KR20090090456A - 에칭 첨가제 및 이를 함유하는 에칭용 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물로부터 얻어진 에칭 첨가제, 이를 함유하는 에칭용 조성물, 및 상기 에칭용 조성물을 사용한 에칭 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에칭 첨가제는 전해 도금된 구리의 손상을 최소화하면서, 시드 층(seed layer)인 무전해 도금된 구리를 우선적으로 제거함으로써, 선택적인 에칭을 가능하게 한다. 따라서, 세미 어디티브 공정(semi-additive process)의 플래쉬 에칭(flash etching)에 유용하게 사용될 수 있다.
에칭, 구리

Description

에칭 첨가제 및 이를 함유하는 에칭용 조성물{Etching additive and etching composition comprising the same}
본 발명은 전해 도금된 구리의 손상을 최소화하면서, 시드 층(seed layer)인 무전해 도금된 구리를 우선적으로 제거함으로써, 선택적인 에칭을 가능하게 하는 에칭 첨가제, 이를 함유하는 에칭용 조성물, 및 상기 에칭용 조성물을 사용한 에칭 방법에 관한 것이다.
전자 제품의 다양화, 소형화에 따라 고집적화가 요구되고 있으며, 내부 메인 보드의 패턴이 미세화되고 있다. 최근 들어, 미세한 배선을 형성하는 방법으로서, 세미 어디티브 공정(semi-additive process)이 사용되고 있다.
상기 세미 어디티브 공정에 의한 배선 형성법은 절연 수지층에 팔라듐(Pd) 촉매층 및 0.1∼2 ㎛ 정도의 구리 도금 시드층(통상 화학 구리도금 시드층이라 칭해진다)을 형성하고 패턴 레지스트를 형성 후, 구리도금(통상 "전기 구리도금"이라 칭해진다)으로 도체 회로를 형성한 후, 레지스트를 박리하고 아울러 필요없는 구리 도금부를 에칭 제거함으로써 수행된다.
상기 에칭액으로는 프린트 배선 기판의 제조에 이용되는 과황산염류, 과산화 수소-황산-알코올류, 염화구리, 염화철 에칭액, 아민계 에칭액이 사용되고 있다 (일본 특허공개 제2003-69218호, 일본 특허공개 제2003-60341호, 일본 특허공개 제평 2-60189호, 및 일본 특허공개 제평 4-199592호 등). 그러나, 이들 에칭액으로는 화학 구리도금을 에칭하는 것과 동시에 전기 구리도금도 에칭되기 때문에, 세미 어디티브법으로 필요없는 화학 구리도금을 에칭 제거할 때에 전기 구리도금으로 형성된 도체 회로의 배선 폭, 배선 두께가 감소하는 문제가 있다.
배선 폭의 가늘기를 억제하는 방법으로서, 배선 측면 혹은 표면에 구리 이외의 금속 피막을 형성하여 시드층의 구리를 에칭 제거하는 방법이 있다 (일본 특허공개 제평 9-162523호 및 일본 특허공개 제2003-78234호). 그러나, 구리 이외의 금속 피막의 형성, 아울러 박리하는 공정 등, 공정 수가 증가하는 등의 문제점이 있었다.
또한, 과산화수소, 황산, 브롬 이온 및 아졸류를 함유하는 수용액을 이용하는 구리 에칭액은 구리와 수지의 밀착성을 향상시키기 위한 조면화(粗面化) 에칭액으로서 공지된 바 있다 (일본 특허공개 제2000-64067호 및 일본 특허공개 제2003-3283호). 이들 액은 구리 표면을 에칭하면서 구리 표면에 요철을 형성시키는 에칭액이고, 브롬 이온, 아졸류는 조화(粗化) 에칭 보조제로서 첨가되고 있다.
기타, 대한민국 특허공개 제10-2006-0046430호는 과산화수소 0.2∼15 중량%, 황산 0.5~15 중량% 및 브롬 이온 0.5∼5 ppm을 함유하고 과산화수소/황산의 몰비가 5 이하인 선택적 에칭액 및 그의 사용방법을 개시한 바 있다.
본 발명자들은 세미 어디티브 공정(semi-additive process)의 플래쉬 에칭(flash etching)에 유용하게 사용될 수 있는 에칭용 조성물로서, 무전해 도금된 구리를 선택적으로 에칭할 수 있는 에칭용 조성물 즉, 에칭액을 개발하고자 다양한 연구를 시도하였다. 그 결과, 특정 구조의 알킬아민 및 아릴술폰산을 함유하는 에칭 첨가제를 조제하여, 통상의 과산화수소 및 황산을 함유하는 에칭액에 가하였을 때, 전해 도금된 구리의 손상을 최소화하면서, 시드 층(seed layer)인 무전해 도금된 구리를 선택적으로 에칭 제거할 수 있다는 것을 발견하였다.
따라서, 본 발명은 상기 알킬아민 및 아릴술폰산을 포함하는 에칭 첨가제가 함유된 과산화수소-황산 함유 에칭용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 알킬아민 및 아릴술폰산을 포함하는 에칭 첨가제를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 에칭용 조성물을 사용한 에칭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양에 따라, 과산화수소 및 황산을 함유하는 에칭용 조성물에 있어서, 물 중에 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물을 가하여 얻어진 에칭 첨가제를 추가로 포함하는 에칭용 조성물이 제공된다:
Figure 112008012873777-PAT00001
Figure 112008012873777-PAT00002
Figure 112008012873777-PAT00003
식 중, R1은 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬이고, R2는 페닐; 또는 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬로 치환된 페닐이고, R3는 C1∼C3 의 직쇄상 또는 분지상 알킬 또는 카르복실이고, R4는 수소 또는 히드록시이다.
본 발명의 에칭용 조성물에 있어서, 상기 R1은 메틸 또는 에틸이고, R2는 페닐 또는 4-메틸페닐이고, R3는 메틸 또는 카르복실이고, R4는 수소 또는 히드록시인 것이 바람직하며, 상기 화학식 1의 알킬아민의 사용량은 상기 에칭 첨가제의 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%의 범위일 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 알킬아민과 상기 화학식 2의 아릴술폰산의 당량비는 1 : 0.1∼10 일 수 있으며, 상기 화학식 3의 화합물의 함량은 상기 에칭 첨가제 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%의 범위일 수 있다.
본 발명의 다른 태양에 따라, 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물을 가하여 얻어진 에칭 첨가제가 제공된다:
<화학식 1>
Figure 112008012873777-PAT00004
<화학식 2>
Figure 112008012873777-PAT00005
<화학식 3>
Figure 112008012873777-PAT00006
식 중, R1, R2, R3, 및 R4는 상기에서 정의한 바와 같다.
본 발명의 에칭 첨가제에 있어서, 상기 R1은 메틸 또는 에틸이고, R2는 페닐 또는 4-메틸페닐이고, R3는 메틸 또는 카르복실이고, R4는 수소 또는 히드록시인 것이 바람직하며, 상기 화학식 1의 알킬아민의 사용량은 상기 에칭 첨가제의 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%의 범위일 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 알킬아민과 상기 화학식 2의 아릴술폰산의 당량비는 1 : 0.1∼10 일 수 있으며, 상기 화학식 3의 화합물의 함량은 상기 에칭 첨가제 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%의 범위일 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따라, 절연 수지층 상에 팔라듐(Pd) 촉매층 및 구리 도금 시드층을 형성하고, 패턴 레지스트를 형성한 후, 전기 구리도금으로 도체 회로를 형성한 후, 레지스트를 박리하고, 에칭용 조성물로 무전해 도금된 구리를 에칭 제거하는 에칭 방법에 있어서, 상기 에칭용 조성물이 과산화수소 및 황산을 함유하고, 물 중에 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물을 가하여 얻어진 에칭 첨가제를 추가로 포함하는 에칭용 조성물인 것을 특징으로 하는 에칭 방법이 제공된다:
<화학식 1>
Figure 112008012873777-PAT00007
<화학식 2>
Figure 112008012873777-PAT00008
<화학식 3>
Figure 112008012873777-PAT00009
식 중, R1, R2, R3, 및 R4는 상기에서 정의한 바와 같다.
본 발명의 에칭 방법에 있어서, 상기 R1은 메틸 또는 에틸이고, R2는 페닐 또는 4-메틸페닐이고, R3는 메틸 또는 카르복실이고, R4는 수소 또는 히드록시인 것이 바람직하며, 상기 화학식 1의 알킬아민의 사용량은 상기 에칭 첨가제의 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%의 범위일 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 알킬아민과 상기 화학식 2의 아릴술폰산의 당량비는 1 : 0.1∼10 일 수 있으며, 상기 화학식 3의 화합물의 함량은 상기 에칭 첨가제 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%의 범위일 수 있다.
본 발명에 따라 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물로부터 얻어진 에칭 첨가제를 포함하는 에칭용 조성물은, 전해 도금된 구리의 손상을 최소화하면서, 시드 층(seed layer)인 무전해 도금된 구리를 우선적으로 제거함으로써, 선택적인 에칭을 가능하게 한다. 따라서, 세미 어디티브 공정(semi-additive process)의 플래쉬 에칭(flash etching)에 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 에칭 첨가제는 에칭액과는 별도로 첨가제 형태로 제품화함으로써, 생산 현장에서 에칭 공정 수행 시에 통상의 에칭액 즉, 과산화수소 및 황산을 함유하는 통상의 에칭액에 혼합하여 에칭용 조성물로 조제될 수 있으므로, 사용이 용이하다.
본 발명은 과산화수소 및 황산을 함유하는 에칭용 조성물에 있어서, 물 중에 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물을 가하여 얻어진 에칭 첨가제를 추가로 포함하는 에칭용 조성물을 포함한다:
<화학식 1>
Figure 112008012873777-PAT00010
<화학식 2>
Figure 112008012873777-PAT00011
<화학식 3>
Figure 112008012873777-PAT00012
R1은 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬이고, R2는 페닐; 또는 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬로 치환된 페닐이고, R3는 C1∼C3 의 직쇄상 또는 분지상 알킬 또는 카르복실이고, R4는 수소 또는 히드록시이다. 바람직하게는 상기 R1는 메틸 또는 에틸이고, R2는 페닐 또는 4-메틸페닐이고, R3는 메틸 또는 카르복실이고, R4는 수소 또는 히드록시이다.
상기 에칭 첨가제에 함유된 화학식 1의 알킬아민과 화학식 2의 아릴술폰산은 산-염기 반응에 의하여 R1-NH-SO3-R2 형태의 화합물을 형성한다. 상기 R1-NH-SO3-R2 형태의 화합물은 과산화수소의 반응성에 영향을 미침으로써, 전해 도금된 구리의 손상을 최소화하면서, 시드 층(seed layer)인 무전해 도금된 구리를 우선적으로 제거하는 선택적인 촉매로서 작용하는 것이 본 발명에 의해 발견되었다 (하기 반응식 1 참조).
Figure 112008012873777-PAT00013
상기 반응식 1에서 R1 및 R2는 상기에서 정의한 바와 같다.
또한, 상기 에칭 첨가제는 화학식 3의 화합물을 함유함으로써, Cu 표면 코팅 효과를 부여함으로써, 무전해 도금된 Cu 이온과의 반응성을 조절하여 에칭 속도를 감소시킨다. 하기 반응식 2는 R3가 메틸이고, R4가 히드록시인 경우 (즉, 화학식 3의 화합물이 3-히드록시부티릭산(3-hydoxybutylic acid)인 경우)에 있어서, 상기 Cu 표면 코팅 효과의 일예를 나타낸다.
Figure 112008012873777-PAT00014
본 발명의 에칭용 조성물은 과산화수소 및 황산을 함유하며, 과산화수소 및 황산의 함량은 에칭용 조성물, 즉 에칭액으로서 당업계에서 통상적으로 사용되는 함량일 수 있다. 예를 들어, 상기 과산화수소의 함량은 1 ∼ 20 중량%의 범위일 수 있으며, 상기 황산의 함량은 2 ∼ 12 중량%의 범위일 수 있다. 상기 과산화수소 및 황산의 함량은 에칭 효과를 달성하는 한 크게 제한되는 것은 아니다.
상기 에칭용 조성물에 함유되는 에칭 첨가제에 있어서, 상기 화학식 1의 알킬아민의 사용량은 상기 에칭 첨가제의 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%, 바람직하게는 0.1 ∼ 1 중량% 범위의 양을 사용할 수 있다. 또한, 상기 화학식 2의 아릴술폰산의 함량은 상기 반응식 1에 나타낸 바와 같이 상기 화학식 1의 알킬아민 사용량에 따라 정할 수 있으며, 예를 들면 상기 화학식 1의 알킬아민과 상기 화학식 2의 아릴술폰산의 당량비는 1 : 0.1∼10 일 수 있으며, 바람직하게는 1 : 0.8∼1.5, 더욱 바람직하게는 약 1 : 1 일 수 있다.
또한, 상기 에칭용 조성물에 함유되는 에칭 첨가제에 있어서, 상기 화학식 3의 화합물의 사용량은 상기 에칭 첨가제 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%, 바람직하게는 0.1 ∼ 3 중량% 범위의 양을 사용할 수 있다.
상기 에칭 첨가제는 상기 화학식 1 내지 3의 화합물 이외에, 에칭용 조성물에 통상적으로 함유되는 성분을 추가로 포함할 수 있으며, 예를 들어 에칭용 조성물의 안정성을 높이기 위하여 인산, 인산염, 시트르산, 포름산, 아세트산, 호박산, 벤조산, 글리신 등을 함유할 수 있으며, 표면장력을 감소시켜 미세한 부분까지 에칭용 조성물이 침투할 수 있도록 계면활성제를 함유할 수 있다.
상기 에칭 첨가제는 에칭액과는 별도로 첨가제 형태로 제품화함으로써, 생산 현장에서 에칭 공정 수행 시에 통상의 에칭액 즉, 과산화수소 및 황산을 함유하는 통상의 에칭액에 혼합하여 에칭용 조성물로 조제될 수 있다.
즉 본 발명은 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물을 가하여 얻어진 에칭 첨가제를 포함하며, 상기 에칭 첨가제는 상기에서 설명한 바와 같다.
본 발명은 또한 상기 에칭 첨가제를 함유하는 에칭용 조성물을 사용한 세미 어디티브 공정(semi-additive process)의 플래쉬 에칭(flash etching) 방법을 포함한다.
즉, 본 발명은, 예를 들어 세미 어디티브 공정에 의한 배선 기판의 제조에서, 절연 수지층 상에 팔라듐(Pd) 촉매층 및 구리 도금 시드층을 형성하고, 패턴 레지스트를 형성한 후, 전기 구리도금으로 도체 회로를 형성한 후, 레지스트를 박리하고, 에칭용 조성물로 무전해 도금된 구리를 에칭 제거하는 에칭 방법에 있어서, 상기 에칭용 조성물이 상기 에칭 첨가제를 함유하는 에칭용 조성물인 것을 특징으로 하는 에칭 방법을 포함한다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
실시예 1.
물 1 liter 중에 메틸아민 1g, 벤젠술폰산 1g, 및 3-히드록시부티릭산(3-hydroxybutylic acid) 1g을 용해시켜 에칭 첨가제를 제조하였다. 상기에서 얻어진 에칭 첨가제에 황산 및 과산화수소를 각각 5 중량%의 농도로 용해시켜 에칭용 조성 물을 제조하였다.
실시예 2.
물 1 liter 중에 에틸아민 1g, p-톨루엔술폰산 2g, 및 숙신산(succinic acid) 3g을 용해시켜 에칭 첨가제를 제조하였다. 상기에서 얻어진 에칭 첨가제에 황산 및 과산화수소를 각각 4 중량%의 농도로 용해시켜 에칭용 조성물을 제조하였다.
비교예 1.
물 1 liter 중에 벤젠술폰산 5g, 포름산 2g을 용해시킨 후, 황산 및 과산화수소를 각각 2 중량%의 농도로 용해시켜 에칭용 조성물을 제조하였다.
비교예 2.
물 1 liter 중에 황산 및 과산화수소를 각각 2중량%의 농도로 가하여 용해시킨 후, 메틸아민 3g 을 용해시켜 에칭용 조성물을 제조하였다.
시험예
화학 구리도금 시드층 8㎛ (즉, 무전해 구리도금박) 및 전기 구리도금층 18㎛ (즉, 전해 구리도금박)이 구비된 절연 수지를 상기 실시예 및 비교예에서 제조한 에칭용 조성물을 1분간 스프레이(spray)시켜 감소된 도금두께를 측정하였다. 그 결과는 하기 표 1과 같다.
무전해 구리도금 에칭 제거된 두께(㎛) 전해 구리도금 에칭 제거된 두께(㎛)
실시예1 0.78 0.37
실시예2 0.81 0.43
비교예1 0.43 0.35
비교예2 0.5 0.34
상기 표 1의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 에칭용 조성물을 사용하는 경우 무전해 구리도금에 대한 에칭속도가 전해 구리도금에 대한 에칭 속도에 비하여 유의성 있게 높다. 따라서, 본 발명에 따른 에칭 첨가제를 함유한 에칭용 조성물은 전해 도금된 구리의 손상을 최소화하면서, 시드 층인 무전해 도금된 구리를 우선적으로 제거함으로써, 선택적인 에칭이 가능하다.

Claims (15)

  1. 과산화수소 및 황산을 함유하는 에칭용 조성물에 있어서, 물 중에 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물을 가하여 얻어진 에칭 첨가제를 추가로 포함하는 에칭용 조성물:
    <화학식 1>
    Figure 112008012873777-PAT00015
    <화학식 2>
    Figure 112008012873777-PAT00016
    <화학식 3>
    Figure 112008012873777-PAT00017
    식 중, R1은 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬이고,
    R2는 페닐; 또는 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬로 치환된 페닐이고,
    R3는 C1∼C3 의 직쇄상 또는 분지상 알킬 또는 카르복실이고,
    R4는 수소 또는 히드록시이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 R1이 메틸 또는 에틸이고, R2가 페닐 또는 4-메틸페닐이고, R3가 메틸 또는 카르복실이고, R4가 수소 또는 히드록시인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 알킬아민의 사용량이 상기 에칭 첨가제의 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 알킬아민과 상기 화학식 2의 아릴술폰산의 당량비가 1 : 0.1∼10 인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화학식 3의 화합물의 함량이 상기 에칭 첨가제 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  6. 물 중에 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물을 가하여 얻어진 에칭 첨가제를 추가로 포함하는 에칭용 조성물:
    <화학식 1>
    Figure 112008012873777-PAT00018
    <화학식 2>
    Figure 112008012873777-PAT00019
    <화학식 3>
    Figure 112008012873777-PAT00020
    식 중, R1은 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬이고,
    R2는 페닐; 또는 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬로 치환된 페닐이고,
    R3는 C1∼C3 의 직쇄상 또는 분지상 알킬 또는 카르복실이고,
    R4는 수소 또는 히드록시이다.
  7. 제6항에 있어서, 상기 R1이 메틸 또는 에틸이고, R2가 페닐 또는 4-메틸페닐이고, R3가 메틸 또는 카르복실이고, R4가 수소 또는 히드록시인 것을 특징으로 하는 에칭 첨가제.
  8. 제6항에 있어서, 상기 화학식 1의 알킬아민의 사용량이 에칭 첨가제의 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%인 것을 특징으로 하는 에칭 첨가제.
  9. 제6항에 있어서, 상기 화학식 1의 알킬아민과 상기 화학식 2의 아릴술폰산의 당량비가 1 : 0.1∼10 인 것을 특징으로 하는 에칭 첨가제.
  10. 제6항에 있어서, 상기 화학식 3의 화합물의 함량이 에칭 첨가제 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%인 것을 특징으로 하는 에칭 첨가제.
  11. 절연 수지층 상에 팔라듐(Pd) 촉매층 및 구리 도금 시드층을 형성하고, 패턴 레지스트를 형성한 후, 전기 구리도금으로 도체 회로를 형성한 후, 레지스트를 박리하고, 에칭용 조성물로 무전해 도금된 구리를 에칭 제거하는 에칭 방법에 있어서, 상기 에칭용 조성물이 과산화수소 및 황산을 함유하고, 물 중에 화학식 1의 알킬아민; 화학식 2의 아릴술폰산; 및 화학식 3의 화합물을 가하여 얻어진 에칭 첨가제를 추가로 포함하는 에칭용 조성물인 것을 특징으로 하는 에칭 방법:
    <화학식 1>
    Figure 112008012873777-PAT00021
    <화학식 2>
    Figure 112008012873777-PAT00022
    <화학식 3>
    Figure 112008012873777-PAT00023
    식 중, R1은 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬이고,
    R2는 페닐; 또는 C1∼C6 의 직쇄상 또는 분지상 알킬로 치환된 페닐이고,
    R3는 C1∼C3 의 직쇄상 또는 분지상 알킬 또는 카르복실이고,
    R4는 수소 또는 히드록시이다.
  12. 제11항에 있어서, 상기 R1이 메틸 또는 에틸이고, R2가 페닐 또는 4-메틸페닐이고, R3가 메틸 또는 카르복실이고, R4가 수소 또는 히드록시인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  13. 제11항에 있어서, 상기 화학식 1의 알킬아민의 사용량이 상기 에칭 첨가제의 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  14. 제11항에 있어서, 상기 화학식 1의 알킬아민과 상기 화학식 2의 아릴술폰산의 당량비가 1 : 0.1∼10 인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  15. 제11항에 있어서, 상기 화학식 3의 화합물의 함량이 상기 에칭 첨가제 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
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