KR20080114480A - 반도체 장치 및 와이어 본딩 방법 - Google Patents

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다츠나리 미이
하야토 기우치
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가부시키가이샤 신가와
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Abstract

반도체 장치에 있어서, 본딩할 때의 초음파 가진으로 인해 다른 본딩된 와이어에 손상이 발생하는 것을 억제한다.
와이어(21)를 반도체 칩(11) 표면의 패드(13) 상에 본딩한 후, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향 및 리드(17)와 반대 방향으로 이동시키고, 와이어(21)를 리드(17)와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크(35)와 리드(17)의 방향으로 볼록한 제2 킹크(37)와 제2 킹크(37)에 계속되는 스트레이트부(38)를 형성한 후, 캐필러리(41)를 루핑하여 와이어(21)를 리드(17)에 본딩하고, 본딩시에 스트레이트부(38)를 리드(17)의 표면을 따른 방향의 직선부(31)로서 성형함과 아울러, 직선부(31)를 리드(17)의 표면에 가압한다.
Figure P1020080010629
반도체 칩, 와이어, 리드 프레임, 테이프, 반도체 장치, 캐필러리, 이니셜 볼, 볼 본딩부

Description

반도체 장치 및 와이어 본딩 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND WIRE BONDING METHOD}
본 발명은 반도체 장치의 구조 및 반도체 장치의 와이어 본딩 방법에 관한 것이다.
IC 등의 반도체 장치의 조립 공정에는 반도체의 칩과 리드 프레임을 와이어로 접속하는 와이어 본딩 공정이 있다. 와이어 본딩 공정은 와이어가 삽입 통과된 캐필러리를 이용하여, 토치 전극으로부터의 방전에 의해 캐필러리로부터 돌출된 와이어의 선단에 볼을 형성하고, 캐필러리를 반도체 칩의 패드 상에 위치시켜 1차 본딩을 행한 후, 캐필러리를 리드 프레임의 리드 상으로 이동시켜 2차 본딩을 행함으로써 반도체 칩과 리드 프레임을 와이어에 의해 접속하는 방법이 일반적으로 이용되고 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
상기와 같은 와이어 본딩 방법에서는, 2차 본딩의 와이어와 리드와의 접합 면적은 캐필러리의 페이스부와 리드 사이에 끼인 와이어의 면적으로서, 볼 본딩에 의해 접합되는 1차 본딩의 와이어와 패드와의 접합 면적보다 작고, 그 접합 강도가 낮아 본딩의 신뢰성이 낮아질 수가 있다.
따라서, 이러한 2차 본딩의 본딩부의 강도를 향상시켜 본딩의 신뢰성을 높이는 방법으로서, 특허 문헌 1에는, 일단 리드에 2차 본딩을 행한 후, 와이어를 꺾어 다시 리드에 본딩하는 방법이 제안된 바 있다. 또한, 특허 문헌 2에는, 와이어를 리드에 접속시키면서 캐필러리를 이동시키고, 2차 본딩의 본딩부를 띠형으로 형성하여 접합 면적을 증가시켜 2차 본딩의 본딩부의 강도 향상을 도모하는 방법이 제안된 바 있다.
한편, 반도체 장치는 반도체 칩과 리드를 와이어로 접합한 후, 전체를 수지로 밀봉하여 반도체 패키지로 하는 방법이 많이 이용되고 있다. 그러나, 반도체 패키지의 실장 공정에 있어서, 수지 밀봉된 반도체 패키지의 온도가 상승하면 수지의 열팽창으로 인해 와이어에 응력이 가해지는 경우가 있다. 이 경우, 2차 본딩의 본딩부는 리드와의 접합부의 두께가 얇게 되어 있으며, 열팽창으로 인한 응력이 집중하여 접합부에 크랙이 생기는 경우가 있다. 따라서, 특허 문헌 3에서는 와이어 접속용 본딩부보다 두께가 두꺼운 본드부를 2차 본딩의 본딩부의 반도체 칩측에 인접 설치하여 수지의 열팽창으로 인한 크랙의 발생을 저감하는 방법이 제안된 바 있다. 더욱이, 특허 문헌 4에서는, 리드와 와이어 사이에 수지가 들어가지 않도록 2차 본딩시에 캐필러리를 리드 단부에서 리드면으로 평행하게 이동시켜 와이어를 리드에 밀착시키는 방법이 제안된 바 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공고 평 3-63814호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 소 52-67262호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 평 2-30153호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 평 8-293512호 공보
그런데, 최근의 반도체 장치의 제조에 있어서는, 각 반도체 칩을 개별적으로 수지 밀봉하는 개별 밀봉법 대신, 복수의 반도체 칩을 일괄적으로 수지 밀봉하는 일괄 밀봉법이 많이 이용되게 되었다. 이 일괄 밀봉법을 이용하는 경우에는, 반도체 칩이 부착되는 복수의 아일랜드와 그에 대응하는 복수의 리드를 밀집시켜 하나의 블록으로서 배치하고, 뒷쪽에 밀봉제 누설 방지용 테이프가 붙여진 리드 프레임이 사용된다. 이러한 리드 프레임을 본딩을 위하여 본딩 스테이지에 고정하는 경우, 뒷면의 테이프를 통하여 본딩 스테이지에 진공 흡착되고, 또한 복수의 반도체 칩이 밀집한 블록의 주변에서 리드 프레임을 위에서 누르므로 리드 프레임의 본딩 스테이지에의 고정 상태가 별로 양호하지 않으므로, 와이어 본딩시에 와이어가 진동을 일으킨다는 문제가 있었다.
특히, 어떤 와이어를 본딩할 때 그 와이어에의 초음파 가진에 의해 이미 본딩이 종료한 다른 와이어의 리드와의 본딩부 또는 패드측의 볼 네크에 크랙이 생겨단선의 원인이 된다는 문제가 있었다.
그러나, 특허 문헌 1 내지 4에는 이러한 본딩할 때의 초음파 가진에 의해 다른 본딩된 와이어에 손상이 발생한다는 것에 대해서는 기재가 없으며, 특허 문헌 1∼4에 기재된 종래 기술에서는 이러한 문제는 해결되지 않았다.
본 발명은 본딩할 때의 초음파 가진에 의해 다른 본딩된 와이어에 손상이 발생하는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체 장치는, 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치로서, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부와, 볼 본딩부에서 리드로 뻗어 리드에 본딩되는 와이어를 포함하고, 와이어는, 볼 본딩후의 와이어 공급 공정에서 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크와 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크가 설치되고, 그 후 루핑되어 리드에 본딩되고, 패드에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부가 형성되고, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 장치는, 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치로서, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부 상에 형성된 볼 네크를 압궤하고, 압궤한 볼 네크 상으로 꺽은 와이어의 측면을 가압하여 형성한 가압부와, 가압부에서 리드로 뻗어 리드에 본딩되는 와이어를 포함하고, 와이어는, 가압부 형성후의 와이어 공급 공정에서 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크와 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크가 설치되고, 그 후 루핑되어 리드에 본딩되고, 가압부에서 리드 쪽으 로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부가 형성되고, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 와이어 본딩 방법은, 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부에서 리드 쪽으로 뻗고, 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부를 가지며, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치의 와이어 본딩 방법으로서, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 가압하여 본딩하는 제1 본딩 공정과, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 이동시키는 리버스 공정과, 리버스 공정보다 길게 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드의 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키고, 와이어에 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크를 형성하는 제1 킹크 형성 공정과, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심 위치까지 이동시키고, 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크와 제2 킹크에 계속되는 스트레이트부를 형성하는 제2 킹 크 형성 공정과, 캐필러리를 리드 쪽으로 루핑시키고, 캐필러리를 리드에 가압하여 와이어를 리드에 본딩하는 제2 본딩 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 와이어 본딩 방법은, 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부 상에 형성된 볼 네크를 압궤하고, 압궤한 볼 네크 상에 꺾은 와이어의 측면을 가압하여 형성한 가압부와, 가압부에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부를 가지며, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치의 와이어 본딩 방법으로서, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 가압하여 본딩하는 제1 본딩 공정과, 와이어를 공급함과 아울러 캐필러리를 상승시키면서 리드와 반대 방향으로 이동시킨 후, 캐필러리를 하강시켜 캐필러리의 페이스부에서 볼 네크를 압궤하고, 다시 와이어를 공급함과 아울러 캐필러리를 상승시키면서 리드의 방향으로 이동시킨 후, 다시 캐필러리를 하강시켜 압궤된 볼 네크 상에 와이어 측면을 가압하여 가압부를 형성하는 가압부 형성 공정과, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키는 리버스 공정과, 리버스 공정보다 길게 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드 방향으로 패드 상 의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키고, 와이어에 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크를 형성하는 제1 킹크 형성 공정과, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심 위치까지 이동시키고, 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크와 제2 킹크에 계속되는 스트레이트부를 형성하는 제2 킹크 형성 공정과, 캐필러리를 리드 쪽으로 루핑시키고, 캐필러리를 리드에 가압하여 와이어를 리드에 본딩하는 제2 본딩 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 본딩할 때의 초음파 가진에 의해 다른 본딩된 와이어에 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다.
이하, 본 발명의 반도체 장치의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 수지 일괄 밀봉법에 의해 반도체 장치를 제조하는 경우의 리드 프레임(12)은, 반도체 칩이 부착되는 아일랜드(15)와 아일랜드(15)에 부착되는 반도체 칩 표면의 패드에 대응하는 리드(17)가 복수개 설치되어 있다. 각 아일랜드(15)와 각 아일랜드(15)에 대응하는 리드의 한 세트는 하나의 세그먼트(50)를 구성한다. 각 세그먼트(50)는 반도체 칩의 부착, 와이어 본딩, 수지 밀봉 후, 그 사이에 마련된 절단 영역(60)을 절단함으로써 각각이 하나의 반도체 장치가 되는 구역을 말한다. 세그먼트(50)는 리드 프레임(12)에 밀집하여 설치되며, 복수의 세그먼트(50)에 의해 하나의 블록(70)이 구성된다. 블록(70)은 수지 밀봉 시에 일괄적으로 밀봉되는 범위이다. 또한, 와이어 본딩시에 블록(70)의 외주를 누름 프레임(71)에 의해 위에서 눌러 고정할 수 있도록 각 블록의 주위에는 스페이스가 설치되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 리드 프레임(12)의 뒷면에는 밀봉용 수지가 아일랜드(15)와 리드(17) 사이로부터 새지 않도록 재박리 가능한 테이프(16)가 붙여져 있다. 이러한 리드 프레임(12)은, 아일랜드(15) 상에 반도체 칩(11)이 부착된 후, 본딩 스테이지(53) 상으로 반송되고, 본딩 스테이지(53)의 진공 흡착공(55)에 의해 테이프(16)를 통하여 본딩 스테이지(53)에 진공 흡착됨과 아울러, 누름 프레임(71)에 의해 각 블록(70)의 주위가 위에서 눌려져서 본딩 스테이지(53)에 고정된다. 그리고, 각 반도체 칩(11)의 각 리드(17)와의 사이가 와이어(21)에 의해 접속된다.
리드 프레임(12)이 본딩 스테이지(53) 상에 고정되면, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 아일랜드(15)에 부착된 각 반도체 칩(11)의 표면의 각 패드(13)와 그에 대응하는 각 리드(17)가 차례대로 와이어(21)에 의해 접속되어 간다. 따라서, 와이어 본딩 공정에서는 본딩된 와이어(21)에 인접한 위치에서 다음 패드(13) 또는 리드(17)에의 본딩이 행해진다. 그리고, 리드 프레임(12)에 있는 모든 반도체 칩(11)의 패드(13)와 대응하는 리드(17)간의 접속이 종료되면, 다음 공정에서 리드 프레임(12)은 블록(70)마다 수지에 의해 일괄 밀봉되고, 그 후 절단 영역(60)을 절단하여 각 반도체 장치(10)가 제조된다.
이러한 반도체 장치는 수지 밀봉한 패키지로부터 외부 접속 전극이 돌출하지 않고, 패키지 뒷면에 외부 접속 전극이 형성되어 있는 것으로서, QFN(Quad Flat Non-leaded Package)이라 불린다.
도 4에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(10)는 뒷면에 테이프(16)가 붙여진 리드 프레임(12)의 아일랜드(15)에 부착된 반도체 칩(11)의 표면에 있는 패드(13)와 리드 프레임(12)의 리드(17)가 와이어(21)에 의해 접속되어 있다. 와이어(21)는 반도체 칩(11)의 표면에 있는 패드(13) 상에 접합된 압착 볼(23)과, 압착 볼(23)에서 와이어(21) 쪽으로 단면적이 변화하는 볼 네크(25)와, 볼 네크(25)로부터 반도체 칩(11)의 두께 방향으로 상승하고, 리드(17) 쪽으로 뻗어 반도체 칩(11)의 두께 방향을 따라 하향으로 굴곡되는 제1 굴곡부(27)와, 제1 굴곡부(27)와 반대 방향인 상방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부(29)와, 제2 굴곡부(29)에서 리드(17) 쪽으로 리드(17) 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부(31)와, 리드(17)에 본딩되는 직선부측 단부(33)가 형성되어 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 와이어(21)의 직선부측 단부(33)는 본딩시에 캐필러리에 의해 리드(17)에 초음파 가진되면서 가압되고, 리드(17)에 접합되어 있다. 직선부측 단부(33)는 본딩시에 캐필러리의 선단의 형상을 따른 형상으로 변형되어 있으며, 봉형상의 직선부(31)에서 직선부측 단부(33) 쪽으로 점차 그 두께가 얇아지는 형상으로 되어 있다.
와이어(21)는, 패드측의 압착 볼(23)과 리드측의 직선부측 단부(33)의 2점에 의해 양측이 고정되어, 직선부(31)의 리드 측면이 리드(17) 표면 쪽으로 가압되도록 구성되어 있다. 이 가압력은 도 6에 도시한 바와 같은 본딩 공정에 의해 와이어(21)를 본딩함으로써 얻어진다.
도 6(a)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)에 의해 와이어(21)의 선단부에 형성된 도시하지 않은 이니셜 볼을 패드(13) 상에 초음파 가진하면서 함께 가압하여 접합함과 아울러, 패드(13) 상에 압착 볼(23)과 볼 네크(25)를 형성하는 제1 본딩 공정 후, 와이어(21)를 캐필러리(41)의 선단에서 공급하면서 캐필러리(41)를 상승시킨 후, 리드(17)와 반대 방향으로 이동시키는 리버스 공정을 행한다. 이 리버스 공정에 의해 캐필러리(41)의 위치는 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)보다 리드(17)와 반대 방향으로 치우친 위치로 되어 있다. 리버스 공정이 종료한 상태에서는, 와이어(21)는 패드(13)로부터 리드(17)와 반대 방향으로 경사져 있다. 한편, 캐필러리(41)에 의해 와이어(21)는 패드(13)의 면에 대략 수직한 방향으로 유지되어 있으므로, 리버스 공정이 종료한 상태의 캐필러리(41)의 선단 부근의 와이어(21)에는 리드(17)와 반대 방향으로 볼록해지려는 구부러짐 자국이 형성되어 있다.
리버스 공정에 이어 제1 킹크 형성 공정이 행해진다. 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 상승시키면, 와이어(21)에는 이전의 리버스 공정에서 리드(17)와 반대 방향으로 볼록한 자국이 형성되어 있으므로, 캐필러리(41)의 상승에 의해 구부러짐부(34)가 형성된다. 캐필러리(41)의 상승에 의해 공급되는 와이어(21)의 길이는 이전의 리버스 공정시의 와이어 공급 길이보다 길게 되어 있다. 그리고, 도 6(c)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)를 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)을 넘어가서 리드(17)의 방향으로 이동시키면, 구부러짐부(34)는 더 크게 굴곡되어 리드(17)와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크(35)가 형 성된다. 캐필러리(41)는 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)보다 리드(17) 측으로 치우쳐져 있고, 제1 킹크(35)는 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)보다 리드(17)와 반대측에 형성되어 있으므로, 와이어(21)는 제1 킹크(35)와 캐필러리(41) 사이에서 리드(17)와 반대 방향에서 리드(17)의 방향 쪽으로 경사진 상태로 되어 있다. 한편, 캐필러리(41)에 의해 와이어(21)는 패드(13)의 면에 대략 수직한 방향으로 유지되어 있으므로, 제1 킹크 형성 공정이 종료한 상태의 캐필러리(41)의 선단 부근의 와이어(21)에는 리드(17)의 방향으로 볼록해지는 구부러짐 자국이 형성되어 있다.
제1 킹크 형성 공정에 이어 제2 킹크 형성 공정이 행해진다. 도 6(d)에 도시한 바와 같이, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 상승시킨 후, 캐필러리(41)의 중심 위치가 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)의 위치가 되도록 캐필러리(41)를 리드(17)와 반대 방향으로 이동시킨다. 와이어(21)에는 이전의 제1 킹크 형성 공정에 있어서, 리드(17)의 방향으로 볼록한 구부러짐 자국이 형성되어 있으므로, 캐필러리(41)의 상승과 리드(17)와 반대측으로의 이동에 의해, 리드(17)의 방향으로 볼록한 제2 킹크(37)가 형성된다. 또한, 제2 킹크(37)와 캐필러리(41) 사이에는 직선형으로 와이어(21)가 뻗은 스트레이트부(38)가 형성된다.
제2 킹크(37)의 형성 공정에 이어 제2 본딩 공정이 행해진다. 도 6(e)에 도시한 바와 같이, 제2 킹크 형성 공정 이후, 캐필러리(41)를 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)에서 리드(17) 쪽으로 루핑한다. 이 루핑에 의해 제1 킹크(35)는 더 굴곡되고, 볼 네크(25)로부터 반도체 칩(11)의 두께 방향으로 상승하고, 리드(17) 쪽으로 뻗어 반도체 칩(11)의 두께 방향을 따라 하향으로 굴곡되는 제1 굴곡부(27)가 된다. 또한, 제2 킹크(37)는 제1 굴곡부(27)와 반대 방향인 상방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부(29)가 된다. 그리고, 제2 킹크 형성 공정에서 제2 킹크(37)와 캐필러리(41) 사이에 형성된 스트레이트부(38)는, 제2 굴곡부(29)로부터 리드(17)의 표면을 따라 뻗는 직선부(31)가 된다. 직선부(31)의 단부는 리드(17)에 본딩되는 직선부측 단부(33)가 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태는, 와이어(21)를 반도체 칩(11) 표면의 패드(13) 상에 본딩한 후, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향 및 리드(17)와 반대 방향으로 이동시키고, 와이어(21)를 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크(35)와 리드(17)의 방향으로 볼록한 제2 킹크(37)와 제2 킹크(37)에 계속되는 스트레이트부(38)를 형성한 후, 캐필러리(41)를 루핑하여 와이어(21)를 리드(17)에 본딩하므로, 본딩시에 스트레이트부(38)를 리드(17)의 표면을 따른 방향의 직선부(31)에 형성함과 아울러, 직선부(31)를 리드(17)의 표면에 가압한 상태에서 와이어(21)를 접합할 수 있다.
이상 설명한 바와 같은 방법으로 본딩된 와이어(21)는, 직선부(31)가 리드(17)에 의해 반도체 칩(11)의 두께 방향으로 서포트된 상태로 되어 있다. 따라서, 다른 와이어(21)의 본딩시에 초음파 가진을 행하여도, 본딩된 와이어(21)의 직선부(31)가 와이어(21)의 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 리드(17)의 표면에 대하여 수직한 방향의 진동을 억제할 수 있으므로, 본딩된 와이어(21)가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다.
또한, 직선부(31)는 리드(17)에 가압되어 있으므로, 본딩된 와이어(21)가 다 른 와이어(21)의 본딩시의 초음파 가진에 의해 리드(17)의 표면을 따른 방향으로 진동을 일으킨 경우라 하더라도, 그 진동 에너지를 직선부(31)와 리드(17) 사이의 마찰로서 소비할 수 있고, 리드(17)의 표면을 따른 방향의 진동을 억제하여 와이어(21)의 손상을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다.
이와 같이 와이어(21)는 직선부(31)가 리드(17)에 가압되어 있으므로, 리드(17)의 표면에 수직한 방향 및 리드(17)의 표면을 따른 방향의 양방향의 진동을 동시에 억제할 수 있다는 효과를 가져온다.
본 실시 형태는 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같은 일괄 밀봉법에 의해 반도체 장치(10)를 제조하는 경우와 같이, 리드 프레임(12)이 테이프(16)를 통하여 본딩 스테이지(53)에 흡착되고, 각 블록(70)의 외주에서 위에서 눌려져 있는 리드 프레임(12)의 고정 상태가 별로 양호하지 않은 경우라 하더라도, 직선부(31)의 서포트 및 마찰력에 의한 진동 저감에 의해 본딩된 와이어(21)의 리드(17)에의 본딩부가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 저감할 수 있다는 효과를 가져온다.
도 7 내지 도 10을 참조하면서 다른 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 앞에서 설명한 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(10)는 뒷면에 테이프(16)가 붙여진 리드 프레임(12)의 아일랜드(15)에 부착된 반도체 칩(11)의 표면에 있는 패드(13)와 리드 프레임(12)의 리드(17)가 와이어(21)에 의해 접속되어 있다. 와이어(21)는 반도체 칩(11)의 표면에 있는 패드(13) 상에 본딩에 의해 접합된 압착 볼(23)과, 압착 볼(23)에서 와이어(21) 쪽으로 단면적이 변화되는 볼 네크(25)를 압궤하고, 압궤한 볼 네크(25) 상에 꺾은 와이어(21)의 측면을 가압하여 형성한 가압부(26)와, 가압부(26)에서 리드(17) 쪽으로 뻗어 반도체 칩(11)의 두께 방향을 따라 하향으로 굴곡되는 제1 굴곡부(27)와, 제1 굴곡부(27)와 반대 방향인 상방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부(29)와, 제2 굴곡부(29)에서 리드(17) 쪽으로 리드(17) 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부(31)와, 리드(17)에 본딩되는 직선부측 단부(33)가 형성되어 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(11) 표면의 패드(13) 상에 형성된 가압부(26)는, 패드(13) 상의 압착 볼(23) 상에 볼 네크(25)가 압궤되어 그 상면이 평면형으로 형성된 압궤부(25a)와, 이 압궤부(25a)로부터 리드(17)와 반대측으로 볼록해지도록 와이어(21)가 꺾인 꺾임부(26a)와, 꺾임부(26a)에 이어지는 와이어(21) 측면이 압궤부(25a) 쪽으로 가압되고, 상측의 면이 가압시에 캐필러리에 의해 평면형으로 형성된 평면부(26b)가 형성되어 있다. 이 평면부(26b)의 패드(13) 측의 면은 압궤부(25a)의 상측의 면에 가압되어 있다. 또한, 와이어(21)의 직선부(31)와 직선부측 단부(33)는 도 5를 참조하여 설명한 앞의 실시 형태와 동일한 구성으로 되어 있다.
와이어(21)는, 패드측의 압착 볼(23)과 리드(17) 측의 직선부측 단부(33)의 2점에 의해 양측이 고정되어, 가압부(26)의 패드(13) 측면이 압궤부(25a)에 가압되고, 직선부(31)의 리드 측면이 리드(17) 표면 쪽으로 가압되도록 구성되어 있다. 이 가압력은 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같은 본딩 공정에 의해 와이어(21)를 본 딩함으로써 얻어진다.
앞에서 설명한 실시 형태와 마찬가지로, 캐필러리(41)에 의해 와이어(21)의 선단부에 형성된 도시하지 않은 이니셜 볼을 패드(13) 상에 초음파 가진함과 아울러 가압하여 접합하고, 아울러 패드(13) 상에 압착 볼(23)과 볼 네크(25)를 형성하는 제1 본딩 공정을 행한다.
제1 본딩 공정 후, 도 9(a) 내지 도 9(f)에 도시한 바와 같은 가압부 형성 공정이 행해진다. 또한, 도 9(a) 내지 도 9(f)에서는 리드(17)의 기재가 생략되어 있으나, 도면의 우측이 리드(17) 측이다. 가압부 형성 공정에서는, 도 9(a)에 도시한 바와 같이, 와이어(21)를 공급함과 아울러 캐필러리(41)를 상승시킨 후, 도 9(b)에 도시한 바와 같이 캐필러리(41)의 리드(17) 측의 페이스부(43)가 볼 네크(25)의 상부에 올 때까지 리드(17)와 반대 방향으로 캐필러리(41)를 이동시킨다. 이 때 와이어(21)는 볼 네크(25)로부터 리드(17)와 반대 방향으로 경사진 상태로 되어 있다. 그리고, 도 9(c)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)를 하강시켜 캐필러리(41)의 페이스부(43)에서 볼 네크(25)를 압궤하고, 압착 볼(23) 상에 압궤부(25a)를 형성한다. 압궤부(25a)의 상면은 캐필러리(41)의 페이스부(43)에 의해 압궤되어 있으므로 페이스부(43)의 형상을 따른 평면형으로 되어 있다. 또한, 와이어(21)는 압궤부(25a)의 리드(17)와 반대측으로 절곡됨과 아울러, 캐필러리(41)의 스트레이트공(47)의 리드(17)와 반대측의 내면을 따라 패드(13)의 수직 방향 쪽으로 뻗은 상태로 되어 있다.
그리고, 도 9(d)에 도시한 바와 같이, 다시 와이어(21)를 공급함과 아울러 캐필러리(41)를 상승시킨다. 그러면, 와이어(21)는 캐필러리(41)의 스트레이트공(47)을 따라 직선형으로 공급된다. 그리고, 도 9(e)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향으로 이동시킨다. 그러면 캐필러리(41)의 이너 챔퍼부(45)에 의해 와이어(21)는 리드(17)의 방향 쪽으로 눌리고, 압궤부(25a)에 이어지는 구부러짐부(25b)에서 절곡된다. 그리고, 캐필러리(41)의 리드(17)와 반대측에 있는 페이스부(43)가 압착 볼(23) 위에 오는 위치까지 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향으로 이동시킨다. 그리고, 도 9(f)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)를 하강시키고, 볼 네크(25)를 압궤하여 형성된 압궤부(25a) 상에 와이어(21)의 측면을 가압한다. 이 와이어(21)의 가압에 의해 와이어(21)의 절곡 부분은 압궤부(25a)의 방향 쪽으로 꺾여 꺾임부(26a)가 형성된다. 와이어(21)의 가압부(26)의 패드(13) 측은 가압에 의해 압궤부(25a)의 상면에 가압되고, 가압부(26)의 상면은 캐필러리(41)의 페이스부(43)에 의해 평면이 형성된다. 가압부 형성 공정이 종료한 상태에서는 캐필러리(41)는 패드(13)의 본딩 중심선(28)보다 리드(17) 측으로 치우쳐진 위치로 되어 있다.
이상 설명한 바와 같은 본딩 방법에 의해 패드(13)의 표면에 와이어(21)가 꺾여 가압되어 있는 가압부(26)가 형성된다. 이 가압부(26)는 그 하면이 패드(13)의 압착 볼(23) 상에 형성된 압궤부(25a)에 가압되어 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 패드(13)에 대하여 수직한 방향으로 서포트되어 있음과 아울러, 가압력에 의해 압궤부(25a)에 가압되어 있다.
따라서, 다른 와이어(21)의 본딩시에 초음파 가진을 행하여도, 본딩된 와이 어(21)의 가압부(26)가 와이어(21)의 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 패드(13)의 표면에 대하여 수직한 방향의 진동을 억제할 수 있으므로, 본딩된 와이어(21)가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다.
또한, 가압부(26)는 패드(13) 상에 형성된 압궤부(25a)의 상면에 가압되어 있으므로, 본딩된 와이어(21)가 다른 와이어(21)의 본딩시의 초음파 가진에 의해 패드(13)의 표면을 따른 방향으로 진동을 일으킨 경우라 하더라도, 그 진동 에너지를 가압부(26)의 하면과 압궤부(25a)의 상면 사이의 마찰로서 소비할 수 있고, 패드(13)의 표면을 따른 방향의 진동을 억제하고, 와이어(21)의 손상을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다.
이와 같이, 와이어(21)는 가압부(26)가 패드(13) 상에 형성된 압궤부(25a)에 가압되어 있으므로, 패드(13)의 표면에 수직한 방향 및 패드(13)의 표면을 따른 방향의 양방향의 진동을 동시에 억제할 수 있다는 효과를 가져온다.
이상과 같은 공정에 의해 패드(13) 상에 와이어(21)를 꺾은 가압부(26)를 형성한 후, 와이어(21)를 성형, 루핑하여 리드(17)에 본딩하는 공정에 대하여 설명한다.
도 10(a)에 도시한 바와 같이, 도 9를 참조하여 설명한 가압부 형성 공정 이후, 와이어(21)를 캐필러리(41)의 선단에서 공급하면서 캐필러리(41)를 상승시킨 후, 이전의 가압부 형성 공정의 종료시에 패드(13)의 본딩 중심선(28)보다 리드(17) 측으로 치우쳐져 있는 캐필러리(41)를 리드(17)와 반대 방향으로 이동시키 는 리버스 공정을 행한다. 이 리버스 공정에 의해 패드(13)의 리드(17) 측으로부터 상승해 있는 와이어(21)는 리드(17)와 반대 방향 쪽으로 구부러지면서 경사진 형상이 된다. 한편, 캐필러리(41) 내의 와이어(21)는 패드(13)의 면에 대략 수직한 방향으로 유지되어 있으므로, 리버스 공정이 종료한 상태의 캐필러리(41)의 선단 부근의 와이어(21)에는 리드(17)와 반대 방향으로 볼록해지는 구부러짐 자국이 형성되어 있다.
도 10(b) 내지 도 10(d)에 도시한 바와 같이, 리버스 공정에 이어 이전의 실시 형태와 마찬가지로 제1 킹크 형성 공정과, 제2 킹크 형성 공정이 행해진다. 그리고, 제2 킹크 형성 공정에 이어, 도 10(e)에 도시한 바와 같이 제2 본딩 공정이 행해진다. 도 10(e)에 도시한 바와 같이, 제2 킹크 형성 공정 이후, 캐필러리(41)를 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)에서 리드(17) 쪽으로 루핑한다. 이 루핑에 의해 제1 킹크(35)는 제1 굴곡부(27)로, 제2 킹크(37)는 제2 굴곡부(29)로, 스트레이트부(38)는 제2 굴곡부(29)로부터 리드(17)의 표면을 따라 뻗는 직선부(31)가 되고, 직선부(31)의 단부는 리드(17)에 본딩되는 직선부측 단부(33)가 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태는, 와이어(21)를 반도체 칩(11) 표면의 패드(13) 상에 본딩한 후, 와이어(21)를 꺾어 볼 네크(25)의 압궤부(25a)에 가압하는 가압부(26)를 형성하고, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향 및 리드(17)와 반대 방향으로 이동시켜, 와이어(21)를 리드(17)와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크(35)와 리드(17)의 방향으로 볼록한 제2 킹크(37)와 제2 킹크(37)에 계속되는 스트레이트부(38)를 형성한 후, 캐필러리(41)를 루핑하여 와이 어(21)를 리드(17)에 본딩하므로 본딩시에 스트레이트부(38)를 리드(17)의 표면을 따른 방향의 직선부(31)로 성형함과 아울러, 직선부(31)에 이어지는 직선부측 단부(33)를 리드(17)의 표면에 가압한 상태로서 접합할 수 있다. 이상 설명한 바와 같은 방법으로 본딩된 와이어(21)는, 직선부(31)가 리드(17)에 의해 반도체 칩(11)의 두께 방향으로 서포트된 상태가 된다.
본 실시 형태는 이 가압부(26)가 그 하면이 패드(13)의 압착 볼(23) 상에 형성된 압궤부(25a)에 가압되어 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 패드(13)에 대하여 수직한 방향으로 서포트되어 있음과 아울러, 가압력에 의해 패드(13)의 면을 따른 방향의 진동 에너지를 소비시킬 수 있으므로, 와이어(21)의 패드(13) 측에 있어서 와이어(21)의 진동을 억제할 수 있다. 더욱이, 이전의 실시 형태와 동일하게 와이어(21)의 직선부(31)가 와이어(21)의 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 리드(17)의 표면에 대하여 수직한 방향으로 서포트됨과 아울러, 리드(17)에 가압되어 진동 에너지를 직선부(31)와 리드(17) 사이의 마찰로서 소비할 수 있으므로, 와이어(21)의 리드(17) 측에서도 와이어(21)의 진동을 억제할 수 있다. 따라서, 이전의 실시 형태보다 와이어(21) 전체적으로 보다 큰 진동의 억제를 행할 수 있고, 본딩된 와이어(21)의 패드(13) 및 리드(17)에의 본딩부가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 보다 효과적으로 저감할 수 있다는 효과를 가져온다.
본 실시 형태는 앞에서 설명한 실시 형태와 마찬가지로 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같은 일괄 밀봉법에 의해 반도체 장치(10)를 제조하는 경우와 같이, 리드 프레임(12)이 테이프(16)를 통하여 본딩 스테이지(53)에 흡착되고, 각 블 록(70)의 외주에서 위에서 눌려져 있는 리드 프레임(12)의 고정 상태가 별로 양호하지 않은 경우라 하더라도, 가압부(26) 및 직선부(31)의 서포트 및 마찰력에 의한 진동 저감에 의해 본딩된 와이어(21)의 패드(13)와의 접합부 및 와이어(21)와 리드(17)간 접합부가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 보다 효과적으로 저감할 수 있다는 효과를 가져온다.
도 1은 일괄 밀봉법에 사용되는 리드 프레임의 평면도이다.
도 2는 일괄 밀봉법에 사용되는 리드 프레임이 본딩 스테이지에 고정된 상태를 도시한 단면도이다.
도 3은 일괄 밀봉법에 사용되는 리드 프레임에 와이어 본딩을 한 상태를 도시한 부분 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태의 반도체 장치의 반도체 칩과 리드를 접속하는 와이어를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태의 반도체 장치의 리드측의 와이어를 도시한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태의 반도체 장치의 와이어 본딩 공정을 도시한 설명도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태의 반도체 장치의 반도체 칩과 리드를 접속하는 와이어를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태의 반도체 장치의 패드측의 가압부를 도시한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 형태의 반도체 장치의 가압부 형성을 위한 와이어 본딩 공정을 도시한 설명도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 형태의 반도체 장치의 가압부 형성후의 와이어 본딩 공정을 도시한 설명도이다.
<부호의 설명>
10: 반도체 장치, 11: 반도체 칩,
12: 리드 프레임, 13: 패드,
15: 아일랜드, 16: 테이프,
17: 리드, 21: 와이어,
23: 압착 볼, 25: 볼 네크,
25a: 압궤부, 25b: 구부러짐부,
26: 가압부, 26a: 꺾임부,
26b: 평면부, 27: 제1 굴곡부,
28: 본딩 중심선, 29: 제2 굴곡부,
31: 직선부, 33: 직선부측 단부,
34: 구부러짐부, 35: 제1 킹크,
37: 제2 킹크, 38: 스트레이트부,
41: 캐필러리, 43: 페이스부,
45: 이너 챔퍼부, 47: 스트레이트공,
50: 세그먼트, 53: 본딩 스테이지,
55: 진공 흡착공, 60: 절단 영역,
70: 블록, 71: 누름 프레임

Claims (4)

  1. 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치로서,
    캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부와,
    볼 본딩부에서 리드로 뻗어 리드에 본딩되는 와이어를 포함하고,
    와이어는,
    볼 본딩후의 와이어 공급 공정에서 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크와 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크가 설치되고, 그 후 루핑되어 리드에 본딩되고,
    패드에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부가 형성되고,
    직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치로서,
    캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부 상에 형성된 볼 네크를 압궤하고, 압궤한 볼 네크 상에 꺽은 와이어의 측면을 가압하여 형성한 가압부와,
    가압부에서 리드로 뻗어 리드에 본딩되는 와이어를 포함하고,
    와이어는,
    가압부 형성후의 와이어 공급 공정에서 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크와 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크가 설치되고, 그 후 루핑되어 리드에 본딩되고,
    가압부에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부가 형성되고,
    직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고,
    캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부에서 리드 쪽으로 뻗고, 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부를 가지며, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가 압되어, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치의 와이어 본딩 방법으로서,
    캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 가압하여 본딩하는 제1 본딩 공정과,
    와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 이동시키는 리버스 공정과,
    리버스 공정보다 길게 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드의 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키고, 와이어에 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크를 형성하는 제1 킹크 형성 공정과,
    와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심 위치까지 이동시키고, 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크와 제2 킹크에 계속되는 스트레이트부를 형성하는 제2 킹크 형성 공정과,
    캐필러리를 리드 쪽으로 루핑시키고, 캐필러리를 리드에 가압하여 와이어를 리드에 본딩하는 제2 본딩 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
  4. 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고,
    캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부 상에 형성된 볼 네크를 압궤하고, 압궤한 볼 네크 상에 꺾은 와이어의 측면을 가압하여 형성한 가압부와, 가압부에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방 향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부를 가지며, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치의 와이어 본딩 방법으로서,
    캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 가압하여 본딩하는 제1 본딩 공정과,
    와이어를 공급함과 아울러 캐필러리를 상승시키면서 리드와 반대 방향으로 이동시킨 후, 캐필러리를 하강시켜 캐필러리의 페이스부에서 볼 네크를 압궤하고, 다시 와이어를 공급함과 아울러 캐필러리를 상승시키면서 리드의 방향으로 이동시킨 후, 다시 캐필러리를 하강시켜 압궤된 볼 네크 상에 와이어 측면을 가압하여 가압부를 형성하는 가압부 형성 공정과,
    와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키는 리버스 공정과,
    리버스 공정보다 길게 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키고, 와이어에 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크를 형성하는 제1 킹크 형성 공정과,
    와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심 위치까지 이동시키고, 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크와 제2 킹크에 계속되는 스트레이트부를 형성하는 제2 킹크 형성 공정과,
    캐필러리를 리드 쪽으로 루핑시키고, 캐필러리를 리드에 가압하여 와이어를 리드에 본딩하는 제2 본딩 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
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