KR20090040461A - 반도체 발광 장치 - Google Patents

반도체 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090040461A
KR20090040461A KR1020097004937A KR20097004937A KR20090040461A KR 20090040461 A KR20090040461 A KR 20090040461A KR 1020097004937 A KR1020097004937 A KR 1020097004937A KR 20097004937 A KR20097004937 A KR 20097004937A KR 20090040461 A KR20090040461 A KR 20090040461A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
emitting device
reflector
heat dissipation
Prior art date
Application number
KR1020097004937A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101090575B1 (ko
Inventor
마사히꼬 고바야까와
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20090040461A publication Critical patent/KR20090040461A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101090575B1 publication Critical patent/KR101090575B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 반도체 발광 장치(A1)는, 케이스(1)와, 이 케이스 내에 배치된 복수의 반도체 발광 소자(3)를 포함하고 있다. 케이스(1)에는, 상기 복수의 반도체 발광 소자(3)를 개별로 둘러싸는 콘 형상의 복수의 리플렉터(11)가 형성되어 있다. 각 반도체 발광 소자(3)에 대해서는, 2개의 와이어(6)를 통해 통전이 이루어진다. 각 와이어(6)는 제1 단부 및 이것과는 반대측의 제2 단부를 갖고 있다. 제1 단부는 반도체 발광 소자(3)에 접속되어 있고, 제2 단부는 상기 리플렉터(11)에 의해 둘러싸여진 공간의 외측에 배치되어 있다.
반도체 발광 장치, 케이스, 반도체 발광 소자, 와이어, 리플렉터

Description

반도체 발광 장치{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 복수의 반도체 발광 소자를 구비하는 반도체 발광 장치에 관한 것이다.
도 15는 종래 반도체 발광 장치의 일례를 나타내고 있다(예를 들어 하기의 특허 문헌 1 참조). 도 15에 도시된 반도체 발광 장치(X)는, 프린트 배선 기판(91), 복수의 LED 칩(92), 복수의 와이어(93), 복수의 형광 수지 부재(94), 및 투명 수지 부재(95)를 구비하고 있다. 복수의 LED 칩(92)은, 프린트 배선 기판(91)에 매트릭스 형상으로 탑재되어 있다. 각 LED 칩(92)은, 프린트 배선 기판(91)의 배선 패턴(도시 생략)에 대해, 2개의 와이어(93)를 통해 도통하고 있다. 프린트 배선 기판(91)에는 복수의 리플렉터(91a)가 형성되어 있다. 각 리플렉터(91a)는 LED 칩(92) 및 2개의 와이어(93)를 둘러싸고 있고, 그 표면은 높은 반사율을 갖는다. 리플렉터(91a)로 둘러싸여진 공간에는 형광 수지 부재(94)가 충전되어 있다. 투명 수지 부재(95)는 프린트 배선 기판(91) 및 형광 수지 부재(94)를 덮고 있다. 투명 수지 부재(95)에는 복수의 렌즈(95a)가 형성되어 있다. 각 렌즈(95a)는, 대응하는 1개의 LED 칩(92)의 정면에 위치하고 있다. 반도체 발광 장치(X)에서는, 프린트 배선 기판(91)에 설치된 단자(도시 생략)를 통해 복수의 LED 칩(92)에 전력 공급한다. 이에 의해, 각 LED 칩(92)으로부터 광이 발생하고, 이 광이 렌즈(95a)를 투과하여 외부에 출사한다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 출원 공개 평11-237850호 공보
도 15에 도시하는 구성에는, 이하와 같은 문제가 있다. 즉, 반도체 발광 장치(X)에 있어서, 각 와이어(93)는 그 전체가, 리플렉터(91a)로 둘러싸여져 있다. 그로 인해, LED 칩(92)으로부터 발생한 광의 일부가 와이어(93)에 의해 폐색되어 버리고, 반도체 발광 소자(X)의 고휘도화가 저해된다. 또한, 리플렉터(91a)로 둘러싸여진 영역에 있어서, 프린트 배선 기판(91)의 배선 패턴에 와이어(93)가 본딩되어 있다. 이로 인해, 와이어(93)를 본딩하기 위한 스페이스를 고려하여, 리플렉터(91a)의 형상 및 크기를 결정할 필요가 있다. 그러나, 이와 같이 설정된 형상 및 크기는, 리플렉터(91a)에 의한 광의 반사 효율의 저하로 이어지는 경우가 있다.
본 발명은 상기한 사정하에 생각해 내어진 것이며, 고휘도화를 도모하는 것이 가능한 반도체 발광 장치를 제공하는 것을 그 과제로 한다.
본 발명에 의해 제공되는 반도체 발광 장치는, 평면을 따라 배치된 복수의 반도체 발광 소자와, 상기 복수의 반도체 발광 소자를 개별로 둘러싸는 콘 형상의 복수의 리플렉터와, 상기 복수의 반도체 발광 소자에 통전하기 위한 복수의 와이어를 구비하고 있다. 상기 각 와이어는, 제1 단부가 상기 반도체 발광 소자에 접속되고, 상기 제1 단부와는 반대측의 제2 단부가 상기 리플렉터에 의해 둘러싸여진 공간 외측에 위치하고 있다. 각 반도체 발광 소자에 접속되는 와이어의 수는, 1개라도 좋고 복수개라도 좋다.
상기 구성에 있어서는, 각 와이어의 일단부 및 이것에 연속하는 부분은, 상기 리플렉터로 둘러싸여진 공간 외측에 위치한다. 이로 인해, 상기 리플렉터로 둘러싸여진 공간 내에 상기 와이어를 본딩하는 장소를 마련할 필요가 없고, 또한 상기 반도체 발광 소자로부터 발생한 광이 상기 와이어에 의해 차단되는 것이 억제된다. 또한, 상기 리플렉터를 상기 반도체 발광 소자로부터의 광을 반사하여 적절하게 출사시키는데 적합한 크기 및 형상으로 하는 것이 가능하다.
바람직하게는, 본 발명의 반도체 발광 장치는, 상기 복수의 반도체 발광 소자를 탑재하는 제1 면 및 이것과는 반대측의 제2 면을 갖는 적어도 1개의 방열 부재를 더 구비한다. 그리고, 상기 방열 부재의 상기 제2 면은, 당해 반도체 발광 장치의 외부에 노출되어 있다. 이와 같은 구성에 따르면, 상기 반도체 발광 소자로부터 발생한 열을 상기 방열 부재를 통해 상기 반도체 발광 장치 외측으로 방산하는 것이 가능하다. 이것은, 상기 반도체 발광 소자의 고출력화를 도모하는데 유리하다.
바람직하게는, 본 발명의 반도체 발광 장치는, 당해 반도체 발광 장치의 중앙을 사이에 두고 서로 이격 배치된 2개의 방열 부재를 더 구비한다. 각 방열 부재는, 상기 복수의 반도체 발광 소자를 탑재하는 제1 면 및 이것과는 반대측인 제2 면을 갖고 있고, 이 제2 면은, 당해 반도체 발광 장치의 외부에 노출되어 있다.
바람직하게는, 상기 복수의 리플렉터의 각각은, 공유 모서리 부분 및 비공유 모서리 부분을 갖고 있고, 각 리플렉터는, 인접하는 리플렉터에 대해 상기 공유 모서리 부분을 통해 부분적으로 접하고 있다. 그리고, 상기 공유 모서리 부분은, 상기 평면을 기준으로 하여, 상기 비공유 모서리 부분보다도 높이가 낮게 구성되어 있다.
바람직하게는, 본 발명의 반도체 발광 장치는, 상기 복수의 리플렉터에 의해 둘러싸여진 공간에 충전된 파장 변환용 수지를 더 구비하고 있고, 이 파장 변환용 수지는, 각 리플렉터의 상기 공유 모서리 부분을 걸치도록 설치되어 있다.
본 발명의 그 밖의 특징 및 이점은, 첨부 도면을 참조하여 이하에 행하는 상세한 설명에 의해, 보다 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1의 반도체 발광 장치를 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 1의 반도체 발광 장치를 도시하는 저면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선을 따르는 단면도이다.
도 5는 도 2의 Ⅴ-Ⅴ선을 따르는 단면도이다.
도 6은 도 1의 반도체 발광 장치의 주요부를 도시하는 단면도이다.
도 7은 도 1의 반도체 발광 장치의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시하는 사시도 이다.
도 10은 도 9의 반도체 발광 장치를 도시하는 평면도이다.
도 11은 도 9의 반도체 발광 장치를 도시하는 저면도이다.
도 12는 도 10의 ⅩⅡ-ⅩⅡ선을 따르는 단면도이다.
도 13은 도 9의 반도체 발광 장치의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 14는 본 발명의 제4 실시형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시하는 단면도이다.
도 15는 종래 반도체 발광 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시하고 있다. 도시된 반도체 발광 장치(A1)는, 케이스(1), 2개의 방열 부재(2), 복수의 LED 칩(3), 형광 수지(4), 투명 수지(5), 복수의 와이어(6), 및 복수의 리드(7)를 구비하고 있다. 반도체 발광 장치(A1)는, 복수의 LED 칩(3)을 동시에 발광시킴으로써, 면 발광 가능한 광원 장치로서 구성되어 있다. 또한, 도 4 내지 도 6에 있어서는, 와이어(6)를 생략하고 있다. 또한, 도 6에 있어서는, 또한 형광 수지(4) 및 투명 수지(5)를 생략하고 있다.
케이스(1)는 편평한 대략 직방체 형상으로 되어 있고, 예를 들어 백색의 수지로 이루어진다. 케이스(1)는 반도체 발광 장치(A1)의 토대로서 사용되고 있다. 케이스(1)에는 복수의 리플렉터(11)가 형성되어 있다. 각 리플렉터(11)는 콘 형상의 테이퍼면이고, 1개의 LED 칩(3)을 둘러싸고 있다. 리플렉터(11)는 비교적 반사율이 높은 면으로 되어 있고, LED 칩(3)으로부터 발생한 광을 상방(도 4 및 도 5에 있어서의 상방)을 향하게 한다. 인접하는 리플렉터(11)끼리는 부분적으로 접하고 있다(도 2 참조). 구체적으로는, 각 리플렉터(11)는 2종류의 모서리 부분, 즉 비공유 모서리 부분(11a) 및 공유 모서리 부분(11b)을 갖고 있다. 그리고 각 리플렉터(11) 및 이것에 인접하는 리플렉터(11)는 공유 모서리 부분(11b)을 통해 서로 접하고 있다. 한편, 각 리플렉터(11)의 비공유 모서리 부분(11a)은 다른 리플렉터(11)와는 접하고 있지 않다. 도 6에 도시한 바와 같이, 공유 모서리 부분(11b)은 비공유 모서리 부분(11a)보다도 낮은 높이로 되어 있다. 이들 모서리 부분(11a, 11b)의 높이는, 예를 들어 방열 부재(2)의 상면을 기준으로 하여 측정해도 좋고, 혹은 이 방열 부재(2)의 상면에 평행한 가상적인 평면을 기준으로 하여 측정해도 좋다.
2개의 방열 부재(2)는, 예를 들어 Cu제의 막대 형상 부재이고, 복수의 LED 칩(3)을 탑재하기 위한 것이다. 2개의 방열 부재는, 모두 케이스(1)에 매립되어 있고, 도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 발광 장치(A1)의 중앙을 사이에 두고, 케이스(1)의 폭 방향으로 이격 배치되어 있다. 각 방열 부재(2)는, LED 칩(3)이 탑재된 상면과, 이것과는 반대측의 하면이 케이스(1)로부터 노출되어 있다(도 4 참조).
복수의 LED 칩(3)은 반도체 발광 장치(A1)의 광원으로서 기능한다. 물론, LED 칩 이외의 다른 반도체 발광 소자를 광원으로서 사용해도 좋다. 각 LED 칩(3)은, 크기가 예를 들어 한 변이 0.3㎜인 정사각형 정도로 되어 있다. 복수의 LED 칩(3)은 2개의 방열 부재(2)에 탑재됨으로써, 1개의 가상적 평면을 따라서는 2열의 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 또한, 이 가상적 평면을, 리플렉터(11)의 모서리 부분의 높이를 측정하는 기준면으로 해도 좋다.
형광 수지(4)는 형광 물질이 혼입된 수지로 이루어지고, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 리플렉터(11)에 의해 둘러싸여진 공간에 충전되어 있다. 형광 수지(4)는, 상기 형광 물질의 종류에 따라서, LED 칩(3)으로부터의 광을 적절하게 파장 변환하기 위한 것이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 형광 수지(4)는 리플렉터(11)의 공유 모서리 부분(11b)을 걸치고 있다. 즉, 형광 수지(4)는 각 리플렉터(11)로 둘러싸여진 공간마다 분할된 것이 아니라, 복수의 리플렉터(11)로 둘러싸여진 모든 공간에 걸치는 일체의 것으로서 형성되어 있다.
투명 수지(5)는, 예를 들어 투명한 에폭시 수지를 사용하여 몰드 성형된 것이고, 케이스(1) 및 형광 수지(4)를 덮고 있다. 투명 수지(5)에는 복수의 렌즈(5a)가 형성되어 있다. 각 렌즈(5a)는, 대응하는 하나의 LED 칩(3)의 정면에 배치되어 있고, LED 칩(3)으로부터의 광을 굴절시킴으로써 지향성을 높이는 기능을 갖는다.
복수의 리드(7)는, 예를 들어 Cu제이고, 그 일부씩이 케이스(1)에 매립되어 있다. 각 리드(7) 중 리플렉터(11)에 인접하는 위치에 노출된 부분은 패드(7a)로 되어 있다. 패드(7a)는 와이어(6)를 본딩하기 위한 부분이다. 본 실시형태에 있 어서는, 2열로 배치된 복수의 LED 칩(3) 사이에 배치된 패드(7a)가 공통 전극으로서의 캐소드로 되어 있고, 복수의 LED 칩(3)의 외측에 배치된 패드(7a)가 개별 전극으로서의 애노드로 되어 있다. 각 리드(7) 중 케이스(1)로부터 연장하는 부분은 단자(7b)로 되어 있다. 단자(7b)는, 반도체 발광 장치(A1)를 예를 들어 회로 기판에 면 실장하기 위해 사용되는 것이다. 도 2에 잘 나타내고 있는 바와 같이, 패드(7a)는 리플렉터(11)의 이측(裏側) 부분에 의해 둘러싸여져 있다. 리플렉터(11)가 콘 형상이기 때문에, 리플렉터(11)의 이측 부분은 만곡된 형상으로 되어 있다. 이에 의해, 패드(7a)는, 비교적 큰 사이즈로 된 단면이 대략 마름모 형상 또는 단면이 대략 오각 형상인 공간의 저부에 설치되어 있다.
복수의 와이어(6)는, 예를 들어 Au로 이루어지고, 복수의 LED 칩(3)에 통전하기 위한 것이다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 각 LED 칩(3)에는 2개의 와이어(6)가 접속되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 이들 2개의 와이어(6)의 한쪽은, 2열로 배치된 복수의 LED 칩(3) 사이에 배치된 패드(7a)에 접속되어 있다. 2개의 와이어(6)의 다른 쪽은, 복수의 LED 칩(3)의 외측에 배치된 패드(7a)에 접속되어 있다.
다음에, 반도체 발광 장치(A1)의 작용에 대해 설명한다.
상기 구성에 따르면, 와이어(6)를 본딩하기 위한 패드(7a)는 모두 리플렉터(11)의 외측에 배치되어 있다. 이로 인해, 리플렉터(11)에 의해 둘러싸여진 영역에는, LED 칩(3)으로부터 연장한 와이어(6)를 본딩하기 위한 장소가 존재하지 않는다. 이에 의해, LED 칩(3)으로부터 발생한 광이 와이어(6)에 의해 차단되는 것 을 억제할 수 있다. 또한, 리플렉터(11) 중 방열 부재(2)와 접하는 부분을, LED 칩(3)에 근접하는 진원 형상으로 하는 등, 리플렉터(11)의 형상 및 크기를 LED 칩(3)으로부터의 광을 렌즈(5a)를 향해 반사하는데 적합한 것으로 하는 것이 가능하다. 따라서, 반도체 발광 장치(A1)의 고휘도화를 도모할 수 있다.
2개의 방열 부재(2)는, 모두 그 일부씩이 케이스(2)로부터 노출되어 있다. 이로 인해, LED 칩(3)이 발광함으로써 발생한 열을 반도체 발광 장치(A1) 외측으로 적절하게 방산하는 것이 가능하다. 따라서, LED 칩(3)의 고출력화를 도모하는 것이 가능하고, 반도체 발광 장치(A1)의 고휘도화에 유리하다.
반도체 발광 장치(A1)의 제조 공정에 있어서, 케이스(1)를 형성할 때에는, 예를 들어 2개의 방열 부재(2)를 금형에 삽입한 상태에서 백색의 수지 재료를 상기 금형 내에 주입한다. 이 수지 재료가 경화할 때에는, 2개의 방열 부재(2)에 힘이 가해진다. 그러나, 2개의 방열 부재(2)는, 반도체 발광 장치(A1)의 중앙을 사이에 두고 이격 배치되어 있기 때문에, 이 힘을 분산하는 것이 가능하다. 따라서, 반도체 발광 장치(A1)의 제조 공정에 있어서, 방열 부재(2)에 크랙이 발생하는 것 등을 방지할 수 있다.
형광 수지(4)를 형성할 때에는, 리플렉터(11)로 둘러싸여진 공간에 형광 물질이 혼입된 액상의 수지 재료를 붓는다. 이때, 임의의 리플렉터(11)로 둘러싸여진 공간의 전체를 채울 정도로 부어진 상기 수지 재료는, 비교적 높이가 낮은 공유 모서리 부분(11b)을 넘어, 인접하는 리플렉터(11)로 둘러싸여진 공간으로 유입된다. 이에 의해, 복수의 리플렉터(11)로 둘러싸여진 모든 공간에 대해, 상기 수지 재료를 그 액체 표면이 비공유 모서리 부분(11a)에 도달하는 정도로 균일하게 붓는 것이 가능하다. 따라서, 모든 LED 칩(3)으로부터의 광을 원하는 파장의 광으로 균일하게 파장 변환할 수 있다.
와이어(6)를 패드(7a)에 본딩하기 위해서는, 예를 들어 캐필러리를 사용한다. 패드(7a)는, 상술한 단면이 대략 마름모 형상 또는 단면이 대략 오각 형상으로 된 비교적 사이즈가 큰 공간의 저부에 위치하고 있다. 따라서, 상기 캐필러리가 케이스(1) 중 패드(7a)를 둘러싸는 부분과 간섭하는 것을 회피 가능하고, 와이어(6)의 본딩 작업을 용이하게 행할 수 있다.
도 7은 상기 반도체 발광 장치(A1)의 변형예를 나타내는 평면도이다. 도 7에 도시된 반도체 발광 장치(A1')의 구성은, 각 LED 칩(3)에 본딩되는 와이어가 1개라는 점(및 이것에 부수하여 필요로 되는 변경점)을 제외하고, 실질적으로 상기 반도체 발광 장치(A1)의 구성과 동일하다. 도 7에 나타내는 예의 경우, 각 LED 칩(3)은, 예를 들어 그 저면에 있어서 전력 공급용 배선에 접속되어 있다. 이와 같은 구성에 따르면, LED 칩(3)으로부터 출사한 광이 와이어에 의해 차단되는 비율을 더 저감할 수 있다.
도 8 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시형태를 도시하고 있다. 또한, 이들의 도면에 있어서, 상기 제1 실시형태와 동일 또는 유사한 요소에는, 상기 제1 실시형태와 동일한 부호를 부여하고 있다. 또한, 도 8, 도 12, 및 도 14에 있어서는, 와이어(6)를 생략하고 있다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시하고 있다. 도시된 반도체 발광 장치(A2)에 있어서는, 투명 수지(5)에 상술한 렌즈(5a)가 형성되어 있지 않은 점이 제1 실시형태와 다르다. 이와 같은 구성에 의해서도, 상술한 제1 실시형태와 마찬가지로 반도체 발광 장치(A2)의 고휘도화를 도모할 수 있다. 또한, 반도체 발광 장치(A2)는, 반도체 발광 장치(A1)와 비교하여 박형으로 하는 것이 가능하다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 제3 실시형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시하고 있다. 도시된 반도체 발광 장치(A3)에 있어서는, 복수의 LED 칩(3)의 개수 및 배치가 상술한 제1 및 제2 실시형태와 다르다. 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 복수의 LED 칩(3)은, 동심원 형상으로 배치되어 있다. 그리고, 1개의 패드(7a)가, 복수의 LED 칩(3)으로 둘러싸여진 위치에 설치되어 있다. 이 패드(7a)는, 공통 전극으로서의 캐소드로서 사용되고 있다. 또한, 도 11에 도시한 바와 같이, 2개의 방열 부재(2)는, 복수의 LED 칩(3)의 배치에 맞추어 만곡한 형상으로 되어 있다. 이와 같은 구성에 의해서도, 상술한 제1 및 제2 실시형태와 마찬가지로, 반도체 발광 장치(A3)의 고휘도화를 도모할 수 있다. 또한, 캐소드하여 사용되는 패드(7a)를 작게 하는 것이 가능하고, 반도체 발광 장치(A3)의 소형화에 유리하다.
도 13은 상기 반도체 발광 장치(A3)의 변형예를 나타내는 평면도이다. 도 13에 도시된 반도체 발광 장치(A3')의 구성은, 각 LED 칩(3)에 본딩되는 와이어가 1개라는 점(및 이것에 부수하여 필요로 되는 변경점)을 제외하고, 실질적으로 상기 반도체 발광 장치(A3)의 구성과 동일하다. 도 13에 나타내는 예의 경우, 각 LED 칩(3)은, 예를 들어 그 저면에 있어서 전력 공급용 배선에 접속되어 있다. 이와 같은 구성에 따르면, LED 칩(3)으로부터 출사한 광이 와이어에 의해 차단되는 비율을 더 저감할 수 있다.
도 14는 본 발명의 제4 실시형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시하고 있다. 도시된 반도체 발광 장치(A4)는, 상술한 제3 실시형태와 마찬가지로 복수의 LED 칩(3)이 동심원 형상으로 배치되어 있으나, 투명 수지(5)에 렌즈(5a)가 형성되어 있지 않은 점이 제3 실시형태와 다르다. 이와 같은 구성에 의해서도 반도체 발광 장치(A4)의 고휘도화, 소형화를 도모하는 것이 가능하고, 또한 박형으로 할 수 있다.

Claims (6)

  1. 평면을 따라 배치된 복수의 반도체 발광 소자와,
    상기 복수의 반도체 발광 소자를 개별로 둘러싸는 콘 형상의 복수의 리플렉터와,
    상기 복수의 반도체 발광 소자에 통전하기 위한 복수의 와이어를 구비하고 있고,
    상기 각 와이어는, 제1 단부가 상기 반도체 발광 소자에 접속되고, 상기 제1 단부와는 반대측의 제2 단부가 상기 리플렉터에 의해 둘러싸여진 공간 외측에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 반도체 발광 소자를 탑재하는 제1 면 및 이것과는 반대측의 제2 면을 갖는 1개 이상의 방열 부재를 더 구비하는 구성에 있어서, 상기 방열 부재의 상기 제2 면은 당해 반도체 발광 장치의 외부에 노출되어 있는, 반도체 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서, 당해 반도체 발광 장치의 중앙을 사이에 두고 서로 이격 배치된 2개의 방열 부재를 더 구비하는 구성에 있어서, 각 방열 부재는 상기 복수의 반도체 발광 소자를 탑재하는 제1 면 및 이것과는 반대측의 제2 면을 갖고 있고, 이 제2 면은 당해 반도체 발광 장치의 외부에 노출되어 있는, 반도체 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 리플렉터의 각각은 공유 모서리 부분 및 비공유 모서리 부분을 갖고 있고, 각 리플렉터는 인접하는 리플렉터에 대해 상기 공유 모서리 부분을 통해 부분적으로 접하고 있고, 상기 공유 모서리 부분은, 상기 평면을 기준으로 하여, 상기 비공유 모서리 부분보다도 높이가 낮은, 반도체 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 리플렉터에 의해 둘러싸여진 공간에 충전된 파장 변환용 수지를 더 구비하고 있고, 이 파장 변환용 수지는 각 리플렉터의 상기 공유 모서리 부분을 걸치도록 설치되어 있는, 반도체 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서, 각 반도체 발광 소자에는 단 1개의 와이어가 접속되어 있는, 반도체 발광 장치.
KR1020097004937A 2006-09-29 2007-09-27 반도체 발광 장치 KR101090575B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006267483 2006-09-29
JPJP-P-2006-267483 2006-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090040461A true KR20090040461A (ko) 2009-04-24
KR101090575B1 KR101090575B1 (ko) 2011-12-08

Family

ID=39230143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097004937A KR101090575B1 (ko) 2006-09-29 2007-09-27 반도체 발광 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8148746B2 (ko)
JP (1) JPWO2008038708A1 (ko)
KR (1) KR101090575B1 (ko)
CN (1) CN101523620B (ko)
WO (1) WO2008038708A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008045925A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
JP5025612B2 (ja) * 2008-10-06 2012-09-12 三菱電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びそれを用いた発光体
AT509562A1 (de) * 2010-02-24 2011-09-15 Thallner Erich Leuchteinrichtung und verfahren zur herstellung einer solchen
CN102834942B (zh) 2010-04-09 2016-04-13 罗姆股份有限公司 Led模块
JP5522462B2 (ja) * 2010-04-20 2014-06-18 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
CN101846256A (zh) * 2010-05-04 2010-09-29 蔡州 Led光源
TWM397030U (en) * 2010-08-16 2011-01-21 Liang Meng Plastic Share Co Ltd LED packaging structure
CN102254907B (zh) * 2010-09-29 2013-07-10 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种led及其封装方法
DE102011107893A1 (de) 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik
JP6101425B2 (ja) * 2012-01-10 2017-03-22 ローム株式会社 Ｌｅｄフラッシュモジュール、ｌｅｄモジュール、及び撮像装置
WO2013153938A1 (ja) * 2012-04-11 2013-10-17 東芝ライテック株式会社 光半導体光源及び車両用照明装置
JP5988135B2 (ja) * 2012-04-11 2016-09-07 東芝ライテック株式会社 光半導体光源及び車両用照明装置
JP5538479B2 (ja) * 2012-06-19 2014-07-02 三菱電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びそれを用いた発光体
JP2012227537A (ja) * 2012-06-19 2012-11-15 Mitsubishi Electric Corp Ｌｅｄ光源及びそれを用いた発光体
KR101974349B1 (ko) * 2012-10-04 2019-05-02 삼성전자주식회사 발광모듈과 이를 이용한 조명장치
JP6338409B2 (ja) * 2014-03-14 2018-06-06 アルパッド株式会社 発光装置及びその製造方法
PL3356184T3 (pl) * 2015-10-01 2021-12-20 Emergency Technology, Inc. Element oświetleniowy do pojazdu
US10839740B2 (en) * 2018-04-18 2020-11-17 Innolux Corporation Panel and tiled device thereof
US11774060B2 (en) * 2020-08-25 2023-10-03 Nil Technology Aps Structured and diffuse light generation

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0459167A (ja) 1990-06-29 1992-02-26 Nippon Rootarii Nozuru Kk 溶湯容器の摺動ノズル及び摺動ノズル用プレート
JPH0810211Y2 (ja) * 1990-09-27 1996-03-27 株式会社小糸製作所 チツプ型発光ダイオードの取付構造
US5534718A (en) * 1993-04-12 1996-07-09 Hsi-Huang Lin LED package structure of LED display
JPH11237850A (ja) 1998-02-23 1999-08-31 Nokeg & G Opt Electronics Kk Ｌｅｄ表示装置
JP2000082849A (ja) * 1999-09-27 2000-03-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
DE10041686A1 (de) * 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips
US20040256630A1 (en) * 2001-08-24 2004-12-23 Densen Cao Illuminating light
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP2006210627A (ja) 2005-01-27 2006-08-10 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2006253288A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
JP4744178B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
US7646450B2 (en) * 2005-12-29 2010-01-12 Lg Display Co., Ltd. Light emitting diode array, method of manufacturing the same, backlight assembly having the same, and LCD having the same
US7923831B2 (en) * 2007-05-31 2011-04-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED-based light source having improved thermal dissipation

Also Published As

Publication number Publication date
CN101523620A (zh) 2009-09-02
JPWO2008038708A1 (ja) 2010-01-28
WO2008038708A1 (fr) 2008-04-03
CN101523620B (zh) 2012-06-06
US20100072496A1 (en) 2010-03-25
US8148746B2 (en) 2012-04-03
KR101090575B1 (ko) 2011-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101090575B1 (ko) 반도체 발광 장치
US10950759B2 (en) LED module
US9312462B2 (en) LED module
JP5507330B2 (ja) Ｌｅｄモジュール
US8334548B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP2006019598A (ja) 発光ダイオード
JP2012114284A (ja) Ｌｅｄモジュール及び照明装置
CN109075230B (zh) 发光装置
US20130043501A1 (en) Led module
JP7219790B2 (ja) 半導体装置
US20130049058A1 (en) Led module
JP5275140B2 (ja) 照明装置及び発光装置
JP4679917B2 (ja) 半導体発光装置
KR20130046175A (ko) 멀티칩형 엘이디 패키지
JP5769129B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP2009212126A (ja) 照明装置
JP2009081349A (ja) 照明装置
JP7339421B2 (ja) 半導体装置
JP6818074B2 (ja) 半導体装置
JP5049148B2 (ja) 半導体発光モジュールおよびこれを用いた画像読取装置
JP5216948B1 (ja) 基板、発光装置及び照明装置
JP6426248B2 (ja) 半導体発光装置
KR20090030130A (ko) 발광 다이오드 패키지
JP5049154B2 (ja) 半導体発光モジュールおよびこれを用いた画像読取装置
KR100737822B1 (ko) 고광택 도금층을 구비하는 리드프레임을 채택한 발광다이오드 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141103

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151102

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee