KR101779526B1 - 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법 - Google Patents

고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디텍터소자의 표면을 피라미드 형태로 에칭함으로써 표면에 조사된 빛의 반사율을 개선함으로써 여러 각도에서 균일하게 빛에 반응할 수 있으며, 나노크리스탈층을 형성하여 사용자가 강화하고 싶은 빛의 영역대를 선택할 수 있도록 하여 흡수파장 조절이 가능하게 함으로써 인체에서 발생하는 근적외선을 안정적이면서 정밀하게 검출할 수 있는 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 선기능근적외 디텍터소자는 기판층; 상기 기판 상에 형성되는 나노크리스탈층;을 포함하고, 상기 기판층의 상부표면은 피라미드 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법{fNIR Photo-Detector for high resolution brain imaging and the Fabrication Method Thereof}
본 발명은 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디텍터소자의 표면을 피라미드 형태로 에칭함으로써 표면에 조사된 빛의 반사율을 개선함으로써 여러 각도에서 균일하게 빛에 반응할 수 있으며, 나노크리스탈층을 형성하여 사용자가 강화하고 싶은 빛의 영역대를 선택할 수 있도록 하여 흡수파장 조절이 가능하게 함으로써 인체에서 발생하는 근적외선을 안정적이면서 정밀하게 검출할 수 있는 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
기능근적외선용 디텍터 소자는 생체에서 발생하는 근적외선을 검출하여 피검체의 생체정보를 파악하는 소자이다.
이러한 기능근적외선용 디텍터 소자를 이용한 장비의 대표적인 사용 예로서 기능근적외선용 디텍터 소자를 이용하여 뇌 이미지을 수행하는 장비이다. 도 1a는 기능근적외선용 디텍터 소자를 이용하여 뇌 이미징을 수행하고 이를 통해 뇌의 활성산소 수치를 파악하기 위한 장비이고, 도 1b는 이러한 장비의 디텍팅 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 기능근적외선용 디텍터 소자(1)는 빛소스(발광소자, 1a)를 뇌의 내부로 조사하고 조사대상체인 뇌(2)에서 반사되는 빛을 디텍터(1b, 1c)에서 검출하여 뇌의 이미징을 수행하고 이를 통해 뇌의 활성산소 수치를 파악하게 된다.
도 2a는 종래의 기능근적외선용 디텍터소자의 구성을 보여주는 도면이고, 도 2b는 도 2a의 기능근적외선용 디텍터소자의 투광 특성을 보여주는 도면이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 종래의 기능근적외선 디텍터는 p층(11)을 포함하는 p-i-n층으로 이루허진 기판층(10) 및 금속판층(50)을 포함하여 구성되고, 디텍터에 조사되는 빛이 기판층의 표면(11)반사되어 2차 반사광선이 디텍터 밖으로 빠져나가게 되는 구조로 되어 있어 각도 의존성 문제(angle dependence problem)를 갖게 된다.
또한, 활성산소 수치 표현을 위한 뇌 이미징 또는 뇌 매핑을 위해서는 활성산소가 높을 경우에 특히 강하게 나타나는 파장인 830nm 그리고 활성산소가 낮을 경우에 특히 강하게 나타나는 파장인 및 690nm 파장에서의 높은 감지율이 요구되는데 종래의 기능근적외선용 디텍터소자의 경우에는 960nm의 파장에서는 감지율이 높게 나오지만 뇌 매핑을 위해 필요한 파장들(690nm 및 830nm)에서는 감지율이 그리 높게 나오지 않기 때문에 뇌 매핑을 위해 최적화된 기능근적외선용 디텍터소자의 개발이 절실히 요구되고 있다.
따라서 본 발명의 목적은 디텍터의 표면이 매끄러운 경우 매끄러운 면에서 반사되어 소비되는 빛을 디텍터의 표면이 피라미드 형태의 표면을 갖도록 하여 디텍터의 표면에서 반사되는 빛을 한번 더 흡수함으로써 흡수 효율이 향상된 기능근적외선 디텍터 소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
또한, 빛의 반응도를 개선함으로써 인체의 머리와 같이 곡면이 있는 부분에서도 정확한 신호검출이 용이한 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 뇌의 활성산소 수치에 따라 나타나는 특정한 파장대의 신호를 정확하게 검출할 수 있는 디텍터소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명의 선기능근적외 디텍터소자는 기판층; 상기 기판 상에 형성되는 나노크리스탈층;을 포함하고, 상기 기판층의 상부표면은 피라미드 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 상기 피라미드 형태의 기판 상부표면의 골짜기 부분에 형성된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 기판층은 p-i-n 접합구조를 갖는 실리콘 기판이고, 상기 실리콘 기판의 활성면인 p층의 표면을 에칭하여 피라미드 형태로 형성한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 나노크리스탈층은 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어진다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 600 ~750 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 나노크리스탈층은 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어진다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 830nm 이상 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 나노크리스탈층은 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어진다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 800 ~ 900 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 나노크리스탈층은 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어진다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기능근적외선용 디텍터소자의 제조방법은 기판층을 형성하는 단계; 및 상기 기판층 상에 형성되는 나노크리스탈층을 형성하는 단계;포함하고, 상기 기판형성단계에서는 상기 기판층의 상부표면을 피라미드 형태로 형성하는 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 상기 피라미드 형태의 기판층 상부표면의 골짜기 부분에 나노크리스탈층을 형성한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 기판층형성단계는 상기 기판을 p-i-n 접합구조를 갖는 실리콘 기판층으로 형성하고, 상기 실리콘 기판층의 활성면인 p층의 표면을 에칭하여 피라미드 형태로 형성한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하며, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하고, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 830nm 이상 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하고, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 800 ~ 900 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하고, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성한다.
본 발명에 따르면, 인체의 머리와 같이 표면이 평면이 아닌 곡면인 신체 부위의 고효율의 검사가 가능한 디텍터소자 및 그 제조방법이 제공된다.
또한, 사용자가 원하는 특정파장대의 신호를 정확하게 검출할 수 있는 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법이 제공된다.
도 1a 및 도 1b는 기능근적외선 디텍터 소자를 이용하여 뇌의 이미징을 수행하는 것을 설명하기 위한 도면,
도 2a는 종래의 기능근적외선용 디텍터소자의 구성을 보여주는 도면,
도 2b는 도 2a의 기능근적외선용 디텍터소자의 투광 특성을 보여주는 도면,
도 3은 본 발명에 따른 기능근적외선용 디텍터소자의 바람직한 실시예를 도시한 도면,
도 4는 도 3에 따른 디텍터 소자의 빛 반사특성을 보여주는 도면,
도 5는 나노크리스탈층이 형성된 디텍터소자의 구성을 보여주는 도면,
도 6은 도 5에 따른 디텍터 소자의 빛 반사특성을 보여주는 도면,
도 7은 본 발명에 따른 기능근적외선용 디텍터소자의 바람직한 제조방법을 도시한 도면이다.
이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참고로 그 구성 및 작용을 설명하기로 한다.
도면들 중 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자들은 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있으며 본 발명의 범위가 다음에 기술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 피라마드 형태의 기판층을 갖는 기능근적외선용 디텍터소자의 구성을 보여주는 도면이고, 도 4는 도 3에 따른 디텍터 소자의 빛 반사특성을 보여주는 도면이고, 도 5는 나노크리스탈층이 형성된 디텍터소자의 구성을 보여주는 도면이고, 도 6은 도 5에 따른 디텍터 소자의 빛 반사특성을 보여주는 도면이다.
도면들을 참조하면, 본 발명에 따른 기능근적외선용 디텍터소자는 금속판층(500), 기판층(100) 및 나노크리스탈층(200)으로 이루어진다. 상기 기판층(100)은 전극층인 상기 금속판층(500) 상에 형성되고, 상기 나노크리스탈층(200)은 상기 기판층(100) 상에 형성된다.
상기 기판층(100) 상부표면인 활성면(111)은 피라미드 형태로 형성된다. 상기 기판층(100)은 p-i-n 접합구조를 갖는 실리콘 기판층이고, 상기 실리콘 기판층의 활성면인 p층의 표면을 에칭하여 피라미드 형태로 형성한다.
도 4에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기능근적외선용 디텍터소자는 기판층의 상부표면이 피라미드 형태로 형성되어 있기 때문에 외부에서 투사되는 빛이 표면에서 반사될 때 피라미드 형태의 표면에서 한번 더 흡수된다. 즉 표면이 편평한 경우에는 표면에 투사되는 빛이 대부분 외부로 반사되어 버리지만 표면이 피라미드 형태인 경우 경사면인 표면에 투사되는 빛이 해당 경사면의 맞은편에 형성되어 있는 또 다른 경사면으로 반사되어 흡수되어 흡수율이 높아진다.
특히 사람의 머리와 같이 표면이 편평하지 않고 곡면인 경우에는 기능근적외선용 디텍터소자의 디텍팅 효율이 평면인 경우에 저하되기 때문에 뇌 이미징을 수행할 때 원하는 이미지를 충분히 얻기 어렵다는 문제점이 있는데 본 발명에 따른 표면이 피라미드 형태로 형성된 디텍팅소자를 이용할 경우 빛의 흡수율이 높이져 머리와 같이 표면이 곡면인 영역에 대한 디텍팅 성능이 향상되어 뇌 이미징을 통하여 원하는 이미지를 얻는 것이 용이해진다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 사용자가 필요로 하는 특정 빛의 파장대를 선택적으로 디텍팅할 수 있도록 하기 위하여 상기 기판층(100)에 나노크리스탈층(200)을 형성하며, 상기 나노크리스탈층은 상기 피라미드 형태의 기판층 표면의 골짜기 부분에 형성된다.
활성산소 수치 측정을 위한 뇌 매핑을 위해서는 690nm 및 830nm 파장대역의 빛을 디텍팅하는 특성 즉 흡광특성이 우수하여야 한다. 따라서 본 발명의 실시예에 따른 기능근적외선용 디텍터소자의 나노크리스탈층(200)은 바람직하게는 600 ~750 nm 파장대의 빛을, 좀 더 바람직하게는 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지도록 하여 만들어진다.
이를 위해 상기 나노크리스탈층은 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지도록 하여 만들어진다.
또한, 따라서 본 발명의 실시예에 따른 기능근적외선용 디텍터소자의 나노크리스탈층은 바람직하게는 800 ~ 900 nm 파장대의 빛을, 좀 더 바람직하게는 830nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지도록 하여 만들어진다.
이를 위해 상기 나노크리스탈층은 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지도록 하여 만들어진다.
이러한 구조를 갖는 본 발명에 따른 선기능근적외용 디텍터소자를 제조하는 방법을 전술한 설명 및 도 7을 참고하여 간략하게 정리하여 살펴본다.
본 발명의 실시예에 따른 기능근적외선용 디텍터소자의 제조방법은 기판층(100)을 형성하는 단계(S100) 및 상기 기판층(100) 상에 형성되는 나노크리스탈층(200)을 형성하는 단계(S300)를 포함하고, 상기 기판층(100)을 형성한 다음에는 상기 기판층의 상부표면을 피라미드 형태로 형성하는 단계(S200)를 포함한다.
상기 기판층형성단계는 상기 기판을 p-i-n 접합구조를 갖는 실리콘 기판층으로 형성하고, 상기 실리콘 기판층의 활성면인 p층의 표면을 에칭하여 피라미드 형태로 형성한다.
상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 상기 피라미드 형태의 기판층 상부표면의 골짜기 부분에 나노크리스탈층을 형성한다.
전술한 바와 같이, 뇌 매핑을 위해서는 690nm 및 830nm 파장대역의 빛을 디텍팅하는 특성 즉 흡광특성이 우수하여야 하므로, 본 발명의 실시예에 따른 기능근적외선용 디텍터소자의 나노크리스탈층 형성단계에서는 바람직하게는 600 ~750 nm 파장대의 빛을, 좀 더 바람직하게는 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 나노크리스탈층을 형성하며, 이를 위해 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 나노크리스탈층을 형성한다.
또한, 따라서 본 발명의 실시예에 따른 기능근적외선용 디텍터소자의 나노크리스탈층 형성단계에서는 바람직하게는 800 ~ 900 nm 파장대의 빛을, 좀 더 바람직하게는 830nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 나노크리스탈층을 형성하며, 이를 위해 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 나노크리스탈층을 형성한다.
100 : 기판 200 :나노크리스탈층
111 : 기판층 표면(활성면) 500 : 금속판층

Claims (22)

  1. 기능근적외선용 디텍터소자에 있어서,
    기판층;
    상기 기판 상에 형성되는 나노크리스탈층;을 포함하고,
    상기 기판층의 상부표면은 피라미드 형태로 형성되고, 상기 나노크리스탈층은 상기 피라미드 형태의 기판 상부표면의 골짜기 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판층은 p-i-n 접합구조를 갖는 실리콘 기판이고,
    상기 실리콘 기판의 활성면인 p층의 표면을 에칭하여 피라미드 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  4. 제1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층은 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층은 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  6. 제1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층은 600 ~750 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층은 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  8. 제1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층은 830nm 이상 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층은 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  10. 제1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층은 800 ~ 900 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층은 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자.
  12. 기능근적외선용 디텍터소자의 제조방법에 있어서,
    기판층을 형성하는 단계; 및
    상기 기판층 상에 형성되는 나노크리스탈층을 형성하는 단계;포함하고,
    상기 기판형성단계에서는 상기 기판층의 상부표면을 피라미드 형태로 형성하고, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 상기 피라미드 형태의 기판층 상부표면의 골짜기 부분에 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  13. 삭제
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 기판층형성단계는 상기 기판을 p-i-n 접합구조를 갖는 실리콘 기판층으로 형성하고, 상기 실리콘 기판층의 활성면인 p층의 표면을 에칭하여 피라미드 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  15. 제 12항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  17. 제 12항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  19. 제 12항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 830nm 이상 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  21. 제 12항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 800 ~ 900 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법.
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