KR101387312B1 - Proximity exposure apparatus, method for determining a substrate position in the proximity exposure apparatus and method of manufacturing a display panel substrate - Google Patents

Proximity exposure apparatus, method for determining a substrate position in the proximity exposure apparatus and method of manufacturing a display panel substrate Download PDF

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Abstract

염가인 구성으로, 척의 θ방향의 기울임을 정밀도 좋게 검출하여, 기판의 θ방향의 위치결정을 정밀도 좋게 행한다.
제1의 스테이지(14)에 탑재된 Y 방향(또는 X 방향)으로 이동하는 제2의 스테이지(16)에 제2의 반사수단(35)을 부착하고, 제2의 반사수단(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출한다. 척(10a, 10b)에 복수의 광학식 변위계(41)를 마련하여, 복수의 광학식 변위계(41)에 의하여, 제2의 스테이지(16)에 부착한 제2의 반사수단(35)까지의 거리를 복수 개소에서 측정한다. 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남의 검출결과에 근거하여, 복수의 광학식 변위계(41)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출하고, 검출결과에 근거하여, 제 3의 스테이지(17)에 의하여 척(10a, 10b)을 θ방향으로 회전하여, 기판(1)의 θ방향의 위치결정을 행한다.
With a cheap structure, the inclination of the chuck in the θ direction can be detected with high accuracy, and the substrate can be positioned in the θ direction with high accuracy.
The second reflecting means 35 is attached to the second stage 16 moving in the Y direction (or X direction) mounted on the first stage 14, and θ of the second reflecting means 35 is attached. Position shift in the direction is detected. A plurality of optical displacement meters 41 are provided on the chucks 10a and 10b, and the distance to the second reflecting means 35 attached to the second stage 16 is provided by the plurality of optical displacement meters 41. Measure in multiple places. Based on the detection result of the position shift of the second reflecting means in the θ direction, the tilt of the chucks 10a and 10b in the θ direction is detected from the measurement results of the plurality of optical displacement meters 41, and based on the detection result. The chucks 10a and 10b are rotated in the θ direction by the third stage 17 so as to position the substrate 1 in the θ direction.

Figure R1020120095971
Figure R1020120095971

Description

프록시미티 노광장치, 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법, 및 표시용 패널기판의 제조방법{PROXIMITY EXPOSURE APPARATUS, METHOD FOR DETERMINING A SUBSTRATE POSITION IN THE PROXIMITY EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY PANEL SUBSTRATE}PROXIMITY EXPOSURE APPARATUS, METHOD FOR DETERMINING A SUBSTRATE POSITION IN THE PROXIMITY EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY PANEL SUBSTRATE}

본 발명은, 액정디스플레이장치 등의 표시용 패널기판의 제조에 있어서, 프록시미티방식을 사용하여 기판의 노광을 행하는 프록시미티 노광장치, 프록시미티 노광장치 기판위치 결정방법, 및 이것들을 사용한 표시용 패널기판의 제조방법에 관한 것이며, 특히 기판을 지지하는 척을 이동스테이지에 의하여 XY 방향으로 이동 및 θ방향으로 회전하고 노광시의 기판의 위치 결정을 행하는 프록시미티 노광장치, 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법, 및 그것들을 사용한 표시용 패널기판의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a proximity exposure apparatus for exposing a substrate using a proximity method, a proximity positioning apparatus substrate positioning method, and a display panel using the same in the manufacture of display panel substrates such as liquid crystal display devices. A method of manufacturing a substrate, and in particular, a substrate position of a proximity exposure apparatus and a proximity exposure apparatus which move a chuck supporting a substrate in a XY direction by a moving stage and rotate in a θ direction to position the substrate during exposure. A crystal method and a method for manufacturing a display panel substrate using the same.

표시용 패널로 사용되는 액정디스플레이장치의 TFT(Thin Film Transistor)기판이나 컬러필터기판, 플라스마디스플레이 패널용 기판, 유기EL(Electroluminescence)표시패널용 기판 등의 제조는, 노광장치를 사용하여, 포토리소그래피기술에 의하여 기판 상에 패턴을 형성하여 행하여진다. 노광장치로서는, 렌즈 또는 거울을 사용하여 마스크의 패턴을 기판 상에 투영하는 프로젝션방식과, 마스크와 기판과의 사이에 미소한 간극(프록시미티갭)을 마련하여 마스크의 패턴을 기판으로 전사하는 프록시미티방식이 있다. 프록시미티방식은, 프로젝션방식에 비하여 패턴해상성능은 떨어지지만, 조사광학계의 구성이 간단하며, 또한 처리능력이 높아서 양산용으로 적합하다.Photolithography is used to manufacture thin film transistor (TFT) substrates, color filter substrates, substrates for plasma display panels, substrates for organic EL (Electroluminescence) displays, and the like for liquid crystal display devices used as display panels. It is performed by forming a pattern on a board | substrate by a technique. As an exposure apparatus, a projection method for projecting a pattern of a mask onto a substrate using a lens or a mirror, and a proxy for transferring a pattern of the mask to the substrate by providing a small gap (proxy gap) between the mask and the substrate There is a Meteor method. Although the proxy resolution method has a lower pattern resolution performance than the projection method, the configuration of the irradiating optical system is simple and the processing capacity is high, and thus it is suitable for mass production.

최근, 표시용 패널의 각종 기판의 제조에서는, 대형화 및 사이즈의 다양화에 대응하기 위하여, 비교적 큰 기판을 준비하고, 표시용 패널의 사이즈에 따라, 1장의 기판부터 1장 또는 여러 장의 표시용 패널기판을 제조하고 있다. 그 경우, 프록시미티방식에서는, 기판의 한 면을 일괄하여 노광하려면, 기판과 동일한 크기의 마스크가 필요하게 되고, 고가인 마스크의 비용이 더욱 증대된다. 그래서, 기판보다 비교적 작은 마스크를 사용하고, 이동스테이지에 의하여 기판을 XY 방향으로 스텝이동하고, 기판의 한 면을 복수의 쇼트로 나누어 노광하는 방식이 주류가 되어 있다. In recent years, in the manufacture of various substrates for display panels, a relatively large substrate is prepared in order to cope with an increase in size and a variety of sizes, and from one substrate to one or several display panels depending on the size of the display panel. A substrate is manufactured. In this case, in the proximity method, in order to collectively expose one surface of the substrate, a mask having the same size as the substrate is required, and the cost of the expensive mask is further increased. Therefore, the mainstream method is to use a mask that is relatively smaller than the substrate, to step the substrate in the XY direction by the moving stage, and to expose one side of the substrate into a plurality of shots.

프록시미티 노광장치에 있어서, 패턴의 프린트를 정밀도 좋게 행하기 위해서는, 노광시의 기판의 위치결정을 정밀도 좋게 행하여야 한다. 기판의 위치결정을 행하는 이동스테이지는, X 방향으로 이동하는 X 스테이지와, Y 방향으로 이동하는 Y 스테이지와, θ방향으로 회전하는 θ스테이지를 구비하고, 기판을 지지하는 척을 탑재하여, XY 방향으로 이동 및 θ방향으로 회전한다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2에는, 기판을 위치결정 할 때에, 레이저 측장유닛을 사용하여 이동스테이지의 XY 방향의 위치를 검출하고, 또한 복수의 레이저 변위계를 사용하여 척의 θ방향의 기울임을 검출하는 기술이 개시되어 있다. In the proximity exposure apparatus, in order to print the pattern with high accuracy, positioning of the substrate during exposure must be performed with high accuracy. The moving stage for positioning the substrate includes an X stage moving in the X direction, a Y stage moving in the Y direction, a θ stage rotating in the θ direction, and a chuck supporting the substrate is mounted thereon, and the XY direction is mounted. Move and rotate in the θ direction. Patent Literature 1 and Patent Literature 2 describe a technique for detecting a position in the XY direction of a moving stage by using a laser measuring unit when positioning a substrate, and also detecting a tilt in the θ direction of the chuck using a plurality of laser displacement meters. Is disclosed.

일본국 특개 2008-298906호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-298906 일본국 특개 2009-31639호 공보JP 2009-31639 A

특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술에서는, 척에 바 미러를 부착하고, X 스테이지에 마련한 복수의 레이저 변위계에 의하여, 바 미러의 변위를 복수 개소에서 측정하여, 척의 θ방향의 기울임 검출하고 있다. 그 때문에, 전용 바 미러가 필요하게 되는데, 이 바 미러는, 표면을 고정밀도로 평탄하게 가공할 필요가 있기 때문에, 매우 고가이고, 많은 비용이 든다. In the techniques described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, a bar mirror is attached to the chuck, and the displacement of the bar mirror is measured at a plurality of places by a plurality of laser displacement meters provided on the X stage, and the tilt of the chuck direction is detected. . Therefore, a dedicated bar mirror is required, which is very expensive and expensive because it is necessary to process the surface with high precision.

또한, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술에서는, X 스테이지에 레이저 변위계를 마련하고 있으므로, 척을 Y 스테이지에 의하여 Y 방향으로 이동하면, 바 미러의 위치가 레이저 변위계에 대하여 변화한다. 그 때문에, 측정결과에는, 바 미러의 평탄도에 따른 오차가 포함될 우려가 있었다. Moreover, in the technique of patent document 1 and patent document 2, since the laser displacement meter is provided in the X stage, when the chuck is moved to the Y direction by a Y stage, the position of a bar mirror will change with respect to a laser displacement meter. Therefore, there existed a possibility that the measurement result may include the error according to the flatness of the bar mirror.

이에 대하여, Y 스테이지에 복수의 레이저 변위계를 마련하고, 복수의 레이저 변위계를 척과 함께 XY 방향으로 이동하면, 각 레이저 변위계로 측정하는 척의 변위는, 척의 이동에 의하여 변동하지 않는다. 그러나 그 경우도, Y 스테이지를 이동할 때, Y 스테이지를 탑재한 가이드에서 접동저항에 의하여 다량의 열이 발생하고, 그 열이 Y 스테이지에 전달되어 Y 스테이지의 열변형에 의하여 왜곡이 생겨, Y 스테이지에 마련된 각 레이저 변위계의 설치상태가 변화하여, 척의 변위의 측정결과에 오차가 생길 우려가 있었다. 한편, Y 스테이지에 복수의 레이저 변위계를 마련하는 대신에, 척에 복수의 레이저 변위계를 마련하여 Y 스테이지에 바 미러를 부착하면, Y 스테이지에 열변형에 의한 왜곡이 생겼을 때 바 미러의 설치상태가 변화하고, 바 미러에 θ방향의 위치 어긋남이 생겨서 그대로 두게 되면 척의 θ방향의 기울임을 정확하게 검출할 수 없는 우려가 있었다.In contrast, when a plurality of laser displacement meters are provided on the Y stage and the plurality of laser displacement meters are moved in the XY direction together with the chucks, the displacement of the chucks measured by the respective laser displacement meters does not change due to the movement of the chucks. However, even in this case, when the Y stage is moved, a large amount of heat is generated by the sliding resistance in the guide mounted with the Y stage, the heat is transferred to the Y stage, and distortion occurs due to the thermal deformation of the Y stage. There was a possibility that the installation state of each laser displacement meter provided on the side would change, causing an error in the measurement result of the displacement of the chuck. On the other hand, instead of providing a plurality of laser displacement meters on the Y stage, if a plurality of laser displacement meters are provided on the chuck and the bar mirrors are attached to the Y stages, the installation state of the bar mirrors is changed when the distortion due to thermal deformation occurs on the Y stages. If it changes and the position shift of the (theta) direction is made to the bar mirror, and it is left as it is, there exists a possibility that the inclination of the chuck of the chuck cannot be detected correctly.

특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 복수의 레이저 변위계를 사용하여 척의 θ방향의 기울임을 검출하는 경우, 복수의 레이저 변위계를 보다 간격을 두고 설치할수록, 척의 θ방향의 기울임을 정밀도 좋게 검출할 수 있다. 그러나 레이저 변위계의 출력특성은 직선성이 빈약하여, 측정범위를 넓히면, 측정오차가 커지게 된다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술에서는, 척이 θ방향으로 기울어진 상태에서, 척을 Y 스테이지에 의하여 Y 방향으로 이동하면, 각 레이저 변위계로부터 바 미러까지의 거리가 변동하기 때문에, 복수의 레이저 변위계를 보다 간격을 두고 마련하면, 레이저 변위계의 측정범위가 넓어지고, 측정오차가 커질 우려가 있었다.As described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, when a plurality of laser displacement meters are used to detect tilt in the θ direction of the chuck, the tilt accuracy in the θ direction of the chuck is increased the more the plurality of laser displacement meters are provided at intervals. It can be detected well. However, the output characteristics of the laser displacement meter are poor in linearity, so that the measurement error increases when the measurement range is widened. In the techniques described in Patent Documents 1 and 2, when the chuck is moved in the Y direction by the Y stage while the chuck is inclined in the θ direction, the distance from each laser displacement meter to the bar mirror is changed. If the laser displacement meter is provided at a further interval, there is a concern that the measurement range of the laser displacement meter is widened and the measurement error is increased.

게다가, 레이저 변위계의 출력특성은, 설치상태에 의하여 변동하고, 피측정물의 미소한 각도변화에 대하여 선 형성이 달라진다. 그 때문에, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 복수의 레이저 변위계를 사용하여 척의 θ방향의 기울임을 검출하는 경우, 각 레이저 변위계의 측정치에 척의 각도에 의존한 변동치가 포함되어, 척의 θ방향의 기울임을 고정밀도로 검출할 수 없는 우려가 있었다. In addition, the output characteristics of the laser displacement meter vary depending on the installation state, and the line formation changes with respect to the minute angle change of the object under test. Therefore, as described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, when the tilt of the chuck direction of the chuck is detected using a plurality of laser displacement meters, the measured value of each laser displacement meter includes the variation value depending on the angle of the chuck, There was a possibility that the tilt of the chuck in the θ direction could not be detected with high accuracy.

본 발명의 과제는, 저렴한 구성으로, 척의 θ방향의 기울임을 정밀도 좋게 검출하여, 기판의 θ방향의 위치결정을 정밀도 좋게 행하는 것이다. 또한, 본 발명의 과제는, 패턴의 프린트를 정밀도 좋게 행하고, 고품질인 표시용 패널기판을 제조하는 것이다. The subject of this invention is an inexpensive structure, and detects the inclination of the chuck direction in an accurate direction, and performs positioning of the board | substrate in the θ direction with high precision. Moreover, the subject of this invention is to print a pattern with high precision, and to manufacture a high quality display panel board | substrate.

본 발명의 프록시미티 노광장치는, 기판을 지지하는 척과, 마스크를 유지하는 마스크 홀더를 구비하고, 마스크와 기판 사이에 미소한 갭을 마련하여, 마스크의 패턴을 기판으로 전사하는 프록시미티 노광장치에 있어서, X 방향(또는 Y 방향)으로 이동하는 제1의 스테이지, 제1의 스테이지에 탑재되어 Y 방향(또는 X 방향)으로 이동하는 제2의 스테이지, 및 제2의 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3의 스테이지를 가지고, 척을 탑재하여 척에 지지된 기판의 위치결정을 행하는 이동스테이지와, 레이저광을 발생하는 광원, 제1의 스테이지에 부착된 제1의 반사수단, 제2의 스테이지에 부착된 제2의 반사수단, 광원으로부터의 레이저광과 제1의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하는 제1의 레이저 간섭계, 및 광원으로부터의 레이저광과 제2의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하는 제2의 레이저 간섭계를 가지는 레이저측장유닛과, 제1의 레이저 간섭계 및 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 이동스테이지의 XY 방향의 위치를 검출하는 제1의 검출수단과, 제2의 스테이지에 부착된 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 위치 어긋남 검출수단과, 척에 마련되어, 제2의 스테이지에 부착된 제2의 반사수단까지의 거리를 복수 개소에서 측정하는 복수의 광학식 변위계와, 위치 어긋남 검출수단에 의하여 검출한 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남에 근거하여, 복수의 광학식 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향의 기울임을 검출하는 제2의 검출수단과, 이동스테이지를 구동하는 스테이지 구동회로와, 제2의 검출수단의 검출결과에 근거하여, 스테이지 구동회로를 제어하고, 제 3의 스테이지에 의하여 척을 θ방향으로 회전시켜, 기판의 θ방향의 위치결정을 행하고, 제1의 검출수단의 검출결과에 근거하여, 스테이지 구동회로를 제어하고, 제1의 스테이지 및 제2의 스테이지에 의하여 척을 XY 방향으로 이동시켜서, 기판의 XY 방향의 위치결정을 행하는 제어수단을 구비한 것이다. The proximity exposure apparatus of the present invention includes a chuck supporting a substrate and a mask holder holding a mask, and provides a small gap between the mask and the substrate to transfer the pattern of the mask to the substrate. The first stage moves in the X direction (or Y direction), the second stage mounted on the first stage and moved in the Y direction (or X direction), and the second stage mounted in the θ direction. A moving stage having a third stage rotating, for positioning the substrate supported by the chuck, a light source for generating laser light, first reflecting means attached to the first stage, and a second stage Second reflecting means attached to the stage, a first laser interferometer for measuring interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the first reflecting means, and a laser from the light source From the measurement results of the laser measuring unit having a second laser interferometer for measuring the interference between the light and the laser light reflected by the second reflecting means, the first laser interferometer and the second laser interferometer, First detection means for detecting a position in the XY direction, position misalignment detection means for detecting a position shift in the θ direction of the second reflecting means attached to the second stage, and provided in the chuck to the second stage. The plurality of optical displacement meters are based on the position shift in the θ direction of the plurality of optical displacement meters measuring the distance to the attached second reflecting means at a plurality of positions and the second reflecting means detected by the position shift detection means. Based on the detection results of the second detection means for detecting the tilt of the chuck in the θ direction, the stage driving circuit for driving the moving stage, and the second detection means, The easy driving circuit is controlled, the chuck is rotated in the θ direction by a third stage, positioning of the substrate in the θ direction is performed, and the stage driving circuit is controlled based on the detection result of the first detecting means, The first stage and the second stage are provided with control means for moving the chuck in the XY direction to position the substrate in the XY direction.

또한, 본 발명의 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법은, 기판을 지지하는 척과, 마스크를 유지하는 마스크 홀더를 구비하고, 마스크와 기판과의 사이에 미소한 갭을 마련하고, 마스크의 패턴을 기판으로 전사하는 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법으로서, X 방향(또는 Y 방향)으로 이동하는 제1의 스테이지, 제1의 스테이지에 탑재되어 Y 방향(또는 X 방향)으로 이동하는 제2의 스테이지, 및 제2의 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3의 스테이지를 가지는 이동스테이지에 척을 탑재하고, 제1의 스테이지에 제1의 반사수단을 부착하고, 제1의 레이저 간섭계에 의하여, 광원으로부터의 레이저광과 제1의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고, 제2의 스테이지에 제2의 반사수단을 부착하고, 제2의 레이저 간섭계에 의하여, 광원으로부터의 레이저광과 제2의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하고, 척에 복수의 광학식 변위계를 마련하고, 복수의 광학식 변위계에 의하여, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단까지의 거리를 복수 개소에서 측정하고, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남의 검출결과에 근거하여, 복수의 광학식 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향의 기울임을 검출하고, 검출결과에 근거하여, 제 3의 스테이지에 의하여 척을 θ방향으로 회전하여, 기판의 θ방향의 위치결정을 행하고, 제1의 레이저 간섭계 및 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 이동스테이지의 XY 방향의 위치를 검출하고, 검출결과에 근거하여, 제1의 스테이지 및 제2의 스테이지에 의하여 척을 XY 방향으로 이동하여, 기판의 XY 방향의 위치결정을 행하는 것이다. In addition, the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of the present invention includes a chuck supporting a substrate and a mask holder holding a mask, providing a small gap between the mask and the substrate, and forming a pattern of the mask. A substrate positioning method of a proximity exposure apparatus that is transferred to a substrate, the method comprising: a first stage moving in the X direction (or Y direction) and a second stage mounted on the first stage and moving in the Y direction (or X direction) The chuck is mounted on a moving stage having a stage and a third stage mounted on the second stage and rotating in the θ direction, the first reflecting means is attached to the first stage, and the first laser interferometer Measuring interference of the laser light from the light source and the laser light reflected by the first reflecting means, attaching the second reflecting means to the second stage, and attaching the second laser interferometer to the second laser interferometer. By measuring the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means, the positional shift in the θ direction of the second reflecting means attached to the second stage is detected, and the chuck is A plurality of optical displacement meters are provided, the distance to the second reflecting means attached to the second stage is measured by a plurality of optical displacement meters at a plurality of places, and the positional shift in the θ direction of the second reflecting means is detected. Based on the result, the tilt of the chuck direction is detected from the measurement results of the plurality of optical displacement meters, and based on the detection result, the chuck is rotated in the θ direction by a third stage to position the substrate in the θ direction. From the measurement results of the first laser interferometer and the second laser interferometer, detect the position in the XY direction of the moving stage, and based on the detection result, the first stage and the second stage By moving the chuck in the XY direction, the substrate is positioned in the XY direction.

척에 복수의 광학식 변위계를 마련하고, 복수의 광학식 변위계에 의하여, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단까지의 거리를 복수 개소에서 측정하고, 복수의 광학식 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향의 기울임을 검출하므로, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단이, 제2의 레이저 간섭계를 사용한 이동스테이지의 위치의 검출과, 복수의 광학식 변위계를 사용한 척의 θ방향의 기울임의 검출에 겸용되어, 척의 θ방향의 기울임을 검출하기 위한 전용의 반사 수단(바 미러)이 필요 없게 된다. 그리고 척을 이동스테이지에 의하여 XY 방향으로 이동하여도, 광학식 변위계가 항상 제2의 반사수단의 동일한 개소에 대하여 측정을 행하기 때문에, 제2의 반사수단의 평탄도에 따른 측정오차가 없어진다. 게다가, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하고, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남의 검출결과에 근거하여, 복수의 광학식 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향의 기울임을 검출하므로, 제2의 스테이지에 열변형에 의한 왜곡이 생겼을 경우, 제2의 반사수단의 설치상태가 변화하여, 제2의 반사수단에 θ방향의 위치 어긋남이 생겨도, 척의 θ방향의 기울임이 정확하게 검출된다. 또한, 척이 θ방향으로 기울어진 상태에서, 척을 이동스테이지에 의하여 XY 방향으로 이동하여도, 광학식 변위계로부터 제2의 반사수단까지의 거리가 변동하지 않고, 측정범위가 넓어지지 않으므로, 복수의 광학식 변위계를 간격을 보다 크게 두고 설치할 수 있다. 따라서, 저렴한 구성으로, 척의 θ방향의 기울임이 정밀도 좋게 검출되고, 기판의 θ방향의 위치결정이 정밀도 좋게 행하여진다. A plurality of optical displacement meters are provided on the chuck, the distances to the second reflecting means attached to the second stage are measured at a plurality of places by the plurality of optical displacement meters, and the θ of the chuck is measured from the measurement results of the plurality of optical displacement meters. Since the tilt of the direction is detected, the second reflecting means attached to the second stage is used for detecting the position of the moving stage using the second laser interferometer and detecting the tilt of the chuck direction using the plurality of optical displacement meters. The combined use eliminates the need for dedicated reflecting means (bar mirrors) for detecting the tilt of the chuck in the θ direction. And even if the chuck is moved in the XY direction by the moving stage, the optical displacement meter always measures the same location of the second reflecting means, so that the measurement error due to the flatness of the second reflecting means is eliminated. In addition, the position shift in the θ direction of the second reflecting means attached to the second stage is detected, and from the measurement results of the plurality of optical displacement meters based on the detection result of the position shift in the θ direction of the second reflecting means. Since the inclination of the chuck in the θ direction is detected, even when the second stage has a distortion due to thermal deformation, the installation state of the second reflecting means changes, and even if a position shift in the θ direction occurs in the second reflecting means, The tilt in the θ direction of the chuck is detected correctly. Further, even when the chuck is moved in the XY direction by the moving stage while the chuck is inclined in the θ direction, the distance from the optical displacement meter to the second reflecting means does not change and the measurement range is not widened. Optical displacement meters can be installed at greater intervals. Therefore, with an inexpensive configuration, the inclination of the chuck direction in the θ direction is detected with high accuracy, and the positioning of the substrate in the θ direction is performed with high accuracy.

게다가, 본 발명의 프록시미티 노광장치는, 제2의 스테이지에 부착된 제2의 반사수단이, 표면에 복수의 위치 어긋남 검출용 마크를 가지고, 위치 어긋남의 검출수단이, 제2의 반사수단의 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 취득하는 복수의 화상취득장치와, 각 화상취득장치에 의하여 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 처리하여, 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치를 검출하는 화상처리장치를 가지고, 화상처리장치에 의하여 검출한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치로부터, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 것이다. Furthermore, in the proximity exposure apparatus of the present invention, the second reflecting means attached to the second stage has a plurality of position shift detecting marks on the surface, and the position shift detecting means includes the second reflecting means. A plurality of image acquisition apparatuses for acquiring an image of a plurality of position shift detection marks and an image of the detection mark for each position shift acquired by each image acquisition device are processed to determine the position of the mark for detection of each position shift. With the image processing apparatus to detect, the position shift of the 2nd reflecting means in the (theta) direction is detected from the position of the detection mark of each position shift detected by the image processing apparatus.

또한, 본 발명의 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법은, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 표면에, 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크를 마련하고, 제2의 반사수단의 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 취득하고, 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 처리하고, 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치를 검출하고, 검출한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치로부터, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 것이다.Further, in the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of the present invention, a plurality of marks for detecting the position shift are provided on the surface of the second reflecting means attached to the second stage, and the second reflecting means is provided. Acquire images of the plurality of position shift detection marks, process the images of the acquired detection mark of each position shift, detect the position of the detection mark of each position shift, and detect the detection mark of the detected position shift The position shift in the θ direction of the second reflecting means is detected from the position of.

제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 표면에, 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크를 마련하고, 제2의 반사수단의 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 취득하고, 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 처리하고, 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치를 검출하고, 검출한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치로부터, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하므로, 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상처리에 의하여, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남이 정밀도 좋게 검출된다.On the surface of the second reflecting means attached to the second stage, a plurality of marks for detecting the positional shift are provided, an image of the marks for the detection of the plurality of positional shift of the second reflecting means is obtained and obtained The image of the mark for detection of positional shift is processed, the position of the mark for detection of each positional shift is detected, and the positional shift in the θ direction of the second reflecting means is detected from the position of the detected mark for detection of the positional shift. Since it detects, the position shift of (theta) direction of a 2nd reflecting means is detected by the image process of the detection mark of each position shift with high precision.

또는, 본 발명의 프록시미티 노광장치는, 레이저측장유닛이, 제2의 복수의 레이저 간섭계를 가지고, 위치 어긋남의 검출수단이, 복수의 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 제2의 스테이지에 부착된 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 것이다. 또한, 본 발명의 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법은, 복수의 제2의 레이저 간섭계에 의하여, 광원으로부터의 레이저광과 제2의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 복수의 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 것이다. 이동스테이지의 Y 방향(또는 X 방향)의 위치를 검출하기 위한 제2의 레이저 간섭계를 이용하여, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출할 수 있다.Alternatively, in the proximity exposure apparatus of the present invention, the laser side length measurement unit includes a second plurality of laser interferometers, and the detection means for position shifting the second stage from the measurement results of the plurality of second laser interferometers. The position shift in the θ direction of the attached second reflecting means is detected. In addition, the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of the present invention is characterized in that the plurality of second laser interferometers interfere with the laser light reflected from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means at a plurality of locations. It measures and detects the position shift of (theta) direction of the 2nd reflecting means attached to the 2nd stage from the measurement result of a some 2nd laser interferometer. By using the second laser interferometer for detecting the position of the moving stage in the Y direction (or the X direction), the position shift in the θ direction of the second reflecting means can be detected.

게다가, 본 발명의 프록시미티 노광장치는, 복수의 광학식 변위계가, 넓은 파장 대역의 빛을 참조 반사면 및 피측정물에 조사하고, 참조반사면으로부터의 반사광과 피측정물로부터의 반사광과의 간섭광의 파장 및 강도로부터, 피측정물까지의 거리를 측정하는 분광간섭 레이저 변위계인 것이다. 또한, 본 발명의 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법은, 광학식 변위계로서, 넓은 파장 대역의 빛을 참조 반사면 및 피측정물로 조사하고, 참조반사면으로부터의 반사광과 피측정물로부터의 반사광과의 간섭광의 파장 및 강도로부터, 피측정물까지의 거리를 측정하는 분광간섭 레이저 변위계를 사용하는 것이다.In addition, in the proximity exposure apparatus of the present invention, a plurality of optical displacement meters irradiate light of a wide wavelength band to the reference reflecting surface and the object to be measured, and the interference between the reflected light from the reference reflecting surface and the reflected light from the object to be measured. It is a spectral interference laser displacement meter which measures the distance to the to-be-measured object from the wavelength and intensity of light. In addition, the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of the present invention is an optical displacement meter that irradiates light of a wide wavelength band with a reference reflecting surface and an object to be measured, and reflects light from the reference reflecting surface and the light to be measured. The spectroscopic interference laser displacement meter which measures the distance to the to-be-measured object from the wavelength and intensity | strength of the interference light with respect to it is used.

분광간섭 레이저 변위계는, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술에서 사용되고 있는 레이저 변위계에 비하여, 피측정물의 미소한 각도변화에 의한 출력특성의 변화가 작고 고정밀도이지만, 측정범위가 좁다. 본 발명에서는, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재한 기술과 달리, 척이 θ방향으로 기울어진 상태에서, 척을 이동스테이지에 의하여 XY 방향으로 이동하여도, 광학식 변위계로부터 제2의 반사수단까지의 거리가 변동하지 않으므로, 광학식 변위계로서, 측정범위가 좁고 고정밀도의 분광간섭 레이저 변위계를 사용하는 것이 가능하고, 척의 θ방향의 기울임을 보다 고정밀도로 검출할 수 있다.Compared to the laser displacement meters used in the techniques described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, the spectral interference laser displacement meter has a small and highly accurate change in output characteristics due to a small angle change of the object to be measured, but has a narrow measurement range. In the present invention, unlike the techniques described in Patent Documents 1 and 2, even if the chuck is moved in the XY direction by the moving stage while the chuck is inclined in the θ direction, from the optical displacement meter to the second reflecting means. Since the distance does not change, it is possible to use a high-precision spectroscopic laser displacement meter as the optical displacement meter, and detect the tilt of the chuck in the θ direction more accurately.

본 발명의 표시용 패널기판의 제조방법은, 상기 중 어느 하나의 프록시미티 노광장치를 사용하여 기판의 노광을 행하고, 혹은, 상기 중 어느 하나의 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법을 사용하여 기판을 위치 결정하여, 기판의 노광을 행하는 것이다. 노광시의 기판의 θ방향의 위치결정이 정밀도 좋게 행하여지므로, 패턴의 프린트가 정밀도 좋게 행하여져, 고품질인 표시용 패널기판이 제조된다. In the method for manufacturing a display panel substrate of the present invention, the substrate is exposed using any one of the above-described proximity exposure apparatuses, or the substrate positioning method of any of the above-described proximity exposure apparatuses is used. Is positioned and the substrate is exposed. Since the positioning in the θ direction of the substrate at the time of exposure is performed with high accuracy, the printing of the pattern is performed with high accuracy, and a high quality display panel substrate is produced.

본 발명의 프록시미티 노광장치 및 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법에 의하면, 제2의 스테이지에 제2의 반사수단을 부착하고, 제2의 레이저 간섭계에 의하여, 광원으로부터의 레이저광과 제2의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고, 측정결과로부터, 이동스테이지의 Y 방향(또는 X 방향)의 위치를 검출하고, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하고, 척에 복수의 광학식 변위계를 마련하고, 복수의 광학식 변위계에 의하여, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단까지의 거리를 복수 개소에서 측정하고, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남의 검출결과에 근거하여, 복수의 광학식 변위계의 측정결과로부터, 척의 θ방향의 기울임을 검출함으로써, 저렴한 구성으로, 척의 θ방향의 기울임을 정밀도 좋게 검출하여, 기판의 θ방향의 위치결정을 정밀도 좋게 할 수 있다.According to the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus and the proximity exposure apparatus of the present invention, the second reflecting means is attached to the second stage, and the laser light from the light source and the second laser interferometer are applied to the second stage. ? Of the second reflecting means attached to the second stage by detecting the interference with the laser beam reflected by the reflecting means of the laser beam, detecting the position in the Y direction (or X direction) of the moving stage from the measurement result The positional shift of the direction is detected, a plurality of optical displacement meters are provided in the chuck, and the distances to the second reflecting means attached to the second stage are measured at a plurality of places by the plurality of optical displacement meters. Inclination of the chuck in the θ direction at low cost by detecting the tilt of the chuck in the θ direction from the measurement results of the plurality of optical displacement meters based on the detection result of the position shift in the θ direction of the reflecting means. By the high accuracy detection, it is possible to accurately determine the position of the θ direction of the substrate.

게다가, 본 발명의 프록시미티 노광장치 및 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법에 의하면, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 표면에, 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크를 마련하고, 제2의 반사수단의 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 취득하고, 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 처리하여, 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치를 검출하고, 검출한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치로부터 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출함으로써, 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상처리에 의하여, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 정밀도 좋게 검출할 수 있다.Furthermore, according to the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus and the proximity exposure apparatus of the present invention, a plurality of marks for detecting the positional deviation are provided on the surface of the second reflecting means attached to the second stage, Acquire images of the plurality of marks for detecting the positional shift of the second reflecting means, process images of the acquired marks for the detection of the positional shift, and detect the positions of the marks for the detection of the positional shift. By detecting the position shift in the? Direction of the second reflecting means from the position of the mark for detecting the position shift, the position shift in the? Direction of the second reflecting means is corrected by image processing of the detection mark of each position shift. It can be detected well.

또는, 본 발명의 프록시미티 노광장치 및 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법에 의하면, 복수의 제2의 레이저 간섭계에 의하여, 광원으로부터의 레이저광과 제2의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 복수의 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출함으로써, 이동스테이지의 Y 방향(또는 X 방향)의 위치를 검출하기 위한 제2의 레이저 간섭계를 이용하여, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출할 수 있다.Alternatively, according to the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus and the proximity exposure apparatus of the present invention, the laser beam reflected from the light source and the second reflecting means by a plurality of second laser interferometers and Is measured at a plurality of locations, and from the measurement results of the plurality of second laser interferometers, the positional shift in the θ direction of the second reflecting means attached to the second stage is detected, so that the Y direction (or Position shift in the θ direction of the second reflecting means can be detected by using the second laser interferometer for detecting the position in the X direction).

게다가, 본 발명의 프록시미티 노광장치 및 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법에 의하면, 광학식 변위계로서, 분광간섭 레이저 변위계를 사용함으로써, 척의 θ방향의 기울임을 더욱 정밀도 좋게 검출할 수 있다.In addition, according to the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus and the proximity exposure apparatus of the present invention, by using a spectroscopic interferometric laser displacement meter as the optical displacement meter, the tilt of the chuck in the θ direction can be detected more accurately.

본 발명의 표시용 패널기판의 제조방법에 의하면, 노광시의 기판의 θ방향의 위치결정을 정밀도 좋게 행할 수 있으므로, 패턴의 프린트를 정밀도 좋게 행하고, 고품질인 표시용 패널기판을 제조할 수 있다. According to the manufacturing method of the display panel substrate of the present invention, since the positioning in the θ direction of the substrate at the time of exposure can be performed with high accuracy, the printing of the pattern can be performed with high precision and a high quality display panel substrate can be manufactured.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 프록시미티 노광장치의 개략구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 척(10a)이 노광 위치에 있고, 척(10b)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내는 상면도이다.
도 3은 척(10a)이 노광 위치에 있고, 척(10b)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 4는 척(10b)이 노광 위치에 있고, 척(10a)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내는 상면도이다.
도 5는 척(10b)이 노광 위치에 있고, 척(10a)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 6은 주 스테이지 베이스 상에 있는 이동스테이지의 상면도이다.
도 7은 주 스테이지 베이스 상에 있는 이동스테이지의 X 방향의 일부 단면 측면도이다.
도 8은 주 스테이지 베이스 상에 있는 이동스테이지의 Y 방향의 측면도이다.
도 9는 레이저측장유닛의 동작을 설명하는 도면이다.
도 10은 레이저측장유닛의 동작을 설명하는 도면이다.
도 11의 도 11(a)는 분광간섭 레이저 변위계의 상면도, 도 11(b)는 분광간섭 레이저 변위계의 측면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법을 나타내는 플로차트이다.
도 13은 이동스테이지를 바 미러의 위치 어긋남을 검출하는 위치로 이동한 상태를 나타내는 상면도이다.
도 14의 도 14(a)는 바 미러의 위치 어긋남의 관리를 하지 않는 경우의 각 쇼트의 노광 영역의 일예를 나타내는 도면, 도 14(b)는 본 발명에 의하여 바 미러의 위치 어긋남의 관리를 한 경우의 각 쇼트의 노광 영역의 일예를 나타내는 도면이다.
도 15는 종래의 레이저 변위계의 동작을 설명하는 도면이다.
도 16은 종래의 레이저 변위계의 동작을 설명하는 도면이다.
도 17은 종래의 레이저 변위계의 동작을 설명하는 도면이다.
도 18은 분광간섭 레이저 변위계의 동작을 설명하는 도면이다.
도 19는 분광간섭 레이저 변위계의 동작을 설명하는 도면이다.
도 20은 액정디스플레이장치의 TFT기판의 제조공정의 일예를 나타내는 플로차트이다.
도 21은 액정디스플레이장치의 컬러필터기판의 제조공정의 일예를 나타내는 플로차트이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows schematic structure of the proximity exposure apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.
2 is a top view illustrating a state where the chuck 10a is in the exposure position and the chuck 10b is in the rod / unload position.
3 is a partial cross-sectional side view showing a state where the chuck 10a is in the exposure position and the chuck 10b is in the rod / unload position.
4 is a top view showing a state where the chuck 10b is in the exposure position and the chuck 10a is in the rod / unload position.
5 is a partial cross-sectional side view showing a state where the chuck 10b is in the exposure position and the chuck 10a is in the rod / unload position.
6 is a top view of the moving stage on the main stage base.
7 is a partial cross-sectional side view in the X direction of the moving stage on the main stage base.
8 is a side view in the Y direction of the moving stage on the main stage base.
9 is a view for explaining the operation of the laser measuring unit.
10 is a view for explaining the operation of the laser measuring unit.
FIG. 11A is a top view of the spectral interference laser displacement meter, and FIG. 11B is a side view of the spectral interference laser displacement meter.
12 is a flowchart showing a substrate positioning method of the proximity exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
It is a top view which shows the state which moved the moving stage to the position which detects the position shift of the bar mirror.
Fig. 14A is a diagram showing an example of an exposure area of each shot when the bar mirror positional shift is not managed, and Fig. 14B shows the bar mirror positional shift management according to the present invention. It is a figure which shows an example of the exposure area | region of each shot in one case.
It is a figure explaining the operation | movement of the conventional laser displacement meter.
It is a figure explaining the operation | movement of the conventional laser displacement meter.
It is a figure explaining the operation | movement of the conventional laser displacement meter.
It is a figure explaining the operation | movement of a spectral interference laser displacement meter.
It is a figure explaining the operation | movement of a spectral interference laser displacement meter.
20 is a flowchart showing an example of a process of manufacturing a TFT substrate of a liquid crystal display device.
Fig. 21 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the color filter substrate of the liquid crystal display device.

도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광장치의 개략구성을 나타내는 도면이다. 본 실시의 형태는, 복수의 척을 가지는 프록시미티 노광장치의 예를 나타내고 있다. 프록시미티 노광장치는, 복수의 척(10a, 10b), 주 스테이지 베이스(11), 복수의 부 스테이지 베이스(11a, 11b), 베이스(12), X 가이드(13), 복수의 이동스테이지, 마스크 홀더(20), 레이저측장유닛 제어장치(30), 레이저측장유닛, 레이저 변위계 제어장치(40), 분광간섭 레이저 변위계(41), 화상처리장치(60), 복수의 카메라(61), 주제어장치(70), 입출력 인터페이스회로(71, 72), 및 스테이지 구동회로(80a, 80b)를 포함하여 구성되어 있다. 프록시미티 노광장치는, 이들 외에, 기판(1)을 척(10)으로 반입하고, 또한 기판(1)을 척(10)으로부터 반출하는 기판반송 로봇, 노광광을 조사하는 조사 광학계, 장치 내의 온도관리를 행하는 온도제어 유닛 등을 구비하고 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows schematic structure of the proximity exposure apparatus by one Embodiment of this invention. This embodiment shows an example of a proximity exposure apparatus having a plurality of chucks. The proximity exposure apparatus includes a plurality of chucks 10a and 10b, a main stage base 11, a plurality of sub-stage bases 11a and 11b, a base 12, an X guide 13, a plurality of moving stages and a mask. Holder 20, laser measurement unit control device 30, laser measurement unit, laser displacement meter control device 40, spectral interference laser displacement meter 41, image processing device 60, a plurality of cameras 61, main control device 70, input / output interface circuits 71 and 72, and stage driving circuits 80a and 80b. In addition to these, the proximity exposure apparatus includes a substrate transfer robot for carrying the substrate 1 into the chuck 10 and carrying the substrate 1 out of the chuck 10, an irradiation optical system for irradiating exposure light, and a temperature in the apparatus. The temperature control unit etc. which perform management are provided.

또한, 본 실시의 형태에서는, 척, 부 스테이지 베이스, 이동스테이지, 및 스테이지 구동회로가 각각 2개 마련되어 있는데, 이들을 각각 1개 또는 3개 이상 마련하여도 좋다. 또한, 이하에서 설명하는 실시의 형태에 있어서의 XY 방향은 예시로, X 방향과 Y 방향을 바꾸어도 좋다. In the present embodiment, two chucks, two sub-stage bases, a moving stage, and two stage driving circuits are provided, but one or three or more may be provided, respectively. In addition, the XY direction in embodiment described below may change an X direction and a Y direction as an example.

도 1에 있어서, 기판(1)의 노광을 행하는 노광 위치의 상공에, 마스크(2)를 유지하는 마스크 홀더(20)가 설치되어 있다. 마스크 홀더(20)에는 노광광이 통과하는 개구(20a)가 마련되어 있고, 개구(20a)의 아랫부분에는 마스크(2)가 장착되어 있다. 마스크 홀더(20)의 아랫면의 개구(20a)의 주위에는 흡착 홈이 마련되어 있고, 마스크 홀더(20)는, 흡착 홈에 의하여 마스크(2)의 주변부를 진공흡착하여 유지하고 있다. 마스크 홀더(20)에 유지된 마스크(2)의 상공에는, 도시하지 않은 조사광학계가 배치되어 있다. 기판(1)의 표면에는, 감광수지재료(포토레지스트)가 도포되어 있고, 노광시, 조사광학계로부터의 노광광이 마스크(2)를 투과하여 기판(1)으로 조사됨으로써, 마스크(2)의 패턴이 기판(1)의 표면에 전사되고, 기판(1) 상에 패턴이 형성된다.In FIG. 1, the mask holder 20 holding the mask 2 is provided above the exposure position at which the substrate 1 is exposed. The mask holder 20 is provided with an opening 20a through which exposure light passes, and a mask 2 is attached to the lower portion of the opening 20a. An adsorption groove is provided in the circumference | surroundings of the opening 20a of the lower surface of the mask holder 20, and the mask holder 20 vacuum-holds the peripheral part of the mask 2 by an adsorption groove. An irradiation optical system (not shown) is disposed above the mask 2 held by the mask holder 20. The photoresist material (photoresist) is apply | coated to the surface of the board | substrate 1, and at the time of exposure, the exposure light from an irradiation optical system passes through the mask 2, and is irradiated to the board | substrate 1, The pattern is transferred to the surface of the substrate 1, and a pattern is formed on the substrate 1.

마스크 홀더(20)의 아랫부분에는, 주 스테이지 베이스(11)가 배치되어 있다. 주 스테이지 베이스(11)의 좌우에는, 주 스테이지 베이스(11)의 X 방향에 인접하여 부 스테이지 베이스(11a, 11b)가 배치되어 있다. 주 스테이지 베이스(11)의 Y 방향에는 베이스(12)가 부착되어 있다. 척(10a)은, 후술하는 이동스테이지에 의하여 부 스테이지 베이스(11a) 상의 로드/언로드 위치와 주 스테이지 베이스(11) 상의 노광 위치 사이를 이동된다. 또한, 척(10b)은, 후술하는 이동스테이지에 의하여 부 스테이지 베이스(11b) 상의 로드/언로드의 위치와 주 스테이지 베이스(11) 상의 노광 위치와의 사이를 이동된다.In the lower portion of the mask holder 20, a main stage base 11 is disposed. On the left and right of the main stage base 11, the sub-stage bases 11a and 11b are arranged adjacent to the X direction of the main stage base 11. The base 12 is attached to the Y direction of the main stage base 11. The chuck 10a is moved between the load / unload position on the sub-stage base 11a and the exposure position on the main stage base 11 by a moving stage described later. In addition, the chuck 10b is moved between the position of the load / unload on the sub-stage base 11b and the exposure position on the main stage base 11 by the movement stage mentioned later.

기판(1)은, 부 스테이지 베이스(11a, 11b) 상의 로드/언로드의 위치에 있어서, 도시하지 않은 기판반송 로봇에 의하여, 척(10a, 10b)으로 반입되고, 또한 척(10a, 10b)으로부터 반출된다. 척(10a, 10b)으로의 기판(1)의 로드 및 척(10a, 10b)으로부터의 기판(1)의 언로드는, 척(10a, 10b)에 마련한 복수의 아래에서 밀어올린 핀을 사용하여 행하여진다. 아래에서 밀어올린 핀은, 척(10a, 10b)의 내부에 수납되어 있고, 척(10a, 10b)의 내부로부터 상승하여, 기판(1)을 척(10a, 10b)에 로드할 때, 기판반송 로봇으로부터 기판(1)을 건네받고, 기판(1)을 척(10a, 10b)으로부터 언로드할 때, 기판반송 로봇에게 기판(1)을 넘겨준다. 척(10a, 10b)은, 기판(1)을 진공흡착하여 지지한다.The board | substrate 1 is carried in to the chuck 10a, 10b by the board | substrate conveyance robot which is not shown in the position of the load / unload on the sub-stage base 11a, 11b, and from the chuck 10a, 10b. It is taken out. The loading of the substrate 1 to the chucks 10a and 10b and the unloading of the substrate 1 from the chucks 10a and 10b are performed using a plurality of pins pushed up from the bottoms provided in the chucks 10a and 10b. Lose. The pin pushed up from below is accommodated in the inside of the chucks 10a and 10b, lifts up from the inside of the chucks 10a and 10b, and transfers the substrate when the substrate 1 is loaded onto the chucks 10a and 10b. When the substrate 1 is passed from the robot and the substrate 1 is unloaded from the chucks 10a and 10b, the substrate 1 is turned over to the substrate transfer robot. The chucks 10a and 10b vacuum-support the substrate 1.

도 2는, 척(10a)이 노광 위치에 있고, 척(10b)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내는 상면도이다. 또한, 도 3은, 척(10a)이 노광 위치에 있고, 척(10b)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내는 일부 단면측면도이다. 도 2에 있어서, 주 스테이지 베이스(11) 상 및 부 스테이지 베이스(11a, 11b) 상에는, 주 스테이지 베이스(11) 상으로부터 부 스테이지 베이스(11a, 11b) 상으로 X 방향으로 신장되는 X 가이드(13)가 마련되어 있다.2 is a top view illustrating a state where the chuck 10a is in the exposure position and the chuck 10b is in the rod / unload position. 3 is a partial cross-sectional side view which shows the state in which the chuck 10a is in an exposure position and the chuck 10b is in a rod / unload position. In FIG. 2, on the main stage base 11 and the sub stage bases 11a and 11b, the X guide 13 extending in the X direction from the main stage base 11 onto the substage bases 11a and 11b. ) Is provided.

도 3에 있어서, 척(10a, 10b)은, 각각 이동스테이지에 탑재되어 있다. 각 이동 스테이지는, X 스테이지(14), Y 가이드(15), Y 스테이지(16), θ스테이지(17), 및 척 지지대(19)를 포함하여 구성되어 있다. X 스테이지(14)는, X 가이드(13)에 탑재되어, X 가이드(13)를 따라서 X 방향으로 이동한다. Y 스테이지(16)는, X 스테이지(14) 상에 마련된 Y 가이드(15)에 탑재되고, Y 가이드(15)를 따라서 Y 방향(도 3의 도면의 안쪽 방향)으로 이동한다. θ스테이지(17)는 Y 스테이지(16)에 탑재되고, θ방향으로 회전한다. 척 지지대(19)는, θ스테이지(17)에 탑재되고, 척(10a, 10b)을 복수 개소에서 지지한다.In Fig. 3, the chucks 10a and 10b are mounted on the moving stages, respectively. Each moving stage includes the X stage 14, the Y guide 15, the Y stage 16, the θ stage 17, and the chuck support 19. The X stage 14 is mounted on the X guide 13 and moves in the X direction along the X guide 13. The Y stage 16 is mounted on the Y guide 15 provided on the X stage 14, and moves along the Y guide 15 in the Y direction (inward direction in the drawing of FIG. 3). The θ stage 17 is mounted on the Y stage 16 and rotates in the θ direction. The chuck support 19 is mounted on the θ stage 17 to support the chucks 10a and 10b at a plurality of locations.

각 이동스테이지의 X 스테이지(14)의 X 방향으로의 이동에 의하여, 척(10a)은, 부 스테이지 베이스(11a) 상의 로드/언로드의 위치와 주 스테이지 베이스(11) 상의 노광 위치와의 사이를 이동되고, 척(10b)은, 부 스테이지 베이스(11b) 상의 로드/언로드 위치와 주 스테이지 베이스(11) 상의 노광 위치와의 사이를 이동된다. 도 4는, 척(10b)이 노광 위치에 있고, 척(10a)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내는 상면도이다. 또한, 도 5는, 척(10b)이 노광 위치에 있고, 척(10a)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내는 일부 단면측면도이다. 부 스테이지 베이스(11a, 11b) 상의 로드/언로드 위치에 있어서, 각 이동스테이지의 X 스테이지(14)의 X 방향으로의 이동, Y 스테이지(16)의 Y 방향으로의 이동, 및 θ스테이지 (17)의 θ방향으로의 회전에 의하여, 척(10a, 10b)에 탑재된 기판(1)의 프리얼라이먼트가 행하여진다. By the movement of the X stage 14 of each moving stage in the X direction, the chuck 10a moves between the position of the load / unload on the sub-stage base 11a and the exposure position on the main stage base 11. The chuck 10b is moved between the load / unload position on the sub-stage base 11b and the exposure position on the main stage base 11. 4 is a top view showing a state where the chuck 10b is in the exposure position and the chuck 10a is in the rod / unload position. 5 is a partial cross-sectional side view which shows the state in which the chuck 10b is in an exposure position and the chuck 10a is in a rod / unload position. At the load / unload position on the sub-stage bases 11a and 11b, the movement in the X direction of the X stage 14 of each moving stage, the movement in the Y direction of the Y stage 16, and the θ stage 17 By the rotation in the θ direction, prealignment of the substrate 1 mounted on the chucks 10a and 10b is performed.

주 스테이지 베이스(11) 상의 노광 위치에 있어서, 각 이동스테이지의 X 스테이지(14)의 X 방향으로의 이동 및 Y 스테이지(16)의 Y 방향으로의 이동에 의하여, 척(10a, 10b)에 유지된 기판(1)의 XY 방향으로의 스텝이동이 행하여진다. 또한, 도시하지 않은 Z-틸트기구에 의하여 마스크 홀더(20)를 Z방향(도 3 및 도 5의 도면의 상하방향)으로 이동 및 틸트함으로써, 마스크(2)와 기판(1)과의 캡조정이 행하여진다. 따라서, 각 이동스테이지의 X 스테이지(14)의 X 방향으로의 이동, Y 스테이지(16)의 Y 방향으로의 이동, 및 θ스테이지(17)의 θ방향으로의 회전에 의하여, 노광시의 기판(1)의 위치결정이 행하여진다.At the exposure position on the main stage base 11, the movable stage is held by the chucks 10a and 10b by the movement in the X direction of the X stage 14 and the movement in the Y direction of the Y stage 16. The step movement of the board | substrate 1 in the XY direction is performed. Moreover, the cap adjustment of the mask 2 and the board | substrate 1 is carried out by moving and tilting the mask holder 20 to a X direction (up-down direction of the drawing of FIG. 3 and FIG. 5) with the X-tilting mechanism not shown. This is done. Therefore, the substrate at the time of exposure is moved by the movement in the X direction of the X stage 14 of each moving stage, the movement in the Y direction of the Y stage 16, and the rotation of the θ stage 17 in the θ direction. The positioning of 1) is performed.

각 이동스테이지의 X 스테이지(14), Y 스테이지(16), 및 θ스테이지(17)에는 볼 나사 및 모터나, 리니어모터 등 도시하지 않은 구동기구가 마련되어 있다. 도 1에 있어서, 스테이지 구동회로(80a)는, 주제어장치(70)의 제어에 의하여, 척(10a)을 탑재하는 이동스테이지의 X 스테이지(14), Y 스테이지(16), 및 θ스테이지(17)를 구동한다. 또한, 스테이지 구동회로(80b)는, 주제어장치(70)의 제어에 의하여 척(10b)을 탑재하는 이동스테이지의 X 스테이지(14), Y 스테이지(16), 및 θ스테이지(17)를 구동한다.The X stage 14, Y stage 16, and θ stage 17 of each moving stage are provided with a drive mechanism (not shown) such as a ball screw, a motor, and a linear motor. In Fig. 1, the stage driving circuit 80a is controlled by the main controller 70, and the X stage 14, Y stage 16, and θ stage 17 of the moving stage on which the chuck 10a is mounted. ). In addition, the stage driving circuit 80b drives the X stage 14, the Y stage 16, and the θ stage 17 of the moving stage on which the chuck 10b is mounted under the control of the main controller 70. .

또한, 본 실시의 형태에서는, 마스크 홀더(20)를 Z방향으로 이동 및 틸트함으로써, 마스크(2)와 기판(1)과의 갭조정을 하고 있는데, 각 이동스테이지에 Z-틸트기구를 마련하여, 척(10a, 10b)을 Z방향으로 이동 및 틸트함으로써, 마스크(2)와 기판(1)과의 갭조정을 하여도 좋다.In the present embodiment, the gap between the mask 2 and the substrate 1 is adjusted by moving and tilting the mask holder 20 in the X direction. The gap between the mask 2 and the substrate 1 may be adjusted by moving and tilting the chucks 10a and 10b in the X direction.

이하, 본 실시의 형태의 프록시미티 노광장치의 기판의 위치결정동작에 대하여 설명한다. 도 1에 있어서, 레이저측장유닛은, 레이저광원(31), 레이저 간섭계(32a, 32b, 33), 후술하는바 미러(34a, 34b), 및 바 미러(35)를 포함하여 구성되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 레이저 간섭계(32a)를 사용하여, 척(10a)을 탑재하는 이동스테이지의 X 방향의 위치를 검출하고, 레이저 간섭계(32b)를 사용하여, 척(10b)을 탑재하는 이동스테이지의 X 방향의 위치를 검출한다. 또한, 2개의 레이저 간섭계(33)를 사용하여, 주 스테이지 베이스(11) 상에서의 각 이동스테이지의 Y 방향의 위치를 검출한다.Hereinafter, the positioning operation of the substrate of the proximity exposure apparatus of the present embodiment will be described. In FIG. 1, the laser measuring unit includes a laser light source 31, laser interferometers 32a, 32b, 33, bar mirrors 34a, 34b, and bar mirror 35, which will be described later. In this embodiment, the laser interferometer 32a is used to detect the position in the X direction of the moving stage on which the chuck 10a is mounted, and the laser interferometer 32b is used to mount the chuck 10b. The position of the stage in the X direction is detected. In addition, the two laser interferometers 33 are used to detect the position in the Y direction of each moving stage on the main stage base 11.

도 6은, 주 스테이지 베이스 상에 있는 이동스테이지의 상면도이다. 도 7은, 주 스테이지 베이스 상에 있는 이동스테이지의 X 방향의 일부 단면측면도이다. 도 8은, 주 스테이지 베이스 상에 있는 이동스테이지의 Y 방향의 측면도이다. 도 6 내지 도 8은, 척(10a)을 탑재하는 이동스테이지를 나타내고 있고, 척(10b)을 탑재하는 이동스테이지는, 척(10a)을 탑재하는 이동스테이지와 X 방향에 있어서 좌우대칭인 구성으로 되어 있다. 또한, 도 7에서는 X 가이드(13)가 생략되고, 도 8에서는 레이저 간섭계(32a, 32b)가 생략되어 있다. 6 is a top view of the moving stage on the main stage base. 7 is a partial cross-sectional side view in the X direction of the moving stage on the main stage base. 8 is a side view in the Y direction of the moving stage on the main stage base. 6 to 8 show a moving stage on which the chuck 10a is mounted, and the moving stage on which the chuck 10b is mounted has a configuration that is symmetrical in the X direction with the moving stage on which the chuck 10a is mounted. It is. In addition, the X guide 13 is abbreviate | omitted in FIG. 7, and the laser interferometers 32a and 32b are abbreviate | omitted in FIG.

도 8에 있어서, 이동스테이지의 X 스테이지(14)가 X 가이드(13)에 탑재되어 있으므로, 주 스테이지 베이스(11) 및 부 스테이지 베이스(11a, 11b)와 X 스테이지(14)와의 사이에, X 가이드(13)의 높이에 따른 공간이 발생하고 있다. 레이저측장유닛의 바 미러(34a)는, 이 공간을 이용하여, X 스테이지(14)의 아래에 부착되어 있다. 바 미러(34b)도 마찬가지이다. 레이저 간섭계(32a)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 주 스테이지 베이스(11)의 X 가이드(13)로부터 벗어난 위치에 설치되어 있다. 레이저 간섭계(32b)도 마찬가지이다.In FIG. 8, since the X stage 14 of the moving stage is mounted on the X guide 13, between the main stage base 11 and the sub stage bases 11a and 11b and the X stage 14, X The space according to the height of the guide 13 is generated. The bar mirror 34a of the laser side unit is attached to the bottom of the X stage 14 using this space. The same applies to the bar mirror 34b. As shown in FIG. 1, the laser interferometer 32a is provided at a position deviated from the X guide 13 of the main stage base 11. The same applies to the laser interferometer 32b.

도 6 내지 도 8에 있어서, 바 미러(35)는, 암(36)에 의하여 대략 척(10a)의 높이로 Y 스테이지(16)에 부착되어 있다. 척(10b)을 탑재하는 이동스테이지에 대해서도, 마찬가지로 바 미러(35)는, 대략 척(10b)의 높이로 Y 스테이지(16)에 부착되어 있다. 2개의 레이저 간섭계(33)는, 도 6 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 주 스테이지 베이스(11)의 Y 방향에 부착된 베이스(12)에 설치되어 있다.6 to 8, the bar mirror 35 is attached to the Y stage 16 by the arm 36 at approximately the height of the chuck 10a. Similarly, the bar mirror 35 is attached to the Y stage 16 at the height of the chuck 10b about the moving stage on which the chuck 10b is mounted. Two laser interferometers 33 are provided in the base 12 attached to the Y direction of the main stage base 11, as shown to FIG. 6 and FIG.

도 9 및 도 10은, 레이저측장유닛의 동작을 설명하는 도면이다. 그리고 도 9는, 척(10a)이 노광 위치에 있고, 척(10b)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내고, 도 10은, 척(10b)이 노광 위치에 있고, 척(10a)이 로드/언로드 위치에 있는 상태를 나타내고 있다.9 and 10 are diagrams for explaining the operation of the laser measuring unit. 9 shows a state where the chuck 10a is at the exposure position, and the chuck 10b is at the rod / unload position. In FIG. 10, the chuck 10b is at the exposure position, and the chuck 10a is loaded. / The state in the unloaded position is shown.

도 9 및 도 10에 있어서, 레이저 간섭계(32a)는, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광을 바 미러(34a)로 조사하고, 바 미러(34a)에 의하여 반사된 레이저광을 수광하고, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(34a)에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정한다. 도 1에 있어서, 레이저측장유닛 제어장치(30)는, 주제어장치(70)의 제어에 의하여, 레이저 간섭계(32a)의 측정결과로부터, 척(10a)을 탑재하는 이동스테이지의 X 방향의 위치를 검출한다. 주제어장치(70)는, 레이저측장유닛 제어장치(30)의 검출결과를 입출력 인터페이스회로(71)를 개재하여 입력한다.9 and 10, the laser interferometer 32a irradiates the laser light from the laser light source 31 to the bar mirror 34a, receives the laser light reflected by the bar mirror 34a, and receives the laser. The interference between the laser light from the light source 31 and the laser light reflected by the bar mirror 34a is measured. In Fig. 1, the laser measuring unit control device 30 controls the position in the X direction of the moving stage on which the chuck 10a is mounted from the measurement result of the laser interferometer 32a under the control of the main controller 70. Detect. The main controller 70 inputs the detection result of the laser measuring unit control device 30 via the input / output interface circuit 71.

도 9 및 도 10에 있어서, 레이저 간섭계(32b)는, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광을 바 미러(34b)로 조사하고, 바 미러(34b)에 의하여 반사된 레이저광을 수광하고, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(34b)에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정한다. 도 1에 있어서, 레이저측장유닛 제어장치(30)는, 주제어장치(70)의 제어에 의하여, 레이저 간섭계(32b)의 측정결과로부터 척(10b)을 탑재하는 이동스테이지의 X 방향의 위치를 검출한다. 주제어장치(70)는, 레이저측장유닛 제어장치(30)의 검출결과를, 입출력 인터페이스회로(71)를 개재하여 입력한다.9 and 10, the laser interferometer 32b irradiates the laser light from the laser light source 31 to the bar mirror 34b, receives the laser light reflected by the bar mirror 34b, and receives the laser. The interference between the laser light from the light source 31 and the laser light reflected by the bar mirror 34b is measured. In FIG. 1, the laser measuring unit control apparatus 30 detects the position of the moving stage which mounts the chuck 10b from the measurement result of the laser interferometer 32b by the control of the main control unit 70 in the X direction. do. The main controller 70 inputs the detection result of the laser side unit control device 30 via the input / output interface circuit 71.

레이저측장유닛의 바 미러(34a, 34b)를 각 이동스테이지의 X 스테이지(14)의 아래에 부착하고, 레이저 간섭계(32a, 32b)를 주 스테이지 베이스(11)의 X 가이드(13)로부터 벗어난 위치에 설치하므로, 각 이동스테이지는 부 스테이지 베이스(11a, 11b)와 주 스테이지 베이스(11)를 이동할 때에 레이저 간섭계(32a, 32b)와 충돌하는 일이 없다. 그리고 레이저 간섭계(32a, 32b)를 주 스테이지 베이스(11)에 설치하므로, 레이저 간섭계(32a, 32b)가 부 스테이지 베이스(11a, 11b)의 진동의 영향을 받지 않는다. 또한, 레이저 간섭계(32a, 32b)로부터 주 스테이지 베이스(11) 상의 각 이동스테이지까지의 측정거리가 짧아지게 된다. 따라서, 각 이동스테이지의 X 방향의 위치가 정밀도 좋게 검출된다.The bar mirrors 34a and 34b of the laser measuring unit are attached to the bottom of the X stage 14 of each moving stage, and the laser interferometers 32a and 32b are separated from the X guide 13 of the main stage base 11. Since the movable stages are installed at the sub stage bases 11a and 11b and the main stage base 11, the moving stages do not collide with the laser interferometers 32a and 32b. Since the laser interferometers 32a and 32b are provided on the main stage base 11, the laser interferometers 32a and 32b are not affected by the vibration of the sub-stage bases 11a and 11b. In addition, the measurement distance from the laser interferometers 32a and 32b to the respective moving stages on the main stage base 11 is shortened. Therefore, the position in the X direction of each moving stage is detected with high accuracy.

도 9 및 도 10에 있어서, 2개의 레이저 간섭계(33)는, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광을 바 미러(35)로 조사하고, 바 미러(35)에 의하여 반사된 레이저광을 수광하고, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(35)에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 두 개소에서 측정한다. 도 1에 있어서, 레이저측장유닛 제어장치(30)는, 주제어장치(70)의 제어에 의하여, 2개의 레이저 간섭계(33)의 측정결과로부터 주 스테이지 베이스(11)의 상에서의 각 이동스테이지의 Y 방향의 위치를 검출하고, 또한 주 스테이지 베이스(11) 상에서 각 이동스테이지의 X 스테이지(14) 및 Y 스테이지(16)가 XY 방향으로 이동할 때의 요잉(yawing)을 검출한다.9 and 10, the two laser interferometers 33 irradiate the laser light from the laser light source 31 to the bar mirror 35, and receive the laser light reflected by the bar mirror 35. The interference between the laser light from the laser light source 31 and the laser light reflected by the bar mirror 35 is measured at two places. In Fig. 1, the laser measuring unit control device 30 is Y of each moving stage on the main stage base 11 from the measurement results of the two laser interferometers 33 under the control of the main controller 70. The position of the direction is detected, and yawing when the X stage 14 and the Y stage 16 of each moving stage moves in the XY direction on the main stage base 11 is also detected.

각 레이저 간섭계(33)를 주 스테이지 베이스(11)의 Y 방향에 부착된 베이스(12)에 설치하므로, 각 레이저 간섭계(33)가 부 스테이지 베이스(11a, 11b)의 진동의 영향을 받지 않는다. 또한, 각 레이저 간섭계(33)로부터 주 스테이지 베이스(11) 상의 각 이동스테이지까지의 측정거리가 짧아진다. 따라서, 각 레이저 간섭계(33)를 사용하여, 주 스테이지 베이스(11) 상에서의 각 이동스테이지의 Y 방향의 위치가 정밀도 좋게 검출된다. 또한, 레이저측장유닛의 각 바 미러(35)를, 대략 각 이동스테이지가 탑재하는 척(10a, 10b)의 높이로 부착하므로, 각 이동스테이지의 Y 방향의 위치가 기판(1)의 근방에서 검출된다. 그리고 Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)를 이용하여, 이동스테이지가 이동할 때의 요잉을 검출할 수 있다.Since each laser interferometer 33 is provided in the base 12 attached to the Y direction of the main stage base 11, each laser interferometer 33 is not affected by the vibration of the sub-stage bases 11a and 11b. In addition, the measurement distance from each laser interferometer 33 to each moving stage on the main stage base 11 is shortened. Therefore, using each laser interferometer 33, the position in the Y direction of each moving stage on the main stage base 11 is accurately detected. In addition, since the bar mirrors 35 of the laser measuring unit are attached at approximately the heights of the chucks 10a and 10b on which each moving stage is mounted, the position in the Y direction of each moving stage is detected in the vicinity of the substrate 1. do. Then, using the mirror 35 attached to the Y stage 16, yawing when the moving stage moves can be detected.

도 1에 있어서, 척(10a, 10b)에는, 2개의 분광간섭 레이저 변위계(41)가 각각 마련되어 있다. 도 11(a)는 분광간섭 레이저 변위계의 상면도, 도 11(b)는 분광간섭 레이저 변위계의 측면도이다. 도 11(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 각 분광간섭 레이저 변위계(41)는 부착구(50)에 의하여, 바 미러(35)의 뒷면에 마주보게 하고, 척(10a, 10b)의 하면에 부착되어 있다. 본 실시의 형태에서 사용하는 분광간섭 레이저 변위계(41)는, 간섭광을 이용한 광학식 변위계로서, 선단의 헤드부에 참조반사면을 가지고, 넓은 파장 대역의 빛을 참조 반사면 및 피측정물로 조사하고, 참조반사면으로부터의 반사광과 피측정물로부터의 반사광과의 간섭광의 파장 및 강도로부터, 피측정물까지의 거리를 측정하는 것이다.1, two spectral interference laser displacement meters 41 are provided in the chucks 10a and 10b, respectively. Fig. 11A is a top view of the spectral interference laser displacement meter and Fig. 11B is a side view of the spectral interference laser displacement meter. As shown in Figs. 11 (a) and 11 (b), each of the spectral interference laser displacement meters 41 is attached to the rear surface of the bar mirror 35 by the attachment hole 50, and the chucks 10a and 10b It is attached to the lower surface. The spectral interference laser displacement meter 41 used in the present embodiment is an optical displacement meter using interference light, and has a reference reflecting surface at the head of the tip, and irradiates light having a broad wavelength band with the reference reflecting surface and the object to be measured. The distance from the reference reflecting surface to the measured object is measured from the wavelength and intensity of the interference light between the reflected light from the reflected object and the reflected light from the measured object.

도 11(a), (b)에 있어서, 2개의 분광간섭 레이저 변위계(41)는, 바 미러(35)의 뒷면까지의 거리를 두 개소에서 측정한다. 도 1에 있어서, 레이저 변위계 제어장치(40)는, 주제어장치(70)의 제어에 의하여 후술하는바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남의 검출결과에 근거하여, 2개의 분광간섭 레이저 변위계(41)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출한다. 주제어장치(70)는, 레이저 변위계 제어장치(40)의 검출결과를 입출력 인터페이스회로(72)를 개재하여 입력한다.In FIGS. 11A and 11B, the two spectroscopic interference laser displacement meters 41 measure the distances to the back surface of the bar mirror 35 at two locations. In FIG. 1, the laser displacement meter control apparatus 40 is based on the detection result of the position shift of (theta) direction of the mirror 35 which is mentioned later by control of the main controller 70, and the two spectral interference laser displacement meters ( From the measurement result of 41), the inclination of the chucks 10a and 10b in the θ direction is detected. The main controller 70 inputs the detection result of the laser displacement meter control apparatus 40 via the input / output interface circuit 72.

도 6에 있어서, 척(10a)을 탑재하는 이동스테이지의 Y 스테이지(16)에 부착된바 미러(35)의 윗면에는, 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크(37)가 마련되어 있다. 척(10b)을 탑재하는 이동스테이지의 Y 스테이지(16)에 부착된바 미러(35)도 마찬가지이다. 본 실시의 형태에서는, X 방향으로 신장되는 바 미러(35)의 양쪽 부근에, 위치 어긋남의 검출용 마크(37)가 각각 마련되어 있다. 위치 어긋남의 검출용 마크(37)는, 후술하는 화상처리장치(60)에 의한 화상처리에 적합한 형상의 것이면 된다.In FIG. 6, the bar 37 attached to the Y stage 16 of the movable stage which mounts the chuck 10a is provided with the some mark 37 for a detection of the position shift | offset. The same applies to the mirror 35 attached to the Y stage 16 of the moving stage on which the chuck 10b is mounted. In this embodiment, the detection mark 37 of a position shift | offset is provided in the vicinity of the both sides of the bar mirror 35 extended in the X direction, respectively. The mark 37 for detecting the positional shift may be a shape suitable for image processing by the image processing apparatus 60 described later.

도 7 및 도 8에 있어서, 주 스테이지 베이스(11)의 상공에는, 바 미러(35)의 윗면의 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)에 대응하여, 복수의 카메라(61)가 설치되어 있다. 본 실시의 형태에서는, X 방향으로 신장되는 바 미러(35)의 양쪽 옆 부근에 마련된 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)에 대응하여, 2개의 카메라(61)가 마련되어 있다. 그러나 위치 어긋남의 검출용 마크(37) 및 카메라(61)의 수 및 위치는, 도 6 내지 도 8에 나타낸 예에 한정하는 것은 아니다.In FIG. 7 and FIG. 8, a plurality of cameras 61 are provided above the main stage base 11 in response to the detection marks 37 of the respective position shifts on the upper surface of the bar mirror 35. . In this embodiment, two cameras 61 are provided corresponding to the detection marks 37 of each position shift provided in the vicinity of both sides of the bar mirror 35 extending in the X direction. However, the number and position of the detection mark 37 and the camera 61 of a position shift are not limited to the example shown in FIGS. 6-8.

각 카메라(61)는, 예를 들어 CCD카메라로 되어 있고, 바 미러(35)의 윗면의 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상을 취득하기 위한 것이다. 각 카메라(61)는, 마스크 홀더(20)의 윗부분에 마련된 도시하지 않은 프레임에 고정되어, 바 미러(35)의 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 간격과 동일한 간격으로 마련되어 있다.Each camera 61 is a CCD camera, for example, and acquires the image of the detection mark 37 of the position shift of the upper surface of the bar mirror 35. As shown in FIG. Each camera 61 is fixed to the frame (not shown) provided in the upper part of the mask holder 20, and is provided in the same space | interval as the space | interval of the mark 37 for a detection of the position shift of the bar mirror 35. As shown in FIG.

도 12는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법을 나타내는 플로차트이다. 그리고 척(10a)에 탑재된 기판(1)과 척(10b)에 탑재된 기판(1)에서는, 노광 위치에 있어서의 처리가 번갈아 행하여지고, 한쪽의 노광 위치에서 처리하는 사이에, 다른 방향의 로드/언로드 위치에 있어서의 처리가 행하여진다.12 is a flowchart showing a substrate positioning method of the proximity exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. And in the board | substrate 1 mounted in the chuck 10a, and the board | substrate 1 mounted in the chuck 10b, the process in an exposure position is performed alternately, and in the other direction between processing in one exposure position. Processing at the load / unload position is performed.

우선, 로드/언로드 위치에 있어서, 척(10a, 10b)으로의 기판(1)의 로드가 행하여진다(스텝 301). 주제어장치(70)는, 스테이지 구동회로(80a, 80b)에 의하여, 각 이동스테이지의 X 스테이지(14), Y 스테이지(16), 및 θ스테이지(17)를 구동하고, 각 로드/언로드 위치에 있어서 척(10a, 10b)을 XY 방향으로 이동 및 θ방향으로 회전시켜서, 기판(1)의 프리얼라이먼트를 행한다(스텝 302).First, at the load / unload position, the substrate 1 is loaded onto the chucks 10a and 10b (step 301). The main controller 70 drives the X stage 14, the Y stage 16, and the θ stage 17 of the respective moving stages by the stage driving circuits 80a and 80b to each load / unload position. In this case, the chucks 10a and 10b are moved in the XY direction and rotated in the θ direction to prealign the substrate 1 (step 302).

다음으로, 주제어장치(70)는, 스테이지 구동회로(80a, 80b)에 의하여 각 이동 스테이지의 X 스테이지(14)를 구동하고, 척(10a, 10b)을 노광 위치로 이동시키고, 각 이동스테이지를 바 미러(35)의 위치 어긋남을 검출하는 위치로 이동시킨다(스텝 303). 도 13은, 이동스테이지를 바 미러의 위치 어긋남을 검출하는 위치로 이동한 상태를 나타내는 상면도이다. 각 이동스테이지를 바 미러(35)의 위치 어긋남을 검출하는 위치로 이동하였을 때, 바 미러(35)의 윗면의 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)는, 각 카메라(61)의 시야 내에 위치한다.Next, the main control device 70 drives the X stage 14 of each moving stage by the stage driving circuits 80a and 80b, moves the chucks 10a and 10b to the exposure position, and moves each moving stage. It moves to the position which detects the position shift of the bar mirror 35 (step 303). 13 is a top view illustrating a state in which the moving stage is moved to a position where the positional shift of the bar mirror is detected. When each movement stage is moved to the position which detects the position shift of the bar mirror 35, the mark 37 for the detection of each position shift of the upper surface of the bar mirror 35 is located in the field of view of each camera 61. do.

각 이동스테이지의 Y 스테이지(16)를 Y 방향으로 이동할 때, Y 스테이지(16)를 탑재한 Y 가이드(15)에서는, 접동저항에 의하여 다량의 열이 발생한다. 그 열이 Y 스테이지(16)에 전달되어, Y 스테이지(16)에 열변형에 의한 왜곡이 생겼을 때, Y 스테이지(16)에 부착된바 미러(35)의 설치상태가 변화하여, 바 미러(35)가 X 방향에서 약간 회전하고, 바 미러(35)에 θ방향의 위치 어긋남이 발생한다. 각 카메라(61)는, 바 미러(35)의 윗면의 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상을 취득하여, 화상 신호를 도 1의 화상처리장치(60)로 출력한다.When the Y stage 16 of each moving stage is moved in the Y direction, a large amount of heat is generated by the sliding resistance in the Y guide 15 on which the Y stage 16 is mounted. When the heat is transferred to the Y stage 16 and distortion occurs due to thermal deformation in the Y stage 16, the installation state of the mirror 35 attached to the Y stage 16 changes, and the bar mirror ( 35 slightly rotates in the X direction, and a position shift in the θ direction occurs in the bar mirror 35. Each camera 61 acquires the image of the detection mark 37 of each position shift | deviation of the upper surface of the bar mirror 35, and outputs an image signal to the image processing apparatus 60 of FIG.

도 1에 있어서, 화상처리장치(60)는, 각 카메라(61)로부터 출력된 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상 신호를 처리하여, 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 위치를 검출한다. 이 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 위치의 검출은, 예를 들어, 각 카메라(61)가 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상과, 미리 준비한바 미러(35)에 θ방향의 위치 어긋남이 없을 때의 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상을 비교하여 행하여진다. 레이저 변위계 제어장치(40)는, 화상처리장치(60)가 검출한 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 위치로부터, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출한다(도 12의 스텝 304).In FIG. 1, the image processing apparatus 60 processes the image signal of the detection mark 37 of each position shift | offset output from each camera 61, and positions the mark 37 for detection of each position shift | offset. Detect. The detection of the position of the detection mark 37 for each position shift is performed by, for example, an image of the detection mark 37 for detection of the position shift acquired by the respective cameras 61 and the mirror 35 prepared in advance. This is performed by comparing the images of the detection marks 37 for each position shift when there is no position shift in the θ direction. The laser displacement meter control device 40 detects a position shift in the θ direction of the bar mirror 35 from the position of the detection mark 37 of each position shift detected by the image processing apparatus 60 (FIG. 12). Step 304).

본 실시의 형태에서는, Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)의 표면에, 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크(37)를 마련하고, 복수의 카메라(61)에 의하여 바 미러(35)의 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상을 취득하고, 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상을 처리하여, 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 위치를 검출하고, 검출한 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 위치로부터, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하므로, 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상처리에 의하여, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남이 정밀도 좋게 검출된다.In the present embodiment, a plurality of detection marks 37 for detecting positional deviations are provided on the surface of the mirror 35 attached to the Y stage 16, and the bar mirrors 35 are provided by the plurality of cameras 61. Image of each of the detection marks 37 for the detection of positional deviations is obtained, and the image of the detection marks 37 for the detection of each positional deviation is processed to detect the position of the detection marks 37 for detection of each positional deviation, Since the position shift in the (theta) direction of the bar mirror 35 is detected from the position of the detection mark 37 of each detected position shift, the bar mirror ( Position shift in the θ direction of 35) is detected with high accuracy.

그러나 본 발명은 여기에 한정되지 않고, 복수의 레이저 간섭계(33)에 의하여, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(35)에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하여, 복수의 레이저 간섭계(33)의 측정결과로부터, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하여도 좋다. 각 이동스테이지의 Y 방향의 위치를 검출하기 위한 레이저 간섭계(33)를 이용하여, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 혹은 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하기 위한 레이저 간섭계를, 각 이동스테이지의 Y 방향의 위치를 검출하기 위한 레이저 간섭계(33)와 별개로 마련하여도 좋다. However, the present invention is not limited thereto, and the plurality of laser interferometers 33 measure the interference between the laser light from the laser light source 31 and the laser light reflected by the bar mirror 35 at a plurality of locations. The positional shift in the θ direction of the bar mirror 35 may be detected from the measurement results of the plurality of laser interferometers 33. The position shift of the bar mirror 35 in the (theta) direction can be detected using the laser interferometer 33 for detecting the position of each moving stage in the Y direction. Alternatively, a laser interferometer for detecting positional deviation in the θ direction of the bar mirror 35 may be provided separately from the laser interferometer 33 for detecting the position in the Y direction of each moving stage.

도 12에 있어서, 다음으로, 주제어장치(70)는, 스테이지 구동회로(80a, 80b)에 의하여 각 이동스테이지의 X 스테이지(14) 및 Y 스테이지(16)를 구동하여, 기판(1)을 노광 위치의 첫 번째 쇼트를 행하는 위치로 이동시킨다(스텝 305). 이어서, 주제어장치(70)는, 도시하지 않은 갭 센서의 측정결과에 근거하여, Z-틸트기구를 구동하여, 마스크(2)와 기판(1)과의 갭조정을 행한다(스텝 306). 다음으로, 주제어장치(70)는, 스테이지 구동회로(80a, 80b)에 의하여 각 이동스테이지의 X 스테이지(14), Y 스테이지(16), 및 θ스테이지(17)를 구동하여, 노광 위치에서 척(10a, 10b)을 XY 방향으로 이동 및 θ방향으로 회전시켜서, 기판(1)의 얼라이먼트를 행한다(스텝 307).In FIG. 12, the main controller 70 next drives the X stage 14 and the Y stage 16 of each moving stage by the stage driving circuits 80a and 80b to expose the substrate 1. It moves to the position which performs the 1st short of a position (step 305). Subsequently, the main controller 70 drives the X-tilt mechanism based on the measurement result of the gap sensor (not shown) to adjust the gap between the mask 2 and the substrate 1 (step 306). Next, the main controller 70 drives the X stage 14, Y stage 16, and θ stage 17 of each moving stage by the stage driving circuits 80a and 80b to chuck at the exposure position. The substrate 1 is aligned by moving (10a, 10b) in the XY direction and rotating in the θ direction (step 307).

기판(1)의 얼라이먼트(스텝 307)를 행할 때, 레이저 변위계 제어장치(40)는, 주제어장치(70)의 제어에 의하여, 스텝(304)에서 검출한바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남에 근거하여, 2개의 분광간섭 레이저 변위계(41)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출한다. 주제어장치(70)는, 레이저 변위계 제어장치(40)에 의한 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임의 검출결과에 근거하여, 스테이지 구동회로(80a, 80b)를 제어하고, 각 이동스테이지의 θ스테이지(17)에 의하여 척(10a, 10b)을 θ방향으로 회전시켜서, 기판(1)의 θ방향의 위치결정을 행한다. 또한, 주제어장치(70)는, 레이저측장유닛 제어장치(30)에 의한 각 이동스테이지의 XY 방향의 위치의 검출결과에 근거하여, 스테이지 구동회로(80a, 80b)를 제어하고, 각 이동스테이지의 X 스테이지(14) 및 Y 스테이지(16)에 의하여 척(10a, 10b)을 XY 방향으로 이동시켜서, 기판(1)의 XY 방향의 위치결정을 행한다.When performing the alignment (step 307) of the board | substrate 1, the laser displacement meter control apparatus 40 detects the position shift of the mirror 35 in the (theta) direction as detected in step 304 by the control of the main control device 70. Based on the above, the inclination of the chucks 10a and 10b in the θ direction is detected from the measurement results of the two spectral interference laser displacement meters 41. The main control unit 70 controls the stage driving circuits 80a and 80b based on the detection result of the tilt of the chucks 10a and 10b in the θ direction by the laser displacement meter control device 40 to control the stage driving circuits 80a and 80b. The chucks 10a and 10b are rotated in the θ direction by the θ stage 17 to position the substrate 1 in the θ direction. In addition, the main controller 70 controls the stage drive circuits 80a and 80b based on the detection result of the position in the XY direction of each moving stage by the laser side length unit control device 30, The chucks 10a and 10b are moved in the XY direction by the X stage 14 and the Y stage 16 to position the substrate 1 in the XY direction.

도 14(a)는 바 미러의 위치 어긋남 관리를 행하지 않은 경우의 각 쇼트의 노광 영역의 일예를 나타내는 도면, 도 14(b)는 본 발명에 의하여 바 미러의 위치 어긋남 관리를 행한 경우의 각 쇼트의 노광 영역의 일예를 나타내는 도면이다. 도 14(a), (b)는, 기판(1)의 6개의 노광 영역(1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f)을 노광 영역마다 6회의 쇼트로 나누어 노광하는 예를 나타내고 있다.Fig. 14A shows an example of an exposure area of each shot when the bar mirror position shift management is not performed, and Fig. 14B shows each shot when the bar mirror position shift management is performed according to the present invention. It is a figure which shows an example of the exposure area | region of this. 14A and 14B show an example in which six exposure regions 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, and 1f of the substrate 1 are divided into six shots for each exposure region.

바 미러(35)에 θ방향의 위치 어긋남이 발생한 경우, 바 미러(35)의 위치 어긋남 관리를 하지 않고, 2개의 분광간섭 레이저 변위계(41)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)이 바 미러(35)와 평행하게 되도록 기판(1)의 θ방향의 위치결정을 행하면, 척(10a, 10b)에 탑재된 기판(1)은, 바 미러(35)가 θ방향으로 위치가 어긋난 만큼, θ방향으로 기울어진 상태로 위치결정이 된다. 그 때문에, 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 각 쇼트의 노광 영역(1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f)은 기판(1) 상에서 각각 θ방향으로 기울어져 버린다.When a position shift in the θ direction occurs in the bar mirror 35, the chucks 10a and 10b are barned from the measurement results of the two spectral interference laser displacement meters 41 without managing the position shift of the bar mirror 35. When the substrate 1 is positioned in the θ direction so as to be parallel to the mirror 35, the substrate 1 mounted on the chucks 10a and 10b is as much as the bar mirror 35 is displaced in the θ direction. Positioning is inclined in the θ direction. Therefore, as shown to Fig.14 (a), the exposure area | region 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f of each shot inclines in the (theta) direction on the board | substrate 1, respectively.

예를 들어, 액정디스플레이장치의 제조에 있어서, TFT기판과 컬러필터기판을 합쳐 붙여서 액정패널을 구성하는 작업은, 통상, 기판(1) 상에 복수의 노광 영역이 노광된 상태에서 행하여진다. 그 때문에 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 각 쇼트의 노광 영역(1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f)이 기판(1) 상에서 각각 θ방향으로 기울어져 버리면, 각 노광 영역에 형성된 패턴의 위치가, 합쳐 붙이려고 하는 TFT기판 상 또는 컬러필터기판상의 각 노광 영역에 형성된 패턴의 위치가 어긋나버리는 문제가 발생한다.For example, in the manufacture of a liquid crystal display device, the operation of forming a liquid crystal panel by combining a TFT substrate and a color filter substrate is usually performed in a state where a plurality of exposure regions are exposed on the substrate 1. Therefore, as shown in Fig. 14A, when the exposure regions 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, and 1f of each shot are inclined in the θ direction on the substrate 1, the patterns formed in the respective exposure regions. The problem arises that the position of the pattern is shifted from the pattern formed in each exposure area on the TFT substrate or the color filter substrate to be joined.

본 실시의 형태에서는, Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하고, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남의 검출결과에 근거하여, 복수의 분광간섭 레이저 변위계(41)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출하므로, 각 이동스테이지의 Y 스테이지(16)에서 열변형에 의한 왜곡이 생겼을 때, 바 미러(35)의 설치상태가 변화하고, 바 미러(35)에 θ방향으로 위치 어긋남이 생기더라도, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임이 정확하게 검출된다. 따라서, 도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 각 쇼트의 노광 영역(1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f)이 기판(1) 상에서 각각 θ방향으로 기울어지는 일 없이, 각 노광 영역에 형성된 패턴의 위치가 합쳐 붙이려고 하는 TFT기판 상 또는 컬러필터기판상의 각 노광 영역에 형성된 패턴의 위치와 어긋난다는 문제가 발생하지 않는다.In the present embodiment, a plurality of spectral interferences are detected on the basis of the detection result of the positional shift in the θ direction of the bar mirror 35 as detected by the bar 35 attached to the Y stage 16. Since the inclination of the chucks 10a and 10b in the θ direction is detected from the measurement result of the laser displacement meter 41, when the distortion due to thermal deformation occurs in the Y stage 16 of each moving stage, Even if the installation state changes and the positional shift occurs in the bar mirror 35 in the θ direction, the inclination of the chucks 10a and 10b in the θ direction is accurately detected. Therefore, as shown in Fig. 14B, the exposure areas 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, and 1f of each shot are formed in each exposure area without inclining in the? Direction on the substrate 1, respectively. There is no problem that the position of the pattern deviates from the position of the pattern formed in each exposure area on the TFT substrate or the color filter substrate to be joined together.

또한, 도 12에 있어서, 기판(1)의 얼라이먼트(스텝 307)는, 마스크(2)와 기판(1)과의 갭조정(스텝 306)중에, 얼라이먼트용의 센서가 기판(1) 및 마스크(2)에 마련된 얼라이먼트용 마크를 검출할 수 있는 거리에 마스크(2)와 기판(1)이 접근한 시점부터 개시하여도 좋다. 그 경우, 마스크(2)와 기판(1)과의 갭조정(스텝 306)과 기판(1)의 얼라이먼트(스텝 307)를 일부 병행하여 행할 수 있으므로, 택트타임이 단축된다.In FIG. 12, in the alignment of the substrate 1 (step 307), the alignment sensor includes the substrate 1 and the mask (during the gap adjustment between the mask 2 and the substrate 1 (step 306). You may start from the time point where the mask 2 and the board | substrate 1 approached the distance which can detect the alignment mark provided in 2). In this case, since the gap adjustment (step 306) of the mask 2 and the board | substrate 1 and the alignment (step 307) of the board | substrate 1 can be performed in parallel, the tact time is shortened.

마스크(2)와 기판(1)과의 갭조정이 종료되고, 쇼트(스텝 308)를 행한 후, 주제어장치(70)는, 모든 쇼트가 종료되었는지의 여부를 판단한다(스텝 309). 모든 쇼트가 종료되지 않은 경우, 주제어장치(70)는, Z-틸트기구를 미리 결정한 마스크(2)와 기판(1)이 접촉할 우려가 없는 퇴피위치로 이동시킨 후, 스테이지 구동회로(80a, 80b)에 의하여 각 이동스테이지의 X 스테이지(14) 및 Y 스테이지(16)를 구동하여, 기판(1)의 XY 방향으로의 스텝이동을 행하고(스텝 310), 기판(1)을 다음의 쇼트를 행하는 위치로 이동시킨다. 그리고 스텝(306)으로 되돌아가서, 모든 쇼트에 대하여 쇼트가 종료할 때까지, 스텝(306) 내지 (310)을 반복한다.After the gap adjustment of the mask 2 and the board | substrate 1 is complete | finished, and shot (step 308) is performed, the main controller 70 judges whether all the shots were complete (step 309). When all the shots are not finished, the main controller 70 moves the X-tilt mechanism to the retracted position where the predetermined mask 2 and the substrate 1 do not come into contact with each other, and then the stage driving circuit 80a, 80b) drives the X stage 14 and the Y stage 16 of each moving stage to perform step movement of the substrate 1 in the XY direction (step 310), and the substrate 1 is subjected to the next short. It moves to the position to perform. Returning to step 306, steps 306 to 310 are repeated until the short ends for all the shots.

모든 쇼트가 종료된 경우, 주제어장치(70)는, Z-틸트기구를 구동하여 마스크(2)와 기판(1)과의 갭을 넓힌 후, 스테이지 구동회로(80a, 80b)에 의하여 각 이동 스테이지의 X 스테이지(14) 및 Y 스테이지(16)를 구동하여, 척(10a, 10b)을 로드/언로드 위치로 이동시킨다(스텝 311). 그리고 로드/언로드 위치에 있어서, 척(10a, 10b)으로부터의 기판(1)의 언로드가 행하여진다(스텝 312).When all the shots are finished, the main controller 70 drives the X-tilt mechanism to widen the gap between the mask 2 and the substrate 1, and then moves the stages by the stage driving circuits 80a and 80b. Drive the X stage 14 and the Y stage 16 to move the chucks 10a and 10b to the load / unload position (step 311). Then, at the load / unload position, the substrate 1 is unloaded from the chucks 10a and 10b (step 312).

도 15 내지 도 17은, 종래의 레이저 변위계의 동작을 설명하는 도면이다. 도 15는, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 있어서, 척(10a)을 탑재하는 이동스테이지에 부착된 레이저 변위계(42)를 나타내고 있다. 척(10a)의 θ방향의 기울임을 검출하기 위한 전용의 바 미러(44)가, 척(10a)의 Y 방향으로 신장되는 한 측면에 부착되어 있다. 2개의 레이저 변위계(42)는, 각각, 암(46)에 의하여, 바 미러(44)의 높이로 X 스테이지(14)에 부착되어 있다. 척(10b)을 탑재하는 이동스테이지에 부착된바 미러(44) 및 레이저 변위계(42)는, 도 15와 X 방향에 있어서 좌우대칭인 구성으로 되어 있다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술에서 사용되고 있는 레이저 변위계(42)는, 삼각측량을 응용한 광학식 변위계로서, 레이저광원으로부터의 레이저광을 피측정물로 조사하고, 피측정물로부터의 반사광을 CCD센서 등의 수광소자로 수광하여, 피측정물의 변위를 측정하는 것이다.15-17 is a figure explaining the operation | movement of the conventional laser displacement meter. FIG. 15 shows the laser displacement meter 42 attached to the moving stage on which the chuck 10a is mounted in Patent Document 1 and Patent Document 2. FIG. An exclusive bar mirror 44 for detecting the inclination of the chuck 10a in the θ direction is attached to one side that extends in the Y direction of the chuck 10a. The two laser displacement meters 42 are attached to the X stage 14 at the height of the bar mirror 44 by the arm 46, respectively. The mirror 44 and the laser displacement meter 42 attached to the moving stage on which the chuck 10b is mounted have a configuration that is symmetrical in FIG. 15 and the X direction. The laser displacement meter 42 used by the technique of patent document 1 and patent document 2 is an optical displacement meter which applied triangulation, irradiates the laser beam from a laser light source with a to-be-measured object, and reflects the reflected light from a to-be-measured object. It receives by a light receiving element, such as a CCD sensor, and measures the displacement of a to-be-measured object.

특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술에서는, 척(10a, 10b)에 바 미러(44)를 부착하고, X 스테이지(14)에 마련한 복수의 레이저 변위계(42)에 의하여, 바 미러(44)의 변위를 복수 개소에서 측정하여, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출하고 있다. 그 때문에, 전용의 바 미러(44)가 필요하게 되는데, 이 바 미러(44)는, 표면을 고정밀도로 평탄하게 가공할 필요가 있기 때문에, 매우 고가이고 막대한 비용이 든다.In the technique described in Patent Document 1 and Patent Document 2, the bar mirror 44 is attached to the chucks 10a and 10b and the plurality of laser displacement meters 42 provided on the X stage 14 provide the bar mirrors 44. Is measured at a plurality of locations, and the tilt of the chucks 10a and 10b in the θ direction is detected. For this reason, a dedicated bar mirror 44 is required. Since the bar mirror 44 needs to be processed to have a high precision and flat surface, it is very expensive and expensive.

본 실시의 형태에서는, 척(10a, 10b)에 복수의 분광간섭 레이저 변위계(41)를 마련하고, 복수의 분광간섭 레이저 변위계(41)에 의하여, Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)까지의 거리를 복수 개소에서 측정하고, 복수의 분광간섭 레이저 변위계(41)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출하므로, Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)가, 레이저 간섭계(33)를 사용한 이동스테이지의 위치의 검출과, 복수의 분광간섭 레이저 변위계(41)를 사용한 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출함에 겸용되어, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출하기 위한 전용의 바 미러가 필요 없게 된다.In the present embodiment, a plurality of spectral interference laser displacement meters 41 are provided on the chucks 10a and 10b, and the mirrors 35 are attached to the Y stage 16 by the plural spectral interference laser displacement meters 41. The distance to is measured at a plurality of locations, and the tilt of the chucks 10a and 10b in the θ direction is detected from the measurement results of the plurality of spectral interference laser displacement meters 41, and thus the mirror 35 attached to the Y stage 16 is provided. ) Is used to detect the position of the moving stage using the laser interferometer 33 and to detect the inclination of the chucks 10a and 10b using the plural spectral interference laser displacement meters 41, so that the chuck 10a, There is no need for a dedicated bar mirror for detecting tilt in the θ direction of 10b).

도 16은, 도 15에 나타낸 상태에서, 척(10a)을 Y 스테이지(16)에 의하여 Y 방향으로 이동한 상태를 나타내고 있다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술에서는, X 스테이지(14)에 레이저 변위계(42)를 마련하고 있기 때문에, 노광 위치에 있어서의 기판의 스텝이동시에, 척(10a, 10b)을 Y 스테이지(16)에 의하여 Y 방향으로 이동하면, 도 15 및 도 16에서 나타내는 바와 같이, 바 미러(44)의 위치가 레이저 변위계(42)에 대하여 변화한다. 그 때문에, 측정결과에는 바 미러(44)의 평탄도에 의한 오차가 포함될 우려가 있었다.FIG. 16 shows a state in which the chuck 10a is moved in the Y direction by the Y stage 16 in the state shown in FIG. 15. In the techniques described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, since the laser displacement meter 42 is provided on the X stage 14, the chucks 10a and 10b are moved to the Y stage at the time of step movement of the substrate at the exposure position. 16, the position of the bar mirror 44 changes with respect to the laser displacement meter 42, as shown to FIG. 15 and FIG. Therefore, the measurement result may include an error due to the flatness of the bar mirror 44.

도 17(a)는, 도 15에 나타낸 상태에서, 척(10a)이 θ방향으로 기울어졌을 때의 레이저 변위계(42)와 바 미러(44)와의 위치관계를 나타내고, 도 17(b)는, 도 16에 나타낸 상태에서, 척(10a)이 θ방향으로 기울어진 때의 레이저 변위계(42)와 바 미러(44)와의 위치관계를 나타내고 있다.FIG. 17A shows the positional relationship between the laser displacement meter 42 and the bar mirror 44 when the chuck 10a is inclined in the θ direction in the state shown in FIG. 15, and FIG. In the state shown in FIG. 16, the positional relationship of the laser displacement meter 42 and the bar mirror 44 when the chuck | zipper 10a is inclined in (theta) direction is shown.

특허문헌 1 및 특허문헌 2 에 기재되어 있는 바와 같이, 복수의 레이저 변위계(42)를 사용하여 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출하는 경우, 복수의 레이저 변위계(42)를 보다 간격을 두고 설치할수록, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 정밀도 좋게 검출할 수 있다. 그러나 레이저 변위계(42)의 출력특성은 직선성이 부족하여, 측정범위를 넓히면 측정오차가 커진다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2 에 기재된 기술에서는, 척(10a, 10b)이 θ방향으로 기울어진 상태에서, 척(10a, 10b)을 Y 스테이지(16)에 의하여 Y 방향으로 이동하면, 도 17(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 각 레이저 변위계(42)로부터 바 미러(44)까지의 거리가 변동하기 때문에, 복수의 레이저 변위계(42)를 보다 간격을 두고 설치하면, 레이저 변위계(42)의 측정범위가 넓어지고, 측정오차가 커질 우려가 있었다.As described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, when a plurality of laser displacement meters 42 are used to detect the inclination of the chucks 10a and 10b in the θ direction, the plurality of laser displacement meters 42 is further spaced apart. The more inclined the more, the more accurate the tilting of the chucks 10a and 10b in the θ direction can be detected. However, the output characteristics of the laser displacement meter 42 lack the linearity, and the measurement error increases when the measurement range is widened. In the techniques described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, when the chucks 10a and 10b are moved in the Y direction by the Y stage 16 in a state where the chucks 10a and 10b are inclined in the θ direction, FIG. As shown in a) and (b), since the distance from each laser displacement meter 42 to the bar mirror 44 fluctuates, when the several laser displacement meter 42 is provided at more space | interval, the laser displacement meter 42 is provided. ), The measurement range widened, and there was a fear that the measurement error increased.

도 18 및 도 19는, 분광간섭 레이저 변위계의 동작을 설명하는 도면이다. 도 18 및 도 19는, 기판(1)을 각 쇼트를 행하는 위치로 이동한 상태를 나타내고 있고, 도 19에서는, 척(10a, 10b)이, 각 이동스테이지의 Y 스테이지(16)에 의하여, 도 18에 나타낸 상태에서 Y 방향으로 이동되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 노광 위치에 있어서의 기판(1)의 스텝이동시에, 척(10a, 10b)을 이동스테이지에 의하여 XY 방향으로 이동하여도, 도 18 및 도 19에 나타내는 바와 같이, 분광간섭 레이저 변위계(41)가 항상 바 미러(35)의 동일한 개소에 대하여 측정을 행하기 때문에, 바 미러(35)의 평탄도에 의한 측정오차가 없어진다. 또한, 척(10a, 10b)이 θ방향으로 기울어진 상태에서, 척(10a, 10b)을 이동스테이지에 의하여 XY 방향으로 이동하여도, 분광간섭 레이저 변위계(41)로부터 바 미러(35)까지의 거리가 변동하지 않고, 측정범위가 넓어지지 않으므로, 복수의 분광간섭 레이저 변위계(41)를 보다 간격을 두고 설치할 수 있다.18 and 19 are diagrams for explaining the operation of the spectral interference laser displacement meter. 18 and 19 show a state in which the substrate 1 is moved to the position where each shot is performed. In FIG. 19, the chucks 10a and 10b are moved by the Y stage 16 of each moving stage. In the state shown in 18, it is moved in the Y direction. In the present embodiment, as shown in Figs. 18 and 19, even when the chucks 10a and 10b are moved in the XY direction by the moving stage at the time of the step movement of the substrate 1 in the exposure position, the spectral interference Since the laser displacement meter 41 always measures the same location of the bar mirror 35, the measurement error due to the flatness of the bar mirror 35 is eliminated. Further, even when the chucks 10a and 10b are inclined in the θ direction, even if the chucks 10a and 10b are moved in the XY direction by the moving stage, the spectral interference laser displacement meter 41 to the bar mirror 35 is carried out. Since the distance does not fluctuate and the measurement range is not widened, a plurality of spectral interference laser displacement meters 41 can be provided at more intervals.

또한, 레이저 변위계(42)의 출력특성은, 설치상태에 의하여 변동하고, 피측정물의 미소한 각도변화에 대하여 선 형성이 달라진다. 그 때문에, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 복수의 레이저 변위계(42)를 사용하여 척의 θ방향의 기울임을 검출하는 경우, 각 레이저 변위계의 측정치에 척(10a, 10b)의 각도에 의존한 변동치가 포함되어, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 고정밀도로 검출할 수 없는 우려가 있었다. In addition, the output characteristics of the laser displacement meter 42 vary depending on the installation state, and the line formation changes with respect to the minute angle change of the object under test. Therefore, as described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, when a plurality of laser displacement meters 42 are used to detect the inclination of the chuck in the θ direction, the measured values of the respective laser displacement meters are applied to the chucks 10a and 10b. There existed a possibility that the fluctuation | variation value depending on an angle was included, and the inclination of the chuck | zipper 10a, 10b of the (theta) direction cannot be detected with high precision.

본 실시의 형태에서 사용하는 분광간섭 레이저 변위계(41)는, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술에서 사용되고 있는 레이저 변위계(42)에 비하여, 피측정물의 미소한 각도변화에 의한 출력특성의 변화가 작고 고정밀도이나, 측정범위가 좁다. 본 발명에서는, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 기술과 달리, 척(10a, 10b)이 θ방향으로 기울어진 상태에서, 척(10a, 10b)을 이동스테이지에 의하여 XY 방향으로 이동하여도, 분광간섭 레이저 변위계(41)로부터 바 미러(35)까지의 거리가 변동하지 않으므로, 측정범위가 좁고 고정밀도인 분광간섭 레이저 변위계(41)를 사용할 수가 있어, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 보다 정밀도 좋게 검출할 수 있다.The spectral interference laser displacement meter 41 used in the present embodiment is compared with the laser displacement meter 42 used in the techniques described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2, and the change in output characteristics due to the slight angle change of the object to be measured. Is small and high precision, but the measuring range is narrow. In the present invention, unlike the techniques described in Patent Documents 1 and 2, even when the chucks 10a and 10b are inclined in the θ direction, the chucks 10a and 10b are moved in the XY direction by the moving stage. Since the distance from the spectral interference laser displacement meter 41 to the bar mirror 35 does not fluctuate, a narrow and highly accurate spectral interference laser displacement meter 41 can be used, and the chucks 10a and 10b are in the θ direction. Tilt can be detected more accurately.

이상 설명한 본 실시의 형태에 의하면, 각 이동스테이지의 Y 스테이지(16)에 바 미러(35)를 부착하고, 레이저 간섭계(33)에 의하여, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(35)에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고, 측정결과로부터, 각 이동스테이지의 Y 방향의 위치를 검출하고, 각 이동스테이지의 Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하고, 척(10a, 10b)에 복수의 광학식 변위계(41)를 마련하고, 복수의 광학식 변위계(41)에 의하여, 각 이동스테이지의 Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)까지의 거리를 복수 개소에서 측정하고, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남의 검출결과에 근거하여, 복수의 광학식 변위계(41)의 측정결과로부터, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 검출함으로써, 염가인 구성으로, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 정밀도 좋게 검출하여, 기판(1)의 θ방향의 위치결정을 정밀도 좋게 행할 수가 있다.According to this embodiment described above, the bar mirror 35 is attached to the Y stage 16 of each moving stage, and the laser beam and the bar mirror 35 from the laser light source 31 are attached by the laser interferometer 33. The interference with the laser beam reflected by the < RTI ID = 0.0 >), and < / RTI > the position in the Y direction of each moving stage from the measurement result, and attached to the Y stage 16 of each moving stage, The position shift is detected, a plurality of optical displacement meters 41 are provided in the chucks 10a and 10b, and the plurality of optical displacement meters 41 are attached to the Y stage 16 of the respective moving stages to form a mirror 35. The distance to is measured at a plurality of locations, and based on the detection results of the positional shift in the θ direction of the bar mirror 35, from the measurement results of the plurality of optical displacement meters 41 in the θ direction of the chucks 10a and 10b. By detecting tilting, the structure is inexpensive, and the θ direction of the chucks 10a and 10b is Can be detected with high accuracy, and the substrate 1 can be accurately positioned in the [theta] direction.

게다가, Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)의 표면은, 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크(37)를 마련하고, 바 미러(35)에 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상을 취득하고, 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상을 처리하여 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 위치를 검출하고, 검출한 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 위치로부터 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출함으로써, 각 위치 어긋남의 검출용 마크(37)의 화상처리에 의하여, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 정밀도 좋게 검출할 수가 있다.In addition, the surface of the mirror 35 attached to the Y stage 16 provides a plurality of mark 37 for detection of position shift, and the mark 37 for detection of position shift in the bar mirror 35. Acquires an image of the image, processes the image of the acquired detection mark 37 of each positional deviation, detects the position of the detection mark 37 of the positional deviation, and detects the detection mark 37 of the detected positional deviation By detecting the positional shift in the θ direction of the bar mirror 35 from the position of, the positional shift in the θ direction of the bar mirror 35 can be accurately detected by image processing of the detection mark 37 for each positional deviation. There is a number.

혹은, 복수의 레이저 간섭계(33)에 의하여, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(35)에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 복수의 레이저 간섭계(33)의 측정결과로부터, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출함으로써, 각 이동스테이지의 Y 방향의 위치를 검출하기 위한 레이저 간섭계(33)를 이용하여, 바 미러(35)의 θ방향의 위치 어긋남을 검출할 수가 있다.Alternatively, the plurality of laser interferometers 33 measure the interference between the laser light from the laser light source 31 and the laser light reflected by the bar mirror 35 by using the plurality of laser interferometers 33. From the measurement result of, by detecting the positional shift in the θ direction of the bar mirror 35, by using the laser interferometer 33 for detecting the position in the Y direction of each moving stage, the θ direction of the bar mirror 35 is obtained. Position shift can be detected.

게다가, 광학식 변위계로서, 분광간섭 레이저 변위계(41)를 사용함으로써, 척(10a, 10b)의 θ방향의 기울임을 정밀도를 좋게 검출할 수가 있다.In addition, by using the spectral interference laser displacement meter 41 as the optical displacement meter, the inclination of the chucks 10a and 10b in the θ direction can be detected with good accuracy.

또한, 복수의 레이저 간섭계(33)에 의하여, 레이저광원(31)으로부터의 레이저광과 바 미러(35)에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고, 복수의 레이저 간섭계(33)의 측정결과로부터, X 스테이지(14) 및 Y 스테이지(16)가 이동할 때의 요잉을 검출함으로써, Y 스테이지(16)에 부착한바 미러(35)를 이용하여, 이동스테이지가 이동할 때의 요잉을 검출할 수가 있다.In addition, the plurality of laser interferometers 33 measure the interference between the laser light from the laser light source 31 and the laser light reflected by the bar mirror 35 by using the plurality of laser interferometers 33. By detecting the yaw when the X stage 14 and the Y stage 16 move from the measurement result of, the yaw when the moving stage moves using the mirror 35 attached to the Y stage 16 is detected. You can do it.

본 발명의 프록시미티 노광장치를 사용하여 기판의 노광을 행하거나, 혹은 본 발명의 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법을 사용하여 기판의 위치결정을 하여 기판의 노광을 행함으로써, 노광시의 기판의 θ방향의 위치결정을 정밀도 좋게 할 수가 있으므로, 패턴의 프린트를 정밀도 좋게 행하고, 고품질의 기판을 제조하는 것이 가능하다.Substrate at the time of exposure by performing exposure of a board | substrate using the proximity exposure apparatus of this invention, or performing exposure of a board | substrate by positioning a board | substrate using the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus of this invention. Since the positioning in the? Direction can be made precise, the pattern can be printed with high precision and a high quality substrate can be manufactured.

예를 들어, 도 20은, 액정디스플레이장치의 TFT기판의 제조공정의 일예를 나타내는 플로차트이다. 박막형성공정(스텝 101)에서는, 스패터법이나 플라스마화학기상성장(CVD)법 등에 의하여, 기판상에 액정구동용의 투명전극이 되는 도전체막이나 절연체막 등의 박막을 형성한다. 레지스트 도포공정(스텝 102)에서는 롤도포법 등에 의하여 감광수지재료(포토레지스트)를 도포하고, 박막형성공정(스텝 101)에서 형성한 박막 상에 포토레지스트막을 형성한다. 노광 공정(스텝 103)에서는, 프록시미티 노광장치나 투영 노광장치 등을 사용하여, 마스크의 패턴을 포토레지스트막에 전사한다. 현상공정(스텝 104)에서는, 샤워현상법 등에 의하여 현상액을 포토레지스트막 상에 공급하고, 포토레지스트막의 불필요한 부분을 제거한다. 에칭 공정(스텝 105)에서는, 웨트에칭에 의하여, 박막형성공정(스텝 101)에서 형성한 박막 내에 포토레지스트막으로 마스크되어 있지 않은 부분을 제거한다. 박리공정(스텝 106)에서는, 에칭 공정(스텝 105)에서의 마스크의 역할을 마친 포토레지스트막을, 박리액에 의하여 박리한다. 이들의 각 공정 전 또는 후에는, 필요에 따라서, 기판의 세척/건조공정이 실시된다. 이들의 공정을 수회 반복하여, 기판상에 TFT 어레이가 형성된다.For example, FIG. 20 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device. In the thin film formation step (step 101), a thin film such as a conductor film or insulator film, which becomes a transparent electrode for liquid crystal driving, is formed on a substrate by the spatter method, plasma chemical vapor deposition (CHD) method, or the like. In the resist coating step (step 102), a photoresist material (photoresist) is applied by a roll coating method or the like, and a photoresist film is formed on the thin film formed in the thin film forming step (step 101). In an exposure process (step 103), the pattern of a mask is transferred to a photoresist film using a proximity exposure apparatus, a projection exposure apparatus, etc. In the developing step (step 104), the developer is supplied onto the photoresist film by a shower development method or the like to remove unnecessary portions of the photoresist film. In the etching step (step 105), the portions not masked by the photoresist film are removed in the thin film formed in the thin film forming step (step 101) by wet etching. In a peeling process (step 106), the photoresist film which completed the role of the mask in an etching process (step 105) is peeled with a peeling liquid. Before or after each of these steps, a substrate washing / drying step is performed as necessary. By repeating these processes several times, a TFT array is formed on a substrate.

또한, 도 21은, 액정디스플레이장치의 컬러필터기판의 제조공정의 일예를 나타내는 플로차트이다. 블랙매트릭스 형성공정(스텝 201)에서는, 레지스트도포, 노광, 현상, 에칭, 박리 등의 처리에 의하여, 기판상에 블랙매트릭스를 형성한다. 착색패턴 형성공정(스텝 202)에서는, 염색법, 안료분산법, 인쇄법, 전착법 등에 의하여, 기판상에 착색패턴을 형성한다. 이 공정을 R, G, B의 착색패턴에 대하여 반복한다. 보호막 형성공정(스텝 203)에서는 착색패턴 상에 보호막을 형성하고, 투명전극막 형성공정(스텝 204)에서는 보호막 상에 투명전극막을 형성한다. 이들의 각 공정 전, 도중 또는 후에는, 필요에 따라 기판의 세척/건조공정이 실시된다.21 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the color filter substrate of the liquid crystal display device. In the black matrix forming step (step 201), a black matrix is formed on the substrate by processing such as resist coating, exposure, development, etching, and peeling. In a coloring pattern formation process (step 202), a coloring pattern is formed on a board | substrate by a dyeing method, a pigment dispersion method, the printing method, an electrodeposition method, etc. This process is repeated for the colored patterns of R, X, and Y. In the protective film forming step (step 203), a protective film is formed on the colored pattern, and in the transparent electrode film forming step (step 204), a transparent electrode film is formed on the protective film. Before, during or after each of these steps, a substrate washing / drying step is performed as necessary.

도 20에 나타낸 TFT기판의 제조공정에서는, 노광 공정(스텝 103)에 있어서, 도 21에 나타낸 컬러필터기판의 제조공정에서는, 블랙매트릭스 형성공정(스텝 201)의 노광 처리에 있어서, 본 발명의 프록시미티 노광장치 및 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법을 적용할 수가 있다.In the manufacturing process of the TFT substrate shown in FIG. 20, in the exposure process (step 103), in the manufacturing process of the color filter substrate shown in FIG. 21, in the exposure process of the black matrix forming process (step 201), the proxy of the present invention. The substrate positioning method of the miti exposure apparatus and the proximity exposure apparatus can be applied.

1…기판 2…마스크
10a, 10b…척 11…주 스테이지 베이스
11a, 11b…부 스테이지 베이스
12…베이스 13…X 가이드
14…X 스테이지 15…Y 가이드
16…Y 스테이지 17…θ스테이지
19…척 지지대 20…마스크 홀더
30…레이저측장유닛 제어장치 31…레이저광원
32a, 32b, 33…레이저 간섭계 34a, 34b, 35…바 미러
36…암 37…위치 어긋남의 검출용 마크
40…레이저 변위계 제어장치 41…분광간섭 레이저 변위계
50부착구 60…화상처리장치
61…카메라 70…주제어장치
71, 72…입출력 인터페이스회로 80a, 80b…스테이지 구동회로
One… Substrate 2... Mask
10a, 10b... Chuck 11. Main stage base
11a, 11b ... Second stage base
12 ... Base 13... X guide
14 ... X stage 15... Y guide
16 ... Y stage 17... θ Stage
19 ... Chuck support 20... Mask holder
30 ... Laser measuring unit control unit 31.. Laser light source
32a, 32b, 33... Laser interferometers 34a, 34b, 35... Bar mirror
36 ... Cancer 37... Mark for detection of misalignment
40 ... Laser displacement meter controller 41.. Spectral Interference Laser Displacement Meter
50 …. Attachment hole 60.. Image processing device
61 ... Camera 70... Main controller
71, 72... I / O interface circuits 80a and 80b. Stage drive circuit

Claims (10)

기판을 지지하는 척과, 마스크를 유지하는 마스크 홀더를 구비하고, 마스크와 기판과의 사이에 미소한 갭을 마련하고, 마스크의 패턴을 기판으로 전사하는 프록시미티 노광장치에 있어서,
X 방향(또는 Y 방향)으로 이동하는 제1의 스테이지, 제1의 스테이지에 탑재되어 Y 방향(또는 X 방향)으로 이동하는 제2의 스테이지, 및 제2의 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3의 스테이지를 가지고, 상기 척을 탑재하여, 상기 척에 지지된 기판의 위치결정을 행하는 이동스테이지와,
레이저광을 발생하는 광원, 상기 제1의 스테이지에 부착된 제1의 반사수단, 상기 제2의 스테이지에 부착된 제2의 반사수단, 광원으로부터의 레이저광과 제1의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하는 제1의 레이저 간섭계, 및 광원으로부터의 레이저광과 제2의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하는 제2의 레이저 간섭계를 가지는 레이저측장유닛과,
상기 제1의 레이저 간섭계 및 상기 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 상기 이동스테이지의 XY 방향의 위치를 검출하는 제1의 검출수단과,
상기 제2의 스테이지에 부착된 상기 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 위치 어긋남 검출수단과,
상기 척에 마련되고, 상기 제2의 스테이지에 부착된 상기 제2의 반사수단까지의 거리를 복수 개소에서 측정하는 복수의 광학식 변위계와,
상기 위치 어긋남 검출수단에 의하여 검출한 상기 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남에 근거하여, 상기 복수의 광학식 변위계의 측정결과로부터, 상기 척의 θ방향의 기울임을 검출하는 제2의 검출수단과,
상기 이동스테이지를 구동하는 스테이지 구동회로와,
상기 제2의 검출수단의 검출결과에 근거하여, 상기 스테이지 구동회로를 제어하고, 상기 제 3의 스테이지에 의하여 상기 척을 θ방향으로 회전시켜서, 기판의 θ방향의 위치결정을 행하고, 상기 제1의 검출수단의 검출결과에 근거하여, 상기 스테이지 구동회로를 제어하고, 상기 제1의 스테이지 및 상기 제2의 스테이지에 의하여 상기 척을 XY 방향으로 이동시켜서, 기판의 XY 방향의 위치결정을 행하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치.
A proximity exposure apparatus comprising a chuck for supporting a substrate and a mask holder for holding a mask, providing a small gap between the mask and the substrate, and transferring the pattern of the mask to the substrate,
A first stage moving in the X direction (or Y direction), a second stage mounted on the first stage and moving in the Y direction (or X direction), and mounted in the second stage and rotating in the θ direction A moving stage having a third stage, mounting the chuck to position the substrate supported by the chuck;
Reflected by a light source for generating laser light, first reflecting means attached to the first stage, second reflecting means attached to the second stage, laser light from the light source and the first reflecting means A laser measuring unit having a first laser interferometer for measuring interference with the laser light, and a second laser interferometer for measuring interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means;
First detection means for detecting a position in the XY direction of the moving stage from measurement results of the first laser interferometer and the second laser interferometer;
Position shift detection means for detecting position shift in the θ direction of the second reflecting means attached to the second stage;
A plurality of optical displacement meters provided in the chuck and measuring a distance to the second reflecting means attached to the second stage at a plurality of places;
Second detection means for detecting an inclination of the chuck in the θ direction from measurement results of the plurality of optical displacement meters based on the position shift in the θ direction of the second reflecting means detected by the position shift detecting means; ,
A stage driving circuit for driving the moving stage;
Based on the detection result of the second detection means, the stage driving circuit is controlled, the chuck is rotated in the θ direction by the third stage, the substrate is positioned in the θ direction, and the first stage is positioned. A control for controlling the stage driving circuit based on the detection result of the detecting means, and positioning the substrate in the XY direction by moving the chuck in the XY direction by the first stage and the second stage. Proximity exposure apparatus comprising a means.
제 1항에 있어서,
상기 제2의 스테이지에 부착된 상기 제2의 반사수단은, 표면에 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크를 가지고,
상기 위치 어긋남 검출수단은, 상기 제2의 반사수단의 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 취득하는 복수의 화상취득장치와, 각 화상취득장치에 의하여 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 처리하여, 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치를 검출하는 화상처리장치를 가지고, 그 화상처리장치에 의하여 검출된 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치로부터, 상기 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치.
The method of claim 1,
The second reflecting means attached to the second stage has a plurality of marks for detection of positional deviation on a surface,
The position shift detection means includes a plurality of image acquisition devices for acquiring images of the plurality of position shift detection marks of the second reflecting means, and an image of each position shift detection mark acquired by each image acquisition device. And an image processing apparatus for detecting the position of the mark for detecting each positional shift, and from the position of the mark for detecting the positional shift detected by the image processing apparatus, in the θ direction of the second reflecting means. Proximity exposure apparatus, characterized in that for detecting the positional deviation.
제 1항에 있어서,
상기 레이저측장유닛은, 상기 제2의 레이저 간섭계를 복수 가지고,
상기 위치 어긋남 검출수단은, 상기 복수의 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 상기 제2의 스테이지에 부착된 상기 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치.
The method of claim 1,
The laser measuring unit has a plurality of the second laser interferometer,
The position shift detection means detects position shift in the θ direction of the second reflecting means attached to the second stage from measurement results of the plurality of second laser interferometers. Device.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 광학식 변위계는, 넓은 파장 대역의 빛을 참조 반사면 및 피측정물로 조사하고, 참조반사면으로부터의 반사광과 피측정물로부터의 반사광과의 간섭광의 파장 및 강도로부터, 피측정물까지의 거리를 측정하는 분광간섭 레이저 변위계인 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The plurality of optical displacement meters irradiate light of a wide wavelength band to the reference reflection surface and the object to be measured, and from the wavelength and intensity of the interference light between the reflected light from the reference reflection surface and the reflected light from the object to be measured to the object to be measured. Proximity exposure apparatus, characterized in that the spectroscopic laser displacement meter for measuring the distance of.
기판을 지지하는 척과, 마스크를 유지하는 마스크 홀더를 구비하고, 마스크와 기판과의 사이에 미소한 갭을 마련하여, 마스크의 패턴을 기판으로 전사하는 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법으로서,
X 방향(또는 Y 방향)으로 이동하는 제1의 스테이지, 제1의 스테이지에 탑재되어 Y 방향(또는 X 방향)으로 이동하는 제2의 스테이지, 및 제2의 스테이지에 탑재되어 θ방향으로 회전하는 제 3의 스테이지를 가지는 이동스테이지에 척을 탑재하고,
제1의 스테이지에 제1의 반사수단을 부착하고, 제1의 레이저 간섭계에 의하여, 광원으로부터의 레이저광과 제1의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고,
제2의 스테이지에 제2의 반사수단을 부착하고, 제2의 레이저 간섭계에 의하여, 광원으로부터의 레이저광과 제2의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 측정하고,
제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하고,
척에 복수의 광학식 변위계를 마련하고, 복수의 광학식 변위계에 의하여, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단까지의 거리를 복수 개소에서 측정하고,
제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남의 검출결과에 근거하여, 복수의 광학식 변위계의 측정결과로부터 척의 θ방향의 기울임을 검출하고, 검출결과에 근거하여, 제 3의 스테이지에 의하여 척을 θ방향으로 회전시켜서 기판의 θ방향의 위치결정을 행하고,
제1의 레이저 간섭계 및 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터 이동스테이지의 XY 방향의 위치를 검출하고, 검출결과에 근거하여, 제1의 스테이지 및 제2의 스테이지에 의하여 척을 XY 방향으로 이동하여 기판의 XY 방향의 위치결정을 행하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법.
A substrate positioning method of a proximity exposure apparatus comprising a chuck for supporting a substrate and a mask holder for holding a mask, providing a small gap between the mask and the substrate, and transferring the pattern of the mask to the substrate.
A first stage moving in the X direction (or Y direction), a second stage mounted on the first stage and moving in the Y direction (or X direction), and mounted in the second stage and rotating in the θ direction The chuck is mounted on a moving stage having a third stage,
The first reflecting means is attached to the first stage, and the first laser interferometer measures the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the first reflecting means,
A second reflecting means is attached to the second stage, and the second laser interferometer measures the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means,
Position shift in the θ direction of the second reflecting means attached to the second stage is detected,
A plurality of optical displacement meters are provided in the chuck, and the distances to the second reflecting means attached to the second stage are measured at a plurality of places by the plurality of optical displacement meters,
Based on the detection result of the positional shift in the θ direction of the second reflecting means, the tilt of the chuck direction is detected from the measurement results of the plurality of optical displacement meters, and the chuck is struck by the third stage based on the detection result. Direction to rotate the substrate in the θ direction,
The position in the XY direction of the moving stage is detected from the measurement results of the first laser interferometer and the second laser interferometer, and based on the detection result, the chuck is moved in the XY direction by the first stage and the second stage. A substrate positioning method of a proximity exposure apparatus, wherein the substrate is positioned in the XY direction.
제 5항에 있어서,
제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 표면에, 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크를 마련하고,
제2의 반사수단의 복수의 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 취득하고, 취득한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 화상을 처리하여, 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치를 검출하고, 검출한 각 위치 어긋남의 검출용 마크의 위치로부터, 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법.
6. The method of claim 5,
On the surface of the second reflecting means attached to the second stage, a plurality of marks for detection of positional deviation are provided,
Acquire images of the plurality of marks for detecting the positional shift of the second reflecting means, process images of the acquired marks for the detection of the positional shift, and detect the positions of the marks for the detection of the positional shift. A position shift in the θ direction of the second reflecting means is detected from the position of the mark for detecting the position shift. The substrate positioning method of the proximity exposure apparatus.
제 5항에 있어서,
복수의 제2의 레이저 간섭계에 의하여, 광원으로부터의 레이저광과 제2의 반사수단에 의하여 반사된 레이저광과의 간섭을 복수 개소에서 측정하고,
복수의 제2의 레이저 간섭계의 측정결과로부터, 제2의 스테이지에 부착한 제2의 반사수단의 θ방향의 위치 어긋남을 검출하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법.
6. The method of claim 5,
By a plurality of second laser interferometers, the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the second reflecting means is measured at a plurality of places,
The position shift of (theta) direction of the 2nd reflecting means attached to a 2nd stage is detected from the measurement result of a some 2nd laser interferometer, The substrate positioning method of a proximity exposure apparatus characterized by the above-mentioned.
제 5항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
광학식 변위계로서, 넓은 파장 대역의 빛을 참조 반사면 및 피측정물로 조사하고, 참조반사면으로부터의 반사광과 피측정물로부터의 반사광과의 간섭광의 파장 및 강도로부터, 피측정물까지의 거리를 측정하는 분광간섭 레이저 변위계를 사용하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법.
8. The method according to any one of claims 5 to 7,
As an optical displacement meter, light of a wide wavelength band is irradiated to the reference reflecting surface and the object to be measured, and the distance from the wavelength and intensity of the interference light between the reflected light from the reference reflecting surface and the reflected light from the object to be measured is measured. A substrate positioning method of a proximity exposure apparatus, characterized by using a spectroscopic interferometric laser displacement meter.
삭제delete 제 5항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 프록시미티 노광장치의 기판위치 결정방법을 사용하여 기판을 위치결정하고, 기판의 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 표시용 패널기판의 제조방법.
A method for manufacturing a display panel substrate, wherein the substrate is positioned using the substrate positioning method of the proximity exposure apparatus according to any one of claims 5 to 7, and the substrate is exposed.
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