KR20090024168A - 나노 결정을 포함하는 광학 구조물 - Google Patents
나노 결정을 포함하는 광학 구조물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090024168A KR20090024168A KR1020087030981A KR20087030981A KR20090024168A KR 20090024168 A KR20090024168 A KR 20090024168A KR 1020087030981 A KR1020087030981 A KR 1020087030981A KR 20087030981 A KR20087030981 A KR 20087030981A KR 20090024168 A KR20090024168 A KR 20090024168A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nanocrystals
- optical
- waveguide
- light
- optical waveguide
- Prior art date
Links
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 81
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 24
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 claims description 22
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 22
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- -1 for example Substances 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005196 alkyl carbonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical group [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Chemical group 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical group [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Chemical group 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical group [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Chemical group 0.000 description 2
- 125000006555 (C3-C5) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- GKYQGGAVQQOZQC-UHFFFAOYSA-N 3-phosphanylpropane-1,1,1-triol Chemical compound OC(O)(O)CCP GKYQGGAVQQOZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N Nitrogen dioxide Chemical class O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005965 SO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBQKNIQGYSISEM-UHFFFAOYSA-N [Se]=[PH3] Chemical class [Se]=[PH3] IBQKNIQGYSISEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical group [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- RLECCBFNWDXKPK-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)sulfide Chemical compound C[Si](C)(C)S[Si](C)(C)C RLECCBFNWDXKPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLIJPAHLBJIQHE-UHFFFAOYSA-N butylphosphane Chemical compound CCCCP DLIJPAHLBJIQHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001212 derivatisation Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005059 halophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006501 nitrophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000010494 opalescence Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000013308 plastic optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WSANLGASBHUYGD-UHFFFAOYSA-N sulfidophosphanium Chemical class S=[PH3] WSANLGASBHUYGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- VMDCDZDSJKQVBK-UHFFFAOYSA-N trimethyl(trimethylsilyltellanyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)[Te][Si](C)(C)C VMDCDZDSJKQVBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAKSIRCIOXDVPT-UHFFFAOYSA-N trioctyl(selanylidene)-$l^{5}-phosphane Chemical compound CCCCCCCCP(=[Se])(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZAKSIRCIOXDVPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIOZWDBMINZWGJ-UHFFFAOYSA-N trioctyl(sulfanylidene)-$l^{5}-phosphane Chemical compound CCCCCCCCP(=S)(CCCCCCCC)CCCCCCCC PIOZWDBMINZWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0005—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being of the fibre type
- G02B6/001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being of the fibre type the light being emitted along at least a portion of the lateral surface of the fibre
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
- G02B6/0229—Optical fibres with cladding with or without a coating characterised by nanostructures, i.e. structures of size less than 100 nm, e.g. quantum dots
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
- Y10S977/95—Electromagnetic energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Abstract
광학 구조물은, 나노 결정으로부터의 방출을 생성하기 위해 광 도파관을 통해 전파하는 광의 광학계에 나노 결정을 결합시키는 방식으로 광 도파관의 표면상에 나노 결정을 포함할 수 있다.
Description
본 출원은, 2006년 5월 21일에 출원되고, 그 전체가 참조로서 병합된 미국가특허출원(제 60/747,805호)을 우선권으로서 청구한다.
본 발명은 나노 결정을 포함하는 광학 구조물에 관한 것이다.
내부 전반사를 이용하는, 광섬유 및 평면 도파관과 같은 광 도파관이 감지, 통신 및 조명 응용의 광범위한 분야에서 사용되어왔다. 코어/클래딩 유전 인덱스 스텝 인터페이스(core/cladding dielectric index step interface)에 의해 제공된 완전 반사로 인해서, 광은 장거리에 걸쳐서 높은 효율성을 갖는 광섬유를 통해 전달될 수 있다. 통상, 광섬유 소자에서의 광학계는 이 코어/클래딩 인터페이스로 인해 완전히 제한된다.
광학 구조물은, 광 도파관을 통해서 전파하는 광의 광학계에 나노 결정을 결합시켜서 나노 결정으로부터의 방출을 생성하는 방식으로 광 도파관의 표면상에 이러한 나노 결정을 포함할 수 있다. 예컨대, 하나 이상의 반도체 나노 결정, 또는 양자점(quantum dots)은 도파관과 같은 광학 구조물, 예컨대 광섬유 소자 근처에 놓일 수 있다. 도파관을 통해 전파하고 있는 광의 광학계는 나노 결정과 결합하고, 나노 결정이 광을 방출하게 할 수 있다.
유리하게, 발광 구조물은, 여기 광원(excitation light source)의 수월하고(straightforward) 효율적인 분포와, 광 디스플레이, 센서 및 다른 응용을 포함한 광 응용 분야에 유용할 고효율 다운컨버팅 소자로의 결합을 허용할 수 있다. 발광 구조물은 고체 상태 광 응용에 특히 관련될 수 있다. 여기 광원은 여기 파장을 도파관을 통해서 효율적으로 분포시키는데 사용될 수 있고, 나노 결정을 포함한 다운컨버팅 소자의 적당한 결합을 적용함으로써 사용 순간에 적절한 스펙트럼 성분으로 다운컨버팅될 수 있다. 넓은 스펙트럼 튜닝 가능성, (유기 염료의 수명을 훨씬 초과하는) 광루미네슨스(photoluminescence)에서의 긴 수명, 및 손쉬운 솔루션 처리 가능성(easy solution processability)으로 인해, 나노 결정은 특히 적절한 소재 세트이다.
나노 결정은 반도체 나노 결정일 수 있다. 반도체 나노결정은 제 1 반도체 소재를 포함하는 코어를 포함한다. 반도체 나노 결정은 코어의 표면상에서 제 2 반도체 소재를 포함하는 오버코팅(overcoating)을 포함할 수 있다. 반도체 나노 결정은, 나노 결정의 표면에 링크된 화합물을 포함하는 외부층을 포함할 수 있다.
일양상에서, 광학 구조물은 광 도파관의 표면상에서 나노 결정을 포함하며, 이러한 나노 결정은, 광 도파관을 통해 전파하는 광학계에 광학적으로 결합되도록 배치된다.
다른 양상에서, 발광 구조물은 여기 파장을 포함하는 광을 광 도파관 내에 유도하도록 배치된 광원과, 광 도파관의 표면상의 나노 결정을 포함하며, 이러한 나노 결정은 광 도파관을 통해 전파하는 광학계에 광학적으로 결합되도록 배치되며, 광의 여기 파장을 흡수할 수 있고, 광의 방출 파장을 방출할 수 있다.
다른 양상에서, 광 발생 방법은, 광원으로부터의 여기 파장을 포함하는 광을 광 도파관 내에 유도하는 단계를 포함하며, 이러한 여기 파장은 광 도파관을 통해 전파하고 광 도파관의 표면상의 나노 결정에 광학적으로 결합되며, 이러한 나노 결정은 여기 파장을 흡수하고, 표면으로부터 방출 파장을 방출한다.
다른 양상에서, 광학 구조물을 제조하는 방법은, 광 도파관의 표면상에서, 광 도파관을 통해 전파하는 광학계에 나노 결정을 광학적으로 결합시키는 위치에 이러한 나노 결정을 놓는 단계를 포함한다.
도파관은 광섬유나 평면 도파관일 수 있다. 광섬유는, 광섬유의 길이를 따라 선택된 양만큼 광이 누출되게 하는 클래딩 층을 가질 수 있다. 나노 결정은 반도체 나노 결정일 수 있다. 반도체 나노 결정은 제 1 반도체 소재를 포함하는 코어를 포함할 수 있다. 반도체 나노 결정은, 코어의 표면상에서 제 2 반도체 소재를 포함하는 오버코팅을 포함할 수 있다.
복수의 나노 결정을 표면의 제 1 부분에 분포시킬 수 있다. 복수의 나노 결정을 표면의 제 2 부분에 분포시킬 수 있다. 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정은, 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정과는 다른 조성을 가질 수 있다. 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정은, 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정과는 다른 방출 파장을 갖는다.
광 도파관의 표면은, 광학계와 나노 결정 사이의 결합을 증가시켜, 광이 선택된 위치에서 선택된 양만큼 누출되게 하도록 변경될 수 있다. 여기 파장은 광 도파관을 통해 전파할 수 있고, 광 도파관의 표면의 제 1 부분 상에서 복수의 나노 결정에 광학적으로 결합할 수 있다. 여기 파장은 광 도파관을 통해서 전파하며, 표면의 제 2 부분 상에서 복수의 나노 결정에 광학적으로 결합한다.
나노 결정은, 딥 코팅(dip coating), 스핀 코팅(spin coating), 페인팅 또는 프린팅에 의해 표면상에 놓일 수 있다. 광 도파관의 표면은 나노 결정을 놓기 이전에 처리될 수 있다.
다른 특성, 목적 및 장점은, 상세한 설명, 도면 및 청구범위로부터 명백해질 것이다.
도 1은 나노 결정을 포함하는 광학 구조물을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 2는 평면 및 측면에서 본 나노 결정을 포함하는 광학 구조물을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 3은 나노 결정을 포함하는 광학 구조물로부터의 발광을 도시한 그래프이다.
도 4는 나노 결정을 포함하는 광학 구조물로부터의 발광을 예시한 사진이다.
발광 구조물은 광학 구조물의 표면상에서 나노 결정을 포함할 수 있다. 나노 결정은, 광학 구조물을 통해 전파하는 광의 광학계에 결합된다. 예컨대, 하나 이상 의 반도체 나노 결정, 또는 양자점은 도파관과 같은 광학 구조물, 예컨대 광섬유 소자 근처에 놓일 수 있다. 일예에서, 도파관 표면의 일부분은 나노 결정의 얇은 층으로 코팅된다. 이 얇은 층은 모노층이나 멀티층일 수 있다. 도파관을 통해 전파하고 있는 광의 광학계는 나노 결정과 결합할 수 있고, 나노 결정이 방출 파장에서 광을 방출하게 할 수 있다.
이러한 층은 방출 파장에서 원하는 양의 광을 생성하기에 충분한 두께를 가지며, 방출 파장의 상당한 자체 흡수를 피하기에 충분할 정도로 얇다. 나노 결정 층의 조성 및 두께와, 이러한 층에서 개별 나노 결정의 크기 및 크기의 분포는, 도파관 표면의 각 특정한 부분으로부터 특정한 방출 파장 프로파일을 생성하도록 선택될 수 있다. 게다가, 도파관에 의해 제공된 광의 전파된 여기 파장의 제한은, 예컨대 도파관의 표면 구조나 도파관의 두께를 변경함으로써 튜닝될 수 있어서, 나노 결정이 표면을 따라서 서로 다른 위치에서 만나게 될 여기 파장의 양을 선택할 수 있다. 예컨대, 광섬유 내부에서 전파하는 광을 그 표면상에 놓여있는 소재에 결합시키기 위해 코어-클래딩 광섬유의 클래딩 층의 일부분을 얇게 하거나 제거하는 것이 가능하다. 이것은, 광학계가 코어/클래딩 또는 코어/공기 인터페이스 너머로 매우 작은 거리만큼 관통하기 때문에 발생한다. 결과적으로 소산 광학계(evanescent optical field)가, 보통 다른 경우에 광섬유 내로 제한되는 광으로 도파관의 표면상에서 나노 결정을 여기하는데 사용될 수 있다.
도파관 표면의 서로 다른 부분상의 나노 결정으로부터 방출되는 광은 다양한 컬러 및 세기 레벨을 생성할 수 있어서, 발광 구조물이 예컨대 고체 상태 광 응용 과 같은 넓은 분야의 광 응용에 유용하게 할 수 있다. 효율적인 여기 파장원은, 도파관의 표면에서 예컨대 나노 결정이나 나노 결정의 결합과 같은 다운컨버팅 소자의 적당한 결합을 적용함으로써, 도파관을 통해서 분포될 수 있고 사용 순간에 적절한 스펙트럼 성분으로 다운컨버팅될 수 있다. 넓은 스펙트럼 조정 가능성, (유기 염료의 수명을 훨씬 초과하는) 광루미네슨스에서의 긴 수명, 및 손쉬운 솔루션 처리 가능성으로 인해, 나노 결정은 다운컨버전에 사용하기에 특히 적절한 소재이다.
나노 결정은, 도파관의 표면상에 나노 결정을 딥 코팅, 드롭 코팅, 스핀 코팅, 페인팅 또는 프린팅함으로써, 이러한 표면상에 놓일 수 있다. 프린팅은 잉크젯 프린팅이나 마이크로콘택트 프린팅을 포함할 수 있다. 마이크로콘택트 프린팅 및 관련 기술은, 예컨대 그 전체가 참조로서 각각 병합되어 있는 미국특허(제 5,512,131호; 제 6,180,239호; 및 제 6,518,168호)에 기재되어 있다. 일부 환경에서, 스탬프는 잉크 패턴을 갖는 피쳐리스 스탬프(featureless stamp)이며, 여기서, 잉크가 스탬프에 인가될 때 패턴이 형성된다. 2005년 10월 21일에 출원되고, 그 전체가 참조로서 병합된 미국특허출원(제 11/253,612호)을 참조하기 바란다.
도 1을 참조하면, 발광 구조물(10)은 광을 광 도파관(30)에 결합하도록 배치된 광원(20)을 포함한다. 광원(20)은, 예컨대 청색 발광 다이오드와 같이, 나노 결정을 여기시키고 방출을 초래하는데 적절한 파장에서 광을 방출하는 레이저나 발광 다이오드일 수 있다. 광 도파관(30)의 표면의 부분상의 나노 결정은 영역(40, 50 및 60)과 같은 나노 결정 영역을 형성한다. 이들 영역 각각에서, 예컨대, 나노 결정(41a 및 41b)과 같은 하나 이상의 나노 결정이 층을 형성한다. 이러한 층은 모노 층이나 멀티층일 수 있다. 나노 결정(41a 및 41b)은 유사한 조성이나 크기를 가질 수 있거나, 즉, 유사한 방출 파장을 가질 수 있거나, 이들 나노 결정은 서로 다른 조성이나 크기를 가질 수 있다, 즉, 서로 다른 방출 파장을 가질 수 있다. 영역 각각에서, 나노 결정은 광의 특정한 방출 파장을 제공하도록 선택되며, 이러한 광은 이제 여러 위치에서 서로 다른 컬러와 세기를 제공할 수 있다. 나노 결정은, 예컨대 반도체 나노 결정일 수 있다. 영역(40, 50 및 60)은 염료, 안료, 유기 또는 무기 매트릭스 소재, 또는 열화(degradation)로부터의 영역의 보호를 도울 수 있는 다른 성분을 포함하는 다른 첨가제를 포함할 수 있다. 선택적으로, 영역은 보호성 소재로 코팅될 수 있다.
도파관은 다양한 다른 형상이나 구성을 가질 수 있다. 예컨대, 효율적인 광 다운컨버전에 또한 기여할 수 있는 다른 광 구조물을 도 2에 도시한다. 이 구조에서, 광은 예컨대, 나노 결정으로 코팅된 광 도파관에서 청색 발광 다이오드(LED)에 의해 주입된다. 도파관 광학 모드의 소산 말미(evanescent tail)는 나노 결정 층에 의해 흡수될 수 있다. 흡수되지 않은 청색광은, 결과적으로 나노 결정에 의해 흡수될 때까지 도파관을 계속해서 순환하며, 나노 결정은 이제 청색광을 서로 다른 컬러의 방출 파장으로 변환한다. 다시, 방출 파장은 나노 결정의 크기 및/또는 조성으로부터 발생한다.
일반적으로, 청색 LED와 같은 광원은 임의의 다른 LED 또는 다른 광원일 수 있다. 게다가, 임의의 나노 결정이 광학 구조물의 표면상에 코팅될 수 있지만, 광원에 의해 발생한 여기 스펙트럼을 흡수할 수 있는 나노 결정만이 광에 의해 여기 될 것이다. 나노 결정 필름은 서로 다른 나노 결정의 혼합물로 구성될 수 있다. 예컨대, 나노 결정의 결합물은 백색 광 스펙트럼을 생성하는데 사용될 수 있다. 나노 결정 필름의 두께는 스펙트럼 방출을 최적화하기 위해 조정될 수 있다. 또한, 초박형 나노 결정 필름의 사용을 내포하고 있는, 나노 결정의 광 자체 흡수를 최소화하는 것이 보통은 바람직할 수 있다.
반도체 나노 결정은, 강하고 좁은 대역 방출을 통해 넓은 흡수 대역을 가질 수 있다. 방출의 피크 파장은, 나노 결정의 크기, 형상, 조성 및 구조적 구성에 따라서, 가시광선 영역 및 적외선 영역에 걸쳐서 튜닝될 수 있다. 나노 결정에는 (원하는 용해도와 같은) 원하는 화학적 특징을 갖는 외부 표면이 준비된다. 나노 결정에 의한 발광은 장기간 동안 안정적일 수 있다.
나노 결정이 여기된 상태(즉, 다시 말해, 엑시톤(exciton)이 나노 결정상에 위치함)를 달성할 때, 방출이 방출 파장에서 일어날 수 있다. 이러한 방출은, 양자 제한된 반도체 소재의 대역 갭(band gap)에 대응하는 주파수를 갖는다. 대역 갭은 은 나노 결정의 크기의 함수이다. 작은 직경을 갖는 나노 결정은 분자 형태 물질과 벌크 형태 물질 사이의 중간 속성을 가질 수 있다. 예컨대, 작은 직경을 갖는 반도체 소재를 기초로 한 나노 결정은 3차원 모두에서 전자와 홀 모두의 양자 제한을 보일 수 있으며, 이로 인해, 결정 크기가 감소할수록 소재의 유효 대역 갭은 증가하게 된다. 결국, 나노 결정의 광 흡수 및 방출은, 결정의 크기가 감소함에 따라, 청색으로, 또는 더 높은 에너지로 이동한다.
나노 결정으로부터의 방출은, 나노 결정의 크기, 나노 결정의 조성, 또는 둘 모두를 변경시킴으로써, 스펙트럼의 자외선, 가시광선, 또는 적외선 영역의 전체 파장 범위에 걸쳐 튜닝될 수 있는 좁은 가우스 방출 대역일 수 있다. 예컨대, CdSe는 가시광선 영역에서 튜닝될 수 있고, InAs는 적외선 영역에서 튜닝될 수 있다. 나노 결정 집단의 좁은 크기 분포는, 결국 좁은 스펙트럼 범위에서의 발광을 야기할 수 있다. 이 집단은 균일(monodisperse)할 수 있고, 나노 결정의 직경에 있어서 15%rms미만의 편차, 바람직하게는 10% 미만의 편차, 더욱 바람직하게는 5% 미만의 편차를 보일 수 있다. 가시광선을 방출하는 나노 결정에 대한 대략 75nm FWHM(Full Width at Half Max)이하, 바람직하게는 60nm FWHM, 더욱 바람직하게는 40nm FWHM, 가장 바람직하게는 30nm FWHM인 좁은 범위에서의 스펙트럼 방출을 관찰할 수 있다. IR-방출 나노 결정은 150nm이하나 100nm이하의 FWHM을 가질 수 있다. 방출 에너지 면에서 설명하면, 이러한 방출은 0.05eV이하나 0.03eV이하의 FWHM을 가질 수 있다. 방출의 폭은, 나노 결정 직경의 분산도가 감소함에 따라 감소한다. 반도체 나노 결정은 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 또는 80%보다 큰 것과 같은 높은 방출 양자 효율을 가질 수 있다.
나노 결정을 형성하는 반도체는, 예컨대 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, TlSb, PbS, PbSe, PbTe, 또는 그 혼합물과 같은, II-VI 족 화합물, II-V 족 화합물, III-VI 족 화합물, III-V 족 화합물, IV-VI 족 화합물, I-III-VI 족 화합물, II-IV-VI 족 화합물, 또는 II-IV-V 족 화합물을 포함할 수 있다.
균일한 반도체 나노 결정을 준비하는 방법은 뜨거운 배위 용매(coordinating solvent) 내로 주입된, 디메틸 카드뮴(dimethyl cadmium)과 같은 유기 금속성 시약의 열분해를 포함한다. 이것은 이산 결정핵생성(discrete nucleation)을 허용하며, 결국 나노 결정의 거시적인 양(macroscopic quantities)의 성장이 제어된다. 나노 결정의 준비 및 조작은 예컨대 미국특허(제 6,322,901호 및 제 6,576,291호) 및 미국출원(제 60/550,314호)에 기재되어 있고, 이들 각각은 그 전체가 참조로서 병합되어 있다. 나노 결정을 제조하는 방법은 콜로이드 성장 프로세스(colloidal growth process)이다. 콜로이드 성장은, M 도너 및 X 도너를 뜨거운 배위 용매 내에 신속하게 주입함으로써 일어난다. 이러한 주입은, 나노 결정을 형성하도록 제어된 방식으로 성장할 수 있는 핵을 발생시킨다. 반응 혼합물은 나노 결정을 성장 및 어닐링(anneal)시키도록 천천히 가열될 수 있다. 샘플에서 나노 결정의 평균 크기 및 크기 분포 모두는 성장 온도에 의존한다. 지속적인 성장을 유지하는데 필요한 성장 온도는 평균 결정 크기가 증가함에 따라 증가한다. 나노 결정은 나노 결정 집단의 멤버이다. 이산 결정핵생성 및 제어된 성장의 결과로, 얻게 된 나노 결정 집단의 직경은 좁고 균일하게 분포되어있다. 이러한 직경의 균일한 분포를 또한 크기로 칭할 수 있다. 결정핵생성에 뒤이은, 배위 용매에서의 나노 결정의 제어된 성장 및 어닐링 프로세스는, 또한 결국은 균일한 표면 유도체화(derivatization) 및 규칙적인 코어 구조를 초래한다. 크기 분포가 선명해짐에 따라, 온도는 지속적인 성장을 유지하도록 상승할 수 있다. 더 많은 M 도너나 X 도너를 추가함으로써, 성장 기간은 단축될 수 있다.
M 도너는 무기 화합물, 유기 금속성 화합물 또는 원소 금속(elemental metal)일 수 있다. M은 카드뮴, 아연, 마그네슘, 수은, 알루미늄, 갈륨, 인듐 또는 탈륨이다. X 도너는, 일반식 MX로 소재를 형성하기 위해 M 도너와 반응할 수 있는 화합물이다. 통상, X 도너는, 포스핀 칼코게나이드(phosphine chalcogenide), 비스(실릴) 칼코게나이드(bis(silyl) chalcogenide), 디옥시젠(dioxygen), 암모늄 솔트(ammonium salt), 또는 트리(실릴) 프닉타이드(tri(silyl) pnictide)와 같은 칼코게나이드 도너나 프닉타이드 도너이다. 적절한 X 도너는, 디옥시젠, 비스(트리메틸실릴) 셀레나이드(bis(trimethylsilyl) selenide)((TMS)2Se), (트리-n-옥틸포스핀) 셀레나이드(TOPSe) 또는 (트리-n-부틸포스핀) 셀레나이드(TBPSe)와 같은 트리알킬 포스핀 셀레나이드, (트리-n-옥틸포스핀) 텔루라이드(TOPTe) 또는 헥사프로필포스포러스트리아미드 텔루라이드(hexapropylphosphorustriamide telluride))(HPPTTe), 비스(트리메틸실릴) 텔루라이드((TMS)2Te), 비스(트리메틸실릴) 설파이드(bis(trimethylsilyl) sulfide)((TMS)2S), (트리-n-옥틸포스핀) 설파이드(TOPS)와 같은 트리알킬 포스핀 설파이드, 암모늄 핼라이드(ammonium halide)(예컨대, NH4Cl)와 같은 암모늄 솔트, 트리(트리메틸실릴) 포스파이드((TMS)3P), 트리(트리메틸실릴) 아세나이드((TMS)3As), 또는 트리(트리메틸실릴) 안티모나이드((TMS)3Sb)를 포함한다. 특정한 실시예에서, M 도너와 X 도너는 동일한 분자 내의 일부분(moieties)일 수 있다.
배위 용매는 나노 결정 성장의 제어를 도울 수 있다. 배위 용매는, 예컨대 성장하는 나노 결정의 표면에 배위결합하는데 이용되는 단독의 전자쌍을 갖는 도너 단독 쌍을 가진 화합물이다. 용매 배위결합은 성장하는 나노 결정을 안정화시킬 수 있다. 통상의 배위 용매는, 알킬 포스핀, 알킬 포스핀 옥사이드, 알킬 포스포닉 산(alkyl phosphonic acids), 또는 알킬 포스핀 산을 포함하지만, 피리딘(pyridine), 푸란(furan), 및 아민과 같은 다른 배위 용매가 또한 나노 결정 발생에 적절할 수 있다. 적절한 배위 용매의 예는, 피리딘, 트리-n-옥틸 포스핀(TOP), 트리-n-옥틸 포스핀 옥사이드(TOPO) 및 트리-히드록실프로필포스핀(tHPP)을 포함한다. 테크니컬 그레이드(technical grade) TOPO가 사용될 수 있다.
반응의 성장 단계 동안의 크기 분포는, 입자의 흡수 라인 폭을 모니터링함으로써 추정할 수 있다. 입자의 흡수 스펙트럼 변화에 응답한, 반응 온도 변경으로 인해, 성장하는 동안 선명한 입자 크기 분포를 유지하게 된다. 반응물이, 더 큰 결정을 성장시키기 위해 결정 성장 동안에 결정핵생성 용액에 추가될 수 있다. 특정한 나노 결정 평균 직경에서 성장을 정지시키고, 반도체 소재의 적절한 조성을 선택함으로써, 나노 결정의 방출 스펙트럼은, CdSe 및 CdTe의 경우, 300nm에서 5㎛까지나, 400nm에서 800nm까지의 파장 범위에 걸쳐서 지속적으로 튜닝될 수 있다. 나노 결정은 150Å 미만의 직경을 갖는다. 나노 결정 집단은 15Å내지 125Å 범위의 평균 직경을 갖는다.
나노 결정은 좁은 크기 분포를 갖는 나노 결정 집단의 멤버일 수 있다. 나노 결정은 구형, 막대형, 디스크형, 또는 다른 형상일 수 있다. 나노 결정은 반도체 소재의 코어를 포함할 수 있다. 나노 결정은 식 MX를 갖는 코어를 포함하며, 여기서 M은 카드뮴, 아연, 마그네슘, 수은, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 탈륨, 또는 이들의 혼합물이며, X는 산소, 황, 셀레늄, 텔루르, 질소, 인, 비소, 안티몬, 또는 이들의 혼합물이다.
이러한 코어는 코어 표면상에 오버코팅을 가질 수 있다. 오버코팅은, 코어의 조성과는 다른 조성을 가진 반도체 소재일 수 있다. 나노 결정 표면상의 반도체 소재의 오버코팅은, 예컨대, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, Gap, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, TlSb, PbS, PbSe, PbTe, 또는 이들의 혼합물과 같은, II-VI족 화합물, II-V족 화합물, III-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, II-IV-VI족 화합물 및 II-IV-V족 화합물을 포함할 수 있다. 예컨대, ZnS, ZnSe 또는 CdS 오버코팅은 CdSe 또는 CdTe 나노 결정상에서 성장할 수 있다. 오버코팅 프로세스는 예컨대 미국특허(제 6,322,901호)에 기재되어 있다. 오버코팅하는 동안 반응 혼합물의 온도를 조정하고, 코어의 흡수 스펙트럼을 모니터링함으로써, 높은 방출 양자 효율과 좁은 크기 분포를 가진, 오버코팅된 소재를 얻을 수 있다. 오버코팅은 1과 10 사이의 모노층 두께를 가질 수 있다.
입자 크기 분포는, 미국특허(제 6,322,901호)에 기재된 바와 같이 메탄올/부탄올과 같은, 나노 결정을 위한 부용매(poor solvent)를 통한 크기 선택적 침전에 의해 더 정제될 수 있다. 예컨대, 나노 결정은 헥산 속 10% 부탄올 용액에 분산될 수 있다. 메탄올은, 유백광(opalescence)이 지속될 때까지 이렇게 휘저은 용액에 한 방울씩 추가될 수 있다. 원심분리에 의한 상청액(supernatant)과 응집제(flocculate)의 분리는, 샘플에서 가장 큰 크리스탈라이트(crystallites)로 강화된 침전물을 발생시킨다. 이러한 절차는, 광 흡수 스펙트럼의 어떠한 추가 선명성을 관찰하지 않을 때까지 반복된다. 크기-선택적 침전은, 피리딘/헥산 및 클로로포름/메탄올을 포함하는 다양한 용매/비용매 쌍에서 실행될 수 있다. 크기-선택된 나노 결정 집단은 평균 직경으로부터 많아야 15%rms 편차를 가질 수 있고, 바람직하게는 10%rms 이하의 편차를 가질 수 있고, 더욱 바람직하게는 5%rms 이하의 편차를 가질 수 있다.
나노 결정의 외부 표면은, 성장 프로세스 동안에 사용된 배위 용매로부터 유도한 화합물을 포함할 수 있다. 표면은 필적하는 배위결합 족의 초과량에 반복해서 노출시킴으로써 변경될 수 있다. 예컨대 마무리된 나노 결정(capped nanocrystal)의 분산은, 피리딘, 메탄올, 및 방향족화합물(aromatics)에서 이미 분산되지만 더 이상 지방성 용매에서는 분산하지 않은 크리스탈라이트를 발생시키기 위해, 배위결합된 유기 화합물로 처리될 수 있다. 그러한 표면 교환 프로세스는, 예컨대 포스핀, 티올, 아민 및 인산염을 포함한 나노 결정의 외부 표면에 배위결합할 수 있거나 또는 본딩할 수 있는 임의의 화합물로 실행될 수 있다. 나노 결정은, 표면에 대한 친화력(affinity)을 보이며, 서스펜션(suspension) 또는 분산 매체(medium)에 대한 친화력을 가진 일부분으로 종결되는 단쇄 폴리머(short chain polymer)에 노출될 수 있다. 그러한 친화력은 서스펜션의 안정성을 개선시키며, 나노 결정의 응 집을 방해한다. 나노 결정 배위결합 화합물은 예컨대 미국특허(제 6,251,303호)에 기재되어 있으며, 이러한 특허는 그 전체가 참조로서 병합되어 있다.
더욱 특별하게, 배위결합 리간드(coordinating ligand)는 다음의 식을 가질 수 있다:
여기서, k-n이 적어도 0이 되도록, k는 2, 3 또는 5이고, n은 1, 2, 3, 4 또는 5이며, X는 O, S, S=0, SO2, Se, Se=O, N, N=O, P, P=O, As, 또는 As=O이며, Y 및 L은 각각 독립적으로 아릴(aryl), 헤테로아릴(heteroaryl), 또는 적어도 하나의 이중 본드, 적어도 하나의 삼중 본드, 또는 적어도 하나의 이중 본드와 하나의 삼중 본드를 선택적으로 포함하는 일직선 또는 분기된 C2-12 탄화수소 체인(hydrocarbon chain)이다. 탄화수소 체인은 선택적으로는 하나 이상의 C1-4 알킬, C2-4 알케닐, C2-4 알키닐(alkynyl), C1-4 알콕시, 하이드록실(hydroxyl), 할로(halo), 아미노, 니트로, 시아노(cyano), C3-5 사이클로알킬(cycloalkyl), 3-5 멤버의 헤테로사이클로알킬(3-5 membered heterocycloalkyl), 아릴, 헤테로아릴(heteroaryl), C1-4 알킬카보닐록시(alkylcarbonyloxy), C1-4 알킬록시카보닐(alkyloxycarbonyl), C1-4 알킬카보닐, 또는 포밀(formyl)로 치환될 수 있다. 탄화수소 체인은 또한 선택적으로는 -O-, -S-, -N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-O-, -O-C(O)-N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-N(Rb)-, -O- C(O)-O-, -P(Ra)-, 또는 -P(O)(Ra)-에 의해 방해받을 수 있다. Ra 및 Rb 각각은 독립적으로 수소, 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 하이드록실알킬, 하이드록실, 또는 할로알킬이다.
아릴 족은 치환되거나 치환되지 않은 순환 방향족이다. 예로는 페닐, 벤질, 나프틸, 톨릴, 안트라실(anthracyl), 니트로페닐, 또는 할로페닐이 있다. 헤테로아릴족은, 예컨대 푸릴, 피리딜(pyiridyl), 피롤릴(pyrrolyl), 페난트릴(phenanthryl)과 같이 링에서 하나 이상의 헤테로아톰을 가진 아릴족이다.
적절한 배위결합 리간드는 상업적으로 구입할 수 있거나, 예컨대 J. March의 Advanced Organic Chemistry에 기재된 바와 같은 일반적인 합성 유기물 기술에 의해 준비될 수 있으며, 이 자료는 그 전체가 참조로서 병합되어 있다.
투과 전자 현미경(TEM: Transmission Electron Microscopy)은 나노 결정 집단의 크기, 형상 및 분포에 대한 정보를 제공할 수 있다. 파우더 X-레이 회절(XRD: power X-Ray Diffraction) 패턴은 나노 결정의 결정 구조의 타입 및 품질에 관한 가장 완벽한 정보를 제공할 수 있다. 입자 직경은, X-레이 코히어런스(coherence) 길이를 통해 피크 폭에 반비례하므로, 크기의 추정도 가능하다. 예컨대, 나노 결정의 직경은 투과 전자 현미경에 의해 직접 측정될 수 있거나, 예컨대 쉐어 방정식(Scherrer equation)을 사용하여 X-레이 회절 데이터로부터 추정될 수 있다. 이것은 또한 UV/Vis 흡수 스펙트럼으로부터 추정할 수 있다.
예
나노 결정을 포함하는 광학 구조물의 일예를 아래에 기재할 것이다.
종래의 0.5mm 플라스틱 광섬유 소자는 그 외장(sheath) 및 클래딩이 벗겨졌다. 클래딩은 광섬유를 아세톤에 담그고, 용해된 클래딩 소재를 제거하도록 광섬유를 닦음으로써 제거되었다. 그러면, 에탄올 용액에 있는 적색 발광 반도체 나노 결정(양자점)이 벗겨진 광섬유의 외면에 도포되었다. 나노 결정 층은 건조되게 되었다. 그러면, 종래의 광섬유 단부-결합된 475nm의 발광 다이오드가 광섬유에 부착되고 턴온되었다. 도 3은 광섬유로부터 방출된 광의 스펙트럼을 도시한다. 이 스펙트럼으로부터, 소산 파가 나노 결정에 결합된 후 적색 광을 방출했음이 분명하다. 여기 광 중 일부 또한 광섬유로부터 방출되었으며, 이는 아마도 광섬유-안내된 청색 광을 산란하는 광섬유의 표면 러프니스(roughness) 때문일 것이다. 도 4는 발광 구조물의 사진을 도시한다. 소산 파가 결합된 나노 결정으로부터의 적색 광을 쉽게 볼 수 있다.
다른 실시예는 다음의 청구범위의 범위 내에 있다.
Claims (32)
- 광 도파관의 표면상에 나노 결정(nanocrystal)을 포함하며, 상기 나노 결정은, 상기 광 도파관을 통해 전파하는 광학계(optical field)에 광학적으로 결합되도록 배치되는, 광학 구조물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 도파관은 광섬유인, 광학 구조물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 도파관은 평면 도파관인, 광학 구조물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 나노 결정은 반도체 나노 결정인, 광학 구조물.
- 청구항 2에 있어서, 상기 광섬유는, 상기 광섬유의 길이를 따라 선택된 양만큼 광이 누출되게 하는 클래딩 층(cladding layer)을 갖는, 광학 구조물.
- 청구항 4에 있어서, 상기 반도체 나노 결정은 제 1 반도체 소재를 포함하는 코어를 포함하는, 광학 구조물.
- 청구항 6에 있어서, 상기 반도체 나노 결정은, 상기 코어의 표면상에서 제 2 반도체 소재를 포함하는 오버코팅(overcoating)을 포함하는, 광학 구조물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정을 더 포함하는, 광학 구조물.
- 청구항 8에 있어서, 상기 표면의 제 2 부분에 분포된 복수의 나노 결정을 더 포함하는, 광학 구조물.
- 청구항 9에 있어서, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정은 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정과는 다른 조성을 갖는, 광학 구조물.
- 여기 파장을 포함하는 광을 광 도파관 내로 유도하도록 배열된 광원; 및상기 광 도파관의 표면상의 나노 결정으로서, 상기 광 도파관을 통해서 전파하는 광학계에 광학적으로 결합되도록 배치되고, 광의 여기 파장을 흡수할 수 있고, 광의 방출 파장을 방출할 수 있는 나노 결정을 포함하는, 발광 구조물.
- 청구항 11에 있어서, 상기 도파관은 광섬유인, 발광 구조물.
- 청구항 11에 있어서, 상기 도파관은 평면 도파관인, 발광 구조물.
- 청구항 11에 있어서, 상기 나노 결정은 반도체 나노 결정인, 발광 구조물.
- 청구항 12에 있어서, 상기 광섬유는, 상기 광섬유의 길이를 따라 선택된 양만큼 광이 누출되게 하는 클래딩 층을 갖는, 발광 구조물.
- 청구항 14에 있어서, 상기 반도체 나노 결정은 제 1 반도체 소재를 포함하는 코어를 포함하는, 발광 구조물.
- 청구항 16에 있어서, 상기 반도체 나노 결정은, 상기 코어의 표면상에서 제 2 반도체 소재를 포함하는 오버코팅을 포함하는, 발광 구조물.
- 청구항 11에 있어서, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정을 더 포함하는, 발광 구조물.
- 청구항 18에 있어서, 상기 표면의 제 2 부분에 분포된 복수의 나노 결정을 더 포함하는, 발광 구조물.
- 청구항 19에 있어서, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정은, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정과는 다른 조성을 갖는, 발광 구조물.
- 여기 파장을 포함하는, 광원으로부터의 광을 광 도파관 내로 유도하는 단계를 포함하며, 상기 여기 파장은 상기 광 도파관을 통해 전파하고, 상기 광 도파관의 표면상에서 나노 결정에 광학적으로 결합되며, 상기 나노 결정은 상기 여기 파장을 흡수하고, 상기 표면으로부터 방출 파장을 방출하는, 광 발생 방법.
- 청구항 21에 있어서, 상기 도파관은 광섬유인, 광 발생 방법.
- 청구항 21에 있어서, 상기 나노 결정은 반도체 나노 결정인, 광 발생 방법.
- 청구항 21에 있어서, 선택된 위치에서 선택된 양만큼 광이 누출되도록 광학계와 상기 나노 결정 사이의 결합을 증가시키기 위해 상기 광 도파관의 표면을 변경하는 단계를 더 포함하는, 광 발생 방법.
- 청구항 21에 있어서, 상기 반도체 나노 결정은 제 1 반도체 소재를 포함하는 코어를 포함하는, 광 발생 방법.
- 청구항 21에 있어서, 상기 여기 파장은 상기 광 도파관을 통해 전파하며, 상기 광 도파관의 표면의 제 1 부분상의 복수의 나노 결정에 광학적으로 결합되는, 광 발생 방법.
- 청구항 26에 있어서, 상기 여기 파장은 상기 광 도파관을 통해 전파하며, 상기 표면의 제 2 부분상의 복수의 나노 결정에 광학적으로 결합되는, 광 발생 방법.
- 청구항 27에 있어서, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정은, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정과는 다른 조성을 갖는, 광 발생 방법.
- 청구항 27에 있어서, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정은, 상기 표면의 제 1 부분에 분포된 복수의 나노 결정과는 다른 방출 파장을 갖는, 광 발생 방법.
- 광 도파관의 표면상에서, 상기 광 도파관을 통해 전파하는 광학계에 나노 결정을 광학적으로 결합시키는 위치에 상기 나노 결정을 놓는 단계를 포함하는, 광학 구조물 제조 방법.
- 청구항 30에 있어서, 상기 놓는 단계는 상기 나노 결정을 상기 표면상에 딥 코팅(dip coating), 드롭 코팅(drop coating), 스핀 코팅(spin coating), 페인팅 또는 프린팅하는 단계를 포함하는, 광학 구조물 제조 방법.
- 청구항 30에 있어서, 상기 나노 결정을 놓는 단계 이전에, 상기 광 도파관의 표면을 처리하는 단계를 더 포함하는, 광학 구조물 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US74780506P | 2006-05-21 | 2006-05-21 | |
| US60/747,805 | 2006-05-21 | ||
| PCT/US2007/012040 WO2007136816A2 (en) | 2006-05-21 | 2007-05-21 | Optical structures including nanocrystals |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090024168A true KR20090024168A (ko) | 2009-03-06 |
| KR101453111B1 KR101453111B1 (ko) | 2014-10-27 |
Family
ID=38723886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087030981A KR101453111B1 (ko) | 2006-05-21 | 2007-05-21 | 나노 결정을 포함하는 광학 구조물 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8472758B2 (ko) |
| EP (2) | EP2442181B1 (ko) |
| JP (2) | JP5313133B2 (ko) |
| KR (1) | KR101453111B1 (ko) |
| CN (2) | CN102707367B (ko) |
| WO (1) | WO2007136816A2 (ko) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7999455B2 (en) * | 2006-11-13 | 2011-08-16 | Research Triangle Institute | Luminescent device including nanofibers and light stimulable particles disposed on a surface of or at least partially within the nanofibers |
| US9297092B2 (en) | 2005-06-05 | 2016-03-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| WO2007095061A2 (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Qd Vision, Inc. | Device including semiconductor nanocrystals and a layer including a doped organic material and methods |
| US9951438B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US8849087B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-09-30 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| WO2007117672A2 (en) | 2006-04-07 | 2007-10-18 | Qd Vision, Inc. | Methods of depositing nanomaterial & methods of making a device |
| WO2007120877A2 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Qd Vision, Inc. | Transfer surface for manufacturing a light emitting device |
| WO2007143227A2 (en) * | 2006-06-10 | 2007-12-13 | Qd Vision, Inc. | Materials,thin films,optical filters, and devices including same |
| WO2008111947A1 (en) * | 2006-06-24 | 2008-09-18 | Qd Vision, Inc. | Methods and articles including nanomaterial |
| JP2010508620A (ja) * | 2006-09-12 | 2010-03-18 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | 所定のパターンを表示するために有用なエレクトロルミネセントディスプレイ |
| WO2008133660A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-11-06 | Qd Vision, Inc. | Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts |
| WO2008063652A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
| WO2008063658A2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
| WO2008063653A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
| WO2008063657A2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Light emitting devices and displays with improved performance |
| US8836212B2 (en) | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
| JP5773646B2 (ja) | 2007-06-25 | 2015-09-02 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法 |
| WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| US8128249B2 (en) * | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
| US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
| KR20110008206A (ko) | 2008-04-03 | 2011-01-26 | 큐디 비젼, 인크. | 양자점들을 포함하는 발광 소자 |
| WO2009151515A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-12-17 | Qd Vision, Inc. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
| WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
| US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
| US8111385B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-02-07 | The Boeing Company | Quantum dot-mediated optical fiber information retrieval systems and methods of use |
| JP2013502047A (ja) | 2009-08-14 | 2013-01-17 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | 照明装置、照明装置用光学部品および方法 |
| US9515447B2 (en) | 2011-02-18 | 2016-12-06 | Ball State Innovation Corporation | Titanium-doped amorphous aluminum nitride microlaser device and method for making and using same |
| MY189992A (en) * | 2012-02-21 | 2022-03-22 | Massachusetts Inst Technology | Spectrometer devices |
| US9929325B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device including quantum dots |
| JP6441636B2 (ja) * | 2014-10-14 | 2018-12-19 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置用モジュール及び画像表示装置 |
| WO2016133872A1 (en) | 2015-02-17 | 2016-08-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and compositions for the upconversion of light |
| US10794771B2 (en) | 2015-02-17 | 2020-10-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Compositions and methods for the downconversion of light |
| KR102195891B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2020-12-28 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 연료 전지용 캐소드 촉매층, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 연료 전지용 막-전극 어셈블리 |
| EP3168278B2 (en) | 2015-10-28 | 2022-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same |
| KR101779526B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-09-18 | 재단법인대구경북과학기술원 | 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법 |
| US11808569B2 (en) | 2020-03-22 | 2023-11-07 | Strike Photonics, Inc. | Waveguide enhanced analyte detection apparatus |
| US11747283B2 (en) | 2020-03-22 | 2023-09-05 | Strike Photonics, Inc. | Docking station with waveguide enhanced analyte detection strip |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187765A (en) * | 1991-07-23 | 1993-02-16 | Fostec, Inc. | Backlighted panel |
| US6180239B1 (en) | 1993-10-04 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Microcontact printing on surfaces and derivative articles |
| US5512131A (en) | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
| AU6774996A (en) | 1995-08-18 | 1997-03-12 | President And Fellows Of Harvard College | Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces |
| US6322901B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-11-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials |
| US6501091B1 (en) * | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
| US6132056A (en) * | 1998-06-29 | 2000-10-17 | Ruthenberg; Douglas | Apparatus for creating an illuminated waterfall |
| US6251303B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-06-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Water-soluble fluorescent nanocrystals |
| CA2401459A1 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Teledyne Lighting And Display Products, Inc. | Lighting apparatus having quantum dot layer |
| US7244572B1 (en) * | 2000-03-24 | 2007-07-17 | Wisys Technology Foundation, Inc. | One-dimensional arrays on optical fibers |
| JP2002148442A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US6576291B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-06-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Preparation of nanocrystallites |
| US6819845B2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-11-16 | Ultradots, Inc. | Optical devices with engineered nonlinear nanocomposite materials |
| US6978070B1 (en) * | 2001-08-14 | 2005-12-20 | The Programmable Matter Corporation | Fiber incorporating quantum dots as programmable dopants |
| WO2003021694A2 (en) | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device comprising quantum dots |
| US20030044114A1 (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-06 | Pelka David G. | Source wavelength shifting apparatus and method for delivery of one or more selected emission wavelengths |
| JP2003217861A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP4197109B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2008-12-17 | 静雄 藤田 | 照明装置 |
| TW556844U (en) * | 2002-12-20 | 2003-10-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Lightguide plate and surface-light source |
| JP2004296950A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Quantum 14:Kk | 発光素子と発光装置並びに情報ディスプレイ装置 |
| JP2004303592A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界発光素子及び電界発光素子の製造方法 |
| JP2006526258A (ja) * | 2003-05-09 | 2006-11-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 蛍光体のナノ粒子でコーティングされたｕｖ光源 |
| US7054513B2 (en) | 2003-06-09 | 2006-05-30 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Optical fiber with quantum dots |
| JP2005038634A (ja) | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流注入型発光素子 |
| JP4526339B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2010-08-18 | シャープ株式会社 | 発光体 |
| JP2006114909A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Agilent Technol Inc | フラッシュ・モジュール |
| WO2009035769A2 (en) * | 2007-07-23 | 2009-03-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical structures including nanocrystals |
| US9008467B2 (en) * | 2008-03-20 | 2015-04-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanoparticle-based quantum confined stark effect modulator |
-
2007
- 2007-05-21 CN CN201210137775.4A patent/CN102707367B/zh active Active
- 2007-05-21 CN CNA2007800260223A patent/CN101490615A/zh active Pending
- 2007-05-21 EP EP12150111.8A patent/EP2442181B1/en active Active
- 2007-05-21 EP EP07777181.4A patent/EP2024785B1/en active Active
- 2007-05-21 KR KR1020087030981A patent/KR101453111B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-21 US US12/301,735 patent/US8472758B2/en active Active
- 2007-05-21 WO PCT/US2007/012040 patent/WO2007136816A2/en active Application Filing
- 2007-05-21 JP JP2009512072A patent/JP5313133B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-24 US US13/925,472 patent/US20140009955A1/en not_active Abandoned
- 2013-07-03 JP JP2013139451A patent/JP5763130B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102707367B (zh) | 2015-12-02 |
| US20100014799A1 (en) | 2010-01-21 |
| CN101490615A (zh) | 2009-07-22 |
| CN102707367A (zh) | 2012-10-03 |
| US20140009955A1 (en) | 2014-01-09 |
| WO2007136816A2 (en) | 2007-11-29 |
| EP2442181A3 (en) | 2012-06-13 |
| JP5313133B2 (ja) | 2013-10-09 |
| JP2014013897A (ja) | 2014-01-23 |
| EP2024785B1 (en) | 2017-02-08 |
| JP2009538001A (ja) | 2009-10-29 |
| EP2024785A4 (en) | 2009-09-23 |
| EP2442181B1 (en) | 2015-01-21 |
| US8472758B2 (en) | 2013-06-25 |
| EP2024785A2 (en) | 2009-02-18 |
| WO2007136816A3 (en) | 2008-04-03 |
| EP2442181A2 (en) | 2012-04-18 |
| JP5763130B2 (ja) | 2015-08-12 |
| KR101453111B1 (ko) | 2014-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101453111B1 (ko) | 나노 결정을 포함하는 광학 구조물 | |
| US9910215B2 (en) | Optical structures including nanocrystals | |
| US7190870B2 (en) | Semiconductor nanocrystal composite | |
| JP5452218B2 (ja) | 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス | |
| TWI620342B (zh) | 塗布半導體奈米晶體之方法、半導體奈米晶體及其產物 | |
| JP2013539598A (ja) | 量子ドット系照明 | |
| JP6596443B2 (ja) | 飽和クエンチングが抑制される量子ドット | |
| US9929325B2 (en) | Lighting device including quantum dots | |
| AU2002326920A1 (en) | Semiconductor nanocrystal composite | |
| KR20100043193A (ko) | 조성물, 광학 부품, 광학 부품을 포함하는 시스템, 소자 및 다른 제품 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 5 |