KR20090123782A - 저잡음수신장치 - Google Patents
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Abstract
저잡음수신장치는 입력신호를 입력하는 증폭기, 증폭기와 출력단자 사이에 접속되고 증폭기의 출력측의 임피던스를 매칭하는 출력매칭회로, 증폭기를 바이패스하고 출력매칭회로의 출력측에 접속된 바이패스회로, 및 증폭기와 출력매칭회로 사이에 접속된 일단과 증폭기의 출력을 교류전류그라운드에 접속하거나 접속하지 않도록 절환하는 교류전류그라운드에 접속된 타단을 가진 스위칭회로를 구비한다. 바이패스모드에서, 스위칭회로는 증폭모드에서 보다 출력매칭회로의 출력단자로부터 보이는 낮은 임피던스를 가지기 위해 교류전류그라운드에 증폭기의 출력을 접속한다.
저잡음수신장치, 바이패스모드, 증폭모드, 스위칭회로, 임피던스
Description
본 발명은 고주파프론트-엔드(frount-end)회로에 제공된 저잡음수신장치에 관한 것이고, 특히 입력RF(Radio Frequency)신호강도에 따라 증폭동작 및 바이패스동작을 절환하는 저잡음수신장치에 관한 것이다. 이 증폭동작은 증폭기에 의해 입력RF신호를 증폭하는 것이고 바이패스동작은 증폭기를 바이패스하는 것이다.
최근, 무선LAN(로컬영역네트워크), D-TV(디지털텔레비전), 및 GPS(Global Positioning System)과 같은 이동단말기들이 급속히 증가하고 있다. 이런 이동단말기에 실장된 저잡음수신장치에 있어서, 일반적으로 RF신호를 증폭하는 증폭기는 좋은 수신감도를 얻기 위해 프론트엔드-회로에 제공된다. 이동단말기는 제한 없이 어떠한 장소에서도 사용될 수 있고 저잡음수신장치는 실내 또는 실외와 같은 동작환경 및 기지국으로부터의 거리에 따라 다양한 무선필드강도의 무선신호를 수신할 필요가 있다. 이동단말기가 기지국 근처에 사용되는 경우와 같이 강한 무선필드강도를 수신하는 경우, 저잡음수신장치의 증폭기에 입력된 신호강도가 강하게 되고 이에 의해 증폭된 신호를 포화하고 왜곡특성을 감소시킨다.
수신된 RF신호의 강도가 강한 경우와 같이 증폭기를 바이패스하고 입력 RF신 호를 다음 단계로 전송하는 상술한 이슈를 개선하기 위해 제안된 방법이 있다(일본의 미심사된 공개특허공보 제10-84300호 및 일본의 미심사된 공개특허공보 제2008-28908호). 바이패스를 위한 스위칭장치는 증폭기를 바이패스하는 이런 기능을 가진 저잡음수신장치에 제공되어야만 한다. 이동단말기의 소형화를 앞당기기 때문에, 저잡음수신장치가 보다 더 최소화되고 간단해지도록 요구된다.
도 7은 일본의 미심사된 공개특허공보 제10-84300호에 개시된 장치를 나타내는 블록도이다. 도 7에 있어서, 61은 LNA(Low Noise Amplifer), 62 및 63은 감쇠기, 66은 입력매칭회로, 64 및 67은 출력매칭회로, 68은 RF(Radio Frequency)입력단자, 69는 RF출력단자, 및 65는 1입력1출력스위칭회로이다. 입력매칭회로(66)는 LNA(61)의 입력측의 임피던스를 매칭한다. 출력매칭회로(67)는 LNA(61)의 출력측의 임피던스를 매칭한다. RF입력단자(68)로부터 수신된 무선필드강도가 LNA(61)의 입력포화전력보다 충분히 작은 경우, RF신호는 증폭경로로 패스된다. 이 때, 스위치(65)의 입력/출력단자는 개방되고 감쇠기(62)는 최소감쇠가 되도록 구성된다. 상술한 바와 같이 무선필드강도가 작아지면, 수신된 RF신호는 LNA(61)에 의해 증폭된 입력매칭회로(66) 및 감쇠기(62)를 통과하고, 출력매칭회로(67)를 통해 출력단자(69)로부터 출력된다.
RF신호의 출력전력이 충분히 커서 감쇠기(62)를 최대감쇠로 설정한 후라도 출력전력이 기설정된 문턱값 Pmax를 초과하는 경우, 수신된 RF신호는 바이패스경로로 통과된다. 즉, 감쇠기(62)는 스위치(65)의 입력 및 출력단자들 사이에 쇼트-회로에 최대감쇠로 설정된다. 감쇠기(63)의 감쇠는 조정되어 다음 단계에서의 믹서가 포화되지 않는다. 상술한 바와 같이 RF신호의 신호강도가 큰 경우, 수신된 RF신호는 감쇠기(63), 출력매칭회로(64, 67)를 통해 출력단자(69)로 출력된다. 수신된 RF신호의 무선필드강도가 큰 경우라도, 바이패스경로는 특정 범위 내에 RF출력을 유지하고 증폭기 및 믹서와 같은 비선형장치를 포화시키는 것을 방지한다.
도 8은 일본의 미심사된 공개특허공보 제2008-28908호에 개시된 장치를 도시한 블록도이다. 이 장치에 있어서, 일본의 미심사된 공개특허공보 제10-84300호와 같이, 입력매칭회로(82)를 통해 입력단자(81)로부터 RF신호입력이 진폭에 따라 바이패스회로(83) 또는 증폭기회로(84) 중 어느 하나를 통해 출력매칭회로(87)로 출력된다. 증폭기(84)에 구비된 트랜지스터들(85, 86)은 증폭기를 구성한다. 제1제어회로(90)는, 바이패스회로(83) 및 증폭기회로(84)의 스위치들로서 기능하는 트랜지스터들(88, 89)의 게이터전압을 공급한다. 제1제어회로(90)는 수신된 RF신호의 신호강도에 따라 트랜지스터들(88, 89)의 게이터전압을 제어함으로써 수신된 RF신호가 바이패스회로(83) 또는 증폭기회로(84) 중 어느 하나에 입력되도록 제어한다. 바이패스회로(83) 또는 증폭기회로(84)의 출력은 공통의 출력매칭회로(87)로 입력된다.
일본의 미심사된 공개특허공보 제2008-28908호에 개시된 장치는, 도 8에 도시된, 일본의 미심사된 공개특허공보 제10-84300호에 개시된 회로구성에 비교할 때, 바이패스회로(83) 및 증폭기회로(84) 사이의 출력매칭회로(87)를 분배함으로써 출력매칭회로들의 수를 감소할 수 있다.
그러나, 2개의 출력매칭회로들(64, 67)은 바이패스경로 및 증폭기경로의 입 피던스를 매칭하기 위해 일본의 미심사된 공개특허공보 제10-84300호에 개시된 장치에서 출력측의 매칭회로로 제공된다. 일반적으로, 커패시터 또는 인덕터장치는 매칭회로로 사용된다. 따라서, 일본의 미심사된 공개특허공보 제10-84300호에 개시된 장치는 많은 장치를 요하고 회로크기 및 비용을 증가시키는 것과 같은 문제를 발생시킨다. 또한, 매칭회로에 사용된 커패시터 또는 인덕터는 일반적으로 큰 회로크기를 가진다. 이는 칩영역 및 칩비용도 증가시키는 문제를 발생시킨다.
또한, 일본의 미심사된 공개특허공보 제2008-28908호에 개시된 장치에 있어서, 출력매칭회로의 입력은 바이패스경로 및 증폭기경로에 공통된다. 출력매칭회로(8)의 임피던스는 증폭기회로(84)를 통과하는 경로에 대해 양호한 특성을 가지도록 특정된다. 따라서, 발명자는, 바이패스회로(83)를 통과하는 경우, 부정합이 출력매칭회로(8)의 임피던스에서 생성되고 바이패스신호의 손실이 커진다는 것을 발견했다.
본 발명의 실시예의 예시적인 면은 수신된 입력신호를 증폭하는 증폭기, 증폭기와 증폭기와 출력단자 사이에 접속되고 증폭기의 출력측의 임피던스를 매칭하는 출력매칭회로, 증폭기를 바이패스하고 출력매칭회로의 출력측에 접속된 출력을 가진 바이패스회로, 및 증폭기의 출력을 교류전류그라운드에 접속하거나 접속하지 않도록 절환하는 스위칭회로로서, 증폭기와 출력매칭회로 사이에 접속된 일단과 교류전류그라운드에 접속된 타단을 가진 스위칭회로를 가지는 저잡음수신장치이다. 저잡음수신장치는 증폭기를 통해 출력단자에 입력신호가 출력된 증폭모드와 증폭기가 바이패스되어 바이패스회로를 통해 출력단자에 입력신호를 출력하는 바이패스모드를 가진다. 증폭모드에서, 스위칭회로는 출력매칭회로에 의해 증폭기의 출력측의 임피던스가 매칭되게 하기 위해 교류전류그라운드로부터 증폭기의 출력을 분리한다. 바이패스모드에서, 스위칭회로는 증폭모드에서 보다 출력단자측으로부터 보이는 출력매칭회로의 임피던스가 낮아지도록 교류전류그라운드에 증폭기의 출력을 접속한다.
본 발명의 실시예의 예시적인 면에 있어서, 바이패스회로의 출력은 출력매칭회로의 출력측에 접속되고 스위칭회로는 선택적으로 교류전류그라운드에 증폭기의 출력을 접속한다. 이것은 증폭모드와 바이패스모드 사이에서 절환될 수 있는 출력매칭회로의 출력단자로부터 보이는 임피던스를 절환할 수 있다. 이것은 출력매칭회로의 수를 감소시키고 바아패스모드에서 바이패스신호의 손실도 감소시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 저잡음장치는 출력매칭회로의 수를 감소시키고 바이패스모드에서의 바이패스신호의 손실도 감소시킬 수 있다.
본 발명의 상술한 및 다른 목적, 이점 및 특징들이 첨부도면과 함께 다음의 바람직한 실시예의 설명으로부터 명백해 질 것이다. 본 발명은 실시예를 참조로 여기에 설명될 것이다. 본 기술분야의 숙련자들은 많은 대안적인 실시예가 본 발명의 교시를 사용해 이루어질 수 있고 본 발명은 설명적인 목적으로 개시된 실시예에 제한되지 않는다는 것을 인식할 것이다 .
이 후, 본 발명의 실시예가 도면을 참조로 설명된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 저잡음수신장치의 구성예를 설명하는 블록도이다. 저잡음장치(100)는 입력신호 RF_IN을 증폭하는 증폭기(1), 증폭기(1) 및 증폭기(1)의 출력측의 임피던스를 매칭하기 위한 출력단자(9) 사이에 접속된 출력매칭회로(7), 증폭기(1)를 바이패스하기 위한 출력매칭회로(7)의 출력측에 접속된 출력을 가진 바이패스회로(3), 및 증폭기(1)와 출력매칭회로(7) 사이에 접속된 일단 및 증폭기(1)의 출력을 교류전류그라운드에 접속하거나 접속하지 않도록 절환하기 위한 교류전류그라운드에 접속된 타단을 가진 스위칭회로(301)를 구비한다.
입력신호 RF_IN의 진폭에 따라 저잡음수신장치(100)를 위한 2개의 모드들; 입력신호 RF_IN이 증폭기(1)를 통해 출력단자(9)에 출력되는 증폭모드 및 입력신호 RF_IN가 증폭기(1)에 바이패스되어 바이패스회로(3)를 통해 입력신호 RF_IN을 출력 단자(9)로 출력하는 바이패스모드가 있다. 입력신호 RF_IN의 진폭이 작은 경우, 저잡음수신장치(100)는 증폭기(1)를 통해 입력신호 RF_IN가 출력단자(9)로 출력되는 증폭모드가 되도록 설정된다. 증폭모드에 있어서, 출력매칭회로(7)는 스위칭회로(301)에 의해 교류전류그라운드로부터 증폭기(1)의 출력을 분리함으로써 증폭기(1)의 출력측의 임피던스를 매칭한다.
입력신호 RF_IN의 진폭이 큰 경우, 저잡음수신장치(100)는 바이패스회로(3)를 통해 입력신호가 출력단자(9)로 출력되는 바이패스모드로 설정된다. 바이패스모드에 있어서, 스위칭회로(301)는 증폭모드에서 보다 낮은 출력매칭회로(7)의 출력단자로부터 보이는 임피던스를 가지기 위해 교류전류그라운드에 증폭기(1)의 출력을 접속한다.
제어회로는 저잡음수신장치(100)에 제공된다. 제어회로는, 입력신호 RF_IN의 진폭이 증폭기(1)를 반드시 통과할 필요가 없을 만큼 충분히 큰 지를 평가하는 기설정된 문턱값과 출력단자(9)의 출력신호의 진폭을 비교한다. 출력단자(9)의 출력이 기설정된 문턱값 보다 작은 경우, 제어회로는 입력신호 RF_IN의 진폭이 작고 저잡음수신장치(100)를 증폭모드로 설정할 것을 결정한다. 출력단자(9)의 출력이 기설정된 문턱값을 초과하는 경우, 제어회로는 입력신호 RF_IN의 진폭이 크고 저잡음수신장치(100)가 바이패스모드로 설정될 것을 결정한다.
저잡음수신장치(100)의 구성이 도 1을 참조로 설명된다. 입력매칭회로(6)는 증폭기(1)의 입력측의 임피던스를 매칭하는 저잡음수신장치(100)에 제공된다. 입력매칭회로(6)의 일단은 입력단자(1)에 접속되고, 입력매칭회로(6)의 출력은 증폭 기(1)의 입력에 접속된다.
증폭기(1)의 입력은 입력매칭회로(6)에 접속된다. 증폭기(1)의 출력은 스위칭회로(301)를 통해 교류전류그라운드 및 출력매칭회로(7)에 접속된다. 증폭기(1)의 출력노드는 이하에서 노드 A로 언급된다. 증폭기(1)의 입력측의 임피던스는 입력매칭회로(6)에 의해 매칭된다. 출력측의 임피던스는 출력매칭회로(7)에 의해 매칭된다.
스위칭회로(301)는 노드 A와 교류전류그라운드 사이에 접속된다. 스위칭회로(301)는 노드 A가 교류전류그라운드에 접속되는지 여부에 따라 출력매칭회로(7)의 출력단자(9)로부터 보이는 임피던스를 절환한다. 상술한 제어회로는 스위칭회로(301)의 온/오프(ON/OFF)를 제어한다.
출력매칭회로(7)는 증폭기(1)의 출력측의 임피던스를 매칭하기 위한 값에 설정된다. 출력매칭회로(7)는 증폭기(1)의 출력측에 접속된다. 출력매칭회로(7)는 스위칭회로(301)가 교류전류그라운드에 증폭기(1)의 출력을 접속하는지 여부에 따라 출력단자(9)로부터 보이는 임피던스를 절환한다. 출력매칭회로(7)의 출력노드는 이하에서 노드 B로 언급된다.
출력매칭회로(7)는 증폭모드에서 교류전류그라운드로부터 증폭기(1)의 출력측을 분리함으로써 증폭기(1)의 출력측의 임피던스를 매칭한다. 한편, 바이패스모드에서, 증폭기(1)의 출력은 스위칭회로(301)에 의해 교류전류그라운드에 접속된다. 즉, 출력매칭회로(7)의 증폭기(1)에 접속된 단자는 교류전류그라운드에 접속된다. 이후, 바이패스모드에서, 출력매칭회로(7)는 증폭모드에서 보다 낮게 되도록 출력단자(9)로부터 보이는 임피던스를 설정한다.
바이패스회로(3)는 입력매칭회로(6)의 출력과 증폭기(1)의 입력 사이에 접속되고 노드 B에 접속된다. 바이패스회로(3)는 바이패스모드에서 증폭기(1)와 출력매칭회로(7)를 바이패스하는 바이패스경로가 되도록 구성된다. 바이패스회로(3)는 후술하는 바와 같이 스위치로 구성되고, 온/오프는 상술한 제어회로에 의해 제어된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저잡음수신장치의 상세한 구성예를 설명하는 회로도이다. 입력매칭회로(6)는 커패시터(501)와 코일(502)을 구비한다. 코일(502)의 일단은 DC블록킹커패시터(310)를 통해 입력단자(8)에 접속되고 커패시터(501)를 통해 그라운드에도 접속된다. 코일(502)의 타단은 바이패스회로(3)에 접속되고 증폭기(1)에도 접속된다. 입력매칭회로(6)의 구성은 이에 제한되지 않고 증폭기(1)의 구성에 따라 레지스터 등이 사용될 수 있다.
증폭기(1)는 캐스코드(cascod)접속된 트랜지스터로 구성된다. 증폭기(1)는 예를 들어, 바이폴라트랜지스터들의 2단접속에 의해 구성된다. 증폭기(1)는 NPN트랜지스터(503, 504) 및 커패시터(311)를 구비한다. NPN트랜지스터(503)에 대해서는 콜렉터는 노드 A에 접속되고, 베이스는 커패시터(311)를 통해 그라운드에 접속되고, 에미터는 NPN트랜지스터(504)의 콜렉터에 접속된다. NPN트랜지스터(504)에 대해서는 콜렉터가 NPN트랜지스터(503)의 에미터에 접속되고 베이스가 입력매칭회로(6)의 코일(502)에 접속되고 에미터는 그라운드에 접속된다.
증폭기(1)의 출력(노드 A)는 커패시터(505)를 통해 스위칭회로(301)에 접속 되고 매칭회로(7)에도 접속된다. 스위칭회로(301)는 MOS트랜지스터(506)를 구비한다. MOS트랜지스터(506)의 일단은 커패시터(505)를 통해 노드 A에 접속되고 타단은 교류전류그라운드에 접속된다. MOS트랜지스터(506)의 턴온 및 턴오프는 노드 A가 교류전류그라운드에 접속되거나 되지 않도록 절환할 수 있다. MOS트랜지스터(506)는 바이패스모드에서 턴온되고 노드 A가 교류전류그라운드에 접속됨으로써, 출력매칭회로(7)는 낮은 임피던스로 설정된다. 스위칭회로(301)는 증폭모드에서 턴오프되고 노드 A를 교류전류그라운드로부터 분리한다.
바이패스회로(3)는 MOS트랜지스터(507)를 구비한다. MOS트랜지스터(507)의 일단은 입력매칭회로(6)의 출력측에 접속되고 타단은 DC블록팅커패시터(313)를 통해 노드 B에 접속된다. 증폭모드에 있어서, MOS트랜지스터(507)는 턴오프되고 수신된 입력신호 RF_IN은 증폭기(1) 및 출력매칭회로(7)를 통해 노드 B로 출력된다. 바이패스모드에 있어서, MOS트랜지스터(507)는 턴온되고 수신된 입력신호 RF_IN은 바이패스회로(3)를 통해 출력단자(9)로 출력된다.
스위칭회로(301)의 일단은 노드 A 및 노드 B 사이에 접속되고, 타단은 교류전류그라운드에 접속된다. 커패시터(301, 311, 312)는 DC블록킹커패시터이다.
출력매칭회로(7)는 코일(508, 509)을 구비한다. 코일(508)의 일단은 전원에 접속되고, 타단은 노드 A에 접속된다. 코일(509)의 일단은 코일(508)을 통해 전원에 접속되고, 타단은 커패시터(312)를 통해 노드 B에 접속된다. 출력매칭회로(7)의 구성은 이에 제한되지 않고 커패시터나 레지스터가 증폭기(1)의 구성에 따라 코일(509) 대신 사용될 수 있다는 것을 유의하자.
다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 저잡음수신장치(100)의 동작이 도 3 및 도 4를 참조로 설명된다. 도 3은 증폭모드에서 저잡음수신장치(100)의 동작을 나타낸다. 도 4는 바이패스모드에서 저잡음수신장치(100)의 동작을 나타낸다.
도 3에 도시된 증폭모드에 있어서, 증폭기(1)는 동작단계에 있다. 도 2에 보이는 바이패스회로(3)에서 MOS트랜지스터(507)는 턴오프된다. 또한, 도 2에 도시된 스위칭회로(301)의 MOS트랜지스터(506)는 턴오프된다. 입력단자(8)로부터 RF신호입력은 입력매칭회로(6)를 통해 증폭기(1)에 입력되고, 증폭기(1)에 의해 증폭되며 출력매칭회로(7)를 통해 출력단자(9)로부터 출력된다. 증폭모드에서, 증폭기(1)의 출력측의 임피던스가 매칭되기 위해 출력매칭회로(7)가 동작한다.
이 때, 증폭기(1)의 입력신호에 임피던스부정합으로 야기된 특징적인 열화(NF 또는 손실)는 없다. 입력신호는 증폭기(1)에 의해 증폭된다. 출력매칭회로(7)는 증폭기(1)의 출력 및 출력단자의 다음단계인 임피던스 Zout의 임피던스를 매칭한다. 증폭된 신호는 출력단자(9)로부터 출력된다. 이 때, 바이패스회로(3)와 스위칭회로(301)의 입력 및 출력 사이의 아이솔레이션은 스위치에 의한 저잡음증폭동작으로 야기된 신호손실을 무시할 만큼 크다.
도 4에 도시된 바이패스모드에 있어서, 증폭기(1)는 비동작단계에 있다. 바이패스회로(3)의 MOS트랜지스터는 턴온되고 바이패스회로(3)는 신호경로가 될 것이다. 또한, 바이패스모드에 있어서, 스위치회로(301)의 MOS트랜지스터(506)는 턴온된다. 노드 A는 교류전류그라운드에 접속된다. 증폭기(1)에 의해 증폭된 신호는 증폭모드에서 노드 A로부터 출력된다. 그 결과, 출력매칭회로(7)의 출력단자(9)로부 터 보이는 임피던스는 증폭모드에서의 임피던스보다 낮은 임피던스가 되도록 설정된다. 이 때, 입력매칭회로(6)에 의해 임피던스의 부정합된 부분만이 출력단자(9)로부터 출력된다.
다음으로, 스위칭회로(301)의 역할이 설명된다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 스위칭회로(301)가 없는 저잡음수신장치(100)의 회로구성을 보여준다. 도 5에 있어서, 증폭기(1)의 기생용량은 C로 나타내고, 기생저항은 R로 나타낸다. 도 5에 보이는 바와 같이, 증폭기(1)의 기생용량 C와 출력매칭회로(7)의 코일(508)은 공진기(401)를 구성한다. 출력매칭회로(7)는 증폭기(1)의 출력측의 임피던스를 설정한다. 공진기(401)의 공진주파수는 출력매칭회로(7)에 의해 매칭되는 기설정된 주파수와 거의 동일하다. 즉, 증폭기(1)의 출력측의 임피던스를 매칭하는 조건은 LC회로의 공진현상이 발생되는 조건과 동일하다.
따라서, 신호가 바이패스된 증폭기(1)에 관해, 공진기(401)의 공진에 의해 출력단자(9)로부터 소망의 주파수가 출력되지 않을 것이다. 한편, 본 실시예에서, 스위칭회로(301)는 증폭기(1)의 기생용량 C와 출력매칭회로(7)의 코일(508)로 구성되는 공진기(401)를 제거한다. 이것은 공진현상으로 인한 신호손실을 방지할 수 있다.
도 6은 공진현상의 시뮬레이션결과를 도시한다. 도 6은 1.575㎓의 협대역에서 증폭모드로 들어갈 때 임피던스를 매칭하는 경우, 도 5의 회로에 대해 바이패스모드에서 S파라미터에 의해 삽입손실특성을 보여준다. 도 6에서 보이는 바와 같이, 바이패스모드에서, 공진현상 및 큰 신호손실은 임피던스가 매칭되는 1.575㎓ 부근 에서 생성된다.
한편, 본 발명의 실시예는 증폭기(1)와 출력매칭회로(7)의 입력 사이에 스위칭회로(301)을 제공하여 스위칭회로(301)가 바이패스시에 전도성이 있도록 한다. 이것은 노드 B가 교류전류그라운드와 거의 동일한 임피던스를 가지도록 설정할 수 있다. 따라서, 증폭기(1)의 기생용량과 출력매칭회로(7)로 구성되는 공진기(401)를 생성하는 것을 방지할 수 있고 공진에 의해 야기된 신호손실을 감소할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 있어서, 바이패스회로(3)의 출력은 출력매칭회로(7)의 출력측에 접속되고, 스위칭회로(301)는 증폭기(1)의 출력이 교류전류에 접속하거나 접속하지 않도록 절환하기 위해 제공된다. 이것은 바이패스모드 및 증폭모드에서 출력매칭회로(7)의 출력측으로부터 보이는 임피던스를 절환할 수 있게 한다. 또한, 이것은 증폭기(1)의 기생용량 C와 출력매칭회로(7)로 구성된 LC공진기를 생성하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 바이패스모드에서 LC공진현상에 의해 야기된 신호손실을 방지할 수 있다.
본 발명은 몇 개의 실시예로 설명되었지만 본 기술분야의 숙련자들은 본 발명이 첨부된 청구항의 사상 및 범위 내에서 다양한 수정을 가지고 실행될 수 있고 본 발명이 상술한 실시예에 제한되지 않는다는 것을 인식할 것이다.
또한, 청구항의 범위는 상술한 실시예에 의해 제한되지 않는다.
또한, 출원인의 의도는, 이후 과정에서 보정되더라도, 모든 청구항의 구성요소의 균등물을 포함한다는 것에 유의해야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 저잡음수신장치의 구성예를 보이는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저잡음수신장치의 구성예를 보이는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 일반적인 동작에서의 저잡음수신장치를 도시한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 바이패스동작에서의 저잡음수신장치를 도시한다.
도 5는 스위칭회로가 없는 회로구성을 보여준다.
도 6은 공명현상의 시뮬레이션결과를 보여주는 그래프이다.
도 7은 일본의 미심사된 공개특허공보 제10-84300호에 개시된 무선저잡음수신장치의 구서예를 도시한다.
도 8은 일본의 미심사된 공개특허공보 제2008-28908호에 개시된 무선저잡음수신장치의 구성예를 도시한다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 증폭기 3 : 바이패스회로
6 : 입력매칭회로 7 : 출력매칭회로
100 : 저잡음수신장치 301: 스위칭회로
Claims (7)
- 저잡음수신장치에 있어서,수신된 입력신호를 증폭하는 증폭기;증폭기와 출력단자 사이에 접속되고, 증폭기의 출력측의 임피던스를 매칭하는 출력매칭회로;증폭기를 바이패스하고 출력매칭회로의 출력측에 접속된 출력을 가지는 바이패스회로; 및증폭기의 출력을 교류전류그라운드에 접속하거나 접속하지 않도록 절환하는 스위칭회로로서, 증폭기와 출력매칭회로 사이에 접속된 일단과, 교류전류그라운드에 접속된 타단을 가지는 스위칭회로;를 포함하고,저잡음수신장치는 증폭기를 통해 출력단자로 입력신호를 출력하는 증폭모드 및 증폭기가 바이패스되어 바이패스회로를 통해 출력단자로 입력신호를 출력하는 바이패스모드를 가지고,증폭모드에서, 스위칭회로는 출력매칭회로에 의해 증폭기의 출력측의 임피던스가 매칭되도록 하기 위해 교유전류그라운드로부터 증폭기의 출력을 분리하고,바이패스모드에서, 스위칭회로는 출력단자측으로부터 보이는 출력매칭회로의 임피던스가 증폭모드에서 보다 낮도록 하기 위해 교류전류그라운드에 증폭기의 출력을 접속하는 저잡음수신장치.
- 제1항에 있어서, 출력매칭회로는 전원과 증폭기 사이에 접속되고 증폭기에 바이패스전압을 공급하는 코일을 포함하는 저잡음수신장치.
- 제1항에 있어서, 출력단자의 출력을 모니터하는 제어회로를 더 포함하고,제어회로는, 출력단자의 출력이 소정값 보다 작은 경우 증폭모드로 저잡음수신장치를 설정하고, 출력단자의 출력이 소정값과 동일하거나 클 경우 바이패스모드에 저잡음수신장치를 설정하는 저잡음수신장치.
- 제1항에 있어서, 증폭기의 입력측에 접속되고 증폭기의 입력측의 임피던스를 매칭하는 입력매칭회로를 더 포함하는 저잡음수신장치.
- 제1항에 있어서, 증폭기는 캐스코드로 접속된 바이폴라트랜지스트에 의해 구성된 저잡음수신장치.
- 제1항에 있어서, 바이패스회로는 스위치인 저잡음수신장치.
- 제6항에 있어서, 스위치는 전계효과트랜지스터인 저잡음수신장치.
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