JP2002110566A - 高周波プラズマ生成装置 - Google Patents
高周波プラズマ生成装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、高周波電源の逆流・干渉による機器
の破損を回避でき、また高周波電源の相互干渉を回避し
て整合条件が変化するのを防止すること課題とする。 【解決手段】反応容器２１内に配置された放電用電極２
３へ給電を行う複数の高周波電源２８ａ，２８ｂと、前
記放電用電極２８ａ，２８ｂと前記高周波電源２８ａ，
２８ｂ間に配置された、反射電力を分離処理する逆流防
止回路３０ａ，３０ｂとを具備したことを特徴とする高
周波プラズマ生成装置。
の破損を回避でき、また高周波電源の相互干渉を回避し
て整合条件が変化するのを防止すること課題とする。 【解決手段】反応容器２１内に配置された放電用電極２
３へ給電を行う複数の高周波電源２８ａ，２８ｂと、前
記放電用電極２８ａ，２８ｂと前記高周波電源２８ａ，
２８ｂ間に配置された、反射電力を分離処理する逆流防
止回路３０ａ，３０ｂとを具備したことを特徴とする高
周波プラズマ生成装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池や薄膜ト
ランジスタ等に用いられるアモルファスシリコン、微結
晶シリコン、多結晶薄膜シリコン、窒化シリコン等の半
導体の製膜や半導体膜のエッチングに用いられる高周波
プラズマ生成装置に関する。
ランジスタ等に用いられるアモルファスシリコン、微結
晶シリコン、多結晶薄膜シリコン、窒化シリコン等の半
導体の製膜や半導体膜のエッチングに用いられる高周波
プラズマ生成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波プラズマ生成装置を用いた
プラズマＣＶＤ成膜装置としては、例えば図５に示すも
のが知られている。図中の符番１は反応容器である。こ
の反応容器１内には、ヒータ２とラダ−型の放電用電極
３が対向して配置されている。前記ヒータには、通常、
基板４が放電用電極３側を向いて支持される。前記放電
用電極３は、例えば断面が円形状の複数の線材をはしご
型に接続した平面形コイル構成となっている。図示しな
いが、放電用電極３の背面側には、前記放電用電極３と
基板４間に反応性ガスを導入するガス導入管が配置され
ている。
プラズマＣＶＤ成膜装置としては、例えば図５に示すも
のが知られている。図中の符番１は反応容器である。こ
の反応容器１内には、ヒータ２とラダ−型の放電用電極
３が対向して配置されている。前記ヒータには、通常、
基板４が放電用電極３側を向いて支持される。前記放電
用電極３は、例えば断面が円形状の複数の線材をはしご
型に接続した平面形コイル構成となっている。図示しな
いが、放電用電極３の背面側には、前記放電用電極３と
基板４間に反応性ガスを導入するガス導入管が配置され
ている。
【０００３】前記放電用電極３の所定の箇所には、分配
器５ａ，整合器６ａを介して第１の高周波電源７ａが電
気的に接続されている。また、前記放電用電極３の他の
箇所には、分配器５ｂ，整合器６ｂを介して第２の高周
波電源７ａが電気的に接続されている。
器５ａ，整合器６ａを介して第１の高周波電源７ａが電
気的に接続されている。また、前記放電用電極３の他の
箇所には、分配器５ｂ，整合器６ｂを介して第２の高周
波電源７ａが電気的に接続されている。
【０００４】前記第１の高周波電源７ａは、電力を測る
方向性結合器８ａと、合成器９ａと、アンプ１０ａと、
発振器１１ａとから構成されている。前記第２の高周波
電源７ｂは、電力を測る方向性結合器８ｂと、合成器９
ｂと、アンプ１０ｂと、発振器１１ｂとから構成されて
いる。
方向性結合器８ａと、合成器９ａと、アンプ１０ａと、
発振器１１ａとから構成されている。前記第２の高周波
電源７ｂは、電力を測る方向性結合器８ｂと、合成器９
ｂと、アンプ１０ｂと、発振器１１ｂとから構成されて
いる。
【０００５】前記各高周波電源７ａ，７ｂの発振器１１
ａ，１１ｂには、夫々各高周波電源用の位相を変える位
相シフタ１２が接続されている。また、前記各高周波電
源７ａ，７ｂ及び位相シフタ１２には、電力と整合器６
ａ，６ｂのコンデンサを変化させるコントローラ１３が
接続されている。
ａ，１１ｂには、夫々各高周波電源用の位相を変える位
相シフタ１２が接続されている。また、前記各高周波電
源７ａ，７ｂ及び位相シフタ１２には、電力と整合器６
ａ，６ｂのコンデンサを変化させるコントローラ１３が
接続されている。
【０００６】ところで、上記構成のプラズマＣＶＤ製膜
装置においては、製膜する際、２つの高周波電源７ａ，
７ｂより高周波電力を放電用電極３に印加した状態で、
反応性ガス導入管から反応性ガスを放電用電極３と基板
４間のプラズマ領域に反応性ガスを供給し、この領域で
生成プラズマにより反応性ガスを分解反応させて基板４
上に製膜を行っている。
装置においては、製膜する際、２つの高周波電源７ａ，
７ｂより高周波電力を放電用電極３に印加した状態で、
反応性ガス導入管から反応性ガスを放電用電極３と基板
４間のプラズマ領域に反応性ガスを供給し、この領域で
生成プラズマにより反応性ガスを分解反応させて基板４
上に製膜を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示すように１つの放電用電極３に複数の高周波電源７
ａ，７ｂが接続する構成のプラズマＣＶＤ製膜装置にお
いては、１台の高周波電源７ａ（又は７ｂ）からの電力
が放電用電極３を介して他の高周波電源７ｂ（又は７
ａ）に逆流・干渉する。その結果、一方の高周波電源７
ｂに負荷が加わり、最悪の場合機器を損傷する恐れがあ
った。また、高周波電源７ａ，７ｂが相互に干渉するた
め、１台の高周波電源（整合器）を調整した際に、他の
電源の整合条件を変化させてしまい、適正な入力が行な
えなかった。
示すように１つの放電用電極３に複数の高周波電源７
ａ，７ｂが接続する構成のプラズマＣＶＤ製膜装置にお
いては、１台の高周波電源７ａ（又は７ｂ）からの電力
が放電用電極３を介して他の高周波電源７ｂ（又は７
ａ）に逆流・干渉する。その結果、一方の高周波電源７
ｂに負荷が加わり、最悪の場合機器を損傷する恐れがあ
った。また、高周波電源７ａ，７ｂが相互に干渉するた
め、１台の高周波電源（整合器）を調整した際に、他の
電源の整合条件を変化させてしまい、適正な入力が行な
えなかった。
【０００８】図３は、従来のプラズマＣＶＤ製膜装置に
より製膜した場合の逆流・干渉現象を示す図であり、横
軸は位置、縦軸は電圧（任意単位）を示す。図３におい
て、曲線（１）はｔ＝Ｔでの定在波、曲線（２）はｔ＝
Ｔ＋ΔＴでの定在波、曲線（３）はｔ＝Ｔでの入射波、
曲線（４）はｔ＝Ｔでの反射波、曲線（５）はｔ＝Ｔ＋
ΔＴでの入射波、曲線（６）はｔ＝Ｔ＋ΔＴでの反射波
を夫々示す。図３より、従来の場合、電圧の山谷が発生
し、電圧分布が悪化していることが明らかである。
より製膜した場合の逆流・干渉現象を示す図であり、横
軸は位置、縦軸は電圧（任意単位）を示す。図３におい
て、曲線（１）はｔ＝Ｔでの定在波、曲線（２）はｔ＝
Ｔ＋ΔＴでの定在波、曲線（３）はｔ＝Ｔでの入射波、
曲線（４）はｔ＝Ｔでの反射波、曲線（５）はｔ＝Ｔ＋
ΔＴでの入射波、曲線（６）はｔ＝Ｔ＋ΔＴでの反射波
を夫々示す。図３より、従来の場合、電圧の山谷が発生
し、電圧分布が悪化していることが明らかである。
【０００９】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、反応容器内に配置された放電用電極へ給電を行う複
数の高周波電源と、前記放電用電極と前記高周波電源間
に配置されて反射電力を分離処理する逆流防止回路とを
具備した構成にすることにより、高周波電源の逆流・干
渉による機器の破損を回避でき、また高周波電源の相互
干渉を回避して整合条件が変化するのを防止しえるプラ
ズマ生成装置を提供することを目的とする。
で、反応容器内に配置された放電用電極へ給電を行う複
数の高周波電源と、前記放電用電極と前記高周波電源間
に配置されて反射電力を分離処理する逆流防止回路とを
具備した構成にすることにより、高周波電源の逆流・干
渉による機器の破損を回避でき、また高周波電源の相互
干渉を回避して整合条件が変化するのを防止しえるプラ
ズマ生成装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ生
成装置は、反応容器内に配置された放電用電極へ給電を
行う複数の高周波電源と、前記放電用電極と前記高周波
電源間に配置された、反射電力を分離処理する逆流防止
回路とを具備したことを特徴とする。
成装置は、反応容器内に配置された放電用電極へ給電を
行う複数の高周波電源と、前記放電用電極と前記高周波
電源間に配置された、反射電力を分離処理する逆流防止
回路とを具備したことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について更に詳しく
説明する。
説明する。
【００１２】本発明において、前記逆流防止回路として
は、例えば高周波電源からの電力を分岐するサーキュレ
ータと、このサーキュレータに電気的に接続されて電力
を測定する方向性結合器と、前記サーキュレータに電気
的に接続されて電力を消費する負荷（ダミーロード）と
を具備する構成のものが挙げられる。
は、例えば高周波電源からの電力を分岐するサーキュレ
ータと、このサーキュレータに電気的に接続されて電力
を測定する方向性結合器と、前記サーキュレータに電気
的に接続されて電力を消費する負荷（ダミーロード）と
を具備する構成のものが挙げられる。
【００１３】本発明において、前記放電用電極と逆流防
止回路間に整合器を配置し、逆流防止回路で処理する反
射電力値が極大となるように制御することが好ましい。
これにより、放電用電極内での反射電力を極小とし、放
電用電極内の定在波の影響（山谷の差）を小さくし、均
一な電圧分布、均一な製膜分布を得ることができる。ま
た、前記逆流防止回路で処理する反射電力値をモニター
し、この反射電力値を基に前記整合器の条件を制御する
ことが好ましい。これにより、入力バランスを適正化す
ることができる。なお、反射電力値を基に入力電力を制
御することによっても、入力バランスを適正化すること
ができる。
止回路間に整合器を配置し、逆流防止回路で処理する反
射電力値が極大となるように制御することが好ましい。
これにより、放電用電極内での反射電力を極小とし、放
電用電極内の定在波の影響（山谷の差）を小さくし、均
一な電圧分布、均一な製膜分布を得ることができる。ま
た、前記逆流防止回路で処理する反射電力値をモニター
し、この反射電力値を基に前記整合器の条件を制御する
ことが好ましい。これにより、入力バランスを適正化す
ることができる。なお、反射電力値を基に入力電力を制
御することによっても、入力バランスを適正化すること
ができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１を参照
して説明する。ここで、図１は本実施例に係るプラズマ
生成装置を用いたプラズマＣＶＤ装置の全体図を示す。
して説明する。ここで、図１は本実施例に係るプラズマ
生成装置を用いたプラズマＣＶＤ装置の全体図を示す。
【００１５】図中の符番２１は反応容器である。この反
応容器２１内には、ヒータ２２とラダ−型の放電用電極
２３が対向して配置されている。前記ヒータ２２には、
通常、基板２４が放電用電極２３側を向いて支持され
る。前記放電用電極２３は、例えば断面が円形状の複数
の線材をはしご型に接続した平面形コイル構成となって
いる。図示しないが、放電用電極２３の背面側には、前
記放電用電極２３と基板２４間に反応性ガスを導入する
ガス導入管が配置されている。
応容器２１内には、ヒータ２２とラダ−型の放電用電極
２３が対向して配置されている。前記ヒータ２２には、
通常、基板２４が放電用電極２３側を向いて支持され
る。前記放電用電極２３は、例えば断面が円形状の複数
の線材をはしご型に接続した平面形コイル構成となって
いる。図示しないが、放電用電極２３の背面側には、前
記放電用電極２３と基板２４間に反応性ガスを導入する
ガス導入管が配置されている。
【００１６】前記放電用電極２３の所定の箇所（例えば
上部）には、分配器２５ａ、整合器２６ａ及び逆流防止
回路２７ａを介して第１の高周波電源２８ａが電気的に
接続されている。また、前記放電用電極２３の他の箇所
（例えば下部）には、分配器２５ｂ、整合器２６ｂ及び
逆流防止回路２７ｂを介して第２の高周波電源２８ｂが
電気的に接続されている。
上部）には、分配器２５ａ、整合器２６ａ及び逆流防止
回路２７ａを介して第１の高周波電源２８ａが電気的に
接続されている。また、前記放電用電極２３の他の箇所
（例えば下部）には、分配器２５ｂ、整合器２６ｂ及び
逆流防止回路２７ｂを介して第２の高周波電源２８ｂが
電気的に接続されている。
【００１７】前記逆流防止回路２７ａは、第１の高周波
電源２８ａからの電力を分岐するサーキュレータ２９ａ
と、このサーキュレータ２９ａに電気的に接続されて電
力を測定する方向性結合器３０ａと、前記サーキュレー
タ２９ａ及び後述するコントローラに電気的に接続され
て電力を消費する負荷（ダミーロード）３１ａとから構
成されている。
電源２８ａからの電力を分岐するサーキュレータ２９ａ
と、このサーキュレータ２９ａに電気的に接続されて電
力を測定する方向性結合器３０ａと、前記サーキュレー
タ２９ａ及び後述するコントローラに電気的に接続され
て電力を消費する負荷（ダミーロード）３１ａとから構
成されている。
【００１８】前記逆流防止回路２７ｂは、第１の高周波
電源２８ｂからの電力を分岐するサーキュレータ２９ｂ
と、このサーキュレータ２９ｂに電気的に接続されて電
力を測定する方向性結合器３０ｂと、前記サーキュレー
タ２９ｂ及び後述するコントローラに電気的に接続され
て電力を消費する負荷（ダミーロード）３１ｂとから構
成されている。
電源２８ｂからの電力を分岐するサーキュレータ２９ｂ
と、このサーキュレータ２９ｂに電気的に接続されて電
力を測定する方向性結合器３０ｂと、前記サーキュレー
タ２９ｂ及び後述するコントローラに電気的に接続され
て電力を消費する負荷（ダミーロード）３１ｂとから構
成されている。
【００１９】前記第１の高周波電源２８ａは、電力を測
る方向性結合器３２ａと、合成器３３ａと、アンプ３４
ａと、発振器３５ａとから構成されている。前記第２の
高周波電源２８ｂは、電力を測る方向性結合器３２ｂ
と、合成器３３ｂと、アンプ３４ｂと、発振器３５ｂと
から構成されている。
る方向性結合器３２ａと、合成器３３ａと、アンプ３４
ａと、発振器３５ａとから構成されている。前記第２の
高周波電源２８ｂは、電力を測る方向性結合器３２ｂ
と、合成器３３ｂと、アンプ３４ｂと、発振器３５ｂと
から構成されている。
【００２０】前記各高周波電源２８ａ，２８ｂの発振器
３５ａ，３５ｂには、夫々各高周波電源用の位相を変え
る位相シフタ３６が接続されている。また、前記各高周
波電源２８ａ，２８ｂ及び位相シフタ３６には、電力と
整合器２６ａ，２６ｂのコンデンサを変化させるコント
ローラ３７が接続されている。ここで、前記コントロー
ラ３７は、前記整合器２６ａ，２６ｂに電気的に接続さ
れている。
３５ａ，３５ｂには、夫々各高周波電源用の位相を変え
る位相シフタ３６が接続されている。また、前記各高周
波電源２８ａ，２８ｂ及び位相シフタ３６には、電力と
整合器２６ａ，２６ｂのコンデンサを変化させるコント
ローラ３７が接続されている。ここで、前記コントロー
ラ３７は、前記整合器２６ａ，２６ｂに電気的に接続さ
れている。
【００２１】こうした構成のプラズマＣＶＤ製膜装置に
おけるプラズマ生成装置の動作手順は、図２に示す通り
である。但し、図２において、「電源ラインＡ」とは第
１の高周波電源２８ａから放電用電極２３へのラインを
示し、「電源ラインＢ」とは第２の高周波電源２８ｂか
ら放電用電極２３へのラインを示す。
おけるプラズマ生成装置の動作手順は、図２に示す通り
である。但し、図２において、「電源ラインＡ」とは第
１の高周波電源２８ａから放電用電極２３へのラインを
示し、「電源ラインＢ」とは第２の高周波電源２８ｂか
ら放電用電極２３へのラインを示す。
【００２２】（１）先ず、電源ラインＡの整合器２６ａ
の回路定数（コンデンサ容量、コイルインダクタンス）
を調整する（ａ）。次に、方向性結合器３０ａ，３０ｂ
での反射電力を測定する（ｂ）。ここで、反射電力が極
大であれば（ＹＥＳ）、電源ラインＢの整合器２６ｂの
回路定数（コンデンサ容量、コイルインダクタンス）を
調整する（ｃ）。もし、ＮＧであれば、工程（ａ）に戻
す。
の回路定数（コンデンサ容量、コイルインダクタンス）
を調整する（ａ）。次に、方向性結合器３０ａ，３０ｂ
での反射電力を測定する（ｂ）。ここで、反射電力が極
大であれば（ＹＥＳ）、電源ラインＢの整合器２６ｂの
回路定数（コンデンサ容量、コイルインダクタンス）を
調整する（ｃ）。もし、ＮＧであれば、工程（ａ）に戻
す。
【００２３】（２）次に、方向性結合器３２ａ，３２ｂ
での反射電力を測定する（ｄ）。ここで、反射電力が極
大であれば（ＹＥＳ）、電源ラインＡ（又はＢ）の整合
器２６ａ（又は２６ｂ）の回路定数コンデンサ容量、コ
イルインダクタンス）を調整する（ｅ）。もし、ＮＧで
あれば、工程（ｅ）に戻す。
での反射電力を測定する（ｄ）。ここで、反射電力が極
大であれば（ＹＥＳ）、電源ラインＡ（又はＢ）の整合
器２６ａ（又は２６ｂ）の回路定数コンデンサ容量、コ
イルインダクタンス）を調整する（ｅ）。もし、ＮＧで
あれば、工程（ｅ）に戻す。
【００２４】（３）次に、方向性結合器３０ａ，３０ｂ
（又は３２ａ，３２ｂ）での反射電力を測定する
（ｆ）。ここで、反射電力が極大であれば（ＹＥＳ）、
制御を終了する（ｇ）。もし、ＮＧであれば、高周波電
源２８ａ，２８ｂ間の位相差を微調整し（ｈ）、工程
（ａ）に戻す。
（又は３２ａ，３２ｂ）での反射電力を測定する
（ｆ）。ここで、反射電力が極大であれば（ＹＥＳ）、
制御を終了する（ｇ）。もし、ＮＧであれば、高周波電
源２８ａ，２８ｂ間の位相差を微調整し（ｈ）、工程
（ａ）に戻す。
【００２５】上記実施例によれば、放電用電極２３に接
続する整合器２６ａと第１の高周波電源２８ａ間にサー
キュレータ２９ａと方向性結合器３０ａと負荷３１ａと
から構成される逆流防止回路２７ａを配置するととも
に、放電用電極２３に接続する整合器２６ｂと第２の高
周波電源２８ｂ間にサーキュレータ２９ｂと方向性結合
器３０ｂと負荷３１ｂとから構成される逆流防止回路２
７ｂを配置した構成となっているため、一方の第１の高
周波電源２８ａ（又は他方の高周波電源２８ｂ）からの
電力が放電用電極２３を介して他の高周波電源２８ｂ
（又は高周波電源２８ａ）に逆流・干渉することを防止
できる。
続する整合器２６ａと第１の高周波電源２８ａ間にサー
キュレータ２９ａと方向性結合器３０ａと負荷３１ａと
から構成される逆流防止回路２７ａを配置するととも
に、放電用電極２３に接続する整合器２６ｂと第２の高
周波電源２８ｂ間にサーキュレータ２９ｂと方向性結合
器３０ｂと負荷３１ｂとから構成される逆流防止回路２
７ｂを配置した構成となっているため、一方の第１の高
周波電源２８ａ（又は他方の高周波電源２８ｂ）からの
電力が放電用電極２３を介して他の高周波電源２８ｂ
（又は高周波電源２８ａ）に逆流・干渉することを防止
できる。
【００２６】また、上記逆流防止回路２７ａ，２７ｂで
処理する反射電力値をモニターし、この値を基に整合器
条件、入力電力を制御することにより、入力バランスを
適正化することができる。特に、逆流防止回路２７ａ，
２７ｂで処理する反射電力値が極大となるように整合器
２６ａ，２６ｂを制御することにより、放電用電極２３
内での反射電力を極小とし、放電用電極内の定在波の影
響（山谷の差）を小さくし、均一な電圧分布、製膜分布
を得ることができる。
処理する反射電力値をモニターし、この値を基に整合器
条件、入力電力を制御することにより、入力バランスを
適正化することができる。特に、逆流防止回路２７ａ，
２７ｂで処理する反射電力値が極大となるように整合器
２６ａ，２６ｂを制御することにより、放電用電極２３
内での反射電力を極小とし、放電用電極内の定在波の影
響（山谷の差）を小さくし、均一な電圧分布、製膜分布
を得ることができる。
【００２７】事実、逆流防止回路２７ａ，２７ｂを用い
た本発明によれば、図５に示すような電圧分布図が得ら
れた。図５によれば、逆流防止回路２７ａ，２７ｂがあ
るため、電圧０Ｖの位置は時間と共に移動しする。即
ち、時間平均的に電圧が変動し、電圧分布が均一化す
る。
た本発明によれば、図５に示すような電圧分布図が得ら
れた。図５によれば、逆流防止回路２７ａ，２７ｂがあ
るため、電圧０Ｖの位置は時間と共に移動しする。即
ち、時間平均的に電圧が変動し、電圧分布が均一化す
る。
【００２８】なお、上記実施例では、２つの高周波電源
を用いた場合について述べたが、これに限らず、３つ以
上の高周波電源を用いた場合についても適用でき、この
場合高周波電源の数に応じて逆流防止回路を配置すれば
よい。
を用いた場合について述べたが、これに限らず、３つ以
上の高周波電源を用いた場合についても適用でき、この
場合高周波電源の数に応じて逆流防止回路を配置すれば
よい。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、反応
容器内に配置された放電用電極へ給電を行う複数の高周
波電源と、前記放電用電極と前記高周波電源間に配置さ
れて反射電力を分離処理する逆流防止回路とを具備した
構成にすることにより、高周波電源の逆流・干渉による
機器の破損を回避でき、また高周波電源の相互干渉を回
避して整合条件が変化するのを防止しえ、もって均一な
製膜分布が得られるプラズマ生成装置を提供できる。
容器内に配置された放電用電極へ給電を行う複数の高周
波電源と、前記放電用電極と前記高周波電源間に配置さ
れて反射電力を分離処理する逆流防止回路とを具備した
構成にすることにより、高周波電源の逆流・干渉による
機器の破損を回避でき、また高周波電源の相互干渉を回
避して整合条件が変化するのを防止しえ、もって均一な
製膜分布が得られるプラズマ生成装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマ生成装置を用
いたプラズマＣＶＤ製膜装置の全体図。
いたプラズマＣＶＤ製膜装置の全体図。
【図２】図１のプラズマ生成装置の作動手順を示すブロ
ック図。
ック図。
【図３】従来のプラズマＣＶＤ製膜装置の全体図。
【図４】図３の製膜装置を用いた場合の電圧分布状況を
示す特性図。
示す特性図。
【図５】図１のプラズマＣＶＤ製膜装置を用いた場合の
電圧分布状況を示す特性図。
電圧分布状況を示す特性図。
２１…反応容器、 ２２…ヒータ、 ２３…放電用電極、 ２４…基板、 ２５ａ，２５ｂ…分配器、 ２６ａ，２６ｂ…整合器、 ２７ａ，２７ｂ…逆流防止回路、 ２８ａ，２８ｂ…高周波電源、 ２９ａ，２９ｂ…サーキュレータ、 ３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ…方向性結合器、 ３３ａ，３３ｂ…合成器、 ３４ａ，３４ｂ…アンプ、 ３５ａ，３５ｂ…発振器、 ３６…位相シフタ、 ３７…コントローラ。
フロントページの続き (72)発明者 真島 浩 長崎県長崎市深堀町五丁目717番１号 三 菱重工業株式会社長崎研究所内 (72)発明者 山越 英男 神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１ 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 Ｆターム(参考） 4K030 FA03 JA16 JA18 KA41 KA49 5F004 AA01 BA20 BB11 BD04 5F045 AA08 BB02 EH04 EH12 EH19 GB08
Claims (4)
- 【請求項１】 反応容器内に配置された放電用電極へ給
電を行う複数の高周波電源と、前記放電用電極と前記高
周波電源間に配置された、反射電力を分離処理する逆流
防止回路とを具備したことを特徴とする高周波プラズマ
生成装置。 - 【請求項２】 前記逆流防止回路は、高周波電源からの
電力を分岐するサーキュレータと、このサーキュレータ
に電気的に接続されて電力を測定する方向性結合器と、
前記サーキュレータに電気的に接続されて電力を消費す
る負荷とを具備することを特徴とする請求項１記載の高
周波プラズマ生成装置。 - 【請求項３】 前記放電用電極と逆流防止回路間に整合
器を配置し、逆流防止回路で処理する反射電力値が極大
となるように制御することを特徴とする高周波プラズマ
生成装置。 - 【請求項４】 前記逆流防止回路で処理する反射電力値
をモニターし、この反射電力値を基に前記整合器の条件
を制御することを特徴とする請求項３記載の高周波プラ
ズマ生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302554A JP2002110566A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 高周波プラズマ生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000302554A JP2002110566A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 高周波プラズマ生成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110566A true JP2002110566A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18783889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000302554A Withdrawn JP2002110566A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 高周波プラズマ生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002110566A (ja) |
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