In the thin film forming step (step 101), a thin film such as a conductor film or insulator film, which becomes a transparent electrode for liquid crystal driving, is formed on a substrate by a sputtering method, a plasma chemical vapor deposition (CVD) method, or the like. In the resist coating step (step 102), a photosensitive resin material (photoresist) is applied by a roll coating method or the like to form a photoresist film on the thin film formed in the thin film forming step (step 101). In an exposure process (step 103), a mask pattern is transferred to a photoresist film using a proximity exposure apparatus, a projection exposure apparatus, or the like. In the developing step (step 104), the developer is supplied onto the photoresist film by a shower developing method or the like to remove unnecessary portions of the photoresist film. In the etching step (step 105), the unmasked portion of the photoresist film is removed from the thin film formed in the thin film forming step (step 101) by wet etching. In the peeling process (step 106), the photoresist film which finished the role of the mask in the etching process (step 105) is peeled with a peeling liquid. Before or after each of these processes, the board | substrate washing | cleaning / drying process is performed as needed. These processes are repeated several times to form a TFT array on a substrate.
그리고 도 12는, 액정 디스플레이 장치의 컬러 필터 기판의 제조 공정의 일례를 나타내는 순서도이다. 블랙 매트릭스 형성 공정(단계 201)에서는, 레지스트 도포, 노광, 현상, 에칭, 박리 등의 처리에 의해, 기판 상의 블랙 매트릭스를 형성한다. 착색 패턴 형성 공정(단계 202)에서는, 염색법, 안료 분산법, 인쇄법, 전착법 등으로, 기판 상에 착색 패턴을 형성한다. 이 공정을, R, G, B의 착색패턴에 대해 반복한다. 보호막 형성 공정(단계 203)에서는, 착색 패턴 상에 보호박을 형성하고, 투명 전극막 형성 공정(단계 204)에서는 보호막 상에 투명 전극막을 형성한다. 이들 각 공정 전, 도중 또는 후에는, 필요에 따라, 기판의 세정/건조 공정이 실시된다.And FIG. 12 is a flowchart which shows an example of the manufacturing process of the color filter substrate of a liquid crystal display device. In the black matrix forming step (step 201), a black matrix on the substrate is formed by a process such as resist coating, exposure, development, etching, and peeling. In a coloring pattern formation process (step 202), a coloring pattern is formed on a board | substrate by a dyeing method, a pigment dispersion method, the printing method, an electrodeposition method, etc. This step is repeated for the coloring patterns of R, G, and B. In a protective film formation process (step 203), a protective foil is formed on a coloring pattern, and in a transparent electrode film formation process (step 204), a transparent electrode film is formed on a protective film. Before, during or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary.
도 11에서 나타내는 TFT기판의 제조 공정에서는 노광공정(단계 103)에 있어서, 도 12에서 나타내는 컬러 필터 기판의 제조 공정에서는 블랙 매트릭스 형성 공정(단계 201) 및 착색 패턴 형성 공정(단계202)의 노광처리에 있어서, 본 발명의 프록시미티 노광 장치 또는 본 발명의 프록시미티 노광 장치의 기판 위치 결정 방법을 적용할 수 있다.In the manufacturing process of the TFT substrate shown in FIG. 11, in the exposure step (step 103), in the manufacturing process of the color filter substrate shown in FIG. 12, the exposure process in the black matrix forming step (step 201) and the coloring pattern forming step (step 202). WHEREIN: The substrate exposure method of the proximity exposure apparatus of this invention or the proximity exposure apparatus of this invention is applicable.
1 기판 2 마스크
10a, 10b 척 11 베이스
12 받침대 13 X가이드
14 X스테이지 15 Y가이드
16 Y스테이지 17 θ스테이지
19 척 지지대 20 마스크 홀더
30 레이저 측장계 제어장치 31 레이저 광원
32a, 32b, 33 레이저 간섭계 34a, 34b, 35 바 미러
36 암 40 레이저 변위계 제어장치
42, 43, 44 레이저 변위계 45, 46, 47 바 미러
48 암 50 미러 유닛
51 모터 52 승강 가이드
53, 54 미러 70 주 제어장치
71, 72 입출력 인터페이스 회로 80a, 80b 스테이지 구동회로1
10a,
12 Base 13 X Guide
14 X stage 15 Y guide
16
19
30 Laser measuring
32a, 32b, 33
36
42, 43, 44
48
51
53, 54
71, 72 I /
Claims (8)
X방향(또는 Y방향)으로 이동하는 제 1 스테이지, 제 1 스테이지에 탑재되어 Y방향(또는 X방향)으로 이동하는 제 2 스테이지, 및 제 2 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3 스테이지를 가지며, 상기 척을 탑재하여, 상기 척에 지지된 기판의 위치 결정을 수행하는 이동 스테이지;
상기 제 2 스테이지에 마련되어 상기 척과 함께 XY방향으로 이동하고, 상기 척의 변위를 복수 개소에서 측정하는 복수의 레이저 변위계;
상기 복수의 레이져 변위계의 측정결과로부터 척의 θ방향 기울기를 검출하는 제 1 검출수단;
상기 이동 스테이지를 구동하는 스테이지 구동 회로; 및
상기 제 1 검출수단의 검출결과에 근거하여 스테이지 구동회로를 제어하고 상기 제 3 스테이지에 의해 상기 척을 θ방향으로 회전시켜서, 기판의 θ방향의 위치 결정을 수행하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치.A proximity exposure apparatus comprising a chuck for supporting a substrate and a mask holder for supporting a mask, providing a fine gap between the mask and the substrate, and transferring the pattern of the mask to the substrate,
A first stage moving in the X direction (or Y direction), a second stage mounted on the first stage and moving in the Y direction (or X direction), and a third stage mounted on the second stage and rotating in the θ direction. A moving stage having the chuck mounted thereon to perform positioning of the substrate supported by the chuck;
A plurality of laser displacement meters provided in the second stage and moving together with the chuck in the XY direction to measure the displacement of the chuck at a plurality of locations;
First detecting means for detecting an inclination of the chuck in the θ direction from the measurement results of the plurality of laser displacement meters;
A stage driving circuit for driving the moving stage; And
And a control device for controlling the stage driving circuit based on the detection result of the first detecting means, and rotating the chuck in the θ direction by the third stage to perform positioning in the θ direction of the substrate. Proximity exposure apparatus.
상기 레이저 측장계의 제 1 레이저 간섭계 및 복수의 제 2 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 상기 이동 스테이지의 XY방향의 위치를 검출하는 제 2 검출수단을 구비하며,
상기 제어장치가, 상기 제 2 검출수단의 검출결과에 근거하여, 상기 스테이지 구동 회로를 제어하고, 상기 제 1 스테이지 및 상기 제 2 스테이지로 상기 척을 XY방향으로 이동시켜, 기판의 XY방향의 위치 결정을 수행하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치.2. The laser beam according to claim 1, wherein a light source for generating laser light, a first reflecting means provided in said first stage, a second reflecting means provided in said second stage, a laser beam from a light source, and a laser reflected by said first reflecting means A laser measuring instrument having a first laser interferometer for measuring interference with light and a plurality of second laser interferometers for measuring interference at a plurality of locations with laser light reflected from the light source and the second reflecting means; And
Second detection means for detecting a position in the XY direction of the moving stage from measurement results of the first laser interferometer and the plurality of second laser interferometers of the laser measuring system,
The control device controls the stage drive circuit based on the detection result of the second detection means, moves the chuck in the XY direction to the first stage and the second stage, thereby positioning the substrate in the XY direction. A proximity exposure apparatus, characterized in that for performing a determination.
상기 레이저 측장계는, 복수의 제 2 레이저 간섭계에 의해, 광원으로부터의 레이저광과 제 3 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고,
상기 제 2 검출수단이, 상기 레이저 측장계의 복수의 제 2 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 상기 척의 변위를 검출하고,
상기 제 1 검출수단은, 상기 제 2 검출수단이 검출한 상기 척의 변위와 상기 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 상기 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성하고, 작성한 보정식에 의해 상기 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하고, 보정된 상기 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향 기울기를 검출하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치.3. The apparatus of claim 2, further comprising: third reflecting means provided in said chuck,
The said laser measuring system measures the interference of the laser beam from a light source with the laser beam reflected by the 3rd reflecting means by a some 2nd laser interferometer in several places,
The second detecting means detects displacement of the chuck from measurement results of a plurality of second laser interferometers of the laser measuring system,
The first detection means generates a correction equation for correcting the measurement results of the plurality of laser displacement meters from the displacement of the chuck detected by the second detection means and the measurement results of the plurality of laser displacement meters. And correcting the measurement results of the plurality of laser displacement meters, and detecting the inclination of the chuck in the θ direction from the corrected measurement results of the plurality of laser displacement meters.
X방향(또는 Y방향)으로 이동하는 제 1 스테이지, 제 1 스테이지에 탑재되어 Y방향(또는 X방향)으로 이동하는 제 2 스테이지, 및 제 2 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3 스테이지를 갖는 이동 스테이지에 척을 탑재하고,
제 2 스테이지에 복수의 레이저 변위계를 마련하여, 복수의 레이저 변위계를 척과 함께 XY방향으로 이동하고,
복수의 레이저 변위계로 척의 변위를 복수 개소에서 측정하고,
측정결과로부터 척의 θ방향 기울기를 검출하고,
검출결과에 근거하여 제 3 스테이지로 척을 θ방향으로 회전시켜서, 기판의 θ방향의 위치 결정을 수행하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치의 기판 위치 결정 방법.In the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus which has a chuck which supports a board | substrate, and the mask holder which supports a mask, provides a fine gap between a mask and a board | substrate, and transfers the pattern of a mask to a board | substrate,
A first stage moving in the X direction (or Y direction), a second stage mounted on the first stage and moving in the Y direction (or X direction), and a third stage mounted on the second stage and rotating in the θ direction. Mount the chuck on the moving stage to have,
A plurality of laser displacement meters are provided in the second stage, and the plurality of laser displacement meters are moved together with the chuck in the XY direction,
Measure the displacement of the chuck in multiple places with a plurality of laser displacement meters,
From the measurement result, the tilt of the chuck in the θ direction is detected,
And positioning the chuck in the θ direction in the third stage based on the detection result to perform positioning in the θ direction of the substrate.
제 1 스테이지에 제 1 반사수단을 설치하고,
제 2 스테이지에 제 2 반사수단을 설치하고,
제 1 레이저 간섭계로, 광원으로부터의 레이저광과 제 1 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고,
복수의 제 2 레이저 간섭계에 의해, 광원으로부터의 레이저광과 제 2 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고,
측정결과로부터, 이동스테이지의 XY방향의 위치를 검출하고,
검출결과에 근거하여, 제 1 스테이지 및 제 2 스테이지에 의해 척을 XY방향으로 이동시켜서, 기판의 XY방향의 위치 결정을 수행하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치의 기판 위치 결정 방법.The method of claim 4, wherein
The first reflecting means is installed in the first stage,
The second reflecting means is installed in the second stage,
With a first laser interferometer, measure the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the first reflecting means,
The plurality of second laser interferometers measure the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means at a plurality of places,
From the measurement result, the position in the XY direction of the moving stage is detected,
The substrate positioning method of the proximity exposure apparatus according to the detection result, wherein the chuck is moved in the XY direction by the first stage and the second stage to perform positioning in the XY direction of the substrate.
척에 제 3 반사수단을 설치하고,
복수의 제 2 레이저 간섭계로, 광원으로부터의 레이저광과 제 3 반사수단에 의해 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고,
측정결과로부터 척의 변위를 검출하고,
검출결과와 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하는 보정식을 작성하며,
작성한 보정식으로 복수의 레이저 변위계의 측정결과를 보정하고,
보정한 복수의 레이저 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향 기울기를 검출하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치의 기판 위치 결정 방법.The method of claim 5, wherein
Install a third reflector in the chuck,
With a plurality of second laser interferometers, the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the third reflecting means is measured at a plurality of places,
Detect the displacement of the chuck from the measurement result,
From the detection results and the measurement results of the plurality of laser displacement meters, a correction equation for correcting the measurement results of the plurality of laser displacement meters is prepared.
The measurement results of the plurality of laser displacement meters are corrected by the created correction formula,
The substrate positioning method of a proximity exposure apparatus characterized by detecting the inclination of the chuck in the θ direction from the measured results of the corrected laser displacement meters.
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