KR20090127290A - 하우징 몸체를 지닌 광전자 장치 - Google Patents

하우징 몸체를 지닌 광전자 장치 Download PDF

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KR20090127290A KR1020097020006A KR20097020006A KR20090127290A KR 20090127290 A KR20090127290 A KR 20090127290A KR 1020097020006 A KR1020097020006 A KR 1020097020006A KR 20097020006 A KR20097020006 A KR 20097020006A KR 20090127290 A KR20090127290 A KR 20090127290A
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

광전자 장치를 위한 하우징 몸체는, 특히, 제 1 표면 영역(21) 및 제 2 표면 영역(22)을 지닌 주요 표면(2)을 포함하고, 이때, 제 1 표면 영역(21) 및 제 2 표면 영역(22)은 주요 표면(2)에서 계단형을 형성하고, 제 1 표면 영역(21) 및 제 2 표면 영역(22)은 외부 가장 자리(20)에 의해 서로 접하게 되고, 제 2 표면 영역(22) 및 외부 가장 자리(20)는 제 1 표면 영역(21)을 둘러싼다.
광전자 장치, 하우징 몸체, 제 1 표면 영역, 제 2 표면 영역, 주요 표면, 다른 표면, 외부 가장 자리, 액상 물질

Description

하우징 몸체를 지닌 광전자 장치{OPTOELECTRONIC DEVICE WITH A HOUSING BODY}
본 특허는 독일 특허 출원 10 2007 021 904 및 10 2007 009 818의 우선권을 주장하며, 이 개시 내용은 본문에서 반복적으로 포함된다.
광 전자 장치용 하우징 몸체 및 하우징 몸체를 지닌 광 전자 장치가 개시된다.
실시예들의 과제는 광 전자 장치를 포함하는 하우징 몸체를 가진 광 전자 장치 및 광 전자 장치의 조립 방법을 제시하는 것이다.
상기 과제는 독립된 특허 청구항의 특징들을 가진 주제 내용으로 해결된다. 상기 주제 내용의 다른 실시예들과 개선점들은 종속된 청구항들에서 특징을 나타내고, 다음의 기술 및 도면들로부터 비롯된다.
본 발명의 실시예에 따른 하우징 몸체는, 특히,
- 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역을 지닌 주요 표면을 포함하고,
- 상기 제 1 표면 영역 및 상기 제 2 표면 영역은 주요 표면에서 계단형을 형성할 때,
- 상기 제 1 표면 영역 및 상기 제 2 표면 영역은 외부 가장 자리에 의해 서로 접하고
- 상기 제 2 표면 영역 및 상기 외부 가장 자리는 제 1 표면 영역을 둘러싼다.
추가적으로, 하우징 몸체는 주요 표면에서 하나 이상의 측면을 포함하고, 상기 측면들은 주요 표면에 접하여 상기 주요 표면을 한정하고 둘러싼다. 이때, 상기 측면들은 하우징 몸체의 다른 상면을 가진 주요 표면에 연결되고, 상기 상면은 하우징 몸체의 대향 측의 한 주요 표면 상에 배치되어 형성될 수 있다.
제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역은 주요 표면의 부분 표면으로서 형성되고, 이때 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역 옆에 있는 주요 표면은 하나 이상의 다른 표면 영역들을 포함할 수 있다. 제 1 표면 영역은 주요 표면의 돌출부로서 그리고/또는 불룩한 부분으로서 또는 그의 부분으로서 형성될 수 있다. 이는, 본 발명의 다른 실시예에서, 특히 제 1 표면 영역이 주요 표면의 인접한 다른 표면 영역 대향 측에 돌출되어 적어도 형성되고, 상기 주요 표면이 평면으로 되지 않은 높은 측면도인 것을 의미한다. 이때, 제 1 표면 영역이 국부적 돌출부 및/또는 불룩한 부분일 수 있다는 것은, 상기 제 1 표면 영역이 직접적으로 인접한 표면 영역들 대향 측에서 높아진다는 것, 그리고 제 2 표면 영역에 인접한 다른 표면 영역들이 포함된다는 것을 의미할 수 있다. 추가적으로, 제 1 표면 영역은 또한 주요 표면의 구형의 돌출부 및/또는 불룩한 부분일 수 있다. 이는, 주요 표면이 제 1 표면 영역 대향 측에서 높아진 표면 영역을 포함하지 않고, 제 1 표면 영역이 주요 표면의 모든 다른 표면 영역 대향 측에서 높아진다는 것을 의미할 수 있다.
또한, 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역은 서로 직접 접할 수 있고, 외부 가장 자리가 형성되도록 서로에 대해 각이져 있다. 이때, 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역은 외부 가장 자리의 영역에서 서로 평행할 수 없다. 특히, 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역 각각은 법선 벡터(surface normal)를 제시하고, 상기 양 법선 벡터들은 외부 가장 자리에서 서로 평행하지 않다. 또한, 제 1 표면 영역부터 제 2 표면 영역으로의 변환에서, 제 1 표면 영역의 법선 벡터부터 제 2 표면 영역의 법선 벡터로의 지속적인 변환은 발생하지 않고, 제 1 표면 영역의 법선 벡터가 외부 가장 자리에서 가파르게 간다. 이는, 갑작스러운 방향 전환 상황에서 제 2 표면 영역의 법선 벡터로 넘어가는 것을 의미한다.
또한, 상기 외부 가장 자리는 계단형의 상부 가장 자리일 수 있다. 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역은 특히 직각을 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 각도는 또한 90 도보다 작을 수 있고, 이로써 하우징 몸체는 예각을 지닌 외부 가장 자리를 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 각도가 또한 90 도보다 더 클 수 있고, 이로써 하우징 몸체는 둔각을 지닌 외부 가장 자리를 포함할 수 있다. 이때, 상기 하우징 몸체는 외부 가장 자리의 여러 영역에서 예각, 직각 또는 둔각을 지닌 외부 가장 자리를 포함할 수 있다.
상기 외부 가장 자리는 제 1 표면 영역을 완전히 둘러쌀 수 있는데, 이는, 상기 외부 가장 자리가 제 1 표면 영역의 연속적인 테두리 라인을 형성하고, 이로 인해 제 1 표면 영역이 한정될 수 있다는 것을 의미한다. 동시에, 외부 가장 자리는 제 2 표면 영역의 연속적인 테두리 라인을 형성할 수 있다.
다른 실시예에서, 제 1 표면 영역은 평면으로 형성된다. 이때, 상기 제 1 표면 영역은 한 평면에 위치될 수 있고, 이 평면의 일부를 형성할 수 있다. 특히, 이는 또한, 외부 가장 자리가 평면으로 형성되고, 이로써 제 1 표면 영역으로서 동일한 평면에 위치한다는 것을 의미한다. 제 1 표면 영역은, 상기 제 1 표면 영역을 둘러싸는 외부 가장 자리가 원형, 타원형, n이 3 이상인 n-각을 이루는 다면체 또는 이들 조합으로 제 1 표면 영역 주위에서 기울어지도록, 형성될 수 있다. 이때, 또한, 외부 가장 자리는 예를 들면 둥근 모서리를 지닌 다면체로서 형성되도록 만들어질 수 있다.
다른 실시예에서, 제 2 표면 영역은 오목부의 부분으로서 주요 표면에서 형성되고, 상기 오목부가 제 1 표면 영역을 둘러싸거나 또는 에워쌀 때, 상기 오목부는 제 1 표면 영역을 선회하면서 배치된다. 상기 오목부는 제 2 표면 영역 옆에서 주요 표면의 다른 표면 영역들을 포함할 수 있고, 상기 다른 표면 영역들의 대향 측에서 제 1 표면 영역은 높아진다. 특히, 제 1 표면 영역을 지닌 오목부는 계단형을 형성할 수 있다. 이때, 상기 오목부는, 예를 들면 주요 표면의 테두리 영역으로서 형성될 수 있고, 이로써, 상기 오목부는 하우징 몸체의 측면에 접할 수 있다. 이는 주요 표면이 오목부 및 제 1 표면 영역으로 형성된다는 것을 의미할 수 있다.
또한 오목부는, 특히, 제 1 표면 영역의 주위에서 진행하는 홈, 굴 그리고/또는 도랑으로서 형성될 수 있다. 이는, 오목부가 두 경계를 이루는 테두리를 포함하는 것을 의미하고, 이때, 제 1 표면 영역과 제 2 표면 영역 사이의 외부 가장 자리에 의해 가장 자리가 형성된다. 오목부는 적어도 두 경계를 이루는 벽면을 포함할 수 있고, 여기에서 하나의 경계 벽면은 제 2 표면 영역을 포함할 수 있거나 또는 상기 표면 영역에 의해 형성될 수 있다. 이때, 상기 오목부는, 특히, 제 1 표면 영역을 둘러싸고 제 1 표면 영역과 제 2 표면 영역 사이의 외부 가장 자리와 같은 동일한 형태를 포함하는, 자체 폐쇄된 홈 또는 도랑으로서 형성될 수 있다.
다른 실시예에서, 하우징 몸체는 특히 가공 전에 액상 형태로 되어 있는 몰딩가능한(mouldable) 플라스틱, 가령, 열가소성 물질 또는 듀로 플라스트일 수 있는 플라스틱을 포함할 수 있다. 예를 들면, 하우징 몸체는 사출 프레스, 사출 성형, 성형, 절단, 톱질, 평삭 및 그들의 조합 등으로 성형 공정(form process)에 의해 제작될 수 있다. 이때, 플라스틱은 실로산(Siloxan) 및/또는 에폭시-군을 포함할 수 있고, 대략적으로, 실리콘 및 에폭시로 구성된 혼합물 또는 공동 고분자로 구성된 실리콘, 에폭시 수지 또는 하이브리드 물질로 형성될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 상기 플라스틱은 또한 폴리메틸메타크릴산메틸(Polymethlymethacrylate, PMMA), 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리 카보 네이트(Polycarbonat) 및/또는 이미드 군을 포함할 수 있다.
이때, 플라스틱은 광학 특성들을 포함할 수 있고, 투명하고, 유색 및/또는 착색되거나 불투명할 수 있다. 또한, 플라스틱은 예를 들면 유리- 또는 금속 산화물 미립자와 같은 파장 전환 물질 및/또는 분산 미립자를 포함할 수 있다. 파장 전환 물질은, 예를 들면, 세륨-도핑된 석류석, 희토류 및 알카리 토금속의 석류석, 질화물, 시오네(Sione), 시아로네(Sialone), 정 규산염, 황화물, 바나듐, 염소 규산염 및/또는 할로 포스페이트(halo phosphate)로 구성된 미립자 또는 이들의 혼합이나 조합들을 포함할 수 있다. 특히, 하우징 몸체는 또한 다양한 광학 특성을 지닌 여러 가지 영역들을 포함할 수 있다. 이로 인하여, 하우징 몸체는 특히 작동 시에 전자기 복사를 생성시키고 복사할 수 있는 광 전자 장치에 적합할 수 있다. 이전에 언급된 플라스틱의 광학적 특성들에 의해, 예를 들면, 전자기 복사의 기하학적 형태 및/또는 복사 스펙트럼은 변화되고 적용될 수 있다.
다른 실시예에서, 하우징 몸체는 광전자 장치의 전기 접촉을 위하여 리드 프레임을 포함한다. 이때, 리드 프레임은 하우징 몸체에 통합될 수 있다. 특히, 이는, 리드 프레임이 하우징 몸체로부터 변형되고, 둘러싸이고 그리고/또는 주조되는 것을 의미한다. 광전자 장치는 리드 프레임 상에서 조립할 수 있다. 이를 위하여, 리드 프레임은 실장 영역을 포함할 수 있고, 광전자 장치는 실장 영역 상에 위치될 수 있다. 또한, 이때, 광전자 장치는 실장 영역, 특히 리드 프레임과 전기 연결이 가능할 수 있다. 예를 들면, 실장 영역은 리드 프레임 상의 실장 표면으로서 형성될 수 있다. 또한 리드 프레임은, 본딩 패드 또는 실장 표면으로서 형성될 수 있는 하나 이상의 광전자 장치의 전기 접촉을 위하여, 복수의 전기 연결 유형들을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 제 1 표면 영역은 예를 들면 광전자 장치를 수용할 수 있는 오목부를 포함한다. 이때, 상기 오목부는 개구부, 우묵부 그리고/또는 함몰부로서, 제 1 표면 영역에서 그리고 이와 함께 주요 표면에서 형성될 수 있다. 이때, 특히 제 1 표면 영역은 오목부를 둘러싼다. 예를 들면, 상기 오목부는 원형, 타원형, 다면체 또는 그의 조합으로부터 형성될 수 있다. 또한, 주요 표면에 있는 오목부는 외부 가장 자리와 동일한 형태 또는 외부 가장 자리의 다양한 형태를 포함할 수 있다. 이로써, 예를 들면, 외부 가장 자리와 마찬가지로, 오목부도 원형 또는 상기에서 언급된 다른 형태로 형성될 수 있다. 대안적으로, 예를 들면, 상기 오목부는 다면체일 수 있으면서, 외부 가장 자리가 원형일 수 있다. 상기 오목부는 상기 오목부 상에 벽면들을 포함할 수 있고, 상기 벽면들은 제 1 표면 영역에 접하고, 우묵부 및 함몰부의 측면을 형성한다. 상기 오목부는, 우묵부의 횡단면이 제 1 표면 영역으로부터 우묵부의 바닥 면까지 확대 또는 축소될 수 있도록, 우묵부로서 형성될 수 있어서, 그 결과 상기 우묵부는 원뿔대 형태로 형성될 수 있고, 이때, 추가적으로, 상기 벽면들은, 예를 들면 하우징 몸체에 통합된 리드 프레임으로 도입을 가능케 하는 다른 개구부를 포함할 수 있다. 또한, 상기 오목부는 특히 광전자 장치를 위한 실장 영역으로서 실시될 수 있거나, 또는 적어도 하나의 실장 영역 또는 실장 표면을 포함할 수 있는 바닥 면을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 바닥 면은 리드 프레임의 실장 표면을 포함할 수 있거나, 또는 상기 실장 표면과 같은 것으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 벽면 및/또는 우묵부의 바닥 면은 반사되게 형성될 수 있고, 예를 들면, 지향 또는 회절되게 하는 반사 표면 및/또는 코팅을 포함할 수 있다.
광전자 장치의 적어도 하나의 실시예는, 특히,
- 이전 실시예들 중의 적어도 하나에 따른 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역을 지닌 하우징 몸체,
- 광전자 장치,
- 제 1 광학 소자 하나를 포함하고,
- 상기 광전자 장치는 작동 시에 전자기 복사를 복사하기에 적합하고,
- 상기 제 1 광학 소자는, 상기 광전자 장치의 빔 경로에서, 상기 제 1 표면 영역 상에 배치되고 외부 가장 자리에 의해 한정된다.
특히, 상술된 바와 같이, 제 1 표면 영역은 예를 들면 우묵부로서 형성된 오목부를 포함할 수 있고, 상기 오목부에는 광전자 장치가 배치될 수 있다. 또한 오목부는 실장 표면을 포함할 수 있고, 광전자 장치는 실장 표면 상에 위치될 수 있다.
광전자 장치는 특히 하나 또는 많은 광전자 반도체 칩을 포함할 수 있다. 특히, 광전자 반도체 칩은, 복사 방출 반도체 칩으로서, 예를 들면 발광 다이오드(LED)로 실행될 수 있다. 상기 복사 방출 반도체 칩은, 추가적으로, 활성 영역을 지닌 반도체층 시퀀스를 포함할 수 있고, 복사 방출 반도체 칩 작동 시에 전자기 복사를 생성하는데에 적합하다.
이때, 또한, 반도체층 시퀀스는, 에피택시층 시퀀스로서, 에피택셜적으로 성장된 반도체층 시퀀스로 실행될 수 있다. 반도체층 시퀀스는, 예를 들면, 무기 화학 물질을 기반으로, 가령 GaN-박막-반도체층 시퀀스와 같은 InGaAlN으로 실행될 수 있다. 특히, InGaAlN을 기반으로 하는 반도체층 시퀀스들이, 적어도 하나의 개별적 층을 포함할 때, 에피택셜적으로 제조된 반도체층 시퀀스는 일반적으로 다양한 개별 층들의 층 시퀀스를 포함하고, 상기 개별 층은 Ⅲ-Ⅴ-화합물 반도체 물질 InxAlyGa1-x-yN을 포함하고, 여기서 0≤x≤1, 0≤y≤1 및 x+y≤1이다. 대안적 또는 추가적으로, 반도체층 시퀀스는 InGaAlP를 기반으로 할 수 있고, 즉 반도체층 시퀀스는 다양한 개별 층들을 포함하고, 이에 대한 적어도 하나의 개별 층은 0≤x≤1, 0≤y≤1 및 x+y≤1을 가진 Ⅲ-Ⅴ-화합물 반도체 물질계로부터 하나의 물질 InxAlyGa1-x-yP을 포함한다. 대안적 또는 추가적으로, 상기 반도체층 시퀀스는 다른 Ⅲ-Ⅴ-화합물 반도체 물질계, 예를 들면, AlGaAs를 기반으로 하는 물질 또는 Ⅱ-Ⅵ-화합물 반도체 물질계를 포함할 수 있다.
상기 반도체층 시퀀스는, 활성 영역으로서, 예를 들면, 종래의 pn-접합, 이중 헤테로 구조, 단일-양자 구조(SQW-구조), 또는 다중-양자 구조(MQW-구조)를 포함할 수 있다. 반도체층 시퀀스는 활성 영역뿐만 아니라, 다른 기능성 층들 및 기능성 영역들, 예를 들면 p- 또는 n-으로 도핑된 전하 캐리어 수송 층들, 전극들- 또는 정공 수송 층들, p- 또는 n-으로 도핑된 구속 층들 또는 클래딩 층들, 버퍼 층들 및/또는 전극들 및 그의 조합들을 포함할 수 있다. 이러한 구조들은, 활성 영역 또는 다른 기능성 층들 및 영역들에 관하여 당업자에게 특히 구성, 기능 및 구조에 대해 공지된 기술분야이기 때문에, 본원에서는 자세히 언급되지 않는다.
또한, 광전자 장치는 적어도 하나의 복사 수용 반도체 칩, 예를 들면, 적어도 이미 언급된 물질들 중 적어도 하나를 포함할 수 있는 포토다이오드를 포함할 수 있다.
제 1 광학 소자는, 특히, 제 1 표면 영역에 직접 접촉할 수 있고, 추가적으로, 접촉 표면을 포함할 수 있다. 이때, 접촉 표면은 제 1 표면 영역과 제 2 표면 영역 사이에 있는 하우징 몸체의 외부 가장 자리와 일치하고 만나는 외부 경계 라인을 포함할 수 있다.
제 1 광학 소자는, 예를 들면 캡핑부(capping)에 적합한 실리콘 물질로서, 상기와 같이 하우징 몸체와 관련하고 있는 단단한 열가소성 또는 듀로 플라스트적인 플라스틱을 포함할 수 있다. 이때, 하우징 몸체 및 제 1 광학 소자는 동일한 플라스틱 또는 여러 가지 플라스틱을 포함할 수 있다. 또한, 제 1 광학 소자는 투명하거나, 유색 또는 착색 및/또는 부분적으로 불투명할 수 있다. 제 1 광학 소자는 파장 전환 물질 및/또는 분산 미립자를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 광학 소자는 복사 굴절 소자로서, 또한 대략 구형 또는 구형이 아닌 형태의 렌즈로 실행될 수 있다.
다른 실시예에서, 광전자 장치의 하우징 몸체 상에 있어서, 광전자 장치로부터 방출된 전자기 복사의 빔 경로에서, 제 1 광학 소자 다음에 제 2 광학 소자가 배치될 수 있다. 제 2 광학 소자는 복사 굴절 소자로서, 대략 구형이거나 구형이 아닌 렌즈로 실행될 수 있다. 이때, 제 2 광학 소자는 제 1 광학 소자와 직접 접촉할 수 있다. 제 1 광학 소자 및 제 2 광학 소자는 접촉 표면을 서로 포함할 수 있다. 이때, 제 1 광학 소자는, 예를 들면 실리콘 젤 또는 실리콘 오일 등으로서, 굴절률에 적합한 물질 또는 광학적으로 결합하는 물질, 가령 굴절률에 적합한 젤 또는 오일 또는 광학적으로 결합하는 젤 또는 오일("인덱스-매칭(index-matching) 젤", "광학 커플링 젤")을 포함할 수 있다.
광전자 장치 제작 방법은 적어도 한 실시예에 따른 다음 단계들:
A) 광전자 장치에 관하여 상술된 실시예들 중 하나에 따른 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역을 지닌 하우징 몸체의 제작 단계,
B) 상기 제 1 표면 영역 상에서, 그리고 광전자 장치에 의해 발생된 전자기 복사의 빔 경로에 있는 광전자 장치 상에서, 제 1 광학 소자 생성을 위한 액상 물질의 도포 단계를 포함할 수 있다.
이때, 처리 단계 A)에서, 오목부를 지닌 하우징 몸체는 사용될 수 있고, 광전자 장치는 오목부 내부에 배치될 수 있다.
처리 단계 B)에서, 액상 물질은 제 1 표면 영역 상에서 확산된 후에 상기 제 1 표면 영역 상에서 퍼질 수 있고, 제 2 표면 영역을 외부 가장 자리까지 덮을 수 있다. 액상 물질의 점성 및 표면 장력으로 인하여, 제 1 표면 영역 상에 있는 액상 물질은 제 2 표면 영역 상의 외부 가장 자리를 넘어 퍼지지 않고, 외부 가장 자리에 머물 수 있다.
특히, 하우징 몸체는 실장 표면을 지닌 리드 프레임을 오목부 내에 포함할 수 있고, 상기 오목부에서 광전자 장치는 배치될 수 있고 전기 접촉될 수 있다.
특히, 상술된 바와 같이, 액상 물질은, 몰딩가능하고 변형가능한 플라스틱을 점성이 있는 액상 형태로 포함할 수 있고, 광전자 장치 상에, 그리고 제 1 표면 영역 상에 직접 도포될 수 있다. 오목부가 존재한다면, 이때, 액상 물질은 또한 상기 오목부에 도포될 수 있다. 특히, 우묵부로서의 오목부는 채워질 수 있는 체적을 포함할 수 있다. 액상 물질 양은 제 1 표면 영역 상에, 그리고 광전자 장치의 빔 경로에 있는 광전자 장치 상에서 도포될 수 있고, 액상 물질은 우묵부의 채울 수 있는 체적보다 더 큰 체적을 포함하는 방법에 의해 선택될 수 있다. 이로써, 액상 물질은, 가령 분배, 인쇄 또는 "분사" 같은 것을 통해서 우묵부를 채울 수 있고, 그리고 제 1 표면 영역을 적실 수 있고, 표면 영역 상으로 퍼질 수 있다. 액상 물질은, 특히, 제 1 표면 영역과 제 2 표면 영역 사이로부터 외부 가장 자리로 퍼질 수 있다. 액상 물질의 표면 장력으로 인해, 액상 물질이 제 1 표면 영역 상의 외부 가장 자리를 넘어 제 2 표면 영역 상에 퍼지지 않고, 대략 액상 물질의 표면 장력으로 인해 제 1 표면 영역의 외부 가장 자리에 의해 한정되도록, 액상 물질의 합성물 및/또는 점성 및/또는 양은 선택될 수 있다. 액상 물질이 외부 가장 자리를 넘어 퍼질 수 없기 때문에, 액상 물질은 그의 표면 장력과 체적으로 인해 제 1 표면 영역 및 광전자 장치 상에서 부풀어 오른다. 이로 인하여, 제 1 광학 소자는, 예를 들면, 액상 물질로부터 만곡된 렌즈 형태로 형성될 수 있고, 제 1 광학 소자의 형태는, 하우징 몸체에서의 우묵부의 체적과 비교해보면, 액상 물질 양뿐만 아니라 점성 및 표면 장력으로도 나타날 수 있다. 액상 물질의 점성은, 예를 들면, 그의 합성물에 의해, 그리고/또는 도색 전에 상기 액상 물질의 경화 및 결합에 의해 하우징 몸체에서 조절될 수 있다.
추가적인 제작 방법 단계에서, 또한, 광전자 장치는 플라스틱에 의한 오목부 내부에 배치된 후에, 하우징 몸체와 관련하여 상술된 바와 같이, 몰딩되고 캡슐화될 수 있다. 이로 인하여, 오목부는, 하우징의 제 1 표면 영역과 연속되는 평면이 광전자 장치 상에서 형성되고 외부 가장 자리에 의해 둘러싸이도록, 완전하게 채워질 수 있다. 그 다음에 상기 표면 상에 액상 물질이 도포될 수 있다. 상술된 방법으로 선택된 액상 물질의 해당 양에 의해, 제 1 광학 소자는 광 전자 장치 상에서 형성될 수 있다. 이뿐만 아니라, 대안적으로 추가적인 방법 단계에 의해, 오목부는 단지 부분적으로 채워질 수 있다.
대안적으로, 상기 기술된 방법에 있어서, 광전자 장치는 리드 프레임 상에 배치될 수 있고 전기 접촉될 수 있다. 이에 따라서, 광전자 소자를 가진 리드 프레임은 적어도 부분적으로 성형 공정에 의해 변형될 수 있는데, 이때 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역을 포함하는 상술된 실시예들 중 적어도 하나에 따른 하우징 몸체는 성형 공정에 의해 형성될 수 있다. 그 다음으로, 제 1 광학 소자는 이미 기술된 바와 같이, 액상 물질이 도포됨으로써, 제 1 표면 영역 상에서 그리고 광전자 장치 상에서 형성될 수 있다.
액상 물질이 제공된 후, 액상 물질로 제시된 제 1 광학 소자는 건조, 경화 그리고/또는 결합에 의해, 예를 들면, 제 1 광학 소자는 열 및/또는 복사 공급으로 경화되고 견고한 상태가 될 수 있다.
외부 가장 자리에 의해 한정된 제 1 표면 영역의 존재로 인해, 간단한 방법으로, 대칭적이고 중앙 집중적인 액상 물질의 형태 및 제 1 광학 소자의 배치가 가능하고 확보될 수 있다.
또한, 액상 물질로서는 굴절률에 적합한 젤, 대략 실리콘 오일이 사용될 수 있다. 액상 물질이 제공된 후, 제 2 광학 소자는 액상 물질로 하우징 몸체 상에 직접 접촉되게 배치될 수 있다. 액상 물질의 표면 장력 및 점성으로 인해, 제 1 광학 소자는 하우징 몸체 및 제 2 광학 소자가 형성된 공간에서 형성되고, 이때 상기 제 1 광학 소자는, 상기 물질이 하우징 몸체의 외부 가장 자리에 의해 한정되어 퍼지게 형성 및 배치됨으로써, 중간층으로서 형성된다. 이때, 하우징 몸체의 제 1 표면 영역에 의한 제 1 광학 소자는, 정의된 방법을 이용하여, 광전자 장치의 빔 경로 내에서 형성되는 것을 확보할 수 있다.
본 발명의 다른 장점들, 바람직한 실시예들 및 개선점들은, 다음의 도 1A 내지 8E 도면들과 관련하여, 기술된 실시예들로 분명해진다.
도 1A 내지 도 2C는 몇몇 실시예들에 따른 하우징 몸체의 개략적 도면들을 도시한다.
도 3A 내지 도 5E는 다른 실시예들에 따른 광전자 장치들 및 광전자 장치의 제작 방법의 개략적 도면들을 도시한다.
도 6A 및 도 6B는 다른 실시예들에 따른 광전자 장치 및 하우징 몸체의 개략적 도면들을 도시한다.
도 7A 내지 도 7D는 다른 실시예들에 따른 광전자 장치 및 광전자 장치의 제작 방법의 개략적 도면들을 도시한다.
도 8A 내지 도 8E는 다른 실시예들에 따른 하우징 몸체들의 특징들에 관한 도면들을 도시한다.
실시예들 및 도면들에서, 동일하거나 동일한 요소들은 각각 동일한 참조 번호로 표시된다. 도시된 요소들 및 이들의 서로 간의 크기 비율은 기본적으로 축적에 맞는 것으로 볼 수 없고, 오히려 예를 들면 개별 소자들은, 예를 들면 층들, 구성 부분들, 구성 소자들과 영역들은, 더 나은 도시 그리고/또는 더 나은 이해를 위해 과장되거나 확대되어 도시될 수 있다.
도 1A 및 도 1B에서 제시된 실시예에 따른 하우징 몸체(100)에 관한 2 개의 개략적 도면들이 제시된다. 도 1A는 도 1B에서 절단면 AA에 따른 개략적인 단면도이고, 도 1B는 하우징 몸체(100)를 향해 바라본 도면이다. 다음의 기술은 같은 모양으로 도 1A 및 도 1B 모두에 관한 것이다.
하우징 몸체(100)는, 실리콘, 에폭시 수지 또는 실리콘-에폭시-하이브리드 물질로부터 성형 공정을 통하여 구현될 수 있는 몰딩가능한 플라스틱(1)을 포함한다. 하우징 몸체(100)는 주요 표면(2)을 포함하고, 측면들(3)은 주요 표면에 접하고, 측면에 의해 주요 표면(2)은 한정된다. 또한, 하우징 몸체(100)는 다른 표면(4)을 포함하고, 상기 다른 표면은 하우징 몸체(100)의 주요 표면(2)의 대향하는 표면 상에 배치되고, 측면(3)을 넘어 주요 표면(2)에 연결된다.
주요 표면(2)은 제 1 표면 영역(21)을 포함한다. 제 1 표면 영역(21)은 제 1 표면 영역(21)을 둘러싸는 제 2 표면 영역(22)에 접하고, 이로 인해, 원형을 이루는 외부 가장 자리(20)를 형성한다. 이로써, 외부 가장 자리(20)는 제 1 표면 영역(21)의 테두리 및 경계 라인을 형성한다. 제 1 표면 영역(21)은 평면으로 형성되고, 제 2 표면 영역(22)보다는 높다. 이때, 제 1 표면 영역(21) 및 제 2 표면 영역(22)은 계단형이고, 외부 가장 자리(20)는 상기 계단형의 상부 가장 자리이다. 제 2 표면 영역(22)은 제 1 표면 영역(21)을 둘러싸는 우묵부의 부분이다. 또한, 주요 표면(2)은 제 2 표면 영역(22)에 접하고 이를 둘러싸는 다른 표면 영역(29)을 포함한다.
하우징 몸체(100)는 외부 가장 자리(20)에 직각(25)을 제시한다. 서로 접한 표면 영역(21 및 22)을 지닌 외부 가장 자리(20)의 확대도는 도 8A에서 확대된 단면으로서 도시된다. 도 8B 내지 도 8E에서는 표면 영역(21, 22 및 29), 외부 가장 자리(20) 및 각도(25)에 대한 다른 실시예들을 제시하고, 이들은 다음에 더 상세하게 기술될 것이다.
하우징 몸체(100)는 투명하거나, 유색이거나 부분적으로 불투명하게 형성될 수 있고, 그리고/또는 일반적으로 일부 기술된 바와 같이, 분산 미립자 그리고/또는 파장 전환 물질을 포함할 수 있다.
도 2A에서는 하우징 몸체(200)를 위한 다른 실시예가 제시된다.
이미 기술된 실시예와 달리, 제 2 표면 영역(22)은 홈(23)의 부분으로서 형성되고, 상기 홈은 제 1 표면 영역(21)을 둘러싼다. 홈(23), 및/또는 제 2 표면 영역(22)과 제 1 표면 영역(21) 사이에 있는 계단형의 상부 가장 자리로 형성된 외부 가장 자리(20)는 마찬가지로 이전 실시예와 같이, 90도 각도(25)를 제시한다.
또한, 하우징 몸체(200)는 제 1 표면 영역(21)에서 오목부(5)를 포함하고, 상기 오목부는 제 1 표면 영역(21)으로 둘러싸인다. 오목부(5)는 하우징 몸체(200)의 우묵부로서 형성되고 벽면들(51)을 포함하고, 횡단면에서, 이들은 제 1 표면 영역(21)으로부터 오목부(5)의 바닥 면들(52)에 나아갈수록 감소된다. 또한, 하우징 몸체(200)는 리드 프레임(6)을 포함하고, 상기 리드 프레임은 하우징 몸체로 통합되어 주조된다. 리드 프레임은 바닥 면들(52)의 영역에서 실장표면(61) 및 본딩 패드(62)를 포함하고, 이로 인해, 광전자 장치는 실장되고 리드 프레임(6)에 전기적으로 연결될 수 있다.
하우징 몸체(200)는, 제시된 실시예에서, 불투명한 플라스틱, 가령 실리콘, 에폭시 수지 또는 하이브리드 물질을 포함하고, 이때에 벽면들(51)은 반사될 수 있도록 형성된다.
도 2B 및 도 2C에서는 하우징 몸체(201, 202)를 위한 다른 실시예들이 제시된다. 도 2B의 하우징 몸체(201)는, 도 1A 및 도 1B의 하우징 몸체(100)와 같이, 제 1 표면 영역(21), 제 2 표면 영역(22) 및 표면 영역(29)으로 계단 형을 구현하고, 상기 계단 형은 오목부(5)를 둘러싼다. 도 2C의 하우징 몸체(202)에서, 제 1 표면 영역(21)의 확장은 링까지 감소되고, 이때, 제 1 표면 영역(21)은 또한 외부 가장 자리(20)와 일치할 수 있다.
도 3A 내지 도 3E에서는 도 1A 및 도 1B의 실시예에 따른 하우징 몸체(100)를 지닌 광전자 장치(3000)의 제작 방법이 제시된다.
도 3A에서 제시된 제 1 처리 단계에서, 리드 프레임(6)은 미리 배치되고, 리드 프레임 상에 광전자 장치(9), 예를 들면, 일반적으로 기술된 바와 같은 복사 방출 반도체 칩은 실장 표면(61)에 실장되고 이에 전기적으로 연결되고, 본딩 철사(91)를 통해 리드 프레임(6)의 본딩 패드(62)로 연결된다.
다음 처리 단계에서, 도 3B에서 도시된 바와 같이, 리드 프레임(6) 및 광전자 장치(9)는 플라스틱으로 성형되고, 하우징 몸체(100)는 도 1A 및 도 1B의 실시예와 관련하여 기술된 바와 같이, 형성된다.
도 3C에서 도시된 바와 같이, 액상 물질(70)은 광전자 장치(9) 상에, 그리고 제 1 표면 영역(21) 상에, 도포된다. 이때, 액상 물질은, 제시된 실시예에서, 단지 투명한 실리콘 및/또는 에폭시 수지 또는 그의 혼합 또는 하이브리드 물질을 포함하고, 중심에 도포되는 것이 아니고 제 1 표면 영역(21) 상의 중심에 도포될 수 있다. 노즐 또는 니들 등의 도포 장치의 허용 오차에 따라서, 마찬가지로 도포 장치로부터 액상 물질(70)의 제거 방법에 따라서, 액상 물질(70)은 제 1 표면 영역(21)의 임의의 위치에서 도포될 수 있다.
도 3D에서 도시된 바와 같이, 액상 물질(70)은 도포 후에 화살표(71)를 통해 명시된 바와 같이, 제 1 표면 영역(21) 상에 퍼진다. 제 1 표면 영역(21) 상에 액상 물질(70)의 점성과 표면 장력으로 인해, 액상 물질은 제 1 표면 영역(21)에서 균일하게 퍼지고, 외부 가장 자리(20)에 의해 한정된다. 이로써, 도 3E에서 도시된 바와 같이, 균일하게 대칭적으로 변형된 제 1 광학 소자(7)는, 여전히 액상 상태로, 만곡한 렌즈 형태로 구현할 수 있다. 표면 장력에 의한 소정의 접촉각(wetting angle)으로 인해, 액상 물질(70)은 외부 가장 자리(20)를 넘어가지 않고, 제 2 표면 영역(22) 상에 흐르는데, 이는 외부 가장 자리(20)로 인해 제 2 표면 영역(22) 상의 접촉각이 이에 대해 크기 때문이다. 평면의 주요 표면(2) 상에서, 제 2 표면 영역(22)에 의해 높아진 제 1 표면 영역(21) 없이는, 이런 방식으로 정의된 제 1 광학 소자(7)의 기하학적인 배열의 목적 달성은 상기 기술된 방법으로 불가능할 것이다.
광학 소자(7)의 적합한 강도를 통하여 광전자 장치(3000)는 제작될 수 있다.
도 4A 내지 도 4D에서는 도 2A의 실시예에 따른 하우징 몸체(200)를 지닌 광전자 장치(4000)의 제조를 위한 다른 방법이 제시된다. 도 2A의 하우징 몸체(200) 대신에 도 2B 및 도 2C의 하우징 몸체(201, 202) 중 하나가 사용될 수 있다.
제 1 처리 단계에서, 하우징 몸체(200)는 준비되고(도 4A), 도 4B에서 도시된 바와 같이, 광전자 장치(9)가 실장되고 전기적으로 연결된다.
다른 처리 단계에서, 도 4C에서 도시된 바와 같이, 액상 물질(70)은, 이전의 방법과 관련하여 기술된 바와 같이, 광전자 장치(9) 상에 그리고 표면 영역(21) 상에 도포될 수 있다. 이때, 액상 물질(70) 양은 하우징 몸체(200)의 오목부(5)의 채울 수 있는 체적보다 더 크다. 이로써, 액상 물질은 오목부(5)를 완전히 채울 수 있고, 또한 제 1 표면 영역(21)을 넘어 외부 가장 자리(20)로 퍼질 수 있고, 이때, 대칭적으로 균일하게 만들어진 제 1 광학 소자(7)가 형성될 수 있다. 예를 들면, 이로써, 얻을 수 있는 제 1 광학 장치(7)의 렌즈 형태를 통하여 광전자 장치(9)로부터 복사된 전자기 복사의 광 아웃 커플링은 높아질 수 있다.
제시된 방법에 의하여, 광전자 장치(9)의 캡핑(capping) 뿐만 아니라 정의된 렌즈 형태는 제 1 광학 장치(9)에 의해 가능해질 수 있고, 그의 크기는 간단한 방법으로 외부 가장 자리(20)의 기하학적인 배열 및 위치로 정해질 수 있다.
도 5A 내지 도 5E에서는 하우징 몸체(200)를 지닌 광전자 장치(5000)의 제조 를 위한 다른 방법이 제시되고, 상기 방법은 이전에 기술된 방법의 다양성을 제시한다.
하우징 몸체(200)가 준비된 후(도 5A), 그리고 광전자 장치(9)가 실장된 후(도 5B), 도 5C에서 도시된 바와 같이, 오목부(5)의 광전자 장치(9) 상에 캡핑부가 도포될 수 있다. 캡핑부(8)는, 예를 들면 하우징 몸체(200)와 같이 플라스틱을 포함할 수 있다. 캡핑부(8)는 투명하고, 그리고/또는 분산 미립자 또는 파장 전환 물질을 포함한다.
캡핑부(8)에 의해, 제 1 표면 영역(21)과 연속되는 표면이 획득되고, 이 표면에서, 도 5D에 도시된 바와 같이, 다른 방법 단계에서 액상 물질(70)이 도포될 수 있다. 도 5E에서 도시된 바와 같이, 액상 물질은 제 1 광학 소자(7)를 형성하고, 이는 알맞게 경화될 수 있다. 제 1 광학 소자(7)가 예를 들면 선명하고 투명할 수 있는 반면, 캡핑부(8)는 예를 들면 파장 전환 물질을 포함할 수 있어서, 광전자 장치(5000)는 제시된 방법으로 가능할 수 있고, 이 장치에서 캡핑부(8)는 제 1 광학 소자(7)와는 다른 광학 특성을 포함할 수 있다.
캡핑부(8) 및 제 1 표면 영역(21) 상에 있는 제 1 광학 소자(7)의 바닥은 외부 가장 자리(20)의 형태에 의해 제 1 표면 영역(21) 및 캡핑부(8)의 기하학적인 배열 및 위치와 관련하여 자동적으로 형성되면서, 액상 물질(70)의 양 및 물질 특성을 이용하여, 렌즈의 높이를 형성하고 그의 광학 특성들을 조정할 수 있다.
실험들은, 예를 들면, 대략 22 ㎕의 실리콘 및 실리콘 젤을 이용하면, 대략 1.65 ㎜ 내지 1.75 ㎜의 높이를 가진 만곡된 렌즈들이 제작될 수 있는 반면, 대략 20 ㎕의 실리콘 및 실리콘 젤을 가진 제 1 광학 소자(7)는 대략 1.50 ㎜ 내지 1.66 ㎜의 높이를 가진 만곡된 렌즈의 형태로, 생성 가능한 방법으로 제작될 수 있다는 것을 제시한다. 이때, 제 1 광학 소자의 높이는 제 1 표면 영역(21)에 있는 외부 가장 자리(20)의 용적 크기 및 형태에 의존한다. 제 1 표면 영역(21)의 외부 가장 자리(20)는 대략 5 ㎜ 지름을 가진 원형으로 이루어진다. 높이 허용 오차들이 오목부(5) 내에서 캡핑부(8) 높이의 다양성 및 처리의 허용 오차로 이루어질 수 있는 반면, 액상 물질(70)이 제 1 표면 영역(21) 및 캡핑부(8) 상에 도포되는 위치는, 제 1 광학 소자(7)의 형태에 전혀 영향력을 끼치지 않는다.
도 6A는 도 2와 관련하여 기술된 것에 따른 하우징 몸체(200)의 3 차원 모습을 개략적으로 제시한 반면, 도 6B는 도 5E와 관련하여 기술된 것에 따른 제 1 광학 소자(7)를 가진 광전자 장치(5000)의 3차원 모습을 개략적으로 제시한다.
도 7A 내지 도 7C에서 광전자 장치(7000)의 제작을 위한 다른 방법이 도시된다. 도 5A 내지 도 5E에 따른 이전 실시예와 같이, 하우징 몸체(200)가 준비되고, 이 몸체에서 광전자 장치(9)가 실장되고 전기적으로 연결된다. 이어서, 오목부는 캡핑부(8)로 채워지고 이렇게 하여 광전자 장치(9)가 몰딩된다. 도 7A에서 도시된 바와 같이, 액상 물질은 실리콘 오일 또는 다른 적합한 광학 커플링 젤의 형태로, 캡핑부(8) 및 제 1 표면 영역(21) 상에 도포되고, 이 물질은 외부 가장 자리(20)까지 퍼지게 되고(도 7B), 제 1 광학 소자(7)를 형성하고, 이때 상기 물질은 점성이 있지만 변형될 수 있다. 따라서, 제 2 광학 소자(10), 가령 렌즈는, 하우징 몸체(200) 및 제 1 광학 소자(7) 상에 광전자 장치(9)의 복사 방향으로 배치된다. 이때, 제 2 광학 소자(10)는 제 1 광학 소자(7)와 직접 접촉한다. 제 1 광학 소자(7)의 점성 및 표면 장력으로 인하여, 제 1 광학 소자(7)는, 중심을 공간부(11)에서 정하기 위해, 하우징 몸체(200)와 제 2 광학 소자(10) 사이, 즉, 제 2 광학 소자(10)와 광전자 장치(9) 사이에 배치되어서, 제 2 광학 소자(10)의 광학 커플링은 가능한 우수하게 확보될 수 있다.
대안적으로, 도 7A 내지 도 7C에서 제시된 방법 또한, 캡핑부(8) 없이, 오목부(5)에서 가능하다.
도 7D에서 광전자 장치(7001)를 위한 다른 실시예가 제시되고, 이는 이미 언급된 방법에 의하여 제작할 수 있다. 대안적으로, 도 7C에 따른 광전자 장치(7000)를 위하여 광전자 장치(7001)는 제 2 광학 소자(10)를 포함하고, 실제로, 제 2 광학 소자의 광학 기능을 이루는 영역(13) 옆에서, 예를 들면, 광 복사의 굴절을 위하여 만곡된 상면을 지닌 렌즈 몸체 옆에서, 중앙 보조부(12)를 추가적으로 포함하고, 이때, 상기 중앙 보조부는 하우징 몸체(200)에서 제 2 광학 소자가 중심에 부착되게 하고, 그리고/또는 제 2 광학 소자가 고정되게 하는 것을 용이하게 한다. 특히, 제 2 광학 소자(10)의 중앙 보조부(12)는, 제 2 광학 소자(10)의 배치 후, 하우징 몸체(200) 상 또는 측에서 정해진 공간부(11)를 생겨나게 할 정도이며, 이때 상기 공간부에는 제 1 광학 소자(7)가 배치된다.
도 8A 내지 도 8E의 실시예들은 하우징 몸체의 제 1 표면 영역 및 제 2 표면 영역으로 형성된 계단형의 단면을 도시하고, 이때 상기 하우징 몸체는, 예를 들면, 도 1A 및 도 1B 따른 실시예와 같이, 또는 도 2A 내지 도 2C 에 따른 실시예와 같 이, 형성될 수 있다. 도 2A의 하우징 몸체(200)의 경우에서, 도 8A 내지 도 8E에서는 홈(23)의 단면도를 도시한다.
도 8A에서, 도 1A, 도 1B 및 도 2와 관련하여 이미 제시된 실시예는 외부 가장 자리(20) 및 각도(25)를 위하여 도시되고, 상기 각도는 직각을 형성한다.
도 8B는, 마찬가지로, 외부 가장 자리(20)를 지닌 하우징의 계단형을 도시하고, 이 외부 가장 자리는 직각(25)을 제시한다. 그러나 제 2 표면 영역(22)은 만곡되어 다른 가장 자리 없이, 다른 표면 영역(29)으로 넘어간다.
도 8C에서, 하우징 몸체는 외부 가장 자리(20)에 각도(25)를 제시하고, 이 각도는 90도 보다 더 크다. 이로 인하여, 외부 가장 자리(20)는 표면 영역(21, 22)에 의해 형성된 계단형의 상부 가장 자리를 형성하고, 이 계단형은 둔각을 제시한다. 상기 각도(25)는 도포될 수 있는 액상 물질의 표면 장력이 높아질수록 더 커질 수 있다.
도 8D는 예각(25)을 지닌 외부 가장 자리(20)를 도시하고, 외부 가장 자리(20)에 있는 하우징 몸체는 90도 보다 작은 각을 제시한다. 이로 인하여, 제 1 표면 영역(21)은 제 2 표면 영역(2) 상에서 부분적으로 경사져 형성된다.
도 8E는 하우징 몸체의 계단형을 도시하고, 상기 몸체에서 제 1 표면 영역은 평면으로 형성되지 않고, 외부 가장 자리(20) 위를 향해 만곡된다. 이로 인하여, 외부 가장 자리(20)는 예각(20)을 제시하고, 이 각은 90도 보다 작다.
본 발명은 실시예들에 의거한 기재 내용에만 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하고, 특히 특징들의 각 조합은 특허 청구 범위에 포함된다. 비록 이러한 특징 또는 조합이 그 자체로 청구 범위를 또는 실시예들에 명확하게 제공되지 않더라도 말이다.

Claims (24)

  1. 광전자 장치를 위한 하우징 몸체에 있어서,
    제 1 표면 영역(21) 및 제 2 표면 영역(22)을 지닌 주요 표면(2)을 포함하고, 상기 제 1 표면 영역(21) 및 상기 제 2 표면 영역(22)은 상기 주요 표면(2)에서 계단형을 형성하고,
    상기 제 1 표면 영역(21) 및 상기 제 2 표면 영역(22)은 외부 가장 자리(20)에 의해 서로 접하게 되고,
    상기 제 2 표면 영역(22) 및 상기 외부 가장 자리(20)는 상기 제 1 표면 영역(21)을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표면 영역(21)은 평면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 가장 자리(20)는, 원형, 타원형, 다면체 또는 그의 조합으로, 상기 제 1 표면 영역(21) 주위에서 진행하는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 표면 영역(22)은 상기 주요 표면(2)에서 우묵부(23)의 부분이고,
    상기 우묵부는 상기 제 1 표면 영역(21)을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 표면 영역(21)은 상기 우묵부(23)와 함께 계단형을 형성하는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 우묵부(23)는 홈으로서 형성되고, 상기 홈은 상기 제 1 표면 영역(21)을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체는 성형가능한 플라스틱을 포함하는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체는 실리콘, 에폭시 및 실리콘-에폭시-하이브리드 물질로 형성되는 군으로부터 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체는 리드 프레임(6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 리드 프레임(6)은 광전자 장치(9)를 위한 실장 표면(61)을 포함하는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 표면 영역(21)은 상기 광전자 장치(9)의 수용을 위하여 오목부(5)를 포함하고, 상기 제 1 표면 영역(21)은 상기 오목부(5)를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 오목부(5)는 상기 광전자 장치(9)를 위하여 실장 영역(52, 61)을 포함하는 것을 특징으로 하는 하우징 몸체.
  13. 광전자 장치에 있어서,
    제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 하우징 몸체,
    광전자 장치(9), 및
    제 1 광학 소자(7)
    를 포함하고,
    상기 광전자 장치(9)는 작동 시 전자기 복사를 복사하는데 적합하고, 상기 제 1 광학 소자(7)는, 상기 광전자 장치(9)의 빔 경로에서, 제 1 표면 영역(21) 상에 배치되고 외부 가장 자리(20)에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 광전자 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체는 상기 제 1 표면 영역(21)에서 오목부(5)를 포함하고,
    상기 제 1 표면 영역(21)은 상기 오목부(5)를 둘러싸고,
    상기 광전자 장치(9)는 상기 오목부(5) 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 광전자 장치.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 소자(7)는 플라스틱을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치.
  16. 제 13 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체 상에 제 2 광학 소자(10)가 배치되고,
    상기 제 2 광학 소자(10)는, 전자기 복사의 빔 경로에서, 상기 제 1 광학 소자(7) 다음에 배치되는 것을 특징으로 하는 광전자 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 소자(10)는 상기 제 1 광학 소자(7)에 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 소자(7)는 굴절률에 적합한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 소자(7)는 실리콘 또는 실리콘 오일을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치.
  20. 제 13 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 광전자 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
    A) 광전자 장치(9) 주위에 있는 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 하우징 몸체를 생성하고,
    B) 제 1 광학 소자(7)를 제조하기 위해, 제 1 표면 영역(21) 상에서, 그리고 광전자 장치(9)에서 발생된 전자기 복사의 빔 경로에 있는 광전자 장치(9) 상에서, 액상 물질(70)을 도포하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 A) 단계에서, 오목부(5)를 가진 하우징 몸체가 사용되고, 상기 광전자 장치는 상기 오목부 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,
    상기 B) 단계에서, 상기 액상 물질(70)이 상기 제 1 표면 영역(21) 상에 도포된 후, 상기 액상 물질은 외부 가장 자리(20)까지 퍼지고, 상기 외부 가장 자리에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 A) 단계 후의 다른 방법으로:
    A1) 상기 오목부 내부에 있는 광전자 장치(9)는 플라스틱으로 캡슐화(8)되는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 20 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액상 물질(70)은 실리콘 및/또는 에폭시 또는 실리콘 오일을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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