KR20100090213A - 라디오 주파수 전력 제어 시스템 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 4
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
Description
도 1은 종래 기술에 따른 라디오 주파수(RF) 시스템을 예시적으로 보여주는 블록도이다.
도 2a 및 2b는 선택적인 주파수 분포 없는 스펙드럼도들을 나타낸다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 실시 예에 따른 RF 시스템들을 예시적으로 보여주는 블록도들이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 실시 예에 따른 주파수 할당을 설명하는 도면들이다.
도 5a 및 5b는 본 발명의 실시 예에 따른 하나의 수신된 신호의 왜곡을 설명하는 주파수 플롯들이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 RF 시스템을 예시적으로 보여주는 블록도이다.
122: RF 소스 129: 프로세싱 모듈
132: 제어 모듈 136: 매칭 네트워크
Claims (46)
- M개의 미리 정해진 주파수 구간들을 할당하는 제어 모듈; 및
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 할당되는 각각의 주파수 구간 안의 주파수들에서 제 1 RF 전력을 플라즈마 챔버 안의 전극들에 각각 인가하고, 상기 플라즈마 챔버로부터의 피드백을 포함하는 제 2 RF 전력에 각각 응답하는 N개의 RF 소스들을 포함하고,
상기 N개의 RF 소스들은 상기 제 2 RF 전력 및 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 각각의 주파수 구간에 근거하여 제 1 RF 전력을 조정하는 프로세싱 모듈을 각각 포함하고,
M 및 N은 1보다 큰 정수인 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 L개가 중첩하고, L은 1보다 큰 정수인 라디오 주파수 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 제어 모듈은 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 L개에 속한 멤버들을 상기 전극들 중 이웃하지 않는 전극들과 통신하는 상기 N개의 RF 소스들에 속한 멤버들에 할당하는 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 J개는 미리 정해진 같은 주파수 구간에 대응하고, J는 1과 같거나 1보다 큰 정수인 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들은 각각 정합(matching) 길이이고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들은 중첩하지 않으며, M=N인 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 Q개는 각각 정합 길이이고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 P개는 각각 다른 길이들이며, Q 및 P는 1과 같거나 1보다 큰 정수인 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 N개의 RF 소스들 각각은 상기 제 1 및 제 2 RF 전력이 상기 프로세싱 모듈에서 처리되기 전에 상기 제 1 및 제 2 전력의 간섭 성분들을 걸러내는 협대역(narrow band) 필터를 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 N개의 RF 소스들과 통신하는 N개의 매칭 네트워크들을 더 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 챔버; 및
상기 N개의 RF 소스들과 상기 플라즈마 챔버 사이에 삽입되는 N개의 매칭 네트워크들을 더 포함하고,
상기 N개의 매칭 네트워크들은 상기 N개의 매칭 네트워크들의 요소들을 위한 세트 포인트(set point)를 제어하는 상기 N개의 RF 소스들 각각을 위한 프로세싱 모듈로부터의 신호들에 근거하여 상기 N개의 RF 소스들과 상기 플라즈마 챔버 사이의 임피던스들을 정합하는 라디오 주파수 시스템. - 제 9 항에 있어서,
상기 N개의 매칭 네트워크들과 상기 플라즈마 챔버 사이에 위치하고, 상기 N개의 매칭 네트워크들과 상기 플라즈마 챔버로부터의 제 2 RF 전력을 감지하는 N개의 센서들을 더 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 10 항에 있어서,
상기 제어 모듈은 상기 N개의 센서들로부터의 신호들에 근거하여 하나 또는 그 이상의 상기 RF 소스들의 주파수들을 위한 위상들을 선택적으로 제공하는 위상 모듈을 더 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 N개의 RF 소스들 각각을 위한 프로세싱 모듈들은 적어도 하나의 의사랜덤 변조 스킴(pseudorandom modulation scheme) 및 복소 주파수 변조 스킴(complex frequency modulation scheme)에 근거하여 상기 N개의 RF 소스들 각각에 의해 RF 전력 출력을 위한 주파수들을 변조하는 변조 모듈들을 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 12 항에 있어서,
상기 변조 모듈들은 주파수 편이 방식(Frequency-Shift Keying, FSK), 위상 편이 방식(Phase-Shift Keying, PSK), 직교 위상 편이 방식(Quadrature Phase-Shift Keying, QPSK), 주파수 호핑(hopping) 방식 및 고속 주파수 스위핑(fast frequency sweeping) 방식 중 적어도 하나의 방식을 이용하여 상기 주파수들을 변조하는 라디오 주파수 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제어 모듈은 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 하나를 공유하는 상기 N개의 RF 소스들의 멤버들 중 RF 전력 출력 펄스들을 동기화하는 라디오 주파수 시스템. - M개의 미리 정해진 주파수 구간들을 할당하는 제어 모듈;
부하 안의 제 1 전극에 전달되는 제 1 전력, 상기 부하로부터 반사되는 제 1 피드백 및 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 할당된 제 1 주파수 구간에 근거하여 제 1 주파수에서 전달되는 부하 전력을 위한 제 1 세트 포인트를 유지하는 제 1 가변 RF 소스; 및
상기 부하 안의 제 2 전극에 전달되는 제 2 전력, 상기 부하로부터 반사되는 제 2 피드백 및 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 할당된 제 2 주파수 구간에 근거하여 제 2 주파수에서 전달되는 부하 전력을 위한 제 2 세트 포인트를 유지하는 제 2 가변 RF 소스를 포함하고,
M은 1보다 큰 정수인 라디오 주파수 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 상기 제 1 및 제 2 주파수 구간은 중첩하고, 상기 부하 내에서 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극에 이웃하지 않는 라디오 주파수 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들은 각각 정합 길이(matching length)이고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들은 중첩하지 않으며, M=N인 라디오 주파수 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 부하 안의 제 3 전극에 전달되는 제 3 전력, 상기 부하로부터 반사되는 제 3 피드백 및 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 할당된 제 3 주파수 구간에 근거하여 제 3 주파수에서 전달되는 부하 전력을 위한 제 3 세트 포인트를 유지하는 제 3 가변 RF 소스를 더 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 18 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 상기 제 1 및 제 3 주파수 구간은 정합하는 미리 정해진 주파수 구간에 대응하고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 상기 제 1 및 제 2 주파수 구간은 다른 주파수 구간들에 대응하며, 상기 제 1 및 제 3 전극은 이웃하지 않는 전극들이고, 상기 부하 내에서 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극에 이웃하는 라디오 주파수 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 Q개는 각각 정합 길이이고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 P개는 각각 다른 길이들이며, Q 및 P는 1과 같거나 1보다 큰 정수인 라디오 주파수 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 1 가변 RF 소스는 상기 제 2 가변 RF 소스로부터의 상기 제 2 전력에 의해 유발되어 상기 부하로부터 반사되는 상기 제 1 피드백 안의 간섭 성분들을 걸러내는 협대역 필터를 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 1 가변 RF 소스 및 상기 부하와 통신하는 제 1 매칭 네트워크 및 상기 제 2 가변 RF 소스 및 상기 부하와 통신하는 제 2 매칭 네트워크를 더 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 22 항에 있어서,
상기 제 1 매칭 네트워크는 상기 제 1 매칭 네트워크의 소자들을 위한 세트 포인트를 제어하는 제 1 가변 RF 소스로부터의 신호들에 근거하여 상기 제 1 가변 RF 소스 및 상기 부하 사이의 임피던스들을 정합하는 라디오 주파수 시스템. - 제 23 항에 있어서,
상기 제 1 매칭 네트워크 및 상기 부하 사이에 위치하고 상기 제 1 및 제 2 RF 전력을 감지하는 센서를 더 포함하고, 상기 제어 모듈은 상기 센서로부터의 신호들에 근거하여 상기 제 1 및 제 2 RF 가변 소스 중 하나 또는 그 이상을 위한 주파수들을 위한 위상들을 선택적으로 제공하는 위상 모듈을 더 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 1 가변 RF 소스는 적어도 하나의 의사랜덤 변조 스킴 및 복소 주파수 변조 스킴에 근거하여 상기 제 1 가변 RF 소스로부터의 RF 전력 출력을 위한 주파수들을 변조하는 변조 모듈을 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 제 25 항에 있어서,
상기 변조 모듈은 주파수 편이 방식(FSK), 위상 편이 방식(PSK), 직교 위상 편이 방식(QPSK), 주파수 호핑 방식 및 고속 주파수 스위핑 방식 중 적어도 하나의 방식을 이용하여 상기 주파수들을 변조하는 라디오 주파수 시스템. - 제 25 항에 있어서,
상기 제어 모듈은 상기 제 1 가변 RF 소스가 상기 제 2 가변 RF 소스와 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 하나를 공유할 때 상기 제 1 및 제 2 가변 RF 소스를 위한 RF 전력 출력 펄스들을 동기화하는 라디오 주파수 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 부하를 더 포함하고, 상기 부하는 플라즈마 챔버를 포함하는 라디오 주파수 시스템. - 라디오 주파수 시스템을 동작하기 위한 방법에 있어서:
M개의 미리 정해진 주파수 구간들을 할당하는 단계;
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 할당된 각각의 주파수 구간 내의 주파수들에서 N개의 제 1 RF 전력 출력들을 플라즈마 챔버 안의 전극들에 각각 인가하는 단계;
상기 플라즈마 챔버로부터 피드백을 수신하는 단계; 및
상기 피드백 및 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 각각의 주파수 구간에 근거하여 상기 N개의 제 1 RF 전력 출력들을 조정하는 단계를 포함하고,
M 및 N은 1보다 큰 정수인 방법. - 제 29 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 L개가 중첩하고, L은 1보다 큰 정수인 방법. - 제 30 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 L개에 속한 멤버들을 상기 전극들 중 이웃하지 않는 전극들과 통신하는 상기 N개의 제 1 RF 전력 출력들에 속한 멤버들에 할당하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제 29 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 J개는 같은 미리 정해진 주파수 구간에 대응하고, J는 1과 같거나 1보다 큰 정수인 방법. - 제 29 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들은 각각 정합 길이이고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들은 중첩하지 않으며, M=N인 방법. - 제 29 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 Q개는 각각 정합 길이이고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 P개는 각각 다른 길이들이며, Q 및 P는 1과 같거나 1보다 큰 정수인 방법. - 제 29 항에 있어서,
상기 N개의 RF 전력 출력들을 위한 하나 또는 그 이상의 RF 소스들 위한 주파수들을 위한 위상들을 선택적으로 제공하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제 29 항에 있어서,
적어도 하나의 의사랜덤 변조 스킴 및 복소 주파수 변조 스킴에 근거하여 상기 N개의 제 1 RF 전력 출력들에 속한 멤버들을 위한 주파수들을 변조하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제 29 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 하나를 공유하는 상기 N개의 제 1 RF 전력 출력들에 속한 멤버들을 위한 RF 펄스들을 동기화하는 단계를 더 포함하는 방법. - 라디오 주파수 시스템을 동작하기 위한 방법에 있어서:
M개의 미리 정해진 주파수 구간들을 할당하는 단계;
부하 안의 제 1 전극에 전달되는 제 1 전력, 상기 부하로부터의 제 1 피드백 및 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 할당된 제 1 주파수 구간에 근거하여 제 1 주파수에서 전달되는 부하 전력을 위한 제 1 세트 포인트를 능동적으로 유지하는 단계; 및
상기 부하 안의 제 2 전극에 전달되는 제 2 전력, 상기 부하로부터의 제 2 피드백 및 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 할당된 제 2 주파수 구간에 근거하여 제 2 주파수에서 전달되는 부하 전력을 위한 제 2 세트 포인트를 능동적으로 유지하는 단계를 포함하고,
M은 1보다 큰 정수인 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 상기 제 1 및 제 2 주파수 구간은 중첩하고, 상기 부하 내에서 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극에 이웃하지 않는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들은 각각 정합 길이이고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들은 중첩하지 않으며, M=N인 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 부하 안의 제 3 전극에 전달되는 제 3 전력, 상기 부하로부터의 제 3 피드백 및 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 제 3 주파수 구간에 근거하여 제 3 주파수에서 전달되는 부하 전력을 위한 제 3 세트 포인트를 능동적으로 유지하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제 41 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 상기 제 1 및 제 3 주파수 구간은 같은 미리 정해진 주파수 구간에 대응하고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 상기 제 1 및 제 2 주파수 구간은 다른 구간들에 대응하며, 상기 제 1 및 제 3 전극은 이웃하지 않는 전극들이고, 상기 부하 내에서 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극에 이웃하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 Q개는 각각 정합 길이이고, 상기 M개의 미리 정해진 주파수 구간들 중 P개는 각각 다른 길이들이며, Q 및 P는 1과 같거나 1보다 큰 정수인 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 주파수들을 위한 위상들을 선택적으로 제공하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
적어도 하나의 의사랜덤 변조 스킴 및 복소 주파수 변조 스킴에 근거하여 상기 제 1 및 제 2 주파수들을 변조하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 전력을 위한 펄스들을 동기화하는 단계를 더 포함하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/366,274 | 2009-02-05 | ||
US12/366,274 US8040068B2 (en) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | Radio frequency power control system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100090213A true KR20100090213A (ko) | 2010-08-13 |
KR101287595B1 KR101287595B1 (ko) | 2013-07-18 |
Family
ID=42084037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100010549A KR101287595B1 (ko) | 2009-02-05 | 2010-02-04 | 라디오 주파수 전력 제어 시스템 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8040068B2 (ko) |
JP (1) | JP5653627B2 (ko) |
KR (1) | KR101287595B1 (ko) |
CN (1) | CN101801153B (ko) |
DE (1) | DE102010005799B4 (ko) |
GB (1) | GB2467630B (ko) |
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- 2010-01-22 CN CN201010105234.4A patent/CN101801153B/zh active Active
- 2010-01-27 GB GB201001310A patent/GB2467630B/en active Active
- 2010-01-27 DE DE102010005799.1A patent/DE102010005799B4/de active Active
- 2010-02-04 KR KR1020100010549A patent/KR101287595B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190105089A (ko) * | 2017-08-14 | 2019-09-11 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 플라스마 생성 장치, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101287595B1 (ko) | 2013-07-18 |
CN101801153A (zh) | 2010-08-11 |
DE102010005799A1 (de) | 2010-11-04 |
CN101801153B (zh) | 2014-07-23 |
DE102010005799B4 (de) | 2016-08-11 |
US20100194195A1 (en) | 2010-08-05 |
JP5653627B2 (ja) | 2015-01-14 |
GB2467630A (en) | 2010-08-11 |
US8040068B2 (en) | 2011-10-18 |
GB2467630B (en) | 2014-01-01 |
JP2010219026A (ja) | 2010-09-30 |
GB201001310D0 (en) | 2010-03-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20100204 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20110826 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20100204 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20121127 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20130523 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20130712 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20130715 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160629 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160629 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200625 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210629 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220630 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230628 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240625 Start annual number: 12 End annual number: 12 |