KR20100058979A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 전극층;상기 전극층 아래에 화합물 반도체층이 적층된 발광 구조물;상기 전극층 위에 복수개가 서로 이격된 휨 방지층;상기 전극층 및 상기 휨 방지층 위에 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 휨 방지층은 Si02, Si3N4, Al203, TiO2, SiOx, SiNx2, SiNx, SiOxNy 중에서 어느 하나로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 휨 방지층은 복수개의 패턴이 서로 이격되며,상기 각 패턴은 기둥 형태의 패턴, 복수개의 막대 형태의 패턴 또는 복수개 패턴이 적어도 1회 교차되는 형태 중 어느 한 형태를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 발광 구조물 위의 외측 둘레와 상기 전도층 사이에 틀 형태로 형성된 보호층을 포함하며,상기 보호층은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 , ITO, IZO, AZO 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 4항에 있어서,상기 발광 구조물의 외벽에 상기 보호층의 단부가 노출되도록 커팅된 외곽 홈을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 발광 구조물은 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층, 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 포함하며,상기 제1도전형 반도체층 아래에 형성된 제1전극을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제6항에 있어서,상기 전극층 위에 상기 제1전극 영역과 대응되며, W, Mo 중 적어도 하나로 이루어진 충격 보호부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 발광 구조물은 P-N 접합, N-P 접합, P-N-P 접합, N-P-N 접합 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 6항에 있어서,상기 발광 구조물 위의 외측 둘레와 상기 전도층 사이에 틀 형태로 형성되며, 일부가 상기 발광 구조물의 제2도전형 반도체층에서 상기 제1도전형 반도체층까지 연장된 절연 돌기가 형성된 보호층을 포함하며,상기 보호층은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 제2도전형 반도체층 위에 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 위에 복수개가 서로 이격된 휨 방지층을 형성하는 단계;상기 휨 방지층 및 상기 전극층 위에 전도성 지지부재를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 발광 구조물의 상측 둘레와 상기 전극층 사이에 틀 형태로 절연 재질 또는 전도성 재질의 보호층을 형성하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층을 기판 위에 형성하는 단계;상기 전도성 지지부재를 베이스에 위치시킨 후, 상기 기판을 제거하는 단계;상기 기판 분리 후 칩 단위로 분리하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 휨 방지층은 Si02, Si3N4, Al203, TiO2, SiOx, SiNx2, SiNx, SiOxNy 중에서 어느 하나를 이용하여 100nm~10um 로 형성하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 전극층 위에 제1전극 형성 영역과 대응되는 영역에 충격 보호 부재를 형성하는 단계;상기 제1도전형 반도체층 아래에 제1전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 충격 보호부재는 W, Mo, 고용융점 금속 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
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