KR20090013924A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

플라즈마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090013924A
KR20090013924A KR1020070078078A KR20070078078A KR20090013924A KR 20090013924 A KR20090013924 A KR 20090013924A KR 1020070078078 A KR1020070078078 A KR 1020070078078A KR 20070078078 A KR20070078078 A KR 20070078078A KR 20090013924 A KR20090013924 A KR 20090013924A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
load lock
gate valve
cluster
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020070078078A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100887161B1 (ko
Inventor
조철래
박장완
정원기
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020070078078A priority Critical patent/KR100887161B1/ko
Priority to TW097122615A priority patent/TWI406349B/zh
Priority to CN2008101270125A priority patent/CN101359582B/zh
Priority to US12/144,680 priority patent/US8272826B2/en
Publication of KR20090013924A publication Critical patent/KR20090013924A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100887161B1 publication Critical patent/KR100887161B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 로드락 챔버에 형성된 게이트 밸브의 형성 위치 및 그에 따른 ATM로봇의 배치를 최적화하여 장비의 풋 프린트를 줄이기 위한 클러스터 타입의 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 제 1 반송챔버와, 상기 제 1 반송챔버의 측부에 제 1 로드락 챔버와 제 1 공정챔버가 배치되는 제 1 클러스터; 제 2 반송챔버와, 상기 제 2 반송챔버의 측부에 제 2 로드락 챔버와 제 2 공정챔버가 배치되는 제 2 클러스터; 기판이 적재되는 카세트; 및 상기 제 1 로드락 챔버 및 제 2 로드락 챔버와, 상기 카세트 사이에서 기판을 교환하는 ATM로봇;을 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 로드락 챔버와 제 2 로드락 챔버 각각의 일측에는 상기 ATM로봇을 이용하여 기판을 출입시키기 위한 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브가 구비되되, 상기 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브는 상호 마주보게 설치된다.
플라즈마 처리장치. 공정챔버. 반송챔버. 로드락 챔버. 게이트밸브.

Description

플라즈마 처리장치{Plasma treatment apparatus}
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 로드락 챔버에 형성된 게이트 밸브의 형성 위치 및 그에 따른 ATM로봇의 배치를 최적화하여 장비의 풋 프린트를 줄이기 위한 클러스터 타입의 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 공정이나 평판표시소자를 제조하는 과정에서는 플라즈마 처리장치에서 웨이퍼 또는 글라스(이하, “기판”이라 한다)에 소정의 처리를 실시한다.
평판표시소자를 제조하는 플라즈마 처리장치는 대표적으로 내부에 반송로봇이 구비된 반송챔버를 중심으로, 다수개의 공정챔버와 로드락 챔버가 구비되는 클러스터 타입이 있다.
도 1을 참조하여 클러스터 타입의 플라즈마 처리장치를 설명한다. 도 1에 도시된 처리장치(100)는 2개의 클러스터가 조합된 것으로서, 제 1 반송챔버(110)를 중심으로 제 1 로드락 챔버(111) 및 제 1 공정챔버(112,113,114)로 이루어진 제 1 클러스터와, 제 2 반송챔버(120)를 중심으로 제 2 로드락 챔버(121) 및 제 2 공정 챔버(122,123,124)로 이루어진 제 2 클러스터를 포함한다.
또한 기판이 적재되는 카세트(140)가 구비되고, 상기 카세트(140)에서 로드락 챔버(111,121)로, 또는 로드락 챔버(111,121)에서 카세트(140)로 기판을 반송하는 ATM로봇(130)이 구비된다. 여기서 ATM로봇(130)은 반송챔버(110,120)의 내부에 구비되는 진공로봇(미도시)과 달리, 대기압상태에서 작동되는 로봇을 의미한다.
한편, 제 1 로드락 챔버(111)와 제 2 로드락 챔버(121)에는 상기 ATM로봇(130)을 이용하여 기판을 출입시키기 위한 제 1 게이트밸브(111a)와 제 2 게이트(121a)밸브가 구비되되, 상기 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브는 서로 평행하게 설치되는 것을 알 수 있다.
또한 상기 ATM로봇(130)은 카세트와 로드락 챔버(111,121)의 사이에서 기판을 교환하는 구성요소이다. 이 때, 카세트(140)와 ATM로봇(130)과 게이트밸브(111a,121a)와 로드락 챔버(111,121)는 일렬로 배치됨을 알 수 있다. 다시 말하면, ATM로봇(130)은 기판을 교환하기 위하여 180°회전운동을 하는 것이다.
그러나 위와 같은 종래의 플라즈마 처리장치는 배치 특성상 자투리 공간(151,152,153,154,155,156)이 많이 발생한다는 문제점이 있다. 도 1의 경우, 제 1 및 제 2 로드락 챔버의 사이 공간(151)과, 제 1 및 제 2 공정챔버의 사이 공간(152)은 유지보수를 위한 공간으로 활용할 수 있으나, 기타 공간(153,154,155,156)은 공정이나 유지보수 등 전혀 활용이 없는 낭비되는 공간으로서 결과적으로 장비의 풋 프린트를 증가시키는 문제점이 있다.
또한 도 2는 종래의 다른 플라즈마 처리장치(200)를 도시한 것이다. 이는 도 1과 비교하였을 때, 각 클러스터에 2개의 공정챔버가 구비된다는 차이점이 있고, 기타의 구성은 유사하다. 역시 도 2에 도시된 실시예에서도 자투리공간(251,252,253,254)이 있으며, 이로 인해 도 1에서와 같은 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 로드락 챔버에 형성된 게이트 밸브의 형성 위치 및 그에 따른 ATM로봇의 배치를 최적화하여 장비의 풋 프린트를 줄이기 위한 클러스터 타입의 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 제 1 반송챔버와, 상기 제 1 반송챔버의 측부에 제 1 로드락 챔버와 제 1 공정챔버가 배치되는 제 1 클러스터; 제 2 반송챔버와, 상기 제 2 반송챔버의 측부에 제 2 로드락 챔버와 제 2 공정챔버가 배치되는 제 2 클러스터; 기판이 적재되는 카세트; 및 상기 제 1 로드락 챔버 및 제 2 로드락 챔버와, 상기 카세트 사이에서 기판을 교환하는 ATM로봇;을 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 로드락 챔버와 제 2 로드락 챔버 각각의 일측에는 상기 ATM로봇을 이용하여 기판을 출입시키기 위한 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브가 구비되되, 상기 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브는 상호 마주보게 설치된다.
특히, 상기 ATM로봇은 상기 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브 사이의 공간 에서 수평이동이 가능하게 설치되어, 상기 ATM로봇과 카세트, 상기 ATM로봇과 로드락 챔버가 이루는 사잇각이 90°가 되도록 배치되는 것이 바람직하다.
또한 제 1 클러스터 또는 제 2 클러스터는 반송챔버를 중심으로 3개 또는 2개의 공정챔버가 구비되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 로드락 챔버에 형성된 게이트 밸브의 형성 위치 및 그에 따른 ATM로봇의 배치를 최적화함으로써 장비의 풋 프린트를 줄일 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 구성 및 작용을 설명한다.
도 3에 도시된 실시예(300)는 2개의 클러스터가 조합된 것으로서, 제 1 반송챔버(310)를 중심으로 제 1 로드락 챔버(311) 및 제 1 공정챔버(312,313,314)로 이루어진 제 1 클러스터와, 제 2 반송챔버(320)를 중심으로 제 2 로드락 챔버(321) 및 제 2 공정챔버(322,323,324)로 이루어진 제 2 클러스터를 포함한다.
또한 기판이 적재되는 카세트(340)가 구비되고, 상기 카세트(340)에서 로드락 챔버(311,321)로, 또는 로드락 챔버(311,321)에서 카세트(340)로 기판을 반송하는 ATM로봇(330)이 구비된다.
특히, 상기 ATM로봇(330)은 상기 제 1 및 제 2 로드락 챔버(311,321) 사이의 공간에서 수평이동이 가능하게 설치됨을 알 수 있다.
이와 함께, 각각의 일측에는 상기 ATM로봇(330)을 이용하여 기판을 출입시키 기 위한 제 1 게이트밸브(311a)와 제 2 게이트밸브(321a)가 구비되되, 상기 제 1 게이트밸브(311a)와 제 2 게이트밸브(321a)는 상호 마주보게 설치된다는 특징이 있다.
다시 말하면, 상기 ATM로봇(330)과 카세트(340), 상기 ATM로봇(330)과 로드락 챔버(311,321)가 이루는 사잇각이 90°가 되도록 배치되는 것이다.
이와 같이 구성된 본 실시예(300)는 도 1에 도시된 종래의 플라즈마 처리장치(100)와 대비하여 보았을 때, 로드락 챔버(111,121)들 사이의 자투리공간(151)에 ATM로봇(330)을 설치하여 공간활용을 극대화하였고, 그 결과 장비의 풋 프린트를 감소시킨다. 물론, 기타의 자투리공간(352,353,354,355,356)은 도 1에서와 동일하게 형성된다.
도 4에 도시된 실시예(400)는 각 클러스터에 2개의 공정챔버가 구비된다는 점에서 도 3에 도시된 실시예(300)와 차이가 있다.
기타 로드락 챔버(411,421)의 제 1 게이트 밸브(411a)와 제 2 게이트 밸브(421a)가 서로 마주보게 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 로드락 챔버(411,421) 사이의 자투리 공간에 ATM로봇(430)을 설치함으로써 공간활용을 극대화한다는 점에서 유사하다. 따라서, 상기 ATM로봇(430)과 카세트(440), 상기 ATM로봇(430)과 로드락 챔버(411,421)가 이루는 사잇각이 90°가 되도록 배치되는 것이다. 이 경우에는 공정챔버가 2개로 동일한 종래의 장치인 도 2와 대비하였을 때, 자투리 공간(451,452)이 현저히 줄어드는 것을 알 수 있다.
도 5에 도시된 실시예(500)는 각 클러스터에 2개의 공정챔버가 구비된다는 점에서 도 4에 도시된 실시예(400)와 동일하다.
다만, 도 4에 도시된 실시예(400)는 반송챔버(410,420)를 중심으로 2개의 공정챔버(412,413,422,423)가 이루는 사잇각이 180°임에 반하여, 도 5에 도시된 실시예(500)는 90°라는 차이점이 있다.
기타 로드락 챔버(511,521)의 제 1 게이트 밸브(511a)와 제 2 게이트 밸브(521a)가 서로 마주보게 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 로드락 챔버(511,521) 사이의 자투리 공간에 ATM로봇(530)을 설치함으로써 공간활용을 극대화한다는 점에서 유사하다. 따라서, 상기 ATM로봇(530)과 카세트(540), 상기 ATM로봇(530)과 로드락 챔버(511,521)가 이루는 사잇각이 90°가 되도록 배치되는 것이다. 이 경우에도 공정챔버가 2개로 동일한 종래의 장치인 도 2와 대비하였을 때, 자투리 공간(550)이 현저히 줄어드는 것을 알 수 있다.
도 1 및 도 2는 종래 클러스터 타입의 플라즈마 처리장치의 개략도를 나타낸 것이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 의한 클러스터 타입의 플라즈마 처리장치의 개략도를 나타낸 것이다.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
310,410,510: 제 1 반송챔버 320,420,520: 제 2 반송챔버
311,411,511: 제 1 로드락챔버 321,421,521: 제 2 로드락챔버
330,430,530: ATM로봇 340,440,540: 카세트

Claims (7)

  1. 제 1 반송챔버와, 상기 제 1 반송챔버의 측부에 제 1 로드락 챔버와 제 1 공정챔버가 배치되는 제 1 클러스터;
    제 2 반송챔버와, 상기 제 2 반송챔버의 측부에 제 2 로드락 챔버와 제 2 공정챔버가 배치되는 제 2 클러스터;
    기판이 적재되는 카세트; 및
    상기 제 1 로드락 챔버 및 제 2 로드락 챔버와, 상기 카세트 사이에서 기판을 교환하는 ATM로봇;을 포함하여 이루어지며,
    상기 제 1 로드락 챔버와 제 2 로드락 챔버 각각의 일측에는 상기 ATM로봇을 이용하여 기판을 출입시키기 위한 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브가 구비되되,
    상기 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브는 상호 마주보게 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 ATM로봇은 상기 제 1 게이트밸브와 제 2 게이트밸브 사이의 공간에서 수평이동이 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 ATM로봇과 카세트, 상기 ATM로봇과 로드락 챔버가 이루는 사잇각이 90°가 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    제 1 클러스터 또는 제 2 클러스터는 반송챔버를 중심으로 3개의 공정챔버가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    제 1 클러스터 또는 제 2 클러스터는 반송챔버를 중심으로 2개의 공정챔버가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 반송챔버를 중심으로 2개의 공정챔버가 이루는 사잇각이 90°인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 반송챔버를 중심으로 2개의 공정챔버가 이루는 사잇각이 180°인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
KR1020070078078A 2007-08-03 2007-08-03 플라즈마 처리장치 KR100887161B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070078078A KR100887161B1 (ko) 2007-08-03 2007-08-03 플라즈마 처리장치
TW097122615A TWI406349B (zh) 2007-08-03 2008-06-18 基底處理裝置
CN2008101270125A CN101359582B (zh) 2007-08-03 2008-06-18 衬底处理设备
US12/144,680 US8272826B2 (en) 2007-08-03 2008-06-24 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070078078A KR100887161B1 (ko) 2007-08-03 2007-08-03 플라즈마 처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090013924A true KR20090013924A (ko) 2009-02-06
KR100887161B1 KR100887161B1 (ko) 2009-03-09

Family

ID=40331985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070078078A KR100887161B1 (ko) 2007-08-03 2007-08-03 플라즈마 처리장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8272826B2 (ko)
KR (1) KR100887161B1 (ko)
CN (1) CN101359582B (ko)
TW (1) TWI406349B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5802407B2 (ja) * 2011-03-04 2015-10-28 三菱瓦斯化学株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US9818633B2 (en) * 2014-10-17 2017-11-14 Lam Research Corporation Equipment front end module for transferring wafers and method of transferring wafers
US11581203B2 (en) * 2020-09-02 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Systems for integrating load locks into a factory interface footprint space

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3238432B2 (ja) * 1991-08-27 2001-12-17 東芝機械株式会社 マルチチャンバ型枚葉処理装置
TW295677B (ko) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3732250B2 (ja) * 1995-03-30 2006-01-05 キヤノンアネルバ株式会社 インライン式成膜装置
JPH10281643A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Mitsubishi Electric Corp 基板処理装置
US6034000A (en) * 1997-07-28 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Multiple loadlock system
JP4048387B2 (ja) * 1997-09-10 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 ロードロック機構及び処理装置
TW442891B (en) * 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
JP2000299367A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び被処理体の搬送方法
JP2001043530A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Anelva Corp 情報記録ディスク用保護膜作成方法及び情報記録ディスク用薄膜作成装置
CN1608308A (zh) * 2001-11-13 2005-04-20 Fsi国际公司 微型电子基片的自动化加工用的减少占地的工具
US6729824B2 (en) * 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
JP4389424B2 (ja) * 2001-12-25 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送機構及び処理システム
JP2003086650A (ja) * 2002-07-12 2003-03-20 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ラインおよび試料の真空処理方法
US6939403B2 (en) * 2002-11-19 2005-09-06 Blue29, Llc Spatially-arranged chemical processing station
JP2004349503A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理システム及び処理方法
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
KR100560956B1 (ko) * 2004-02-13 2006-03-15 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치
JP4264423B2 (ja) * 2005-03-22 2009-05-20 三菱重工業株式会社 真空処理装置及び処理室増設方法
KR100934769B1 (ko) * 2005-08-01 2009-12-30 주식회사 에이디피엔지니어링 기판 이송 시스템
KR100665658B1 (ko) * 2005-06-15 2007-01-10 주식회사 뉴파워 프라즈마 기판 처리 설비
JP2007005435A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Rorze Corp 処理装置
KR20070020902A (ko) * 2005-08-17 2007-02-22 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI406349B (zh) 2013-08-21
US20090035103A1 (en) 2009-02-05
TW200908191A (en) 2009-02-16
CN101359582B (zh) 2013-03-06
CN101359582A (zh) 2009-02-04
KR100887161B1 (ko) 2009-03-09
US8272826B2 (en) 2012-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9916995B2 (en) Compact substrate processing tool with multi-station processing and pre-processing and/or post-processing stations
KR101015228B1 (ko) 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템 및 그 시스템에서의 기판 처리 방법
US20070051314A1 (en) Movable transfer chamber and substrate-treating apparatus including the same
US10170347B2 (en) Substrate processing system
US11282737B2 (en) Moving substrate transfer chamber
JP4472005B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
KR100887161B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR20180051914A (ko) 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치
US10328580B2 (en) Reduced footprint substrate transport vacuum platform
TWI807026B (zh) 基板真空處理設備及真空處理基板或製造真空處理基板的方法
JP4920667B2 (ja) 基板処理装置
KR100896472B1 (ko) 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템 및 기판 처리 방법
KR20120037744A (ko) 기판처리시스템
KR100839187B1 (ko) 반도체 제조 설비의 트랜스퍼 챔버 및 그 챔버에서의 기판반송 방법
KR20080062220A (ko) 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템
KR20130074244A (ko) 로드락 챔버 및 이를 포함하는 기판처리시스템
KR20080071681A (ko) 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템
KR101700607B1 (ko) 기판처리장치
KR20080054759A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20080071680A (ko) 기판 제조를 위한 인라인 시스템
KR102241600B1 (ko) 로드락 챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR20050087059A (ko) 적층형 공정챔버를 가지는 진공처리장치
KR100784154B1 (ko) 반도체 및 lcd 제조장치의 고밀도 클러스터 툴
JP6775432B2 (ja) 真空搬送モジュール及び基板処理装置
KR102034706B1 (ko) 기판처리시스템 및 기판처리방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130204

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140227

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee