KR101781988B1

KR101781988B1 - 다른 주파수 대역의 전력 모니터링에 의한 펄스 동기화

Info

Publication number: KR101781988B1
Application number: KR1020157026945A
Authority: KR
Inventors: 니콜라스 넬슨; 데이비드 제이. 쿠무
Original assignee: 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드
Priority date: 2013-03-15
Filing date: 2013-11-21
Publication date: 2017-09-26
Also published as: CN105103660B; WO2014143215A1; US10821542B2; SG11201507004XA; US20140263199A1; TW201436656A; JP2016521430A; CN105103660A; KR20150131079A; TWI632834B; JP6223539B2; DE112013006834T5

Abstract

무선 주파수(RF) 전력 전달 시스템은 제1 RF 생성기와 제2 RF 생성기를 포함한다. 제1 RF 생성기는 마스터 RF 생성기로 동작하고, 제2 RF 생성기는 슬레이브 RF 생성기로 동작한다. 슬레이브 RF 생성기는 슬레이브 RF 생성기의 RF 신호의 전기 특성을 센싱하는 검출기를 포함한다. 슬레이브 RF 생성기는 마스터 RF 생성기로부터 오는 RF 신호의 전기 특성을 센싱하는 검출기를 더 포함한다. 슬레이브 RF 생성기의 동작은 호스트 또는 제어기에 의해 제어된다. 호스트 또는 제어기는 상기 제2 검출기에 의해 결정된 전기 특성에 따라 상기 슬레이브 RF 생성기를 동작한다.

Description

다른 주파수 대역의 전력 모니터링에 의한 펄스 동기화{PULSE SYNCHRONIZATION BY MONITORING POWER IN ANOTHER FREQUENCY BAND}

본 발명은 RF 생성기들 사이의 펄싱(pulsing)을 효율적으로 동기화하는 것에 관한 것이다.

본 명세서에 제공된 배경 설명은 일반적으로 본 발명의 내용을 제시하기 위한 것이다. 현재 명명된 본 발명자의 업적은, 출원시에 종래 기술로 인정받을 수 없을 수 있는 설명 측면 뿐만 아니라 본 배경 기술 란에 설명된 정도까지, 본 발명에 대한 종래 기술로 명시적으로든 암시적으로든 인정되지 않는다.

플라즈마 에칭이 반도체 제조에 빈번히 사용된다. 플라즈마 에칭에서, 이온은 전기장에 의해 가속되어 기판에 노출된 표면을 에칭한다. 전기장은 RF 전력 시스템의 무선 주파수(RF) 생성기에 의해 생성된 RF 전력 신호에 기초하여 생성된다. RF 생성기에 의해 생성된 RF 전력 신호는 플라즈마 에칭을 효과적으로 실행하도록 정밀하게 제어되어야 한다.

RF 전력 시스템은 RF 생성기, 매칭 네트워크, 및 예를 들면, 플라즈마 챔버같은 부하(load)를 포함할 수 있다. RF 생성기는 매칭 네트워크에서 수신되는 RF 전력 신호를 생성한다. 매칭 네트워크는 매칭 네트워크의 입력 임피던스를 RF 생성기와 매칭 네트워크 사이의 전송 라인의 특성 임피던스에 매칭시킨다. 이 임피던스 매칭은 매칭 네트워크로 전달되는 전력("순방향 전력")과 매칭 네트워크로부터 RF 생성기로 되반사되는 전력("역방향 전력") 의 양을 최소화하는 것을 도와준다. 임피던스 매칭은 또한 매칭 네트워크로부터 플라즈마 챔버로 전달되는 전력을 최대화하는 것을 도와준다.

RF 전력 공급 분야에서, RF 신호를 부하에 적용하는데 있어서 일반적으로 2개의 접근법이 있다. 보다 전통적인 제1 접근법은 연속파 신호를 부하에 적용하는 것이다. 연속파 신호는 일반적으로 전력 공급원에 의해 부하에 연속적으로 출력되는 사인파(sinusoidal wave)이다. 연속파 접근법에서, RF 신호는 사인 출력으로 가정하고, 사인파의 진폭 및/또는 주파수는 가변되어 부하에 인가되는 출력 전력을 가변시킬 수 있다.

RF 신호를 부하에 인가하는 제2 접근법은 연속파 신호를 부하에 인가하는 대신 RF 신호를 펄싱하는 것을 수반한다. 펄스 동작 모드에서, RF 사인 신호는 변조된 사인 신호에 대한 포락선(envelope)을 한정하기 위하여 변조 신호에 의해 변조된다. 종래의 펄스 변조 구조에서, RF 사인 신호는 일반적으로 일정한 주파수와 진폭으로 출력된다. 부하로 전달되는 전력은 사인 RF 신호를 가변시키는 대신 변조 신호를 가변하는 것에 의해 가변된다. 변조는 온/오프 펄스 시퀀스에 대한 진폭 변조일 수 있다. 진폭 변조는 다중 레벨일 수 있다.

플라즈마 시스템이 발달함에 따라, 연속파와 펄스 RF 제어에 대한 많은 새로운 문제가 중요한 제조 사양을 충족하는데 요구되는 사양을 맞추기 위해 존재한다. 하나의 개선은 여러 플라즈마 파라미터의 제어를 증가시키기 위해 다수의 RF 소스를 사용하는 것이다. 이들 파라미터는 전자 밀도(electron density), 전자 온도, 이온 선속, 및 이온 에너지를 포함한다. 듀얼 RF 플라즈마 시스템은 이온 에너지와 이온 선속을 독립적으로 제어하기 위하여 개발되었다. 박막 처리는 3개의 RF 플라즈마 시스템을 사용하여 이온 에너지와 이온 선속을 제어하는 것에 더하여 물질 표면에 입사하는 이온의 실제 에너지 분배를 제어하기 위해 개발되었다. 더 나아가, 보충적인 RF 바이어스를 구비하는 위상 동기 고밀도 시스템은 여러 에칭 응용에 중요하게 되었다. 다수의 전력 소스를 사용하여 처리된 물질의 표면에 대해 이온 선속과 이온 에너지와 같은 플라즈마 파라미터를 독립적으로 제어하는 것에 성공한 것은 펄스 RF 플라즈마 시스템에서 RF 전력을 결합시키고 제어하는 것에 훨씬 더 큰 문제를 야기하였다.

2개 이상의 생성기가 RF 전력을 챔버에 제공하는 경우에, 모든 RF 생성기는 그 출력을 동기화된 방식으로 펄싱하는 것이 바람직하다. 동기화는 절대적인 또는 상대적인 동기화를 의미할 수 있다. 동기화하는 하나의 접근법은 모든 RF 생성기를 공통 소스 신호 생성기에 연결하여 모든 RF 생성기가 공통 소스 신호에 동기화시키는 것이다. 미국 특허 출원 번호 2009/0284156은 이와 같은 접근법의 일례를 도시한다. 이 접근법은 모든 RF 생성기가 펄스 동기화의 의도에 맞게 구체적으로 설계될 것을 요구하고 호환가능한 동기화 하드웨어와 신호 레벨을 요구하기 때문에 항상 실행 가능한 것은 아니다. 도 1을 참조하면, 다른 접근법은 마스터 RF 생성기(12)를 사용하여 다른 RF 생성기(14)에 비동기적으로 펄싱하는 것을 수반한다. 마스터 RF 생성기는 다른 슬레이브 RF 생성기에 연결하는 것을 통해 그 펄스 트레인을 송출한다. 이 접근법은 또한 마스터 및 슬레이브 RF 생성기들에 공통 하드웨어를 요구한다. 도 1은 이 제2 접근법의 블록도를 도시한다.

무선 주파수(RF) 전력 전달 시스템은 부하에 전달할 제1 RF 신호를 제공하는 제1 RF 생성기를 포함한다. 제2 RF 생성기는 부하에 전달할 제2 RF 신호를 포함한다. 제2 RF 생성기는 제1 RF 신호의 전기 특성을 검출하는 제1 검출기, 및 제2 RF 신호의 전기 특성을 검출하는 제2 검출기를 포함한다. 제2 RF 생성기의 동작은 제1 검출기에 의해 검출된 전기 특성에 따라 제1 RF 생성기의 동작에 따라 조정된다.

무선 주파수(RF) 전력 전달 시스템은 부하에 전달할 각 복수의 RF 신호를 제공하는 복수의 RF 생성기를 포함한다. 복수의 검출기는 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나와 연관된다. 복수의 검출기는 복수의 RF 신호 중 선택된 신호의 전기 특성을 검출하도록 구성된다. RF 생성기의 동작은 복수의 검출기에 의해 검출된 각 전기 특성에 따라 조정된다.

무선 주파수(RF) 전력 전달 시스템은 부하에 전달할 제1 RF 신호를 제공하는 제1 RF 생성기를 포함한다. 제2 RF 생성기는 부하에 전달할 제2 RF 신호를 제공한다. 제1 매칭 네트워크는 제1 RF 생성기와 부하 사이에 배치된다. 제2 매칭 네트워크는 제2 RF 생성기와 부하 사이에 배치된다. 제2 매칭 네트워크는 제1 검출기를 포함한다. 제1 검출기는 제1 RF 신호의 전기 특성을 검출하고, 제2 검출기는 제2 RF 신호의 전기 특성을 검출한다. 제2 RF 생성기의 동작은 제1 검출기에 의해 검출된 전기 특성에 따라 제1 RF 생성기의 동작으로 조정된다.

본 명세서에 설명된 도면은 선택된 실시예를 예시하기 위한 것일 뿐 모든 가능한 구현을 예시하는 것이 아니며, 나아가 본 발명의 범위를 제한하려고 의도된 것이 아니다.
도 1은 종래 기술에 알려진 바와 같이 배열된 다수의 RF 생성기를 구비하는 시스템의 기능 블록도;
도 2는 본 발명의 여러 실시예에 따른 신호 처리 시스템의 블록도;
도 3은 본 발명의 여러 실시예에 따라 배열된 한 쌍의 RF 생성기를 구비하는 시스템의 기능 블록도;
도 4는 본 발명의 여러 실시예에 따라 배열된 다수의 RF 생성기를 구비하는 시스템의 동작을 도시하는 전이도;
도 5는 상호 변조곱(intermodulation product)을 검사하는 것에 의해 RF 생성기 중 하나의 생성기의 주파수를 검출하는 한 쌍의 RF 생성기를 구비하는 시스템의 기능 블록도;
도 6은 여러 실시예에 따라 상호 변조곱이 존재하는 경우 주파수를 검출하는 것을 도시하는 도면;
도 7은 여러 실시예에 따라 미리 결정된 임계값을 초과하는 것만큼 변조간 주파수가 분리되어 있는 상호 변조곱이 존재하는 경우 주파수를 검출하는 것을 도시하는 도면;
도 8은 상호 변조곱이 존재하는 경우 동기화를 제어하는 전이도를 도시하는 도면;
도 9는 기본 클록 주파수들이 정렬되어 있는 상호 변조곱이 존재하는 경우 동기화를 제어하는 전이도를 도시하는 도면;
도 10은 여러 실시예에 따라 마스터와 슬레이브 RF 생성기가 상이한 주파수에서 펄싱할 때 상호 변조곱이 존재하는 경우 동기화를 제어하는 전이도를 도시하는 도면;
도 11은 RF 생성기들 중 하나의 생성기의 고조파(harmonic)를 사용하는 동기화를 도시하는 전이도를 사용하는 도면;
도 12는 동기화를 위한 검출기가 매칭 네트워크에 배치되어 있는 기능 블록도;
도 13은 VI 프로브(probe)의 일부분이 RF 슬레이브 생성기에 위치되어 있는 기능 블록도;
도 14는 슬레이브 RF 생성기에서 펄싱이 일어날 때를 제어하는 흐름도; 및
도 15는 여러 실시예에 따라 한 쌍의 RF 생성기를 구비하는 시스템의 기능 블록도.
대응하는 참조 부호는 여러 도면에 걸쳐 대응하는 부분을 나타내고, 여기서 동일한 참조 부호는 유사한 요소를 나타낸다.

예시적인 실시예가 이제 첨부 도면을 참조하여 보다 완전히 설명된다.

본 발명이 충분히 실시가능하고, 이 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에 그 범위를 완전히 전달할 수 있는 예시적인 실시예들이 제공된다. 본 발명의 실시예를 보다 충분히 이해하기 위해, 특정 성분, 디바이스 및 방법의 예를 포함하는 수 많은 특정 상세들이 제시된다. 이 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면, 특정 상세는 사용될 필요가 없고, 예시적인 실시예는 많은 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 이들은 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 일부 예시적인 실시예에서, 잘-알려진 공정, 잘-알려진 디바이스 구조, 및 잘-알려진 기술은 상세히 설명되지 않는다.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 예시적인 실시예만을 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 제한하려고 의도된 것이 아니다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 단수 형태의 요소는 문맥이 명백히 달리 지시하지 않는 한, 복수의 형태를 포함하는 것으로 의도될 수 있다. "포함하고", "포함하는", "구비하는", 및 "가지는" 이라는 용어는 포괄적인 것이어서, 언급된 특징, 정수, 단계, 동작, 요소, 및/또는 성분의 존재를 명시하는 것일 뿐, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분, 및/또는 그 그룹의 존재 또는 부가를 배제하는 것은 아니다. 본 명세서에 설명된 방법 단계, 공정, 및 동작은, 수행 순서를 구체적으로 지시하지 않은 한, 설명되거나 예시된 특정 순서로 그 수행을 반드시 요구하는 것은 아닌 것으로 이해된다. 또한 추가적이거나 대안적인 단계들이 사용될 수 있는 것으로 이해된다.

하나의 요소 또는 층이 다른 요소 또는 층에 "위에", "이와 맞물린(engaged)", "이에 연결된" 또는 "이와 결합된(coupled)"된 것으로 언급될 때, 이 요소 또는 층은 이 다른 요소 또는 층 바로 위에 있거나 이와 직접 맞물리거나 이에 연결되거나 이와 결합되는 것은 물론, 또는 중간 요소 또는 층이 존재할 수도 있다. 이와 대조적으로, 하나의 요소가 다른 요소 또는 층에 "바로 위에", "이와 직접 맞물린", "이에 직접 연결된", 또는 "이와 직접 결합된" 것으로 언급될 때, 중간 요소 또는 층이 존재하지 않을 수 있다. 요소들 사이에 관계를 설명하는데 사용되는 다른 용어(예를 들어, "사이에" 대(versus) "바로 사이에", "인접한" 대(versus) "바로 인접한", 등)들도 동일한 방식으로 해석되어야 한다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, "및/또는" 이라는 용어는 연관된 나열된 항목 중 하나 이상의 항목의 임의의 조합 및 모든 조합을 포함한다.

제1, 제2, 제3 등의 용어는 본 명세서에서 여러 요소, 성분, 구역, 층 및/또는 구획을 설명하는데 사용될 수 있으나, 이들 요소, 성분, 구역, 층 및/또는 구획이 이들 용어에 의해 제한되어서는 안된다. 이들 용어는 하나의 요소, 성분, 구역, 층 또는 구획을 다른 구역, 층 또는 구획과 구별하기 위해서만 사용될 수 있다. 본 명세서에 사용될 때 "제1", "제2", 및 다른 수치적 용어와 같은 용어는, 상황에서 명확히 지시되지 않는 한, 시퀀스 또는 순서를 의미하지 않는다. 따라서, 후술된 제1 요소, 성분, 구역, 층 또는 구획은 예시적인 실시예의 개시 내용을 벗어남이 없이 제2 요소, 성분, 구역, 층 또는 구획으로 명명될 수 있다.

공간적으로 상대적인 용어, 예를 들어 "내부", "외부", "바로 아래에", "아래에", "하부", "위에", "상부" 등의 용어는, 본 명세서에서 도면에 도시된 바와 같이 하나의 요소 또는 특징이 다른 요소(들) 또는 특징(들)과의 관계를 설명하기 위해 설명의 편의상 사용되었을 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 배향에 더하여 사용 또는 동작에서 디바이스의 상이한 배향을 포함하는 것으로 의도될 수 있다. 예를 들어, 도면에서 디바이스가 뒤집힌 경우, 다른 요소 또는 특징 "아래에" 또는 "바로 아래에" 있는 것으로 설명된 요소는 다른 요소 또는 특징 "위에" 있는 것으로 배향될 수 있다. 따라서, "아래" 라는 예시적인 용어는 위와 아래의 배향을 포함할 수 있다. 디바이스는 다르게 배향될 수 있고(90도 회전되거나 또는 다른 배향으로 회전될 수 있고), 이에 따라 본 명세서에 사용된 공간적으로 상대적인 설명들이 적절히 해석될 수 있다.

현대의 RF 생성기는, 2개 이상의 주파수에서 전력을 검출할 수 있고 RF 생성기의 기본 주파수와 동시에 이들 신호를 처리할 수 있는 유연한 광역-스펙트럼 RF 검출기를 구비한다. 도 2를 참조하면, 도 2는 펄스 동기화 시스템(20)을 도시한다. 다수의 RF 생성기(22, 24)가 공통 플라즈마 챔버(36)에 연결될 때, 각 RF 생성기로부터 일부 전력은 챔버에서 반사되고 다른 RF 생성기(22, 24)의 각 검출기(26, 28a, 28b)에 입사된다. 슬레이브 RF 생성기(24)는 마스터 RF 생성기(22)의 출력 전력을 센싱할 수 있다. 이 방법은 직접 검출이라고 언급될 수 있다. 각 매칭(또는 정합) 네트워크(32, 34)는 RF 생성기(22, 24)들 사이에 삽입된다. 호스트 또는 제어기(30)는 슬레이브가 슬레이브 RF 생성기라는 것을 슬레이브에 통지한다. 플라즈마가 연속적인 RF 전력 모드에서 마스터(22) 또는 슬레이브(24) 생성기에 의해 수립된 후, 호스트(30)는 마스터 RF 생성기(22)에 펄싱 시작을 명령한다.

여러 실시예에서, 검출기는 하드웨어와 소프트웨어의 여러 조합을 포함할 수 있다. 하나의 비제한적인 예에서, 검출기는 센서로부터 신호를 수신하고 하드웨어, 펌웨어, 및/또는 소프트웨어의 조합을 통해 신호를 분석할 수 있다. 이러한 구성에서, 검출기라는 용어는 센서로부터 신호를 분석하는 모듈을 말하거나 또는 센서와 이 센서로부터 신호를 분석하는 모듈의 조합을 말할 수 있다. 본 발명에 한정된 센서는 여러 실시예에 따라 순방향 및 역방향 전력 신호를 출력하는 방향성 커플러, 전압 및 전류 신호를 출력하는 VI 프로브, 또는 이 기술 분야에 알려진 다른 검출기일 수 있다. 여러 실시예에서, 검출기는 센서의 출력을 처리하는 모듈을 말할 수 있고, 다수의 검출기, 예를 들어 검출기(28a, 28b)는 센서로부터 신호를 특정 주파수에서 분석하는 모듈을 말할 수 있다. 다른 여러 실시예에서, 검출기는 센서와 이 센서의 출력을 처리하는 모듈의 조합을 말할 수 있고, 다수의 검출기, 예를 들어, 검출기(28a, 28b)는, 단일 또는 다수의 센서와, 이 센서로부터 나오는 신호를 하나의 또는 복수의 특정 주파수에서 분석하는 모듈의 조합을 말할 수 있다.

도 4는 도 2의 여러 실시예의 동작을 예시하는 전이도를 도시한다. 도 2에서와 같이 완전히 동기화된 실시예에서, 슬레이브 RF 생성기(24)가, 예를 들어, 마스터 RF 생성기 신호의 에지를 검출하는 것에 의해 마스터(22)의 주파수를 검출하자마자, 슬레이브 RF 생성기는 RF 전력을 턴오프한다. 상승 에지를 검출하는 것도 또한 가능하다. 비제한적인 예로서, IMD 검출은 일반적으로 하강 에지를 검출한다. 고조파 또는 기본파(fundamental) 검출은 일반적으로 상승 에지 또는 하강 에지를 검출한다. 슬레이브 RF 생성기(24)가 마스터(22)의 주파수를 다시 검출할 때, 이 생성기는 RF 전력을 턴온한다.

여러 실시예에서, 다수의 RF 소스에서 플라즈마 방전을 하기 위해 상이한 펄스 시퀀싱이 존재한다. 마스터와 슬레이브가 동시에 턴온될 수 있거나, 슬레이브는 규정된 지연 시간 동안 마스터보다 후에 턴온될 수 있거나, 또는 슬레이브는 마스터 펄스 동안 연속파(continuous wave: CW) 모드에 있을 수 있다. 여러 실시예에서, 대역외 에너지(out-of-band energy)는, 본 출원의 출원인에 양도되고, 본 명세서에 병합된, 2002년 7월 10일에 등록된 미국 특허 번호 6,707,255에 설명된 바와 같이 전력 조절에 악영향을 미치지 않는다.

고조파 또는 변조간 왜곡(intermodulation distortion: IMD)의 존재는 시스 수식(sheath equation)에 의해 설명될 수 있다. 이 시스의 형성은 RF 소스에 의한 기여도의 합계에 의해 일반화된다:

s = s₁+ s₂ + ...

여기서 아래첨자는 다수의 RF 소스의 각 소스의 색인이다. 시스는 다음 수식으로 i번째 RF 소스에 의해 특징지어진다:

여기서,

I - 전류;

n_e - 전자 밀도;

A - 전극 면적;

e - 전자 전하 상수; 및

ω - RF 주파수.

듀얼 RF 구성의 시스는 아래와 같이 유도된다.

s = s₁ + s₂ + s₁ sin(ω₁t) + s₂ sin(ω₂t)

고조파 에너지와 IMD 곱은 시스 전압의 변조에서 제곱된 시스 항으로 형성된다,

.

도 2 및 도 3의 실시예는 고정된 주파수 RF 생성기의 시스템에 관한 것이다. 그러나, 신속히 그리고 자율적으로 주파수를 변경하는 주파수 가변(frequency agile) RF 생성기를 사용하는 것이 일반적이다. 도 5 내지 도 7은 주파수 가변 RF 생성기를 사용하는 여러 실시예를 도시한다. 주파수 가변 RF 생성기는 일반적으로, 비제한적인 예로서, 중심 주파수의 ±5 또는 10%의 주파수 범위 내 중심 주파수에서 동작한다. 따라서 가변 주파수 시스템에서 검출기는 더 넓은 스펙트럼 검출 윈도우를 포함한다. 이것으로 검출기는 그 검출 파라미터를 조절할 필요 없이 주파수 범위 내에 있는 모든 전력을 검출할 수 있다. 설명의 편의상, 주파수 검출 대역은 마스터 및 슬레이브에 대해, 각각, BW_m 및 BW_s로 언급될 수 있다.

일부 경우에서, BW_m은 매칭 네트워크(34, 34') 및 검출기(28, 28')에서 아날로그 필터링을 하는 것으로 인해 슬레이브 RF 생성기(24, 24')에 의해 검출될 수 없다. 이것이 일어날 때, 검출기(28, 28')는 상호 변조곱을 분석한다. 상호 변조곱이 2개의 사인 주파수의 곱으로부터 형성된다. 이하 설명은 제1 차 IMD 효과를 참조한다. 여러 실시예에서, 더 고차의 IMD 곱이 플라즈마 방출에 존재한다. 단지 예로서, 2개의 사인 주파수(f₁ 및 f₂)들이 결합하여 f₁±f₂를 형성한다. 이 곱은 또한 기본 주파수의 고조파와 혼합하는 것으로부터 형성된다. 마스터 기본 주파수(f_m)(대역폭 BW_m)가 슬레이브 기본 주파수(f_s)와 결합하는 경우, 최종 신호는 BW_m의 대역폭을 구비하고, f_s±f_mc에 중심이 있고, 여기서 f_mc는 마스터 RF 생성기의 허용가능한 주파수 대역의 중심 주파수이다. 슬레이브 RF 생성기(24, 24')는 또한 주파수 가변일 수 있으나, 슬레이브 검출기(28, 28b)는 슬레이브 RF 생성기의 주파수에 빠른 액세스를 하여 검출 대역이 필요치 않다. f_s >> f_m 인 경우, 상호 변조곱은 시스템에서 임의의 아날로그 필터링의 통과 대역 내에 있을 것 같고, 통상적으로 주파수 가변이고 f_s에 중심이 있는 디지털 필터에 의해 제거된다. 따라서, 다른 디지털 필터를 사용하여 원하는 검출 윈도우에서 전력을 추출할 수 있다.

이 검출 눈(detection eye)을 처리하는데 2개의 접근법이 있다. 도 6을 참조하면, 하나의 접근법이 f_s의 양 측에서 전력을 동시에 검출하는 것이다. 이 접근법은 아날로그 필터가 f_s가 그 허용가능한 주파수 대역에 있는지 여부에 상관없이 상호 변조곱을 통과할 수 있을 만큼 충분히 넓을 때 잘 동작한다. 그러나, 일부 아날로그 필터는 슬레이브 RF 생성기의 허용가능한 주파수 대역 주위에서 좁게 튜닝된다. 일부 상호 변조곱이 f_s가 도 7에 도시된 바와 같이 그 중심 주파수로부터 멀리 있을 때 검출될 수 없다. 제2 접근법은 f_s가 f_sc보다 작을 때 f_s + f_imd를 검출하고(여기서 f_sc는 슬레이브의 중심 주파수이다), f_s가 f_sc보다 클 때 f_s- f_imd를 검출하는 것이다. 여러 챔버 구성에서, f_s±2f_imd 상호 변조곱은 f_s±f_imd 상호 변조곱보다 큰 신호 강도를 나타낼 수 있고, 큰 신호 대 잡음 비율을 나타내는 대역에서 검출하는 것이 바람직하다.

상호 변조곱은 RF 생성기들이 전력을 출력하고 있을 때에만 존재하기 때문에, 제1 RF 생성기가 턴오프된 시간과 제2 RF 생성기가 턴오프된 시간 사이에는 고유한 지연이 있다. 이 지연은 검출과 작동 사이의 차이의 함수이다. 이 구조는 RF 오프 이벤트에서만 동기화할 수 있으므로, 두 RF 생성기는 펄싱 주파수 및 듀티 사이클 정보로 프로그래밍되어야 한다. 이들 파라미터를 적절히 설정하면 RF 온 동작에서 임의의 RF 시퀀스를 형성할 수 있다. 또한 제2 RF 생성기를 턴오프하는 지연이 가능할 수도 있다.

도 8을 참조하면, 상호 변조곱에 기초하여 동기화하는 전이도가 설명된다. 마스터 RF 생성기와 슬레이브 RF 생성기가 제일 먼저 CW 모드에서 턴온되어 플라즈마를 점화시킨 후 안정화시킨다. 호스트는 이후 슬레이브 RF 생성기에 지정된 펄싱 주파수와 듀티 사이클을 가지는 펄싱 슬레이브 RF 생성기로 동작하게 한다. 슬레이브 RF 생성기는 구성 설정으로부터 또는 명시적인 커맨드를 통해 상호 변조곱의 주파수를 결정한다. 슬레이브 RF 생성기는 상호 변조곱의 신호를 취득한다. 호스트는 마스터 RF 생성기에 펄싱 시작과, 펄싱 주파수와 듀티 사이클을 명시할 것을 명령한다. 슬레이브 RF 생성기는 상호 변조곱이 멀어지는 것을 검출하고 그 출력을 펄싱 오프하는 것으로 응답한다. 이것은 동기화를 위한 트리거이다. 여러 실시예에서, 고유한 지연이 검출 시스템에 존재하고, 이 지연은 슬레이브 RF 생성기에 의해 정밀하게 알려진다. 호스트는 슬레이브 RF 생성기가 펄스 오프될 때까지 마스터 RF 생성기가 펄스 오프되는 시간으로부터 펄싱 지연을 명령할 수 있다. 여러 실시예에서, 호스트와 같은 제어기는 동기화를 제어한다. 다른 여러 실시예에서, 전력 RF 생성기는 자율적이거나 또는 반-자율적인 동기화를 제공하도록 구성될 수 있다.

여러 실시예에서, 슬레이브 RF 생성기는 마스터 RF 생성기 전에 펄스 오프될 수 없다. 슬레이브 RF 생성기는 그 펄싱 주파수와 듀티 사이클의 의무가 충족될 때 펄스온된다. 슬레이브 RF 생성기의 펄싱은 상호 변조곱의 검출에 의존하지 않는다. 여러 실시예에서, 마스터 RF 생성기는 슬레이브 전 또는 후에 펄스온될 수 있다. 슬레이브 RF 생성기는 상호 변조곱을 재취득한다. 본 공정은 마스터 RF 생성기가 펄싱을 중지하거나 또는 호스트가 CW(연속파) 동작으로 리턴을 명령할 때까지 반복된다.

도 9를 참조하면, 여러 실시예에서, 마스터 RF 및 슬레이브 RF 생성기의 내부 클록들이 동기화되면, 슬레이브 RF 생성기의 검출기를 통한 지연에 기초하여 마스터 RF 생성기가 턴오프를 시작한 때를 슬레이브 RF 생성기가 결정할 수 있기 때문에 추가적인 파형 조작이 가능하다. 이것으로 슬레이브 RF 생성기는 동기적으로 펄싱될 수 있다. 이 경우에, 호스트는 또한 마스터 RF 생성기와 슬레이브 RF 생성기가 정확히 동시에 CW 동작으로 리턴하도록 펄싱 지속시간을 슬레이브 RF 생성기와 마스터 RF 생성기에 제공하여야 한다.

도 10을 참조하면, 여러 실시예에서, 마스터와 슬레이브가 상이한 주파수에서 펄싱하는 것을 포함하는 다른 가능성이 있다. 두 주파수가 슬레이브에 알려져서 슬레이브는 2개의 RF 생성기의 펄싱 주파수 중 최소 공통 다중 주파수 후에 동기화할 수 있다.

여러 실시예에서 도 11을 참조하면, 다른 시스템은 유도적으로 결합된 플라즈마를 가지고 있고, 마스터 RF 생성기(소스)와 슬레이브 RF 생성기(바이어스)는 동일한 RF 주파수를 출력한다. 이 경우에, 슬레이브 RF 생성기는 또한 마스터 RF 생성기의 제1 고조파를 검출할 수 있다. 이것은 도 4의 직접 검출 방법과 매우 유사한 시나리오를 초래한다. 전술된 동기화된 클록으로 2개의 RF 생성기를 동기화하는 능력은 호스트가 펄스 트레인의 지속시간을 마스터 및 슬레이브 RF 생성기에 제공할 것만을 요구한다. 알려진 펄스 트레인의 지속시간에, 마스터 및 슬레이브 RF 생성기가 일제히 펄싱하는 추가적인 실시예가 존재한다. 슬레이브 RF 생성기의 검출 지연이 알려져 있고 슬레이브 RF 생성기가 펄싱 주파수 및 듀티 사이클 정보를 가지고 있어서 동기화를 유지하고 있기 때문에 슬레이브 생성기가 마스터 RF 생성기의 출력을 검출하기 위해 그 출력이 온(on)일 필요가 없으므로, 슬레이브 RF 생성기는 마스터 RF 생성기가 턴오프될 때를 예측할 수 있다. 이 시나리오에서, 마스터와 슬레이브 사이에 클록 드리프트는 단일 펄스 반복 동안만 작을 필요가 있고, 도 9에 설명된 바와 같이 전체 펄스 트레인 동안 작을 필요는 없다.

도 12를 참조하면, 도 12는 매칭 네트워크(34)를 사용하여 마스터 주파수를 필터링할 수 있는 여러 실시예를 나타낸다. 이러한 여러 실시예에서, 필터로 기능하는 매칭 네트워크와 플라즈마 챔버(36) 사이에 검출기(40a, 40b)를 위치시키는 것이 필요할 수 있다. 도 12에 도시된 f₁ (40a) 및 f₂ (40b)의 검출기는 매칭 네트워크에 위치된다. 검출기(40a, 40b)는 반사된 신호가 필터로도 기능하는 매칭 네트워크(34)를 통과하기 전에 f₁ 및 f₂에서 전력을 검출한다. 매칭 네트워크(34)는 통신 라인(42)을 통해 슬레이브 RF 생성기(24)와 통신하며 매칭 네트워크(34)에 위치된 검출기(40a, 40b)와 슬레이브 RF 생성기(24) 사이에 데이터를 제공한다. 여러 실시예에서, 통신 링크(42)는 아날로그 또는 디지털 통신 링크로 구현될 수 있고, 고속으로 동작하여 충분히 낮은 루프 시간에 플라즈마 챔버에 인가되는 전력을 제어할 수 있게 한다.

도 13을 참조하면, 도 13은 여러 실시예에 따라 다른 주파수 대역에서 전력을 모니터링하는 것에 의해 펄스 동기화를 구현하는 시스템(50)을 도시한다. 제어기(30)는 펄싱 마스터 RF 생성기(22) 및 펄싱 슬레이브 RF 생성기(24)와 통신한다. 각 RF 생성기(22, 24)는 각 RF 에너지 마스터 출력 신호 및 RF 에너지 슬레이브 출력 신호를 각 매칭 네트워크(32, 34)에 출력한다. 매칭 네트워크(32, 34)는 매칭 기능을 수행하고, 각 출력 전력을 플라즈마 챔버(36)에 인가한다. 펄싱 슬레이브 RF 생성기(24)와 연관된 매칭 네트워크(32, 34)는 마스터(22) 및 슬레이브(24) RF 생성기의 출력 전력을 나타내는 RF 에너지 출력 신호를 생성한다. RF 에너지 신호는 펄싱 슬레이브 RF 생성기(24)에 인가된다. 펄싱 슬레이브 RF 생성기(24)는 검출기(28)를 포함한다. 여러 실시예에서, 검출기는 케스케이드된 적분기-콤(cascaded integrator-comb: CIC) 필터와 같은 대역외 거부(out-of-band rejection)를 위한 디지털 필터일 수 있다. 도 14에서와 같은 흐름도를 적용하면, RF 슬레이브 생성기(24)는 슬레이브의 펄싱을 제어하는 신호를 출력한다.

도 14는 슬레이브의 펄싱을 활성화할지 여부를 결정하는 방법 또는 공정(60)의 흐름도를 도시한다. 검출기는 펄스 또는 슬레이브 RF 생성기에 배치된다. 펄스 또는 슬레이브 RF 생성기에서 검출기는, 여러 실시예에서, 상이한 케스케이드된 적분기-콤(CIC) 필터를 사용하면서 보상기(compensator)와 동일한 아날로그-디지털-컨버터(ADC) 데이터를 사용할 수 있다. 스누프 펄스(snooping pulse) 동기화 공정(62)은 펄스 마스터 주파수를 직접 분석하거나 또는 상호 변조곱 주파수를 통해 분석한다. 이 공정으로부터 출력은 스누프 주파수 대역에서 전력이다. 64에서 이 전력은 미리 결정된 임계값(65)과 비교된다. 이 전력이 미리 결정된 임계값을 초과하는 경우, 펄스 출력 하이(high) 신호가 66에서 생성된다. 이 전력이 미리 결정된 임계값 미만인 경우, 펄스 출력 로우(low)를 나타내는 신호는 68에서 생성된다.

본 발명은 마스터와 슬레이브 RF 전력 공급원 사이에 펄스 동작을 동기화하는 신호 처리 장치 및 방법을 설명한다. 슬레이브는 RF 샘플링된 신호를 처리하여 마스터 전력 공급원의 존재를 검출한다. 마스터가 슬레이브에 의해 검출되면, 슬레이브는 그 펄스 시퀀스를 마스터 RF 전력 공급원의 펄싱 시퀀스와 동기화시킨다.

일반적인 용어로, 슬레이브 전력 공급원에 의해 RF 마스터 전력 공급원이 존재하는 것을 검출하는 것은 RF 스펙트럼을 검사하는 것에 의해 일어난다. 슬레이브는 스펙트럼을 모니터링하여 마스터 RF 전력 공급원이 도통(engergized)된 때를 결정한다. 스펙트럼에서 마스터의 RF 신호를 검출하는데 2개의 접근법이 있다. 제1 접근법은 RF 스펙트럼을 직접 샘플링하여 마스터 전력 공급원의 존재를 검출한다. 예를 들어, 마스터 전력 공급원의 주파수가 fm이라면, 슬레이브는 슬레이브의 샘플링된 스펙트럼을 검사하여 fm을 검출할 수 있다. 여러 실시예에서, 검출은 fm의 전체 대역폭을 검사할 수 있다. 제2 접근법은 슬레이브를 사용하여 마스터의 주파수의 부산물(byproduct)을 검출한다. 마스터의 주파수의 부산물은 마스터의 주파수의 고조파를 포함할 수 있다. 이 부산물은 또한 마스터와 슬레이브 사이에 변조간 왜곡 주파수 컨텐츠를 포함할 수 있다.

도 15는 스펙트럼에서 마스터의 RF의 존재를 결정하는 신호 처리 장치 및 방법의 블록도를 도시한다. 슬레이브의 다중 포트 RF 센서로부터 2개의 RF 신호 A, B는 도 15에 개략적으로 도시된 A/D 변환기에 인가되고 이 변환기에 의해 샘플링된다. RF 신호는 출력 A 및 출력 B로 나타난다. 방향성 커플러 유형 RF 센서에 대해, 출력 A는 순방향 전력 포트에 대응할 수 있고, 출력 B는 역방향 전력 포트에 대응할 수 있다. VI 센서 유형 RF 센서에 대해, 출력 A는 전압 포트에 대응할 수 있고, 출력 B는 전류 포트에 대응할 수 있다. 이 설명은 일반적으로 신호를 출력 A 및 출력 B로 말할 수 있다.

마스터 전력 공급원의 존재를 검출하기 위해, 슬레이브는 적응가능한 멀티플렉서를 가지게 구성된다. 멀티플렉서는 2개의 디지털 샘플링된 센서 신호, 즉 출력 A 또는 출력 B 중 하나을 선택한다. 선택된 디지털 샘플링된 센서 신호는 곱셈기(multiplier) 세트에 전달된다. 하나의 곱셈기는 디지털 샘플링된 센서 출력과 사인 함수의 곱을 연산한다. 제2 곱셈기는 디지털 샘플링된 센서 출력과 코사인 함수의 곱을 연산한다. 이들 사인 함수는 fs±fm±Δf의 주파수에서 이산 디지털 합성기(discrete digital synthesizer: DDS)로 구성되고, 여기서 Fs는 슬레이브 주파수를 나타내고, Fm은 마스터의 주파수를 나타낸다.

곱셈기와 DDS의 세트는 디지털 샘플링된 선택된 신호로부터 2개의 출력을 양산하여, 직교 성분(x_r+jx_j)에서 샘플링된 센서의 스펙트럼을 나타낸다. 복소수(x_r+jx_i)는 필터링되어, 원치 않는 주파수 결함을 감쇠시키고, Δf로 표현되는 fs 센서 신호를 유지시킨다. 여러 실시예에서, fm의 대역폭으로 필터링하는 동작이 사용될 수 있고, 여기서 fm는 마스터의 주파수이다. 여러 실시예에서, 그 효율적인 구현으로 인해, 케스케이드된 적분기-콤(CIC) 필터가 사용될 수 있다. 이 필터의 출력은 마스터 RF 전력 공급원을 나타내는 fs의 주파수에서 센서 신호의 복소(실수 성분과 허수 성분) 신호 Y이다. 마스터 RF 전력 공급원이 존재하는지는 CIC 필터의 출력으로부터 복소 신호의 크기값에 의해 결정된다. 효율을 위해, 복소 신호의 제곱의 합계(Y²r+Y²i)로서 크기값을 연산하고, 여기서 Y는 x의 필터링된 버전을 나타낸다. 슬레이브의 RF 센서의 스펙트럼 컨텐츠로부터 마스터 RF 전력 공급원이 존재하는지에 대한 최종 결정으로서 임계값이 그 크기값에 적용된다.

그 크기값을 연산하는 동작과 함께 샘플링 및 필터링 동작은 신호 처리 체인에서 유한 및 결정가능한 지연을 가진다. 이 오프셋을 사용하여 마스터와 슬레이브 펄싱 시퀀스를 동기화한다. 여러 실시예에서, 이 구조의 다수의 경우는 2개를 초과하는 전력 공급원들 사이에 펄싱을 동기화하는 것으로 전개될 수 있다. 여러 실시예에서, 신호 슬레이브는 다수의 (2개 이상의) 마스터 RF 전력 공급원 주파수 각각에 대응하는 다수의 검출기를 구비할 수 있다. 이와 유사하게, 케스케이드 마스터 구성이 이 구조에 적응될 수 있다. 여러 실시예에서, 제1 슬레이브는 마스터 RF 전력 공급원 주파수의 존재를 검출할 수 있고, 제2 슬레이브는 제1 슬레이브 RF 전력 주파수를 검출할 수 있다.

본 실시예의 설명은 예시와 설명을 위하여 제공되었다. 설명은 본 발명을 전부 설명한 것이라거나 본 발명을 제한하려고 의도된 것이 아니다. 특정 실시예의 개별 요소 또는 특징은 일반적으로 이 특정 실시예로 제한되지 않고, 적용가능한 경우, 상호 교환가능하고, 구체적으로 도시되거나 설명되지 않았다 하더라도 선택된 실시예에서 사용될 수 있다. 이는 또한 많은 방식으로 변경될 수 있다. 이러한 변경은 본 발명을 벗어나는 것으로 고려되어서는 안되고, 모든 이러한 변형은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims

무선 주파수(RF) 전력 전달 시스템으로서,
부하에 전달할 제1 펄스 RF 신호를 제공하는 제1 RF 생성기; 및
상기 부하에 전달할 제2 펄스 RF 신호를 제공하는 제2 RF 생성기를 포함하는데, 상기 제2 RF 생성기는 제1 RF 신호의 전기 특성을 검출하는 제1 검출기 및 제2 RF 신호의 전기 특성을 검출하는 제2 검출기를 포함하며,
상기 제2 RF 생성기의 펄스 동작은 상기 제1 검출기에 의해 검출된 전기 특성에 따라 상기 제1 RF 생성기의 동작으로 조정되는 RF 전력 전달 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제1 RF 생성기와 상기 제2 RF 생성기의 동작을 제어하는 제어기를 더 포함하는 RF 전력 전달 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제1 RF 생성기와 상기 부하 사이에 배치된 제1 매칭 네트워크; 및
상기 제2 RF 생성기와 상기 부하 사이에 배치된 제2 매칭 네트워크를 더 포함하는 RF 전력 전달 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제1 검출기는 상기 제1 RF 신호의 상승 에지 또는 상기 제1 RF 신호의 하강 에지 중 적어도 하나를 검출하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제4항에 있어서,
상기 제1 검출기는 변조간 왜곡(intermodulation distortion: IMD) 곱(product)을 검출하고, 상기 제1 검출기는 상기 제1 RF 신호의 상승 에지 또는 하강 에지 중 적어도 하나를 검출하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제2 RF 생성기는 상기 제1 RF 생성기와 동시에 활성화하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제2 RF 생성기는 상기 제1 RF 생성기가 활성화할 때로부터 미리 결정된 시간 후에 활성화하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제2 RF 생성기는 연속파 동작 모드에서 상기 제2 RF 신호를 생성하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제8항에 있어서,
상기 제1 RF 생성기는 펄스 동작 모드에서 상기 제1 RF 신호를 선택적으로 생성하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제1항에 있어서,
상기 RF 생성기들 중 적어도 하나는 고정된 주파수에서 동작하는 RF 전력 전달 시스템.
제1항에 있어서,
상기 RF 생성기들 중 적어도 하나는 가변 주파수에서 동작하는 RF 전력 전달 시스템.
무선 주파수(RF) 전력 전달 시스템으로서,
부하에 전달할 복수의 RF 신호를 각각 제공하는 복수의 RF 생성기로서, 상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나는 펄스 RF 신호를 제공하는, 복수의 RF 생성기; 및
상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나와 연관된 복수의 검출기를 포함하고, 상기 복수의 검출기는 상기 복수의 RF 신호 중 선택된 신호의 전기 특성을 검출하도록 구성되고,
나머지 RF 생성기들 중 적어도 하나의 펄스 동작은 상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나와 연관된 상기 검출기에 의해 검출된 각 전기 특성에 따라 조정되는 RF 전력 전달 시스템.
제12항에 있어서,
상기 복수의 RF 생성기 중 선택된 생성기의 동작을 제어하는 제어기를 더 포함하는 RF 전력 전달 시스템.
제12항에 있어서,
상기 복수의 검출기 중 적어도 하나는 상기 복수의 RF 신호 중 선택된 신호의 상승 에지 또는 상기 복수의 RF 신호 중 선택된 신호의 하강 에지 중 적어도 하나를 검출하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제14항에 있어서,
상기 복수의 검출기 중 적어도 하나는 변조간 왜곡(IMD) 곱을 검출하고, 상기 적어도 하나의 검출기는 상기 복수의 RF 신호 중 선택된 신호의 상승 에지 또는 하강 에지 중 적어도 하나를 검출하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제12항에 있어서,
상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나는 상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 다른 생성기가 활성화할 때 동시에 활성화하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제12항에 있어서,
상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나는 상기 복수의 RF 생성기 중 다른 생성기가 활성화할 때로부터 미리 결정된 시간 후에 활성화하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제12항에 있어서,
상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나는 연속파 동작 모드에서 제2 RF 신호를 선택적으로 생성하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제18항에 있어서,
상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나는 펄스 동작 모드에서 대응하는 RF 신호를 생성하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제12항에 있어서,
상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나는 고정된 주파수에서 동작하는 RF 전력 전달 시스템.
제12항에 있어서,
상기 복수의 RF 생성기 중 적어도 하나는 가변 주파수에서 동작하는 RF 전력 전달 시스템.
무선 주파수(RF) 전력 전달 시스템으로서,
부하에 전달할 제1 펄스 RF 신호를 제공하는 제1 RF 생성기;
상기 부하에 전달할 제2 펄스 RF 신호를 제공하는 제2 RF 생성기;
상기 제1 RF 생성기와 상기 부하 사이에 배치된 제1 매칭 네트워크; 및
상기 제2 RF 생성기와 상기 부하 사이에 배치된 제2 매칭 네트워크를 포함하고, 상기 제2 매칭 네트워크는 제1 검출기와 제2 검출기를 포함하고, 상기 제1 검출기는 상기 제1 RF 신호의 전기 특성을 검출하고, 상기 제2 검출기는 상기 제2 RF 신호의 전기 특성을 검출하며,
상기 제2 RF 생성기의 펄스 동작은 상기 제1 검출기에 의해 검출된 전기 특성에 따라 상기 제1 RF 생성기의 동작으로 조정되는 RF 전력 전달 시스템.
제22항에 있어서,
상기 제1 RF 생성기와 상기 제2 RF 생성기의 동작을 제어하는 제어기를 더 포함하는 RF 전력 전달 시스템.
제22항에 있어서,
상기 제1 검출기는 상기 제1 RF 신호의 상승 에지 또는 상기 제1 RF 신호의 하강 에지 중 적어도 하나를 검출하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제24항에 있어서,
상기 제1 검출기는 변조간 왜곡(IMD) 곱을 검출하고, 상기 제1 검출기는 상기 제1 RF 신호의 상승 에지 또는 하강 에지 중 적어도 하나를 검출하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제22항에 있어서,
상기 제2 RF 생성기는 상기 제1 RF 생성기와 동시에 활성화하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제22항에 있어서,
상기 제2 RF 생성기는 상기 제1 RF 생성기가 활성화할 때로부터 미리 결정된 시간 후에 활성화하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제22항에 있어서,
상기 제2 RF 생성기는 연속파 동작 모드에서 상기 제2 RF 신호를 선택적으로 생성하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제28항에 있어서,
상기 제1 RF 생성기는 펄스 동작 모드에서 상기 제1 RF 신호를 생성하도록 구성된 RF 전력 전달 시스템.
제22항에 있어서,
상기 RF 생성기들 중 적어도 하나는 고정된 주파수에서 동작하는 RF 전력 전달 시스템.
제22항에 있어서,
상기 RF 생성기들 중 적어도 하나는 가변 주파수에서 동작하는 RF 전력 전달 시스템.