KR20100071206A - 반도체 소자의 ｍｉｍ커패시터 및 이를 형성하는 방법 - Google Patents
반도체 소자의 ｍｉｍ커패시터 및 이를 형성하는 방법 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-DBXDQKISSA-N tin-110 Chemical compound [110Sn] ATJFFYVFTNAWJD-DBXDQKISSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성 기술에 관한 것으로, 본 발명은 MIM 구조의 커패시터 형성 및 후속 메탈 층의 형성을 하나의 공정으로 제조하기 위하여 하부 금속 배선 영역에 홀을 형성하고, 형성된 홀에 하부 금속 층, 절연막과 상부 금속층을 순차적으로 형성하여 MIM 구조를 형성하게 되며, 이러한 MIM 구조의 형성 시 사용되는 포토레지스트로 패턴을 형성하는 경우, MIM 구조와 메탈층 형성을 위한 패턴을 동시에 형성하게 되므로, 이러한 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각 공정을 수행하는 경우, MIM 구조와 메탈층 구조를 하나의 마스크로 동시에 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, MIM 캐패시터 구조와 후속 메탈 층의 구조를 하나의 공정으로 형성함으로써, 사용되는 마스크의 수를 줄이고, 공정을 단순화할 수 있으며, 간단한 구조로 만들 수 있으므로, 생산성을 향상 시킬 수 있다.
반도체, MIM 커패시터, 메탈층
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 기술에 관한 것으로서, 특히 금속/절연체/금속(MIM: Metal/Insulator/Metal) 구조 및 후속 메탈층 구조의 제조 공정 시 하나의 공정으로 진행하여 홀(hole) 안에 MIM 구조를 형성하는데 적합한 반도체 소자의 MIM 커패시터 및 이를 형성하는 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 반도체 소자에 사용하는 커패시터는 그 구조에 따라 크게 PIP(Poly Insulator Poly) 커패시터와 MIM 커패시터로 구분되며, 상기 각 구조의 커패시터는 각각의 고유한 특성이 있어 반도체 소자의 특성에 따라 적절히 선택되어 사용되고 있다.
이중 특히 MIM 구조 커패시터는 고주파를 사용하는 반도체 소자에 사용되고 있는데, 이는 상기 PIP 구조의 커패시터는 상부 전극 및 하부 전극을 도전성 폴리실리콘으로 사용하기 때문에 상부전극/하부전극과 절연체 박막 계면에서 산화반응이 일어나 커패시턴스의 용량이 줄어드는 문제점이 있는 반면, MIM 구조 커패시터는 비저항이 작고 내부에 공핍에 의한 기생 커패시턴스가 없어 높은 용량의 구현이 가능하기 때문이다.
즉, 고주파를 사용하는 반도체 소자에서는 RC 지연에 의해 소자 특성이 달라질 수 있기 때문에 가급적 전기적 특성이 좋은 금속을 사용하는 MIM 구조의 커패시터가 사용되는 것이다.
한편, 이러한 MIM 커패시터는 다른 반도체 소자와 동시에 구현되어야 하므로 상호 연결 배선인 금속 배선을 통해 반도체 소자와 전기적으로 연결되어 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 종래기술에 따른 MIM 커패시터의 제조공정에 관하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 MIM 및 메탈 층 제조 공정을 도시한 공정 순서도이다.
도 1a를 참조하면, 반도체 기판에 형성된 산화막(도시하지 않음) 상에 하부 금속 배선을 생성하는 단계로서, 제1 TiN(102)을 형성한 후에 알루미늄(Al)(104)을 형성하고, 형성된 알루미늄(104) 상에 다시 제2 TiN(106)을 형성하게 된다.
이후 도 1b에 도시한 바와 같이 형성된 제2 TiN(108)에 SiN(108)을 형성한 후, 다시 제3 TiN(110)을 형성하게 되며, MIM 형성을 위해 제3 TiN(110)에 제1포토레지스트 패턴(112)을 형성하고, 형성된 제1포토레지스트 패턴(112)을 마스크로 하여 도 1c에 도시한 바와 같이 MIM 식각 공정을 수행함으로써, 반도체 기판의 산화막(100) 상에 MIM을 형성하게 된다.
이후, 도 1d에 도시한 바와 같이 제2포토레지스트 패턴을 마스크로하여 후속 메탈층 형성을 위한 선택적 식각을 수행함으로써, 메탈 층(114)을 형성한 후, 반도 체 기판 전면에 절연막(IMD:Inter Metal Dielectric)(112)을 증착하여 MIM 구조(106, 108, 110) 및 메탈층(114)을 형성하게 된다.
이와 같이 종래기술에 따른 MIM 커패시터의 제조 공정에 있어서는 MIM 구조의 형성 공정과 후속 메탈 층의 형성을 위한 각각의 포토레지스트 패턴을 형성한 후 이를 마스크로 하여 공정을 수행한다.
상기한 바와 같이 제조되는 종래 기술에 의한 MIM 구조 및 메탈층 형성 방식에 있어서는, MIM 구조의 캐패시터 형성 공정과 후속 메탈 층의 형성을 위한 공정을 각각 2개의 공정으로 나누어 진행하게 되므로, MIM 패턴 및 메탈 패턴을 형성하기 위해서는 2개의 마스크가 필요하며, 메탈 층의 형성 시 공정 시간이 길어지게 된다는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은, MIM 구조의 형성 및 후속 메탈 층의 형성을 하나의 공정으로 제조할 수 있는 반도체 소자의 MIM 커패시터 및 이를 형성하는 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, MIM 구조의 형성 및 후속 메탈 층의 형성을 하나의 공정으로 제조하여 홀 안에 MIM 구조를 형성할 수 있는 반도체 소자의 MIM 커패시터 및 이를 형성하는 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 하나의 포토레지스트 패턴을 토대로 홀 안에 MIM 구조를 형성하고 동시에 메탈 층의 형성할 수 있는 반도체 소자의 MIM 커패시터 및 이를 형 성하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예 구조는, 반도체 기판 상에 형성된 하부 금속 배선과, 상기 하부 금속 배선이 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 형성된 산화막과, 상기 산화막에서 상기 하부 금속 배선 영역으로 형성된 홀에 갭필된 하부 금속층과, 상기 하부 금속층이 기 설정된 깊이까지 식각되어 상기 식각된 하부 금속층 영역에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 상부 금속층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예 방법은, 반도체 기판 상에 하부 금속 배선을 형성하는 단계; 상기 하부 금속 배선이 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 산화막을 형성하는 단계; 상기 형성된 산화막에서 상기 하부 금속 배선 영역으로의 홀을 형성하는 단계; 상기 홀에 하부 금속층을 갭필하는 단계; 상기 갭필된 하부 금속층을 기 설정된 깊이까지 식각하는 단계; 상기 식각된 하부 금속층 영역에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 상부 금속층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 있어서, 개시되는 발명 중 대표적인 것에 의하여 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은, MIM 캐패시터 구조와 후속 메탈 층의 구조를 하나의 공정으로 형성함으로써, 사용되는 마스크의 수를 줄이고, 공정을 단순화할 수 있으며, 간단한 구조로 만들 수 있으므로, 생산성을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 동작 원리를 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명은 MIM 구조의 커패시터 형성 및 후속 메탈 층의 형성을 하나의 공정으로 제조하는 것으로서, 하나의 포토레지스트 패턴을 토대로 MIM 구조를 형성하고 동시에 메탈 층을 형성하는 것이다.
다만, 이와 같이 하나의 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 MIM 구조 및 메탈층을 동시에 형성하기 위해서는 홀 안에 MIM 구조를 형성하게 된다.
즉, 하부 금속 배선 영역에 홀을 형성하고, 형성된 홀에 하부 금속 층, 절연막과 상부 금속층을 순차적으로 형성하여 MIM 구조를 형성하게 되며, 이러한 MIM 구조의 형성 시 사용되는 포토레지스트로 패턴을 형성하는 경우, MIM 구조와 메탈층 형성을 위한 패턴을 동시에 형성하게 되므로, 이러한 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각 공정을 수행하는 경우, MIM 구조와 메탈층 구조를 하나의 마스크로 형성하는 것이 가능하다.
이에 대해 하기 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 MIM 및 금속 층 제조 공정을 도시한 공정 순서도이다.
도 2a를 참조하면, 반도체 기판 상에 제1산화막(200)을 형성하고, 제1산화막(200) 상에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 구리(AlCu)층(202)을 형성한 후, 알루미늄 층(202)에 마스크를 증착하여 1차 식각을 수행함으로써 하부 금속 배선을 형성한다.
이후, 제1산화막(200) 및 알루미늄층(202) 전면에 제2산화막(206)을 형성하고, MIM 영역에 대한 홀 식각을 수행하여 홀이 형성될 영역에 대한 제2산화막(206)을 알루미늄 층(202)의 표면이 드러날 때까지 제거한 후, 홀 내에 드러난 알루미늄 층(202)을 기 설정된 깊이까지 추가적으로 식각하게 된다.
한편, 상기에서 설명한 바와 같이 1차 식각 이후, 알루미늄 층(202) 상에 MIM 구조가 형성될 영역에 대한 2차 식각을 수행한 후에 다음 공정을 진행할 수도 있으며, 이는 본 발명을 구현하는 방식에 따라 달라질 수 있다.
그리고 형성된 홀에는 전도성 물질로서 텅스텐(W)(204)으로 갭필하며, 이때, 갭필되는 텅스텐(204)은 MIM 구조의 하부 금속층이 되는 것이다. 이후, 갭필된 텅스텐(204)을 기 설정된 깊이까지 식각을 수행하여 오목한 곳(recess)이 생길 수 있도록 한다.
또한 도 2b에 도시한 바와 같이 텅스텐(204)의 식각 후, 형성된 오목한 곳에 MIM 구조의 절연막(insulator) 역할을 수행하는 실리콘 질화막(SiN)(208)을 증착하게 되며, 도 2c에서와 같이 SiN(208) 증착 후에 제2산화막(206) 및 SiN(208) 상에 는 티타늄(Ti) 또는 티타늄 질화막(TiN)(210)을 형성하고, 형성된 Ti 또는 TiN(210) 상에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 구리(AlCu)(212)를 형성한 후, 다시 Ti 또는 TiN(214)을 형성하게 된다.
이때, 순차적으로 형성된 Ti 또는 TiN(210), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 구리(AlCu)(212), Ti 또는 TiN(214)은 추후 패터닝을 통한 식각으로 MIM 구조의 상부 금속층이 되는 것이다.
이후 도 2d에 도시한 바와 같이 Ti 또는 TiN(210), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 구리(AlCu)(212), Ti 또는 TiN(214)이 순차적으로 증착된 반도체 기판 상에 포토레지스트를 증착한 후, MIM 및 금속 층 형성을 위한 패턴(216)을 형성한다.
이에 형성된 포토레지스트 패턴(216)을 마스크로 하여 도 2e에 도시한 바와 같이 패턴 형성 후 플라즈마를 이용한 건식 식각을 수행하여 MIM 커패시터(220) 및 금속층 구조(218)를 하나의 공정으로 형성하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 MIM 구조의 커패시터 형성 및 후속 메탈 층의 형성을 하나의 공정으로 제조하는 것으로서, 하나의 포토레지스트 패턴을 토대로 홀 안에 MIM 구조를 형성하고 동시에 메탈 층을 형성한다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성 방법에 관해 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되지 않으며, 후술되는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 MIM 및 금속 층 제조 공정을 도시한 공정 순서도,
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 MIM 및 금속 층 제조 공정을 도시한 공정 순서도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 >
200 : 제1산화막 202 : 알루미늄
204 : W(텅스텐) 206 : 제2산화막
208 : SiN 210 : TiN
212 : 알루미늄 214 : TiN
216 : 포토레지스트 패턴 218 : 메탈층
220 : MIM 커패시터
Claims (18)
- 반도체 기판 상에 형성된 하부 금속 배선과,상기 하부 금속 배선이 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 형성된 산화막과,상기 산화막에서 상기 하부 금속 배선 영역으로 형성된 홀에 갭필된 하부 금속층과,상기 하부 금속층이 기 설정된 깊이까지 식각되어 상기 식각된 하부 금속층 영역에 형성된 절연막과,상기 절연막 상에 형성된 상부 금속층을 포함하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 제 1항에 있어서,상기 하부 금속 배선은,상기 산화막 상에 형성된 알루미늄 또는 알루미늄 구리인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 제 1항에 있어서,상기 홀은,상기 산화막에서 상기 하부 금속 배선의 표면까지 식각된 후, 상기 하부 금속 배선의 기 설정된 깊이까지 추가로 식각된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 제 1항에 있어서,상기 하부 금속층은,텅스텐(W)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 제 1항에 있어서,상기 절연막은,실리콘 질화막(SiN)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 제 1항에 있어서,상기 상부 금속은,티타늄(Ti) 또는 티타늄 질화막(TiN), 알루미늄 또는 알루미늄 구리, 티타늄(Ti) 또는 티타늄 질화막(TiN)이 순차적으로 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 제 1항에 있어서,상기 MIM 커패시터는,상기 상부 금속층 상에 증착되는 포토레지스트 패턴을 이용한 식각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 제 7항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은,MIM 구조 및 금속층 구조가 동시에 형성된 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 제 7항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 이용한 식각은,플라즈마를 이용한 건식 식각인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터.
- 반도체 기판 상에 하부 금속 배선을 형성하는 단계;상기 하부 금속 배선이 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 산화막을 형성하는 단계;상기 형성된 산화막에서 상기 하부 금속 배선 영역으로의 홀을 형성하는 단계;상기 홀에 하부 금속층을 갭필하는 단계;상기 갭필된 하부 금속층을 기 설정된 깊이까지 식각하는 단계;상기 식각된 하부 금속층 영역에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 상부 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
- 제 10항에 있어서,상기 하부 금속 배선을 형성하는 단계는,상기 반도체 기판에 형성된 산화막 상에 알루미늄 또는 알루미늄 구리를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
- 제 10항에 있어서,상기 홀을 형성하는 단계는,상기 산화막에서 상기 하부 금속 배선의 표면까지 식각한 후, 상기 하부 금속 배선의 기 설정된 깊이까지 추가로 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
- 제 10항에 있어서,상기 하부 금속층은,텅스텐(W)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
- 제 10항에 있어서,상기 절연막은,실리콘 질화막(SiN)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
- 제 10항에 있어서,상기 상부 금속은,티타늄(Ti) 또는 티타늄 질화막(TiN), 알루미늄 또는 알루미늄 구리, 티타늄(Ti) 또는 티타늄 질화막(TiN)이 순차적으로 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
- 제 10항에 있어서,상기 MIM 커패시터 형성방법은,상기 상부 금속층 상에 증착된 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
- 제 16항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은,MIM 구조 및 금속층 구조가 동시에 형성되는 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
- 제 16항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각을 수행하는 단계는,플라즈마를 이용한 건식 식각인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 형성방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080129839A KR20100071206A (ko) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 반도체 소자의 ｍｉｍ커패시터 및 이를 형성하는 방법 |
| US12/624,776 US8212333B2 (en) | 2008-12-19 | 2009-11-24 | MIM capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080129839A KR20100071206A (ko) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 반도체 소자의 ｍｉｍ커패시터 및 이를 형성하는 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100071206A true KR20100071206A (ko) | 2010-06-29 |
Family
ID=42264809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080129839A KR20100071206A (ko) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 반도체 소자의 ｍｉｍ커패시터 및 이를 형성하는 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8212333B2 (ko) |
| KR (1) | KR20100071206A (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102420256B (zh) * | 2011-05-13 | 2013-10-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高mim电容密度的结构及其制作工艺 |
| KR102008840B1 (ko) | 2013-08-30 | 2019-08-08 | 삼성전자 주식회사 | 캐패시터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173175A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置および製造方法 |
| KR100607363B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 저유전율 절연막을 이용한 금속간 절연막 및 그 형성방법 |
| US20100314765A1 (en) * | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Liang Wen-Ping | Interconnection structure of semiconductor integrated circuit and method for making the same |
-
2008
- 2008-12-19 KR KR1020080129839A patent/KR20100071206A/ko not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-11-24 US US12/624,776 patent/US8212333B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8212333B2 (en) | 2012-07-03 |
| US20100155890A1 (en) | 2010-06-24 |
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