KR20090015982A - 염화수소 함유 기체의 산화 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상류 반응기에서 단열 조건하에 일산화탄소 및 임의로는 추가 산화가능 성분을 산소로 촉매적으로 산화하여 이산화탄소를 형성하는 단계를 포함하는, 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체로부터의 염소 제조 방법에 관한 것이다.
촉매적 산화, 염소 제조, 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체

Description

염화수소 함유 기체의 산화 방법 {PROCESS FOR THE OXIDATION OF A GAS CONTAINING HYDROGEN CHLORIDE}
본 발명은 상류에 연결된 반응기에서 단열 조건하에 일산화탄소 및 임의로는 추가 산화가능 성분을 산소로 촉매적으로 산화하여 이산화탄소를 형성하는 단계를 포함하는, 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체로부터의 염소 제조 방법에 관한 것이다.
염소 또는 포스겐과의 반응을 포함하는 많은 화학적 방법, 예컨대 이소시아네이트의 제조 또는 방향족 화합물의 염소화 반응은 염화수소의 필연적인 형성을 야기한다. 대개 이 염화수소는 전기분해에 의해 염소로 다시 전환된다. 이 고도의 에너지 집중적 방법과 비교하여, 하기 식에 따른 불균일 촉매상에서의 순수한 산소 또는 산소 함유 기체에 의한 염화수소의 직접 산화 (소위 디콘 방법(Deacon process))는 에너지 소비에 관한 현저한 장점을 제공한다.
4 HCl + O2 ↔ 2 Cl2 + 2 H2O
포스겐화와 같은 대부분의 방법에서는, 상대적으로 대량의 일산화탄소 (CO)가 HCl 폐기체 중에 불순물로서 함유될 수 있다. 일반적으로 널리 사용되는 액체 상 포스겐화에서, 대개 0 내지 3 부피% 범위의 CO 함량이 포스겐 세정(scrubbing) 컬럼으로부터의 HCl 폐기체에서 발견된다. 최신식 기체 상 포스겐화에서는 (DE 42 17 019 A1호, DE 103 07 141 A1호), 바람직하게는 포스겐의 응축, 및 미반응 일산화탄소의 관련된 대규모 분리를 포스겐화 전에 수행하지 않기 때문에, 더 많은 CO 양 (0% 내지 5% 초과)이 또한 기대될 수 있다.
산소를 이용한 통상적인 촉매적 HCl 산화에서 예를 들어 루테늄, 크로뮴, 구리 등을 기재로 하는 넓은 범위의 촉매가 이용된다. 이러한 촉매들은 예를 들어 DE 1 567 788 A1호, EP 251 731 A2호, EP 936 184 A2호, EP 761 593 A1호, EP 711 599 A1호 및 DE 102 50 131 A1호에 기재되어 있다. 그러나, 이들은 가능하게는 존재하는 부차적인 성분, 예컨대 일산화탄소 또는 유기 화합물을 위한 산화 촉매로서 동시에 작용할 수 있다. 그러나, 촉매에 의한 일산화탄소의 이산화탄소로의 산화는 극도로 발열성이고 불균일 촉매의 표면 상의 비제어된 국부적 온도 상승 (열점)을 야기하며, 그 결과 HCl 산화에 관한 촉매의 불활성화가 일어날 수 있다. 실제로, 250℃ (디콘 방법에서의 공정 온도는 200℃ 내지 450℃임)의 유입 온도에서 비활성 기체 (N2) 중 5% 일산화탄소의 산화는 단열 반응에서 200℃를 훨씬 넘는 온도 상승을 야기할 것이다. 촉매 불활성화의 한 이유는 예를 들어 소결 공정으로 인한 열점의 형성으로 인한 촉매 표면의 미세구조적 변화에 있다.
또한, 촉매 표면 상의 일산화탄소의 흡착이 배제되지 못할 수 있다. 금속 카르보닐의 형성은 가역적 또는 비가역일 수 있고, 따라서 HCl 산화에 대해 직접적 으로 경쟁할 수 있다. 사실상 일산화탄소는 일부 원소, 예컨대 오스뮴, 레늄, 루테늄과 고온에서도 매우 안정한 결합을 형성할 수 있고 (문헌 [Chem. Rev. 103, 3707-3732, 2003] 참조), 따라서 목적하는 표적 반응을 억제할 수 있다. 추가 단점은 상기 금속 카르보닐의 휘발성으로 인해 발생할 수 있으며 (문헌 [Chem. Rev., 21, 3-38, 1937] 참조), 그 결과 적지 않은 양의 촉매가 손실되고 또한 적용에 따라 반응 생성물의 값비싸고 복잡한 정제 단계가 필요하다.
또한, 디콘 방법에서 촉매 불활성화는 촉매의 분해 및 안정성에 대한 한계에 의해 야기될 수 있다. 염화수소와 일산화탄소 사이의 경쟁은 또한 목적하는 HCl 산화 반응의 억제를 야기할 수도 있다. 따라서, 디콘 방법의 최적 운전을 위해 이용되는 촉매의 긴 사용 기간을 보장하도록 HCl 기체 중 가능한 한 낮은 일산화탄소의 함량이 필요하다.
이러한 문제를 피하기 위해, 공지된 촉매를 기재로 하는, 직렬로 상류에 연결된 반응기에서 HCl 스트림 내의 CO의 산화를 수행하기 위한 다양한 접근법이 기재되었다 (JP 62-270404호, JP 2003-369657호). 여기서, 기체 혼합물이 지지된 루테늄 또는 팔라듐 촉매 상에서 승온으로 등온적으로 산소의 존재하에 유도된다.
상기 촉매의 공정 온도는 실온을 매우 초과하고 보통 300℃ 초과이다. 공정은 등온적으로 수행한다. 한편으로 상기 방법의 단점은 열점을 피하는 것이 보장되지 않고, 열을 제거하기 위해 복잡한 장치가 필요하다는 점이다. 둘째로, JP 62-270404호 및 JP2003-369657호에 명시된 조건은 CO의 선택적 산화를 야기하지 않고, 이미 HCl의 염소로의 부분적 산화도 또한 일어난다. 또한, 공급 기체는 촉매 를 지나기 전에 외부적으로 강하게 가열되어야 한다.
다른 접근법 (JP-2005289800-A호)은 염화수소 및 일산화탄소, 및 추가 부차적인 성분 (예를 들어 포스겐, 수소 및 유기 화합물)의 동시 산화를 허용하도록 HCl 산화용 촉매적 상을 안정화시키기 위한 시도를 기재한다. 그러나, 상기 절차는 소량의 부차적인 성분, 바람직하게는 HCl 기체 스트림 중 0.5 부피% 미만으로 제한된다.
기재된 디콘 또는 디콘 유사 방법에서, 촉매적 HCl 산화의 효과적인 실행을 위해 HCl 기체는 예를 들어 반응기 입구 앞에 열 교환기를 통한 외부로부터의 에너지의 첨가에 의해 약 -10℃ 내지 60℃의 범위의 초기 온도에서 150℃ 내지 350℃의 범위의 온도로 예열되어야 한다. 이는 에너지 및 공업용 플랜트의 투자 비용의 증가를 야기한다.
따라서, 본 발명의 목적은 이후 산소로 염화수소를 산화하기 위한 디콘 방법 또는 디콘 유사 방법에 공급될 HCl 함유 기체로부터 일산화탄소를 분리하는, 가능한 한 효과적인, 즉 특히 에너지 절약적 및 비용 효과적인 방법을 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명은
상류에 연결된 반응기에서 단열 조건하에 일산화탄소 및 가능하게는 추가 산화가능 성분을 산소로 촉매적으로 산화하여 이산화탄소를 형성하는 단계,
단계 a)에서 얻어진 염화수소 함유 기체 내의 염화수소를 산소로 촉매적으로 산화하여 염소를 형성하는 단계
를 포함하는, 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체로부터의 염소 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법에서 사용되는 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체는 일반적으로 유기 이소시아네이트의 형성을 위한 포스겐화 반응으로부터의 폐기체이다. 그러나, 탄화수소의 염소화 반응으로부터의 폐기체도 또한 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 반응한 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체는 특히 탄화수소와 같은 추가 산화가능 성분을 함유할 수 있다. 이들은 일반적으로 단계 a)에서 산화되어, 마찬가지로 CO2를 형성한다.
단계 a)의 예비 반응기에 들어가는 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체 내의 염화수소 함량은 예를 들어 20 내지 99.5 부피%의 범위이다.
단계 a)의 예비 반응기에 들어가는 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체 내의 일산화탄소 함량은 예를 들어 0.5 내지 15 부피%의 범위이다. 본 발명에 따른 방법은, 이소시아네이트 방법과 결합시, 포스겐화 공정으로부터의 폐기체 내의 현저히 더 높은 양의 일산화탄소를 허용하는 것이 가능하다.
일산화탄소 및 가능하게는 존재하는 추가 산화가능 성분의 산화를 단계 a)에서 산소, 산소 풍부 공기, 또는 공기를 첨가하여 편리하게 수행한다. 산소 또는 산소 함유 기체의 첨가는 일산화탄소 함량에 대해 화학량론적으로 또는 과량의 산소로 실시할 수 있다. 임의로는 단계 a)에서 촉매로부터의 열 제거 및 공정 기체의 출구 온도는 산소 여분을 조정하여, 가능하게는 비활성 기체, 바람직하게는 질소의 임의의 첨가에 의해 제어할 수 있다.
단계 a)에서의 예비 반응기로의 입구에서 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체의 유입 온도는 바람직하게는 0℃ 내지 300℃, 특히 0℃ 내지 150℃, 보다 바람직하게는 0℃ 내지 100℃, 더욱 더 바람직하게는 20℃ 내지 100℃이다.
단계 a)에서 산화에서 방출되는 열의 양에 따라, 단계 a)의 예비 반응기의 출구에서의 염화수소 함유 기체의 유출 온도는 예를 들어 100℃ 내지 600℃, 바람직하게는 150℃ 내지 400℃이다.
이는 단계 a)에서의 예비 반응기의 평균 공정 온도가 일반적으로 약 50℃ 내지 400℃임을 의미한다. 이 상대적으로 낮은 온도는 개선된 안전성 조건하에 보다 경제적인 공정을 허용한다.
본 발명의 본질적인 특징은 단계 a)에서의 예비 반응기가 단열적으로 작동된다는 점, 즉 열이 환경으로부터 흡수되지도 않고 열이 환경으로 방출되지도 않는다는 점이다. 기술적으로, 반응기의 단열 공정은 반응기를 적합하게 단열하여 보장한다.
따라서, 본 발명에 따라 방출되는 반응열은 뒤이은 단계에서 공급원료 물질을 HCl 산화에 공급할 수 있도록 공급원료 물질의 단열적 가열을 위해 사용할 수 있다. 상기 효과는 50℃의 유입 온도에서 다양한 CO 함량 및 다양한 산소 비에 대해 계산된다 (도 1).
실제로는, CO 산화 과정의 보다 정밀한 제어, 및 촉매의 불활성화를 야기할 온도 이하인 추가의 온도 범위가 여기서 가능하다. 이러한 제어는 지금까지 공지된 방법으로는 실시할 수 없다.
본 발명에 따른 방법의 단계 a)에서, 크로뮴, 루테늄, 팔라듐, 백금, 니켈, 로듐, 이리듐, 금, 철, 구리, 망간, 코발트 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하는 하나 이상의 촉매가 바람직하게 사용된다. 상기 원소들은 단독으로 또는 조합으로 사용할 수 있고, 그의 산화물 형태로 존재할 수 있다. 바람직할 경우, 촉매는 또한 지지될 수 있다.
단계 a)에서 특히 바람직한 촉매는 촉진제(promoter) (니켈, 망간, 구리, 은, 란타늄 등)가 있는 팔라듐, 백금, 루테늄, 로듐 또는 이리듐을 기재로 하는 촉매이다 (US 4639432호 참조). 지지된 금 입자가 또한 저온 CO 산화에 적합하며 (문헌 [J. Catal. 144, 175-192, 1993]; 문헌 [Appl. Catal. A: General, 299, 266-273, 2006]; 문헌 [Catal. Today, 112, 126-129, 2006]), 및 예를 들어 코발트 첨정석(spinel) 형태의 코발트 화합물 (문헌 [Appl. Catal. A: General, 146, 255-267, 1996]) 또는 코발트 함유 또는 망간 함유 혼합 산화물 촉매 (WO2004103556-A1호 참조)도 적합하다. 세륨 나노입자도 또한 CO 산화를 위해 사용할 수 있다 (문헌 [Phys. Chem. Chem. Phys., 7, 2936-2941, 2005]).
단계 a)는 바람직하게는 단계 b)에서의 HCl 산화의 공정 압력에 상응하는 압력 조건하에 수행한다. 이러한 공정 압력은 일반적으로 1 내지 100 bar, 바람직하게는 1 내지 50 bar, 특히 바람직하게는 1 내지 25 bar이다. 촉매층의 압력 하락을 보충하기 위해, 약간 증가된 압력 (유출 압력이라고 언급함)을 바람직하게 사용한다.
단계 a)의 예비 반응기 내의 일산화탄소 함량은 본 발명에 따라 유리하게는 1 부피% 미만, 바람직하게는 0.5 부피% 미만, 더욱 더 바람직하게는 0.1 부피% 미만으로 감소한다.
단계 a)의 예비 반응기로부터 나오는 기체는 기본적으로 HCl, CO2, O2 및 질소와 같은 추가 부차적인 성분을 함유한다. 이어서, 미반응 산소를 단계 b)에서의 HCl 산화를 위한 방법의 추가 과정에서 사용할 수 있다.
단계 a)에 따라 예비 반응기를 나가는 낮은 CO 함량 기체는 임의로는 열 교환기를 지나 단계 b)의 염화수소 산화를 위한 반응기에 들어간다. 단계 b)의 반응기와 단계 a)의 예비 반응기 사이의 열 교환기는 온도 조절을 통해 단계 a)의 예비 반응기에 적절하게 연결된다. 방법의 추가 과정 동안 HCl 산화에 보내어지는 기체의 온도는 열 교환기로 정확하게 조정할 수 있다. 이와 관련하여, 필요에 따라 유출 온도가 너무 높을 경우, 예를 들어 스팀의 생성에 의해 열을 제거할 수 있다. 유출 온도가 너무 낮을 경우, 공정 기체는 약간의 열의 첨가에 의해 목적하는 온도가 되게 할 수 있다. 이러한 공정은 CO 함량 변동의 보충 뿐 아니라 가열 속도의 변화에도 기여한다.
산소로 염화수소를 산화하여 염소를 형성하는 것은 본 발명에 따른 방법의 단계 b)에서 본질적으로 공지된 방식으로 실시한다. 따라서, 종래 기술을 참조할 수 있으며 (예를 들어 WO04/014845-A1호 참조), 그의 내용은 본 발명의 일부를 형성한다.
따라서, 디콘 방법에서 단계 b)에서 염화수소는 발열 평형 반응에서 산소로 산화되어 염소를 형성하며, 스팀도 또한 생성된다. 정상 반응 온도는 150℃ 내지 500℃이고, 정상 반응 압력은 1 내지 50 bar이다. 평형 반응이 포함되기 때문에, 촉매가 여전히 충분히 활성인 가능한 한 가장 낮은 온도에서 수행하는 것이 편리하다. 또한, 산소를 초화학량론적 양으로 사용하는 것이 유리하다. 예를 들어, 2배 내지 4배의 산소 과량의 보통 사용된다. 선택성 손실의 위험이 없기 때문에, 상대적으로 고압에서 및 이에 따라 정상 압력에서보다 더 긴 체류 시간으로 수행하는 것이 경제적으로 유리할 수 있다. 적합한 촉매는 지지체로서 이산화규소, 산화알루미늄, 이산화티타늄 또는 이산화지르코늄 상에 산화루테늄, 염화루테늄 또는 다른 루테늄 화합물을 함유한다. 적합한 촉매는 예를 들어 염화루테늄을 지지체에 적용한 후 건조, 또는 건조 및 소성하여 얻을 수 있다. 적합한 촉매는 또한 산화크로뮴(III)을 함유할 수 있다. 촉매적 염화수소 산화가 수행되는 통상적인 반응 장치는 고정층 반응기 또는 유동층 반응기이다. 마이크로반응기 기법도 또한 가능한 별법이다. 염화수소 산화는 다수의 단계로 수행할 수 있다. 촉매적 염화수소 산화는 마찬가지로 단열적으로, 그러나 바람직하게는 등온적으로 또는 대략 등온적으로, 배치식, 바람직하게는 연속식으로, 유동층 또는 고정층 방법으로서, 바람직하게는 고정층 방법으로서, 특히 바람직하게는 쉘-및-튜브(shell-and-tube) 반응기에서 불균일 촉매 상에서 180℃ 내지 500℃, 바람직하게는 200℃ 내지 400℃, 특히 바람직하게는 220℃ 내지 350℃의 반응기 온도에서 및 1 내지 30 bar, 바람직하게는 1.2 내지 25 bar, 특히 바람직하게는 1.5 내지 22 bar, 특히 2.0 내지 21 bar의 압력에서 수행할 수 있다. 단열적, 등온적 또는 대략 등온적 절차에서, 다수의, 즉 2개 내지 10개, 바람직하게는 2개 내지 6개, 특히 바람직하게는 2개 내지 5개, 특히 2개 내지 3개의 직렬로 연결되고 중간 냉각이 있는 반응기를 또한 사용할 수 있다. 산소는 제1 반응기의 상류에 염화수소와 함께 전부 첨가할 수 있거나, 또는 다양한 반응기에 걸쳐 나누어 첨가할 수 있다. 개별 반응기의 상기 직렬 배열은 또한 한 장치로 조합될 수도 있다. 바람직한 실시양태는 촉매 활성이 유동 방향으로 증가하는 구조화된 촉매층을 사용하는 것에 있다. 촉매층의 이러한 구조화는 활성 물질로 촉매 지지체를 다양하게 함침하거나 비활성 물질로 촉매를 다양하게 희석하여 실행할 수 있다. 비활성 물질로서 예를 들어 고리형, 원통형 또는 구형의 이산화티타늄, 이산화지르코늄 또는 이들의 혼합물, 산화알루미늄, 동석, 세라믹, 유리, 흑연 또는 스테인리스 강철을 사용할 수 있다. 적합한 불균일 촉매는 특히 또한 도핑될 수도 있는 지지체 물질 상의 루테늄 화합물 또는 구리 화합물을 포함하고, 임의로는 도핑된 루테늄 촉매가 바람직하다. 적합한 지지체 물질은 예를 들어 이산화규소, 흑연, 금홍석(rutile) 또는 예추석(anatase) 구조의 이산화티타늄, 이산화지르코늄, 산화알루미늄 또는 이들의 혼합물, 바람직하게는 이산화티타늄, 이산화지르코늄, 산화알루미늄 또는 이들의 혼합물, 특히 바람직하게는 γ 또는 δ 산화알루미늄 또는 이들의 혼합물이다. 구리 및 루테늄 지지된 촉매는 예를 들어 지지체 물질을 CuCl2 및 RuCl3의 수용액 및 임의로는 도핑용 촉진제, 바람직하게는 그의 클로라이드의 형태로 함침하여 얻을 수 있다. 단일 절차의 염화수소의 전환율은 15 내지 95%, 바람직하게는 40 내지 95%, 특히 바람직하게는 50 내지 90%로 제한될 수 있다. 미반응 염화수소는 분리 후 촉매적 염화수소 산화에 부분적으로 또는 완전히 재순환될 수 있다. 촉매적 수소 산화는 염화수소의 전기분해에 의한 염소의 제조와 비교하여 값비싼 전기적 에너지가 요구되지 않고, 안전성의 이유로 바람직하지 않은 수소가 결합 생성물의 형태로 발생하지 않고, 첨가되는 염화수소가 완전히 순수할 필요가 없다는 장점을 가진다. 촉매적 염화수소 산화의 반응열을 유리하게 이용하여 고압 스팀을 생성할 수 있다. 이를 사용하여 포스겐화 반응기 및 이소시아네이트 증류 컬럼을 운전할 수 있다. 염소는 단계 b)에서 생성된 염소 함유 기체로부터 본질적으로 공지된 방식으로 분리한다. 이어서, 본 발명에 따른 방법에 의해 얻어진 염소는 종래 기술로부터 공지된 방법에 따라 일산화탄소와 반응시켜 포스겐을 형성할 수 있으며, 이는 각각 TDA 및 MDA로부터 TDI 또는 MDI의 제조를 위해 사용할 수 있다. 이어서, TDA 및 MDA의 포스겐화에서 형성된 염화수소를 다시 상술한 방법에 따라 반응시켜 단계 b)에서 염소를 형성할 수 있다. 도 2는 본 발명에 따른 방법을 어떻게 이소시아네이트 합성에 포함시킬 수 있는지를 나타낸다.
HCl 스트림 내의 일산화탄소 함량은 본 발명에 따른 방법에 의해 현저히 감소하고, 이에 따라 온도의 비제어된 상승으로 인해 다음 단계에서 디콘 촉매의 불활성화가 늦춰진다. 동시에 HCl 산화를 위한 공급 기체는 에너지의 큰 외부 지출없이 HCl 산화를 위해 요구되는 공정 온도로 가열된다.

Claims (17)

  1. a) 상류 반응기에서 단열 조건하에 일산화탄소 및 가능하게는 추가 산화가능 성분을 산소로 촉매적으로 산화하여 이산화탄소를 형성하는 단계,
    b) 단계 a)에서 생성된 염화수소 함유 기체 내의 염화수소를 산소로 촉매적으로 산화하여 염소를 형성하는 단계
    를 포함하는, 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체로부터의 염소 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 추가 산화가능 성분이 탄화수소를 포함하는 것인 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 a) 및/또는 단계 b)에서의 산화를 산소, 산소 풍부 공기, 또는 공기로 수행하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a)의 예비 반응기 내의 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체의 유입 온도가 0℃ 내지 300℃, 특히 0℃ 내지 150℃, 바람직하게는 0℃ 내지 100℃, 더욱 더 바람직하게는 20℃ 내지 100℃인 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a)의 예비 반응기의 출구에서의 염화수소 함유 기체의 유출 온도가 150℃ 내지 600℃이고, 따라서 이것이 단 계 b)를 위한 반응 기체를 예열하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 열 교환기가 단계 a)의 예비 반응기와 단계 b)의 반응기 사이에 연결되는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 단계 b)의 반응기를 위한 열 교환기를 온도 조절을 통해 단계 a)의 예비 반응기에 연결하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 공정 기체의 유출 온도를 비활성 기체 분획을 조정하여 조절하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a)의 예비 반응기에 들어가는 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체 내의 염화수소 함량이 20 내지 99.5 부피%의 범위인 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a)의 예비 반응기에 들어가는 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체 내의 일산화탄소 함량이 0.5 내지 15 부피%의 범위인 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a)의 예비 반응기 내의 일 산화탄소 함량이 1 부피% 미만, 바람직하게는 0.5 부피% 미만, 보다 바람직하게는 0.1 부피% 미만으로 감소하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a)에서 크로뮴, 루테늄, 팔라듐, 백금, 니켈, 로듐, 이리듐, 금, 철, 구리, 망간, 코발트 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터의 하나 이상의 원소를 함유하는 하나 이상의 촉매를 사용하는 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 b)에서 루테늄 (예를 들어 산화루테늄, 염화루테늄 또는 다른 루테늄 화합물), 금, 팔라듐, 백금, 오스뮴, 이리듐, 은, 구리, 칼륨, 레늄 및 크로뮴으로 이루어진 군으로부터의 하나 이상의 원소를 함유하는 하나 이상의 촉매를 사용하는 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a) 및/또는 b)에서의 촉매가 지지체 상에 배열된 것인 방법.
  15. 제14항에 있어서, 단계 b)에서의 지지체가 이산화규소, 산화알루미늄, 이산화티타늄, 이산화지르코늄, 지올라이트, 산화주석, 탄소 나노튜브로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 촉매 (바람직하게는 활성 숯)의 존재하에 일산화탄소와 염소를 반응시켜 포스겐을 형성하는 단계 (여기서, 일산화탄소는 화학량론적 과량으로 사용됨),
    - 생성된 포스겐과 유기 아민을 반응시켜 유기 이소시아네이트 및 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체를 형성하는 단계,
    - 유기 이소시아네이트를 분리하는 단계,
    - 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체를 임의로 정제하는 단계,
    - 정제된 염화수소 및 일산화탄소 함유 기체를 단열 조건하에 촉매적 일산화탄소 산화로 처리하는 단계,
    - 열 교환기를 통해 임의로 열을 첨가 또는 제거하는 단계,
    - 염화수소 함유 기체를 산소로 촉매적으로 산화하여 염소를 형성하는 단계,
    - 생성된 염소를 분리하는 단계, 및
    - 분리된 염소를 포스겐 합성으로 임의로 재순환시키는 단계
    를 포함하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 포스겐과 유기 아민의 반응을 기체 상에서 실시하는 것을 특징으로 하는 방법.
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