KR20090113703A - 다층 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20090113703A
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Abstract

본 발명은 다층 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 다층 기판은 세라믹 기판; 및 상기 세라믹 기판 상에 적층된 LTCC 기판이 포함된다.
다층 기판

Description

다층 기판 및 그 제조방법{MULTI-LAYER BOARD}
본 발명은 다층 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
칩 부품의 소형화 및 경량화에 따라 칩 부품을 실장하는 회로 기판에 대해서도 소형화 및 경량화가 요구되고 있다.
대표적으로, 다층 회로 기판으로 유리-세라믹 다층 회로 기판이 사용되는데, 유리-세라믹 다층 회로 기판은 고밀도 배선 및 박층화가 가능하며 소형화 및 경량화를 도모할 수 있다.
한편, 유리-세라믹 다층 회로 기판은 소결 공정을 통해 형성되는데, 소결 공정에서 기판이 기판의 주면에 평행한 수평 방향으로 수축되어 정확한 치수로 제작될 수 없는 문제점을 갖는다.
또한, 유리가 포함된 재질로 형성된 유리-세라믹 다층 회로 기판은 유리의 낮은 열 전도율로 인하여 열 배출이 용이하지 않은 문제가 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 서멀 비아(Thermal Via)를 형성하기도 하나, 유리-세라믹 다층 회로 기판의 제조 비용이 증가되고 서멀 비아에 의해 전기적인 단락이 발생될 수도 있는 추가적인 문제점이 있다.
실시예는 다층 기판 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 열 방출 효율이 향상된 다층 기판 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 보다 정확한 치수로 제작될 수 있는 다층 기판 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 다층 기판은 세라믹 기판; 및 상기 세라믹 기판 상에 적층된 LTCC 기판이 포함된다.
본 발명의 실시예에 따른 다층 기판 제조방법은 세라믹 기판 및 그린 시트가 준비되는 단계; 상기 세라믹 기판 상에 그린 시트를 압착하는 단계; 및 상기 세라믹 기판과 압착된 그린 시트를 소성하여 LTCC 기판을 형성하는 단계가 포함된다.
실시예는 다층 기판 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 열 방출 효율이 향상된 다층 기판 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 보다 정확한 치수로 제작될 수 있는 다층 기판 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조 물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 다층 기판 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
본 발명의 실시예에 따른 다층 기판은 세라믹 기판과 상기 세라믹 기판의 상측에 적층된 LTCC 기판을 포함한다.
상기 세라믹 기판은 상기 LTCC 기판 보다 고온에서 미리 소성되며, 소성 후 상기 LTCC 기판을 형성하는 그린 시트와 압착된다. 그리고, 상기 그린 시트에 대한 소성 공정이 진행된다. 상기 그린 시트에 대한 소성 공정은 상기 세라믹 기판의 소성 온도보다 낮은 온도에서 이루어지기 때문에, 상기 세라믹 기판은 상 전이가 되지 않는다.
한편, 상기 그린 시트는 소성 과정에서 수직/수평 방향으로 수축이 일어나는데, 특히 수평 방향의 수축은 제품의 품질에 큰 영향을 미친다. 그러나, 본 발명의 실시예에서 상기 그린 시트는 상기 세라믹 기판에 고착되기 때문에 상기 그린 시트는 소성 과정에서 수평 방향으로의 수축이 감소될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 열 전도율이 좋은 세라믹 기판을 메인 기판으로 하여 그 상측에 LTCC 기판을 적층한다. 따라서, 상기 LTCC 기판에서 발생된 열은 상기 세라믹 기판을 통해 신속하게 방출될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 다층 기판의 제조방법을 설명하는 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 먼저, 세라믹 기판이 준비된다(S100). 여기서, 상기 세라믹 기판은 소성이 완료된 세라믹 기판이 사용된다.
다음, 그린시트가 준비된다(S110). 여기서, 상기 그린시트는 유리-세라믹 재질로 형성된다.
다음, 상기 세라믹 기판과 그린시트를 합착한다(S120).
그리고, 상기 합착된 세라믹 기판과 그린시트를 소성하여, 상기 세라믹 기판 상에 LTCC 기판이 적층된 다층 기판을 형성한다(S130).
본 발명의 실시예에 따른 다층 기판은 열 전도율이 좋은 소성 가공된 세라믹 기판과, 유리-세라믹 재질의 그린시트를 합착하고, 상기 그린시트를 소성 가공함으로써 다층 기판을 형성한다.
상기 그린시트는 세라믹 기판과 합착된 상태에서 소성 가공되기 때문에 수평 방향으로의 수축이 감소되어 정확한 치수로 제작될 수 있다.
또한, 상기 세라믹 기판은 열 전도율을 높기 때문에, 다층 기판에서 발생되는 열을 외부로 용이하게 방출할 수 있다.
도 2 내지 5는 본 발명의 실시예에 따라 제작될 수 있는 다층 기판의 여러가 지 실시예들이다. 본 발명의 실시예에 따른 다층 기판은 다양한 형태로 제작될 수 있으며, 도 2 내지 도 5에 도시된 실시예들에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층 기판을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 세라믹 기판(10)의 상측에 유리-세라믹 재질로 형성된 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics: 저온 동시소성 세라믹스) 기판(20)이 형성된다.
상기 LTCC 기판(20)의 상측면 및 하측면 중 적어도 어느 하나에는 소정의 회로 패턴으로 형성된 도전막(51)이 형성되고, 상기 LTCC 기판(20)을 관통하는 도전 비아(52)가 형성된다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 다층 기판을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 세라믹 기판(10)의 상측에 유리-세라믹 재질로 형성된 LTCC 기판들(20)이 형성된다.
상기 LTCC 기판(20)들의 상측면 및 하측면 중 적어도 어느 하나에는 소정의 회로 패턴으로 형성된 도전막(51)이 형성되고, 상기 LTCC 기판(20)을 관통하는 도전 비아(52)가 형성된다.
도 2에 도시된 제1 실시예에서는 하나의 LTCC 기판(20)이 형성된 것이 개시되어 있고, 도 3에 도시된 제2 실시예에서는 두개의 LTCC 기판(20)이 형성된 것이 개시되어 있으나, 상기 LTCC 기판(20)이 적층된 수는 더 증가될 수 있으며, 다수의 LTCC 기판(20)이 상기 세라믹 기판(10)의 상측에 적층될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 다층 기판을 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 참조하면, 세라믹 기판(10)의 상측에 유리-세라믹 재질로 형성된 LTCC 기판들(20)이 형성된다.
상기 LTCC 기판(20)들의 상측면 및 하측면 중 적어도 어느 하나에는 소정의 회로 패턴으로 형성된 도전막(51)이 형성되고, 상기 LTCC 기판(20)을 관통하는 도전 비아(52)가 형성된다.
상기 세라믹 기판(10)에는 도전 비아(12)가 형성될 수도 있으며, 상기 세라믹 기판(10)의 하측에는 회로 패턴으로 형성된 도전막(13)이 형성될 수도 있다. 또한, 상기 세라믹 기판(10)의 열 방출 효과를 극대화하기 위한 서멀 비아(Thermal Via)(11)가 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 다층 기판을 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 세라믹 기판(10)의 상측에 유리-세라믹 재질로 형성된 LTCC 기판들(20)이 형성된다.
상기 LTCC 기판(20)의 상측면 및 하측면 중 적어도 어느 하나에는 소정의 회로 패턴으로 형성된 도전막(51)이 형성되고, 상기 LTCC 기판(20)을 관통하는 도전 비아(52)가 형성된다.
상기 LTCC 기판들(20) 중 적어도 일부는 적어도 일부분이 제거되어 캐비티(cavity)(60)를 형성할 수도 있다. 상기 캐비티(60)에는 저항, 커패시터, 인덕터와 같은 수동 소자나 칩 등이 실장될 수도 있다.
도 2 내지 도 5에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 다층 기판은 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명이 도면에 도시된 구조에 한정되는 것 은 아니다.
이하에서는 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 다층 기판 및 그 제조방법에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.
세라믹 기판 준비
본 발명의 실시예에 따른 다층 기판은 연 전도율이 좋은 세라믹 기판(10)을 메인 기판으로 하여 상기 세라믹 기판(10)의 상측에 LTCC 기판(20)을 적층한다.
상기 세라믹 기판(10)으로 알루미나(Al2O3), AlN, Si3N4, SiC 중 적어도 어느 하나가 사용될 수 있으며, 실시예에서는 알루미나(Al2O3) 또는 AlN이 사용된 것이 설명된다. 상기 알루미나 기판은 열 전도율이 매우 좋다.
본 발명의 실시예에 따른 다층 기판에서 상기 세라믹 기판(10)은 미리 소결 공정을 거쳐 소결되고, 상기 LTCC 기판(20)은 상기 세라믹 기판(10)과 합착 후 소결된다. 상기 세라믹 기판(10)은 상기 LTCC 기판(20)보다 소결 온도가 높기 때문에 상기 LTCC 기판(20)과 별도로 소결 공정을 거친다.
세라믹 기판(10)의 실시예로서, 상기 알루미나 기판은 캐스팅(Casting) 방법에 의해 제조되거나, 프레스(Press) 방법에 의해 제조될 수 있다.
캐스팅 방법
알루미나 분말 91~99 중량%에 소결조제(flux)로서 벤토나이트 또는 활석을 1~9 중량%로 혼합하여 원료 세라믹 파우더를 준비한다. 상기 혼합 세라믹 파우더에 대해 2~10 중량%의 유기 결합제와 0.2~2 중량%의 가소제를 혼합하고 이를 20~60 중량%의 유기 솔벤트에 녹여 24시간 동안 에이징(Aging)을 실시한 후, 상기 세라믹 파우더와 혼합한다. 이때, 필요에 따라 분산제를 0.1~2 중량% 첨가할 수도 있고, 상기 분산제는 Polyisobutylene, linoteic acid, aliphatic hydrocarbons, Manhaden Fish oil 중 적어도 어느 하나가 사용될 수도 있다.
혼합 방법은 볼밀(Ball mill) 또는 바스켓 밀(Basket mill)과 같은 믹싱(mixing) 방법을 사용한다.
믹싱이 완료된 슬러리(Slurry)는 탈포와 에이징을 거쳐 테입 케스팅(Tape casting)하여 10~1000㎛ 두께의 시트로 준비한다. 이때, 점도는 50~1200cps 정도가 적당하다.
이후, 상기 시트를 환원 분위기에서 1400~1600℃의 온도로 30분~2시간 소결하여 알루미나 기판을 제조한다.
(실시예)
알루미나 분말 1840g과 소결조제로써 벤토나이트 또는 활석 160g을 혼합한 세라믹 분말 2000g을 준비하고, 유기 결합제로써 PVB(폴리비닐부티랄) 50g, 가소제로써 BBP(부틸벤질프탈레이트) 18g을 유기 솔벤트로써 에탄올 256g 및 톨루엔 544g을 넣어, 이를 상기 세라믹 분말과 함께 직경 20mm의 알루미나 볼 2.5kg과 함께 용적 5l의 알루미나 볼밀에서 24시간 혼합하여 슬러리 점도를 70cps로 만들었다.
다음, 상기 PVB 150g, BBP 72g을 가하여 다시 24시간 볼밀로 혼합하여 제조된 슬러리를 탈포 공정, 숙성 공정을 거쳐 테이프 캐시팅 성형법에 의해 두께 0.6mm를 갖는 시트로 성형하였다.
상기 제조된 시트를 40×40mm의 크기로 절단한 후, 환원 분위기에서 1550℃의 온도로 1시간 동안 열처리를 실시하여 알루미나 기판을 제조하였다.
프레스 방법
알루미나 분말 91~99 중량%에 소결조제(flux)로서 벤토나이트 또는 활석을 1~9 중량%로 혼합하여 원료 세라믹 파우더를 준비한다. 상기 세라믹 파우더는 건식 혼합 방법인 V-mixer를 사용하거나, 습식 혼합 방법으로 유기 솔벤트 또는 증류수 20~60 중량%와 분산제 0.1~2 중량%를 혼합하여 24시간 가량 100~150℃의 온도에서 충분히 건조되도록 하여 준비된다. 상기 혼합 파우더에 유기 결합제를 0.5~3중량% 정도 혼합하고 금형 프레스를 이용하여 1~15ton의 압력으로 성형하여 환원 분위기에서 1400~1600℃의 온도로 30분~2시간 소결하여 알루미나 기판을 제조한다.
(실시예)
알루미나 분말 1840g과 소결조제로써 벤토나이트 또는 활석 160g을 혼합한 세라믹 분말 2000g을 준비하고, 유기 결합제로써 PVA(폴리비닐아세테이트) 20g을 첨가하여 혼합한다. 상기 혼합 분말을 성형 프레스에 넣어 5ton의 압력을 1초 동안 가해 시트로 성형하고 이를 환원 분위기에서 1550℃의 온도로 1시간 동안 열처리를 실시하여 알루미나 기판을 제조하였다.
상기 알루미나 기판은 27w/m.k의 열 전도율을 가진다.
세라믹 기판(10)의 다른 실시예로서, 상기 AlN 기판이 사용될 수 있다.
상기 AlN 기판은 질화알루미늄 분말을 주성분으로 하여 소결조제로써 CaO 2 중량% 이하 또는 Y2O3 8 중량% 이하를 혼합하여 질소 분위기에서 1900℃의 온도로 8시간 동안 열처리를 실시하여 AlN 기판을 제조한다. 상기 AlN 기판의 밀도는 3.262g/㎤이고 열 전도율은 200~250w/m.k가 된다.
한편, 상기 세라믹 기판(10)은 도 4에 도시된 바와 같이, 도전 비아(12)가 형성될 수도 있으며, 회로 패턴으로 형성된 도전막(13)이 형성될 수도 있다. 또한, 상기 세라믹 기판(10)의 열 방출 효과를 극대화하기 위한 서멀 비아(Thermal Via)(11)가 형성될 수도 있다.
상기 도전 비아(12), 서멀 비아(11)는 레이저 드릴링 방법을 사용하여 홀을 형성하고 여기에 Ag, Ag-Pd, Pd, Pt, Cu, Ni 중 적어도 어느 하나의 도전체를 필링(filling)하여 형성할 수 있으며, 상기 도전막(13)을 상기 도전체를 스크린 인쇄법을 이용하여 형성할 수도 있다.
그린 시트의 준비(LTCC 기판의 준비)
상기 LTCC 기판(20)을 형성하기 위한 그린 시트는 유리-세라믹 재질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 그린 시트는 SiO2-CaO-Al2O3계 유리, SiO2-MgO-Al2O3계 유리, SiO2-B2O3-CaO-R2O계 유리(여기서, R은 Li, Na, K 중 적어도 어느 하나) 중 적어도 어느 하나가 포함되어 형성될 수도 있다. 실시예에서는 SiO2-CaO-Al2O3계 유리가 사용된 것이 개시되어 있으며, SiO2-CaO-Al2O3계 유리로 형성된 LTCC 기판(20)은 상기 세라믹 기판(10)과 열팽창 계수가 유사하기 때문에, 상기 세라믹 기판(10)과 LTCC 기판(20)의 결합 상태에서의 휨 현상(warpage)을 방지할 수 있는 장점을 가진다.
또한, 상기 그린 시트는 필러(Filler)로써, Al2O3, BaTiO3, TiO2, SiO2, ZrO2, ZrSiO4가 50중량% 이하로 포함될 수도 있다.
상기 그린 시트의 제조는 슬러리 제조가 선행된다. 유리-세라믹 혼합 파우더(예를 들어, SiO2-CaO-Al2O3계 유리 파우더 50~100 중량%와 Al2O3 파우더 0~50 중량%가 혼합된 혼합 파우더) 30~80 중량%에 분산제 0.1~3 중량% 첨가하여, 톨루엔, 이소프로필알콜, 에탄올, MEK(메틸에틸케톤) 중 적어도 어느 하나를 솔벤트로 하여 3~50 중량%을 혼합한다. 그리고 볼밀과 같은 혼합 및 분쇄 장비를 사용하여 30분~4시간 분산시키고, PVB계, 아크릴레이트, 메타아크릴레이트 중 적어도 어느 하나의 바인더 3~20 중량%와 Phthalate계 가소제 0.5~3%를 추가하여1~24시간 혼합 및 분쇄한다. 최종 고형분의 입도는 0.5~8㎛가 적당하다. 이렇게 제조된 슬러리는 닥터 브레이드를 이용한 테이프 캐스팅 방법으로 캐스팅하여 그린 시트로 준비한다. 그린 시트의 두께는 10~300㎛ 까지 다양하게 선택될 수 있다.
상기 그린 시트에 Ag, Ag-Pd, Pd, Pt, Cu, Ni 중 적어도 어느 하나의 도전체를 이용하여 스크린 인쇄법을 통해 도전막(51)의 형성을 위한 회로 패턴을 형성한다. 또한, 도전 비아(52) 형성을 위해 비아를 형성시키고 상기 도전체를 필링(filling)한다. 본 발명의 실시예에서는 Ag를 사용하여 도전막(51) 및 도전 비 아(52)를 형성하였다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 그린 시트에 캐비티(60) 형성을 위한 메커니컬 펀칭(mechanical punching) 공정이 사용되어 윈도우(window)를 형성할 수도 있다.
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 적어도 둘 이상의 복수의 그린 시트는 합착될 수도 있다.
그린 시트들의 적층은 25~90℃의 온도(예를 들어, 70℃)에서 25kgf/㎠의 압력을 가해 상기 그린 시트들이 서로 접합되도록 할 수 있다.
세라믹 기판과 그린 시트의 합착
상기 세라믹 기판(10) 상에 상기 그린시트들을 5~100kgf/㎠의 압력으로 적층한 후, 20~400kgf/㎠ 압력을 가해 상기 세라믹 기판(10)과 그린시트들이 서로 접합되도록 할 수 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 기판(10)과 그린 시트들이 접합되도록 하는 압력은 220kgf/㎠가 가해질 수도 있다.
그린 시트 소성
상기 그린 시트들이 적층된 상기 세라믹 기판(10)을 700~1000℃의 온도에서 5분~2시간 소성한다. 예를 들어, 탈지를 위해 450℃의 온도에서 30분 유지한 후, 분당 10℃의 온도를 승온하여 870℃의 온도에서 20분 동안 소성할 수 있다. 그리고, 상온으로 냉각시켜 상기 LTCC 기판(20)의 제조 공정이 완료된다. 한편, 다층 기판의 분리를 용이하게 하기 위해 소성 전 상기 그린 시트들을 일부 커팅하는 공정이 포함될 수도 있다.
실시예에 따른 다층 기판의 제조 공정에서, 상기 그린 시트들은 이미 소성이 완료된 상기 세라믹 기판(10)에 압착된 상태에서 소성된다.
따라서, 상기 그린 시트들이 상기 세라믹 기판(10)에 의해 고착되고, 상기 세라믹 기판(10)은 그린 시트의 소성 과정에서 수축되지 않으므로, 소성 과정에서 상기 그린 시트들이 수평 방향으로 수축되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 소결이 완료된 상기 다층 기판은 가로 수축에 의한 휨이나 왜곡이 억제된다.
한편, 실시예에 따른 다층 기판은 LTCC 기판(20)의 하측에 열 전도율이 우수한 세라믹 기판(10)이 형성되어 있으므로, 발생된 열을 외부로 용이하게 방출할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 다층 기판의 제조방법을 설명하는 흐름도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층 기판을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층 기판을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층 기판을 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층 기판을 도시한 도면.

Claims (18)

  1. 세라믹 기판; 및
    상기 세라믹 기판 상에 적층된 LTCC 기판이 포함되는 다층 기판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 알루미나(Al2O3), AlN, Si3N4, SiC 중 적어도 어느 하나로 형성되는 다층 기판.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 알루미나 분말, 소결조제, 유기 결합제가 포함되는 다층 기판.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 알루미나 분말은 91~99 중량%가 포함되는 다층 기판.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 LTCC 기판은 유리-세라믹 재질로 형성되는 다층 기판.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 LTCC 기판은 SiO2-CaO-Al2O3계 유리, SiO2-MgO-Al2O3계 유리, SiO2-B2O3-CaO-R2O계 유리(여기서, R은 Li, Na, K 중 적어도 어느 하나) 중 적어도 어느 하나가 포함되어 형성된 다층 기판.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 도전막과 도전 비아를 포함하는 다층 기판.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 서멀 비아를 포함하는 다층 기판.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 LTCC 기판은 복수의 층으로 형성되는 다층 기판.
  10. 세라믹 기판 및 그린 시트가 준비되는 단계;
    상기 세라믹 기판 상에 그린 시트를 압착하는 단계; 및
    상기 세라믹 기판과 압착된 그린 시트를 소성하여 LTCC 기판을 형성하는 단계가 포함되는 다층 기판 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 1400~1600℃의 온도에서 소성된 후 상기 그린 시트와 압착되는 다층 기판 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 그린 시트는 700~1000℃의 온도에서 소성되는 다층 기판 제조방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 알루미나(Al2O3), AlN, Si3N4, SiC 중 적어도 어느 하나로 형성되는 다층 기판 제조방법.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 알루미나 분말, 소결조제, 유기 결합제가 포함되어 제조되는 다층 기판 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 알루미나 분말은 91~99 중량%가 포함되는 다층 기판 제조방법.
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 그린 시트는 유리-세라믹 재질로 형성되는 다층 기판 제조방법.
  17. 제 10항에 있어서,
    상기 그린 시트는 SiO2-CaO-Al2O3계 유리, SiO2-MgO-Al2O3계 유리, SiO2-B2O3-CaO-R2O계 유리(여기서, R은 Li, Na, K 중 적어도 어느 하나) 중 적어도 어느 하나가 포함되어 형성된 다층 기판 제조방법.
  18. 제 10항에 있어서,
    상기 그린 시트는 복수의 층으로 형성되는 다층 기판 제조방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103553559A (zh) * 2013-10-17 2014-02-05 天津大学 CaO-B2O3-SiO2玻璃+氮化铝陶瓷的复合材料及制备方法
CN109511218A (zh) * 2018-12-16 2019-03-22 天津荣事顺发电子有限公司 一种多层陶瓷电路板制备方法
WO2019112233A1 (ko) * 2017-12-08 2019-06-13 주식회사 베이스 형광체 함유 유리 색변환 소자의 제조 방법
CN110248465A (zh) * 2019-06-20 2019-09-17 天津荣事顺发电子有限公司 一种厚膜和覆铜一体陶瓷电路板及其制备方法
CN115894002A (zh) * 2022-12-06 2023-04-04 中国科学院合肥物质科学研究院 一种双相陶瓷增强低温共烧陶瓷材料及其制备方法和用途

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447032B1 (ko) 2002-12-02 2004-09-07 전자부품연구원 표면이 평탄한 저항 내장형 저온 동시소성 다층 세라믹기판 및 그 제조방법
JP4028810B2 (ja) * 2003-02-25 2007-12-26 京セラ株式会社 多層配線基板の製造方法
KR100790694B1 (ko) * 2006-06-30 2008-01-02 삼성전기주식회사 캐패시터 내장형 ltcc 기판 제조방법
KR100764389B1 (ko) 2006-07-12 2007-10-05 삼성전기주식회사 캐패시터 내장형 세라믹 기판 제조방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103553559A (zh) * 2013-10-17 2014-02-05 天津大学 CaO-B2O3-SiO2玻璃+氮化铝陶瓷的复合材料及制备方法
WO2019112233A1 (ko) * 2017-12-08 2019-06-13 주식회사 베이스 형광체 함유 유리 색변환 소자의 제조 방법
CN109511218A (zh) * 2018-12-16 2019-03-22 天津荣事顺发电子有限公司 一种多层陶瓷电路板制备方法
CN110248465A (zh) * 2019-06-20 2019-09-17 天津荣事顺发电子有限公司 一种厚膜和覆铜一体陶瓷电路板及其制备方法
CN110248465B (zh) * 2019-06-20 2024-03-19 上海铠琪科技有限公司 一种厚膜和覆铜一体陶瓷电路板及其制备方法
CN115894002A (zh) * 2022-12-06 2023-04-04 中国科学院合肥物质科学研究院 一种双相陶瓷增强低温共烧陶瓷材料及其制备方法和用途
CN115894002B (zh) * 2022-12-06 2023-09-22 中国科学院合肥物质科学研究院 一种双相陶瓷增强低温共烧陶瓷材料及其制备方法和用途

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