KR20100056534A - 자기력 센서 - Google Patents

Abstract

자기력 센서는 외력이 작용하는 작용부; 상기 작용부에 작용하는 힘을 전기 신호로 변환하는 감지 유닛; 및 상기 작용부를 탄성적으로 지지하는 탄성체를 갖고 상기 감지 유닛을 수납하는, 외측 프레임을 포함한다. 감지 유닛은, 상기 작용부와 접속된 자속 발생원과, 상기 외측 프레임에 고정된 자전 변환 소자를 포함하고, 상기 자속 발생원은 상기 자속 발생원에 의해 발생되는 자속의 흐름을 제어하는 자성체를 갖는다.

Description

자기력 센서{MAGNETIC FORCE SENSOR}

본 발명은 힘/모멘트 6방향 성분을 검출하기 위한 힘 센서에 관한 것이며, 특히, 자속 발생원의 자속 변화를 자전 변환 소자(magnetoelectric transducer)로 검출하기 위한 자기력 센서에 관한 것이다.

힘 센서는, 예를 들어, 로봇암(robot arm)에 의해 부품의 조립 시에, 로봇암의 손목부에 탑재되어 조립 작업 동안 발생하는 힘/모멘트 성분을 검출하고, 암의 핸드부의 자세 제어를 행하기 위해서 사용된다. 종래의 전형적인 힘 센서는 일본 공개 특허 출원 평01-262431호에 기재되어 있는 것과 같이 변형 게이지(strain gauge)의 저항 변화로부터 검출을 행했다. 또한, 일본 공개 특허 출원 제2004-325328호에 기재되어 있는 것과 같이 작용부의 변위를 자기적으로 검출하는 방법을 이용하는 다른 힘 센서도 있다.

우선, 도 11은 일본 공개 특허 출원 평01-262431호에 기재된 종래의 구조예를 도시한다. 변형부에 작용하는 힘/모멘트 성분이 동일 보 상에 배치된 복수의 변형 게이지의 저항 변화로부터 산출된다.

다음에, 도 12a 및 도 12b는 일본 공개 특허 출원 제2004-325328호에 개시된 종래의 구조예를 각각 도시한다. 탄성체에 매립된 영구 자석과, 그 영구 자석의 자화 방향축(S-N축)에 대향하도록 제공된 4개의 자전 변환 소자(홀 소자)가 배치된다. 작용력이 가해지면 영구 자석의 위치가 변화되고, 그 변위에 의해서 초래된 자속의 변화를 자전 변환 소자에 의해 검출을 위한 전기 신호로 변환한다. 이것은, X축 방향, Y축 방향, 및 Z축 방향의 3개 축력(shaft force) 성분의 검출을 가능하게 한다.

그러나, 일본 공개 특허 출원 평01-262431호의 발명은, 동일 보 상의 복수의 변형 게이지로 구성된다. 따라서, 변형부가 힘을 받을 때, 힘이 작용하는 방향뿐만 아니라, 힘이 작용하지 않는 방향의 축방향 변형이 생기는 간섭의 문제가 축들 사이에서 생긴다. 또한, 축 간섭을 감소시키는 것은 보 구조 및 신호 처리를 고안하는 것을 필요로 하기 때문에 소형화 및 비용 저감에 불리하다. 또한, 변형 게이지는 힘이 가해질 때 발생되는 변형을 사용하기 때문에, 반복되는 사용은 경년 변화로 인한 내구성 및 신뢰성 문제를 초래한다.

한편, 일본 공개 특허 제2004-325328호의 발명은 서로 접촉하지 않는 소자들이 각각 독립하고 있는 구성을 가져, 일본 공개 특허 평01-262431의 발명의 단점을 보상한다.

그러나, 자성 재료와 자전 변환 소자가 대향하는 구성은 자속을 발산시켜(scatter), 자전 변환 소자에 의해 검출되는 자속 밀도의 변위가 미량만 발생되어 높은 감도를 얻는 것을 어렵게 한다. 또한, 자성 재료가 단순하게 탄성체로 매립되어 주변 기기에 악영향을 주는 잡음원이 발생하는 것 및 자전 변환 소자에 외부 자속이 용이하게 유입해 출력에 악영향을 주는 것 등의 문제를 초래한다.

전술한 문제들의 관점에서, 본 발명의 목적은 자속 발생원의, 외부에 대한 악영향을 억제하고, 잡음에 대한 신뢰성을 향상시켜 높은 감도를 갖는 그러한 구조를 이용하는 6개 축 방향의 힘/모멘트를 검출하는 자기력 센서를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 특징 및 이점은, 도면들에 걸쳐 유사한 참조 문자가 동일하거나 또는 유사한 부분들을 나타내는 첨부 도면들을 함께 참조하여 하기의 설명으로부터 명확해질 것이다.

본 발명에 따르면, 자기력 센서는, 외력이 작용하는 작용부; 작용부에 작용하는 힘을 전기 신호로 변환하는 감지 유닛; 및 작용부를 탄성적으로(elastically) 지지하는 탄성체를 갖고 감지 유닛을 수납하는, 외측 프레임을 포함하고, 감지 유닛은, 작용부와 접속된 자속 발생원과, 외측 프레임에 고정된 자전 변환 소자를 포함하고, 자속 발생원은 자속 발생원에 의해 발생되는 자속의 흐름을 제어하는 자성체를 갖는다. 또한, 자전 변환 소자는 자성체의 외측 단부면보다 자속 발생원측에 더 가깝게 배치된다. 또한, 자전 변환 소자는 자속 발생원이 자화 방향으로 연장하는 영역에 배치되고, 자화 방향축측의 자성체의 단부면은 자화 방향축측의 자전 변환 소자의 단부면으로부터 돌출되어 위치된다.

본 발명에 따른 자기력 센서는 자속 발생원 및 자전 변환 소자를 포함하는 감지 유닛의 외주부 상에 자성체를 배치하는 것에 의해, 자속 발생원으로부터의 자속을 자성체에 의해 제어할 수 있다.

자속 발생원의 외주부에 자성체를 배치함으로써, 자성체를 이용하여, 자속 발생원으로부터 발생된 자속들을 용이하게 가둘(trapping) 수 있는 구조가 구성되어, 외부에 대한 악영향을 갖는 잡음원의 발생을 억제한다.

자기 잡음이 외부로부터 유입될 때, 자기 잡음은 투자율이 높은 자성체에 우선적으로 침투하여 자전 변환 소자가 도달할 수 없는 구조를 가능하게 하여, 자기 잡음에 대한 높은 신뢰성을 얻는다.

또한, 자전 변환 소자로 유입되는 자속은 집중될 수 있어, 자속 발생원의 위치 변위가 매우 작더라도, 자속에서 비교적 큰 변화가 얻어져, 감도를 증가시킨다.

상술된 바와 같이, 본 발명은 자속 발생원의 외부에 대한 악영향을 억제할 수 있고, 잡음에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 감도를 증가시킬 수 있는, 6개 축 방향의 힘/모멘트를 검출하는 자기력 센서를 제공한다.

본 발명의 다른 특징들은 첨부 도면을 참조하여 하기의 예시적인 실시예의 설명으로부터 명확해질 것이다.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 자기력 센서의 구조를 각각 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 힘/모멘트를 산출하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 Z축 대칭의 2차 정자계 모델로 시뮬레이션을 행하여 얻어진 자속선을 각각 도시하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3a 및 도 3b의 해석 모델을 이용하여, 외부에 자속을 발생시키는 잡음원(noise source)을 갖는 자속선을 도시하는 도면이다.
도 5는 자속 발생원으로부터 Z축 방향으로부터 500μm 거리에서의 X축 방향의 자속 밀도의 X 성분을 도시하는 그래프이다.
도 6a 및 도 6b는 Z축 대칭의 2차 정자계 모델로 시뮬레이션을 행하여 얻어진 자속선을 도시하는 도면이다.
도 7은 자전 변환 소자를 자계의 X축 성분을 측정하도록 배치했을 때, 자속 발생원의 X축 방향으로의 ±50μm의 변위에 대하여 자전 변환 소자의 위치에서 자속 밀도의 변위를 도시하는 그래프이다.
도 8은 자전 변환 소자를 자계의 X축 성분을 측정하도록 배치했을 때, 자속 발생원의 Z축 방향으로의 ±50μm의 변위에 대하여 자전 변환 소자의 위치에서 자속 밀도의 변위를 도시하는 그래프이다.
도 9는 자전 변환 소자를 자계의 Z축 성분을 측정하도록 배치했을 때, 자속 발생원의 X축 방향으로의 ±50μm의 변위에 대하여 자전 변환 소자의 위치에서 자속 밀도의 변위를 도시하는 그래프이다.
도 lO은 자전 변환 소자를 자계의 Z축 성분을 측정하도록 배치했을 때, 자속 발생원의 Z축 방향으로의 ±50μm의 변위에 대하여 자전 변환 소자의 위치에서 자속 밀도의 변위를 도시하는 그래프이다.
도 11은 종래의 변형 게이지 힘 센서(strain gauge force sensor)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 12a 및 도 12b는 종래의 자기력 센서의 구조를 각각 도시하는 도면이다.

이제 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명될 것이다.

도 1a 및 도 1b는 각각 본 발명의 특징을 가장 현저하게 도시하는 도면이다. 도 1a는 X-Z축에 따라 취해진 자기력 센서의 단면도이며 도 1b는 분해 사시도이다.

먼저, 참조 번호/문자와 각각의 부품은 서로 대응된다. 도 1a및 도 1b에서, 참조 번호 1은 힘이 가해지는 작용부를 나타내고, 참조 번호 2는 힘이 가해질 때 위치 변위를 발생시키는 탄성체를 나타내고, 참조 번호 3은 힘 센서의 외측 프레임을 나타내고, 참조 번호 4는 작용부와 자속 발생원을 지지하는 지주를 나타내고, 참조 번호 5는 자전 변환 소자를 탑재하는 자전 변환 소자 지지부를 나타내고, 참조 번호 6a 내지 6d는 자속 발생원의 자속 변화를 검출하기 위한 자전 변환 소자를 각각 나타내고, 참조 번호 7은 자속의 흐름을 제어하기 위한 자성체를 나타내고, 참조 번호 8은 자속을 발생시키는 자속 발생원을 나타내고, 참조 번호 9a 내지 9d는 자속 발생원의 자속 변화를 검출하기 위한 자전 변환 소자를 나타내고, 참조 번호 12는 자속 발생원 지지부를 나타낸다. 본 발명에서는, 이하에서 자전 변환 소자와 자속 발생원의 조합을 "감지 유닛"이라고 칭할 수 있다.

작용부(1)는 고강성 지주(highly rigid column)(4)를 통하여 자속 발생원(8)에 견고하게 접속된다. 외측 프레임(3) 상에, 자전 변환 소자 지지부(5)를 통하여 자전 변환 소자들(6a 내지 6d)이 자속 발생원(8)에 대하여 이격되어 고정된다. 유사하게, 자전 변환 소자들(9a 내지 9d)이 자속 발생원(8)에 대하여 이격되어 외측 프레임 상에 고정된다.

외측 프레임(3) 및 작용부(1)는 서로 위치가 변할 수 있도록(displaceable) 탄성체(2)를 통하여 탄성적으로 지지된다. 자속 발생원 지지부(12)는 탄성체와 같은 저강성 부재로 구성되고 자속 발생원(8)의 자세를 유지하도록 지주(4)와 대향하는 위치에 배치된다.

자속 발생원(8)은 대표적인 자석인 Nd-Fe-B 자석, Sm-Co 자석, Sm-Fe-N 자석 및 페라이트 자석과 같은 영구 자석이거나 또는 자성체 둘레에 코일을 감고 통전함으로써 자기력을 발생시키는 전자석일 수 있다. 자전 변환 소자들(6, 9)은 홀 소자, MR 소자, 자기 임피던스 소자 및 플럭스 게이트 소자이다. 자성체(7)는 공기와는 다른 투자율을 갖는 재료로 구성된다.

작용부(1)에 힘이 가해질 때, 지주(4)에 접속된 자속 발생원(8)은 탄성체(2)의 탄성 변형(elastic deformation)의 결과로서 변위를 발생시킨다. 그리하여, 자속 발생원(8)의 변위에 비례하는 전기적 변위가, 외측 프레임(3) 상에 고정된 각각의 자전 변환 소자로부터 얻어진다.

도 2를 참조하여, 힘/모멘트의 산출 방법에 대해서 설명한다. 예를 들어, X축 방향의 힘 Fx, Z축 방향의 힘 Fz, 및 Y축 방향의 모멘트 My가 작용부에 각각 가해진 경우에 대해서 설명한다. 설명의 편의를 위해, 도 2는 X축 방향의 힘, Z축 방향의 힘 및 Y축 방향의 모멘트를 각각 도시한다. 자속 발생원이 움직여 X축 방향의 힘 Fx에 의해 멀어지면 자전 변환 소자들(6a, 9a)에서 "자속 밀도 변동 -ΔBx"가 생기고, 역으로 자전 변환 소자들(6c 및 9c)에서 "자속 밀도 변위 +ΔBx"가 각각 생긴다. "자속 밀도 변동 -ΔBz"가 자전 변환 소자들(6a, 6c)에서 Z축 방향의 힘 Fz에 의해 생길 때, 자전 변환 소자들(9a 및 9c)에서 "자속 밀도 변위 +ΔBz"가 각각 생긴다. 또한, 자속 밀도 변동 ΔBy가 Y축 방향의 모멘트 My에 의해 자전 변환 소자들(6a, 9c)에서 생길 때, 자전 변환 소자들(6c 및 9a)에서 "자속 밀도 변위 -ΔBy"가 각각 생긴다.

만약 자전 변환 소자(6a)에서 생기는 전체 자속 밀도 변위, 자전 변환 소자(6c)에서 생기는 전체 자속 밀도 변위, 자전 변환 소자(9a)에서 생기는 전체 자속 밀도 변위 및 자전 변환 소자(9c)에서 생기는 전체 자속 밀도 변위를 각각 ΔB6a, ΔB6c, ΔB9a 및 ΔB9c라고 한다면.

다음으로, 각 축의 상관된 자전 변환 소자의 쌍이 준비되고 차이가 취해진다. 상관 관계는, 예를 들면, X방향에 있어서 6c와 9c, 및 6a와 9a의 쌍을 칭한다.

여기서, k_x, k_z 및 k_y는 자속 밀도 변동을 힘과 모멘트로 변환하기 위한 비례 계수이다.

위로부터, 본 발명에 따른 힘 센서는 힘이 각 축에 독립적으로 가해질 때 생기는 자속 밀도 변동의 항(term)만을 가지고 그리하여 각 축에서 발생하는 힘은 자속 밀도 변동을 검출함으로써 용이하게 산출될 수 있다. 유사하게, Y축 방향의 힘 Fy, X축 방향의 모멘트 My 및 Z축 방향의 모멘트 Mz가 산출될 수 있다.

위에서 설명된 바와 같이, 모든 3개의 축, 즉, 6개 축에 대한 힘 및 모멘트가 검출될 수 있다.

(제1 실시예)

도 3a 및 도 3b는 자계 시뮬레이션의 결과를 각각 도시한다. 시뮬레이션은 Z축 대칭의 2차 정자계 모델(Z-axisymmetric secondary static magnetic field model)로 행했다. 도 3a는 공기 중에 Z축 방향의 두께 4mm, X축 방향의 두께 2mm의 자속 발생원이 배치됨을 도시한다(자화 방향축이 Z축을 만족시키기 때문에 자속 발생원의 X축 방향으로 1mm 두께가 도시된다). 도 3b는 자속 발생원이 Z축 방향의 두께가 4mm이고 X축 방향의 두께가 1mm인 자성체와 함께 배치됨을 도시한다. 자속 발생원에 대하여, 1.4T의 잔류 자속 밀도를 갖는 Nd-Fe-B 자석의 특성들 및 1000kA/m의 보자력이 정의되고 자성체의 비투자율은 5000으로 설정되었다.

도 3a는 공기 중의 자속 발생원만으로 이루어진 구성을 도시한다. 이러한 구성은 자속 발생원(8)으로부터 발생한 자속(10)을 제한없이 발산시켜 자속이 외부 주변 기기에 악영향을 미칠 수 있다. 도 3b는 자성체가 자화 방향축을 따라 자속 발생원(8) 주위에 놓이는 구성을 도시한다.

이러한 구성은 자속(10)이 자성체(7)의 내부를 더 자주 관통할수록 외부로 발산되는 자속(10)의 양이 더욱 많이 감소될 수 있게 한다.

자성체가 자화 방향축을 둘러싸도록 자속 발생원의 외주부에 놓일 때, 자속은 공기보다 높은 투자율을 갖는 자성체를 통하여 우선적으로 흐르고 자속이 그 주변으로 발산되는 것이 억제되어, 자속 발생원이 외부에 영향을 주는 잡음원이 되는 것이 억제된다.

다음으로, 도 4a 및 도 4b는 각각 자속을 발생하는 잡음원(11)으로부터 발생한 자속이 자속 발생원(8)이 배치되는 영역(점선으로 둘러싸인 부분)을 어떻게 통과하는지에 대한 연구 결과를 도시한다. 도 4a는 잡음원만이 배치된 것을 도시한다. 이러한 구성은 자전 변환 소자가 어느 위치에 배치되더라도 잡음원으로부터의 자속의 악영향을 받는다. 한편, 도 4b에 도시된 바와 같이, 자속 발생원(8)의 Z축을 따르도록 자성체(7)가 잡음원(11)과 함께 배치된다. 이러한 구조는 높은 투자율을 갖는 자성체를 통하여 외부로부터의 자기 잡음이 흘러, 자속 발생원(8)이 배치되는 영역과 자속 발생원(8)에 대하여 Z축 방향으로 존재하는 영역 모두가 잡음의 악영향을 받는 지점(point)의 수를 감소시킨다. 따라서, 자전 발생 소자(6)가 자속 발생원(8)에 대하여 Z축 방향으로(도 4b에서 위로 또는 아래로) 배치되어, 자기 잡음에 대한 신뢰성을 향상시킨다.

다음에, 자속 발생원의 외주부에 자성체를 배치했을 때의 자전 변환 소자의 위치에 대해서 설명한다. 도 5는 도 3b 모델에 있어서, 자속 발생원으로부터 Z축 방향으로 500μm 거리에서 X축 방향의 자속 밀도의 X 성분의 플롯(plot)을 도시한다. 도면의 화살표는 플롯 위치를 나타낸다. 자속 밀도의 변동이 X축 방향으로 2000μm 주위에서, 즉, 자성체와 공기층 사이의 경계에서 급격하게 감소하는 것이 나타난다. 위치에 따른 자속 밀도의 변화가 충분하지 않다면 자기력 센서는 어떤 힘도 높은 감도로 검출하지 못한다. 따라서, X축 방향으로의 높은 감도를 얻기 위한 자전 변환 소자(6)의 위치의 연구는 자성체(7)의 외측 단부면을 경계로 하여 자전 변환 소자를 자속 발생원(8)측에 배치하는 것이 바람직하다는 것을 나타낸다.

(제2 실시예)

도 6a 및 도 6b는 자계 시뮬레이션의 결과를 각각 도시한다. 도 6b는 자성체의 Z축 방향의 두께가 자속 발생원(8)의 Z축 방향의 두께보다 두꺼워지도록 4mm에서 6mm로 변화할 때 자성체의 레이아웃을 도시한다. 도 6a의 조건들은 도 3a의 제1 실험예와 동일하다.

자전 변환 소자를 X축 방향으로 500μm 거리에 위치시키고 Z축 방향으로 자속 발생원으로부터 500μm 위치에 위치시켜 자계의 X성분을 측정한다. X축 방향으로 ±50μm 또는 Z축 방향으로 ±50μm 만큼 자속 발생원의 위치가 변화되었을 때 자전 변환 소자에서 나타나는 자속 밀도의 X 성분의 변동들을 각각 ΔBxx와 ΔBxz라고 하면, 도 7 및 도 8에 도시된 그래프들이 얻어진다. 도 6a 및 도 6b 상의 화살표는 플롯 위치를 나타낸다. 도 7은 X축 방향의 변위가 ΔBxx일 때 자속 밀도의 변위를 도시하고, 도 8은 Z축 방향의 변위가 ΔBxz일 때 자속 밀도의 변위를 도시한다. 각각 수평 축 상에서 취해진 변위와 세로축 상의 자속 밀도 B의 초기 위치로부터의 변동을 취하는 도 7 내지 도 10은 기울기가 커짐에 따라 감도가 높아지는 것을 각각 도시한다.

다음에, 자계의 Z 성분이 측정가능하도록 자전 변환 소자가 초기 위치에 다시 배치된다. 이 때, X축 방향으로 ±50μm 또는 Z축 방향으로 ±50μm 만큼 자속 발생원의 위치가 변화되었을 때 자전 변환 소자에서 나타나는 자속 밀도의 Z 성분의 변위들을 각각 ΔBzx와 ΔBzz라고 하면, 도 9 및 도 10에 도시된 그래프들이 얻어진다. 도 6a 및 도 6b의 화살표는 플롯 위치를 나타낸다. 도 9는 X축 방향의 변위가 ΔBzx일 때 자속 밀도의 변위를 도시하고 도 10은 Z축 방향의 변위가 ΔBzz일 때 자속 밀도의 변위를 도시한다. ΔB 아래의 첨자의 왼쪽은 측정되는 자속 밀도의 방향을 나타내고 첨자의 오른쪽은 변위 방향을 나타낸다.

자전 변환 소자는 자계의 X성분과 Z성분이 측정가능하도록 배치된다. 임의의 경우에, 자성체를 배치함으로써, 변화 곡선의 기울기가 커진다, 즉, 감도가 높아진다. 이것이 공기보다 높은 투자율을 갖는 자성체를 배치하는 것이 자속의 흐름을 제어하여 자전 변환 소자로 흐르는 자속을 집중시키는 이유이다. 특히, 자화 방향축측의 자전 변환 소자의 단부면으로부터 자화 방향축측의 자성체의 단부면을 돌출시켜 전체 감지 유닛을 둘러싸도록 자성체를 배치하는 것은 자속 발생원 및 자전 변환 소자만 배치되는 경우보다 높은 감도를 얻는 효과를 제공한다.

도 3b 및 도 6b의 자속선의 흐름으로부터 알 수 있는 바와 같이, 자속 발생원의 자화 방향으로의 두께를 자성체의 자화 방향으로의 두께보다 감소시키는 것은 자속 발생원으로부터 방사된 자속을 용이하게 가둘 수 있는 구조를 만든다. 특히, 자성체의 외측 단부면을 감지 유닛의 외주부 상에, 자속 발생원의 외측 단부면으로부터 돌출시켜 배치하는 것은 외부에 주어진 자속 발생원으로부터의 잡음원의 발생을 더욱 억제할 수 있다.

그러한 구조는 주변부가 자성체로 둘러싸여 자기 잡음에 대하여 더욱 높은 신뢰성을 갖는 자전 변환 소자 구조를 가능하게 한다.

본 발명은 위의 실시예들에 제한되지 않고 다양한 변경들 및 수정들이 본 발명의 사상 및 범위 내에서 이루어질 수 있다. 그리하여 하기의 청구항들은 본 발명의 범위를 공중에 알린다.

본 출원은 2007년 8월 28일자로 출원된 일본 특허 출원 제2007-221295호의 이익을 주장하며, 그 전체 내용은 본 명세서에 참조로서 포함된다.

Claims (3)

1. 자기력 센서이며,
   외력이 작용하는 작용부;
   상기 작용부에 작용하는 힘을 전기 신호로 변환하는 감지 유닛; 및
   상기 작용부를 탄성적으로(elastically) 지지하는 탄성체를 갖고 상기 감지 유닛을 수납하는, 외측 프레임을 포함하고,
   상기 감지 유닛은, 상기 작용부와 접속된 자속 발생원과, 상기 외측 프레임에 고정된 자전 변환 소자를 포함하고,
   상기 자속 발생원은 상기 자속 발생원에 의해 발생되는 자속의 흐름을 제어하는 자성체를 갖는, 자기력 센서.
2. 제1항에 있어서,
   상기 자전 변환 소자는 상기 자성체의 외측 단부면보다 상기 자속 발생원측에 더 가깝게 배치되는, 자기력 센서.
3. 제2항에 있어서,
   상기 자전 변환 소자는 상기 자속 발생원이 자화 방향으로 연장하는 영역에 배치되고, 상기 자화 방향축측의 상기 자성체의 단부면은 상기 자화 방향축측의 상기 자전 변환 소자의 단부면으로부터 돌출되어 위치되는, 자기력 센서.

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